JP5051179B2 - 温度勾配炉を用いた単結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
従来の代表的な単結晶成長技術として、CZ法(チョクラルスキ−法)、FZ法(帯溶融法)、ブリッジマン法、TSSG法(溶融引上げ法)等が挙げられる。
1)所望の温度勾配を実現することが困難である。上述したように温度勾配の制御因子すなわち変動因子が多様であるため、各因子を最適状態に安定して維持することが至難である。
上記炉内に下から順に原料棒と、溶媒と、支持棒の下端に支持された種結晶とを積層して上記柱状ワークを構成して、該原料棒の下端を該柱状ワークの下端として上記加熱部により加熱させると共に該支持棒の上端を該柱状ワークの上端として上記冷却部により冷却させることにより、上記溶媒の下端面に対して上端面が低温になるように上記柱状ワーク内に温度勾配を形成し、
上記柱状ワーク下端の加熱温度を漸減させることにより、上記種結晶を起点として下方へ連続的に単結晶を成長させる方法において、
上記柱状ワーク下端の加熱温度の降下に同期させて、上記柱状ワーク上端の温度を降下させることにより、上記長手方向の温度勾配を常時一定に維持することを特徴とする。
特に、温度勾配を常時一定に維持することにより、後に詳述する理由で正常な単結晶成長を確保できる。
図1、図2に示した温度勾配炉100、200を用いて、種々の条件にてSiC単結晶の製造実験を行なった。図2の温度勾配炉200は、柱状ワークWを収容する耐熱材料製円筒202を炉内に備えている点以外は、図1の温度勾配炉100と同じ構成である。図1に示した部位と対応する部位には図1中と同じ参照符号を付した。炉の胴体部を構成する断熱性円筒104は内径φ110mm、耐熱材料製円筒202は内径φ50mmである。耐熱性円筒202の材質としては、等方性黒鉛焼結体およびBN焼結体の2種類を用いた。
また黒鉛製断熱円筒202(図2)を用いることにより柱状ワーク径φ20mmでも長さ30mmのSiC単結晶を成長させることが可能であった。更に、断熱円筒202(図2)の材質をBNとすることで柱状ワーク径φ35mmでも成長長さ30mmのSiC単結晶が得られた。
図1、図2、図3に示した温度勾配炉100、200、300を用いてSiC単結晶成長を行なった。図3の温度勾配炉300は、柱状ワークWを収容する耐熱材料製密閉容器204を炉内に備え、かつ溶媒供給源として溶媒容器206を炉底に配置した点以外は、図1の温度勾配炉100と同じ構成である。図1に示した部位と対応する部位には図1中と同じ参照符号を付した。密閉容器204は等方性黒鉛焼結体を用いた。なお、図3の温度勾配炉300については、溶媒容器206を配置しない場合についても実験を行なった。
実施例1と同様な装置構成において、SiC単結晶成長過程における柱状ワークWの下端WBと上端WTとの間の電気抵抗率を測定した。結果を図5に示す。なお実施条件は表1に示した諸条件のうち、降温速度10.0℃/h、成長速度2.5mm/h、柱状ワーク径(成長単結晶径)φ35mm、BN製断熱円筒使用の場合である。
図4に示す温度勾配炉400を用いてSiC単結晶の析出による種結晶の作製を行なった。温度勾配炉400は、図3の温度勾配炉300において種結晶14を用いず、その代わりに支持棒16の下端に円錐形の座繰り凹部208を設け、この凹部先端から単結晶を核生成させ、これを種結晶として長尺の単結晶を成長させるための構成である。表3に示す諸条件で処理を行なった結果、支持棒下端から約1mm(円錐座繰り先端部から7mm)の長さの高品質のSiC単結晶を得ることができ、すなわち装置内部でSiC種結晶を創製することができた。
104 胴体部
106 中空部
108 誘導加熱コイル
110 加熱用サセプタ
112 冷却器
114 冷却用サセプタ
10 原料棒
12 溶媒
14 種結晶
16 支持棒
W ワーク
WT ワーク上端面(冷却端面)
WB ワーク下端面(加熱端面)
Claims (13)
- 柱状ワークにその長手方向の温度勾配を付与する温度勾配炉を用いて溶液からの析出により単結晶を製造する方法であって、上記温度勾配炉として、上記柱状ワークの外周を取り囲む断熱壁と、加熱用サセプタを介して該柱状ワークの下端を加熱する加熱部と、冷却用サセプタを介して該柱状ワークの上端を冷却する冷却部とを備えた温度勾配炉を用い、
上記炉内に下から順に原料棒と、溶媒と、支持棒の下端に支持された種結晶とを積層して上記柱状ワークを構成して、該原料棒の下端を該柱状ワークの下端として上記加熱部により加熱させると共に該支持棒の上端を該柱状ワークの上端として上記冷却部により冷却させることにより、上記溶媒の下端面に対して上端面が低温になるように上記柱状ワーク内に温度勾配を形成し、
上記柱状ワーク下端の加熱温度を漸減させることにより、上記種結晶を起点として下方へ連続的に単結晶を成長させる方法において、
上記柱状ワーク下端の加熱温度の降下に同期させて、上記柱状ワーク上端の温度を降下させることにより、上記長手方向の温度勾配を常時一定に維持することを特徴とする温度勾配炉を用いた単結晶の製造方法。 - 単結晶の成長開始時点で上記冷却部と上記冷却用サセプタとの間に間隙を設け、上記柱状ワーク下端の加熱温度の降下に同期させて該冷却部を降下させて該間隙を減少させることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 上記柱状ワーク下端の加熱温度の降下に同期させて上記冷却部に供給する冷媒の温度を降下させることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 上記溶媒が、上記単結晶原料物質の融点または分解・昇華温度より低い融点を有することを特徴とする請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。
- 上記原料棒が、上記単結晶原料物質の緻密質焼結体から成り、焼結助剤としてドーパントを含有することを特徴とする請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。
- 上記柱状ワークを耐熱性材料から成る円筒内に配置することを特徴とする請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。
- 上記柱状ワークを耐熱性材料から成る密閉容器内に配置することを特徴とする請求項1から6までのいずれか1項記載の方法。
- 上記耐熱性材料が、黒鉛焼結体、アルミナ焼結体、ジルコニア焼結体および窒化硼素焼結体から成る群から選択した1種から成ることを特徴とする請求項6または7記載の方法。
- 上記密閉容器内に溶媒供給源を配置することを特徴とする請求項7記載の方法。
- 上記柱状ワークの上端と下端との間の電気抵抗を測定し、この測定値に基づいて単結晶成長長さを検出することを特徴とする請求項1から9までのいずれか1項記載の方法。
- 上記冷却用サセプタの上端と上記加熱用サセプタの下端との間の電気抵抗を測定することを特徴とする請求項10記載の方法。
- 上記溶媒の温度を該溶媒の沸点直下に設定することを特徴とする請求項1から10までのいずれか1項記載の方法。
- 上記種結晶を、上記支持棒の下端に形成された円錐状凹部の尖端部に生成させることを特徴とする請求項1から12までのいずれか1項記載の方法。
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