JP4453348B2 - 炭化珪素単結晶の製造方法 - Google Patents
炭化珪素単結晶の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4453348B2 JP4453348B2 JP2003394083A JP2003394083A JP4453348B2 JP 4453348 B2 JP4453348 B2 JP 4453348B2 JP 2003394083 A JP2003394083 A JP 2003394083A JP 2003394083 A JP2003394083 A JP 2003394083A JP 4453348 B2 JP4453348 B2 JP 4453348B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- columnar workpiece
- single crystal
- solvent
- silicon carbide
- crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/02—Liquid-phase epitaxial-layer growth using molten solvents, e.g. flux
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B19/00—Liquid-phase epitaxial-layer growth
- C30B19/02—Liquid-phase epitaxial-layer growth using molten solvents, e.g. flux
- C30B19/04—Liquid-phase epitaxial-layer growth using molten solvents, e.g. flux the solvent being a component of the crystal composition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B9/00—Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
従来一般に、このような炭化珪素薄膜の形成は、Si源およびC源としてそれぞれシランおよびプロパンを用いたCVD法により気相成長させていた。しかし、気相からのエピタキシャル成長では基板として用いた種結晶に存在する欠陥、特にSiCの場合にはバーガースベクトルの大きい中空の螺旋転位を実体とするマイクロパイプがエピタキシャル成長膜にまで引き継がれるという欠点があった。
上記温度勾配炉として、上記柱状ワークの外周を取り囲む断熱壁と、加熱用サセプタを介して該柱状ワークの下端を加熱する加熱部と、冷却用サセプタを介して該柱状ワークの上端を冷却する冷却部とを備えた温度勾配炉を用い、
上記炉内に下から順に、炭化珪素から成る原料棒と、溶媒と、種結晶と、該種結晶を下端に支持した支持棒とを積層して上記柱状ワークを構成して、該原料棒の下端を該柱状ワークの下端として上記加熱部により加熱させると共に該支持棒の上端を該柱状ワークの上端として上記冷却部により冷却させることにより、上記溶媒の下端面に対して上端面が低温になるように上記柱状ワーク内に温度勾配を形成し、
上記種結晶を起点として下方へ連続的に炭化珪素単結晶を成長させる方法において、
上記柱状ワークを構成する上記支持棒の外周を密着して取り巻く内筒サセプタを用いることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法が提供される。
上記温度勾配炉として、上記柱状ワークの外周を取り囲む断熱壁と、加熱用サセプタを介して該柱状ワークの下端を加熱する加熱部と、冷却用サセプタを介して該柱状ワークの上端を冷却する冷却部とを備えた温度勾配炉を用い、
上記炉内に下から順に、炭化珪素から成る原料棒と、溶媒と、種結晶と、該種結晶を下端に支持した支持棒とを積層して上記柱状ワークを構成して、該原料棒の下端を該柱状ワークの下端として上記加熱部により加熱させると共に該支持棒の上端を該柱状ワークの上端として上記冷却部により冷却させることにより、上記溶媒の下端面に対して上端面が低温になるように上記柱状ワーク内に温度勾配を形成し、
上記種結晶を起点として下方へ連続的に炭化珪素単結晶を成長させる方法において、
上記原料棒として、上面に上記種結晶の外径に等しい内径の座繰りを設けた原料棒を用い、かつ、所望厚さの単結晶が成長した時点で上記支持棒を引上げることにより該単結晶を上記溶媒から離脱させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法が提供される。
図1、2に、第1発明の炭化珪素単結晶の製造方法に用いる温度勾配炉の望ましい実施形態の一例を示す。図2には、図1の温度勾配炉の内部を拡大して示す。
内筒サセプタ17を用いない場合は面内温度分布の均一性が低いため、図3(A)の上半分に図示したように等温面Lが不規則に湾曲し、面間隔が不揃いになる。すなわち、温度勾配Pは図の上下方向に直線的にならず、不揃いの向きになる。結晶成長は温度勾配Pに沿って進行するので、図3(A)の下半分に示したように成長前面が不規則に波打った曲面状の結晶15Aが成長し、局部的な成長停止も起きる。
本発明に用いる溶媒の望ましい実施形態を説明する。
図7に、第2発明の炭化珪素単結晶の製造方法に用いる温度勾配炉内配置用ケースの望ましい実施形態の一例を示す。温度勾配炉本体は実施形態1において図1に示した構造であり、炉内に配置するケースを単結晶薄膜の製造に適した構造に変更した。
図4に、第1発明による温度勾配炉100を用いた炭化珪素単結晶成長における温度分布の計算解析結果を、柱状ワークW(=原料棒10/溶媒12/種結晶14/支持棒16)の中心軸を含む縦断面内の等温線で示す。計算条件は下記のとおりである。
・使用プログラム
・Memtat(モデル作成):MSC社
・MARC(温度分布計算) :MSC社
・#112/#114境界条件:熱伝達係数250cal/cm2・h・k
・放射(輻射)形態係数は上記プログラムの自動計算機能を利用
・モデルは図4の軸対象モデルとした。
原料棒10:SiC焼結体(焼結助剤B添加、密度は理論密度の99.5%)
溶媒 :YSi
温度 :試料ケース下端(Tb)1850℃(×2時間保持)
温度勾配 :8〜10K/mm
本発明による種々の組成の溶媒を用いて炭化珪素単結晶の成長実験を行い、単結晶成長速度を測定した。
溶媒ペレット12は、φ7.5〜8.5mm×高さ1.5〜2.0mmのディスク状である。
種結晶14は、レリー結晶(15R)を用いた。
坩堝下部設定温度:2000℃
試料下部温度(Tsb):1850℃狙い(ただし、Y系溶媒の一部については、融点が1830℃であるため、下部中実部の高さを他の溶媒の場合の25mmから15mmに減らすことで、溶媒12がより高温に維持されるようにした。)
保持時間:2時間
昇温速度:16.7℃/min
降温速度:3.3℃/min(1200℃まで。以後炉冷)
雰囲気:大気流
図9に、第2発明による温度勾配炉内配置用ケースCA内の温度分布について、計算解析結果を示す。計算条件は下記のとおりである。
・使用プログラム
・Memtat(モデル作成):MSC社
・MARC(温度分布計算) :MSC社
・#112/#114境界条件:熱伝達係数250cal/cm2・h・k
・放射(輻射)形態係数は上記プログラムの自動計算機能を利用
・モデルは図4の軸対象モデルとした。
〔製膜条件〕
溶媒:YSi
種結晶:φ15mm×厚さ0.3mm(4H)
温度:1750℃
保持時間:15min
102…円筒形胴体
108…誘導加熱コイル
110…加熱用サセプタ
112…水冷式冷却器
114…冷却用サセプタ
10…原料棒
12…溶媒
14…種結晶
16…支持棒
17…内筒サセプタ
19…上部伝熱蓋
21…断熱円筒
23…下部伝熱蓋
29…上部伝熱体
31…断熱円筒
33…下部伝熱蓋
36…支持棒
C、CA:ケース
W、WA:柱状ワーク
Claims (7)
- 柱状ワークにその長手方向の温度勾配を付与する温度勾配炉を用いて溶液からの析出により炭化珪素単結晶を製造する方法であって、
上記温度勾配炉として、上記柱状ワークの外周を取り囲む断熱壁と、加熱用サセプタを介して該柱状ワークの下端を加熱する加熱部と、冷却用サセプタを介して該柱状ワークの上端を冷却する冷却部とを備えた温度勾配炉を用い、
上記炉内に下から順に、炭化珪素から成る原料棒と、溶媒と、種結晶と、該種結晶を下端に支持した支持棒とを積層して上記柱状ワークを構成して、該原料棒の下端を該柱状ワークの下端として上記加熱部により加熱させると共に該支持棒の上端を該柱状ワークの上端として上記冷却部により冷却させることにより、上記溶媒の下端面に対して上端面が低温になるように上記柱状ワーク内に温度勾配を形成し、
上記種結晶を起点として下方へ連続的に炭化珪素単結晶を成長させる方法において、
上記柱状ワークを構成する上記支持棒の外周を密着して取り巻く内筒サセプタを用いることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。 - 上記内筒サセプタは下端が上記原料棒の上端に載置され、上記支持棒は上部外周にネジ係合した環状部材により該内筒サセプタの上端で懸下されて上下位置調整可能に保持されていることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 上記原料棒として、上面に円筒状または球面状の座繰り部を備えた原料棒を用いることを特徴とする請求項1または2記載の方法。
- 上記溶媒が、下記の成分:
Siと、
Y、Sc、ランタノイド、周期律表1族元素、および周期律表2族元素から成る群から選択した少なくとも1種の共存元素と、
から成ることを特徴とする請求項1から3までのいずれか1項記載の炭化珪素単結晶の製造方法。 - 柱状ワークにその長手方向の温度勾配を付与する温度勾配炉を用いて溶液からの析出により炭化珪素単結晶を製造する方法であって、
上記温度勾配炉として、上記柱状ワークの外周を取り囲む断熱壁と、加熱用サセプタを介して該柱状ワークの下端を加熱する加熱部と、冷却用サセプタを介して該柱状ワークの上端を冷却する冷却部とを備えた温度勾配炉を用い、
上記炉内に下から順に、炭化珪素から成る原料棒と、溶媒と、種結晶と、該種結晶を下端に支持した支持棒とを積層して上記柱状ワークを構成して、該原料棒の下端を該柱状ワークの下端として上記加熱部により加熱させると共に該支持棒の上端を該柱状ワークの上端として上記冷却部により冷却させることにより、上記溶媒の下端面に対して上端面が低温になるように上記柱状ワーク内に温度勾配を形成し、
上記種結晶を起点として下方へ連続的に炭化珪素単結晶を成長させる方法において、
上記原料棒として、上面に上記種結晶の外径に等しい内径の座繰りを設けた原料棒を用い、かつ、所望厚さの単結晶が成長した時点で上記支持棒を引上げることにより該単結晶を上記溶媒から離脱させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。 - 上記断熱壁と上記柱状ワークとの間に介在する断熱筒で該柱状ワークを取り囲み、上記支持棒の下端部分は外径が該柱状ワークの他の部分より大きい形状とし、該支持棒の下端部分の外周面を該断熱筒の内周面に接触させることを特徴とする請求項5記載の方法。
- 上記支持棒の上端保持部は該支持棒の自由上昇を許容するための緩衝機構を備えていることを特徴とする請求項5または6記載の方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003394083A JP4453348B2 (ja) | 2003-11-25 | 2003-11-25 | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
CNB2004800248938A CN100365173C (zh) | 2003-11-25 | 2004-11-19 | 制备碳化硅单晶的方法 |
US10/566,607 US7588636B2 (en) | 2003-11-25 | 2004-11-19 | Method of production of silicon carbide single crystal |
PCT/JP2004/017652 WO2005053003A2 (en) | 2003-11-25 | 2004-11-19 | Method of production of silicon carbide single crystal |
EP04799854A EP1690284B1 (en) | 2003-11-25 | 2004-11-19 | Method of production of silicon carbide single crystal |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003394083A JP4453348B2 (ja) | 2003-11-25 | 2003-11-25 | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005154190A JP2005154190A (ja) | 2005-06-16 |
JP4453348B2 true JP4453348B2 (ja) | 2010-04-21 |
Family
ID=34631447
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003394083A Expired - Fee Related JP4453348B2 (ja) | 2003-11-25 | 2003-11-25 | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7588636B2 (ja) |
EP (1) | EP1690284B1 (ja) |
JP (1) | JP4453348B2 (ja) |
CN (1) | CN100365173C (ja) |
WO (1) | WO2005053003A2 (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010241628A (ja) * | 2009-04-03 | 2010-10-28 | Bridgestone Corp | 炭化珪素単結晶の製造装置 |
KR101454978B1 (ko) * | 2009-08-27 | 2014-10-27 | 신닛테츠스미킨 카부시키카이샤 | SiC 단결정 웨이퍼와 그 제조 방법 |
US10167573B2 (en) | 2010-11-26 | 2019-01-01 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Method of producing SiC single crystal |
CN103562443B (zh) * | 2011-03-23 | 2016-05-18 | 丰田自动车株式会社 | SiC单晶的制造方法和制造装置 |
JP5777437B2 (ja) * | 2011-07-27 | 2015-09-09 | 京セラ株式会社 | 単結晶基板およびそれを用いた半導体素子 |
EP2775015B1 (en) * | 2011-10-31 | 2017-06-21 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | SiC SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING METHOD |
JP5801730B2 (ja) * | 2012-01-20 | 2015-10-28 | トヨタ自動車株式会社 | 単結晶の製造装置に用いられる種結晶保持軸及び単結晶の製造方法 |
CN102758255B (zh) * | 2012-08-02 | 2015-05-27 | 元亮科技有限公司 | 顶部籽晶温度梯度法生长大尺寸高温氧化物晶体的方法 |
JP5905864B2 (ja) * | 2013-09-27 | 2016-04-20 | トヨタ自動車株式会社 | SiC単結晶及びその製造方法 |
JP5890377B2 (ja) * | 2013-11-21 | 2016-03-22 | トヨタ自動車株式会社 | SiC単結晶の製造方法 |
JP6106815B2 (ja) * | 2015-02-09 | 2017-04-05 | 伸 阿久津 | 単結晶製造装置および単結晶製造方法 |
CN106119954B (zh) * | 2016-08-31 | 2018-11-06 | 台州市一能科技有限公司 | 一种碳化硅单晶制造装置 |
WO2018062689A1 (ko) | 2016-09-29 | 2018-04-05 | 주식회사 엘지화학 | 실리콘계 용융 조성물 및 이를 이용하는 실리콘카바이드 단결정의 제조 방법 |
JP6883409B2 (ja) * | 2016-11-22 | 2021-06-09 | 昭和電工株式会社 | SiC単結晶成長方法、SiC単結晶成長装置及びSiC単結晶インゴット |
KR102142424B1 (ko) * | 2017-06-29 | 2020-08-07 | 주식회사 엘지화학 | 실리콘계 용융 조성물 및 이를 이용하는 실리콘카바이드 단결정의 제조 방법 |
KR102158624B1 (ko) * | 2017-11-03 | 2020-09-22 | 주식회사 엘지화학 | 실리콘계 용융 조성물 및 이를 이용하는 실리콘카바이드 단결정의 제조 방법 |
KR102302753B1 (ko) * | 2018-05-25 | 2021-09-14 | 주식회사 엘지화학 | 실리콘계 용융 조성물 및 이를 이용하는 실리콘카바이드 단결정의 제조 방법 |
CN108793692B (zh) * | 2018-06-19 | 2021-04-23 | 江苏省晶瑞石英工业开发研究院有限公司 | 一种气炼石英玻璃碇自整型的方法 |
TWI774523B (zh) * | 2021-08-19 | 2022-08-11 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 單晶成長的方法 |
CN117385467B (zh) * | 2023-12-12 | 2024-02-13 | 乾晶半导体(衢州)有限公司 | 一种制备碳化硅晶体的方法及碳化硅晶体 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4349407A (en) * | 1979-05-09 | 1982-09-14 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method of forming single crystals of beta silicon carbide using liquid lithium as a solvent |
US4415401A (en) * | 1980-03-10 | 1983-11-15 | Mobil Solar Energy Corporation | Control of atmosphere surrounding crystal growth zone |
DE19527536A1 (de) * | 1995-07-27 | 1997-01-30 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen von Siliciumcarbid-Einkristallen |
US6086672A (en) * | 1998-10-09 | 2000-07-11 | Cree, Inc. | Growth of bulk single crystals of aluminum nitride: silicon carbide alloys |
JP2000264790A (ja) | 1999-03-17 | 2000-09-26 | Hitachi Ltd | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
US6863728B2 (en) * | 2001-02-14 | 2005-03-08 | The Fox Group, Inc. | Apparatus for growing low defect density silicon carbide |
US6647809B1 (en) * | 2002-08-29 | 2003-11-18 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Silicon carbide high temperature anemometer and method for assembling the same |
JP2004315281A (ja) | 2003-04-15 | 2004-11-11 | Toyota Motor Corp | 温度勾配炉を用いた単結晶の製造方法 |
US7012016B2 (en) * | 2003-11-18 | 2006-03-14 | Shangjr Gwo | Method for growing group-III nitride semiconductor heterostructure on silicon substrate |
-
2003
- 2003-11-25 JP JP2003394083A patent/JP4453348B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-11-19 US US10/566,607 patent/US7588636B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-11-19 EP EP04799854A patent/EP1690284B1/en not_active Not-in-force
- 2004-11-19 CN CNB2004800248938A patent/CN100365173C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-11-19 WO PCT/JP2004/017652 patent/WO2005053003A2/en active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100365173C (zh) | 2008-01-30 |
US20060292057A1 (en) | 2006-12-28 |
US7588636B2 (en) | 2009-09-15 |
EP1690284B1 (en) | 2011-06-22 |
WO2005053003A3 (en) | 2008-02-14 |
JP2005154190A (ja) | 2005-06-16 |
CN1863945A (zh) | 2006-11-15 |
EP1690284A2 (en) | 2006-08-16 |
WO2005053003A2 (en) | 2005-06-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4453348B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP6558394B2 (ja) | SiC単結晶の製造方法及び製造装置 | |
JP5434801B2 (ja) | SiC単結晶の製造方法 | |
JP5839117B2 (ja) | SiC単結晶及びその製造方法 | |
JP6267303B2 (ja) | 結晶の製造方法 | |
JP5890377B2 (ja) | SiC単結晶の製造方法 | |
JP6216060B2 (ja) | 結晶の製造方法 | |
JP2016064958A (ja) | SiC単結晶の製造方法 | |
JP6354615B2 (ja) | SiC単結晶の製造方法 | |
JP6344374B2 (ja) | SiC単結晶及びその製造方法 | |
JP6190070B2 (ja) | 結晶の製造方法 | |
JP5051179B2 (ja) | 温度勾配炉を用いた単結晶の製造方法 | |
JP4270034B2 (ja) | SiC単結晶の製造方法 | |
KR101829981B1 (ko) | SiC 단결정의 제조 방법 | |
JP2017202969A (ja) | SiC単結晶及びその製造方法 | |
JP2018150193A (ja) | SiC単結晶の製造方法 | |
JP6030525B2 (ja) | SiC単結晶の製造方法 | |
JP2004315281A (ja) | 温度勾配炉を用いた単結晶の製造方法 | |
JP2018043898A (ja) | SiC単結晶の製造方法 | |
JP2016121027A (ja) | 保持体、結晶製造装置および結晶の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061025 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091020 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091110 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100112 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100125 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130212 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130212 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130212 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140212 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |