JP2017220526A5 - - Google Patents
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Claims (12)
- シリコン膜と、シリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜を表面に有する基板に対して、
ドーパント元素および第１のリガンドを含む第１のドーパント含有ガスを供給して、第１のドーパント含有層を形成する工程と、
前記第１のドーパント含有層が形成された基板に対して、前記ドーパント元素および前記第１のリガンドとは異なり前記第１のリガンドと反応する第２のリガンドを含む第２のドーパント含有ガスを供給して、第２のドーパント含有層を形成する工程と、
を所定回数行うことにより、前記シリコン膜上に前記ドーパント元素を含むドーパント膜を選択成長させる工程と、
前記ドーパント膜が形成された基板に対して熱処理を行い、前記シリコン膜内に前記ドーパント元素を拡散させることにより、前記基板上にドープドシリコン膜を形成する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 前記第２のリガンドはハロゲン元素もしくは水素元素のいずれかであり、前記第１のリガンドと前記第２のリガンドとは互いに反応してハロゲン化水素を生成する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ドーパント元素は、ホウ素である請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ドーパント膜は、結晶化したホウ素膜である請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第１のドーパント含有ガスと、第２のドーパント含有ガスは、一方がＢＣｌ ３ で他方がＢ ２ Ｈ ６ である請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第１のドーパント含有ガスはＢＣｌ ３ であり、前記第１のドーパント含有層を形成する工程を、前記第２のドーパント含有層を形成する工程よりも先に行う請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第１のドーパント含有ガスは、Ｂ ２ Ｈ ６ であり、第１のドーパント含有層を形成する工程を、前記第２のドーパント含有層を形成する工程よりも先に行う請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記基板上にドープドシリコン膜を形成する工程では、窒素雰囲気下で熱処理を行う請求項１乃至７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第１のドーパント含有層を形成する工程と、前記第２のドーパント含有層を形成する工程とを同時に行う請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第１のドーパント含有層を形成する工程の後、前記第１のドーパント含有ガスを除去する工程を行い、前記第２のドーパント含有層を形成する工程の後、前記第２のドーパント含有ガスを除去する工程を行う請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板を収容する処理室と、
前記基板に対して、ドーパント元素および第１のリガンドを含む第１のドーパント含有ガス、前記ドーパント元素および前記第１のリガンドとは異なり前記第１のリガンドと反応する第２のリガンドを含む第２のドーパント含有ガスを供給するガス供給系と、
前記基板を加熱する加熱系と、
前記ガス供給系、前記加熱系を制御して、前記処理室に収容されたシリコン膜と、シリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜を表面に有する基板に対して、前記第１のドーパント含有ガスを供給して、第１のドーパント含有層を形成する処理と、前記第１のドーパント含有層が形成された基板に対して、前記第２のドーパント含有ガスを供給して、第２のドーパント含有層を形成する処理と、を所定回数行うことにより、前記シリコン膜上に前記ドーパント元素を含むドーパント膜を選択成長させる処理と、前記ドーパント膜が形成された基板に対して熱処理を行い、前記シリコン膜内に前記ドーパント元素を拡散させることにより、前記基板上にドープドシリコン膜を形成する処理と、を行うよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。
- シリコン膜と、シリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜を表面に有する基板に対して、
ドーパント元素および第１のリガンドを含む第１のドーパント含有ガスを供給して、第１のドーパント含有層を形成する手順と、
前記第１のドーパント含有層が形成された基板に対して、前記ドーパント元素および前記第１のリガンドとは異なり前記第１のリガンドと反応する第２のリガンドを含む第２のドーパント含有ガスを供給して、第２のドーパント含有層を形成する手順と、
を所定回数行うことにより、前記シリコン膜上に前記ドーパント元素を含むドーパント膜を選択成長させる手順と、
前記ドーパント膜が形成された基板に対して熱処理を行い、前記シリコン膜内に前記ドーパント元素を拡散させることにより、前記基板上にドープドシリコン膜を形成する手順と、
が実行される基板処理装置を、コンピュータによって制御させるためのプログラム。
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