JP2010087487A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. ガラス基板上に非晶質半導体膜を形成し、
   処理雰囲気の温度を、７２５℃以上とした後、
   前記ガラス基板を、前記処理雰囲気内にあり、７２５℃以上である支持台上に導入して所定時間保持することにより、前記非晶質半導体膜を結晶化し、
   前記ガラス基板を、前記処理雰囲気から取り出すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 請求項１において、
   前記所定時間は、１分以上１０分以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項１又は２において、
   前記処理雰囲気の温度を、７２５℃以上且つ前記ガラス基板の歪み点未満とし、
   前記保持は、前記ガラス基板の歪み点未満の温度で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記処理雰囲気には、少なくとも、水素、ヘリウム、水のいずれかが含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記処理雰囲気の温度は、輻射熱によって保持されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項１乃至５のいずれか一において、
   前記ガラス基板の歪み点は、７３０℃以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 請求項１乃至６のいずれか一において、
   前記ガラス基板には、Ｂ_２Ｏ_３よりＢａＯが多く含まれることを特徴とする半導体装置の作製方法。