JP2021500603A - 単一リソグラフィ露光パスで複数の空間像を形成すること - Google Patents
単一リソグラフィ露光パスで複数の空間像を形成すること Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021500603A JP2021500603A JP2020521348A JP2020521348A JP2021500603A JP 2021500603 A JP2021500603 A JP 2021500603A JP 2020521348 A JP2020521348 A JP 2020521348A JP 2020521348 A JP2020521348 A JP 2020521348A JP 2021500603 A JP2021500603 A JP 2021500603A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pulses
- wafer
- spatial image
- light
- plane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001459 lithography Methods 0.000 title claims description 32
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 99
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 65
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 80
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 claims description 40
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 38
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 27
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 8
- ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N argon hydrofluoride Chemical compound F.[Ar] ISQINHMJILFLAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QGOSZQZQVQAYFS-UHFFFAOYSA-N krypton difluoride Chemical compound F[Kr]F QGOSZQZQVQAYFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 122
- 230000008569 process Effects 0.000 description 22
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZPPHXVFMVZRTE-UHFFFAOYSA-N [Kr]F Chemical compound [Kr]F VZPPHXVFMVZRTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004378 air conditioning Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000671 immersion lithography Methods 0.000 description 1
- 238000011900 installation process Methods 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HGCGQDMQKGRJNO-UHFFFAOYSA-N xenon monochloride Chemical compound [Xe]Cl HGCGQDMQKGRJNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0037—Production of three-dimensional images
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70041—Production of exposure light, i.e. light sources by pulsed sources, e.g. multiplexing, pulse duration, interval control or intensity control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70416—2.5D lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
- H10B41/20—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels
- H10B41/23—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels
- H10B41/27—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels the channels comprising vertical portions, e.g. U-shaped channels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
- H10B43/20—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels
- H10B43/23—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels
- H10B43/27—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels the channels comprising vertical portions, e.g. U-shaped channels
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Lasers (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
[0001] この出願は、2017年10月19日に出願された米国仮特許出願第62/574,628号の優先権を主張し、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
ΔD=C*Δλ 式(1)
式中、ΔDは分離距離879(単位:ナノメートル(nm))であり、Cは色収差(焦点面が波長変化のために伝搬方向に移動する距離として定義される)であり、Δλはスペクトル分離873(単位:ピコメートル)である。分離距離875は、例えば5000nm(5μm)であってよく、スペクトル分離873は約200〜300fmであってよい。
1.フォトリソグラフィシステムを使用して3次元半導体コンポーネントを形成する方法であって、方法が、
複数の光パルスを含むパルス光ビームを伝搬方向に沿ってマスクに向けること、
単一露光パスの間に光ビームの光パルスの一セットを、マスクを通過させてウェーハに向けること、
単一露光パスの間に、マスクを通過するパルスセット内の光パルスに基づいて、ウェーハ上に少なくとも第1の空間像及び第2の空間像を生成することであって、第1の空間像がウェーハ上の第1の平面にあり、第2の空間像がウェーハ上の第2の平面にあり、第1の平面及び第2の平面が伝搬方向に沿って分離距離だけ互いに離れていること、及び
第1の空間像の光とウェーハの第1の部分の材料との相互作用及び第2の空間像の光とウェーハの第2の部分の材料との相互作用に基づいて、フォトレジストに3次元半導体コンポーネントをパターニングすること、を含み、
パルスセット内のパルスの少なくとも1つが第1の一次波長を有し、パルスセット内の他のパルスの少なくとも1つが、第1の一次波長と異なる第2の一次波長を有することにより、第1及び第2のパルスセットのスペクトルがスペクトル的に異なり、分離距離が第1の一次波長と第2の一次波長の差に基づく、方法。
2.単一露光パスの間にマスクを通過するパルスセット内のパルスの少なくとも1つが2つ以上の光の一次波長を含む、条項1に記載の方法。
3.各一次波長が、最も近い別の一次波長から200フェムトメートル(fm)から500ピコメートル(pm)のスペクトル分離によって分離される、条項2に記載の方法。
4.第1の空間像と第2の空間像の間の分離距離が単一露光パスの間に変化する、条項1に記載の方法。
5.単一露光パスが第1の露光パスであり、方法がさらに、第2の露光パスの間、かつ第1の露光パスが完了した後に、光ビームの光パルスの第2のセットをマスクを通過させてウェーハに向けることを含み、第1の空間像と第2の空間像の間の分離距離が、第1の露光パス及び第2の露光パスの間異なる、条項1に記載の方法。
6.第1の空間像と第2の空間像の間の分離距離が単一露光パスに先立って設定され、分離距離が単一露光パスの間変化しない、条項1に記載の方法。
7.第1の空間像と第2の空間像の間の分離距離が、フォトリソグラフィシステムの1つ以上のフィーチャに適応するように設定される、条項6に記載の方法。
8.パルスセットが、光パルスの第1のグループと光パルスの第2のグループとを含み、光パルスの第1のグループの各パルスが第1の一次波長を有し、光パルスの第2のグループの各パルスが第2の一次波長を有し、方法がさらに、
パルスの第1のグループの特性を制御することによって第1の空間像の光量を制御すること、及び
パルスの第2のグループの特性を制御することによって第2の空間像の光量を制御することを含む、条項1に記載の方法。
9.第1のグループの特性が第1のグループのパルス数を含み、第2のグループの特性が第2のグループのパルス数を含む、条項8に記載の方法。
10.第1のグループのパルス数を制御することが、パルスの第1のグループに含む第1のパルス数を、単一露光パスが始まる前に決定することを含み、パルスの第2のグループのパルス数を制御することが、パルスの第2のグループに含む第2のパルス数を、単一露光パスの前に決定することを含む、条項9に記載の方法。
11.第1のパルス数及び第2のパルス数を決定することが、(a)オペレータからの入力を受け取ること、及び(b)フォトリソグラフィシステムと関連付けられたあらかじめ規定された設定にアクセスすること、の1つ以上を含む、条項10に記載の方法。
12.パルスの第1のグループの特性が第1のグループの各パルスの強度を含み、パルスの第2のグループの特性が第2のグループの各パルスの強度を含む、条項8に記載の方法。
13.ウェーハ上の第1の平面及びウェーハ上の第2の平面が、伝搬方向に対して実質的に垂直な平面である、条項1に記載の方法。
14.パルスの第1のグループ及びパルスの第2のグループが、単一露光パスにおいてマスクを通過する全てのパルスを含む、条項9に記載の方法。
15.3次元半導体の第1のフィーチャが第1の平面に形成され、
3次元半導体の第2のフィーチャが第2の平面に形成され、
第1及び第2のフィーチャが、伝搬方向に実質的に平行に延在する側壁によって互いから離れている、条項1に記載の方法。
16.3次元半導体コンポーネントが、3次元NANDフラッシュメモリコンポーネントを含む、条項1に記載の方法。
17.第1の平面が第1の焦点面に対応し、第2の平面が第2の焦点面に対応し、第1の平面と第2の平面の間の分離距離が、マスクを通過する光パルスの1つ以上の波長の差、又はパルスセットの個別のパルス間の波長の差に基づく、条項1に記載の方法。
18.光源と、
光源からのパルス光ビームと相互作用するように配置されたマスクと、
ウェーハホルダと、を備えたリソグラフィスキャナ装置と、
光源に結合された制御システムと、を備えたフォトリソグラフィシステムであって、
制御システムが、光源に、単一露光パスの間にパルス光ビームをリソグラフィスキャナ装置に向けて放出させるように構成され、単一露光パスの間、少なくとも第1の空間像及び第2の空間像が、ウェーハホルダで支えられたウェーハ上に、マスクを伝搬方向に沿って通過する光パルスの一セットの光パルスに基づいて形成され、第1の空間像がウェーハ上の第1の平面にあり、第2の空間像がウェーハ上の第2の平面にあり、第1の平面及び第2の平面が、伝搬方向に沿って分離距離だけ互いに離れており、3次元半導体コンポーネントが、第1の空間像の光とウェーハの第1の部分の材料との相互作用及び第2の空間像の光とウェーハの第2の部分の材料との相互作用に基づいて形成され、
パルスセット内のパルスの少なくとも1つが第1の一次波長を有し、
パルスセット内の他のパルスの少なくとも1つが、パルスの第1及び第2のセットのスペクトルがスペクトル的に異なるように、第1の一次波長と異なる第2の一次波長を有し、
分離距離が第1の一次波長と第2の一次波長の差に基づく、フォトリソグラフィシステム。
19.制御システムが、コンピュータ可読記憶媒体と、コンピュータ可読記憶媒体と結合された1つ以上の電子プロセッサと、入出力インターフェイスと、を備え、フォトリソグラフィシステムに関連するレシピがコンピュータ可読記憶媒体に記憶される、条項18に記載のフォトリソグラフィシステム。
20.レシピが分離距離を規定する、条項19に記載のフォトリソグラフィシステム。
21.レシピが、ウェーハごと又はロットごとに分離距離を規定する、条項20に記載のフォトリソグラフィシステム。
22.光源が、フッ化クリプトン(KrF)利得媒質又はフッ化アルゴン(ArF)利得媒質を含む、条項18に記載のフォトリソグラフィシステム。
Claims (22)
- フォトリソグラフィシステムを使用して3次元半導体コンポーネントを形成する方法であって、
複数の光パルスを含むパルス光ビームを伝搬方向に沿ってマスクに向けることと、
単一露光パスの間に前記光ビームの前記光パルスの一セットを、前記マスクを通過させてウェーハに向けることと、
前記単一露光パスの間に、前記マスクを通過する前記パルスセット内の光パルスに基づいて、前記ウェーハ上に少なくとも第1の空間像及び第2の空間像を生成することであって、前記第1の空間像が前記ウェーハ上の第1の平面にあり、前記第2の空間像が前記ウェーハ上の第2の平面にあり、前記第1の平面及び前記第2の平面が前記伝搬方向に沿って分離距離だけ互いに離れていることと、
前記第1の空間像の光と前記ウェーハの第1の部分の材料との相互作用及び前記第2の空間像の光と前記ウェーハの第2の部分の材料との相互作用に基づいて、フォトレジストに前記3次元半導体コンポーネントをパターニングすることと、を含み、
前記パルスセット内のパルスの少なくとも1つが第1の一次波長を有し、前記パルスセット内の他のパルスの少なくとも1つが前記第1の一次波長と異なる第2の一次波長を有することにより、前記第1及び第2のパルスセットのスペクトルがスペクトル的に異なり、
前記分離距離が、前記第1の一次波長と前記第2の一次波長の差に基づく、方法。 - 前記単一露光パスの間に前記マスクを通過する前記パルスセット内のパルスの少なくとも1つが、2つ以上の光の一次波長を含む、請求項1に記載の方法。
- 各一次波長が、最も近い別の一次波長から200フェムトメートル(fm)から500ピコメートル(pm)のスペクトル分離によって分離される、請求項2に記載の方法。
- 前記第1の空間像と前記第2の空間像の間の前記分離距離が、前記単一露光パスの間に変化する、請求項1に記載の方法。
- 前記単一露光パスが、第1の露光パスであり、
前記方法がさらに、第2の露光パスの間、かつ前記第1の露光パスが完了した後に、前記光ビームの光パルスの第2のセットを前記マスクを通過させて前記ウェーハに向けることを含み、
前記第1の空間像と前記第2の空間像の間の前記分離距離が、前記第1の露光パス及び前記第2の露光パスの間異なる、請求項1に記載の方法。 - 前記第1の空間像と前記第2の空間像の間の前記分離距離が、前記単一露光パスに先立って設定され、
前記分離距離が、前記単一露光パスの間変化しない、請求項1に記載の方法。 - 前記第1の空間像と前記第2の空間像の間の前記分離距離が、前記フォトリソグラフィシステムの1つ以上のフィーチャに適応するように設定される、請求項6に記載の方法。
- 前記パルスセットが、光パルスの第1のグループと光パルスの第2のグループとを含み、
前記光パルスの第1のグループの各パルスが、前記第1の一次波長を有し、
前記光パルスの第2のグループの各パルスが、前記第2の一次波長を有し、
前記方法がさらに、
前記パルスの第1のグループの特性を制御することによって前記第1の空間像の光量を制御することと、
前記パルスの第2のグループの特性を制御することによって前記第2の空間像の光量を制御することと、
を含む、請求項1に記載の方法。 - 前記第1のグループの前記特性が、前記第1のグループのパルス数を含み、
前記第2のグループの前記特性が、前記第2のグループのパルス数を含む、請求項8に記載の方法。 - 前記第1のグループの前記パルス数を制御することが、前記パルスの第1のグループに含む第1のパルス数を、前記単一露光パスが始まる前に決定することを含み、
前記パルスの第2のグループの前記パルス数を制御することが、前記パルスの第2のグループに含む第2のパルス数を、前記単一露光パスの前に決定することを含む、請求項9に記載の方法。 - 前記第1のパルス数及び前記第2のパルス数を決定することが、(a)オペレータからの入力を受け取ることと、(b)前記フォトリソグラフィシステムと関連付けられたあらかじめ規定された設定にアクセスすることと、の1つ以上を含む、請求項10に記載の方法。
- 前記パルスの第1のグループの前記特性が、前記第1のグループの各パルスの強度を含み、
前記パルスの第2のグループの前記特性が、前記第2のグループの各パルスの強度を含む、請求項8に記載の方法。 - 前記ウェーハ上の前記第1の平面及び前記ウェーハ上の前記第2の平面が、前記伝搬方向に対して実質的に垂直な平面である、請求項1に記載の方法。
- 前記パルスの第1のグループ及び前記パルスの第2のグループが、前記単一露光パスにおいて前記マスクを通過する全てのパルスを含む、請求項9に記載の方法。
- 前記3次元半導体の第1のフィーチャが、前記第1の平面に形成され、
前記3次元半導体の第2のフィーチャが、前記第2の平面に形成され、
前記第1及び第2のフィーチャが、前記伝搬方向に実質的に平行に延在する側壁によって互いから離れている、請求項1に記載の方法。 - 前記3次元半導体コンポーネントが、3次元NANDフラッシュメモリコンポーネントを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1の平面が、第1の焦点面に対応し、
前記第2の平面が、第2の焦点面に対応し、
前記第1の平面と前記第2の平面の間の前記分離距離が、前記マスクを通過する光パルスの1つ以上の波長の差、又は前記パルスセットの個別のパルス間の波長の差に基づく、請求項1に記載の方法。 - 光源と、
前記光源からのパルス光ビームと相互作用するように配置されたマスクと、ウェーハホルダと、を有するリソグラフィスキャナ装置と、
前記光源に結合された制御システムと、
を備えたフォトリソグラフィシステムであって、
前記制御システムが、前記光源に、単一露光パスの間に前記パルス光ビームを前記リソグラフィスキャナ装置に向けて放出させるように構成され、前記単一露光パスの間、少なくとも第1の空間像及び第2の空間像が、前記ウェーハホルダで支えられたウェーハ上に、前記マスクを伝搬方向に沿って通過する光パルスの一セットの光パルスに基づいて形成され、前記第1の空間像が前記ウェーハ上の第1の平面にあり、前記第2の空間像が前記ウェーハ上の第2の平面にあり、前記第1の平面及び前記第2の平面が、前記伝搬方向に沿って分離距離だけ互いに離れており、3次元半導体コンポーネントが、前記第1の空間像の光と前記ウェーハの第1の部分の材料との相互作用及び前記第2の空間像の光と前記ウェーハの第2の部分の材料との相互作用に基づいて形成され、
前記パルスセット内のパルスの少なくとも1つが、第1の一次波長を有し、
前記パルスセット内の他のパルスの少なくとも1つが、前記パルスの第1及び第2のセットのスペクトルがスペクトル的に異なるように、前記第1の一次波長と異なる第2の一次波長を有し、
前記分離距離が、前記第1の一次波長と前記第2の一次波長の差に基づく、フォトリソグラフィシステム。 - 前記制御システムが、コンピュータ可読記憶媒体と、前記コンピュータ可読記憶媒体と結合された1つ以上の電子プロセッサと、入出力インターフェイスと、を備え、
前記フォトリソグラフィシステムに関連するレシピが、前記コンピュータ可読記憶媒体に記憶される、請求項18に記載のフォトリソグラフィシステム。 - 前記レシピが、前記分離距離を規定する、請求項19に記載のフォトリソグラフィシステム。
- 前記レシピが、ウェーハごと又はロットごとに前記分離距離を規定する、請求項20に記載のフォトリソグラフィシステム。
- 前記光源が、フッ化クリプトン(KrF)利得媒質又はフッ化アルゴン(ArF)利得媒質を含む、請求項18に記載のフォトリソグラフィシステム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022110886A JP2022136121A (ja) | 2017-10-19 | 2022-07-11 | 単一リソグラフィ露光パスで複数の空間像を形成すること |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201762574628P | 2017-10-19 | 2017-10-19 | |
US62/574,628 | 2017-10-19 | ||
PCT/US2018/052949 WO2019079010A1 (en) | 2017-10-19 | 2018-09-26 | FORMATION OF MULTIPLE AERIAL IMAGES IN ONE LITHOGRAPHIC EXPOSURE PASSAGE |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022110886A Division JP2022136121A (ja) | 2017-10-19 | 2022-07-11 | 単一リソグラフィ露光パスで複数の空間像を形成すること |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021500603A true JP2021500603A (ja) | 2021-01-07 |
Family
ID=66173445
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020521348A Pending JP2021500603A (ja) | 2017-10-19 | 2018-09-26 | 単一リソグラフィ露光パスで複数の空間像を形成すること |
JP2022110886A Pending JP2022136121A (ja) | 2017-10-19 | 2022-07-11 | 単一リソグラフィ露光パスで複数の空間像を形成すること |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022110886A Pending JP2022136121A (ja) | 2017-10-19 | 2022-07-11 | 単一リソグラフィ露光パスで複数の空間像を形成すること |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11526082B2 (ja) |
JP (2) | JP2021500603A (ja) |
KR (3) | KR102484685B1 (ja) |
CN (2) | CN118011728A (ja) |
TW (4) | TWI788944B (ja) |
WO (1) | WO2019079010A1 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11287743B2 (en) | 2018-03-12 | 2022-03-29 | Asml Netherlands B.V. | Control system and method |
US11526083B2 (en) | 2018-03-30 | 2022-12-13 | Cymer, Llc | Spectral feature selection and pulse timing control of a pulsed light beam |
US11892403B2 (en) | 2019-06-20 | 2024-02-06 | Cilag Gmbh International | Image synchronization without input clock and data transmission clock in a pulsed fluorescence imaging system |
US11147436B2 (en) | 2019-06-20 | 2021-10-19 | Cilag Gmbh International | Image rotation in an endoscopic fluorescence imaging system |
US11716533B2 (en) | 2019-06-20 | 2023-08-01 | Cilag Gmbh International | Image synchronization without input clock and data transmission clock in a pulsed fluorescence imaging system |
US11671691B2 (en) | 2019-06-20 | 2023-06-06 | Cilag Gmbh International | Image rotation in an endoscopic laser mapping imaging system |
US11754500B2 (en) | 2019-06-20 | 2023-09-12 | Cilag Gmbh International | Minimizing image sensor input/output in a pulsed fluorescence imaging system |
US11986160B2 (en) * | 2019-06-20 | 2024-05-21 | Cllag GmbH International | Image synchronization without input clock and data transmission clock in a pulsed hyperspectral imaging system |
US11172811B2 (en) | 2019-06-20 | 2021-11-16 | Cilag Gmbh International | Image rotation in an endoscopic fluorescence imaging system |
US11516387B2 (en) | 2019-06-20 | 2022-11-29 | Cilag Gmbh International | Image synchronization without input clock and data transmission clock in a pulsed hyperspectral, fluorescence, and laser mapping imaging system |
US11134832B2 (en) | 2019-06-20 | 2021-10-05 | Cilag Gmbh International | Image rotation in an endoscopic hyperspectral, fluorescence, and laser mapping imaging system |
WO2021015919A1 (en) | 2019-07-23 | 2021-01-28 | Cymer, Llc | Method of compensating wavelength error induced by repetition rate deviation |
EP4050416A1 (en) | 2021-02-25 | 2022-08-31 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic method |
KR20230122610A (ko) | 2020-12-24 | 2023-08-22 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 방법 |
WO2023096768A1 (en) * | 2021-11-29 | 2023-06-01 | Cymer, Llc | Control voltage threshold selection to facilitate multifocal imaging |
WO2024030478A1 (en) * | 2022-08-05 | 2024-02-08 | Cymer, Llc | Apparatus for and method of control for multifocal imaging |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0831734A (ja) * | 1994-07-19 | 1996-02-02 | Sony Corp | 半導体露光装置及び多重結像露光法の最適化法 |
JP2001092147A (ja) * | 1999-09-20 | 2001-04-06 | Ricoh Co Ltd | レジストパターン形成方法およびレジストパターン形成装置およびレジストパターンおよびマイクロレンズ |
JP2004046003A (ja) * | 2002-07-15 | 2004-02-12 | Seiko Epson Corp | 微細構造体、微細構造体の製造方法及び製造装置 |
JP2005513769A (ja) * | 2001-12-17 | 2005-05-12 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 光学像を形成する方法、この方法に用いる回折素子、この方法を実行するための装置 |
JP2005158819A (ja) * | 2003-11-20 | 2005-06-16 | Elpida Memory Inc | 露光方法 |
JP2006216949A (ja) * | 2005-02-01 | 2006-08-17 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィにおける粗密バイアスを制御するための方法および装置 |
JP2007511074A (ja) * | 2003-11-03 | 2007-04-26 | サイマー インコーポレイテッド | Relaxガス放電レーザリソグラフィ光源 |
JP2008504684A (ja) * | 2004-06-23 | 2008-02-14 | サイマー インコーポレイテッド | 帯域幅スペクトル制御のためのレーザ出力ビーム波面スプリッタ |
JP2009164296A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
Family Cites Families (88)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56130707A (en) | 1980-03-18 | 1981-10-13 | Canon Inc | Photo-printing device |
US4937619A (en) | 1986-08-08 | 1990-06-26 | Hitachi, Ltd. | Projection aligner and exposure method |
JPH0810666B2 (ja) | 1986-09-05 | 1996-01-31 | 株式会社日立製作所 | パターン形成方法 |
US4869999A (en) | 1986-08-08 | 1989-09-26 | Hitachi, Ltd. | Method of forming pattern and projection aligner for carrying out the same |
JP2619473B2 (ja) | 1987-06-17 | 1997-06-11 | 株式会社日立製作所 | 縮小投影露光方法 |
WO1989002175A1 (en) | 1987-08-25 | 1989-03-09 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Device for controlling the output of excimer laser |
JP2619419B2 (ja) | 1987-10-07 | 1997-06-11 | 株式会社日立製作所 | 縮小投影露光装置 |
JP2940553B2 (ja) | 1988-12-21 | 1999-08-25 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
JPH061754B2 (ja) | 1989-09-01 | 1994-01-05 | 株式会社日立製作所 | パターン露光装置 |
US5343270A (en) | 1990-10-30 | 1994-08-30 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
JP3234891B2 (ja) * | 1990-10-30 | 2001-12-04 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
JP2796899B2 (ja) | 1991-02-16 | 1998-09-10 | 住友重機械工業株式会社 | 色収差2重焦点装置における帯域光および複色光照明方法 |
JP2830492B2 (ja) | 1991-03-06 | 1998-12-02 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
WO1994007160A1 (en) | 1992-09-11 | 1994-03-31 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford, Junior University | Chromatic focal pencil beam-generating apparatus |
JP2852169B2 (ja) | 1993-02-25 | 1999-01-27 | 日本電気株式会社 | 投影露光方法および装置 |
US5303002A (en) * | 1993-03-31 | 1994-04-12 | Intel Corporation | Method and apparatus for enhancing the focus latitude in lithography |
JP3255312B2 (ja) | 1993-04-28 | 2002-02-12 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
JPH07220988A (ja) | 1994-01-27 | 1995-08-18 | Canon Inc | 投影露光方法及び装置及びこれを用いたデバイス製造方法 |
US6322220B1 (en) | 1994-02-14 | 2001-11-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and device manufacturing method using the same |
JP2576798B2 (ja) | 1994-10-07 | 1997-01-29 | 株式会社日立製作所 | 投影露光方法及び投影露光装置 |
US6192064B1 (en) | 1997-07-01 | 2001-02-20 | Cymer, Inc. | Narrow band laser with fine wavelength control |
US6853653B2 (en) | 1997-07-22 | 2005-02-08 | Cymer, Inc. | Laser spectral engineering for lithographic process |
US6671294B2 (en) | 1997-07-22 | 2003-12-30 | Cymer, Inc. | Laser spectral engineering for lithographic process |
JP3031316B2 (ja) | 1997-11-17 | 2000-04-10 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
JPH11265842A (ja) * | 1998-03-17 | 1999-09-28 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置 |
JP3123548B2 (ja) | 1998-06-30 | 2001-01-15 | キヤノン株式会社 | 露光方法及び露光装置 |
WO2015012982A1 (en) | 2013-07-22 | 2015-01-29 | Johnson Kenneth C | Scanned-spot-array duv lithography system |
JP3544892B2 (ja) | 1999-05-12 | 2004-07-21 | 株式会社東京精密 | 外観検査方法及び装置 |
JP2001194321A (ja) | 2000-01-12 | 2001-07-19 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 半導体ウエハの検査装置 |
US20030178583A1 (en) | 2000-09-18 | 2003-09-25 | Kampherbeek Bert Jan | Field emission photo-cathode array for lithography system and lithography system provided with such an array |
JP2004510281A (ja) | 2000-09-25 | 2004-04-02 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 光走査デバイス |
TWI285295B (en) | 2001-02-23 | 2007-08-11 | Asml Netherlands Bv | Illumination optimization in lithography |
JPWO2002073670A1 (ja) | 2001-03-13 | 2004-07-02 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
US20030022112A1 (en) | 2001-07-27 | 2003-01-30 | Juliana Arifin | Structuring method |
JP2003133216A (ja) * | 2001-10-26 | 2003-05-09 | Canon Inc | 露光方法及び露光装置 |
JP4154144B2 (ja) * | 2001-11-13 | 2008-09-24 | キヤノン株式会社 | 露光装置、発光制御方法、およびデバイス製造方法 |
JP2003264134A (ja) | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Nikon Corp | ステージ制御装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
US7002747B2 (en) * | 2003-01-15 | 2006-02-21 | Asml Holding N.V. | Diffuser plate and method of making same |
TWI334511B (en) | 2003-03-31 | 2010-12-11 | Asml Masktools Bv | Source and mask optimization |
GB2402230B (en) | 2003-05-30 | 2006-05-03 | Xsil Technology Ltd | Focusing an optical beam to two foci |
EP1517183A1 (en) | 2003-08-29 | 2005-03-23 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US6829040B1 (en) | 2003-11-07 | 2004-12-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Lithography contrast enhancement technique by varying focus with wavelength modulation |
US7087914B2 (en) * | 2004-03-17 | 2006-08-08 | Cymer, Inc | High repetition rate laser produced plasma EUV light source |
TWI396225B (zh) | 2004-07-23 | 2013-05-11 | 尼康股份有限公司 | 成像面測量方法、曝光方法、元件製造方法以及曝光裝置 |
JP4222296B2 (ja) | 2004-11-22 | 2009-02-12 | 住友電気工業株式会社 | レーザ加工方法とレーザ加工装置 |
US7534552B2 (en) | 2004-12-23 | 2009-05-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20060160037A1 (en) | 2005-01-18 | 2006-07-20 | International Business Machines Corporation | Automated sub-field blading for leveling optimization in lithography exposure tool |
US20060209410A1 (en) | 2005-03-18 | 2006-09-21 | Smith Adlai H | Method and apparatus for compensation or amelioration of lens field curvature and other imaging defects by utilizing a multi-wavelength setting illumination source |
US7525638B2 (en) | 2005-03-23 | 2009-04-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7286207B2 (en) | 2005-04-28 | 2007-10-23 | Infineon Technologies, Ag | Exposing a semiconductor wafer using two different spectral wavelengths and adjusting for chromatic aberration |
US7443484B2 (en) | 2005-05-13 | 2008-10-28 | Infineon Technologies Ag | Method for exposing a semiconductor wafer by applying periodic movement to a component |
EP1724641A1 (en) | 2005-05-20 | 2006-11-22 | Infineon Technologies AG | Lithograpic projection apparatus and method of exposing a semiconductor wafer with a pattern from a mask |
US20070013889A1 (en) | 2005-07-12 | 2007-01-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby having an increase in depth of focus |
EP2037488A4 (en) | 2006-06-09 | 2011-11-23 | Nikon Corp | METHOD AND DEVICE FOR FORMING PATTERNS, METHOD AND DEVICE FOR EXPOSING, AND METHOD FOR MANUFACTURING DEVICES |
US20080018943A1 (en) | 2006-06-19 | 2008-01-24 | Eastman Kodak Company | Direct engraving of flexographic printing plates |
JP2009010231A (ja) * | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
US7969554B2 (en) * | 2007-07-17 | 2011-06-28 | International Business Machines Corporation | Method, computer program, apparatus and system providing printing for an illumination mask for three-dimensional images |
US7703069B1 (en) | 2007-08-14 | 2010-04-20 | Brion Technologies, Inc. | Three-dimensional mask model for photolithography simulation |
US8144739B2 (en) | 2008-10-24 | 2012-03-27 | Cymer, Inc. | System method and apparatus for selecting and controlling light source bandwidth |
JP2010122305A (ja) * | 2008-11-17 | 2010-06-03 | Sony Corp | 露光装置及び露光方法並びに微細加工装置及び微細加工方法 |
DE102008064504B4 (de) | 2008-12-22 | 2011-04-07 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie |
US8520186B2 (en) | 2009-08-25 | 2013-08-27 | Cymer, Llc | Active spectral control of optical source |
NL2005424A (en) | 2009-10-30 | 2011-05-02 | Asml Netherlands Bv | Lithographic method and apparatus. |
JP2011110591A (ja) | 2009-11-27 | 2011-06-09 | Pioneer Electronic Corp | レーザ加工装置 |
KR20120116918A (ko) * | 2010-02-02 | 2012-10-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광방법, 노광장치, 패턴형성방법 및 디바이스 제조방법 |
US8837536B2 (en) | 2010-04-07 | 2014-09-16 | Cymer, Llc | Method and apparatus for controlling light bandwidth |
KR101940843B1 (ko) * | 2011-07-20 | 2019-01-21 | 칼 짜이스 에스엠에스 엘티디 | 포토리소그래픽 마스크의 임계 치수 변동을 결정하기 위한 방법 및 장치 |
JP2013062484A (ja) | 2011-08-24 | 2013-04-04 | Gigaphoton Inc | レーザ装置 |
TWI497231B (zh) * | 2011-11-18 | 2015-08-21 | David Arthur Markle | 以超越繞射極限光子直接寫入之裝置及方法 |
JP2013156448A (ja) * | 2012-01-30 | 2013-08-15 | Nikon Corp | レーザ装置、露光装置及び検査装置 |
US9207119B2 (en) | 2012-04-27 | 2015-12-08 | Cymer, Llc | Active spectral control during spectrum synthesis |
DE102012211256A1 (de) | 2012-06-29 | 2014-01-02 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsanlage für die Projektionslithographie |
JPWO2014192704A1 (ja) | 2013-05-27 | 2017-02-23 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置及びアクチュエータを制御する方法 |
US9715180B2 (en) | 2013-06-11 | 2017-07-25 | Cymer, Llc | Wafer-based light source parameter control |
WO2015008365A1 (ja) | 2013-07-18 | 2015-01-22 | ギガフォトン株式会社 | 露光装置 |
TWI646864B (zh) | 2013-07-22 | 2019-01-01 | 美商克萊譚克公司 | 用於極紫外光之產生之系統及方法 |
US9599510B2 (en) * | 2014-06-04 | 2017-03-21 | Cymer, Llc | Estimation of spectral feature of pulsed light beam |
US9972491B2 (en) * | 2014-06-27 | 2018-05-15 | Toshiba Memory Corporation | Mask data generation method, mask data generation system, and recording medium |
US9989864B2 (en) * | 2014-07-16 | 2018-06-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic method and apparatus |
US9625824B2 (en) * | 2015-04-30 | 2017-04-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Extreme ultraviolet lithography collector contamination reduction |
JP6585174B2 (ja) | 2015-08-07 | 2019-10-02 | ギガフォトン株式会社 | 狭帯域化レーザ装置 |
CN105445834B (zh) * | 2015-10-26 | 2017-09-01 | 苏州大学 | 一种大尺寸衍射光栅的制作方法及曝光装置 |
CN108352673B (zh) | 2015-12-10 | 2020-07-24 | 极光先进雷射株式会社 | 窄带化激光装置和谱线宽度计测装置 |
WO2017102406A1 (en) | 2015-12-18 | 2017-06-22 | Stichting Vu | Inspection apparatus and method |
NL2017844A (en) | 2015-12-22 | 2017-06-28 | Asml Netherlands Bv | Focus control arrangement and method |
NL2017943A (en) | 2015-12-23 | 2017-06-28 | Asml Netherlands Bv | Metrology methods, metrology apparatus and device manufacturing method |
US9989866B2 (en) | 2016-10-17 | 2018-06-05 | Cymer, Llc | Wafer-based light source parameter control |
US10096967B2 (en) | 2016-12-07 | 2018-10-09 | Cymer, Llc | Wavelength control system for pulse-by-pulse wavelength target tracking in DUV light source |
-
2018
- 2018-09-26 CN CN202311807229.1A patent/CN118011728A/zh active Pending
- 2018-09-26 US US16/755,993 patent/US11526082B2/en active Active
- 2018-09-26 KR KR1020227026447A patent/KR102484685B1/ko active IP Right Grant
- 2018-09-26 CN CN201880077675.2A patent/CN111433674B/zh active Active
- 2018-09-26 JP JP2020521348A patent/JP2021500603A/ja active Pending
- 2018-09-26 KR KR1020227046463A patent/KR20230006608A/ko not_active Application Discontinuation
- 2018-09-26 WO PCT/US2018/052949 patent/WO2019079010A1/en active Application Filing
- 2018-09-26 KR KR1020207012712A patent/KR102428750B1/ko active IP Right Grant
- 2018-10-16 TW TW110128890A patent/TWI788944B/zh active
- 2018-10-16 TW TW109127462A patent/TWI738460B/zh active
- 2018-10-16 TW TW107136343A patent/TWI704430B/zh active
- 2018-10-16 TW TW112105684A patent/TW202338523A/zh unknown
-
2022
- 2022-07-11 JP JP2022110886A patent/JP2022136121A/ja active Pending
- 2022-10-26 US US17/973,629 patent/US12001144B2/en active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0831734A (ja) * | 1994-07-19 | 1996-02-02 | Sony Corp | 半導体露光装置及び多重結像露光法の最適化法 |
JP2001092147A (ja) * | 1999-09-20 | 2001-04-06 | Ricoh Co Ltd | レジストパターン形成方法およびレジストパターン形成装置およびレジストパターンおよびマイクロレンズ |
JP2005513769A (ja) * | 2001-12-17 | 2005-05-12 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 光学像を形成する方法、この方法に用いる回折素子、この方法を実行するための装置 |
JP2004046003A (ja) * | 2002-07-15 | 2004-02-12 | Seiko Epson Corp | 微細構造体、微細構造体の製造方法及び製造装置 |
JP2007511074A (ja) * | 2003-11-03 | 2007-04-26 | サイマー インコーポレイテッド | Relaxガス放電レーザリソグラフィ光源 |
JP2005158819A (ja) * | 2003-11-20 | 2005-06-16 | Elpida Memory Inc | 露光方法 |
JP2008504684A (ja) * | 2004-06-23 | 2008-02-14 | サイマー インコーポレイテッド | 帯域幅スペクトル制御のためのレーザ出力ビーム波面スプリッタ |
JP2006216949A (ja) * | 2005-02-01 | 2006-08-17 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィにおける粗密バイアスを制御するための方法および装置 |
JP2009164296A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20220111740A (ko) | 2022-08-09 |
TWI788944B (zh) | 2023-01-01 |
JP2022136121A (ja) | 2022-09-15 |
US11526082B2 (en) | 2022-12-13 |
KR20200055130A (ko) | 2020-05-20 |
CN111433674A (zh) | 2020-07-17 |
US20230152707A1 (en) | 2023-05-18 |
US12001144B2 (en) | 2024-06-04 |
TWI704430B (zh) | 2020-09-11 |
TW201931027A (zh) | 2019-08-01 |
TW202043944A (zh) | 2020-12-01 |
KR102484685B1 (ko) | 2023-01-03 |
US20200301286A1 (en) | 2020-09-24 |
CN111433674B (zh) | 2024-01-09 |
TWI738460B (zh) | 2021-09-01 |
KR20230006608A (ko) | 2023-01-10 |
TW202338523A (zh) | 2023-10-01 |
CN118011728A (zh) | 2024-05-10 |
KR102428750B1 (ko) | 2022-08-02 |
WO2019079010A1 (en) | 2019-04-25 |
TW202212995A (zh) | 2022-04-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI738460B (zh) | 在單一微影曝光遍次中形成多個空間影像 | |
JP6792068B2 (ja) | パルス光ビームのスペクトルフィーチャの制御 | |
US8520186B2 (en) | Active spectral control of optical source | |
TWI830501B (zh) | 雷射設備及其操作方法 | |
JP2024518258A (ja) | 単一リソグラフィ露光パスにおいて複数の空間像を形成する | |
TWI814147B (zh) | 具有增加之波長分離之多焦點成像 | |
CN118339516A (zh) | 控制电压阈值选择以促进多焦点成像 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200529 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200529 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210517 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20210810 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211116 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20220310 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220711 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20220711 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20220830 |
|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C21 Effective date: 20220831 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20221014 |
|
C211 | Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C211 Effective date: 20221018 |
|
C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C22 Effective date: 20230404 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20231003 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240109 |