JP2001092147A

JP2001092147A - レジストパターン形成方法およびレジストパターン形成装置およびレジストパターンおよびマイクロレンズ

Info

Publication number: JP2001092147A
Application number: JP26486899A
Authority: JP
Inventors: Yasuhiro Sato; 康弘佐藤
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1999-09-20
Filing date: 1999-09-20
Publication date: 2001-04-06

Abstract

(57)【要約】【課題】フォトマスクに微細な開口パターンを多数並
べてその開口面積を変化させることで透過する光量を制
御して３次元的なレジストパターンを作成するのに、開
口パターンのピッチを大きくして表現できる階調数を増
やした場合でも、フォトマスク作成の工程数を増加させ
ず、かつ、滑らかなレジストパターン面を得ることを可
能にする。【解決手段】光源１からの光をフォトマスク２，対物
レンズ３を介して、フォトレジストの塗布された基板２
１に入射させ露光を行なって３次元的なレジストパター
ンを形成する。この際、開口パターンのピッチの一部も
しくは全てが露光装置の解像限界よりも大きいフォトマ
スク２を使用し、フォトレジストの塗布された基板２１
を、対物レンズ３の焦点位置付近で露光装置の光軸に対
して平行に移動させて、複数の位置で露光を行なう。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レジストパターン
形成方法およびレジストパターン形成装置およびレジス
トパターンおよびマイクロレンズに関する。

【０００２】

【従来の技術】マイクロマシン，マイクロレンズの製造
において、精度の高い微細な３次元形状を作成する技術
が重要である。フォトレジストを使って複雑な３次元形
状(３次元的なレジストパターン)を作成する方法とし
て、フォトマスクに透過率分布を与えて、露光される深
さを制御する方法が検討されている。この方法には、フ
ォトマスクに半透過性の薄膜を形成して透過率を制御す
る第１の方法と、フォトマスクに微細な開口パターンを
多数並べてその開口面積を変化させることで透過する光
量を制御する第２の方法とがある。特に、第２の方法
は、通常用いられるフォトマスクの加工だけで目的の３
次元形状を作れるので、比較的利用しやすい。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】これらの方法において
形状の精度を上げようとする場合、透過率の変化量を細
かく制御する必要がある。第１の方法では、薄膜の膜厚
を変化させることで対応できるが、１階調あたり１回の
成膜（またはエッチング）が必要なため、階調数が数１
０〜数１００になると、工程数が多すぎてあまり現実的
ではない。

【０００４】一方、第２の方法では、開口面積の変化量
を細かく設定できるように、配列される開口パターンの
ピッチを大きくすれば、かなり多くの階調数を表現でき
る。

【０００５】しかしながら、第２の方法で開口パターン
のピッチを大きくすると、パターン間にうまく回折せ
ず、開口パターン自体の形が転写されてしまう問題があ
る。この対策としては、焦点位置からずれた位置で露光
することで、開口パターンの像をぼけさせる方法などが
あるが、その場合でも、干渉等により光強度の強弱が発
生してしまい、滑らかなレジストパターン面を形成する
のは困難である。

【０００６】本発明は、フォトマスクに微細な開口パタ
ーンを多数並べてその開口面積を変化させることで透過
する光量を制御して３次元的なレジストパターンを作成
するのに、開口パターンのピッチを大きくして表現でき
る階調数を増やした場合でも、フォトマスク作成の工程
数を増加させず、かつ、滑らかなレジストパターン面を
得ることの可能なレジストパターン形成方法およびレジ
ストパターン形成装置およびレジストパターンおよびマ
イクロレンズを提供することを目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の発明は、光源と、対物レンズと、大
きさの異なる複数の開口パターンをアレイ状に並べて透
過する光量の制御を行なうフォトマスクとを備えた露光
装置を用い、光源からの光をフォトマスク，対物レンズ
を介して、フォトレジストの塗布された基板に入射させ
露光を行なって３次元的なレジストパターンを形成する
レジストパターン形成方法であって、開口パターンのピ
ッチの一部もしくは全てが露光装置の解像限界よりも大
きいフォトマスクを使用し、フォトレジストの塗布され
た基板を、対物レンズの焦点位置付近で露光装置の光軸
に対して平行に移動させて、複数の位置で露光を行なう
ことを特徴としている。

【０００８】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載のレジストパターン形成方法において、フォトマスク
は、配列される開口パターンのピッチＰが、露光装置の
開口率をＮＡとし、光源波長をλとするとき、Ｐ≧０．
６１×λ／ＮＡであることを特徴としている。

【０００９】また、請求項３記載の発明は、請求項１記
載のレジストパターン形成方法において、対物レンズの
焦点位置に対する基板の位置をある位置に移動させた後
に露光を行ない、また、対物レンズでの焦点位置に対す
る基板の位置を次の位置に移動させた後に露光を行なう
というように、基板位置の移動と露光とを別々に行なう
ことを特徴としている。

【００１０】また、請求項４記載の発明は、請求項１記
載のレジストパターン形成方法において、露光したまま
の状態で、対物レンズの焦点位置に対する基板の位置を
移動させることを特徴としている。

【００１１】また、請求項５記載の発明は、光源と、対
物レンズと、大きさの異なる複数の開口パターンをアレ
イ状に並べて透過する光量の制御を行なうフォトマスク
とを備えた露光装置を用い、光源からの光をフォトマス
ク，対物レンズを介して、フォトレジストの塗布された
基板に入射させ露光を行なって３次元的なレジストパタ
ーンを形成するレジストパターン形成装置であって、開
口パターンのピッチの一部もしくは全てが露光装置の解
像限界よりも大きいフォトマスクを使用し、フォトレジ
ストの塗布された基板を、対物レンズの焦点位置付近で
露光装置の光軸に対して平行な複数の位置に移動させて
露光を行なうように構成されていることを特徴としてい
る。

【００１２】また、請求項６記載の発明は、請求項５記
載のレジストパターン形成装置において、露光装置は、
露光する光強度および／または焦点位置を連続的に変化
させながら露光する機能を有していることを特徴として
いる。

【００１３】また、請求項７記載の発明は、請求項１乃
至請求項４のいずれか一項に記載のレジストパターン形
成方法を用いて作成したレジストパターンである。

【００１４】また、請求項８記載の発明は、請求項１乃
至請求項４のいずれか一項に記載のレジストパターン形
成方法を用いて作成したマイクロレンズである。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。図１は、露光装置(縮小投影露光装
置；ステッパー)の構成例を示す図である。図１を参照
すると、露光装置は、光源１と、フォトマスク２と、対
物レンズ３とを有し、ステージ２０上に載置されている
フォトレジストを塗布した基板２１に、光源１からの光
をフォトマスク２，対物レンズ３を介して露光するよう
になっている。

【００１６】ここで、本発明では、フォトマスク２に
は、大きさの異なる複数の開口パターンをアレイ状に並
べて透過する光量の制御を行なうものが用いられる。

【００１７】そして、本発明では、光源１からの光を上
記フォトマスク２，対物レンズ３を介して、フォトレジ
ストの塗布された基板２１に入射させ露光を行なって３
次元的なレジストパターンを形成するようになってい
る。この際、本発明では、開口パターンのピッチの一部
もしくは全てが露光装置の解像限界よりも大きいフォト
マスク２を使用し、フォトレジストの塗布された基板２
１を、対物レンズ３の焦点位置付近で露光装置の光軸に
対して平行に移動させて（図１に矢印Ａで示す方向に移
動させて）、複数の位置で露光を行なうようになってい
る。

【００１８】具体的に、フォトマスク２は、配列される
開口パターンのピッチＰが、露光装置の開口率をＮＡと
し、光源波長をλとするとき、Ｐ≧０．６１×λ／ＮＡ
となっている。

【００１９】このようなレジストパターン形成方法で
は、フォトレジストの塗布された基板２１を、対物レン
ズ３の焦点位置付近で露光装置の光軸に対して平行な複
数の位置に移動させて（図１に矢印Ａで示す方向に移動
させて）露光を行なうようになっているので、マスク上
の開口パターンの形状自体が転写されてしまうため表面
に凹凸が生じてしまうような、露光装置の解像限界より
も大きい開口パターンをもつようなフォトマスクを使っ
た場合でも、表面にマスクパターンによる凹凸を生じさ
せずに３次元的なレジストパターンを形成することがで
きるようになる。

【００２０】また、フォトマスクは、配列される開口パ
ターンのピッチＰが、露光装置の開口率をＮＡとし、光
源波長をλとするとき、Ｐ≧０．６１×λ／ＮＡである
ので、露光装置の解像限界で決まるよりも多くの階調数
を開口パターンで表現できるようになり、形成できるフ
ォトレジストパターンの深さ方向の制御性を向上させる
ことができる。

【００２１】また、本発明では、露光装置は、露光する
光強度および／または焦点位置を連続的に変化させなが
ら露光する機能を有している。

【００２２】ところで、対物レンズ３の焦点位置に対す
る基板２１の位置を移動させて露光を行なう仕方として
は、次の２つの仕方が考えられる。

【００２３】すなわち、先ず、第１の仕方は、対物レン
ズ３の焦点位置に対する基板２１の位置をある位置に移
動させた後に露光を行ない、また、対物レンズ３の焦点
位置に対する基板２１の位置を次の位置に移動させた後
に露光を行なうというように、基板位置の移動と露光と
を別々に行なうものである。この第１の仕方では、例え
ば、ａ，ｂ，ｃの基板２１の位置で露光する場合、基板
２１をａの位置へ移動した後、露光を行ない、次いで、
基板２１をｂの位置へ移動した後、露光を行ない、次い
で、基板２１をｃの位置へ移動した後、露光を行なうと
いうシーケンスとなる。

【００２４】また、第２の仕方は、露光したままの状態
で、対物レンズ３の焦点位置に対する基板２１の位置を
移動させるものである。すなわち、この第２の仕方は、
基板２１の移動の工程と露光の工程とを別々にせず、露
光したまま基板２１を上下に移動させるものである。

【００２５】この第２の仕方では、露光時間を短縮でき
る。

【００２６】このように、本発明では、フォトマスクの
開口率を制御して３次元レジストパターンを作製する
際、露光装置の解像限界よりも大きい開口パターンピッ
チを用いることで、表現できる階調数を増やし、更に、
露光時には、焦点位置を変えながら複数回露光を行うこ
とで、開口パターンピッチが大きくなったことに伴う光
強度分布のばらつきを低減させることができ、高精度な
３次元レジスト形状の作成が可能となる。

【００２７】

【実施例】次に、本発明の実施例について説明する。

【００２８】実施例１実施例１では、対物レンズ３の焦点位置を移動させて露
光することの効果を示すため、１．６μｍピッチの開口
パターン列のフォトマスク２を露光装置を用いて露光す
るとき、レジスト表面に露光される光強度分布をシミュ
レーションにより求めた。

【００２９】図２には、実施例１で使用したフォトマス
ク２のパターンが示されている。図２に示すように、フ
ォトマスク２には、縦横のピッチ（ａ，ｂ）が１．６μ
ｍで、縦１．１μｍ，横１．２μｍの正方形開口パター
ン１１を、縦横に１２個ずつ並べたものを用いた。露光
装置の条件は、光源波長λ＝４３６ｎｍ、開口率ＮＡ＝
０．５４、コヒーレンスファクタσ＝０．４４とした。

【００３０】図３(ａ)，(ｂ)には、フォーカスオフセッ
ト(焦点位置のオフセット値)を変化させた場合の光強度
分布が示されている。なお、図３(ａ)，(ｂ)は、図２に
示すフォトマスク２のｘ軸と平行な断面での光強度分布
をｙ軸の複数の値に対してプロットしたものである。図
２のフォトマスク２では、開口パターンのピッチが露光
装置の解像度よりも大きいため、図３(ａ)のように、フ
ォーカスオフセットが２μｍ程度では、パターン通りの
光強度分布になる。更にフォーカスオフセットを大きく
して１１μｍにした場合でも、図３(ｂ)のように、光強
度の凹凸が若干残っている。

【００３１】図４には、コントラストのフォーカスオフ
セット依存が示されている。ここでのコントラストは、
図２のフォトマスク２において、中心から横３μｍ、縦
２μｍの領域での光強度の最大値ｉｍａｘ，最小値ｉｍ
ｉｎに対して、（ｉｍａｘ−ｉｍｉｎ）／（ｉｍａｘ＋ｉｍｉｎ）を計算して算出されたものである。

【００３２】コントラストの値は、フォーカスオフセッ
トを大きくしていくと、周期的な変化を伴いながら減少
していく。フォーカスオフセットを１１μｍとした場合
には０．０３程度になっている。

【００３３】図５(ａ)，(ｂ)，(ｃ)には、本発明の方法
を用いて図２のフォトマスク２で露光を行った場合の光
強度分布が示されている。なお、図５(ａ)，(ｂ)，(ｃ)
の例では、図６の条件で露光を行った。

【００３４】８．０μｍ，１０．０μｍのそれぞれのフ
ォーカスオフセットで露光を行った場合は、図５(ａ)，
(ｂ)から、コントラストは、０．０４（８μｍ），０．
０６（１０μｍ）であるが、この２点での露光を重ねあ
わせることにより(８μｍ＋１０μｍ)、図５(ｃ)からコ
ントラストを０．０１４まで低下させることができた。
このように、フォーカスオフセットの異なる複数の点に
おいて露光を行うことで、コントラストを低下させ、フ
ォトマスク２上の開口パターンのピッチが広い場合で
も、平坦な面形状を転写することが可能になる。

【００３５】実施例２実施例２では、シリンドリカルレンズ状にパターンを配
列した場合についてシミュレーションを行なった。図７
は実施例２で使用したフォトマスクのレイアウトを示す
図であり、図８はフォーカスオフセットに対するコント
ラスト変化を示す図である。図７のフォトマスク２で
は、１５階調分の四角形開口パターン１１がｙ軸に対し
て対称に１７個づつ配列されている。なお、ｙ方向に
は、シミュレーションの計算上、同じ配列が無限に並ぶ
ように仮定してある。計算結果のコントラストについて
は、ｘ軸方向に±１５μｍの範囲について、１．６μｍ
の領域毎に区切ってコントラストを計算し、それぞれの
１．６μｍの範囲内で計算されたコントラストのうち、
最大値をそれぞれのフォーカスオフセットにおけるコン
トラストとした。

【００３６】図８に示すように、さまざまな大きさの開
口パターンをならべた場合は、同一パターンをならべた
場合に比べてコントラストが劣化する。この場合は、フ
ォーカスオフセット４乃至８．５μｍの間で、コントラ
ストは０．０７乃至０．１１になった。

【００３７】図９(ａ)には、フォーカスオフセット７μ
ｍで露光した場合の光強度分布が示され、また、図９
(ｂ)には、本発明の方法に従って、複数のフォーカスオ
フセットで露光を行った場合の光強度分布が示されてい
る。図９(ｂ)の場合は、図１０に示すように、４点で露
光を行ない、コントラスト０．０３７が得られた。露光
方法については、図１０に従って各フォーカスオフセッ
ト毎に所定の量の露光を行えばよいが、フォーカス(焦
点位置)を連続的に動かしながら、露光を行っても構わ
ない。その場合は、光量を一定にしてフォーカスの移動
速度を変化させて所定の露光量になるようにしてもよい
し、フォーカスの移動速度を一定にして光の強度を変化
させてもよい。あるいは、両方を同時に変化させながら
露光しても構わない。このような方法を用いれば、露光
時間を短縮することができる。

【００３８】実施例３図１１には、本発明の露光方法に用いるフォトマスク２
の一例が示されている。図１１の例では、マイクロ凹レ
ンズ形状を形成するためのパターンが配置されている。
なお、図１１において、符号８１はフォトマスクの開口
部であり、符号８２はフォトマスクの遮光部である。

【００３９】図１２(ａ)，(ｂ)は図１１のフォトマスク
２上に配列された開口パターン１１のピッチとアドレス
サイズとの関係を示す図である。なお、図１２(ｂ)は開
口パターンの一つを拡大した図である。図１２(ａ)，
(ｂ)を参照すると、マスク２上には、開口パターン１１
が一定のピッチ（ａ，ｂ）で配列されている。このピッ
チは、設計時に任意の大きさに設定できる。また、図１
２(ｂ)において、アドレスサイズ（ａｄ）はマスク描画
装置の電子ビームやレーザービームを動かせる最小の単
位長さである。

【００４０】従って、パターンのピッチ（ａ，ｂ）、ア
ドレスサイズ（ａｄ）に対して表現できる階調数Ｇは、
最大で次式(数１)によって表わされる。

【００４１】

【数１】Ｇ＝(ａ／(ａｄ))×(ｂ／(ａｄ))

【００４２】図１１のようなマイクロレンズパターンに
対して、光学的に十分な精度を持たせるためには、使用
する波長の１／１０程度の精度が要求される。たとえ
ば、高さが３０μｍで６５０ｎｍの光で利用するマイク
ロレンズの場合、６５ｎｍ程度の精度が必要になるた
め、３０／０．０６５＝４６２階調が必要になる。一般
に、露光装置の解像度Ｒ，すなわち、配列される開口パ
ターンのピッチは、次式(数２)によって表わされる。

【００４３】

【数２】Ｒ＝ｋλ／ＮＡｋ＝０．６１ λ：光源波長ＮＡ：露光装置の開口数

【００４４】数２から、λ＝４３６ｎｍ、ＮＡ＝０．５
４の露光装置を用いた場合、グリッドサイズを解像限界
以下にするためには、０．４９μｍ以下に抑える必要が
ある。

【００４５】このパターンをフォトマスク２上に形成す
る場合を考えると、仮にパターンのピッチを０．５μｍ
とした場合、露光装置の縮小率を１／５として、マスク
２上に描画される開口のピッチは２．５μｍになる。通
常用いられるマスク描画装置では、パターンの形状を
０．５乃至０．１２５μｍ刻み（アドレスサイズ）で描
画する。従って、４μｍピッチの開口パターンで表現で
きる階調数は、図１３に示すように、２５〜４００階調
となり、階調数が不足する。さらに、実際には近接効果
などの影響により形成できないパターンもあるため、表
現できる階調数はこの半分程度であり、また、アドレス
サイズが小さいほど、近接効果の影響で形成が困難なパ
ターンが多く、マスク製造にかかるコストも高価になる
ため、コストを抑えるためにはなるべく大きいアドレス
サイズを使った方が有利である。

【００４６】これに対し、本発明の方法を適用したマス
クでは上記の露光条件で開口パターン１１のピッチを解
像限界の約３倍の１．６μｍとしている。この場合、マ
スク２上では８μｍピッチになるため、アドレスサイズ
を０．２５μｍとしても１０２４階調となり、近接効果
の影響などを考慮しても十分な階調数が表現できる。

【００４７】このように、本発明の方法を用いた場合、
解像限界よりもピッチの広い開口パターンを利用するこ
とが可能になり、より低コストで３次元的なレジストパ
ターン形状形成用マスクを作成することが可能になる。
また、非球面や非対称形状をもつ高精度なマイクロレン
ズを作成できるようになる。

【００４８】

【発明の効果】以上に説明したように、請求項１乃至請
求項６記載の発明によれば、光源と、対物レンズと、大
きさの異なる複数の開口パターンをアレイ状に並べて透
過する光量の制御を行なうフォトマスクとを備えた露光
装置を用い、光源からの光をフォトマスク，対物レンズ
を介して、フォトレジストの塗布された基板に入射させ
露光を行なって３次元的なレジストパターンを形成する
場合、開口パターンのピッチの一部もしくは全てが露光
装置の解像限界よりも大きいフォトマスクを使用し、フ
ォトレジストの塗布された基板を、対物レンズの焦点位
置付近で露光装置の光軸に対して平行に移動させて、複
数の位置で露光を行なうので、通常はパターンが解像し
てしまうため表面に凹凸が生じてしまうような、ステッ
パーの解像限界より大きい開口パターンを持つようなフ
ォトマスクを使った場合でも、表面にマスクパターンに
よる凹凸を生じさせずに３次元的なレジストパターンを
形成することができる。

【００４９】特に、請求項２記載の発明によれば、請求
項１記載のレジストパターン形成方法において、前記フ
ォトマスクは、配列される開口パターンのピッチＰが、
露光装置の開口率をＮＡとし、光源波長をλとすると
き、Ｐ≧０．６１×λ／ＮＡであるので、露光装置の解
像限界で決まるよりも多くの階調数を開口パターンで表
現できるようになり、形成できるフォトレジストパター
ンの深さ方向の制御性を向上させることができる。

【００５０】また、請求項４記載の発明によれば、請求
項１記載のレジストパターン形成方法において、露光し
たままの状態で、焦点位置に対する基板の位置を移動さ
せるので、マスクパターンを露光する際にかかる時間を
短縮できる。

【００５１】また、請求項６記載の発明によれば、露光
装置は、露光する光強度および／または焦点位置を連続
的に変化させながら露光する機能を有しているので、露
光時間を短縮できる。

【００５２】また、請求項７記載の発明によれば、請求
項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のレジストパタ
ーン形成方法を用いて作成したレジストパターンを用い
ることにより、マイクロマシン等の作成が容易になる。

【００５３】また、請求項８記載の発明によれば、請求
項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のレジストパタ
ーン形成方法を用いて作成したマイクロレンズなので、
非球面や非対称形状をもつ高精度なマイクロレンズを提
供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】露光装置の構成例を示す図である。

【図２】実施例１で使用したフォトマスクのパターンの
一例を示す図である。

【図３】図２のマスクパターンを使用し、フォーカスオ
フセットを変化させた場合の光強度分布を示す図であ
る。

【図４】コントラストのフォーカスオフセット依存を示
す図である。

【図５】本発明の方法を用いて図２のフォトマスクで露
光を行った場合の光強度分布を示す図である。

【図６】図５の露光の条件を示す図である。

【図７】実施例２で使用したフォトマスクのレイアウト
を示す図である。

【図８】フォーカスオフセットに対するコントラスト変
化を示す図である。

【図９】所定のフォーカスオフセットで露光した場合の
光強度分布を示す図である。

【図１０】図９(ｂ)の露光の条件を示す図である。

【図１１】本発明の露光方法に用いるフォトマスクの一
例を示す図である。

【図１２】図１１のフォトマスク上に配列された開口パ
ターンのピッチとアドレスサイズとの関係を示す図であ
る。

【図１３】所定ピッチの開口パターンで表現できる階調
数を示す図である。

【符号の説明】

１光源２フォトマスク３対物レンズ１１開口パターン２０ステージ２１基板８１フォトマスクの開口部８２フォトマスクの遮光部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光源と、対物レンズと、大きさの異なる
複数の開口パターンをアレイ状に並べて透過する光量の
制御を行なうフォトマスクとを備えた露光装置を用い、
光源からの光をフォトマスク，対物レンズを介して、フ
ォトレジストの塗布された基板に入射させ露光を行なっ
て３次元的なレジストパターンを形成するレジストパタ
ーン形成方法であって、開口パターンのピッチの一部も
しくは全てが露光装置の解像限界よりも大きいフォトマ
スクを使用し、フォトレジストの塗布された基板を、対
物レンズの焦点位置付近で露光装置の光軸に対して平行
に移動させて、複数の位置で露光を行なうことを特徴と
するレジストパターン形成方法。
【請求項２】請求項１記載のレジストパターン形成方
法において、前記フォトマスクは、配列される開口パタ
ーンのピッチＰが、露光装置の開口率をＮＡとし、光源
波長をλとするとき、Ｐ≧０．６１×λ／ＮＡであるこ
とを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項３】請求項１記載のレジストパターン形成方
法において、対物レンズの焦点位置に対する基板の位置
をある位置に移動させた後に露光を行ない、また、対物
レンズでの焦点位置に対する基板の位置を次の位置に移
動させた後に露光を行なうというように、基板位置の移
動と露光とを別々に行なうことを特徴とするレジストパ
ターン形成方法。
【請求項４】請求項１記載のレジストパターン形成方
法において、露光したままの状態で、対物レンズの焦点
位置に対する基板の位置を移動させることを特徴とする
レジストパターン形成方法。
【請求項５】光源と、対物レンズと、大きさの異なる
複数の開口パターンをアレイ状に並べて透過する光量の
制御を行なうフォトマスクとを備えた露光装置を用い、
光源からの光をフォトマスク，対物レンズを介して、フ
ォトレジストの塗布された基板に入射させ露光を行なっ
て３次元的なレジストパターンを形成するレジストパタ
ーン形成装置であって、開口パターンのピッチの一部も
しくは全てが露光装置の解像限界よりも大きいフォトマ
スクを使用し、フォトレジストの塗布された基板を、対
物レンズの焦点位置付近で露光装置の光軸に対して平行
な複数の位置に移動させて露光を行なうように構成され
ていることを特徴とするレジストパターン形成装置。
【請求項６】請求項５記載のレジストパターン形成装
置において、前記露光装置は、露光する光強度および／
または焦点位置を連続的に変化させながら露光する機能
を有していることを特徴とするレジストパターン形成装
置。
【請求項７】請求項１乃至請求項４のいずれか一項に
記載のレジストパターン形成方法を用いて作成したレジ
ストパターン。
【請求項８】請求項１乃至請求項４のいずれか一項に
記載のレジストパターン形成方法を用いて作成したマイ
クロレンズ。