JP5742388B2 - マスクパターン描画方法 - Google Patents
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Description
以下に図面を用いて説明する。
本実施形態では、描画すべき所定のパターンとして多数の同一パターンが配列しているコンタクトパターンを例にとって説明する。図1は、マスクパターン描画する所定のパターンの一例としての目標とするコンタクトパターンのレジスト像の部分平面模式図であり、フォトマスクブランク基板10上に電子ビームレジスト11を塗布形成した描画領域に、正方形のコンタクトパターン12が複数形成されている状態を示している。
本発明のマスクパターン描画方法の他の実施形態について説明する。図5は、本実施形態において、1箇所の描画交差部57aを中心にして、横長の矩形パターン描画55aと縦長の矩形パターン描画56aとでショット描画したときの描画状態を示す部分平面模式図(図5(a))と、描画したマスク基板を現像した後のレジストパターンの部分平面模式図(図5(b))である。
次に、本発明における描画交差部のX方向および/またはY方向に設ける所定のパターンから突き出した矩形の描画領域について、孤立パターンを例にして、さらに詳しく説明する。
11 レジスト
12 コンタクトパターン
13 横長パターン
14 縦長パターン
15a 横長矩形パターン描画
16a 縦長矩形パターン描画
17a、17b 描画交差部
15b 横長矩形パターン描画部
16b 縦長矩形パターン描画部
55a 横長矩形パターン描画
55b、56b 露光量オーバ影響部
56a 縦長矩形パターン描画
57a 描画交差部
57b 目的のレジストパターン
65b 横長矩形パターン描画部
66b 縦長矩形パターン描画部
67b 描画交差部
71 矩形ショット描画の一部
72 縮退量
80 マスクブランク基板
81 レジスト
82 コンタクトパターン
83 ショット描画領域
84 コンタクトパターン
x1、x2、x3、x4 描画ショットの順番
y1、y2、y3、y4 描画ショットの順番
x5、y5 描画パターンの短辺の幅
x6、y6 目的パターンの幅
x7、y7 突き出し量
x8、y8 縮退量
R1、R2 コーナー丸み量
Claims (6)
- レジストを塗布したマスクブランク基板上の描画領域に、複数個の描画ショットで電子ビームを露光して、複数の同一形状のパターンが配列した所定のパターンを描画する可変成形ビーム方式のマスクパターン描画方法であって、
前記所定のパターンを、前記描画領域のX方向に最大ショットサイズ以下の描画ショットで横長の矩形パターンとして描画する工程と、前記X方向と直交する前記描画領域のY方向に最大ショットサイズ以下の描画ショットで縦長の矩形パターンとして描画する工程とを有し、
前記横長の矩形パターンとして描画する描画ショットと前記縦長の矩形パターンとして描画する描画ショットとが交差する描画交差部を重ね描画とし、
前記描画交差部の前記X方向および/または前記Y方向に前記所定のパターンから突き出した矩形の描画領域を設け、前記横長の矩形パターンとして描画する描画の工程および前記縦長の矩形パターンとして描画する描画の工程に含めて描画し、
前記突き出した矩形の描画領域を含む前記横長の矩形パターンとして描画する描画ショットの露光量と前記縦長の矩形パターンとして描画する描画ショットの露光量の和が、前記レジストを解像させる露光量であり、前記描画交差部で前記所定のパターンを解像させることを特徴とするマスクパターン描画方法。 - 前記横長の矩形パターンとして描画する描画ショットの露光量と前記縦長の矩形パターンとして描画する描画ショットの露光量が、いずれも前記レジストを解像させる露光量の半分の露光量であることを特徴とする請求項1に記載のマスクパターン描画方法。
- 前記描画ショットの矩形パターンの短辺の幅が、前記所定のパターンの幅よりも小さく、前記描画交差部の露光量が、前記所定のパターンを解像させる適正露光量よりも大きいことを特徴とする請求項1または請求項2に記載のマスクパターン描画方法。
- 前記横長の矩形パターンとして描画する描画ショットおよび縦長の矩形パターンとして描画する描画ショットの1ショットが、前記複数の同一形状パターンを含むことを特徴とする請求項1から請求項3までのうちのいずれか1項に記載のマスクパターン描画方法。
- 前記所定のパターンから突き出した矩形の描画領域のサイズが、前記マスクブランク基板上の前記レジストをあらかじめ電子ビーム描画し現像し、前記レジストのパターンのコーナー丸み量と縮退量とを実測し、前記コーナー丸み量と縮退量を上回るサイズに設定したものであることを特徴とする請求項1から請求項4までのうちのいずれか1項に記載のマスクパターン描画方法。
- 前記所定のパターンが、コンタクトパターンまたはピラーパターンのいずれかであることを特徴とする請求項1から請求項5までのうちのいずれか1項に記載のマスクパターン描画方法。
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- 2011-03-31 JP JP2011079968A patent/JP5742388B2/ja active Active
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