JP2619473B2 - 縮小投影露光方法 - Google Patents
縮小投影露光方法Info
- Publication number
- JP2619473B2 JP2619473B2 JP63108989A JP10898988A JP2619473B2 JP 2619473 B2 JP2619473 B2 JP 2619473B2 JP 63108989 A JP63108989 A JP 63108989A JP 10898988 A JP10898988 A JP 10898988A JP 2619473 B2 JP2619473 B2 JP 2619473B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wavelength
- light
- exposure
- mirror
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70575—Wavelength control, e.g. control of bandwidth, multiple wavelength, selection of wavelength or matching of optical components to wavelength
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70325—Resolution enhancement techniques not otherwise provided for, e.g. darkfield imaging, interfering beams, spatial frequency multiplication, nearfield lenses or solid immersion lenses
- G03F7/70333—Focus drilling, i.e. increase in depth of focus for exposure by modulating focus during exposure [FLEX]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体素子、磁気バブル素子、超電導素子
等の固体素子における微細加工に用いられる縮小投影露
光方法に関するものである。
等の固体素子における微細加工に用いられる縮小投影露
光方法に関するものである。
従来、LSI等の固体素子における微細パターンは主に
縮小投影露光法を用いて形成されてきた。上記方法は、
マスクパターンを投影レンズを用いてレジストを塗布し
た基板上に結像させることにより転写するものである。
縮小投影露光法における限界解像度は露光波長に比例
し、又投影レンズの開口数に反比例するので、露光光の
短波長化と投影レンズの高開口数化により、その解像度
の向上が推進されてきた。一方、投影レンズの焦点深度
は露光波長に比例し、投影レンズの開口数の２乗に反比
例する。このため上記解像度の向上を計することにより
焦点深度は急激に減少してきている。即ち、上記従来法
では、パターンの微細化と充分な焦点深度の確保を両立
させるのは困難で、特に高解像度をねらつた場合、焦点
深度は非常に浅くなる。なお、投影露光法に関しては、
例えば、半導体リソグラフイ技術、鳳紘一郎著、産業図
書第４章第87頁より第93頁に論じられている。
縮小投影露光法を用いて形成されてきた。上記方法は、
マスクパターンを投影レンズを用いてレジストを塗布し
た基板上に結像させることにより転写するものである。
縮小投影露光法における限界解像度は露光波長に比例
し、又投影レンズの開口数に反比例するので、露光光の
短波長化と投影レンズの高開口数化により、その解像度
の向上が推進されてきた。一方、投影レンズの焦点深度
は露光波長に比例し、投影レンズの開口数の２乗に反比
例する。このため上記解像度の向上を計することにより
焦点深度は急激に減少してきている。即ち、上記従来法
では、パターンの微細化と充分な焦点深度の確保を両立
させるのは困難で、特に高解像度をねらつた場合、焦点
深度は非常に浅くなる。なお、投影露光法に関しては、
例えば、半導体リソグラフイ技術、鳳紘一郎著、産業図
書第４章第87頁より第93頁に論じられている。
LSIの高集積化に伴ない回路パタンが微細化する一方
で、これまで平面的に配置されてきた素子機能が立体的
に配置される様になつてきた。この結果、LSIの表面に
は大きな凹凸段差が生じている。これに加えて、マスク
パターンの結像面はそれ自体湾曲しており、（像面湾
曲）、又、基板自体が全体的に傾斜している。従つて、
結像面と基板表面を一致させることはできず、しかも両
者のずれは増大している。
で、これまで平面的に配置されてきた素子機能が立体的
に配置される様になつてきた。この結果、LSIの表面に
は大きな凹凸段差が生じている。これに加えて、マスク
パターンの結像面はそれ自体湾曲しており、（像面湾
曲）、又、基板自体が全体的に傾斜している。従つて、
結像面と基板表面を一致させることはできず、しかも両
者のずれは増大している。
一方、前述のごとく解像度の向上に伴ない投影レンズ
の焦点深度は減少しつつある。このため上記大きな凹凸
段差を有する素子表面を、露光フイールドの全面におい
て上記焦点深度内に収め、微細パターンを解像させるの
が困難となつてきた。
の焦点深度は減少しつつある。このため上記大きな凹凸
段差を有する素子表面を、露光フイールドの全面におい
て上記焦点深度内に収め、微細パターンを解像させるの
が困難となつてきた。
同時に、LSIの製造に必要な焦点深度を確保するため
に、素子寸法の微細化をあきらめざるを得ない状況とな
つてきた。
に、素子寸法の微細化をあきらめざるを得ない状況とな
つてきた。
上記問題点を解決すべく、多層レジスト法等による基
板表面の平滑化、像面湾曲と基板傾斜の低減、CEL（Con
trast Enhancement Lithography）法によるプロセス
面からの焦点裕度向上の試みがなされているが、上記投
影レンズの焦点深度の減少に十分対処しきれていない。
板表面の平滑化、像面湾曲と基板傾斜の低減、CEL（Con
trast Enhancement Lithography）法によるプロセス
面からの焦点裕度向上の試みがなされているが、上記投
影レンズの焦点深度の減少に十分対処しきれていない。
本発明の目的は、ステージ位置精度の限界により解像
度が劣化することのない新らしい簡便な方法を実現する
装置を提供すると共に、基板の凹凸段差の増大と傾斜、
投影レンズの像面湾曲、及び投影レンズの高開口数化、
露光々の短波長化等に伴なう焦点裕度の減少に対処する
ことにある。
度が劣化することのない新らしい簡便な方法を実現する
装置を提供すると共に、基板の凹凸段差の増大と傾斜、
投影レンズの像面湾曲、及び投影レンズの高開口数化、
露光々の短波長化等に伴なう焦点裕度の減少に対処する
ことにある。
本発明の他の目的は、短い露光波長と大きな開口数を
有する光学系を用いても、高い解像度と十分な焦点深度
の確保を両立することのできる縮小投影露光方法を提供
することにある。
有する光学系を用いても、高い解像度と十分な焦点深度
の確保を両立することのできる縮小投影露光方法を提供
することにある。
本願発明者らの検討によれば、投影レンズの焦点深度
は、同一光軸上の異なる位置に結像する複数の像を重ね
合わせるいわゆる多重結像露光法を用いることにより実
効的に深くすることができる。従つて、上記目的は、複
数の波長よりなる露光光を用いてマスクパターンを基板
上へ投影することにより、投影レンズの色収差を用いて
上記各波長ごとに光軸方向の異なる位置にマスクパター
ンを結像させることで達成される。
は、同一光軸上の異なる位置に結像する複数の像を重ね
合わせるいわゆる多重結像露光法を用いることにより実
効的に深くすることができる。従つて、上記目的は、複
数の波長よりなる露光光を用いてマスクパターンを基板
上へ投影することにより、投影レンズの色収差を用いて
上記各波長ごとに光軸方向の異なる位置にマスクパター
ンを結像させることで達成される。
又、上記目的は縮小投影露光装置により、基板上の−
露光領域の露光を、複数の異なる波長を中心に狭帯化さ
れたエキシマレーザ光を同時に、又は少なくとも１回以
上ずつ交互に用いて行うことにより達成される。
露光領域の露光を、複数の異なる波長を中心に狭帯化さ
れたエキシマレーザ光を同時に、又は少なくとも１回以
上ずつ交互に用いて行うことにより達成される。
又、上記目的は前記縮小投影露光装置において各々異
なる波長を中心に狭帯化を行なう狭帯化手段を有する複
数の光路と、上記複数の光路の切り換え手段を有するエ
キシマレーザ光源又は照明光学系を設けることにより達
成される。
なる波長を中心に狭帯化を行なう狭帯化手段を有する複
数の光路と、上記複数の光路の切り換え手段を有するエ
キシマレーザ光源又は照明光学系を設けることにより達
成される。
露光々の短波長化による高解像度化をねらい、従来の
高圧水銀ランプのｇ線,i線に代えて、エキシマレーザ光
（KrFガス，波長約248nm）を用いた縮小投影露光法が開
発されている。この方法では、レンズ材料の制約から投
影レンズにおけるいわゆる色収差補正が極めて困難であ
る。エキシマレーザ光の自然帯域巾は、約0.5nmと比較
的広いため、色収差細正を行なわない投影レンズを用い
ると満足な結像性能は得られない。このため、エキシマ
レーザ光の帯域巾を狭帯化して露光を行なう。
高圧水銀ランプのｇ線,i線に代えて、エキシマレーザ光
（KrFガス，波長約248nm）を用いた縮小投影露光法が開
発されている。この方法では、レンズ材料の制約から投
影レンズにおけるいわゆる色収差補正が極めて困難であ
る。エキシマレーザ光の自然帯域巾は、約0.5nmと比較
的広いため、色収差細正を行なわない投影レンズを用い
ると満足な結像性能は得られない。このため、エキシマ
レーザ光の帯域巾を狭帯化して露光を行なう。
第２図に、KrFエキシマレーザのスペクトル及び、こ
れを用いてマスクパターンを色収差補正を行なわない投
影レンズにより結像させたときの結像位置の波長依存性
の一例を示した。
れを用いてマスクパターンを色収差補正を行なわない投
影レンズにより結像させたときの結像位置の波長依存性
の一例を示した。
第２図に示した様にKrFエキシマレーザの自然帯域巾
の範囲内でも、色収差によりマスクパターンの結像位置
は大きく変化する。
の範囲内でも、色収差によりマスクパターンの結像位置
は大きく変化する。
そこで、上記図中の波長λ1，λ2を中心に各々スペク
トルを狭帯域化し、１点鎖線で示した様な２つの単色光
を同時又は交互に用いて投影露光すると、マスクパター
ンは同一光軸上の互いにΔ離れた位置に又は交互に結像
する。
トルを狭帯域化し、１点鎖線で示した様な２つの単色光
を同時又は交互に用いて投影露光すると、マスクパター
ンは同一光軸上の互いにΔ離れた位置に又は交互に結像
する。
この様に同一光軸上の異なる位置に結像する２つの像
を重ね合せると、上記２結像面間距離Δを適当に選ぶこ
とにより、実効的な焦点深度を増大することができる。
第３図に、KrFエキシマレーザと開口数0.4の投影レンズ
を用いたときの、0.3μｍ径コンタクトホールに対する
光強度分布の光軸方向分布を示す。第３図ａ）に示した
のは、従来の単一結像面による光強度分布で、結像面を
中心とする±１μｍの範囲を起えると光強度が急激に低
下してしまう。これに対して、第３図ａ）に示した光強
度分布を同一光軸上で互いに2.5μｍずらして重ね合わ
せた様子を第３図ｂ）に示す。図よりわかる様に上記重
ね合せにより、良好な光強度分布の得られる光軸上の範
囲を約３倍に広げることができる。
を重ね合せると、上記２結像面間距離Δを適当に選ぶこ
とにより、実効的な焦点深度を増大することができる。
第３図に、KrFエキシマレーザと開口数0.4の投影レンズ
を用いたときの、0.3μｍ径コンタクトホールに対する
光強度分布の光軸方向分布を示す。第３図ａ）に示した
のは、従来の単一結像面による光強度分布で、結像面を
中心とする±１μｍの範囲を起えると光強度が急激に低
下してしまう。これに対して、第３図ａ）に示した光強
度分布を同一光軸上で互いに2.5μｍずらして重ね合わ
せた様子を第３図ｂ）に示す。図よりわかる様に上記重
ね合せにより、良好な光強度分布の得られる光軸上の範
囲を約３倍に広げることができる。
第１実施例 以下、本発明の一実施例を図を用いて説明する。
第１図は本発明の一実施例による投影露光装置の構成
図である。本装置は、各々２つづつの反射鏡1,2、エタ
ロン3,4、エキシマレーザ共振器5,6、出力鏡7,8より成
る光源部９、及びミラー10,11、ハーフミラー12より成
る光束合成光学系13、照明光学系14、レクチル15、投影
レンズ16、基板ステージ17、その他投影露光装置に必要
な各種要素より構成されている。
図である。本装置は、各々２つづつの反射鏡1,2、エタ
ロン3,4、エキシマレーザ共振器5,6、出力鏡7,8より成
る光源部９、及びミラー10,11、ハーフミラー12より成
る光束合成光学系13、照明光学系14、レクチル15、投影
レンズ16、基板ステージ17、その他投影露光装置に必要
な各種要素より構成されている。
エタロン３はエキシマレーザ共振器５の発振するレー
ザ光のスペクトルを波長λ1を中心に狭帯域化し、同様
にエタロン４はエキシマレーザ共振器６の発振するレー
ザを波長λ2を中心に狭帯域化する。２つのエタロン3,4
の角度を変化させることにより、エキシマレーザの帯域
幅の中で上記λ1，λ2を各々任意に設定することができ
る。なお、出力鏡７ミラー10間又は出力鏡８、ミラー12
間等にラマン・セル等の波長シフト手段を設けてもよ
い。これにより２つの波長λ1，λ2をエキシマレーザの
波長帯域の外に設定することも可能である。又、狭帯域
化手段としては、エタロンの挿入に限らず、プリズムと
反射鏡の組合せやグレーテイングによる反射、等を用い
てもよい。又、注入同期方式や共振器内へもう１つの共
振器を挿入する等の方法を用いてもよい。これらの場合
にも狭帯域化してからラマンシフトにより波長をシフト
させることができるのはいうまでもない。
ザ光のスペクトルを波長λ1を中心に狭帯域化し、同様
にエタロン４はエキシマレーザ共振器６の発振するレー
ザを波長λ2を中心に狭帯域化する。２つのエタロン3,4
の角度を変化させることにより、エキシマレーザの帯域
幅の中で上記λ1，λ2を各々任意に設定することができ
る。なお、出力鏡７ミラー10間又は出力鏡８、ミラー12
間等にラマン・セル等の波長シフト手段を設けてもよ
い。これにより２つの波長λ1，λ2をエキシマレーザの
波長帯域の外に設定することも可能である。又、狭帯域
化手段としては、エタロンの挿入に限らず、プリズムと
反射鏡の組合せやグレーテイングによる反射、等を用い
てもよい。又、注入同期方式や共振器内へもう１つの共
振器を挿入する等の方法を用いてもよい。これらの場合
にも狭帯域化してからラマンシフトにより波長をシフト
させることができるのはいうまでもない。
上記各々λ1，λ2の波長を有するレーザ光束は光束合
成光学系13を経て、照明光学系14へ入射する。照明光学
内でレーザ光束は有効光源上をレーザ発振パルス毎に偏
向され、その空間的コヒーレンシイを低減される。照明
光学系を射出したレーザ光はレチクル15を介して投影レ
ンズ16の入射瞳の近傍に結像する。但し、上記レーザ光
は各々波長λ1，λ2を有する単色光の合成光であるか
ら、照明光学系14の色収差のため両者は厳密には入射瞳
上に結像しない。なお、レーザ光束の偏向を行なう有効
光源の範囲を可変とすることにより、実効的な空間的コ
ヒーレンシイを可能な範囲内で任意に設定することがで
きる。実際に露光においては、転写するパターンに応じ
て実効的コヒーレンスフアクターを0.5と0.8の間に設定
するのが好ましい。又、レーザ光束の空間的コヒーレン
シイを低減する方法は本実施例に採用したレーザ光束の
偏向に限らず、インコヒーレント化素子の使用や、フラ
イアイズレンスとレーザ光束の偏向の組み合せ等、様々
な方法を用いてよい。
成光学系13を経て、照明光学系14へ入射する。照明光学
内でレーザ光束は有効光源上をレーザ発振パルス毎に偏
向され、その空間的コヒーレンシイを低減される。照明
光学系を射出したレーザ光はレチクル15を介して投影レ
ンズ16の入射瞳の近傍に結像する。但し、上記レーザ光
は各々波長λ1，λ2を有する単色光の合成光であるか
ら、照明光学系14の色収差のため両者は厳密には入射瞳
上に結像しない。なお、レーザ光束の偏向を行なう有効
光源の範囲を可変とすることにより、実効的な空間的コ
ヒーレンシイを可能な範囲内で任意に設定することがで
きる。実際に露光においては、転写するパターンに応じ
て実効的コヒーレンスフアクターを0.5と0.8の間に設定
するのが好ましい。又、レーザ光束の空間的コヒーレン
シイを低減する方法は本実施例に採用したレーザ光束の
偏向に限らず、インコヒーレント化素子の使用や、フラ
イアイズレンスとレーザ光束の偏向の組み合せ等、様々
な方法を用いてよい。
２つのエキシマレーザ共振器の各々におけるレーザパ
ルス発振のタイミングは特に限定されないが、基板上の
一露光領域に対する各々のレーザパルス発振の回数は等
しいことが望ましい。
ルス発振のタイミングは特に限定されないが、基板上の
一露光領域に対する各々のレーザパルス発振の回数は等
しいことが望ましい。
レチクル16上のパターンは投影レンズ16を介して基板
表面18近傍に結像する。投影レンズは上記２波長λ1，
λ2の中心波長に対して設計された単色レンズで、結像
点色収差補正以外の各種収差補正がなされている。この
ため、上記２波長を有する光線の各々によるレチクル上
のパターンの結像位置は一致しない。従つて、本装置を
用いることにより前述の多重結像露光を行なうことがで
きる。投影レンズ16は合成石英の単一材料よりつくられ
ているが、上記２波長に対して透明な材料ならばこれに
限らない。投影レンズとして、マスク側に像点色消対物
レンズを、又基板側に焦点距離色消レンズを配置したも
の等としてもよい。但し、上記色消しは前記２波長
λ1，λ2に対して成されているものとする。これによ
り、上記２波長によるレチクル15上のパターンの結像倍
率を正確に等しくすることができる。投影レンズの構成
材料は本実施例で用いた合成石英に限らず、前記２波長
λ1，λ2に対して十分な透過率を有するものならば何を
用いてもよい。又、複数の材料を組み合せてもよい。
表面18近傍に結像する。投影レンズは上記２波長λ1，
λ2の中心波長に対して設計された単色レンズで、結像
点色収差補正以外の各種収差補正がなされている。この
ため、上記２波長を有する光線の各々によるレチクル上
のパターンの結像位置は一致しない。従つて、本装置を
用いることにより前述の多重結像露光を行なうことがで
きる。投影レンズ16は合成石英の単一材料よりつくられ
ているが、上記２波長に対して透明な材料ならばこれに
限らない。投影レンズとして、マスク側に像点色消対物
レンズを、又基板側に焦点距離色消レンズを配置したも
の等としてもよい。但し、上記色消しは前記２波長
λ1，λ2に対して成されているものとする。これによ
り、上記２波長によるレチクル15上のパターンの結像倍
率を正確に等しくすることができる。投影レンズの構成
材料は本実施例で用いた合成石英に限らず、前記２波長
λ1，λ2に対して十分な透過率を有するものならば何を
用いてもよい。又、複数の材料を組み合せてもよい。
上記装置を用いて、レチクル15上のパターンをレジス
トを塗布した基板上へ投影露光した後現像を行ない、実
際に微細なレジストパターンを形成した。又、この際基
板ステージ17の高さを種種に設定し、パターンの解像す
るステージ高さの範囲、即ち該パターンに対する焦点深
度をしらべた。
トを塗布した基板上へ投影露光した後現像を行ない、実
際に微細なレジストパターンを形成した。又、この際基
板ステージ17の高さを種種に設定し、パターンの解像す
るステージ高さの範囲、即ち該パターンに対する焦点深
度をしらべた。
エキシマレーザの励起ガスにはKrFを用いた。
エタロンによる狭帯域化を行なう前の中心波長は約24
8.3nm、半値幅は0.5nmである。エタロン3.4の角度を調
整してλ1，λ2を各々248.26nm及び248.34nmとした。狭
帯域化された各々のスペクトルの半値幅は0.003nmであ
る。投影レンズ16の開口数は0.4で、前記２波長に対す
る色収差によるレチクル上のパターンの結像位置のずれ
は２μｍであつた。
8.3nm、半値幅は0.5nmである。エタロン3.4の角度を調
整してλ1，λ2を各々248.26nm及び248.34nmとした。狭
帯域化された各々のスペクトルの半値幅は0.003nmであ
る。投影レンズ16の開口数は0.4で、前記２波長に対す
る色収差によるレチクル上のパターンの結像位置のずれ
は２μｍであつた。
本装置により直径0.3μｍのコンタクトホールが解像
可能で、その焦点深度は約±1.5μｍであつた。又、本
装置により0.35μｍの縞パターンが解像可能で、その焦
点深度は±1.75μｍ程度であつた。比較のため、２つの
エタロンの角度を等しくしてλ1，λ2を共に248.3nmと
することにより、２つの光線による結像位置を一致さ
せ、同様の実験を行なつた。その結果、やはり直径0.3
μｍのコンタクトホールと0.35μｍの縞パターンが解像
できたが、その焦点深度は各々±0.75μｍ、及び±１μ
ｍであつた。以上より、本装置の多重結像露光効果によ
る焦点深度の増大が認められた。
可能で、その焦点深度は約±1.5μｍであつた。又、本
装置により0.35μｍの縞パターンが解像可能で、その焦
点深度は±1.75μｍ程度であつた。比較のため、２つの
エタロンの角度を等しくしてλ1，λ2を共に248.3nmと
することにより、２つの光線による結像位置を一致さ
せ、同様の実験を行なつた。その結果、やはり直径0.3
μｍのコンタクトホールと0.35μｍの縞パターンが解像
できたが、その焦点深度は各々±0.75μｍ、及び±１μ
ｍであつた。以上より、本装置の多重結像露光効果によ
る焦点深度の増大が認められた。
本装置の投影レンズには約0.6μｍの像面湾曲が存在
するため、基板傾斜による約0.4μｍの実効的段差と約
１μｍの素子段差を有する基板上に上記パターンを解像
するのは、前記の異なる２波長を用いた露光によりはじ
めて可能となつた。
するため、基板傾斜による約0.4μｍの実効的段差と約
１μｍの素子段差を有する基板上に上記パターンを解像
するのは、前記の異なる２波長を用いた露光によりはじ
めて可能となつた。
本実施例で用いた投影レンズは単色光用だつたので、
レンズ設計的に設定された所定の波長以外の波長を用い
て露光を行なうことによる倍率の変化、像の歪等が若干
認められた。しかし、本来は倍率，像の歪，像面湾曲、
その他各種収差に対して色収差補正をほどこし、波長を
変化することにより、倍率，像歪，像面湾曲等の変動を
一定の許容範囲内に保つたままで、結像面を光軸方向に
シフトさせることができる様に、レンズ設計を行なうの
が好ましいことはいうまでもない。
レンズ設計的に設定された所定の波長以外の波長を用い
て露光を行なうことによる倍率の変化、像の歪等が若干
認められた。しかし、本来は倍率，像の歪，像面湾曲、
その他各種収差に対して色収差補正をほどこし、波長を
変化することにより、倍率，像歪，像面湾曲等の変動を
一定の許容範囲内に保つたままで、結像面を光軸方向に
シフトさせることができる様に、レンズ設計を行なうの
が好ましいことはいうまでもない。
なお、本実施例によれば、出力鏡と反射鏡の間に狭帯
化素子が設けられるため、狭帯化に伴なうレーザ出力の
低下を小さく抑えることができる。これに加え、さらに
複数台のレーザ共振器から発せられるレーザ光を用いて
いるので、大きな露光エネルギが得られ、極めて短時間
で露光を完了することが可能である。
化素子が設けられるため、狭帯化に伴なうレーザ出力の
低下を小さく抑えることができる。これに加え、さらに
複数台のレーザ共振器から発せられるレーザ光を用いて
いるので、大きな露光エネルギが得られ、極めて短時間
で露光を完了することが可能である。
第２実施例 第４図は、本発明の第２の実施例の構成図である。第
４図に示した実施例は、反射鏡21、エキシマレーザ共振
器22,出力鏡23,ハーフミラー24,29、ミラー25,28、エタ
ロン26,27及び照明光学系14、レチクル15、投影レンズ1
6、基板ステージ17、その他投影露光装置に必要な各種
要素より構成されている。
４図に示した実施例は、反射鏡21、エキシマレーザ共振
器22,出力鏡23,ハーフミラー24,29、ミラー25,28、エタ
ロン26,27及び照明光学系14、レチクル15、投影レンズ1
6、基板ステージ17、その他投影露光装置に必要な各種
要素より構成されている。
エキシマレーザ共振器22を発したレーザ光束はハーフ
ミラー24により２光路に分離され、分離された２つの光
束はエタロン26,27により各々互いに異なる波長λ1，λ
2を中心に狭帯域化される。狭帯域化された２つの光束
はハーフミラー29により合成された後、照明光学系14を
経てレチクル15を照明する。投影レンズ16は、レチクル
15上のパターンを、上記２波長に対して同一光軸上の異
なる位置に結像させるため、本装置を用いて多重結像露
光を行なうことが可能である。
ミラー24により２光路に分離され、分離された２つの光
束はエタロン26,27により各々互いに異なる波長λ1，λ
2を中心に狭帯域化される。狭帯域化された２つの光束
はハーフミラー29により合成された後、照明光学系14を
経てレチクル15を照明する。投影レンズ16は、レチクル
15上のパターンを、上記２波長に対して同一光軸上の異
なる位置に結像させるため、本装置を用いて多重結像露
光を行なうことが可能である。
本実施例は、複数台のエキシマレーザ（共振器）を使
用することなく、色収差を用いた多重結像露光が可能で
ある。従つて、装置全体の大きさが比較的小さく、又経
済性にも優れているという特長を有する。
用することなく、色収差を用いた多重結像露光が可能で
ある。従つて、装置全体の大きさが比較的小さく、又経
済性にも優れているという特長を有する。
本装置を用いて、第１実施例と同様に微細パターンの
焦点深度が増大することを確認した。
焦点深度が増大することを確認した。
第３実施例 第５図は、本発明の第３の実施例の構成図である。第
５図に示した実施例が、反射鏡31、エタロン32、エキシ
マレーザ共振器33、出力鏡34、ミラー35、エタロン角度
制御回路36、レーザ発振制御回路37、露光波長制御回路
38、及び照明光学系14、レチクル15、投影レンズ16、基
板ステージ17、その他投影露光装置に必要な各種要素よ
り構成されている。
５図に示した実施例が、反射鏡31、エタロン32、エキシ
マレーザ共振器33、出力鏡34、ミラー35、エタロン角度
制御回路36、レーザ発振制御回路37、露光波長制御回路
38、及び照明光学系14、レチクル15、投影レンズ16、基
板ステージ17、その他投影露光装置に必要な各種要素よ
り構成されている。
エタロン32は、エキシマレーザ共振器33の発振するレ
ーザ光束を狭帯域化するとともに、その角度を微調節す
ることで、狭帯域化された光の中心波長を変更する。波
長制御回路38はエタロンの角度を所定の値に設定すべく
エタロン角度制御回路36へ指令を送する一方、該エタロ
ン角度に対する所定の露光パルス数のレーザ発振を行う
べくレーザ発振制御回路37へ指令を送る。露光波長制御
回路38は上記の機能を用いて、基板上の−露光領域の露
光中にエタロン32の設定角を変更し、複数の異なる波長
の光を用いて投影露光を行なうことができる。投影レン
ズ16はレチクル15上のパターンを、上記複数波長の各々
に対して同一光軸上の異なる位置に結像させるため、本
装置を用いて多重結像露光を行なうことが可能である。
ーザ光束を狭帯域化するとともに、その角度を微調節す
ることで、狭帯域化された光の中心波長を変更する。波
長制御回路38はエタロンの角度を所定の値に設定すべく
エタロン角度制御回路36へ指令を送する一方、該エタロ
ン角度に対する所定の露光パルス数のレーザ発振を行う
べくレーザ発振制御回路37へ指令を送る。露光波長制御
回路38は上記の機能を用いて、基板上の−露光領域の露
光中にエタロン32の設定角を変更し、複数の異なる波長
の光を用いて投影露光を行なうことができる。投影レン
ズ16はレチクル15上のパターンを、上記複数波長の各々
に対して同一光軸上の異なる位置に結像させるため、本
装置を用いて多重結像露光を行なうことが可能である。
なお、エタロン32及び波長制御手段は、第５図に示し
たごとく反射鏡31とレーザ共振器33の間でなく、出力鏡
34とレーザ共振器33の間、又は出力鏡34と照明光学系14
の間等に設けてもよい。又、上記狭帯化及び波長変更は
エタロンの角度を変える方法に限らず、他の方法を用い
てもよい。
たごとく反射鏡31とレーザ共振器33の間でなく、出力鏡
34とレーザ共振器33の間、又は出力鏡34と照明光学系14
の間等に設けてもよい。又、上記狭帯化及び波長変更は
エタロンの角度を変える方法に限らず、他の方法を用い
てもよい。
本実施例によれば、使用するエキシマレーザが一台で
あるため経済的に有利であり、しかも狭帯化素子は反射
鏡と出力鏡の間に配置されるため、狭帯化に伴なうレー
ザ出力の低下を小さく抑えることができる。
あるため経済的に有利であり、しかも狭帯化素子は反射
鏡と出力鏡の間に配置されるため、狭帯化に伴なうレー
ザ出力の低下を小さく抑えることができる。
本装置を用いて、第１実施例と同様に微細パターンの
焦点深度が増大することを確認した。
焦点深度が増大することを確認した。
第４実施例 以下、本発明の第４の実施例を第６図を用いて説明す
る。第６図は本発明の一実施例による縮小投影露光装置
の構成図である。本装置は、エキシマレーザ光源部101,
ミラー102,照明光学系103,レチクル104,投影レンズ105,
基板ステージ106,その他縮小投影露光装置に必要な各種
要素より構成されている。エキシマレーザ光源部101
は、一対の反射鏡111と出力鏡112及びその間に設けられ
たレーザガスキヤビテイ113、２つの回転チヨツパ鏡11
4,115、２つのミラー116,117、２つのエタロン118,11
9、アテネータ120より成り、各々第６図に示した様に配
置されている。
る。第６図は本発明の一実施例による縮小投影露光装置
の構成図である。本装置は、エキシマレーザ光源部101,
ミラー102,照明光学系103,レチクル104,投影レンズ105,
基板ステージ106,その他縮小投影露光装置に必要な各種
要素より構成されている。エキシマレーザ光源部101
は、一対の反射鏡111と出力鏡112及びその間に設けられ
たレーザガスキヤビテイ113、２つの回転チヨツパ鏡11
4,115、２つのミラー116,117、２つのエタロン118,11
9、アテネータ120より成り、各々第６図に示した様に配
置されている。
回転チヨツパ鏡を回転することにより、チヨツパ鏡の
鏡面が周期的に一定時間だけレーザビーム光路に挿入さ
れる。
鏡面が周期的に一定時間だけレーザビーム光路に挿入さ
れる。
第７図は回転チヨツパ鏡の概念図である。第７図
（ａ）は回転チヨツパ鏡の鏡面部分が光路に挿入された
場合で、レーザビームが鏡面により偏向される。第７図
（ｂ）は回転チヨツパ鏡の鏡面部分が光路からはずれて
いる場合で、レーザビームは直進する。
（ａ）は回転チヨツパ鏡の鏡面部分が光路に挿入された
場合で、レーザビームが鏡面により偏向される。第７図
（ｂ）は回転チヨツパ鏡の鏡面部分が光路からはずれて
いる場合で、レーザビームは直進する。
ここで２つの回転チヨツパ鏡114,115の回転周期と位
相は等しく設定しておく。即ち、２つの回転チヨツパ鏡
14,15の鏡面がレーザビームの光路に挿入されるタイミ
ングと挿入されている時間は等しい。
相は等しく設定しておく。即ち、２つの回転チヨツパ鏡
14,15の鏡面がレーザビームの光路に挿入されるタイミ
ングと挿入されている時間は等しい。
回転チヨツパ鏡の鏡面がレーザビームの光路上にある
とき、レーザ光は出力鏡112と反射鏡111の間で２つの回
転チヨツパ鏡面及びミラー116,117、エタロン119を通る
光路を往復することにより発振される。一方、鏡面がレ
ーザビームの光路上にないとき、レーザ光はエタロン11
8及びアテネータ120を通る光路を往復することにより発
振される。
とき、レーザ光は出力鏡112と反射鏡111の間で２つの回
転チヨツパ鏡面及びミラー116,117、エタロン119を通る
光路を往復することにより発振される。一方、鏡面がレ
ーザビームの光路上にないとき、レーザ光はエタロン11
8及びアテネータ120を通る光路を往復することにより発
振される。
エタロン118,119は各々発振されるレーザ光の波長を
異なる２波長（以下各々λ1及びλ2）を中心に狭帯化す
る。従つて、回転チヨツパ鏡を回転することにより、エ
タロン118により狭帯化された光（波長λ1）とエタロン
119により狭帯化された光（波長λ2）が出力鏡から交互
に出力される。これらのエタロンは交換、角度調整又は
間隙調整が可能で、これにより前記２波長の絶対値を調
整可能である。又、必要に応じて、エタロン118,119に
は各々１枚に限ることなく、複数のエタロンを重ね合せ
て用いてもよい。
異なる２波長（以下各々λ1及びλ2）を中心に狭帯化す
る。従つて、回転チヨツパ鏡を回転することにより、エ
タロン118により狭帯化された光（波長λ1）とエタロン
119により狭帯化された光（波長λ2）が出力鏡から交互
に出力される。これらのエタロンは交換、角度調整又は
間隙調整が可能で、これにより前記２波長の絶対値を調
整可能である。又、必要に応じて、エタロン118,119に
は各々１枚に限ることなく、複数のエタロンを重ね合せ
て用いてもよい。
エタロン118又は119により狭帯化された光（波長
λ1，λ2）により照明されたレチクル104の像は、投影
レンズ105により各々結像位置131,132に結像する。投影
レンズ105は結像位置に関して色収差補正をほどこして
いないため、異なる波長の光による結像位置131と132は
一致しない。
λ1，λ2）により照明されたレチクル104の像は、投影
レンズ105により各々結像位置131,132に結像する。投影
レンズ105は結像位置に関して色収差補正をほどこして
いないため、異なる波長の光による結像位置131と132は
一致しない。
基板上の一露光領域に対する露光は複数のレーザパル
スによつて行なわれる。上記露光中に回転チヨツパ鏡を
回転することにより、露光々には波長λ1に狭帯化され
たパルス光と波長λ2に狭帯化されたパルス光が交互に
現われる。従つて、上記露光は結像位置131に結像する
マスクパタンの投影像と結像位置132に結像する投影像
の重ね合せにより成される。即ち、これにより前述の多
重結像露光法が実現される。
スによつて行なわれる。上記露光中に回転チヨツパ鏡を
回転することにより、露光々には波長λ1に狭帯化され
たパルス光と波長λ2に狭帯化されたパルス光が交互に
現われる。従つて、上記露光は結像位置131に結像する
マスクパタンの投影像と結像位置132に結像する投影像
の重ね合せにより成される。即ち、これにより前述の多
重結像露光法が実現される。
ここで、回転チヨツパ鏡の回転はレーザパルス発振の
タイミングと同期させることが可能である。即ち、回転
チヨツパ鏡が光路上に挿入されている期間内と挿入され
ていない期間内の各々に発振されるレーザパルスの数を
独立に調整することができる。これらのタイミング調整
は露光制御回路121により成される。露光制御回路121は
省略することもできる。又、上記各期間に発振されるパ
ルス数の比は、回転チヨツパ鏡の鏡面部分と非鏡面部分
又は透過部分の面積比によつて調整することも可能であ
る。通常、チヨツパ鏡の回転周期とレーザパルスの発振
周期は上記各期間内に各各少なくとも１コ以上のレーザ
パルスが発振される様に調整されている。
タイミングと同期させることが可能である。即ち、回転
チヨツパ鏡が光路上に挿入されている期間内と挿入され
ていない期間内の各々に発振されるレーザパルスの数を
独立に調整することができる。これらのタイミング調整
は露光制御回路121により成される。露光制御回路121は
省略することもできる。又、上記各期間に発振されるパ
ルス数の比は、回転チヨツパ鏡の鏡面部分と非鏡面部分
又は透過部分の面積比によつて調整することも可能であ
る。通常、チヨツパ鏡の回転周期とレーザパルスの発振
周期は上記各期間内に各各少なくとも１コ以上のレーザ
パルスが発振される様に調整されている。
多重結像露光法では２つの結像位置に結像する像の強
度が等しいことが好ましい。エタロン119により狭帯化
されたレーザ光の光強度は回転チヨツパ鏡114,115の鏡
面及びミラー116,117における反射により低下する。ア
テネータ120は、エタロン118により挟帯化されたレーザ
パルスの１パルス当り出力エネルギーが、エタロン119
により狭帯化されたレーザパルスの１パルス当り出力エ
ネルギーに等しくなる様に挿入されている。従つて、２
つのエタロンを通るレーザパルスの数を等しくすること
により、２つの結像位置に結像する像の強度を等しくす
ることができる。但し、アテネータ120を挿入せずに、
エタロン119により狭帯化されるパルス数の割合を増や
すことによつて、前記１パルス当り出力エネルギーの低
下を相殺してもかまわない。
度が等しいことが好ましい。エタロン119により狭帯化
されたレーザ光の光強度は回転チヨツパ鏡114,115の鏡
面及びミラー116,117における反射により低下する。ア
テネータ120は、エタロン118により挟帯化されたレーザ
パルスの１パルス当り出力エネルギーが、エタロン119
により狭帯化されたレーザパルスの１パルス当り出力エ
ネルギーに等しくなる様に挿入されている。従つて、２
つのエタロンを通るレーザパルスの数を等しくすること
により、２つの結像位置に結像する像の強度を等しくす
ることができる。但し、アテネータ120を挿入せずに、
エタロン119により狭帯化されるパルス数の割合を増や
すことによつて、前記１パルス当り出力エネルギーの低
下を相殺してもかまわない。
本実施例では、光路変更手段として回転チヨツパ鏡、
狭帯化手段としてエタロンを用いたが、同様な機能を有
するものであれば、これに限らず使用することができ
る。又、本実施例は光路数を増やすことにより、２波長
以上を用いた露光を可能とする様に拡張できる。
狭帯化手段としてエタロンを用いたが、同様な機能を有
するものであれば、これに限らず使用することができ
る。又、本実施例は光路数を増やすことにより、２波長
以上を用いた露光を可能とする様に拡張できる。
本実施例によれば、エタロンの角度調整の様な精密な
動作機構を用いることなく、第３実施例と同様の利点を
得ることができる。
動作機構を用いることなく、第３実施例と同様の利点を
得ることができる。
本装置を用いて、第１実施例同様、レジストに微細パ
タン形成を行ない、同様の効果を得た。
タン形成を行ない、同様の効果を得た。
第５実施例 次に本発明の第５の実施例を第８図を用いて説明す
る。第８図は本実施例による縮小投影露光装置の構成図
の一例である。
る。第８図は本実施例による縮小投影露光装置の構成図
の一例である。
第４実施例による装置では、２つの光路は出力鏡とレ
ーザガスキヤビテイの間に配置された。これに対して本
実施例による装置では、第８図に示すがごとく、２つの
光路はレーザガスギヤビテイと反射鏡の間に配置され
る。ここで反射鏡は２つの光路の各々に対して別個に設
けた。
ーザガスキヤビテイの間に配置された。これに対して本
実施例による装置では、第８図に示すがごとく、２つの
光路はレーザガスギヤビテイと反射鏡の間に配置され
る。ここで反射鏡は２つの光路の各々に対して別個に設
けた。
本実施例では、狭帯化素子としてエタロンの代りにプ
リズム、グレーテイング等を用いてもかまわない。又、
本実施例においても、第４実施例同様、精密な動作機構
を使用することなく、一台のエキシマレーザから異なる
２つの波長に狭帯化された高出力のレーザを得、これを
用いて露光を行なうことが可能である。
リズム、グレーテイング等を用いてもかまわない。又、
本実施例においても、第４実施例同様、精密な動作機構
を使用することなく、一台のエキシマレーザから異なる
２つの波長に狭帯化された高出力のレーザを得、これを
用いて露光を行なうことが可能である。
本装置を用いて、第１実施例同様レジストに微細パタ
ンを形成し、同様の効果を得た。
ンを形成し、同様の効果を得た。
第６実施例 本発明の第６の実施例を第９図を用いて説明する。第
９図は、本実施例による縮小投影露光装置の構成図の一
例である。
９図は、本実施例による縮小投影露光装置の構成図の一
例である。
本実施例による装置では、第９図に示すがごとく２つ
の光路は出力鏡と照明光学系の間に配置される。
の光路は出力鏡と照明光学系の間に配置される。
本装置を用いて、第１実施例同様の微細パタン形成を
行ない、同様の効果を得た。
行ない、同様の効果を得た。
なお、本実施例においては、チヨツパミラー114,115
が光源キヤビテイ、101の外に設けられているので、光
源はエキシマレーザ等のコヒーレント光源に限らず、高
圧水銀灯、キセノンランプ、マイクロ波励起ランプ等の
インコヒーレント光源を用いてもかまわない。又、この
場合狭帯化手段はエタロンに限らず、様々な波長フイル
ターを用いることができる。
が光源キヤビテイ、101の外に設けられているので、光
源はエキシマレーザ等のコヒーレント光源に限らず、高
圧水銀灯、キセノンランプ、マイクロ波励起ランプ等の
インコヒーレント光源を用いてもかまわない。又、この
場合狭帯化手段はエタロンに限らず、様々な波長フイル
ターを用いることができる。
上記の様に、本発明による投影露光装置は、マスクパ
ターンを基板上に投影露光する投影露光装置において、
複数の異なる波長からなる光を用いて投影露光を行な
い、投影レンズの色収差を用いて同一光軸上に複数の結
像面を設定することにより、微細パターンの実効的焦点
段度を約70％以上増大することができるので、露光光の
短波長化、投影レンズの高開口数化、及び素子構造の立
体化に伴なう基板表面の凹凸段差の増大、基板の傾斜、
投影レンズの像面湾曲等による焦点深度の不足に対処す
ることが可能である。
ターンを基板上に投影露光する投影露光装置において、
複数の異なる波長からなる光を用いて投影露光を行な
い、投影レンズの色収差を用いて同一光軸上に複数の結
像面を設定することにより、微細パターンの実効的焦点
段度を約70％以上増大することができるので、露光光の
短波長化、投影レンズの高開口数化、及び素子構造の立
体化に伴なう基板表面の凹凸段差の増大、基板の傾斜、
投影レンズの像面湾曲等による焦点深度の不足に対処す
ることが可能である。
従つて、本発明による投影露光装置を用いることによ
り、投影露光法をLSI等の固体素子における微細パター
ン形成に適用する際の大きな障害をとり除くことがで
き、投影露光法の適用範囲をさらに微細な固体素子の製
造へ拡大することができる。
り、投影露光法をLSI等の固体素子における微細パター
ン形成に適用する際の大きな障害をとり除くことがで
き、投影露光法の適用範囲をさらに微細な固体素子の製
造へ拡大することができる。
第１図は、本発明の第１の実施例を示す構成図である。
第２図は、本発明の原理を示す特性図である。第３図
は、本発明の効果を示す特性図である。第４図は本発明
の第２の実施例を示す構成図である。第５図は本発明の
第３の実施例を示す構成図である。第６図は本発明の第
４の実施例を示す構成図である。第７図は回転チヨツパ
鏡の概念図、第８図は本発明の第５の実施例を示す構成
図、第９図は本発明の第６の実施例を示す構成図であ
る。 第１図 1,2…反射鏡、3,4…エタロン、5,6…エキシマレーザ共
振器、7,8…出力鏡、９…光源部、10,11…ミラー、12…
ハーフミラー、13…光束合成光学系、14…照明光学系、
15…レチクル、16…投影レンズ、17…基板ステージ、18
…基板表面。 第４図 21…反射鏡、22…エキシマレーザ共振器、23…出力鏡、
24,29…ハーフミラー、25,28…ミラー、26,27…エタロ
ン。 第５図 31…反射鏡、32…エタロン、33…エキシマレーザ共振
器、34…出力鏡、35…ミラー、36…エタロン角度制御回
路、37…レーザ発振制御回路、38…露光波長制御回路。 第６図，第８図，第９図 101…エキシマレーザ光源部、102…ミラー、103…照明
光学系、104…レチクル、105…投影レンズ、106…ウエ
ハステージ。 111,111′…反射鏡、112…出力鏡、113…エキシマレー
ザガスキヤビテイ、114,115…回転チヨツパ鏡、116,117
…ミラー、118,119…エタロン、120…アテネータ、121
…露光制御回路。 131,132…マスクパタン結像位置。
第２図は、本発明の原理を示す特性図である。第３図
は、本発明の効果を示す特性図である。第４図は本発明
の第２の実施例を示す構成図である。第５図は本発明の
第３の実施例を示す構成図である。第６図は本発明の第
４の実施例を示す構成図である。第７図は回転チヨツパ
鏡の概念図、第８図は本発明の第５の実施例を示す構成
図、第９図は本発明の第６の実施例を示す構成図であ
る。 第１図 1,2…反射鏡、3,4…エタロン、5,6…エキシマレーザ共
振器、7,8…出力鏡、９…光源部、10,11…ミラー、12…
ハーフミラー、13…光束合成光学系、14…照明光学系、
15…レチクル、16…投影レンズ、17…基板ステージ、18
…基板表面。 第４図 21…反射鏡、22…エキシマレーザ共振器、23…出力鏡、
24,29…ハーフミラー、25,28…ミラー、26,27…エタロ
ン。 第５図 31…反射鏡、32…エタロン、33…エキシマレーザ共振
器、34…出力鏡、35…ミラー、36…エタロン角度制御回
路、37…レーザ発振制御回路、38…露光波長制御回路。 第６図，第８図，第９図 101…エキシマレーザ光源部、102…ミラー、103…照明
光学系、104…レチクル、105…投影レンズ、106…ウエ
ハステージ。 111,111′…反射鏡、112…出力鏡、113…エキシマレー
ザガスキヤビテイ、114,115…回転チヨツパ鏡、116,117
…ミラー、118,119…エタロン、120…アテネータ、121
…露光制御回路。 131,132…マスクパタン結像位置。
Claims (4)
- 【請求項１】エキシマレーザ光源から第１の波長を発振
する工程と、 前記第１の波長を狭帯域化する工程と、 前記光源から第２の波長を発振する工程と、 前記第２の波長を狭帯域化する工程と、 狭帯域化された第１の波長と第２の波長の光とを合成す
る工程と、 合成した光をマスクに照明する工程と、 前記マスクを透過した光で投影レンズを介して基板上の
同一位置に前記マスクのパターンを光軸方向の異なる位
置に結像露光する工程から成ることを特徴とする縮小投
影露光方法。 - 【請求項２】基板を試料台上に準備する工程と、 前記基板上に露光するためのマスクを準備する工程と、 前記基板上の同一位置に所定の周期で波長を切り換えて
エキシマレーザ光で前記マスクを照明し、投影レンズを
介して前記基板上に前記マスクのパターンを露光するこ
とを特徴とする縮小投影露光方法。 - 【請求項３】前記周期を基板上の一露光領域の露光時間
よりも短くしたことを特徴とする請求項２記載の縮小投
影露光方法。 - 【請求項４】第１の波長を中心に狭帯域化された第１の
エキシマレーザ光と、前記第１の波長とは異なる第２の
波長を中心に狭帯域化された第２のエキシマレーザ光と
を素子形成用パターンを有するマスクに照射する工程
と、 レジスト膜を有する基板上の第１の領域において、前記
マスクを透過した第１及び第２のエキシマレーザ光を光
軸方向の異なる位置に結像し、前記素子形成用パターン
を前記レジスト膜に形成する工程とを有することを特徴
とする縮小投影露光方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63108989A JP2619473B2 (ja) | 1987-06-17 | 1988-05-06 | 縮小投影露光方法 |
| US07/307,513 US4937619A (en) | 1986-08-08 | 1989-02-08 | Projection aligner and exposure method |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62-148943 | 1987-06-17 | ||
| JP14894387 | 1987-06-17 | ||
| JP63108989A JP2619473B2 (ja) | 1987-06-17 | 1988-05-06 | 縮小投影露光方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6477123A JPS6477123A (en) | 1989-03-23 |
| JP2619473B2 true JP2619473B2 (ja) | 1997-06-11 |
Family
ID=26448803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63108989A Expired - Lifetime JP2619473B2 (ja) | 1986-08-08 | 1988-05-06 | 縮小投影露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2619473B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008140956A (ja) * | 2006-12-01 | 2008-06-19 | Canon Inc | 露光装置 |
| US7477356B2 (en) | 2006-06-09 | 2009-01-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| US7656503B2 (en) | 2006-03-17 | 2010-02-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and image plane detecting method |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20010046088A1 (en) | 1994-02-14 | 2001-11-29 | Naoto Sano | Exposure apparatus and device manufacturing method using the same |
| JPH11204894A (ja) * | 1998-01-13 | 1999-07-30 | Matsushita Electron Corp | エキシマレーザ発振装置、及びそれを用いた縮小投影露光装置、ならびにその露光装置を用いたパターン形成方法 |
| US6369845B1 (en) * | 2000-03-14 | 2002-04-09 | Kubota Research Associates Inc. | Exposure system for recording media |
| US7369216B2 (en) * | 2004-10-15 | 2008-05-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic system, method for adapting transmission characteristics of an optical pathway within a lithographic system, semiconductor device, method of manufacturing a reflective element for use in a lithographic system, and reflective element manufactured thereby |
| JP2009010231A (ja) | 2007-06-28 | 2009-01-15 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
| DE102016217929A1 (de) * | 2016-09-20 | 2018-03-22 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projektionsbelichtungsverfahren und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie |
| WO2019079010A1 (en) | 2017-10-19 | 2019-04-25 | Cymer, Llc | FORMATION OF MULTIPLE AERIAL IMAGES IN ONE LITHOGRAPHIC EXPOSURE PASSAGE |
| JP2023003153A (ja) | 2021-06-23 | 2023-01-11 | キヤノン株式会社 | 露光装置、露光方法および物品の製造方法 |
| WO2023135773A1 (ja) * | 2022-01-14 | 2023-07-20 | ギガフォトン株式会社 | フォトマスクの作成方法、データ作成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
| CN115524925A (zh) * | 2022-08-08 | 2022-12-27 | 中国电子科技集团公司第十一研究所 | 改善干涉曝光的光刻对比度的方法及探测器 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5817446A (ja) * | 1981-07-24 | 1983-02-01 | Hitachi Ltd | 投影露光方法および装置 |
| JPS60257519A (ja) * | 1984-06-04 | 1985-12-19 | Canon Inc | 焼付装置 |
-
1988
- 1988-05-06 JP JP63108989A patent/JP2619473B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7656503B2 (en) | 2006-03-17 | 2010-02-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and image plane detecting method |
| US7477356B2 (en) | 2006-06-09 | 2009-01-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus |
| JP2008140956A (ja) * | 2006-12-01 | 2008-06-19 | Canon Inc | 露光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6477123A (en) | 1989-03-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4937619A (en) | Projection aligner and exposure method | |
| JP3927753B2 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JP3275575B2 (ja) | 投影露光装置及び該投影露光装置を用いたデバイスの製造方法 | |
| JP2536023B2 (ja) | 露光装置、及び露光方法 | |
| KR101578226B1 (ko) | 조명 광학 장치, 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법 | |
| TWI464539B (zh) | An optical unit, an illumination optical device, an exposure device, and an element manufacturing method | |
| KR100856976B1 (ko) | 노광장치 및 디바이스 제조방법 | |
| JP2852169B2 (ja) | 投影露光方法および装置 | |
| JP4065923B2 (ja) | 照明装置及び該照明装置を備えた投影露光装置、該照明装置による投影露光方法、及び該投影露光装置の調整方法 | |
| US4795244A (en) | Projection type exposure apparatus | |
| JP2619473B2 (ja) | 縮小投影露光方法 | |
| JP2000021748A (ja) | 露光方法および露光装置 | |
| JP2002359176A (ja) | 照明装置、照明制御方法、露光装置、デバイス製造方法及びデバイス | |
| JP2000021742A (ja) | 露光方法および露光装置 | |
| JPH06204121A (ja) | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 | |
| JPH03215930A (ja) | 照明装置及びそれを用いた回路の製造方法 | |
| US11837839B2 (en) | Optical pulse stretcher, laser device, and electronic device manufacturing method | |
| JP2005108925A (ja) | 照明光学装置、露光装置および露光方法 | |
| JP3958122B2 (ja) | 照明装置、およびそれを用いた露光装置、デバイス製造方法 | |
| JP2619419B2 (ja) | 縮小投影露光装置 | |
| JP2006253327A (ja) | 照明光学装置、露光装置、マイクロデバイスの製造方法、および露光装置の調整方法 | |
| JP2002057098A (ja) | 照明光学装置，該照明光学装置を備えた露光装置，及びマイクロデバイスの製造方法 | |
| JPH1062710A (ja) | 照明光学系 | |
| JP4154003B2 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JP2894914B2 (ja) | 投影露光方法および装置 |