JP2021148653A - 半導体装置、検査用部品、および検査装置 - Google Patents

Abstract

【課題】検査に関するコストの低減を図ることができる半導体装置、検査用部品、および検査装置を提供することである。【解決手段】実施形態の半導体装置は、基板と、複数の外部接続端子と、半導体部品と、絶縁部とを持つ。前記基板は、第１面と、前記第１面とは反対側に位置した第２面とを含む。前記複数の外部接続端子は、前記第１面に設けられている。前記半導体部品は、前記基板に対して前記複数の外部接続端子とは反対側に位置する。前記絶縁部は、前記基板の厚さ方向で第１厚さを有した第１領域と、前記第１領域よりも外周側に位置し、前記厚さ方向で前記第１厚さよりも薄い第２厚さを有した第２領域とを含む。前記絶縁部は、前記基板とは反対側から前記半導体部品を覆う。【選択図】図２

Description

本発明の実施形態は、半導体装置、検査用部品、および検査装置に関する。

検査時に半導体装置を押圧する検査用部品を備えた検査装置が知られている。

特開２００５−１７２５７６号公報 国際公開第２００７／０９４０３４号

本発明が解決しようとする課題は、検査に関するコストの低減を図ることができる半導体装置、検査用部品、および検査装置を提供することである。

実施形態の半導体装置は、基板と、複数の外部接続端子と、半導体部品と、絶縁部とを持つ。前記基板は、第１面と、前記第１面とは反対側に位置した第２面とを含む。前記複数の外部接続端子は、前記第１面に設けられている。前記半導体部品は、前記基板に対して前記複数の外部接続端子とは反対側に位置する。前記絶縁部は、前記基板の厚さ方向で第１厚さを有した第１領域と、前記第１領域よりも外周側に位置し、前記厚さ方向で前記第１厚さよりも薄い第２厚さを有した第２領域とを含む。前記絶縁部は、前記基板とは反対側から前記半導体部品を覆う。

第１の実施形態の半導体装置および検査装置を示す断面図。 第１の実施形態の第１半導体装置および検査用部品を示す図。 第１の実施形態の第２半導体装置および検査用部品を示す図。 第１の実施形態の第１変形例の半導体装置を示す断面図。 第１の実施形態の第２変形例の半導体装置を示す平面図。 第１の実施形態の第３変形例の半導体装置を示す平面図。 第１の実施形態の第４変形例の半導体装置を示す平面図。 第１の実施形態の第５変形例の半導体装置および検査用部品を示す図。 第１の実施形態の第６変形例の半導体装置および検査用部品を示す図。 第１の実施形態の第７変形例の半導体装置を示す図。 第２の実施形態の検査用部品を示す斜視図。 第２の実施形態の第１半導体装置および検査用部品を示す図。 第２の実施形態の第２半導体装置および検査用部品を示す図。 第２の実施形態の検査装置の一例を示す平面図。 第３の実施形態の第１半導体装置および検査用部品を示す図。 第３の実施形態の第２半導体装置および検査用部品を示す図。 第４の実施形態の第１半導体装置および検査用部品を示す図。 第４の実施形態の第２半導体装置および検査用部品を示す図。 第４の実施形態の変形例の半導体装置を示す断面図。 第１から第４の実施形態の変形例の半導体装置を示す断面図。

以下、実施形態の半導体装置、検査用部品、および検査装置を、図面を参照して説明する。以下の説明では、同一または類似の機能を有する構成に同一の符号を付す。そして、それら構成の重複する説明は省略する場合がある。以下の説明で、「同じ」、「平行」、「直交」とは、それぞれ「略同じ」、「略平行」、「略直交」である場合も含み得る。「重なる」とは、２つの物体の仮想的な投影像同士が重なることを意味し、２つの物体が互いに直接的には面しない（２つの物体の間に別の物体が存在する）場合も含み得る。「表面」とは、ヒョウメン（surface）を意味し、オモテメン（front face）には限定されない。「接続」とは、物理的な接続に限定されず、電気的な接続である場合も含み得る。

先に、＋Ｘ方向、−Ｘ方向、＋Ｙ方向、−Ｙ方向、＋Ｚ方向、および−Ｚ方向について定義する。＋Ｘ方向、−Ｘ方向、＋Ｙ方向、および−Ｙ方向は、後述する基板１０の第１面１０ａに沿う方向である（図２参照）。＋Ｘ方向は、半導体装置１の第３端部４０ｃから第４端部４０ｄに向かう方向である（図２参照）。−Ｘ方向は、＋Ｘ方向とは反対方向である。＋Ｘ方向と−Ｘ方向とを区別しない場合は、単に「Ｘ方向」と称する。＋Ｙ方向および−Ｙ方向は、Ｘ方向とは交差する（例えば直交する）方向である。＋Ｙ方向は、半導体装置１の第１端部４０ａから第２端部４０ｂに向かう方向である（図２参照）。−Ｙ方向は、＋Ｙ方向とは反対方向である。＋Ｙ方向と−Ｙ方向とを区別しない場合は、単に「Ｙ方向」と称する。＋Ｚ方向および−Ｚ方向は、Ｘ方向およびＹ方向とは交差する（例えば直交する）方向である。＋Ｚ方向は、基板１０から封止樹脂部４０に向かう方向である（図２参照）。−Ｚ方向は、＋Ｚ方向とは反対方向である。＋Ｚ方向と−Ｚ方向とを区別しない場合は、単に「Ｚ方向」と称する。Ｚ方向は、半導体装置１の厚さ方向であり、基板１０の厚さ方向である。以下では便宜上、＋Ｚ方向を「上」、−Ｚ方向を「下」と称する場合がある。

半導体装置は、その内部に搭載される半導体部品の数が変更されることで、異なる能力を有することができる場合がある。例えば、半導体記憶装置のような半導体装置は、その内部に搭載される半導体メモリチップの数を増やすことで、大容量化を図ることができる。ここで、半導体装置の内部に搭載される半導体部品の数が変更されると、半導体装置の厚さが異なる場合がある。半導体装置の厚さが異なると、半導体装置の厚さに応じて半導体装置の検査に用いる検査用部品の種類を変更する必要が生じる。この場合、検査に関するコストの低減を図ることが難しい場合があり得る。

そこで、以下の実施形態では、互いに厚さが異なる複数種類（例えば２種類）の半導体装置が存在する場合でも、検査に関するコストの低減を図ることができる半導体装置、検査用部品、および検査装置について説明する。ただし以下に説明する実施形態により本発明が限定されるものではない。

（第１の実施形態）
＜１．検査に関する全体構成＞
図１は、第１の実施形態の半導体装置１および検査装置２００を示す断面図である。半導体装置１は、いわゆる半導体パッケージであり、半導体部品を内蔵した本体部５と、半導体装置１の外部に露出した複数の外部接続端子２０とを有する。半導体装置１の詳細については後述する。

検査装置（テスター）２００は、例えば、ベース２１０、検査用部品２２０、および移動機構２３０を備える。ベース２１０は、床面のような設置面に対して固定される。ベース２１０は、半導体装置１が載置される受け部（部品ソケット）２１１を有する。受け部２１１の底部には、複数の検査用端子（測定用端子）２１２が設けられている。検査用端子２１２は、半導体装置１が受け部２１１に載置された場合に、半導体装置１の外部接続端子２０と接触し、外部接続端子２０を通じて半導体装置１の内部と電気的に接続される。

検査用部品２２０は、例えばプッシャーと呼ばれる押圧部品であり、半導体装置１に対して受け部２１１とは反対側に配置される。移動機構２３０は、検査用部品２２０を受け部２１１に向けて移動させる。例えば、移動機構２３０は、検査用部品２２０を上下に移動させる。移動機構２３０は、検査用部品２２０が半導体部品１から離れた第１位置Ｐ１と、検査用部品２２０が半導体装置１に接し、受け部２１１の検査用端子２１２に向けて半導体装置１を押圧する第２位置Ｐ２との間で移動される。検査用部品２２０が第２位置Ｐ２に移動されることで、半導体装置１の外部接続端子２０と検査装置２２０の検査用端子２１２との接触状態が安定する。この状態で、検査用端子２１２を通じて半導体装置１の電気的特性（例えば異常の有無）が検査される。例えば、移動機構２３０は、簡単な機構によって構成され、任意の高さ位置へ検査用部品２２０を移動させることが難しく、第１位置Ｐ１と第２位置Ｐ２の２つの位置にだけ検査用部品２２０を移動させることができる。

本実施形態の検査装置２００では、互いに厚さ（Ｚ方向の寸法）が異なる複数種類の半導体装置１を、１種類の検査用部品２２０によって押圧可能である。以下では、まず、複数種類の半導体装置１に含まれる２種類の半導体装置１Ａａ，１Ａｂ（第１および第２の半導体装置１Ａａ，１Ａｂ）について説明し、その後、本実施形態の検査用部品２２０である検査用部品２２０Ａについて説明する。以下では、半導体装置１Ａａ，１Ａｂを互いに区別しない場合は、半導体装置１Ａと称する。また以下に述べる複数の実施形態の半導体装置１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄを互いに区別しない場合は、半導体装置１と称する。以下では、半導体装置１が半導体記憶装置である例を取り上げて説明する。

＜２．半導体装置の構成＞
＜２．１ 第１半導体装置の構成＞
図２は、第１半導体装置１Ａａおよび検査用部品２２０Ａを示す図である。まず、第１および第２の半導体装置１Ａａ，１Ａｂで共通する構成について説明する。半導体装置１Ａは、例えば、本体部５と、複数の外部接続端子２０とを有する。本体部５は、例えば、基板１０、複数の半導体メモリチップ３０、および封止樹脂部４０を含む。

基板１０は、Ｘ方向およびＹ方向に沿う板状に形成されている。基板１０は、＋Ｚ方向側から見た場合（すなわちＺ方向で見た場合）に、半導体装置１の外形と同じ矩形状に形成されている。基板１０は、絶縁性の基板本体と、基板本体に設けられた配線パターンとを含む。基板１０は、第１面１０ａと、第１面１０ａとは反対側に位置した第２面１０ｂとを有する。第１面１０ａは、−Ｚ方向に向いた面である。第１面１０ａは、複数の外部接続端子２０が取り付けられる複数のパッド（不図示）を有する。第２面１０ｂは、＋Ｚ方向に向いた表面である。第２面１０ｂは、複数の半導体メモリチップ３０が電気的に接続されるパッド１１を有する。第１半導体装置１Ａａの基板１０の厚さと、第２半導体装置１Ａｂの基板１０の厚さは、互いに同じである。

外部接続端子２０は、基板１０の第１面１０ａに設けられ、半導体装置１の外部に露出している。外部接続端子２０は、外部のプリント配線基板に半導体装置１が実装される場合に、上記プリント配線基板の金属部（例えばパッド）に接続される電気接続部である。外部接続端子２０は、「電極」と称されてもよい。例えば、複数の外部接続端子２０は、Ｘ方向およびＹ方向に沿う格子状に配列されている。本実施形態では、複数の外部接続端子２０は、ＢＧＡ（Ball Grid Array）の半田ボールである。ただし、外部接続端子２０は、上記例に限定されない。外部接続端子２０は、導電ペーストを介して外部と接続されるパッドでもよいし、リードフレームやピンのような端子でもよいし、その他の態様で外部と接続される端子でもよい。以下では、複数種類の半導体装置１について、外部接続端子２０の配置や大きさは同じであるものとする。

複数の半導体メモリチップ３０は、基板１０に対して、複数の外部接続端子２０とは反対側に位置する。複数の半導体メモリチップ３０の各々は、Ｘ方向およびＹ方向に沿う板状に形成されている。複数の半導体メモリチップ３０は、Ｚ方向に積層されている。半導体メモリチップ３０は、例えば不揮発性のメモリチップであり、例えばＮＡＮＤ型フラッシュメモリチップである。ただし、半導体メモリチップ３０は、上記例に限定されない。半導体メモリチップ３０は、抵抗変化型のメモリチップやその他形式のメモリチップでもよい。半導体メモリチップ３０は、「半導体部品」の一例である。ただし、「半導体部品」は、半導体メモリチップに限定されず、種々のＩＣ（Integrated Circuit）部品が広く該当する。

封止樹脂部４０は、基板１０の第２面１０ｂに設けられ、基板１０とは反対側から複数の半導体メモリチップ３０を一体に覆う。封止樹脂部４０は、いわゆるモールド樹脂部であり、絶縁性を有する。封止樹脂部４０は、「絶縁部」の一例である。封止樹脂部４０は、＋Ｚ方向側から見た場合、半導体装置１の外形と同じ矩形状に形成されている。本実施形態では、封止樹脂部４０は、基板１０の第２面１０ｂの全域を覆う。

封止樹脂部４０は、第１から第４の端部４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄを有する。第１および第２の端部４０ａ，４０ｂは、Ｘ方向に沿う端部であり、互いにＹ方向に離間している。第１および第２の端部４０ａ，４０ｂは、半導体装置１の長手方向に沿う端部である。第３および第４の端部４０ｃ，４０ｄは、Ｙ方向に沿う端部であり、互いにＸ方向に離間している。

次に、第１および第２の半導体装置１Ａａ，１Ａｂで異なる構成について説明する。第１半導体装置１Ａａは、例えば２枚の半導体メモリチップ３０を有する。ただし、第１半導体装置１Ａａに搭載される半導体メモリチップ３０の数は、１枚でもよく、３枚以上でもよい。

本実施形態では、２枚の半導体メモリチップ３０は、第１半導体メモリチップ３１と、第２半導体メモリチップ３２とを含む。第１半導体メモリチップ３１は、基板１０の第２面１０ｂに載置されている。第２半導体メモリチップ３２は、基板１０とは反対側から第１半導体メモリチップ３１に重ねられている。第２半導体メモリチップ３２は、第１半導体メモリチップ３１に対して−Ｘ方向にずれて配置されている。第１および第２の半導体メモリチップ３１，３２は、それぞれ第１および第２の半導体メモリチップ３１，３２の＋Ｘ方向の端部に設けられたボンディングワイヤＢＷ１によって基板１０の第２面１０ｂのパッド１１に電気的に接続されている。

封止樹脂部４０は、第１領域４１と、第２領域４２とを含む。第１領域４１は、＋Ｚ方向側から見た場合、封止樹脂部４０の中央部に設けられている。第１領域４１は、封止樹脂部４０の外形よりも一回り小さい矩形状に形成されている。第１領域４１の＋Ｚ方向の表面４１ａは、Ｘ方向およびＹ方向に沿う平面状に形成されている。第１領域４１は、Ｚ方向で、複数の半導体メモリチップ３１，３２およびボンディングワイヤＢＷ１と重なり、複数の半導体メモリチップ３１，３２およびボンディングワイヤＢＷ１を一体に覆う。第１領域４１は、Ｚ方向で、基板１０の第２面１０ｂに対して厚さＴ１を有する。厚さＴ１は、「第１厚さ」の一例である。

第２領域４２は、＋Ｚ方向側から見た場合、第１領域４１の外周側に位置する。本実施形態では、第２領域４２は、＋Ｚ方向側から見た場合、矩形状の封止樹脂部４０の外形の４辺に沿う枠状に設けられている。すなわち、第２領域４２は、封止樹脂部４０の第１から第４の端部４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄにそれぞれ設けられている。第２領域４２の＋Ｚ方向の表面４２ａは、Ｘ方向およびＹ方向に沿う平面状に形成されている。例えば、第２領域４２は、Ｚ方向で、複数の半導体メモリチップ３１，３２と重ならない位置に設けられている。第２領域４２は、Ｚ方向で、外部接続端子２０（例えば最外周に配置された外部接続端子２０）の少なくとも一部と重なってもよい。第２領域４２は、Ｚ方向で、ボンディングワイヤＢＷ１の少なくとも一部およびパッド１１の少なくとも一部と重なってもよい。第２領域４２は、Ｚ方向で、基板１０の第２面１０ｂに対して厚さＴ２を有する。厚さＴ２は、「第２厚さ」の一例である。第２領域４２の厚さＴ２は、第１領域４１の厚さＴ１よりも薄い。

以上のような構成により、封止樹脂部４０の周端部には、封止樹脂部４０の中央部に対して低くなった段差部が設けられている。言い換えると、半導体装置１Ａは、第１部分５１と、第１部分５１の外周側に位置してＺ方向で第１部分５１よりも薄い第２部分（張出部）５２とを含む。第１部分５１は、封止樹脂部４０の第１領域４１を含む部分である。第２部分５２は、封止樹脂部４０の第２領域４２を含む部分である。

本実施形態では、第２領域４２の厚さＴ２は、Ｚ方向における半導体メモリチップ３０（例えば、第１半導体メモリチップ３１）の厚さＳ１よりも厚い。言い換えると、第２領域４２の表面４２ａは、第１半導体メモリチップ３１よりも＋Ｚ方向側に位置する。

本実施形態では、第１領域４１の厚さＴ１と第２領域４２の厚さＴ２との差は、第２領域４２の厚さＴ２よりも小さい。例えば、第２領域４２の厚さＴ２は、１．０ｍｍである。第１領域４１の厚さＴ１と第２領域４２の厚さＴ２との差は、０．５ｍｍ未満であり、例えば０．１ｍｍ〜０．３ｍｍである。例えば、第２領域４２の表面４２ａは、第１半導体メモリチップ３１と基板１０とを接続するボンディングワイヤＢＷ１よりも＋Ｚ方向側に位置する。一方で、第２領域４２の表面４２ａは、第２半導体メモリチップ３２に接続されたボンディングワイヤＢＷ１の一部よりも−Ｚ方向側（すなわち基板１０の近く）に位置してもよい。第１半導体メモリチップ３１は、「第１半導体部品」の一例である。第２半導体メモリチップ３２は、「第２半導体部品」の一例である。

＜２．２ 第２半導体装置の構成＞
図３は、第２半導体装置１Ａｂおよび検査用部品２２０Ａを示す図である。第２半導体装置１Ａｂは、例えば４枚の半導体メモリチップ３０を有する。第２半導体装置１Ａｂに搭載される半導体メモリチップ３０の数は、第１半導体装置１Ａａに搭載される半導体メモリチップ３０の数よりも多い。第２半導体装置１Ａｂは、第１半導体装置１Ａａと比べて、半導体メモリチップ３０の数が多いことで大きな記憶容量を有する。ただし、第２半導体装置１Ａｂに搭載される半導体メモリチップ３０の数は、３枚以下でもよく、５枚以上でもよい。

本実施形態では、４枚の半導体メモリチップ３０は、第１から第４の半導体メモリチップ３１，３２，３３，３４を含む。第１半導体メモリチップ３１は、基板１０の第２面１０ｂに載置されている。第２半導体メモリチップ３２は、基板１０とは反対側から第１半導体メモリチップ３１に重ねられている。第２半導体メモリチップ３２は、第１半導体メモリチップ３１に対して−Ｘ方向にずれて配置されている。第１および第２の半導体メモリチップ３１，３２は、それぞれ第１および第２の半導体メモリチップ３１，３２の＋Ｘ方向の端部に設けられたボンディングワイヤＢＷ１によって基板１０の第２面１０ｂのパッド１１に電気的に接続されている。

第３半導体メモリチップ３３は、基板１０とは反対側から第２半導体メモリチップ３２に重ねられている。第３半導体メモリチップ３３は、第２半導体メモリチップ３２に対して−Ｘ方向にずれて配置されている。第４半導体メモリチップ３４は、基板１０とは反対側から第３半導体メモリチップ３３に重ねられている。第４半導体メモリチップ３４は、第３半導体メモリチップ３３に対して＋Ｘ方向にずれて配置されている。第３および第４の半導体メモリチップ３３，３４は、それぞれ第３および第４の半導体メモリチップ３３，３４の−Ｘ方向の端部に設けられたボンディングワイヤＢＷ２によって基板１０の第２面１０ｂのパッド１２に電気的に接続されている。

第２半導体装置１Ａｂの封止樹脂部４０は、第１半導体装置１Ａａの封止樹脂部４０と同様に、第１領域４１と、第２領域４２とを含む。第２半導体装置１Ａｂの第１領域４１および第２領域４２は、＋Ｚ方向側から見た場合、第１半導体装置１Ａａの第１領域４１および第２領域４２と同じ形状を有する。第２半導体装置１Ａｂの第１領域４１は、Ｚ方向で、複数の半導体メモリチップ３１，３２，３３，３４およびボンディングワイヤＢＷ１，ＢＷ２と重なり、複数の半導体メモリチップ３１，３２，３３，３４およびボンディングワイヤＢＷ１，ＢＷ２を一体に覆う。第２半導体装置１Ａｂの第１領域４１は、Ｚ方向で、基板１０の第２面１０ｂに対して厚さＴ３を有する。厚さＴ３は、「第１厚さ」の別の一例である。

一方で、第２半導体装置１Ａｂの第２領域４２は、Ｚ方向で、複数の半導体メモリチップ３１，３２，３３，３４と重ならない位置に設けられている。第２半導体装置１Ａｂの第２領域４２は、Ｚ方向で、外部接続端子２０（例えば最外周に配置された外部接続端子２０）の少なくとも一部と重なってもよい。第２半導体装置１Ａｂの第２領域４２は、Ｚ方向で、ボンディングワイヤＢＷ１，ＢＷ２の少なくとも一部およびパッド１１，１２の少なくとも一部と重なってもよい。第２半導体装置１Ａｂの第２領域４２は、Ｚ方向で、基板１０の第２面１０ｂに対して厚さＴ４を有する。厚さＴ４は、「第２厚さ」の別の一例である。第２領域４２の厚さＴ４は、第１領域４１の厚さＴ３よりも薄い。例えば、第２領域４２の表面４２ａは、第１半導体メモリチップ３１と基板１０とを接続するボンディングワイヤＢＷ１よりも＋Ｚ方向側に位置する。一方で、第２領域４２の表面４２ａは、第４半導体メモリチップ３４に接続されたボンディングワイヤＢＷ２の少なくとも一部よりも−Ｚ方向側（すなわち基板１０の近く）に位置してもよい。第４半導体メモリチップ３４は、「第２半導体部品」の別の一例である。

本実施形態では、第２半導体装置１Ａｂの第１領域４１の厚さＴ３は、第１半導体装置１Ａａの第１領域４１の厚さＴ１よりも厚い。第２半導体装置１Ａｂの第１領域４１の厚さＴ３は、例えば、第２半導体装置１Ａｂの半導体メモリチップ３０の枚数が第１半導体装置１Ａａの半導体メモリチップ３０の枚数と比べて多い分だけ厚い。一方で、第２半導体装置１Ａｂの第２領域４２の厚さＴ４は、第１半導体装置１Ａａの第２領域４２の厚さＴ２と同じである。言い換えると、半導体装置１Ａａ，１Ａｂの第２領域４２の厚さＴ２，Ｔ４は、内部に搭載される半導体メモリチップ３０の枚数によらない一定の厚さである。

＜３．検査用部品の構成＞
次に、図２および図３を参照し、検査用部品２２０Ａについて説明する。検査用部品２２０Ａは、例えば、基部２２１と、突出部２２２とを有する。基部２２１は、移動機構２３０に取り付けられて移動機構２３０によって支持される。基部２２１は、＋Ｚ方向側から見た場合、半導体装置１Ａの第１領域４１を覆う矩形状に形成されている。基部２２１は、検査装置２００の受け部２１１に半導体装置１Ａが載置された場合、半導体装置１Ａの第１領域４１に面する。

突出部２２２は、基部２２１に対して−Ｚ方向に突出して設けられている。本実施形態では、突出部２２２は、＋Ｚ方向側から見た場合、半導体装置１Ａの第２領域４２に対応する枠状に形成されている。すなわち、突出部２２２は、半導体装置１Ａの封止樹脂部４０の第１から第４の端部４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄに対応する枠状に形成されている。突出部２２２は、検査装置２００の受け部２１１に半導体装置１Ａが載置された場合、半導体装置１Ａの第２領域４２に面する。突出部２２２は、半導体装置１Ａの検査時に、移動機構２３０によって検査用部品２２０Ａが下方に移動されることで、半導体装置１Ａの第２領域４２に接触し、半導体装置１Ａの第２領域４２を検査装置２００の受け部２１１に向けて押圧する。突出部２２２は、「押圧部」の一例である。

ここで、基部２２１に対する突出部２２２の突出量Ｑは、第１半導体装置１Ａａの第１領域４１の厚さＴ１と第２領域４２の厚さＴ２との差よりも大きい。さらに、基部２２１に対する突出部２２２の突出量Ｑは、第２半導体装置１Ａｂの第１領域４１の厚さＴ３と第２領域４２の厚さＴ４との差よりも大きい。これにより、突出部２２２は、検査用部品２２０Ａが半導体装置１Ａの第１領域４１から離間した状態で、半導体装置１Ａの第２領域４２に接触して半導体装置１Ａの第２領域４２を検査装置２００の受け部２１１に向けて押圧可能である。

＜４．作用＞
以上を纏めると、次のように言うことができる。例えば、外部接続端子２０の配置が同じ場合、半導体装置１の厚さによらずに共通の検査用部品を使用したい。しかしながら、例えば任意の高さ位置へ検査用部品を移動させることが難しい検査装置の場合、半導体装置１の厚さに応じて検査用部品を交換する必要がある。この場合、半導体装置１の種類に応じて複数の検査用部品を準備する必要があり、検査に関するコストが高くなる。

そこで本実施形態では、半導体装置１Ａは、第１厚さＴ１，Ｔ３を有した第１領域４１と、第１厚さＴ１，Ｔ３よりも薄い第２厚さＴ２，Ｔ４を有した第２領域４２とを含む封止樹脂部４０を有する。このような構成によれば、半導体装置１の種類に依存しない厚さを持つ第２領域４２が設けられることで、厚さが異なる複数種類の半導体装置１Ａａ，１Ａｂに対して１つの検査用部品２２０（例えば検査用部品２２０Ａ）を用いて検査することができる。これにより、検査に関するコスト低減を図ることができる。なお、検査用部品２２０は、上記２種類の半導体装置１Ａａ，１Ａｂに加えて、例えば、８枚の半導体メモリチップ３０を搭載した第３半導体装置や、１６枚の半導体メモリチップ３０を搭載した第４半導体装置などに対しても共通して使用することができる。

加えて、上記構成によれば、単純に検査用部品２２０の購入費用が抑えられるだけでなく、検査時の装置部品交換の回数が減ることによる人件費などの各種費用の削減、装置停止時間が減ることによる検査効率の向上も期待することができる。例えば、低温検査を行う場合、結露防止のために高温乾燥時間を経て装置部品交換を行うため必要がある。このため、低温検査を行う場合に検査用部品２２０の交換の回数を減らすことができると、検査効率のさらなる向上を期待することができる。

本実施形態では、第２領域４２は、半導体メモリチップ３０とＺ方向で重ならない位置に設けられている。このような構成によれば、第２領域４２の厚さＴ２，Ｔ４を半導体メモリチップ３０の数によらずに設定することができる。

本実施形態では、第２厚さＴ２，Ｔ４は、Ｚ方向における半導体メモリチップ３０の厚さＳ１よりも厚い。このような構成によれば、例えば、検査用部品２２０が用いられる複数種類の半導体装置１に含まれる最も薄い半導体装置１として、封止樹脂部４０の全体が厚さＴ２を有した半導体装置１を採用することができる。このような半導体装置１は、例えば、半導体メモリチップ３０を１枚のみ有した半導体装置である。このような半導体装置１であっても、封止樹脂部４０の全体が厚さＴ２を有することで、半導体装置１Ａａ，１Ａｂと共通の検査用部品２２０を用いて検査を行うことができる。

本実施形態では、封止樹脂部４０の第２領域４２は、封止樹脂部４０の外形の４辺に沿う枠状に設けられている。このような構成によれば、枠状の突出部２２２を有した検査用部品２２０Ａによって半導体装置１Ａを押圧することが可能になる。枠状の突出部２２２によれば、半導体装置１Ａの全体をより安定して押圧することができるため、検査精度をより高めることができる。

次に、第１の実施形態のいくつかの変形例について説明する。各変形例において以下に説明する以外の構成は、上記第１の実施形態の構成と同様である。以下に説明する複数の変形例は、互いに組み合わされて実現されてもよい。

（第１変形例）
図４は、第１変形例の半導体装置１Ａ（例えば第１半導体装置１Ａａ）を示す断面図である。第１変形例では、半導体装置１Ａは、第１の実施形態の構成に加えて、コントローラチップ５５および電子部品５６を有する。

コントローラチップ５５は、複数の半導体メモリチップ３０を制御する電子部品である。コントローラチップ５５は、半導体装置１に対する外部からのコマンド（例えば、リードコマンド、ライトコマンド、またはイレーズコマンド）に基づいて１つ以上の半導体メモリチップ３０と通信を行い、上記コマンドで要求された処理を実行する。コントローラチップ５５は、例えば、ＳｏＣ（System on a chip）で構成されている。コントローラチップ５５は、例えば、複数の外部接続端子２０を介して外部と接続されるホストインターフェース、ボンディングワイヤＢＷ１などを介して複数の半導体メモリチップ３０と接続されるメモリインターフェース、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、および内部メモリなどを含む。内部メモリは、例えばＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）である。コントローラチップ５５は、「コントローラ部品」の一例である。

コントローラチップ５５は、基板１０と第１半導体メモリチップ３１との間に配置されている。例えば、コントローラチップ５５は、基板１０の第２面１０ｂに設けられている。複数の半導体メモリチップ３０は、コントローラチップ５５上に積層されている。例えば、コントローラチップ５５のＺ方向の厚さＳ２は、半導体メモリチップ３０の厚さよりも厚い。

電子部品５６は、基板１０の第２面１０ｂに設けられている。電子部品５６は、例えば、抵抗部品、コンデンサ部品、または各種ＩＣ部品であるが、これらに限定されない。電子部品５６は、例えば、半導体メモリチップ３０の数によらず共通して利用可能な部品である。

封止樹脂部４０の第１領域４１は、Ｚ方向で、コントローラチップ５５、複数の半導体メモリチップ３０、およびボンディングワイヤＢＷ１と重なり、基板１０とは反対側からコントローラチップ５５、複数の半導体メモリチップ３０、およびボンディングワイヤＢＷ１を覆う。

封止樹脂部４０の第２領域４２は、Ｚ方向で、コントローラチップ５５および複数の半導体メモリチップ３０と重ならない位置に設けられている。封止樹脂部４０の第２領域４２は、電子部品５６と重なり、基板１０とは反対側から電子部品５６を覆う。第２領域４２の厚さＴ２は、コントローラチップ５５のＺ方向の厚さＳ２と、第１半導体メモリチップ３１のＺ方向の厚さＳ１との合計よりも厚い。

第１変形例の第２半導体装置１Ａｂは、上述した第１変形例の第１半導体装置１Ａａの構成に対して、第１の実施形態と同様に第３および第４のメモリチップ３３，３４が設けられている。このような構成によれば、半導体メモリチップ３０とコントローラチップ５５とが積層された半導体装置１であっても、第１の実施形態と同様に、検査に関するコストの低減を図ることができる。本実施形態では、第２領域４２を利用して電子部品５６が実装されている。このような構成によれば、半導体装置１に第２領域４２が設けられる場合でも、半導体装置１の小型化を図ることができる。

（第２変形例）
図５は、第２変形例の半導体装置１Ａを示す平面図である。第２変形例では、半導体装置１Ａは、上記第１の実施形態の構成に対して、封止樹脂部４０の第２領域４２の位置が異なる。

第２変形例では、半導体メモリチップ３０の長手方向は、半導体装置１Ａの長手方向（封止樹脂部４０の長手方向、Ｘ方向）と一致する。半導体メモリチップ３０のＸ方向の両端部には、ボンディングワイヤＢＷ１，ＢＷ２が接続されている。一方で、半導体メモリチップ３０のＹ方向の両端部には、ボンティングワイヤが接続されていない。

第２変形例では、封止樹脂部４０の第２領域４２は、＋Ｚ方向側から見た場合、矩形状の封止樹脂部４０の外形に含まれる互いに離れた２辺Ｒ１，Ｒ２（すなわち、封止樹脂部４０の第１および第２の端部４０ａ，４０ｂ）それぞれに沿って設けられている。２辺Ｒ１，Ｒ２は、封止樹脂部４０の長手方向に沿う辺である。一方で、封止樹脂部４０の第３および第４端部４０ｃ，４０ｄには、第２領域４２は、設けられていない。封止樹脂部４０の第３および第４端部４０ｃ，４０ｄには、第１領域４１が設けられている。言い換えると、封止樹脂部４０の第２領域４２は、封止樹脂部４０の端部のなかで、複数のボンディングワイヤＢＷ１，ＢＷ２に対して隣り合わない端部４０ａ，４０ｂにだけ設けられている。第２変形例では、全てのボンディングワイヤＢＷ１，ＢＷ２は、封止樹脂部４０の第１領域４１によって覆われている。このような構成によれば、封止樹脂部４０の第２領域４２の厚さＴ２，Ｔ４をボンディングワイヤＢＷ１，ＢＷ２の高さによらずに低く設定することができる。これにより、半導体装置１Ａの薄型化を図ることができる。

第２変形例では、コントローラチップ５５および電子部品５６は、半導体メモリチップ３０に対してＺ方向では重ならず、半導体メモリチップ３０に対して−Ｘ方向側に位置する。コントローラチップ５５および電子部品５６は、基板１０の第２面１０ｂに設けられている。コントローラチップ５５および電子部品５６は、封止樹脂部４０の第１領域４１によって覆われている。第２変形例では、＋Ｚ方向側から見た場合、コントローラチップ５５と封止樹脂部４０の第２領域４２との間の最短距離Ｌ２は、半導体メモリチップ３０と封止樹脂部４０の第２領域４２との間の最短距離Ｌ１よりも短い。

第２変形例では、検査用部品２２０Ａは、基部２２１と、一対の突出部２２２ａ，２２２ｂとを有する。突出部２２２ａ，２２２ｂは、第１の実施形態の突出部２２２と同様に、基部２２１から突出している。突出部２２２ａ，２２２ｂは、＋Ｚ方向側から見た場合、半導体装置１Ａの第２領域４２に対応する位置に設けられている。すなわち、一対の突出部２２２ａ，２２２ｂは、基部２２１のＹ方向の両端部に設けられている。一方で、突出部２２２ａ，２２２ｂは、基部２２１のＸ方向の両端部には設けられていない。突出部２２２ａ，２２２ｂは、検査装置２００の受け部２１１に半導体装置１Ａが載置された場合、半導体装置１Ａの第２領域４２に面する。

このような構成によれば、第１の実施形態と同様に、検査に関するコストの低減を図ることができる。例えば本変形例では、封止樹脂部４０の第２領域４２は、封止樹脂部４０の外形の互いに離れた２辺Ｒ１，Ｒ２それぞれに沿って設けられている。このような構成によれば、封止樹脂部４０の両端部を検査用部品２２０Ａによって押圧することができ、半導体装置１Ａをより安定して支持することができる。本実施形態では、封止樹脂部４０の第２領域４２は、封止樹脂部４０の長手方向に沿う２辺Ｒ１，Ｒ２に沿って設けられている。これにより、半導体装置１Ａをさらに安定して支持することができる。

ここで、封止樹脂部４０の第２領域４２は、第１領域４１よりも薄い。さらに、第１領域４１と第２領域４２との境界部は、段差を有し、外部に露出した比較的大きな表面積をする。このため、第２領域４２の近傍は、第１領域４１と比べて放熱性が良好である。本実施形態では、コントローラチップ５５は、半導体メモリチップ３０と比べて発熱量が大きい。＋Ｚ方向側から見た場合、コントローラチップ５５と封止樹脂部４０の第２領域４２との間の最短距離Ｌ２は、半導体メモリチップ３０と封止樹脂部４０の第２領域４２との間の最短距離Ｌ１よりも短い。このような構成によれば、コントローラチップ５５で生じた発熱を、第２領域４２を通じて外部に効率的に放熱することができる。これにより、半導体装置１Ａの動作速度および寿命を向上させることができる。

（第３変形例）
図６は、第３変形例の半導体装置１Ａを示す平面図である。第３変形例では、半導体装置１Ａは、上記第１の実施形態の構成に対して、第２領域４２の位置が異なる。

第３変形例では、半導体メモリチップ３０の長手方向は、半導体装置Ａ１の長手方向（封止樹脂部４０の長手方向、Ｘ方向）と一致する。第３変形例では、半導体メモリチップ３０のＹ方向の両端部には、ボンディングワイヤＢＷ１，ＢＷ２が接続されている。一方で、半導体メモリチップ３０のＸ方向の両端部には、ボンティングワイヤが接続されていない。このような構成によれば、第２変形例と比べて、ボンディングワイヤＢＷ１，ＢＷ２の数を増やすことができる。

第３変形例では、封止樹脂部４０の第２領域４２は、＋Ｚ方向側から見た場合、矩形状の封止樹脂部４０の外形に含まれる互いに離れた２辺Ｒ３，Ｒ４（すなわち、封止樹脂部４０の第３および第４の端部４０ｃ，４０ｄ）それぞれに沿って設けられている。２辺Ｒ３，Ｒ４は、封止樹脂部４０の長手方向とは直交した辺である。一方で、封止樹脂部４０の第１および第２端部４０ａ，４０ｂには、第２領域４２は、設けられていない。封止樹脂部４０の第１および第２端部４０ａ，４０ｂには、第１領域４１が設けられている。言い換えると、封止樹脂部４０の第２領域４２は、封止樹脂部４０の端部のなかで、複数のボンディングワイヤＢＷ１，ＢＷ２に対して隣り合わない端部４０ｃ，４０ｄにだけ設けられている。第３変形例では、全てのボンディングワイヤＢＷ１，ＢＷ２は、封止樹脂部４０の第１領域４１によって覆われている。このような構成によれば、封止樹脂部４０の第２領域４２の厚さＴ２，Ｔ４をボンディングワイヤＢＷ１，ＢＷ２の高さによらずに低く設定することができる。これにより、半導体装置１Ａの薄型化を図ることができる。

このような構成によれば、第１の実施形態と同様に、検査に関するコストの低減を図ることができる。本変形例の構成によれば、封止樹脂部４０の両端部を検査用部品２２０Ａによって押圧することができ、半導体装置１Ａをより安定して支持することができる。本変形例の構成によれば、例えば第２変形例と比べて第２領域４２が小さいため、半導体装置１Ａの内部の実装領域を大きく確保することができる。

（第４変形例）
図７は、第４変形例の半導体装置１Ａを示す平面図である。第４変形例では、半導体装置１Ａは、上記第１の実施形態の構成に対して、第２領域４２の位置が異なる。

第４変形例の半導体装置１Ａでは、封止樹脂部４０の第２領域４２は、＋Ｚ方向側から見た場合、封止樹脂部４０の外形の４つの角部に設けられている。検査用部品２２０Ａは、基部２２１と、４つの突出部２２２ａ，２２２ｂ，２２２ｃ，２２２ｄとを有する。４つの突出部２２２ａ，２２２ｂ，２２２ｃ，２２２ｄは、上記第１の実施形態の突出部２２２と同様に、基部２２１から突出している。４つの突出部２２２ａ，２２２ｂ，２２２ｃ，２２２ｄは、＋Ｚ方向側から見た場合、半導体装置１Ａの第２領域４２に対応する位置に設けられている。すなわち、４つの突出部２２２ａ，２２２ｂ，２２２ｃ，２２２ｄは、検査用部品２２０Ａの基部２２１の４つの角部に設けられている。

このような構成によれば、第１の実施形態と同様に、検査に関するコストの低減を図ることができる。本変形例の構成によれば、検査時に半導体装置１Ａを安定して押圧することができるとともに、半導体装置１Ａの内部の実装領域を大きく確保することができる。

（第５変形例）
図８は、第５変形例の半導体装置１Ａを示す断面図である。図８中の上部は、検査用部品２２０Ａに対して半導体装置１Ａの位置ずれが生じている状態を示す。図８中の下部は、検査用部品２２０Ａに対して半導体装置１Ａの位置ずれが修正された状態を示す。

第５変形例では、封止樹脂部４０の第１領域４１は、第２領域４２と隣り合う端部４１ｅを有する。端部４１ｅには、半導体装置１Ａの位置ずれを修正するための傾斜部６１が設けられている。傾斜部６１は、第１領域４１から第２領域４２に近付くほど低くなるように傾斜している。傾斜部６１は、例えば、第１領域４１の全周の端部４１ｅ（＋Ｘ方向の端部、−Ｘ方向の端部、＋Ｙ方向の端部、および−Ｙ方向の端部）に設けられている。

第５変形例では、検査用部品２２０Ａに対して半導体装置１Ａの位置ずれが生じている状態で、半導体装置１Ａに向けて検査用部品２２０Ａを移動させると、検査用部品２２０Ａの突出部２２２が封止樹脂部４０の傾斜部６１に接触する。この状態で検査用部品２２０Ａを−Ｚ方向にさらに移動させると、検査用部品２２０Ａの突出部２２２に対して封止樹脂部４０が逃げるように横ずれし、半導体装置１Ａの位置ずれが修正される。

このような構成によれば、第１の実施形態と同様に、検査に関するコストの低減を図ることができる。本変形例の構成によれば、半導体装置１Ａの位置ずれが生じた場合でも、半導体装置１Ａの位置ずれが修正される。これにより、検査効率のさらなる向上を期待することができる。

（第６変形例）
図９は、第６変形例の半導体装置１Ａを示す断面図である。図９中の上部は、検査用部品２００Ａに対して半導体装置１Ａの位置ずれが生じている状態を示す。図９中の下部は、検査用部品２２０Ａに対して半導体装置１Ａの位置ずれが修正された状態を示す。

第６変形例では、検査用部品２２０Ａの突出部２２２は、Ｘ方向またはＹ方向で検査用部品の内側に向いた端部２２２ｅを有する。端部２２２ｅには、半導体装置１Ａの位置ずれを修正するための傾斜部６２が設けられている。傾斜部６２は、Ｘ方向またはＹ方向で、検査用部品２２０Ａの内側に向かうほど＋Ｚ方向に位置するように傾斜している。傾斜部６２は、例えば、突出部２２２の全周の端部２２２ｅ（＋Ｘ方向の端部、−Ｘ方向の端部、＋Ｙ方向の端部、および−Ｙ方向の端部）に設けられている。

第６変形例では、第５変形例と同様に、検査用部品２２０Ａに対して半導体装置１Ａの位置ずれが生じている状態で、半導体装置１Ａに向けて検査用部品２２０Ａを移動させると、検査用部品２２０Ａの突出部２２２の傾斜部６２が封止樹脂部４０の第１領域４１の表面４１ａに接触する。この状態で検査用部品２２０Ａをさらに−Ｚ方向に移動させると、検査用部品２２０Ａの突出部２２２に対して封止樹脂部４０が逃げるように横ずれし、半導体装置１Ａの位置ずれが修正される。

このような構成によれば、第１の実施形態と同様に、検査に関するコストの低減を図ることができる。本変形例の構成によれば、半導体装置１Ａの位置ずれが生じた場合でも、半導体装置１Ａの位置ずれが修正される。これにより、検査効率のさらなる向上を期待することができる。

（第７変形例）
図１０は、第７変形例の半導体装置１Ａを示す図である。第７変形例では、半導体装置１Ａは、放熱用の金属部品７１を有する。金属部品７１は、基板１０とは反対側から封止樹脂部４０の第２領域４２と重なり、第２領域４２の表面４２ａに接着などで取り付けられている。金属部品７１のＺ方向の厚さは、封止樹脂部４０の第１領域４１の厚さＴ３と第２領域４２の厚さＴ４との差（または厚さＴ１と厚さＴ２との差）と同じである。金属部品７１のＸ方向およびＹ方向の形状は、封止樹脂部４０の第２領域４２のＸ方向およびＹ方向の形状と同じである。

このような構成によれば、第１の実施形態と同様に、検査に関するコストの低減を図ることができる。本変形例の構成によれば、第１領域４１と第２領域４２との段差を利用して放熱用の金属部品７１が設けられている。このような構成によれば、半導体装置１Ａの厚さの増加を抑制しつつ、半導体装置１Ａの放熱性の向上を図ることができる。

（第２の実施形態）
次に、図１１から図１４を参照し、第２の実施形態について説明する。第２の実施形態は、検査用部品２２０が回転されることで複数種類の半導体装置１に対して利用可能である点で、第１の実施形態とは異なる。第２の実施形態において以下に説明する以外の構成は、第１の実施形態の構成と同様である。

図１１は、第２の実施形態の検査用部品２２０Ｂを示す斜視図である。本実施形態の検査用部品２２０Ｂは、第１の実施形態の検査用部品２２０Ａと同様に、半導体装置１を検査装置２００の受け部２１１に向けて押圧するプッシャーである。検査用部品２２０Ｂは、例えば、基部２２１と、一対の突出部２２２ａ，２２２ｂとを有する。突出部２２２ａ，２２２ｂは、第１の実施形態の突出部２２２と同様に、基部２２１から−Ｚ方向に突出している。検査用部品２２０Ｂは、互いに厚さが異なる２種類の半導体装置１に対して使用可能である。

以下では、検査用部品２２０Ｂが使用可能な２種類の半導体装置１Ｂａ，１Ｂｂ（第１および第２の半導体装置１Ｂａ，１Ｂｂ）について説明し、その後、本実施形態の検査用部品２２０である検査用部品２２０Ｂの詳細について説明する。以下では、半導体装置１Ｂａ，１Ｂｂを互いに区別しない場合は、半導体装置１Ｂと称する。

図１２は、第１半導体装置１Ｂａおよび検査用部品２２０Ｂを示す図である。第１半導体装置１Ｂａは、基板１０、複数の外部接続端子２０、１枚以上の半導体メモリチップ３０、および封止樹脂部４０を有する。第１半導体装置１Ｂａの封止樹脂部４０は、第２領域４２を有しない。封止樹脂部４０は、基板１０の第２面１０ｂに対して厚さＴ１を有する。第１半導体装置１Ｂａ（例えば封止樹脂部４０）は、Ｘ方向に第１幅Ｗ１を有する。第１半導体装置１Ｂａ（例えば封止樹脂部４０）は、Ｙ方向に第２幅Ｗ２を有する。第２幅Ｗ２は、第１幅Ｗ１よりも小さい。

図１３は、第２半導体装置１Ｂｂおよび検査用部品２２０Ｂを示す図である。第２半導体装置１Ｂｂは、基板１０、複数の外部接続端子２０、複数の半導体メモリチップ３０、および封止樹脂部４０を有する。第２半導体装置１Ｂｂの封止樹脂部４０は、第２領域４２を有しない。封止樹脂部４０は、基板１０の第２面１０ｂに対して厚さＴ３を有する。第２半導体装置１Ｂｂの封止樹脂部４０の厚さＴ３は、第１半導体装置１Ｂａの封止樹脂部４０の厚さＴ１よりも厚い。第２半導体装置１Ｂｂの厚さＴ３は、例えば、第２半導体装置１Ｂｂの半導体メモリチップ３０の枚数が第１半導体装置１Ｂａの半導体メモリチップ３０の枚数と比べて多い分だけ厚い。第２半導体装置１Ｂｂは、＋Ｚ方向側から見た場合、第１半導体装置１Ｂａと同じ外形を有する。すなわち、第２半導体装置１Ｂｂ（例えば封止樹脂部４０）は、Ｘ方向に第１幅Ｗ１を有する。第２半導体装置１Ｂｂ（例えば封止樹脂部４０）は、Ｙ方向に第２幅Ｗ２を有する。第１半導体装置１Ｂａの基板１０の厚さと、第２半導体装置１Ｂｂの基板１０の厚さは、互いに同じである。

次に、本実施形態の検査用部品２２０Ｂの詳細について説明する。検査用部品２２０Ｂの一対の突出部２２２ａ，２２２ｂは、半導体装置１Ｂａ，１Ｂｂの第１幅Ｗ１よりも小さく、且つ、半導体装置１Ｂａ，１Ｂｂの第２幅Ｗ２よりも大きな距離で互いに離れている。検査用部品２２０Ｂは、Ｚ方向に沿う回転軸ＲＰを中心に、例えば９０°回転可能に移動機構２３０に支持されている。すなわち、検査用部品２２０Ｂは、一対の突出部２２２ａ，２２２ｂが第１半導体装置１Ｂａの長手方向（Ｘ方向）に並ぶ第１状態（図１２参照）と、一対の突出部２２２ａ，２２２ｂが第２半導体装置１Ｂｂの長手方向とは交差した方向（例えば直交した方向、Ｙ方向）に並ぶ第２状態（図１３参照）とで回転可能である。

図１２に示すように、上記第１状態では、検査用部品２２０Ｂの突出部２２２ａ，２２２ｂは、Ｚ方向で、第１半導体装置１Ｂａと重なる。上記第１状態では、検査用部品２２０Ｂの突出部２２２ａ，２２２ｂは、移動機構２３０によって検査用部品２２０Ｂが第１半導体装置１Ｂａに向けて移動されることで、第１半導体装置１Ｂａの封止樹脂部４０に接して、第１半導体装置１Ｂａを検査装置２００の受け部２１１に向けて押圧する。

図１３に示すように、上記第２状態では、検査用部品２２０Ｂの突出部２２２ａ，２２２ｂは、Ｚ方向で、第２半導体装置１Ｂｂと重ならない。上記第２状態では、検査用部品２２０Ｂの基部２２１は、Ｚ方向で、第２半導体装置１Ｂｂと重なる。上記第２状態では、検査用部品２２０Ｂの基部２２１は、移動機構２３０によって検査用部品２２０Ｂが第２半導体装置１Ｂｂに向けて移動されることで、第２半導体装置１Ｂｂの封止樹脂部４０に接して、第２半導体装置１Ｂｂを検査装置２００の受け部２１１に向けて押圧する。

このような構成によれば、検査に関するコストの低減を図ることができる。例えば本実施形態では、半導体装置１Ｂは、Ｘ方向（第１方向）で第１幅Ｗ１を有し、Ｙ方向（第２方向）で第１幅Ｗ１よりも小さな第２幅Ｗ２を有する。検査用部品２２０Ｂは、第１幅Ｗ１よりも小さく、且つ、第２幅Ｗ２よりも大きな距離で互いに離れた一対の突出部２２２ａ，２２２ｂを有する。このような構成によれば、検査用部品２２０Ｂを回転させることで、互いに厚さが異なる複数種類の半導体装置１Ｂに対して１つの検査用部品２２０Ｂを使用することができる。これにより、検査に関するコストの低減を図ることができる。

図１４は、第２の実施形態の検査装置２００の一例を示す平面図である。検査装置２００は、例えば、複数（例えば４つ）の検査用部品２２０Ｂ（第１から第４の検査用部品２２０Ｂ１，２２０Ｂ２，２２０Ｂ３，２２０Ｂ４）を一体に保持した保持ユニットＵを有する。保持ユニットＵは、複数（例えば４つ）の検査用部品２２０Ｂを纏めて上記第１状態と上記第２状態との間で回転させる。このような構成によれば、回転軸ＲＰの数を減らすことができ、検査装置２００の低コスト化を図ることができる。ただし、検査用部品２２０Ｂは、上記例に代えて、図１２、図１３で示すように個々に回転させられてもよい。

（第３の実施形態）
次に、図１５および図１６を参照し、第３の実施形態について説明する。第３の実施形態は、検査用部品２２０が半導体装置１を下方から引っ張ることで半導体装置１に力を加える点で、第１の実施形態とは異なる。第３の実施形態において以下に説明する以外の構成は、第１の実施形態の構成と同様である。

本実施形態の検査装置２００は、互いに厚さが異なる複数種類の半導体装置１を、１種類の検査用部品２２０である検査用部品２２０Ｃによって押圧可能である。以下では、まず、複数種類の半導体装置１に含まれる２種類の半導体装置１Ｃａ，１Ｃｂ（第１および第２の半導体装置１Ｃａ，１Ｃｂ）について説明し、その後、検査用部品２２０Ｃについて説明する。以下では、半導体装置１Ｃａ，１Ｃｂを互いに区別しない場合は、半導体装置１Ｃと称する。

図１５は、第１半導体装置１Ｃａおよび検査用部品２２０Ｃを示す図である。第１半導体装置１Ｃａは、例えば、第１の実施形態の第１半導体装置１Ａａと同様の構成を有する。第１半導体装置１Ｃａは、例えば、封止樹脂部４０のＸ方向の両端部に第２領域４２を有する。ただし、第２領域４２は、封止樹脂部４０の外形の４辺に沿う枠状に設けられてもよく、封止樹脂部４０のＹ方向の両端部に設けられてもよく、封止樹脂部４０の４つの角部に設けられてもよい。

図１６は、第２半導体装置１Ｃｂおよび検査用部品２２０Ｃを示す図である。第２半導体装置１Ｃｂは、例えば、第１の実施形態の第２半導体装置１Ａｂと同様の構成を有する。第２半導体装置１Ｃｂは、例えば、封止樹脂部４０のＸ方向の両端部に第２領域４２を有する。ただし、第２領域４２は、封止樹脂部４０の外形の４辺に沿う枠状に設けられてもよく、封止樹脂部４０のＹ方向の両端部に設けられてもよく、封止樹脂部４０の４つの角部に設けられてもよい。第１半導体装置１Ｃａの基板１０の厚さと、第２半導体装置１Ｃｂの基板１０の厚さは、互いに同じである。第２半導体装置１Ｃｂの第２領域４２の厚さＴ４は、第１半導体装置１Ｃａの第２領域４２の厚さＴ２と同じである。

図１５および図１６に示すように、本実施形態の検査装置２００は、受け部２１１の下方に配置された移動機構２３０を有する。検査用部品２２０Ｃは、例えば、一対の係合部２５０ａ，２５０ｂを有する。係合部２５０ａ，２５０ｂの各々は、基部２５１と、掛かり部２５２とを有する。基部２５１は、ベース２１０に設けられた貫通穴２１０ａに通され、ベース２１０の内部を下方から上方に延びている。基部２５１の下端部は、移動機構２３０に接続されている。掛かり部２５２は、基部２５１の上端部に設けられている。本実施形態では、掛かり部２５２は、封止樹脂部４０の一対の端部（例えば第３および第４の端部４０ｃ，４０ｄ）に沿って設けられている。

係合部２５０ａ，２５０ｂは、移動機構２３０によって、掛かり部２５２がＺ方向で半導体装置１Ｃと重ならない第１位置Ｐ３と、掛かり部２５２が検査装置２００の受け部２１１とは反対側から半導体装置１Ｃの第２領域４２に面する第２位置Ｐ４との間で移動可能（例えば揺動可能）である。係合部２５０ａ，２５０ｂは、移動機構２３０によって第１位置Ｐ３から第２位置Ｐ４に移動された後、移動機構２３０によって−Ｚ方向に移動される。これにより、掛かり部２５２は、検査用部品２２０Ｃが半導体装置１Ｃの第１領域４１から離間した状態で、半導体装置１Ｃの第２領域４２に接触して半導体装置１Ｃを検査装置２００の受け部２１１に向けて押圧する。掛かり部２５２は、「押圧部」の一例である。

このような構成によれば、第１の実施形態と同様に、検査に関するコスト低減を図ることができる。ただし、掛かり部２５２は、上記例に代えて、封止樹脂部４０の一対の端部の中央部（例えば第３および第４の端部４０ｃ，４０ｄのＹ方向の中央部）のみに対応して設けられてもよいし、封止樹脂部４０の４つの角部にだけ対応して設けられてもよい。

（第４の実施形態）
次に、図１７および図１８を参照し、第４の実施形態について説明する。第４の実施形態は、検査用部品２２０が半導体装置１を下方から引っ張ることで半導体装置１に力を加える点で、第１の実施形態とは異なる。第４の実施形態において以下に説明する以外の構成は、第３の実施形態の構成と同様である。

本実施形態の検査装置２００では、互いに厚さが異なる複数種類の半導体装置１を、１種類の検査用部品２２０である検査用部品２２０Ｄによって押圧可能である。以下では、まず、複数種類の半導体装置１に含まれる２種類の半導体装置１Ｄａ，１Ｄｂ（第１および第２の半導体装置１Ｄａ，１Ｄｂ）について説明し、その後、検査用部品２２０Ｄについて説明する。以下では、半導体装置１Ｄａ，１Ｄｂを互いに区別しない場合は、半導体装置１Ｄと称する。

図１７は、第１半導体装置１Ｄａおよび検査用部品２２０Ｄを示す図である。第１半導体装置１Ｄａの封止樹脂部４０は、第２領域４２を有しない。一方で、本実施形態では、基板１０は、本体部８０と、複数（例えば４つ）の貫通部８１とを有する。

本体部８０は、基板１０の大部分を形成し、上述した絶縁性の基板本体と、基板本体に設けられた配線パターンとを含む。本体部８０は、第１面１０ａおよび第２面１０ｂを含む。本体部８０は、絶縁材料Ｍ１で形成されている。絶縁材料Ｍ１は、例えば、ガラスエポキシ樹脂など基板１０を形成する一般的な絶縁材料である。絶縁材料Ｍ１は、「第１絶縁材料」の一例である。

貫通部８１は、本体部８０に設けられた空洞であり、基板１０の第１面１０ａから第２面１０ｂに達する。第１半導体装置１Ｄａは、基板１０の第１面１０ａから第２面１０ｂまでに距離Ｈ１を持つ。

複数の貫通部８１は、Ｘ方向に関して半導体メモリチップ３０の両側に分かれて配置されている。同様に、複数の貫通部８１は、Ｙ方向に関して半導体メモリチップ３０の両側に分かれて配置されている。「Ｘ方向に関して両側」とは、対象物（ここでは半導体メモリチップ３０）に対して貫通部８１がＸ方向で並ぶ場合に限定されず、図１５に示すように、対象物に対して貫通部８１がＸ方向とは異なる方向（例えばＹ方向）にずれて配置される場合も含む。この定義は、Ｙ方向についても同様である。貫通部８１は、例えば、Ｙ方向に長手方向を有した矩形状または楕円状の長穴である。ただし、貫通部８１は、Ｙ方向とは異なる方向に長手方向を有した矩形状または楕円状の長穴でもよい。

封止樹脂部４０は、第１部分（絶縁部本体）９１と、第２部分（空洞部）９２とを含む。第１部分９１は、封止樹脂部４０の大部分を形成し、基板１０とは反対側から複数の半導体メモリチップ３０を覆う。第１部分９１は、絶縁材料Ｍ３で形成されている。絶縁材料Ｍ３は、例えば、封止樹脂部４０を形成する一般的なモールド樹脂材料である。絶縁材料Ｍ３は、「第３絶縁材料」の一例である。

第２部分９２は、第１部分９１の内部で貫通部８１に隣接して設けられている。第２部分９２は、第１部分９１の内部に設けられた空洞（切欠部）である。第２部分９２は、＋Ｚ方向側から見た場合、貫通部８１の長手方向とは異なる方向で、貫通部８１よりも大きく形成されている。

図１８は、第２半導体装置１Ｄｂおよび検査用部品２２０Ｄを示す図である。第２半導体装置１Ｄｂは、第１半導体装置１Ｄａと同様に、本体部８０、貫通部８１、第１部分９１、および第２部分９２を有する。第２半導体装置１Ｄｂにおける基板１０の第１面１０ａから第２面１０ｂまでの距離Ｈ２（すなわち第２半導体装置１Ｄｂの基板１０の厚さ）は、第１半導体装置１Ｄａにおける基板１０の第１面１０ａから第２面１０ｂまでの距離Ｈ１（すなわち第１半導体装置１Ｄａの基板１０の厚さ）と同じである。

図１７および図１８に示すように、検査装置２００は、受け部２１１の下方に配置された移動機構２３０を有する。検査用部品２２０Ｄは、例えば、複数の係合部２５０ａ，２５０ｂ，２５０ｃ，２５０ｄを有する。係合部２５０ａ，２５０ｂ，２５０ｃ，２５０ｄの各々は、例えば、基部２５１と、掛かり部２５２とを有する。基部２５１は、基部２５１は、ベース２１０に設けられた貫通穴２１０ａに通され、ベース２１０の内部を下方から上方に延びている。基部２５１の下端部は、移動機構２３０に接続されている。掛かり部２５２は、基部２５１の上端部に設けられている。

係合部２５０ａ，２５０ｂ，２５０ｃ，２５０ｄは、半導体装置１Ｄの内部に設けられた第２部分（空洞部）９２に挿入されて半導体装置１Ｄに係合可能である。本実施形態では、係合部２５０ａ，２５０ｂ，２５０ｃ，２５０ｄは、移動機構２３０によって、掛かり部２５２がＺ方向で半導体装置１Ｄと重ならない第１位置Ｐ５（図中に２点鎖線で示す）と、掛かり部２５２が検査装置２００の受け部２１１とは反対側から半導体装置１Ｄの基板１０の第２面１０ｂに面する第２位置Ｐ６（図中に破線または実線で示す）とで移動可能（例えば回転可能）である。係合部２５０ａ，２５０ｂ，２５０ｃ，２５０ｄは、移動機構２３０によって第１位置Ｐ５から第２位置Ｐ６に移動された後、移動機構２３０によって−Ｚ方向に移動される。これにより、掛かり部２５２は、半導体装置１Ｄの基板１０に接触して半導体装置１Ｄを検査装置２００の受け部２１１に向けて押圧する。掛かり部２５２は、「押圧部」の一例である。

以上のような構成によれば、第１の実施形態と同様に、検査に関するコスト低減を図ることができる。本実施形態では、検査用部品２２０Ｄは、半導体装置１Ｄの内部に設けられた第２部分（空洞部）９２に挿入されて半導体装置１Ｄに係合し、半導体装置１Ｄに検査装置２００の受け部２１１に向かう力を加える。このような構成によれば、＋Ｚ方向側から見た場合に半導体装置１Ｄと重なる面積内に係合部２５０ａ，２５０ｂ，２５０ｃ，２５０ｄを配置することができる。これにより、検査装置２００の小型化を図ることができる。

ただし、係合部２５０ａ，２５０ｂ，２５０ｃ，２５０ｄの数や配置は、上記例に限定されない。例えば、係合部は、半導体メモリチップ３０のＸ方向の両側（または半導体メモリチップ３０のＹ方向の両側）に分かれて２つだけ設けられてもよい。

（変形例）
図１９は、第４の実施形態の変形例の半導体装置１Ｄを示す。図１９に示すように、上述した半導体装置１Ｄは、検査後に、貫通部８１が絶縁材料Ｍ２によって埋められ、第２部分９２が絶縁材料Ｍ４によって埋められてもよい。絶縁材料Ｍ２および絶縁材料Ｍ４は、例えば、熱可塑性または熱硬化性の合成樹脂である。絶縁材料Ｍ２は、「第２絶縁材料」の一例である。絶縁材料Ｍ２は、例えば、絶縁材料Ｍ１とは異なる材料である。絶縁材料Ｍ４は、「第４絶縁材料」の一例である。絶縁材料Ｍ４は、例えば、絶縁材料Ｍ３とは異なる材料である。ただし、絶縁材料Ｍ４は、絶縁材料Ｍ３と同じ材料でもよい。絶縁材料Ｍ２および絶縁材料Ｍ４は、互いに同じ材料でもよい。

以上、いくつかの実施形態および変形例について説明したが、実施形態および変形例は上記例に限定されない。例えば、上述した実施形態および変形例は、互いに組み合わされて実現されてもよい。

図２０は、ひとつの変形例の半導体装置１を示す。図２０に示すように、半導体装置１は、封止樹脂部４０の第１領域４１の表面４１ａに、外部接続端子９５（例えば半田ボールのような電気接続部、または半田ボールが接続されるパッド）を有してもよい。変形例の半導体装置１には、別の半導体装置ＤがＺ方向に積層可能である。第１から第４の実施形態または変形例の構成によれば、当該変形例の半導体装置１に対して、上側の外部接続端子９５に力を加えずに、下側の外部接続端子２０に検査装置２００の受け部２１１に向かう力を加えることができる。

以上説明した少なくともひとつの実施形態によれば、半導体装置は、例えば、第１領域と上記第１領域よりも薄い第２領域とを有した絶縁部を有する。このような構成によれば、検査に関するコストの低減を図ることができる。

以下、いくつかの半導体装置、検査用部品、および検査装置について付記する。
［１］第１面と、前記第１面とは反対側に位置した第２面とを含む基板と、
前記第１面に設けられた複数の外部接続端子と、
前記基板に対して前記複数の外部接続端子とは反対側に位置した第１半導体部品と、
前記基板の厚さ方向で第１厚さを有した第１領域と、前記第１領域よりも外周側に位置し、前記厚さ方向で前記第１厚さよりも薄い第２厚さを有した第２領域とを含み、前記基板とは反対側から前記第１半導体部品を覆う絶縁部と、
を備えた半導体装置。
［２］：［１］に記載の半導体装置において、
前記第２領域は、前記第１半導体部品と前記厚さ方向で重ならない位置に設けられた。
［３］：［１］または［２］に記載の半導体装置において、
前記第１厚さと前記第２厚さとの差は、前記第２厚さよりも小さい。
［４］：［１］から［３］のうちいずれか１つに記載の半導体装置において、
前記第２厚さは、前記厚さ方向における前記第１半導体部品の厚さよりも厚い。
［５］：［１］から［４］のうちいずれか１つに記載の半導体装置において、
前記第１半導体部品に対して前記基板とは反対側に位置した第２半導体部品と、
前記第２半導体部品に接続されたボンディングワイヤと、
をさらに備え、
前記第２領域は、前記基板と平行な表面を有し、前記表面は、前記厚さ方向で、前記ボンディングワイヤの少なくとも一部よりも前記基板の近くに位置する。
［６］：［１］から［５］のうちいずれか１つに記載の半導体装置において、
前記基板と前記第１半導体部品との間に位置したコントローラ部品をさらに備え、
前記第２厚さは、前記厚さ方向における前記第１半導体部品の厚さと、前記厚さ方向における前記コントローラ部品の厚さとの合計よりも厚い。
［７］：［１］から［６］のうちいずれか１つに記載の半導体装置において、
前記基板の第２面に設けられたコントローラ部品をさらに備え、
前記厚さ方向で見た場合、前記コントローラ部品と前記第２領域との間の最短距離は、前記第１半導体部品と前記第２領域との間の最短距離よりも短い。
［８］半導体装置の内部に設けられた空洞部に挿入されて前記半導体装置に係合し、前記半導体装置に検査装置の受け部に向かう力を加える係合部、
を備えた検査用部品。
［９］：［８］に記載の検査用部品と、
前記半導体装置が載置される受け部を含むベースと、
前記検査用部品を前記受け部に向けて移動させる移動機構と、
を備えた検査装置。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。

１，１Ａ，１Ａａ，１Ａｂ，１Ｂ，１Ｂａ，１Ｂｂ，１Ｃ，１Ｃａ，１Ｃｂ，１Ｄ，１Ｄａ，１Ｄｂ…半導体装置、１０…基板、１０ａ…第１面、１０ｂ…第２面、２０…外部接続端子、３０…半導体メモリチップ（半導体部品）、４０…封止樹脂部、４１…第１領域、４２…第２領域、５１…半導体装置の第１部分、５２…半導体装置の第２部分、５５…コントローラチップ（コントローラ部品）、２００…検査装置、２２０，２２０Ａ，２２０Ｂ，２２０Ｃ，２２０Ｄ…検査用部品、２２２，２２２ａ，２２２ｂ，２２２ｃ，２２２ｄ…突出部（押圧部）、２３０…移動機構、２５０ａ，２５０ｂ，２５０ｃ，２５０ｄ…係合部、ＢＷ１，ＢＷ２…ボンディングワイヤ，Ｔ１，Ｔ３…第１領域の厚さ（第１厚さ）、Ｔ２，Ｔ４…第２領域の厚さ（第２厚さ）。

Claims (8)

1. 第１面と、前記第１面とは反対側に位置した第２面とを含む基板と、
   前記第１面に設けられた複数の外部接続端子と、
   前記基板に対して前記複数の外部接続端子とは反対側に位置した半導体部品と、
   前記基板の厚さ方向で第１厚さを有した第１領域と、前記第１領域よりも外周側に位置し、前記厚さ方向で前記第１厚さよりも薄い第２厚さを有した第２領域とを含み、前記基板とは反対側から前記半導体部品を覆う絶縁部と、
   を備えた半導体装置。
2. 前記絶縁部は、前記厚さ方向で見た場合に、矩形状の外形を有し、
   前記第２領域は、前記外形の互いに離れた２辺それぞれに沿って設けられた、
   請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記絶縁部は、前記厚さ方向で見た場合に、矩形状の外形を有し、
   前記第２領域は、前記外形の４辺に沿う枠状に設けられた、
   請求項１に記載の半導体装置。
4. 第１絶縁材料を含み第１面と前記第１面とは反対側に位置した第２面とを有した本体部と、空洞または第２絶縁材料を含み前記第１面から前記第２面に達した貫通部とを有した基板と、
   前記第１面に設けられた複数の外部接続端子と、
   前記基板に対して前記複数の外部接続端子とは反対側に位置した半導体部品と、
   第３絶縁材料を含み前記半導体部品を覆う第１部分と、前記第１部分の内部で前記貫通部と隣接して設けられ、空洞または第４絶縁材料を含む第２部分とを有した絶縁部と、
   を備えた半導体装置。
5. 半導体装置の検査に用いられる検査用部品であって、
   前記半導体装置は、第１部分と、前記第１部分よりも外周側に位置し、前記半導体装置の厚さ方向で前記第１部分よりも薄い第２部分とを有し、
   前記検査用部品は、
   前記検査用部品が前記半導体装置の前記第１部分から離間した状態で、前記半導体装置の前記第２部分に接触可能な押圧部、
   を備えた検査用部品。
6. 前記検査用部品は、
   前記半導体装置の前記第１部分に面する基部を有し、
   前記押圧部は、前記基部から突出して設けられ、
   前記基部に対する前記押圧部の突出量は、前記半導体装置の前記第１部分と前記半導体装置の前記第２部分との厚さの差よりも大きい、
   請求項５に記載の検査用部品。
7. 半導体装置の検査に用いられる検査用部品であって、
   前記半導体装置は、前記半導体装置の厚さ方向とは交差した第１方向で第１幅を有し、前記厚さ方向および前記第１方向とは交差した第２方向で前記第１幅よりも小さな第２幅を有し、
   前記検査用部品は、
   基部と、
   前記基部から突出するとともに、前記第１幅よりも小さく、且つ、前記第２幅よりも大きな距離で互いに離れた一対の突出部と、
   を備えた検査用部品。
8. 請求項５から請求項７のうちいずれか１項に記載の検査用部品と、
   前記半導体装置が載置される受け部を含むベースと、
   前記検査用部品を前記受け部に向けて移動させる移動機構と、
   を備えた検査装置。

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