JP2007027287A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 半導体装置の実装性の向上を図る。
【解決手段】 NSMD構造の複数のランド3dと、複数のランド3dそれぞれに接続され、かつ相互に180°対称の位置に配置された取り出し配線3iおよびダミー配線3jとを有するパッケージ基板3を準備し、パッケージ組み立て後、複数のランド3dに印刷方法によって半田を印刷することにより、ランド間の半田コートの高さのばらつきを低減することができ、LGA(半導体装置)7の実装性の向上を図る。
【選択図】 図1
【解決手段】 NSMD構造の複数のランド3dと、複数のランド3dそれぞれに接続され、かつ相互に180°対称の位置に配置された取り出し配線3iおよびダミー配線3jとを有するパッケージ基板3を準備し、パッケージ組み立て後、複数のランド3dに印刷方法によって半田を印刷することにより、ランド間の半田コートの高さのばらつきを低減することができ、LGA(半導体装置)7の実装性の向上を図る。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体製造技術に関し、特に、半導体装置の実装性向上に適用して有効な技術に関する。
プリント配線板は、回路パターンと、回路パターンに接続され半田ボールを接合するためのランドと、該ランドの一部分を露出させるための半田ボール接合用の接合用穴を形成したソルダーレジスト層とを設けた絶縁基板とを有する。ランドの或る直径方向においては、ランドの両端部は接合用穴の壁面との間に間隙部を設けている(例えば、特許文献1参照)。
半導体集積回路素子と配線基板との接続構造は、プリント配線基板の表面に、レジストに被覆され、外縁を非導電性空間に囲まれた引出しパターンを有し、プリント配線基板との間の接合面積を増加するパッドの構造である(例えば、特許文献2参照)。
特開平9−232736号公報(図1)
特開2000−31630号公報(図1)
例えば、SD(Secure Digital) (SDカード協会で規格化された規格がある)やメモリスティック カード等のメモリカードに組み込まれる半導体装置では、その薄型が要求される。メモリカードには、コントローラチップを有する半導体装置とメモリチップを有する半導体装置が組み込まれているものもあり、その場合、メモリは容量を増やす必要があるため、メモリチップを多段に積層することがあるが、その分パッケージ厚も厚くなる。
したがって、メモリカードに組み込む半導体装置の形態としては、BGA(Ball Grid Array) やチップサイズとほぼ同等サイズから成るCSP(Chip Size Package)より厚さの薄いLGA(Land Grid Array)の方が有効である。これは、BGAやCSPはランド上に形成したボール電極を外部端子としてマザーボードに実装する。ボール供給法によって形成された半田コートにおけるランドの表面から頂点までの高さが100μmより大きくなっており、BGA型パッケージやCSP型パッケージのJEDEC(Joint Electron Device Engineering Council standards)規格を満たしている。これに対し、LGAはランドが外部端子としてマザーボードに実装するため、ボール電極を使用しない分、半導体装置の厚さを薄くすることが可能である。ただし、LGAは、外部端子がランドであるため、その実装強度が低い。LGAの実装強度を向上させる対策として、各ランドに予め半田をコートして出荷を行う半導体装置がある。
さらに、基板のランドと半田の接続強度を向上させるランド構造の技術として、NSMD(Non Solder Mask Defined)と呼ばれる技術が知られている。NSMDでは、レジストの開口部にランドの表面、および側面が露出しており、したがって、半田がランドの側面にも回り込むため、ランドと半田の接続強度を高めることができる。
その結果、LGAでは、その実装性を向上させるためには、ランドへの半田コートと、ランド構造としてNSMDを採用することが好ましい。
なお、メモリカードに組み込まれるLGAにおいて、そのランドに半田コートを行うにあたり、ボール供給法ではなく、印刷法を採用する方が好ましい。この理由として、小さい半田ボールの場合、例えば、直径100μm以下の小さい半田ボールは、軽いため静電気の影響を受け易く、治具に付着して治具から離れにくく扱いが困難である。
ただし、印刷法は、ボール供給法に比較して半田の供給量が少ない。半田の供給量が多ければ、多少の半田の高さのばらつきが生じたとしても、半田の高さが低く形成されたランド部においても、マザーボードとの実装強度を確保することができる程度の半田量がコートされる。これに対し、半田の供給量が少なすぎると、半田の高さのばらつきが生じた場合、半田の高さが低く形成されたランド部においては、マザーボードとの実装強度を確保することができる程度の半田量がコートされない。言い換えると、メモリカードに組み込む半導体装置の場合、半導体装置の厚さを出来るだけ薄くしたいため、実装強度を向上させるために使用する半田の供給量は、実装強度が確保できる程度の量のみコートすることが好ましいことから、少しの高さばらつきが生じても実装信頼性の低下となる。
さらに、NSMD構造を採用したLGAにおいて、各ランドには取り出し用の配線が接続されているが、各ランドごとにこの取り出し用の配線の数が1本、あるいは2本のように異なった本数が混在していると、ランドごとに半田のぬれ広がる面積が異なり、その結果、半田の高さにばらつきが生じるという問題が起こる。
また、ランド上で半田が取り出し用の配線側に引っ張られて半田コートの頂点の位置がランドの中心付近からずれるという問題が起こる。なお、配線の取り出し方向によって半田の頂点の位置がずれると、半導体装置(LGA)の選別工程でのテスティング時に、ソケットの端子とコンタクト不良を引き起こすことが問題である。
前記特許文献1(特開平9−232736号公報)および特許文献2(特開2000−31630号公報)には、半導体装置の薄型を意識した記載、およびLGAについての記載は見当たらない。
本発明の目的は、半導体装置の実装性の向上を図ることができる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
すなわち、本発明は、主面に対向する裏面と、裏面に形成された絶縁膜と、裏面に形成され、かつ絶縁膜の開口部にその周縁部が露出する複数のランドと、複数のランドそれぞれに接続され、かつ相互に180°対称の位置に配置された第1および第2の配線とを有する配線基板を準備する工程と、配線基板の主面上に半導体チップを搭載する工程と、複数のランドに印刷方法によって半田を印刷する工程とを有するものである。
また、本発明は、主面に対向する裏面と、裏面に形成された絶縁膜と、裏面に形成され、かつ絶縁膜の開口部にその周縁部が露出する複数のランドと、複数のランドそれぞれに接続され、かつ相互の配置角度が360°/接続配線数で配置された複数の配線とを有する配線基板を準備する工程と、配線基板の主面上に半導体チップを搭載する工程と、複数のランドに印刷方法によって半田を印刷する工程とを有するものである。
さらに、本発明は、主面に対向する裏面と、裏面に形成された絶縁膜と、裏面に形成され、かつ絶縁膜の開口部にその周縁部が露出する複数のランドと、複数のランドそれぞれに接続された複数の配線とを有する配線基板と、配線基板の主面に搭載された半導体チップと、配線基板と半導体チップとを電気的に接続する導電性部材とを有し、複数の配線は、相互の配置角度が360°/接続配線数で配置されているものである。
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
絶縁膜の開口部にその周縁部が露出する複数のランドと、複数のランドそれぞれに接続され、かつ相互に180°対称の位置に配置された第1および第2の配線とを有する配線基板を準備し、組み立て後、複数のランドに印刷方法によって半田を印刷することにより、ランド間の半田コートの高さのばらつきを低減することができ、半導体装置の実装性の向上を図ることができる。
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
また、以下の実施の形態において、要素の数など(個数、数値、量、範囲などを含む)に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
(実施の形態)
図1は本発明の実施の形態の半導体装置の構造において封止体を透過してチップとランドの配列関係の一例を示す平面図、図2は図1に示す半導体装置の構造の一例を示す断面図、図3は図2に示す半導体装置の構造の一例を示す拡大部分断面図、図4は図1に示す半導体装置のランドの構造の一例を示す部分平面図、図5は図4のA−A線に沿って切断した構造を示す断面図である。さらに、図6は本発明の実施の形態の変形例の半導体装置の構造において封止体を透過してチップとランドの配列関係を示す平面図、図7は図6に示す変形例の半導体装置の構造を示す断面図、図8は図7に示す半導体装置の構造の一例を示す拡大部分断面図、図9は図6に示す変形例の半導体装置に用いられる配線基板の配線パターンの一例を示す平面図、図10は図9に示すA部の構造を示す拡大部分平面図である。
図1は本発明の実施の形態の半導体装置の構造において封止体を透過してチップとランドの配列関係の一例を示す平面図、図2は図1に示す半導体装置の構造の一例を示す断面図、図3は図2に示す半導体装置の構造の一例を示す拡大部分断面図、図4は図1に示す半導体装置のランドの構造の一例を示す部分平面図、図5は図4のA−A線に沿って切断した構造を示す断面図である。さらに、図6は本発明の実施の形態の変形例の半導体装置の構造において封止体を透過してチップとランドの配列関係を示す平面図、図7は図6に示す変形例の半導体装置の構造を示す断面図、図8は図7に示す半導体装置の構造の一例を示す拡大部分断面図、図9は図6に示す変形例の半導体装置に用いられる配線基板の配線パターンの一例を示す平面図、図10は図9に示すA部の構造を示す拡大部分平面図である。
また、図11は図1に示す半導体装置が組み込まれるカード型電子装置の内部構造の一例を示す斜視図、図12は図11に示すカード型電子装置の構造の一例を示す断面図、図13は図1に示す半導体装置の組み立てにおける半田印刷手順の一例を示す印刷プロセスフロー図である。
さらに、図14は本発明の実施の形態の変形例の半導体装置において封止体を透過してチップとランドの配列関係を示す平面図、図15は図14に示す変形例の半導体装置の構造を示す断面図、図16は図14に示すA部の構造を示す拡大部分平面図である。また、図17は本発明の実施の形態の変形例の半導体装置において封止体を透過してチップとランドの配列関係を示す平面図、図18は図17に示す変形例の半導体装置の構造を示す断面図である。
また、図19は本発明の実施の形態の変形例の半導体装置に用いられる配線基板の角部1ピンにダミー配線を設けた場合の構造を示す平面図、図20は図19に示す配線基板を用いた変形例の半導体装置の構造を示す断面図、図21は本発明の実施の形態の変形例の半導体装置に用いられる配線基板の角部3ピンにダミー配線を設けた場合の構造を示す平面図である。図22は本発明の実施の形態の変形例の半導体装置に用いられる配線基板における配線取り出し数を3本にした場合のランド構造を示す部分平面図である。
図1〜図3に示す本実施の形態の半導体装置は、配線基板上に半導体チップ1が搭載された樹脂封止型の半導体パッケージである。前記半導体装置は、SDカード等の図11に示すメモリカード(カード型電子装置)8に組み込まれるものであり、したがって、薄形化が要求されるものである。そこで、本実施の形態では、前記半導体装置の一例として、BGA等に比較してさらに薄く形成することが可能なLGA7を取り上げて説明する。
LGA7の構造について説明すると、主面3aと主面3aに対向する裏面3bと裏面3bに形成された複数のランド3dと複数のランド3dそれぞれに接続された複数の配線とを有するパッケージ基板(配線基板)3と、パッケージ基板3の主面3a上に搭載された半導体チップ1と、パッケージ基板3と半導体チップ1とを電気的に接続する複数のワイヤ(導電性部材)4と、半導体チップ1を樹脂封止する封止体6とを有している。
なお、LGA7は、メモリカード8において記憶装置として組み込まれているため、LGA7に内蔵される半導体チップ1は、メモリ回路を備えたメモリチップであるとともに、必要とされる容量に応じて多段に積層される。図1〜図3に示すLGA7は、2つの半導体チップ1が2段に積層された構造のものであり、各半導体チップ1は、例えば、接着シート等のダイボンド材2を介して接続されている。
すなわち、図2及び図3に示すように、1段目の半導体チップ1は、ダイボンド材2を介してパッケージ基板3の主面3a上に固着されており、さらに、2段目の半導体チップ1は、1段目の半導体チップ1の主面1a上にダイボンド材2を介して搭載されており、1段目の半導体チップ1の主面1aと2段目の半導体チップ1の裏面1bとがダイボンド材2によって固着されている。
また、パッケージ基板3には、図3に示すように、コア材3cの表裏両面に絶縁膜であるレジスト膜3fが形成されており、主面3a側のレジスト膜3fの開口部3gには、ワイヤ4と接続する複数のボンディング用電極3hが形成され、さらに、裏面3b側のレジスト膜3fの開口部3gには、複数のランド3dが形成されている。
各ランド3dは、図4に示すように、レジスト膜3fの開口部3gにその周縁部が露出するように形成されている。すなわち、本実施の形態のLGA7のパッケージ基板3に設けられたランド3dは、全てNSMD構造のランド3dであり、レジスト膜3fの開口部3gにおいて各ランド3dの側面を含む周縁部が露出している。したがって、レジスト膜3fの開口部3g内では、ランド3dの周囲にパッケージ基板3のコア材3cが露出している。なお、図4においてハッチング部は、レジスト膜3fによって覆われている領域である(図10、図16、図22についても同様)。
また、図1は、パッケージ基板3の裏面3bに形成された複数のランド3dの配列を、パッケージ基板3の主面3a側から透過して示したものである。
図1に示すように本実施の形態のLGA7では、パッケージ基板3の裏面3bに形成された全てのランド3dに、相互に180°対称の位置に配置された第1の配線と第2の配線が接続されている。
すなわち、各ランド3dには、図4及び図5に示すように、相互に180°対称の位置に配置された第1の配線と第2の配線が接続されている。例えば、第1の配線が、取り出し配線3iであり、第2の配線がダミー配線3jである(ただし、第1の配線が、ダミー配線3jで、第2の配線が取り出し配線3iであってもよい)。
また、各ランド3dに接続される複数の配線の位置関係は、相互の配線の配置角度が360°/接続配線数で配置されている。本実施の形態の場合、各ランド3dに接続される配線数が2本であるため、360°/2=180°となり、全てのランド3dにおいて取り出し配線3iとダミー配線3jが、相互に180°対称の位置に配置されている。
なお、取り出し配線3iは、例えば、信号系、GNDまたは電源等の配線と接続される配線である。一方、ダミー配線3jは、ノンコネクト配線または隣り合ったランド3dと接続される配線である。
また、LGA7では、パッケージ基板3の裏面3bに形成された全てのランド3dそれぞれに接続する配線数が同じ本数となっている。すなわち、全てのランド3dにおいて、接続される配線が、取り出し配線3iとダミー配線3jの2本となっており、パッケージ基板3において各ランド3dの配線の取り出し数の統一化が図られている。
また、本実施の形態のLGA7では、図3に示すように、パッケージ基板3の裏面3bの複数のランド3dそれぞれに半田印刷によって形成された半田コート(半田)5が配置されており、その際、半田コート5の高さ(T)は、100μm以下となっている(T≦100μm)。すなわち、半田印刷によって形成された半田コート5におけるランド3dの表面から頂点までの高さが100μm以下となっており、LGA型パッケージのJEDEC(Joint Electron Device Engineering Council standards)規格を満たしている。
なお、パッケージ基板3の各ランド3dやこれに接続される取り出し配線3i及びダミー配線3j等の配線は、例えば、銅合金によって形成されている。
また、半導体チップ1は、例えば、シリコンなどによって形成され、その主面1aには集積回路が形成されている。さらに、半導体チップ1とパッケージ基板3のボンディング用電極3hとを電気的に接続するワイヤ4は、例えば、金線である。
また、半導体チップ1や複数のワイヤ4を樹脂封止する封止体6は、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂などによって形成されている。
次に、図6及び図7に示す半導体装置は、本実施の形態の変形例のLGA16であり、記憶装置としてメモリの増加を図るためにメモリチップである半導体チップ1を4段に積層したものである。LGA7と同様に、各ランド3dには、相互に180°対称の位置に配置された取り出し配線3iとダミー配線3jが接続されている。
ここで、図6は、パッケージ基板3の裏面3bに形成された複数のランド3dの配列を、パッケージ基板3の主面3a側から透過して示したものである。
また、図9はLGA16のパッケージ基板3の配線パターンを示したものであり、一部の取り出し配線3iは、図10に示すように、主配線3kを介してスルーホール3eに接続されている。
また、図8に示すようにLGA16においても、パッケージ基板3の裏面3bの複数のランド3dそれぞれに半田印刷によって形成された半田コート5が配置されており、その際、半田コート5の高さ(T)は、100μm以下となっている(T≦100μm)。
次に、図11及び図12は、LGA7が搭載されるカード型電子装置の一例であるメモリカード8の構造を示すものである。カード用基板9の表面側には2つのLGA7が実装されており、一方、裏面側には、制御用のパッケージであるCSP(Chip Size Package)10が実装されている。ここで、本実施の形態において説明したLGA7は半導体チップ1が積層された構造であるため、メモリカード8のカード用基板9の裏面側に搭載されるCSP10よりも半導体装置の厚さは高くなる。そのため、メモリ用の半導体チップ1が積層される半導体装置にはLGA型パッケージを採用することが好ましい。なお、表面側の2つのLGA7と裏面側のCSP10は、それぞれ表面側のケース11と裏面側のケース11とによって覆われている。さらに、図12に示すように、カード用基板9の裏面側に設けられた複数の外部端子12が、裏面側のケース11の開口部11aに露出している。
次に、本実施の形態のLGA7の製造方法について説明する。
まず、裏面3bに、相互に180°対称の位置に配置された取り出し配線3iとダミー配線3jが接続され、かつNSMD構造の複数のランド3dを有するパッケージ基板3を準備する。
その後、パッケージ基板3の主面3a上にダイボンド材2を介して1段目の半導体チップ1を搭載する。続いて、1段目の半導体チップ1上に、ダイボンド材2を介して2段目の半導体チップ1を搭載する。
その後、1段目の半導体チップ1とパッケージ基板3のボンディング用電極3hとをワイヤ4によって電気的に接続し、さらに、2段目の半導体チップ1とパッケージ基板3のボンディング用電極3hとをワイヤ4によって電気的に接続する。
その後、樹脂封止を行って封止体6を形成する。すなわち、半導体チップ1と複数のワイヤ4を樹脂封止して図13に示すモールド完とし封止体6を形成する。
その後、各ランド3dに半田を印刷する図13の半田印刷を行う。すなわち、半田印刷方法により、パッケージ基板3の裏面3bの各ランド3d上に半田を印刷で形成する。その際、まず、パッケージ基板3の主面3a上に印刷マスク13を配置する。この時、印刷マスク13の開口部13aとランド3dの位置を合わせて配置する。
その後、印刷マスク13上でスキージ14によって半田ペースト15を各ランド3d上に塗布する。すなわち、スキージ14によって半田ペースト15を印刷マスク13の開口部13aに埋め込んで各ランド3d上に半田ペースト15を塗布する。
これにより、図13に示すように半田印刷完となる。
その後、図13に示す熱処理を行って各ランド3d上に半田コート5を形成する。
本実施の形態のLGA7の製造方法によれば、NSMD構造の複数のランド3dと、各ランド3dに接続され、かつ相互に180°対称の位置に配置された取り出し配線3i及びダミー配線3jとを有するパッケージ基板3を用いて、LGA組み立て後、各ランド3dに印刷方法で半田を印刷することにより、ランド3dからの取り出し配線数が2本で統一されているため、ランド間の半田の濡れ広がりの面積を同じにすることができる。
これにより、ランド間の半田コート5の高さのばらつきを低減することができる。
その結果、LGA(半導体装置)7の実装性の向上を図ることができる。
すなわち、複数のランド3d上に形成する半田コート5の高さを100μm以下にし、これにより、パッケージ高さを抑えるとともに、各ランド3dをNSMD構造とすることで半田接続強度を高めたメモリカード8搭載用のLGA(半導体装置)7において、その実装性の向上を図ることができる。
さらに、各ランド3dに接続される取り出し配線3i及びダミー配線3jを、相互に180°対称の位置に配置することにより、ランド3d上の半田が、180°対称の位置に配置された取り出し配線3i及びダミー配線3j方向に対応してほぼ均等に相反する両方向に引っ張られるため、半田の頂点の位置をランド3dのほぼ中心部に配置することができる。これにより、ランド間の半田コート5の位置ずれを低減することができる。
その結果、選別工程におけるテスティング時のLGA7の半田コート5とソケットの端子とのコンタクト不良の発生を防ぐことができ、LGA7の実装性の向上を図ることができる。
また、ランド3dに接続される取り出し配線3i及びダミー配線3jを相互に180°対称の位置に配置することにより、LGA7を実装基板に実装した後のランド3dにおける配線の取り出し部分にかかる応力を分散させて低減することができる。
その結果、ランド3dにおける配線の取り出し部分での断線の発生を防止してLGA7の実装性の向上を図ることができる。
次に、図14〜図22に示す本実施の形態の変形例について説明する。
図14〜図21に示す変形例は、全てのランド3dに取り出し配線3iとダミー配線3jを接続するのではなく、一部のランド3dのみに取り出し配線3iとダミー配線3jを接続するものである。
なお、図14、図17、図19及び図21は、パッケージ基板3の裏面3bに形成された複数のランド3dの配列を、パッケージ基板3の主面3a側から透過して示したものである。
まず、図14〜図18に示す変形例は、半導体チップ1の主面1aの周縁部に対応する位置に配置された複数のランド3dそれぞれに取り出し配線3iとダミー配線3jが接続されているものである。すなわち、半導体チップ1の端部(周縁部)付近の直下の位置に配置されたランド3dのみに対して、取り出し配線3iとダミー配線3jを接続したものである。
そのうち、図14及び図15に示す変形例のLGA17は、半導体チップ1の端部(周縁部)がランド3dの位置と重なる場合に、これらのランド3dに対して図16に示すように取り出し配線3iとダミー配線3jを接続したものである。
また、図17及び図18に示す変形例のLGA18は、半導体チップ1の端部(周縁部)がランド間に配置されている場合に、このチップ端部の両側に配置される2列分のランド3dに対して取り出し配線3iとダミー配線3jを接続したものである。
上記したように、半導体チップ1とパッケージ基板3は、それぞれ異なる材料によって形成されているため、かかる熱膨張係数にも差が生じる。しかしながら、半導体チップ1の主面1aの周縁部に対応する位置に配置された複数のランド3dに取り出し配線3iとダミー配線3jを接続することにより、温度サイクルテスト等において、チップ端部での半導体チップ1と、封止用樹脂や基板との熱膨張係数の差で発生する応力がランド3dに付与された際に、ランド3dにかかる応力を分散させて低減することができる。
その結果、このランド3dにおける配線の取り出し部分での断線の発生を防止することができる。
また、図19〜図21に示す変形例は、パッケージ基板3の平面方向の中心部から最も距離が長い位置に配置されたランド3dに取り出し配線3iおよびダミー配線3jが接続されているものである。すなわち、ランド配列における最外周の角部付近に配置されたランド3dのみに対して、取り出し配線3iとダミー配線3jを接続したものである。
そのうち、図19及び図20に示す変形例のLGA19は、ランド配列の最外周の角部1ピンのみのランド3dに対して、取り出し配線3iとダミー配線3jを接続したものである。
また、図21に示す変形例のLGA20は、ランド配列の最外周の角部3ピンのランド3dそれぞれに対して、取り出し配線3iとダミー配線3jを接続したものである。
パッケージ基板3が熱収縮等で変形(反り)したりする際に生じる応力は、パッケージ基板3の中心から離れる(遠い位置)ほど高くなる。しかしながら、ランド配列における最外周の角部付近に配置されたランド3dのみに対して、取り出し配線3iとダミー配線3jを接続することにより、パッケージ基板3のランド配列における最外周の角部付近のランド3dにかかる応力を分散させて低減することができる。
その結果、このランド3dにおける配線の取り出し部分での断線の発生を防止することができる。
次に、図22に示す変形例は、ランド3dに接続される配線が3本の場合の配線取り出し配置を示したものである。
すなわち、本実施の形態の半導体装置では、ランド3dに接続される複数の配線の位置関係は、相互の配線の配置角度が360°/接続配線数で配置されているものであるため、ランド3dに接続される配線数が3本の場合、360°/3=120°となり、ランド3dにおいてダミー配線3jを120°の角度で設ければよい。
このようにダミー配線3jを120°の角度で設けた場合でも、180°対称の位置に設けた場合と同様の効果を得ることができる。
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
例えば、前記実施の形態では、LGA(半導体装置)において、半導体チップ1の積層数が2段と4段の場合を例に取り上げて説明したが、半導体チップ1は1段のみの搭載であってもよいし、あるいは、2段と4段以外の複数段の積層であってもよい。
また、ランド3dに接続される配線数は、2本以上の複数本であればよく、その際、必ずしもダミー配線3jを含まなくてもよく、例えば、ランド3dに接続される配線は、全て取り出し配線3iであってもよい。
本発明は、半田コートを行う半導体装置およびその製造技術に好適である。
1 半導体チップ
1a 主面
1b 裏面
2 ダイボンド材
3 パッケージ基板(配線基板)
3a 主面
3b 裏面
3c コア材
3d ランド
3e スルーホール
3f レジスト膜(絶縁膜)
3g 開口部
3h ボンディング用電極
3i 取り出し配線(第1の配線)
3j ダミー配線(第2の配線)
3k 主配線
4 ワイヤ(導電性部材)
5 半田コート(半田)
6 封止体
7 LGA(半導体装置)
8 メモリカード(カード型電子装置)
9 カード用基板
10 CSP
11 ケース
11a 開口部
12 外部端子
13 印刷マスク
13a 開口部
14 スキージ
15 半田ペースト
16,17,18,19,20 LGA(半導体装置)
1a 主面
1b 裏面
2 ダイボンド材
3 パッケージ基板(配線基板)
3a 主面
3b 裏面
3c コア材
3d ランド
3e スルーホール
3f レジスト膜(絶縁膜)
3g 開口部
3h ボンディング用電極
3i 取り出し配線(第1の配線)
3j ダミー配線(第2の配線)
3k 主配線
4 ワイヤ(導電性部材)
5 半田コート(半田)
6 封止体
7 LGA(半導体装置)
8 メモリカード(カード型電子装置)
9 カード用基板
10 CSP
11 ケース
11a 開口部
12 外部端子
13 印刷マスク
13a 開口部
14 スキージ
15 半田ペースト
16,17,18,19,20 LGA(半導体装置)
Claims (15)
- (a)主面と、前記主面に対向する裏面と、前記裏面に形成された絶縁膜と、前記裏面に形成され、かつ前記絶縁膜の開口部にその周縁部が露出する複数のランドと、前記複数のランドそれぞれに接続され、かつ相互に180°対称の位置に配置された第1および第2の配線とを有する配線基板を準備する工程と、
(b)前記配線基板の主面上に半導体チップを搭載する工程と、
(c)前記半導体チップと前記配線基板とを電気的に接続する工程と、
(d)前記半導体チップを封止する工程と、
(e)前記複数のランドに印刷方法によって半田を印刷する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、前記配線基板の裏面に形成された全ての前記ランドそれぞれに前記第1および第2の配線が接続されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体チップの主面の周縁部に対応する位置に配置された前記複数のランドそれぞれに前記第1および第2の配線が接続されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、前記配線基板の平面方向の中心部から最も距離が長い位置に配置された前記ランドに前記第1および第2の配線が接続されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体装置は、LGAであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、前記(b)工程で、前記配線基板の主面上に複数の前記半導体チップを積層することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、前記第1および第2の配線のうち、いずれか一方がダミー配線であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- (a)主面と、前記主面に対向する裏面と、前記裏面に形成された絶縁膜と、前記裏面に形成され、かつ前記絶縁膜の開口部にその周縁部が露出する複数のランドと、前記複数のランドそれぞれに接続され、かつ相互の配置角度が360°/接続配線数で配置された複数の配線とを有する配線基板を準備する工程と、
(b)前記配線基板の主面上に半導体チップを搭載する工程と、
(c)前記半導体チップと前記配線基板とを電気的に接続する工程と、
(d)前記半導体チップを封止する工程と、
(e)前記複数のランドに印刷方法によって半田を印刷する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項8記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体装置は、LGAであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項8記載の半導体装置の製造方法において、前記(b)工程で、前記配線基板の主面上に複数の前記半導体チップを積層することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 請求項8記載の半導体装置の製造方法において、前記複数の配線のうちのいずれかがダミー配線であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 主面と、前記主面に対向する裏面と、前記裏面に形成された絶縁膜と、前記裏面に形成され、かつ前記絶縁膜の開口部にその周縁部が露出する複数のランドと、前記複数のランドそれぞれに接続された複数の配線とを有する配線基板と、
前記配線基板の主面に搭載された半導体チップと、
前記配線基板と前記半導体チップとを電気的に接続する導電性部材とを有し、
前記複数の配線は、相互の配置角度が360°/接続配線数で配置されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項12記載の半導体装置において、前記複数のランドそれぞれに半田が接続され、前記半田の高さが100μm以下であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項12記載の半導体装置において、前記配線基板の裏面に形成された全ての前記ランドそれぞれに接続する配線数が同じ本数であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項12記載の半導体装置において、前記半導体装置は、カード型電子装置に組み込まれることを特徴とする半導体装置。
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