JP2013157433A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】装置の大型化を抑制でき、信頼性を高めることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置1は、配線基板10と、配線基板10の一方の面に搭載された半導体チップ2と、配線基板10の一方の面の、半導体チップ2が搭載されていない領域に搭載され、半導体装置1を外部に電気的に接続するためのボール状の接続電極3と、配線基板10の一方の面のほぼ全面に形成された封止樹脂層7であって、半導体チップ2全体を覆うとともに、封止樹脂層7の表面から接続電極3が露出するように接続電極3を部分的に覆う封止樹脂層7と、を有している。
【選択図】図1
【解決手段】半導体装置1は、配線基板10と、配線基板10の一方の面に搭載された半導体チップ2と、配線基板10の一方の面の、半導体チップ2が搭載されていない領域に搭載され、半導体装置1を外部に電気的に接続するためのボール状の接続電極3と、配線基板10の一方の面のほぼ全面に形成された封止樹脂層7であって、半導体チップ2全体を覆うとともに、封止樹脂層7の表面から接続電極3が露出するように接続電極3を部分的に覆う封止樹脂層7と、を有している。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体装置に関する。
近年、携帯機器などの小型電子機器では、機器の小型化および高機能化に対応するために、回路基板上への半導体パッケージ(半導体装置)の高密度実装化の要求が高まっている。この要求を満たすために、複数の半導体パッケージが積層されたPoP(Package on Package)型の半導体装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。
PoP型の半導体装置において、2つの半導体パッケージは、半田からなる複数のボール電極(半田ボール)を介して積層されている。半田ボールは、上部パッケージの絶縁基材の下面に形成されたランドと、下部パッケージの絶縁基材の上面に形成されたランドとに、それぞれ接合されている。
上述の半導体装置では、下部パッケージの絶縁基材の上面に半導体チップが搭載されている場合、下部パッケージの絶縁基材と、下部パッケージ上に積層される上部パッケージとの間に十分な接続高さを確保する必要がある。これは、半田ボールのサイズを大きくすることで実現される。しかしながら、半田ボールのサイズが大きくなると、半田ボールのピッチも大きくなってしまう。したがって、半田ボールのサイズを大きくすることは、半導体装置の大型化につながるため、好ましくない。
また、下部パッケージにおいて、半導体チップと配線基板とがワイヤによって接続されている場合、半導体チップとワイヤとを樹脂からなる封止体によって覆う必要が生じる。このことでも、上述の接続高さは大きくなってしまう。また、封止体の形成は、配線基板に反りを発生させる場合がある。そのため、封止体が部分的に形成されていると、封止樹脂層が形成されている部分とされていない部分とで形状が一様でないため、半導体装置全体で反りを制御することが困難となる。
上述した課題を解決するために、本発明の半導体装置は、配線基板と、配線基板の一方の面に搭載された半導体チップと、配線基板の一方の面の、半導体チップが搭載されていない領域に搭載され、半導体装置を外部に電気的に接続するためのボール状の接続電極と、配線基板の一方の面のほぼ全面に形成された封止樹脂層であって、半導体チップ全体を覆うとともに、封止樹脂層の表面から接続電極が露出するように接続電極を部分的に覆う封止樹脂層と、を有している。
このような構成により、本発明の半導体装置は、より小さいサイズの外部電極を接続電極に接続することができ、それにより、他の半導体装置と積層型の半導体装置を構成したり、実装基板に搭載したりすることができる。その結果、装置全体の大型化を抑制することが可能となる。また、配線基板のほぼ一面全体が封止樹脂層で覆われているため、装置全体で反りを制御することが容易になり、装置の信頼性を向上させることができる。
以上、本発明によれば、装置の大型化を抑制でき、信頼性を高めることができる半導体装置を提供することができる。
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。
本発明の半導体装置は、複数の半導体パッケージが積層された積層型の半導体装置、特にPoP(Package on Package)型の半導体装置を構成する1つの半導体パッケージとして適用されるものである。
(第1の実施形態)
まず、図1および図2を参照して、本発明の第1の実施形態における半導体装置の構成について説明する。本実施形態の半導体装置は、2つの半導体パッケージが積層されたPoP型の半導体装置の下部パッケージに適用される。
まず、図1および図2を参照して、本発明の第1の実施形態における半導体装置の構成について説明する。本実施形態の半導体装置は、2つの半導体パッケージが積層されたPoP型の半導体装置の下部パッケージに適用される。
図1(a)は、本実施形態の半導体装置を概略的に示す平面図である。図1(b)は、図1(a)に示す半導体装置を概略的に示す断面図であり、積層方向に垂直な方向の断面を示している。図2は、図1に示す半導体装置を下部パッケージとして適用したPoP型の半導体装置の構成例を示す概略断面図である。
本実施形態の半導体装置1は、配線基板10と、配線基板10に搭載された半導体チップ2と、を有している。
配線基板10は、ガラスエポキシからなる絶縁基材11を有している。絶縁基材11の上面には、Cu等の導電材料からなる配線(図示せず)と、配線を部分的に覆うソルダーレジスト(絶縁膜)12とが形成されている。配線の、ソルダーレジスト12から露出された領域には、接続パッド13が形成されている。さらに、絶縁基材11の上面には、Cu等の導電材料からなるランド14が形成されている。ランド14と接続パッド13とは、配線(図示せず)を介して電気的に接続されている。絶縁基材11の上面のランド14には、半田等からなるボール状のインナーソルダー(接続電極)3が搭載されている。インナーソルダー6は、図1(a)に示すように、配線基板10の周縁部に沿って半導体チップ2を囲うように配置されている。
一方、絶縁基材11の下面には、ソルダーレジスト(絶縁膜)15が形成されているとともに、Cu等の導電材料からなるランド16がソルダーレジスト15から露出して形成されている。絶縁基材11の下面のランド16は、絶縁基材11を貫通して形成されたCu等の導電材料からなる貫通ビア17を介して、絶縁基材11の上面の接続パッド13またはランド14と電気的に接続されている。絶縁基材11の下面のランド16には、半導体装置1を実装基板等に接続するための半田等からなる導電性の半田ボール4が搭載されている。
半導体チップ2は、DAF(Die Attached Film)などの接着部材5を介して、配線基板10の上面に搭載されている。半導体チップ2は、例えばSi基板の一面に形成された論理回路や記憶回路などの周辺に、複数の電極パッド2aを有している。また、電極パッド2aを除く半導体チップ2の一面には、回路形成面を保護するパッシベーション膜(図示せず)が形成されている。半導体チップ2は、電極パッド2aがワイヤ6によって接続パッド13に接続されていることで、絶縁基材11の下面に形成されたランド16と電気的に接続されている。
さらに、本実施形態の半導体装置1は、絶縁基材11の上面に形成され、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂からなるモールド樹脂(封止樹脂層)7を有している。
モールド樹脂7は、図1(a)に示すように、中央領域(第1の領域)7aと、その中央領域7aを囲う周辺領域(第2の領域)7bとを有している。中央領域7aは、半導体チップ2とワイヤ6とに対応する領域であり、半導体チップ2およびワイヤ6の全体を覆っている。一方、周辺領域7bは、配線基板10の周縁部に沿ったインナーソルダー3に対応する領域であり、図1(b)に示すように、中央領域7aよりも薄く形成されている。すなわち、周辺領域7bがインナーソルダー3を部分的に覆い、それにより、インナーソルダー3が、モールド樹脂7から露出するようになっている。図2に示すように、このインナーソルダー3の露出した部分に、上部パッケージとなる別の半導体装置41に設けられた半田ボール(外部電極)42を接合することで、PoP型の半導体装置を構成することができる。
このように、本実施形態の半導体装置1を、PoP型の半導体装置の下部パッケージとして適用することで、従来の半導体装置と比べて、上部パッケージの半田ボールに小さいサイズのものを用いることができる。その結果、半田ボールのピッチの増加と、それに伴う装置全体の大型化とを抑制することが可能となる。また、本実施形態では、配線基板10の一面全体がモールド樹脂7で覆われるため、半導体装置1全体で反りを制御することが容易になる。さらに、モールド樹脂7の、インナーソルダー3を露出させる部分(周辺領域7b)だけが薄く形成されているため、半導体チップ2と配線基板10の接続パッド13とを接続するワイヤ6上の部分(中央領域7a)の厚さを確保することができる。それにより、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
次に、図3を参照して、本実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。図3は、上述の製造方法の各工程を概略的に示す断面図である。
本実施形態の半導体装置は、MAP(Mold Array Process)方式によって製造される。すなわち、配線基板の、マトリックス状に配置された複数の製品形成部のそれぞれに、半導体チップを搭載し、半導体チップが搭載された複数の製品形成部を封止樹脂層によって一括して覆った後に、配線基板を個々の製品形成部毎に分割して個片化することで、半導体装置が製造される。
まず、図3(a)に示すように、配線基板10の上面に形成された複数のランド14上に、半田等からなるインナーソルダー3を搭載する。このインナーソルダー搭載工程では、製品形成部20上のランド14の配置に合わせて複数の吸着孔が形成されたボールマウンター(図示せず)が使用される。インナーソルダー3をボールマウンターの吸着孔に保持し、保持されたインナーソルダー3を、フラックスを介して、配線基板10のランド14に一括搭載する。インナーソルダー3を搭載した後、配線基板10をリフローすることで、インナーソルダー3をランド14に接合させる。
次に、ダイボンディング工程を行う。具体的には、ダイボンディング装置(図示せず)を用いて、図3(b)に示すように、配線基板10の各製品形成部20のほぼ中央に、半導体チップ2を搭載する。このダイボンディング工程は、インナーソルダー3のリフロー温度が半導体チップ2のボンディング温度よりも高いため、インナーソルダー搭載工程の後に実施されることが好ましい。
次に、全ての製品形成部20に半導体チップ2を搭載した後で、ワイヤボンディング工程を行う。ワイヤボンディング工程では、図3(c)に示すように、半導体チップ2の電極パッド2aと、それに対応する製品形成部20の接続パッド13とを導電性のワイヤ6によって接続する。具体的には、まず、例えばAuやCu等からなるワイヤ6の一端を、ワイヤボンディング装置(図示せず)によって溶融し、その先端にボールを形成する。そして、その一端を、ワイヤボンディング装置によって半導体チップ2の電極パッド2aに超音波熱圧着する。同様に、ワイヤ6の他端を、配線基板10上の対応する接続パッド13に超音波熱圧着する。なお、ワイヤ6は、半導体チップ2の角部との干渉を避けるために所定のループ形状を描くように形成される。
次に、ワイヤボンディングが完了した後で封止工程を行い、図3(d)に示すように、配線基板10上に、半導体チップ2とワイヤ6とインナーソルダー3とを覆うモールド樹脂7を形成する。具体的には、まず、配線基板10を、例えばトランスファモールド装置(図示せず)の、上型と下型とからなる成形金型によって型締めする。トランスファモールド装置のゲートから、その成形金型の上型と下型とによって形成されたキャビティ内に、熱硬化性の封止樹脂(例えばエポキシ樹脂)を圧入する。封止樹脂を熱硬化させた後、成形金型から配線基板10を取り出し、所定の温度(例えば180℃)でベークすることで封止樹脂が完全に硬化する。こうして、配線基板10の一方の面を一括して覆うモールド樹脂7が形成される。
次に、配線基板10の下面のランド16の配置に合わせて複数の吸着孔が形成されたボールマウンター(図示せず)を用いて、ボールマウント工程を行う。具体的には、例えば半田等からなる半田ボール4をボールマウンターの吸着孔に保持し、保持された半田ボール4を、フラックスを介して、図3(e)に示すように、配線基板10のランド16に一括搭載する。半田ボール4を搭載した後、配線基板10をリフローすることで、半田ボール4をランド16に接合させる。
次に、モールド樹脂研削工程を行う。具体的には、図3(f)に示すように、隣接する製品形成部20のインナーソルダー3を研削可能な幅を有する研削ブレード60を用いて、各製品形成部20の周辺部を研削し、モールド樹脂7からインナーソルダー3を露出させる。これにより、モールド樹脂7には、上述の中央領域7aと周辺領域7bとが形成される。
次に、基板ダイシング工程を行う。具体的には、まず、配線基板10のモールド樹脂7をダイシングテープ(図示せず)に接着し、ダイシングテープによって配線基板10を支持する。その後、図3(g)に示すように、ダイシングブレード70によって、配線基板10を、ダイシングライン8に沿って縦横に切断して、各製品形成部20ごとに分離する。切断分離後、ダイシングテープからピックアップすることで、図3(h)に示すように、複数の半導体装置1が得られる。
(第2の実施形態)
次に、図4から図8を参照して、本発明の第2の実施形態における半導体装置の構成について説明する。本実施形態の半導体装置は、第1の実施形態と同様に、PoP型の半導体装置の下部パッケージに適用されるだけでなく、上部パッケージとしても適用可能である。
次に、図4から図8を参照して、本発明の第2の実施形態における半導体装置の構成について説明する。本実施形態の半導体装置は、第1の実施形態と同様に、PoP型の半導体装置の下部パッケージに適用されるだけでなく、上部パッケージとしても適用可能である。
図4は、本実施形態の半導体装置を概略的に示す平面図である。図5および図6は、本実施形態の半導体装置を下部パッケージとして適用したPoP型の半導体装置の構成例を示す概略断面図である。
図4を参照すると、本実施形態の半導体装置21は、配線基板10のチップ搭載面が下面となり、それに伴い、外部電極としての半田ボール4がランド16にではなくインナーソルダー3に接合されている点で、第1の実施形態と異なっている。これ以外の構成は第1の実施形態と同様である。
したがって、本実施形態によれば、第1の実施形態と同様の効果が得られるとともに、上部パッケージとして積層される半導体装置の制約が小さくなり、上部パッケージの選択の自由度を広げることができるという別の効果も得られる。例えば、ランドの配置を変更することで、図5に示すように、本実施形態の半導体装置21を半田ボール(外部電極)4を介して2段に積層した構成や、図6に示すようなFan−in構造のBGA型の半導体装置51を上部パッケージとして本実施形態の半導体装置21に搭載した構成も可能となる。さらには、ランドの配置によっては、リードフレームを用いたSOP(Small Outline Package)型の半導体装置も上部パッケージとして本実施形態の半導体装置21に搭載可能である。
図7は、本実施形態の半導体装置の製造方法の各工程を概略的に示す断面図である。
本実施形態の製造方法では、図7(a)に示すインナーソルダー搭載工程から図7(d)に示す封止工程までを行った後で、図7(e)に示すモールド樹脂研削工程を行う。その後、図7(f)に示すボールマウント工程を行う。この点で、本実施形態は第1の実施形態と異なっている。なお、各工程については、図7(f)に示すボールマウント工程において、半田ボール4をインナーソルダー3に搭載するため、インナーソルダー3の配置に合わせて複数の吸着孔が形成されたボールマウンター(図示せず)を用いること以外、第1の実施形態の各工程と同様である。
図8は、本実施形態の半導体装置の変形例を用いて構成されたPoP型の半導体装置を示す概略断面図である。
図8に示す変形例の半導体装置22は、配線基板10の半導体チップ2に対応する領域に配置され、配線基板10を貫通して形成されたサーマルビア23をさらに有している。これに加えて、上部パッケージとなる半導体装置22にはヒートシンク(放熱部材)24が設けられ、ヒートシンク24は、サーマルビア23に熱的に接続されている。これにより、PoP型の半導体装置の放熱性を向上させることができる。
(第3の実施形態)
図9は、本発明の第3の実施形態おける半導体装置を示す概略断面図である。
図9は、本発明の第3の実施形態おける半導体装置を示す概略断面図である。
本実施形態は、第1の実施形態の変形例であり、第1の実施形態に対して、半導体チップの実装方法と、それに伴ってモールド樹脂の構成とが変更されている。具体的には、本実施形態の半導体装置31では、半導体チップ2が、図9に示すように、バンプ32を介して配線基板10にフリップチップ実装されている。バンプ32は、接続パッド13に接続され、接続パッド13は、絶縁基材11の上面に形成された導電性の配線18を介して貫通ビア17と電気的に接続されている。また、半導体チップ2と配線基板10との電気的な接続部分は、アンダーフィル33によって保護されている。このように、本実施形態では、半導体チップ2と配線基板10との電気的な接続にワイヤが用いられていない。そのため、本実施形態のモールド樹脂7には、ワイヤに相当する部分の厚さを確保する必要がなく、第1の実施形態のような段差を形成する必要がない。すなわち、本実施形態のモールド樹脂7は、段差のない平坦な表面を有している。これ以外の構成は第1の実施形態と同様である。
したがって、本実施形態によれば、第1の実施形態と同様の効果が得られるとともに、第1の実施形態と比べてモールド樹脂7を薄く形成できるため、装置全体の薄型化を実現することができるという別の効果も得られる。さらには、モールド樹脂7に第1の実施形態のような段差を形成する必要がないため、装置の製造過程において、図3(f)に示すような部分的な研削を行う必要がない。すなわち、モールド樹脂研削工程において、モールド樹脂7の全面を一括して研削することができ、作業効率を向上させることができる。
以上、本発明をいくつかの実施形態に基づき説明したが、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の修正および変更が可能であることは言うまでもない。
例えば、上述した実施形態では、本発明の半導体装置が適用されるPoP型の半導体装置は、2つの半導体パッケージ(半導体装置)によって構成されていたが、これに限定されるものではなく、3つ以上の半導体装置が積層されたPoP型の半導体装置であってもよい。また、本発明の半導体装置を多段に積層してPoP型の半導体装置を構成することもできる。例えば、図5に示す実施形態では、本発明の半導体装置が2段に積層されていたが、図10に示すように、3段以上に積層されていてもよい。図10は、第1の実施形態の半導体装置1と第2の実施形態の半導体装置21とを合計3段積層したPoP型の半導体装置を示す概略断面図である。
また、本発明は、上述した実施形態のように、配線基板に1つの半導体チップを搭載した半導体装置に適用されるだけでなく、2つ以上の半導体チップを搭載したMCP(Multi Chip Package)型の半導体装置に適用することもできる。
さらに、上述した実施形態では、配線基板の絶縁基材がガラスエポキシから形成されていたが、セラミックあるいはポリイミドから形成されていてもよい。
1,21,22,31,41,51 半導体装置
2 半導体チップ
3 インナーソルダー
4,42 半田ボール
5 接着部材
6 ワイヤ
7 モールド樹脂
7a 中央領域
7b 周辺領域
10 配線基板
11 絶縁基材
12,15 ソルダーレジスト
13 接続パッド
14,16 ランド
17 貫通ビア
18 配線
23 ヒートシンク
24 サーマルビア
32 バンプ
33 アンダーフィル
2 半導体チップ
3 インナーソルダー
4,42 半田ボール
5 接着部材
6 ワイヤ
7 モールド樹脂
7a 中央領域
7b 周辺領域
10 配線基板
11 絶縁基材
12,15 ソルダーレジスト
13 接続パッド
14,16 ランド
17 貫通ビア
18 配線
23 ヒートシンク
24 サーマルビア
32 バンプ
33 アンダーフィル
Claims (6)
- 半導体装置であって、
配線基板と、
前記配線基板の一方の面に搭載された半導体チップと、
前記配線基板の前記一方の面の、前記半導体チップが搭載されていない領域に搭載され、該半導体装置を外部に電気的に接続するためのボール状の接続電極と、
前記配線基板の前記一方の面のほぼ全面に形成された封止樹脂層であって、前記半導体チップ全体を覆うとともに、前記封止樹脂層の表面から前記接続電極が露出するように該接続電極を部分的に覆う封止樹脂層と、
を有する、半導体装置。 - 前記接続電極は、ボール状の外部電極を介して、前記半導体装置の外部と電気的に接続されている、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記半導体装置に、他の半導体装置が積層され、
前記接続電極が、前記他の半導体装置に設けられた前記外部電極に接続されている、請求項2に記載の半導体装置。 - 前記接続電極に、前記外部電極が接続され、
前記半導体装置は、前記外部電極を介して、実装基板または他の半導体装置に搭載されている、請求項2に記載の半導体装置。 - 前記配線基板と前記半導体チップとが、ボンディングワイヤにより電気的に接続され、
前記封止樹脂層が、前記半導体チップと前記ボンディングワイヤとを覆う第1の領域と、該第1の領域よりも薄く形成され、前記接続電極を部分的に覆う第2の領域と、を有する、請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記配線基板と前記半導体チップとが、バンプにより電気的に接続され、
前記封止樹脂層が、段差のない平坦な表面を有する、請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2012016408A JP2013157433A (ja) | 2012-01-30 | 2012-01-30 | 半導体装置 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2017112325A (ja) * | 2015-12-18 | 2017-06-22 | Towa株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2021148653A (ja) * | 2020-03-19 | 2021-09-27 | キオクシア株式会社 | 半導体装置、検査用部品、および検査装置 |
-
2012
- 2012-01-30 JP JP2012016408A patent/JP2013157433A/ja active Pending
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KR20170073476A (ko) * | 2015-12-18 | 2017-06-28 | 토와 가부시기가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR101890483B1 (ko) * | 2015-12-18 | 2018-08-21 | 토와 가부시기가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
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