JP2021129115A - モリブデン層における傾斜した終端及び製造方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】 図8
Description
Claims (20)
- モリブデン層の傾斜した終端を製造する方法であって、前記方法が、
前記モリブデン層を提供すること、
フォトレジスト材料を前記モリブデン層につけること、
レジストマスクを生成するために前記フォトレジスト材料を脱焦点状態下に曝露させることであって、前記曝露されるフォトレジスト材料の端部が前記傾斜した終端に対応すること、
前記モリブデン層をエッチング材料でエッチングすることであって、前記エッチング材料が、前記脱焦点化された状態下に曝露された前記フォトレジスト材料を少なくとも部分的にエッチングすることであって、前記エッチングの結果、前記傾斜した終端となること、
を含む、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記モリブデン層を提供することが、酸化物層上にモリブデン層を提供することを含む、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記エッチングすることが、塩素及び酸素を含むガスに前記モリブデン層及び前記フォトレジスト材料を曝露させることを含む、方法。 - 請求項3に記載の方法であって、
酸素対塩素の比が3:1と5:1の間である、方法。 - 請求項3に記載の方法であって、
酸素対塩素の比が約4:1である、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記エッチングすることが、275ワット〜400ワットの低トランス結合プラズマを印加することを含む、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記エッチングすることが、約300ワットで低トランス結合プラズマを印加することを含む、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記エッチングすることが、−125ピークボルト〜−175ピークボルトのバイアスRFを印加することを含む、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記エッチングすることが、約−150ボルトのバイアスRFを印加することを含む、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記脱焦点状態が+/−11μmと+/−22μmとの間である、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記脱焦点状態が約+/−17μmである、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記エッチング材料が、100:1より大きいモリブデン対アルミニウム窒化物の選択比を有する、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記エッチング材料が、100:1より大きいモリブデン対酸化物の選択比を有する、方法。 - モリブデン層の傾斜した終端を有するブラッグミラーを製造する方法であって、前記方法が、
シード層上に前記モリブデン層を提供すること、
フォトレジスト材料を前記モリブデン層につけること、
レジストマスクを生成するために前記フォトレジスト材料を脱焦点状態下に曝露させることであって、前記曝露されるフォトレジスト材料の端部が前記傾斜した終端に対応すること、
エッチング材料で前記モリブデン層をエッチングすることであって、前記エッチング材料が、前記脱焦点化された状態下に曝露された前記フォトレジスト材料を少なくとも部分的にエッチングすることであって、前記エッチングの結果、前記傾斜した終端となること、
を含む、方法。 - 請求項14に記載の方法であって、
前記エッチングすることが、前記モリブデン層及び前記フォトレジスト材料を、3:1と5:1との間の酸素対塩素の比の酸素及び塩素ガスを含むガスに曝露させることを含む、方法。 - 請求項14に記載の方法であって、
前記エッチングすることが、275ワット〜400ワットの低トランス結合プラズマを印加することを含む、方法。 - 請求項14に記載の方法であって、
前記エッチングすることが、−125ピークボルト〜−175ピークボルトのバイアスRFを印加することを含む、方法。 - 請求項14に記載の方法であって、
前記脱焦点状態が+/−11μmと+/−22μmとの間である、方法。 - 請求項14に記載の方法であって、
前記エッチング材料が、100:1より大きいモリブデン対アルミニウム窒化物の選択比及び100:1より大きいモリブデン対酸化物の選択比を有する、方法。 - モリブデン層の傾斜した終端を製造する方法であって、前記方法が、
前記モリブデン層を提供すること、
フォトレジスト材料を前記モリブデン層につけること、
レジストマスクを生成するために前記フォトレジスト材料を+/−11μm〜+/−22μmの脱焦点状態下に曝露させることであって、前記曝露されるフォトレジスト材料の端部が前記傾斜した終端に対応すること、
エッチング材料で前記モリブデン層をエッチングすることであって、前記エッチング材料が、100:1より大きいモリブデン対アルミニウム窒化物の選択比と100:1より大きいモリブデン対酸化物の選択比とを有し、前記脱焦点化された状態下に曝露された前記フォトレジスト材料を少なくとも部分的にエッチングする、前記エッチングの結果、前記傾斜した終端となること、
を含む、方法。
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