JP5982383B2 - ベベル保護膜成膜方法 - Google Patents
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Description
本発明は、以下の適用例としても実現可能である。
[適用例1]
プラズマチャンバ内のウェハのベベルエッジ部を保護するための局所プラズマを用いた成膜方法であって、
可動電極と静止電極との間の電極ギャップを、前記ウェハが前記可動電極及び前記静止電極の一方に配置された状態で調整して、前記ウェハの中央部分上方でのプラズマ形成を防止するように設定され且つ、前記調整後、前記ウェハの前記ベベルエッジ部の周囲にプラズマ持続可能状態が形成されるように寸法を定めたギャップ距離にすることと、
前記プラズマチャンバに成膜ガスを流入させることと、
ヒータを用いて、前記ベベルエッジ部上での成膜を促進するように設定されたチャック温度を維持することと、
前記成膜ガスから前記局所プラズマを生成して前記ベベルエッジ部上に成膜することと、を含む方法。
[適用例2]
適用例1記載の方法であって、
前記ギャップ距離は、前記ウェハの前記中央部上方にプラズマが形成されたかを検出するように構成されたフィードバック制御システムに基づいて調整される、方法。
[適用例3]
適用例1記載の方法であって、
前記中央部は、特徴部がエッチングされる前記ウェハ上の範囲と実質的に等しい、方法。
[適用例4]
適用例1記載の方法であって、
前記中央部は、前記ウェハの表面が実質的に平坦である前記ウェハ上の範囲と実質的に等しい、方法。
[適用例5]
適用例1記載の方法であって、
前記プラズマチャンバは、局所エッチングと共に局所成膜を行うように構成される、方法。
[適用例6]
適用例1記載の方法であって、更に、
前記成膜完了後に、誘導洗浄機構を用いて前記プラズマチャンバを洗浄することを含む、方法。
[適用例7]
適用例1記載の方法であって、更に、
前記ヒータ温度を、付着応力が最小となるように調整することを含む、方法。
[適用例8]
適用例1記載の方法であって、
前記電極ギャップの前記調整は、機械的アクチュエータ、又はベローズ、又はベルト式ギアにより行われる、方法。
[適用例9]
適用例1記載の方法であって、
前記膜は、誘電膜、導体膜、又は有機膜のうち一つから選択される、方法。
[適用例10]
ウェハのベベルエッジ部を保護するための局所プラズマを用いた成膜方法であって、
プラズマチャンバへの成膜ガスの流入を調整して、前記ウェハの中央部分上方でのプラズマ形成を防止するように設定され且つ、前記調整後、前記ウェハの前記ベベルエッジ部の周囲にプラズマ持続可能状態が形成されるように調整された圧力にすることと、
ヒータを用いて、前記ベベルエッジ部上での成膜を促進するように設定されたチャック温度を維持することと、
前記成膜ガスから前記局所プラズマを生成して前記ベベルエッジ部上に成膜することと、を含む方法。
[適用例11]
適用例10記載の方法であって、
前記プラズマチャンバは、局所エッチングと共に局所成膜を行うように構成される、方法。
[適用例12]
適用例10記載の方法であって、更に、
誘導洗浄機構を用いて前記プラズマチャンバを洗浄することを含む、方法。
[適用例13]
適用例10記載の方法であって、更に、
前記ヒータ温度を、付着応力が最小となるように調整することを含む方法。
[適用例14]
適用例10記載の方法であって、
前記膜は、誘電膜、導体膜、又は有機膜のうち一つから選択される、方法。
[適用例15]
プラズマチャンバにおける、ウェハのベベルエッジ部を保護するための局所プラズマを用いた成膜方法であって、
可動電極と静止電極との間の電極ギャップを、前記ウェハが前記可動電極及び前記静止電極の一方に配置された状態で調整して、前記ウェハの中央部分上方でのプラズマ形成を防止するように設定されたギャップ距離にすることと、
前記プラズマチャンバへの成膜ガスの流入を調整して、前記ウェハの中央部分上方でのプラズマ形成を防止するように設定された圧力とすると共に、前記ギャップ距離及び前記圧力は、前記電極ギャップの調整及び前記流入の調整後、前記ウェハの前記ベベルエッジ部の周囲にプラズマ持続可能状態が形成されるように調整された状態となることと、
ヒータを用いて、前記ベベルエッジ部上での成膜を促進するように設定されたチャック温度を維持することと、
前記成膜ガスから前記局所プラズマを生成して前記ベベルエッジ部上に成膜することと、を含む方法。
[適用例16]
適用例15記載の方法であって、
前記プラズマチャンバは、局所エッチングと共に局所成膜を行うように構成される、方法。
[適用例17]
適用例15記載の方法であって、更に、
誘導洗浄機構を用いて前記プラズマチャンバを洗浄することを含む、方法。
[適用例18]
適用例15記載の方法であって、更に、
付着応力が最小となるように設定された前記ヒータ温度を調整することを含む、方法。
[適用例19]
適用例15記載の方法であって、
前記電極ギャップの前記調整は、機械的アクチュエータ、又はベローズ、又はベルト式ギアにより行われる、方法。
Claims (12)
- プラズマチャンバ内のチャック上に載置されたウェハのベベルエッジ部を保護するための局所プラズマを用いた成膜方法であって、
可動電極と静止電極との間の電極ギャップを、前記ウェハが前記可動電極及び前記静止電極の一方に配置された状態で調整して、前記ウェハの中央部分上方でのプラズマ形成を防止するように設定され且つ、前記調整後、前記ウェハの前記ベベルエッジ部の周囲にプラズマ持続可能状態が形成されるように寸法を定めたギャップ距離にすることと、
前記プラズマチャンバに成膜ガスを流入させることと、
ヒータを用いて、前記ベベルエッジ部上での成膜を促進するように設定されたチャック温度を維持することと、
前記成膜ガスから前記局所プラズマを生成して前記ベベルエッジ部上に成膜することと、を含み、
前記ベベルエッジ部上への成膜は、前記チャンバの縁部に設けられた接地された上部延長電極及び下部延長電極と、前記チャックの隣に配置されたサイズ調整可能なセラミック部とにより前記ベベルエッジ部を取り囲むことによってプラズマ生成領域を形成し、前記プラズマ生成領域でプラズマを生成させて実行する、方法。 - 請求項1記載の方法であって、
前記ギャップ距離は、前記ウェハの前記中央部上方にプラズマが形成されたかを検出するように構成されたフィードバック制御システムに基づいて調整される、方法。 - 請求項1記載の方法であって、
前記中央部は、デバイス特徴部がエッチングされる前記ウェハ上の範囲と実質的に等しい、方法。 - 請求項1記載の方法であって、更に、
前記成膜完了後に、誘導洗浄機構を用いて前記プラズマチャンバを洗浄することを含む、方法。 - 請求項1記載の方法であって、
前記電極ギャップの前記調整は、機械的アクチュエータ、又はベローズ、又はベルト式ギアにより行われる、方法。 - 請求項1記載の方法であって、
前記膜は、誘電膜、導体膜、又は有機膜のうち一つから選択される、方法。 - チャック上に載置されたウェハのベベルエッジ部を保護するための局所プラズマを用いた成膜方法であって、
プラズマチャンバへの成膜ガスの流入を調整して、前記ウェハの中央部分上方でのプラズマ形成を防止するように設定され且つ、前記調整後、前記ウェハの前記ベベルエッジ部の周囲にプラズマ持続可能状態が形成されるように調整された圧力にすることと、
ヒータを用いて、前記ベベルエッジ部上での成膜を促進するように設定されたチャック温度を維持することと、
前記成膜ガスから前記局所プラズマを生成して前記ベベルエッジ部上に成膜することと、を含み、
前記ベベルエッジ部上への成膜は、前記チャンバの縁部に設けられた接地された上部延長電極及び下部延長電極と、前記チャックの隣に配置されたサイズ調整可能なセラミック部とにより前記ベベルエッジ部を取り囲むことによってプラズマ生成領域を形成し、前記プラズマ生成領域でプラズマを生成させて実行する、方法。 - 請求項7記載の方法であって、更に、
誘導洗浄機構を用いて前記プラズマチャンバを洗浄することを含む、方法。 - 請求項7記載の方法であって、
前記膜は、誘電膜、導体膜、又は有機膜のうち一つから選択される、方法。 - チャック上に載置されたプラズマチャンバにおける、ウェハのベベルエッジ部を保護するための局所プラズマを用いた成膜方法であって、
可動電極と静止電極との間の電極ギャップを、前記ウェハが前記可動電極及び前記静止電極の一方に配置された状態で調整して、前記ウェハの中央部分上方でのプラズマ形成を防止するように設定されたギャップ距離にすることと、
前記プラズマチャンバへの成膜ガスの流入を調整して、前記ウェハの中央部分上方でのプラズマ形成を防止するように設定された圧力とすると共に、前記ギャップ距離及び前記圧力は、前記電極ギャップの調整及び前記流入の調整後、前記ウェハの前記ベベルエッジ部の周囲にプラズマ持続可能状態が形成されるように調整された状態となることと、
ヒータを用いて、前記ベベルエッジ部上での成膜を促進するように設定されたチャック温度を維持することと、
前記成膜ガスから前記局所プラズマを生成して前記ベベルエッジ部上に成膜することと、を含み、
前記ベベルエッジ部上への成膜は、前記チャンバの縁部に設けられた接地された上部延長電極及び下部延長電極と、前記チャックの隣に配置されたサイズ調整可能なセラミック部とにより前記ベベルエッジ部を取り囲むことによってプラズマ生成領域を形成し、前記プラズマ生成領域でプラズマを生成させて実行する、方法。 - 請求項10記載の方法であって、更に、
誘導洗浄機構を用いて前記プラズマチャンバを洗浄することを含む、方法。 - 請求項10記載の方法であって、
前記電極ギャップの前記調整は、機械的アクチュエータ、又はベローズ、又はベルト式ギアにより行われる、方法。
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