JP2021050332A - ナノファブリケーション用の硬化性組成物 - Google Patents

Abstract

【課題】ナノファブリケーションにおける、従来より優れたプロセス制御の提供及び／又はスループットを向上させるための硬化性組成物の提供。【解決手段】硬化性組成物は、硬化性組成物の総重量を基準に少なくとも１０重量％の膨張性モノマーと、硬化性組成物の総重量を基準に少なくとも２５重量％のアクリレートモノマーと、光開始剤と、光増感剤とを含む。アクリレートモノマーは５００以下の分子量を有する。硬化性組成物は１０ｃＰ以下の粘度を有する。膨張性モノマー及びアクリレートモノマーの総量は、硬化性組成物の総重量を基準に少なくとも９０重量％である。【選択図】図３

Description

本開示は、ナノファブリケーション用の硬化性組成物に関する。

ナノファブリケーションには、１００ナノメートル以下のオーダーの特徴を有する非常に小さな構造物の作製が含まれる。ナノファブリケーションがかなりの影響を与えた用途の１つは集積回路の作製である。半導体加工産業は、基板上に形成される単位面積当たりの回路を増やしつつ、より大きな生産歩留まりを目指して努力を続けている。ナノファブリケーションの改善には、形成される構造物の最小の特徴の寸法を継続的に減らしつつも、より優れたプロセス制御を提供すること及び／又はスループットを向上させることが含まれる。

現在使用されているナノファブリケーション技術の１つは、一般にナノインプリントリソグラフィと呼ばれている。ナノインプリントリソグラフィは、例えば、基板上の被膜を成形することにより集積素子の１層以上の層を作製することを含む様々な用途で有用である。集積素子の例には、限定されるものではないが、ＣＭＯＳロジック、マイクロプロセッサ、ＮＡＮＤフラッシュメモリ、ＮＯＲフラッシュメモリ、ＤＲＡＭメモリ、ＭＲＡＭ、３Ｄクロスポイントメモリ、Ｒｅ−ＲＡＭ、Ｆｅ−ＲＡＭ、ＳＴＴ−ＲＡＭ、ＭＥＭＳ等が含まれる。例示的なナノインプリントリソグラフィのシステム及び方法は、特許文献１、特許文献２及び特許文献３等の多数の刊行物に詳細に記載されており、これらの全ては、引用することにより本明細書の一部をなす。

上述の特許の各々に開示されているナノインプリントリソグラフィ技術は、形成可能材料の（重合性）層にレリーフパターンを形成することによって基板上に被膜を成形することを記載している。次いで、この被膜の形状を使用して、レリーフパターンに対応するパターンを下にある基板中及び／又は基板上に転写することができる。

パターン形成プロセスでは、基板から間隔を空けてテンプレートが使用され、形成可能材料を含む液体（形成可能液体）がテンプレートと基板との間に塗布される。テンプレートを形成可能材料と接触させることで、形成可能材料を展延させ、テンプレートと基板との間の空間を満たす。形成可能液体を固化させて、形成可能液体と接触しているテンプレートの表面の形状に一致する形状（パターン）を有する被膜を形成する。固化後に、テンプレートと基板との間隔が空くように、テンプレートを固化層から分離する。

次いで、基板及び固化層にエッチングプロセス等の追加のプロセスを行うことで、固化層及び／又は固化層の直下にあるパターン形成された層の一方又は両方のパターンに対応するイメージを基板に転写することができる。パターン形成された基板には、例えば、硬化、酸化、層形成、堆積、ドーピング、平坦化、エッチング、形成可能材料の除去、ダイシング、ボンディング及びパッケージング等を含むデバイス（物品）作製のための既知の工程及びプロセスを更に行うことができる。

米国特許第８，３４９，２４１号 米国特許第８，０６６，９３０号 米国特許第６，９３６，１９４号

Moeck et al., "Shrinkage of UV Oligomers and Monomers," UV & EB Technical Conference Proceedings (2014)

ナノファブリケーションの一部としてインプリンティング又は平坦化を行う場合に、以下でより詳細に論じられるように、硬化性組成物を散布した後に、硬化性組成物は紫外（ＵＶ）線への曝露等によって硬化される。しかしながら、既知の硬化性組成物、特にアクリレートモノマーを基礎とする組成物は硬化の間に体積収縮を受ける。アクリレートモノマーを基礎とする組成物の体積収縮は、例えば４％〜２０％であり得る。体積収縮は主に、比較的長い距離のファンデルワールス結合が、硬化の間にはるかに短い共有結合に置き換わった結果である。例えば、ファンデルワールス結合は、一般的に３オングストローム〜５オングストロームであるのに対して、共有結合は、一般的に１オングストローム〜２オングストロームである。４％〜２０％の範囲の体積収縮は、インプリンティング及び平坦化に悪影響を及ぼす。例えば、非特許文献１を参照。体積収縮は非平坦表面をもたらすので、体積収縮は平坦化にとっては特に不利である。本明細書には、上記の収縮を最小化する硬化性組成物が開示される。

硬化性組成物は、硬化性組成物の総重量を基準に少なくとも１０重量％の膨張性モノマーと、硬化性組成物の総重量を基準に少なくとも２５重量％のアクリレートモノマーと、光開始剤と、光増感剤とを含む。アクリレートモノマーは５００以下の分子量を有する。硬化性組成物は１０ｃＰ以下の粘度を有する。膨張性モノマー及びアクリレートモノマーの総量は、硬化性組成物の総重量を基準に少なくとも９０重量％である。

散布システムは、テンプレート又はスーパーストレートを把持するように構成された第１のチャックと、基板を把持するように構成された第２のチャックと、基板上に硬化性組成物を散布するように構成された散布システムと、テンプレート又はスーパーストレートを基板上の硬化性組成物と接触させるように構成された位置決めシステムと、硬化性組成物を放射線に曝露することによって硬化性組成物を硬化させるように構成された放射線源とを備える。硬化性組成物は、硬化性組成物の総重量を基準に少なくとも１０重量％の膨張性モノマーと、硬化性組成物の総重量を基準に少なくとも２５重量％のアクリレートモノマーと、光開始剤と、光増感剤とを含む。アクリレートモノマーは５００以下の分子量を有する。硬化性組成物は１０ｃＰ以下の粘度を有する。膨張性モノマー及びアクリレートモノマーの総量は、硬化性組成物の総重量を基準に少なくとも９０重量％である。

物品を作製する方法は、基板上の硬化性組成物をテンプレート又はスーパーストレートと接触させることと、硬化性組成物を放射線に曝露することによって硬化性組成物を硬化させることで、硬化した組成物を形成することと、テンプレート又はスーパーストレートを硬化した組成物から分離することと、硬化した組成物が形成された基板を処理して、物品を製造することとを含む。硬化性組成物は、硬化性組成物の総重量を基準に少なくとも１０重量％の膨張性モノマーと、硬化性組成物の総重量を基準に少なくとも２５重量％のアクリレートモノマーと、光開始剤と、光増感剤とを含む。アクリレートモノマーは５００以下の分子量を有する。硬化性組成物は１０ｃＰ以下の粘度を有する。膨張性モノマー及びアクリレートモノマーの総量は、硬化性組成物の総重量を基準に少なくとも９０重量％である。

本開示のこれらの及び他の課題、特徴及び利点は、本開示の例示的な実施の形態の以下の詳細な説明を添付の図面及び規定された請求項と併せて解釈することで明らかになるであろう。

本発明の特徴及び利点を詳細に理解することができるように、添付の図面に示される実施の形態を参照することによって、本発明の実施の形態のより具体的な説明を行うことができる。しかしながら、添付の図面は、本発明の典型的な実施の形態を例示するにすぎず、したがって、本発明の範囲を限定するものと見なされるべきではなく、本発明のために他の同等に効果的な実施の形態を受け入れることができることに留意すべきである。

例示的な実施の形態による、基板から間隔が空けられたメサ部を備えたテンプレートを有する例示的なナノインプリントリソグラフィシステムの図である。 例示的な実施の形態による例示的なテンプレートの図である。 例示的な実施の形態による例示的なインプリンティング方法を示すフローチャートである。

図面全体を通して、同じ参照番号及び文字は、別段の記載がない限り、示される実施の形態の同様の特徴、要素、構成要素又は部分を示すために使用される。さらに、本主題の開示は、図面を参照して詳細に説明されるが、説明的な例示的な実施の形態に関連してそのように説明される。添付の特許請求の範囲により規定される本主題の開示の真の範囲及び趣旨から逸脱することなく、記載される例示的な実施の形態に変化及び変更を加えることができることが意図される。

本開示全体を通して、上述のパターン形成されたテンプレートを使用して、形成可能液体にパターンを付与するナノインプリントリソグラフィが参照される。しかしながら、以下で述べられるように、代替的な実施形態では、テンプレートには特徴がなく、その場合には、基板上に平坦な表面が形成され得る。平坦な表面が形成されるそのような実施形態では、形成プロセスは平坦化と呼ばれる。したがって、本開示全体を通して、ナノインプリントリソグラフィについて言及されるときはいつでも、平坦化に同じ方法が適用可能であると理解されるべきである。テンプレートに特徴がない場合には、テンプレートという用語の代わりにスーパーストレートという用語が使用される。さらに、「形成可能液体」という用語は「硬化性組成物」と区別なく使用されると理解されるべきである。

ナノインプリントシステム（成形システム）
図１は、一実施形態が実装され得るナノインプリントリソグラフィシステム１００の図である。ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、基板１０２上に被膜を成形するために使用される。基板１０２は、基板チャック１０４に把持され得る。基板チャック１０４は、限定されるものではないが、真空チャック、ピン型チャック、溝型チャック、静電チャック、電磁チャック及び／又は同様のものであり得る。

基板１０２及び基板チャック１０４は、基板位置決めステージ１０６によって更に支持され得る。基板位置決めステージ１０６は、ｘ軸、ｙ軸、ｚ軸、θ軸、ψ軸及びφ軸のうちの１つ以上に沿った並進及び／又は回転運動を与え得る。基板位置決めステージ１０６、基板１０２及び基板チャック１０４は、台（図示していない）上に配置することもできる。基板位置決めステージは、位置決めシステムの一部であり得る。

テンプレート１０８は、基板１０２から間隔が空いている。テンプレート１０８は、テンプレート１０８の前面側で基板１０２に向かって延びるメサ部（モールドとも呼ばれる）１１０を有する本体を含み得る。メサ部１１０は、その上にまたテンプレート１０８の前面側にパターン形成表面１１２を有し得る。代替的に、テンプレート１０８はメサ部１１０なしに形成されてもよく、その場合に、基板１０２に面するテンプレートの表面はモールド１１０に相当し、パターン形成表面１１２は基板１０２に面するテンプレート１０８のその表面である。

テンプレート１０８は、限定されるものではないが、溶融シリカ、石英、シリコン、有機ポリマー、シロキサンポリマー、ホウケイ酸ガラス、フルオロカーボンポリマー、金属、強化サファイア及び／又は同様のものを含むような材料から形成され得る。パターン形成表面１１２は、間隔が空いた複数のテンプレート凹部１１４及び／又はテンプレート凸部１１６によって画定される特徴を有し得る。パターン形成表面１１２は、基板１０２上に形成されるべきパターンの基礎をなすパターンを画定する。代替的な実施形態では、パターン形成表面１１２には特徴がなく、その場合に、基板上には平坦な表面が形成される。代替的な実施形態では、パターン形成表面１１２には特徴がなく、基板と同じサイズであり、基板全体にわたって平坦な表面が形成される。平坦な表面が形成されるそのような実施形態では、形成プロセスを、その代わりに平坦化と呼ぶことができ、特徴がないテンプレートを、その代わりにスーパーストレートと呼ぶことができる。

テンプレート１０８は、テンプレートチャック１１８に把持され得る。テンプレートチャック１１８は、限定されるものではないが、真空チャック、ピン型チャック、溝型チャック、静電チャック、電磁チャック及び／又は他の同様のチャック型であり得る。テンプレートチャック１１８は、テンプレート１０８により異なる応力、圧力及び／又はひずみをテンプレート１０８に加えるように構成され得る。テンプレートチャック１１８は、テンプレート１０８の異なる部分を締付け及び／又は伸張させることができる圧電アクチュエータを備え得る。テンプレートチャック１１８は、テンプレートの背面に圧力差を加えてテンプレートに曲げ及び変形を引き起こすことができるゾーンベースの真空チャック、アクチュエータアレイ、圧力ブラッダ（pressure bladder）等のシステムを備え得る。

テンプレートチャック１１８は、位置決めシステムの一部であるインプリントヘッド１２０に把持され得る。インプリントヘッドはブリッジに移動可能に連結され得る。インプリントヘッドは、テンプレートチャック１１８を基板に対して少なくともｚ軸方向に移動させ、場合により他の方向（例えば、ｘ軸、ｙ軸、θ軸、ψ軸及びφ軸）に移動させるように構成されたボイスコイルモータ、圧電モータ、リニアモータ、ナットアンドスクリューモータ（nut and screw motor）等の１つ以上のアクチュエータを備え得る。

ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、流体ディスペンサ１２２を更に備え得る。流体ディスペンサ１２２もブリッジに移動可能に連結され得る。一実施形態では、流体ディスペンサ１２２及びインプリントヘッド１２０は、１つ以上の又は全ての位置決めコンポーネントを共有する。代替的な実施形態では、流体ディスペンサ１２２及びインプリントヘッド１２０は、互いに独立して動く。流体ディスペンサ１２２を使用することで、液体の形成可能材料１２４（例えば、重合性材料）を基板１０２上に或るパターンで堆積させることができる。形成可能材料１２４を基板１０２上に堆積させる前に、滴下散布、スピンコーティング、ディップコーティング、化学蒸着（ＣＶＤ）、物理蒸着（ＰＶＤ）、薄膜堆積、厚膜堆積及び／又は同等のもの等の技術を使用して、追加の形成可能材料１２４を基板１０２に追加することもできる。設計留意点に応じてモールド１１０と基板１０２との間で所望の体積が規定される前に及び／又は規定された後に、形成可能材料１２４を基板１０２上に散布することができる。形成可能材料１２４は、米国特許第７，１５７，０３６号及び米国特許第８，０７６，３８６号（両方とも、引用することにより本明細書の一部をなす）に記載されるモノマーを含む混合物を含み得る。

異なる流体ディスペンサ１２２には、形成可能材料１２４を散布するための異なる技術が使用され得る。形成可能材料１２４が噴射可能である場合に、インクジェット型のディスペンサを使用して形成可能材料を散布することができる。例えば、サーマルインクジェット、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）に基づくインクジェット、バブルジェット及び圧電インクジェットは噴射可能な液体を散布するための一般的な技術である。

ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、露光経路１２８に沿って活性エネルギー線を方向付ける放射線源１２６を更に備え得る。インプリントヘッド１２０及び基板位置決めステージ１０６は、テンプレート１０８及び基板１０２を露光経路１２８と重ね合わせて位置決めするように構成され得る。テンプレート１０８が形成可能材料１２４と接触した後に、放射線源１２６によって露光経路１２８に沿って活性エネルギー線が送られる。図１は、テンプレート１０８が形成可能材料１２４と接触していない場合の露光経路１２８を示しているが、これは個々のコンポーネントの相対位置を容易に識別することができるように例示的な目的で行われる。当業者であれば、テンプレート１０８が形成可能材料１２４と接触するときに露光経路１２８は実質的に変化しないことを理解するであろう。

ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、テンプレート１０８が形成可能材料１２４と接触した後に形成可能材料１２４が展延するのを見るように配置されたフィールドカメラ１３６を更に備え得る。図１は、フィールドカメラ１３６の撮像野の光軸を破線で示している。図１に示されるように、ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、活性エネルギー線をフィールドカメラ１３６によって検出される光と結合する１つ以上の光学コンポーネント（ダイクロイックミラー、ビームコンバイナ、プリズム、レンズ、ミラー等）を備え得る。フィールドカメラ１３６は、テンプレート１０８の下の形成可能材料が展延することを検測するように構成され得る。図１に示されるようなフィールドカメラ１３６の光軸は直線であるが、１つ以上の光学コンポーネントによって曲げることができる。フィールドカメラ１３６は、形成可能材料と接触するテンプレート１０８の下の領域と、形成可能材料１２４と接触していないテンプレート１０８の下の領域との間でコントラストを示す波長を有する光を集めるように構成されるＣＣＤ、センサアレイ、ラインカメラ及び光検出器のうちの１つ以上を備え得る。フィールドカメラ１３６は、可視光の単色像を集めるように構成され得る。フィールドカメラ１３６は、テンプレート１０８の下の形成可能材料１２４の展延の画像、硬化した形成可能材料からのテンプレート１０８の分離の画像を提供するように構成され得て、インプリンティングプロセスの間の進行を追跡するために使用され得る。

ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、フィールドカメラ１３６とは別の液滴検査システム１３８を更に備え得る。液滴検査システム１３８は、ＣＣＤ、カメラ、ラインカメラ及び光検出器のうちの１つ以上を備え得る。液滴検査システム１３８は、レンズ、ミラー、絞り、フィルタ、プリズム、偏光子、窓、適応光学系及び／又は光源等の１つ以上の光学コンポーネントを備え得る。液滴検査システム１３８は、パターン形成表面１１２が基板１０２上の形成可能材料１２４に接触する前に液滴を検査するように配置され得る。

ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、テンプレート１０８及び基板１０２の一方又は両方に熱放射の空間分布をもたらすように構成され得る熱放射源１３４を更に備え得る。熱放射源１３４は、基板１０２及びテンプレート１０８の一方又は両方を加熱して、形成可能材料１２４を固化させない１つ以上の熱的電磁放射源を備え得る。熱放射源１３４は、熱放射の空間時間分布を変調するためにデジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、液晶オンシリコン（ＬＣｏＳ）、液晶デバイス（ＬＣＤ）等のような空間光変調器を備え得る。ナノインプリントリソグラフィシステムは、テンプレート１０８が基板１０２上の形成可能材料１２４と接触したときに活性エネルギー線、熱放射及びフィールドカメラ１３６によって集められた放射線を、インプリントフィールドと交差する単一の光路に結合させるために使用される１つ以上の光学コンポーネントを更に備え得る。テンプレート１０８が形成可能材料１２４と接触した後に、熱放射源１３４は、熱放射経路（図１では２本の太い暗線として示されている）に沿って熱放射を送ることができる。図１は、テンプレート１０８が形成可能材料１２４と接触していない場合の熱放射経路を示しているが、これは、個々のコンポーネントの相対位置を容易に識別することができるように例示的な目的で行われる。当業者であれば、テンプレート１０８が形成可能材料１２４と接触した場合に、熱放射経路は実質的に変化しないことを理解するであろう。図１では、熱放射経路はテンプレート１０８を終端とすることが示されているが、基板１０２を終端とすることもできる。代替的な実施形態では、熱放射源１３４は基板１０２の直下にあり、熱放射経路は活性エネルギー線及び可視光と結合されない。

形成可能材料１２４が基板上に散布される前に、基板コーティング１３２が基板１０２に塗布され得る。一実施形態では、基板コーティング１３２は接着層であり得る。一実施形態では、基板が基板チャック１０４に装填される前に、基板コーティング１３２が基板１０２に塗布され得る。代替的な実施形態では、基板１０２が基板チャック１０４上にある間に、基板コーティング１３２が基板１０２に塗布され得る。一実施形態では、基板コーティング１３２は、スピンコーティング、ディップコーティング等によって塗布され得る。一実施形態では、基板１０２は半導体ウェハであり得る。別の実施形態では、基板１０２は、インプリントされた後にドーターテンプレートを作製するために使用され得るブランクテンプレート（レプリカブランク）であり得る。

ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、基板チャック１０４、基板位置決めステージ１０６、テンプレートチャック１１８、インプリントヘッド１２０、流体ディスペンサ１２２、放射線源１２６、熱放射源１３４、フィールドカメラ１３６及び／又は液滴検査システム１３８等の１つ以上のコンポーネント及び／又はサブシステムと通信する１つ以上のプロセッサ１４０（コントローラ）によって調節、制御及び／又は指示され得る。プロセッサ１４０は、非一過性のコンピュータ可読メモリ１４２に格納されたコンピュータ可読プログラム内の命令に基づいて動作することができる。プロセッサ１４０は、ＣＰＵ、ＭＰＵ、ＧＰＵ、ＡＳＩＣ、ＦＰＧＡ、ＤＳＰ及び汎用コンピュータのうちの１つ以上であり得る又はそれらを含み得る。プロセッサ１４０は、専用のコントローラであり得る又はコントローラとなるように適合された汎用演算素子であり得る。非一過性のコンピュータ可読メモリの例には、限定されるものではないが、ＲＡＭ、ＲＯＭ、ＣＤ、ＤＶＤ、ブルーレイ、ハードドライブ、ネットワーク接続ストレージ（ＮＡＳ）、イントラネット接続された非一過性のコンピュータ可読ストレージデバイス及びインターネットに接続された非一過性のコンピュータ可読ストレージデバイスが含まれる。

インプリントヘッド１２０、基板位置決めステージ１０６のいずれか又はその両方は、モールド１１０と基板１０２との間の距離を変化させて、形成可能材料１２４で満たされる所望の空間（３次元的な境界のある物理的範囲）を画定する。例えば、インプリントヘッド１２０は、モールド１１０が形成可能材料１２４と接触するようにテンプレート１０８に力を加えることができる。所望の体積が形成可能材料１２４で満たされた後に、放射線源１２６は、活性エネルギー線（例えば、ＵＶ、２４８ｎｍ、２８０ｎｍ、３５０ｎｍ、３６５ｎｍ、３９５ｎｍ、４００ｎｍ、４０５ｎｍ、４３５ｎｍ等）を発生して、形成可能材料１２４を、基板表面１３０及び基板１０２上のパターン形成された層を画定するパターン形成表面１１２の形状に即して硬化、固化及び／又は架橋させる。形成可能材料１２４は、テンプレート１０８が形成可能材料１２４と接触している間に硬化され、こうして基板１０２上にパターン形成された層が形成される。したがって、ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、インプリンティングプロセスを使用して、パターン形成表面１１２のパターンの逆である凹部及び凸部を有するパターン形成された層を形成する。代替的な実施形態では、ナノインプリントリソグラフィシステム１００は、インプリンティングプロセスを使用して、特徴がないパターン形成表面１１２で平坦な層を形成する。

インプリンティングプロセスは、基板表面１３０全体に広がる複数のインプリントフィールド内で繰り返し行うことができる。各インプリントフィールドは、メサ部１１０と同じサイズであってもよい又はちょうどメサ部１１０のパターン領域であってもよい。メサ部１１０のパターン領域は、デバイスの特徴である基板１０２上のパターンをインプリントするために使用される又はその後に後続のプロセスでデバイスの特徴を形成するために使用されるパターン形成表面１１２の領域である。メサ部１１０のパターン領域は、はみ出しを防ぐために使用される質量速度変動機構を含んでも又は含まなくてもよい。代替的な実施形態では、基板１０２は、基板１０２又はメサ部１１０でパターン形成されるべき基板１０２の領域と同じサイズである唯一のインプリントフィールドを有する。代替的な実施形態では、インプリントフィールドは重複している。インプリントフィールドの幾つかは、基板１０２の境界と交差する部分的なインプリントフィールドであり得る。

パターン形成された層は、各インプリントフィールドにおける基板表面１３０とパターン形成表面１１２との間の形成可能材料１２４の最小厚さである残留層厚さ（ＲＬＴ）を有する残留層を有するように形成され得る。パターン形成された層はまた、或る厚さを有する残留層の上に延びる凸部等の１つ以上の特徴を含み得る。これらの凸部はメサ部１１０における凹部１１４と一致する。

テンプレート／スーパーストレート
図２は、一実施形態で使用され得るテンプレート１０８の図である。パターン形成表面１１２は、メサ部１１０（図２の破線の枠によって特定される）上にあり得る。メサ部１１０は、テンプレートの前面側の引っ込んだ表面２４４によって取り囲まれている。メサ部の側壁２４６は、引っ込んだ表面２４４とメサ部１１０のパターン形成表面１１２とをつないでいる。メサ部の側壁２４６はメサ部１１０を取り囲んでいる。メサ部が円形である又は角が丸い実施形態では、メサ部の側壁２４６は角のない連続壁である単一のメサ部の側壁を指す。

別の実施形態では、本明細書でスーパーストレートと呼ばれる代替的なテンプレートを使用することができる。スーパーストレートの場合に、メサ部は存在し得ず、パターン形成表面１１２には特徴がない。すなわち、一実施形態では、表面１１２にパターンが存在しない。パターンを有しないスーパーストレートが平坦化プロセスで使用される。したがって、平坦化プロセスを使用する場合に、図１に示されるテンプレートの代わりにスーパーストレートが使用される。

インプリンティング／平坦化プロセス
図３は、１つ以上のインプリントフィールド（パターン領域又はショット領域とも呼ばれる）上の形成可能材料１２４にパターンを形成するために使用することができるナノインプリントリソグラフィシステム１００によるインプリンティングプロセス３００のフローチャートである。インプリンティングプロセス３００は、ナノインプリントリソグラフィシステム１００によって複数の基板１０２上で繰り返し実施され得る。インプリンティングプロセス３００を制御するために、プロセッサ１４０が使用され得る。

代替的な実施形態では、基板１０２を平坦化するために同様のプロセスを実施することができる。平坦化の場合に、図３に関して本明細書で論じられたのと実質的に同じ工程が実施されるが、テンプレートの代わりにパターンを有しないスーパーストレートが使用される一方で、基板はパターンを有しても又は有しなくてもよい。したがって、以下の説明は平坦化方法にも適用可能であることが理解されるべきである。スーパーストレートとして使用する場合に、スーパーストレートは、基板１０２と同じサイズ又はそれより大きくてもよく、平坦化されるべき領域と同様のサイズであってもよい。

インプリンティングプロセス３００の開始は、テンプレート搬送機構にテンプレート１０８をテンプレートチャック１１８上に装着させるテンプレート装着工程を含み得る。インプリンティングプロセスは基板装着工程を含んでもよく、プロセッサ１４０は、基板搬送機構に基板１０２を基板チャック１０４上に装着させることができる。基板は１つ以上のコーティング及び／又は構造物を有し得る。テンプレート１０８及び基板１０２をナノインプリントリソグラフィシステム１００上に装着する順序は特に限定されず、テンプレート１０８及び基板１０２は逐次又は同時に装着され得る。

位置決め工程では、プロセッサ１４０は、基板位置決めステージ１０６及び／又はディスペンサ位置決めステージの一方又は両方に基板１０２のインプリントフィールドｉ（インデックスｉは最初は１に設定され得る）を流体ディスペンサ１２２の下の流体散布位置に移動させることができる。基板１０２は、Ｎ個のインプリントフィールドに分けることができ、ここで、各インプリントフィールドはインデックスｉによって識別される。ここで、Ｎは１、１０、７５等の実整数である｛Ｎ∈Ｚ^＋｝。散布工程Ｓ３０２では、プロセッサ１４０は、流体ディスペンサ１２２に形成可能材料をインプリントフィールドｉに散布させることができる。一実施形態では、流体ディスペンサ１２２は、形成可能材料１２４を複数の液滴として散布する。流体ディスペンサ１２２は、１つのノズル又は複数のノズルを備え得る。流体ディスペンサ１２２は、１つ以上のノズルから同時に形成可能材料１２４を吐出することができる。流体ディスペンサが形成可能材料１２４を吐出している間に、インプリントフィールドｉを流体ディスペンサ１２２に対して移動させることができる。したがって、幾つかの液滴が基板上に着地する時間は、インプリントフィールドｉにわたって変動し得る。一実施形態では、散布工程Ｓ３０２の間に、形成可能材料１２４は液滴パターンに従って基板上に散布され得る。液滴パターンは、形成可能材料の液滴を堆積させるための１つ以上の位置、形成可能材料の液滴の容量、形成可能材料の種類、形成可能材料の液滴の形状パラメータ等の情報を含み得る。

液滴が散布された後に、接触工程Ｓ３０４を開始することができ、プロセッサ１４０は、基板位置決めステージ１０６及びテンプレート位置決めステージの一方又は両方にテンプレート１０８のパターン形成表面１１２をインプリントフィールドｉ内で形成可能材料１２４と接触させることができる。

展延工程Ｓ３０６の間に、形成可能材料１２４はその後に、インプリントフィールドｉの縁部及びメサ部の側壁２４６に向かって展延する。インプリントフィールドの縁部は、メサ部の側壁２４６によって画定され得る。形成可能材料１２４がどのように展延してパターンのトレンチを埋めるかは、フィールドカメラ１３６を介して観察することができ、形成可能材料の流体前面の進行を追跡するために使用され得る。硬化工程Ｓ３０８は、テンプレートと基板との間の全ての間隙が満たされた後に行うことができる。

硬化工程Ｓ３０８では、プロセッサ１４０は放射線源１２６に命令を送ることで、テンプレート１０８、メサ部１１０及びパターン形成表面１１２を通って活性エネルギー線の硬化照射パターンが送られ得る。硬化照射パターンは、パターン形成表面１１２の下の形成可能材料１２４を硬化（重合）させるのに十分なエネルギーを提供する。

分離工程Ｓ３１０では、プロセッサ１４０は、基板チャック１０４、基板位置決めステージ１０６、テンプレートチャック１１８及びインプリントヘッド１２０のうちの１つ以上を使用して、テンプレート１０８のパターン形成表面１１２を基板１０２上の硬化した形成可能材料から分離させる。

インプリントされるべき追加のインプリントフィールドが存在する場合に、プロセスは工程Ｓ３０２に戻る。一実施形態では、製品（例えば、半導体デバイス）を作製するために、処理工程Ｓ３１２で基板１０２に対して追加の処理が行われる。一実施形態では、各インプリントフィールドは複数のデバイスを含む。

処理工程Ｓ３１２での更なる処理は、パターン形成された層内のパターン又はそのパターンの逆に対応するレリーフ像を基板に転写するためのエッチングプロセスを含み得る。処理工程Ｓ３１２での更なる処理には、例えば、硬化、酸化、層形成、堆積、ドーピング、平坦化、エッチング、形成可能材料の除去、ダイシング、ボンディング及びパッケージング等を含む物品作製のための既知の工程及びプロセスも含まれ得る。基板１０２は、複数の物品（デバイス）が生成されるように処理することができる。

液滴パターンの作製
形成可能材料１２４の複数の液滴を基板１０２上に堆積させた後に、それをインプリンティング／平坦化することが有用である。インプリンティング／平坦化は、フィールド毎で又はウェハ全体で行うことができる。形成可能材料１２４の液滴をフィールド毎で又は基板全体に堆積させることもできる。液滴が基板全体で堆積される場合であっても、液滴パターンの作製は、好ましくはフィールド毎で行われる。

全フィールドのための液滴パターンの作製には、代表的な基板１０２の基板パターン及び代表的なテンプレート１０８のテンプレートパターンを受信するプロセッサ１４０が含まれ得る。

基板パターンには、代表的な基板の基板トポグラフィ、代表的な基板のフィールド、及び／又は代表的な基板の全フィールドに関する情報が含まれ得る。基板トポグラフィは、測定され、以前の製造工程に基づいて作製され、及び／又は設計データに基づいて作製され得る。代替的な実施形態では、以前の製造工程が存在しないか又は基板が以前に平坦化されてトポグラフィが低下したかのいずれかのため、基板パターンには特徴がない。基板トポグラフィには、代表的な基板のエッジのベベル、丸み等の形状に関する情報が含まれ得る。基板トポグラフィには、基板の方位を識別する１つ以上のフラット又はノッチの形状及び位置に関する情報が含まれ得る。基板トポグラフィには、パターンが形成されるべき基板の領域を取り囲む基準エッジの形状及び位置に関する情報が含まれ得る。

テンプレートパターンには、代表的なテンプレートのパターン形成表面１１２のトポグラフィに関する情報が含まれ得る。パターン形成表面１１２のトポグラフィは、測定され、及び／又は設計データに基づいて作製され得る。別の実施形態では、代表的な実施形態のテンプレートパターンには特徴がなく、それを基板１０２の平坦化のために使用することができる。パターン形成表面１１２は、個々の全フィールド、複数のフィールド、基板全体と同じサイズであっても又は基板より大きいサイズであってもよい。

基板パターン及びテンプレートパターンを受信すると、プロセッサ１４０は、基板及びパターン形成表面がインプリンティングの間に間隙により隔てられているときに、基板とパターン形成表面との間の体積を満たす被膜を生ずる形成可能材料１２４の分布を計算することができる。基板上の形成可能材料の分布は、形成可能材料の面積密度、形成可能材料の液滴の位置、及び／又は形成可能材料の液滴の容量の形を取り得る。形成可能材料の分布の計算では、形成可能材料の材料特性、パターン形成表面の材料特性、基板表面の材料特性、パターン形成表面と基板表面との間の体積の空間的変動、流体の流れ、蒸発等のうちの１つ以上を考慮に入れることができる。

硬化性組成物
上記の形成可能材料は硬化性組成物である。硬化性組成物をナノインプリンティング及び平坦化の関連で使用可能にするために、硬化性組成物はアクリレートモノマーを含有し、ここで、アクリレートモノマーは、サイズ及び粘度が比較的小さい。例えば、アクリレートモノマーを基礎とする硬化性組成物に関して、硬化性組成物は、硬化性組成物の総重量を基準に少なくとも２５重量％のアクリレートモノマーを含み得る。幾つかの例示的な実施形態では、アクリレートモノマーの量は、硬化性組成物の総重量を基準に少なくとも２５重量％、少なくとも３０重量％、少なくとも３５重量％、少なくとも５０重量％、少なくとも６０重量％、少なくとも７０重量％、少なくとも７５重量％、少なくとも８０重量％、少なくとも８５重量％、少なくとも８７重量％、少なくとも８９重量％、少なくとも８９．５重量％、少なくとも８９．９重量％、又は少なくとも９０重量％であり得る。幾つかの例示的な実施形態では、アクリレートモノマーの量は、硬化性組成物の総重量を基準に２５重量％〜９０重量％、３５重量％〜８９．９重量％、５０重量％〜８９．５重量％、６０重量％〜８９重量％、７０重量％〜８７重量％、７５重量％〜８５重量％であり得る。すなわち、アクリレートモノマーは、硬化性組成物の主成分であり得る。

比較的小さいサイズに関して、アクリレートモノマーは５００以下の分子量を有し得る。他の例示的な実施形態では、アクリレートモノマーの分子量は、４５０以下、４００以下、３５０以下、３００以下、２５０以下、２００以下、又は１５０以下であり得る。分子量に関して「以下」は０を含まない、すなわち、アクリレートモノマーが重量を有しない場合を含まないと理解されるべきである。それというのも、そのような場合にはアクリレートは存在しないからである。したがって、分子量に関して記載された値「以下」は、量が０を超える限り、示された値及びそれよりも小さい値を意味すると理解されるべきである。幾つかの例示的な実施形態では、アクリレートモノマーの分子量は、１２０〜５００、１５０〜４５０、２００〜４００、又は２５０〜３００であり得る。主成分として比較的小さいサイズを有するアクリレートモノマーを有することにより、硬化性組成物はナノインプリンティングプロセス及び平坦化プロセスに適している。アクリレートモノマーは、単官能性、二官能性又は多官能性であり得る。

好適な単官能性アクリレートの例には、イソボルニルアクリレート、３，３，５−トリメチルシクロヘキシルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ベンジルアクリレート、１−ナフチルアクリレート、４−シアノベンジルアクリレート、ペンタフルオロベンジルアクリレート、２−フェニルエチルアクリレート、フェニルアクリレート、（２−エチル−２−メチル−１，３−ジオキソラン−４−イル）メチルアクリレート、ｎ−ヘキシルアクリレート、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシルアクリレート、メトキシポリエチレングリコール（３５０）モノアクリレート、ベンジルメタクリレート、２−メトキシエチルアクリレート、２，２，２−トリフルオロエチルアクリレート、ラウリルアクリレートが含まれる。

好適なジアクリレートの例には、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、１，２−プロパンジオールジアクリレート、ジプロピレングリコールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、ポリプロピレングリコールジアクリレート、１，３−プロパンジオールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、２−ブテン−１，４−ジアクリレート、１，３−ブチレングリコールジアクリレート、３−メチル−１，３−ブタンジオールジアクリレート、１，５−ペンタンジオールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、１，３−シクロヘキサンジメタノールジアクリレート、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１Ｈ，１Ｈ，６Ｈ，６Ｈ−ペルフルオロ−１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，９−ノナンジオールジアクリレート、１，１０−デカンジオールジアクリレート、１，１２−ドデカンジオールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、シクロヘキサンジメタノールジアクリレート、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート、ビスフェノールＡジアクリレート、エトキシ化ビスフェノールＡジアクリレート、ｍ−キシリレンジアクリレート、エトキシ化（３）ビスフェノールＡジアクリレート、エトキシ化（４）ビスフェノールＡジアクリレート、エトキシ化（１０）ビスフェノールＡジアクリレート、ジシクロペンタニルジアクリレート、１，２−アダマンタンジオールジアクリレート、２，４−ジエチルペンタン−１，５−ジオールジアクリレート、ポリ（エチレングリコール）（４００）ジアクリレート、ポリ（エチレングリコール）（３００）ジアクリレート、１，６−ヘキサンジオール（ＥＯ）_２ジアクリレート、１，６−ヘキサンジオール（ＥＯ）_５ジアクリレート、及びアルコキシ化脂肪族ジアクリレートエステルが含まれる。

好適な多官能性アクリレートの例には、トリメチロールプロパントリアクリレート、プロポキシ化トリメチロールプロパントリアクリレート（例えば、プロポキシ化（３）トリメチロールプロパントリアクリレート、プロポキシ化（６）トリメチロールプロパントリアクリレート）、トリメチロールプロパンエトキシレートトリアクリレート（例えば、ｎ≒１．３、３、５）、ジ（トリメチロールプロパン）テトラアクリレート、プロポキシ化グリセリルトリアクリレート（例えば、プロポキシ化（３）グリセリルトリアクリレート）、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートトリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラクリレート、エトキシ化ペンタエリスリトールテトラクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、トリペンタエリスリトールオクタアクリレート、トリメチロールプロパン（ＰＯ）ｎトリアクリレート（ｎは、１、２、３等である）、トリメチロールプロパン（ＥＯ）ｎトリアクリレート（ｎは、１、２、３等である）が含まれる。

好ましくは、アクリレートモノマーは、イソボルニルアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ベンジルアクリレート、ベンジルメタクリレート、ｍ−キシリレンジアクリレート、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，１０−デカンジオールジアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、及びそれらの誘導体からなる群から選択され得る。

アクリレートモノマーは更に大西パラメータに基づいて選択され得る。モノマー単位のＮ／（Ｎｃ−Ｎｏ）（Ｎ：モノマー単位の総原子数、Ｎｃ：モノマー単位の炭素原子数、Ｎｏ：モノマー単位の酸素原子数）の値が小さいほど、低いドライエッチング速度がもたらされることが知られている（Journal of Electrochemical Society, 130, 143 (1983)）。Ｎ／（Ｎｃ−Ｎｏ）の値は、一般的に「大西パラメータ」と呼ばれている。好ましくは、アクリレートモノマーの大西パラメータは、４．５以下、４．０以下、３．５以下、３．０以下、２．５以下、２．０以下、１．５以下である。すなわち、アクリレートモノマーの大西パラメータは、好ましくは１．５〜４．５であり得る。

硬化性組成物は膨張性モノマーを更に含む。膨張性モノマーは、膨張性モノマーを含まない同様のアクリレートモノマーを基礎とする硬化性組成物と比較して、硬化後の収縮が比較的小さいという利点をもたらす。言い換えると、膨張性モノマーを含まないが、他の点では本明細書に記載される硬化性組成物と実質的に同じである比較硬化性組成物を調製した場合に、比較硬化性組成物は、本明細書に記載される硬化性組成物が硬化した場合に生ずる収縮の量と比較して、硬化後にはるかにより大幅に収縮することとなる。１つの例示的な実施形態では、硬化した組成物の体積を硬化性組成物の体積と比較（すなわち、硬化後の体積を硬化前の体積と比較）することによって計算される硬化した組成物の収縮量は、３．５％以下、３．０％以下、２．５％以下、２．０％以下、１．５％以下、１．０％以下、０．５％以下、０．２５％以下、０．１％以下、又は０．０１％以下である。他の例には、０．１％〜３．５％、０．２５％〜３．０％、０．５％〜２．５％、又は１．０％〜２．０％の収縮が含まれる。これらのパーセンテージのそれぞれについて、硬化した組成物の体積は、硬化前の元の体積よりも示されたパーセンテージだけ小さいと理解されるべきである。例えば、硬化性組成物の体積が「１００」である場合に、収縮が３．０％であるとき、硬化した組成物の体積は「９７」である。収縮は体積のパーセンテージ変化で規定されるので、特定の体積の単位は関連しない。さらに、体積の変化がない場合があるので、体積の変化に関する「以下」は０を含み得ると理解されるべきである。１つの例示的な態様では、線形収縮、すなわち一方向での収縮を使用して、全体的な体積収縮を表すことができる。例えば、全体の体積収縮を表す線形収縮は、高さ方向、すなわち、散布された組成物の厚さ方向で測定され得る。

硬化性組成物中の膨張性モノマーの量は、上記の体積収縮量が達成されるように選択され得る。例えば、硬化性組成物は、硬化性組成物の総重量を基準に少なくとも１０重量％の膨張性モノマーを含み得る。幾つかの例示的な実施形態では、膨張性モノマーの量は、硬化性組成物の総重量を基準に少なくとも１５重量％、少なくとも２０重量％、少なくとも３０重量％、少なくとも４０重量％、少なくとも５０重量％、少なくとも６０重量％、又は少なくとも７０重量％であり得る。幾つかの例示的な実施形態では、膨張性モノマーの量は、硬化性組成物の総重量を基準に１０重量％〜７０重量％、１５重量％〜６０重量％、２０重量％〜５０重量％、又は３０重量％〜４０重量％であり得る。すなわち、膨張性モノマーは、硬化性組成物の最も多い成分又は二番目に多い成分であり得る。

膨張性モノマー及びアクリレートモノマーの総量は、硬化性組成物の総重量を基準に少なくとも８５重量％であり得る。幾つかの例示的な実施形態では、膨張性モノマー及びアクリレートモノマーの総量は、硬化性組成物の総重量を基準に少なくとも８７重量％、少なくとも９０重量％、少なくとも９３重量％、少なくとも９５重量％、少なくとも９７重量％、少なくとも９８重量％、又は少なくとも９９重量％であり得る。幾つかの例示的な実施形態では、膨張性モノマー及びアクリレートモノマーの総量は、硬化性組成物の総重量を基準に８５重量％〜９９重量％、８７重量％〜９８重量％、９０重量％〜９７重量％、又は９３重量％〜９７重量％であり得る。すなわち、アクリレートモノマーの先に開示された範囲内で選択されるアクリレートモノマーの量のどれも、そして膨張性モノマーの先に開示された範囲内で選択される膨張性モノマーの量のどれも、これらの２つの量の組合せはモノマーの先に開示された全範囲内に含まれる。

好ましくは、硬化性組成物の成分及び成分の相対量は、組成物全体の大西パラメータが４．０以下、３．５以下、３．０以下、２．５以下、２．０以下、１．８以下であるように選択される。すなわち、硬化性組成物全体の大西パラメータは、好ましくは１．８〜４．０であり得る。

膨張性モノマーは、カチオン重合性、アニオン重合性及び／又はフリーラジカル重合性であり得る。膨張性モノマーは、１つ以上の３員環、１つ以上の４員環、１つ以上の５員環、１つ以上の６員環、１つ以上の７員環を含み得る。膨張性モノマーは、１つ以上の７員より大きい環を含み得る。膨張性モノマーは、単環、二重環、又はねじれた環を有し得る。

膨張性モノマーは、二環式オルトエステル（ＢＯＥ、カチオン重合性）、環状カーボネート（カチオン重合性又はアニオン重合性）、スピロオルトカーボネート（ＳＯＣ、カチオン重合性）、スピロオルトエステル（ＳＯＥ、カチオン重合性）、二環式モノラクトン（カチオン重合性又はアニオン重合性）、二環式ビスラクトン（カチオン重合性又はアニオン重合性）に分類することができる。これらの中には、オルト位に炭素−炭素二重結合を含有して、不飽和ＳＯＥ（フリーラジカル重合性）、不飽和ＳＯＣ（フリーラジカル重合性）を形成するものもある。これらの不飽和ＳＯＥ及びＳＯＣは、同様にフリーラジカルによっても重合され得る。エポキシドは３員の単環式化合物である。エポキシドは、２つ以上のエポキシ基を含み得る。一般に、単官能性エポキシドは重合の間に或る程度の収縮を示すので、エポキシドは膨張性モノマーであるとみなされる。しかしながら、アクリレート等の非開環重合と比較して、その収縮ははるかに小さい。幾つかの場合には、多官能性エポキシドは、ほぼゼロの収縮を示す。したがって、本明細書で使用される場合に、多官能性エポキシドは、膨張性モノマーの意味の範囲内に含まれる。エポキシドの重合は、カチオンにより又はフリーラジカルにより開始され得る。

好適な膨張性モノマーの例には、下記のものが含まれる：
３，４−エポキシシクロヘキシルメチル３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート（ＥＨＥＨＣ）：

１，４−シクロヘキサンジオンビス（エチレンケタール）（ＣＨＤＢ）：

オクタヒドロ−スピロ［１，３−ベンゾジオキソール−２，２’（３’Ｈ）−フラン］（ＳＢＯＦ）：

３，９−ビス（フェニルメチル）−１，５，７，１１−テトラオキサスピロ［５．５］ウンデカン（ＳＤＰＨＵ）：

２−メチレン−４−フェニル−１，３−ジオキソラン（ＭＰＤＯ）：

２−メチレン−１，４，６−トリオキサスピロ［４．４］ノナン（ＭＴＳ）：

ＳＯＣの他の例には、下記のものが含まれる：３，９−ジ（５−ノルボルネン−２−イル）−１，５，７，１１−テトラオキサスピロ［５．５］ウンデカン（ＮＳＯＣ）（ＤＥＲ３３２）、３，９−ジメチレン−１，５，７，１１−テトラオキサスピロ［５．５］ウンデカン（ＤＭＳＯＣ）、テトラメチルスピロオルトカーボネート（ＴＭＳＯＣ）（ＥＰＯＮ ８１５）、ジシクロヘキセンスピロオルトカーボネート（ＤＣＨｅＳＯＣ）、ジシクロヘキサンスピロオルトカーボネート（ＤＣＨａＳＯＣ）、及びエポキシ化ＮＳＯＣ。

ＳＯＥ（飽和及び不飽和の両方）の例には、下記のものが含まれる：１，４，６−トリオキサスピロ［４．４］ノナン（ＴＯＮ）、２−メチレン−１，４，６−トリオキサスピロ［４．４］ノナン（ＭＴＯＮ）、２−メチレン−１，４，６−トリオキサスピロ［４．６］デカン、２−メチレン−１，４，６−トリオキサスピロ１４．６１ウンデカン、２−メチル−７−メチレン−１，４，６−トリオキサスピロ［４．４］ノナン、２−ブチル−７−メチレン−１，４，６−トリオキサスピロ［４．４］ノナン、７−ブロモメチル−２−ブチル−１，４，６−トリオキサスピロ［４．４］ノナン、スピロ−７−オキサビシクロ［４．３．０］ノナン−８，２’−（１’，３’）−ジオキサラン、スピロ−７，９−ジオキサシクロ［４．３．０］ノナン−８，２’−１’−オキシクロ−ペンタン、スピロ−１，３−ジオキサラン−２，１’−（３Ｈ）−イソベンゾ−フラン、スピロ−７，９−ジオキサビシクロ［４．３．０］ノナン−８，８’−７’−オキサビシクロ［４．３．０］ノナン、フェニルジグリシジルエーテルとγブチロラクトンとの付加物。

ＳＯＣ（飽和及び不飽和）の例には、下記のものが含まれる：１，４，６，９−テトラオキサスピロ［４．４］ノナン、１，５，７，１１−テトラオキサスピロ［５．５］ウンデカン、１，６，８，１３−テトラオキサスピロ［６．６］トリデカン、３−メチレン−１，５，７，１１−テトラオキサスピロ［４．５］デカン、３−メチレン−１，５，７，１１−テトラオキサスピロ［５．６］ドデカン、３−メチレン−１，５，７，１１−テトラオキサスピロ［５．５］ウンデカン、３，９−ジメチレン−１，５，７，１１−テトラオキサスピロ［５．５］ウンデカン（ＤＭＳＯＣ）、３，３−ジメチル−９−メチレン−１，５，７，１１−テトラオキサスピロ［５．５］ウンデカン、３，９−ジシクロヘキサン−１，５，７，１１−テトラオキサスピロ［５．５］ウンデカン、３，９−ジ（５−ノルボルネン−２−イル１，５，７，１１−テトラスピロ［５．５］ウンデカン（ＮＳＯＣ）、エポキシ化ＮＳＯＣ、３，９−ジ（９，１０−ジヒドロ−９，１０−エタノアントラセニル）−１，５，７，１１−テトラオキサスピロ［５．５］ウンデカン、２，３，７，８−ジ（９，１０−アントリレン）１，４，６，９−テトラオキサスピロ［４．４］ノナン、２，３，７，８−ビス（ｏ−フェニレン）１，４，６，９−テトラオキサスピロ［４．４］ノナン、３，９−ジ｛ベンジル−（１’，４’−ビニル）｝１，５，７，１１−テトラオキサスピロ［５．５］ウンデカン、３，４，１０，１１−ビス｛エンド−（１’，４−ブチレン）｝｜１，６，８，１３−テトラオキサスピロ［６．６］トリデカン、３，４，１０，１１−ビス−（ｏ−フェニレン）１，６，８，１３−テトラオキサスピロ［６．６］トリデカン、３，４，１０，１１−ビス−｛エンド−（１’，４’−エンドメチレン）１’，４’−ブテン−２’−イリデン｝１，６，８，１３−テトラオキサスピロ［６．６］トリデカン（ＤＭＳＯＣ）、３，９−ジベンジル−１，５，７，１１−テトラオキサスピロ［５．５］ウンデカン（ＤＢＳＯＣ）、３，９−ジシクロヘキセン−１，５，７，１１−テトラオキサスピロ［５．５］ウンデカン（ＤＣＨｅＳＯＣ）、３，３−ジエチル−９−メチレン−１，５，７，１１−テトラオキサスピロ［５．５］ウンデカン、１，４，６，１０，１２，１５，１７，１９−オクタオキサトリスピロ［４．２．２．４．２．２］ノナン。

芳香族ＳＯＣの更なる例には、ジスピロ［１，３−ベンゾジオキソール−２，２’−ベンゾ［１，２−ｄ：４，５−ｄ’］ビス［１，３］ジオキソール−６’，２’’−［１，３］ベンゾジオキソール］、５，５’’−ビ−２，２’−スピロビ［１，３−ベンゾジオキソール］、２，２’−スピロビ［１，３−ベンゾジオキソール］、５−（２，２’−スピロビ［１，３−ベンゾジオキソール］−５’−イルスルホニル）−、メタノン、２，２’−スピロビ［１，３−ベンゾジオキソール］−４−イル−２，２’−スピロビ［１，３−ベンゾジオキソール］−５’−イル−が含まれる。

不飽和ＳＯＣの更なる例には、１，５，７，１６−テトラオキサジスピロ［５．２．５．２］ヘキサデカ−１１−エン、３−メチレン−、２−メチル−９−メチリデン−１，５，７，１１−テトラオキサスピロ［５．５］ウンデカン、２−（プロパン−２−イル）−１，５，７，１１−テトラオキサスピロ［５．５］ウンデカン、８，８−ジメチル−２−メチリデン−１，４，６，１０−テトラオキサスピロ［４．５］デカン、４’’−メチリデンジスピロ［ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−５−エン−２，５’−［１，３］ジオキサン−２’，２’’−［１，３］ジオキソラン］、２−メチリデン−７−フェニル−１，４，６，９−テトラオキサスピロ［４．４］ノナン、５’’−メチリデンジスピロ［ビシクロ［２．２．１］ヘプタ−５−エン−２，５’−［１，３］ジオキサン−２’，２’’−［１，３］ジオキサン］、３，３−ジメチル−９−メチリデン−１，５，７，１２−テトラオキサスピロ［５．６］ドデカン、４’−メチリデン−１，５−ジヒドロスピロ［［２．４］ベンゾジオキセピン−３，２’−［１，３］ジオキソラン］が含まれる。

ＢＯＥの例には、下記のものが含まれる：２，６，７−トリオキサビシクロ［２．２．２］オクタン及びその誘導体：１，４−ジエチル−２，６，７−トリオキサビシクロ［２．２．２］オクタン、１−エチル−２，６，７−トリオキサビシクロ［２．２．２］オクタン、４−エテニル−１−エチル−２，６，７−トリオキサビシクロ［２．２．２］オクタン、４−エチル−２，６，７−トリオキサビシクロ［２．２．２］オクタン、１−エテニル−４−エチル−２，６，７−トリオキサビシクロ［２．２．２］オクタン、１−［２−ブロモエテニル］−４−エチル−２，６，７−トリオキサビシクロ［２．２．２］オクタン、４−エチル−１−フェニル−２，６，７−トリオキサビシクロ［２．２．２］オクタン、１，４−ジフェニル−２，６，７−トリオキサビシクロ［２．２．２］オクタン、（１−フェニル−２，６，７−トリオキサビシクロ［２．２．２］オクタン−４−イル）メチルエチルカルバメート、（１−フェニル−２，６，７−トリオキサビシクロ［２．２．２］オクタン−４−イル）メチルメチルカルバメート、（１−エチル−２，６，７−トリオキサビシクロ［２．２．２］オクタン−４−イル）メチルエチルカルバメート、（１−ブチル−２，６，７−トリオキサビシクロ［２．２．２］オクタン−４−イル）メチルエチルカルバメート、（１−プロピル−２，６，７−トリオキサビシクロ［２．２．２］オクタン−４−イル）メチルエチルカルバメート、１−メチル−２，６，７−トリオキサビシクロ［２．２．２］オクタン、４−エチル−１−プロピル−２，６，７−トリオキサビシクロ［２．２．２］オクタン、（４−エチル−２，６，７−トリオキサビシクロ［２．２．２］オクタン−１−イル）メタノール。他の例は、２，６，７−トリオキサビシクロ［３．１．１］ヘプタン、２，６，７−トリオキサビシクロ［２．２．１］ヘプタンである。

硬化性組成物は、上記の膨張性モノマーの１つ又は上記の膨張性モノマーの２つ以上の混合物を含み得る。混合物が使用される場合に、硬化性組成物中の膨張性モノマーの総量は、先に示された量である。

アクリレートモノマーの量と膨張性モノマーの量との比率（Ｘ：Ｙ、Ｘはアクリレートモノマーの量であり、Ｙは膨張性モノマーの量である）は、４：１〜１：３、２：１〜４：１１、４：３〜２：５、又は１：１〜１：２であり得る。例としては、１：１、１：１．５、１：２、１：２．５、及び１：３が含まれる。

膨張性モノマーは、好ましくは、ラジカル重合性官能基を有する環を含む。ラジカル重合性官能基は、炭素−炭素二重結合又はエポキシド基であり得る。好ましくは、ラジカル重合性官能基は、アクリレートモノマーとの適合性を高めるためにアクリレート基である。

硬化性組成物は光開始剤を更に含む。光開始剤は、放射線、例えばＵＶ線に曝されたときに反応種を生成する分子である。硬化性組成物は、硬化性組成物の総重量を基準に５重量％以下の光開始剤を含み得る。幾つかの例示的な実施形態では、光開始剤の量は、硬化性組成物の総重量を基準に少なくとも４重量％以下、３重量％以下、２．５重量％以下、２．０重量％以下、１．５重量％以下、１．０重量％以下、０．５重量％以下であり得る。光開始剤の量に関して「以下」は０を含まない、すなわち、光開始剤が存在しない場合を含まないと理解されるべきである。それというのも、上記のように硬化性組成物は光開始剤を含むからである。したがって、光開始剤の量に関して記載された値「以下」は、量が０を超える限り、示された値以下を意味すると理解されるべきである。幾つかの例示的な実施形態では、光開始剤の量は、硬化性組成物の総重量を基準に０．５重量％〜４重量％、１．０重量％〜３重量％、又は２．０重量％〜２．５重量％であり得る。すなわち、光開始剤は、硬化性組成物の少量成分であり得る。

光開始剤は、カチオン性光開始剤、アニオン性光開始剤又はフリーラジカル光開始剤であり得る。１つの例示的な実施形態では、光開始剤はカチオン性光開始剤である。硬化性組成物が、金属イオンが存在しないことを要する半導体の製造プロセスの一部として使用される場合に、光開始剤は金属不含であり得る。光開始剤は、ヨードニウム、ホスホニウム又はスルホニウムベースの光酸発生剤とすることができ、ここで対イオンは、金属を除くハライド、トリフレート、ニトレート、スルホネート、ホスフェートであり得る。光開始剤は、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート（ＤＰＩＰＦ）、テトラフェニルホスホニウムハライド、トリフェニルスルホニウムトリフレート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムペルフルオロ−１−ブタンスルホネート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ジフェニルヨードニウムニトレート、トリフェニルスルホニウムトリフレート、トリス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）スルホニウムペルフルオロ−１−ブタンスルホネートであり得る。単一の光開始剤が硬化性組成物中に存在してもよい又は光開始剤の組合せが硬化性組成物中に存在してもよい。

光開始剤の例には、下記のものが含まれる。

硬化性組成物は光増感剤を更に含む。光増感剤は、光化学的過程で別の分子に化学変化を起こす分子である。反応種は、硬化性組成物を重合されて硬化した組成物へと重合させることを促進する。特にカチオン重合条件では、光増感剤は重合反応を加速することから、硬化した生成物をかなりより迅速に製造することができる。例えば、上記列記のアクリレートモノマー及び膨張性モノマーのカチオン重合反応は、完了するまでに数分又は数時間さえもかかる場合がある。しかしながら、適切な光増感剤を用いると、重合反応は数秒で、すなわち０．１秒〜１００秒で完了し得る。高スループットの作業であるナノインプリンティングプロセス及び平坦化プロセスでは、素早い硬化時間が特に望ましい。

硬化性組成物は、硬化性組成物の総重量を基準に２重量％以下の光増感剤を含み得る。幾つかの例示的な実施形態では、光増感剤の量は、硬化性組成物の総重量を基準に１．７５重量％以下、１．５重量％以下、１．２５重量％以下、１．０重量％以下、０．７５重量％以下、０．６重量％以下、０．５重量％以下、０．３重量％以下、０．２重量％以下、又は０．１重量％以下であり得る。光増感剤の量に関して「以下」は０を含まない、すなわち、光増感剤が存在しない場合を含まないと理解されるべきである。それというのも、上記のように硬化性組成物は光増感剤を含むからである。したがって、光増感剤の量に関して記載された値「以下」は、量が０を超える限り、示された値以下を意味すると理解されるべきである。幾つかの例示的な実施形態では、光増感剤の量は、硬化性組成物の総重量を基準に０．１重量％〜２．０重量％、０．２重量％〜１．７５重量％、０．３重量％〜１．５重量％、０．５重量％〜１．２５重量％、又は０．７５重量％〜１．０重量％であり得る。すなわち、光増感剤は、硬化性組成物の少量成分であり得る。

光増感剤は、ベンゾフェノン及びその誘導体であり得る。光増感剤は、２−イソプロピルチオキサントン（ＩＴＸ）、ベンゾフェノン、フェニルベンゾフェノン、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、４−ベンゾイル４’−メチルジフェニルスルフィド、メチル２−ベンゾイルベンゾエート、２−イソプロピルチオキサントン、キサントン、t−ブチルアントラキノン、フェノチアジン、７−ジエチルアミノ−４−メチルクマリンであり得る。単一の光増感剤が硬化性組成物中に存在してもよい又は光増感剤の組合せが硬化性組成物中に存在してもよい。

硬化性組成物は界面活性剤を更に含み得る。界面活性剤は、ＵＶ曝露後にテンプレート／スーパーストレートからのより良好な分離を可能にするのに適した表面張力を有する硬化性組成物を提供する。すなわち、界面活性剤を有する硬化性組成物は、界面活性剤を含まない硬化性組成物よりもテンプレート／スーパーストレートからより容易に分離される。界面活性剤は、硬化した後にテンプレートを硬化性組成物から引き離すときの分離エネルギーを低減することを助ける離型剤として働く。硬化性組成物は、硬化性組成物の総重量を基準に５重量％以下の界面活性剤を含み得る。界面活性剤が存在する場合に、界面活性剤の量に関する「以下」は０を含まないと理解されるべきである。したがって、界面活性剤の量に関して記載された値「以下」は、量が０を超える限り、示された値以下を意味すると理解されるべきである。幾つかの例示的な実施形態では、界面活性剤の量は、硬化性組成物の総重量を基準に少なくとも４．０重量％以下、３．０重量％以下、２．０重量％以下、１．０重量％以下、０．５重量％以下、又は０．２５重量％以下であり得る。幾つかの例示的な実施形態では、界面活性剤の量は、硬化性組成物の総重量を基準に０．２５重量％〜５重量％、０．５重量％〜４．０重量％、又は１．０重量％〜３．０重量％であり得る。すなわち、界面活性剤は、硬化性組成物の少量成分であり得る。

界面活性剤は非イオン性であってもよく、幾つかの場合には、界面活性剤はフッ素化界面活性剤であってもよい。フッ素化界面活性剤は１種以上のポリ（オキシアルキレン）を含み得る。含まれる非イオン性フッ素化界面活性剤成分の好適な市販品の例は、製品名ＺＯＮＹＬ（商標） ＦＳＯ−１００でDupont社から販売されているもの；ＦＣ−４４３２、ＦＣ−４４３０で3M Company社から販売されているもの；製品名ＭＡＳＵＲＦ ＦＳ−２０００でMason Chemical Company of Arlington Heights社から販売されているもの；製品名Ｌｏｄｙｎｅ Ｓ−２２２ＮでCiba-Geigy Corp社から販売されているもの；及び製品名ＭｅｇａＦａｃｅ Ｒ−０８でDainippon Ink & Chemical社から販売されているもの、ＣｈｅｍｇｕａｒｄＳ５５４、Ｓ５５０−１００又はＳ５５０（Chemguard社）、Ｓ２２２Ｎ（Chemguard社）、Ｓ５５９−１００又はＳ５５９（Chemguard社）、Ｃａｐｓｔｏｎｅ（商標） ＦＳ−３１（DuPont（商標）社）、Ｃａｐｓｔｏｎｅ（商標） ＦＳ−３５（DuPont（商標）社）、Ｃａｐｓｔｏｎｅ（商標） ＦＳ−３４（DuPont（商標）社）、Ｃａｐｓｔｏｎｅ（商標） ＦＳ−３０（Dupont（商標）社）、Ｃａｐｓｔｏｎｅ（商標） ＦＳ−３１００（Dupont（商標）社）、Ｍａｓｕｒｆ（商標） ＦＳ−２９５０（Mason社）、Ｍａｓｕｒｆ（商標） ＦＳ−３２４０（Mason社）、Ｍａｓｕｒｆ（商標） ＦＳ−２９００（Mason社）、Ｍａｓｕｒｆ（商標） ＦＳ−２８２５（Mason社）、Ｍａｓｕｒｆ（商標） ＦＳ−１７００（Mason社）、Ｍａｓｕｒｆ（商標） ＦＳ−１８００（Mason社）、及びＭｅｇａｆａｃｅ ５５０（DIC社）、ＦＴＥＲＧＥＮＴ ２２２Ｆ、ＦＴＥＲＧＥＮＴ ２５１、ＦＴＥＲＧＥＮＴ ２５０、ＤＥＯ−５、ＤＥＯ−１５、ＰｏｌｙＦｏｘ ＰＦ−６５６である。

幾つかの他の場合には、界面活性剤は非フッ素化であってよい。非フッ素化界面活性剤はポリ（オキシアルキレン）基を含み得る。好適な市販品の例には、Ｐｌｕｒｏｎｉｃ Ｌ４３、Ｌ４４、Ｌ４２、Ｌ６１、Ｌ６２、Ｌ６３、Ｌ６４、Ｌ６５、Ｌ８１、Ｌ７２、Ｌ３１、Ｌ１２１、Ｌ１０１、Ｌ１２２、Ｌ９２；Ｐｌｕｒｉｏｌ（商標） Ａ ５００ ＰＥ；２５−２２０Ｂ、２５−３００Ｂ、４０−６０Ｂ、Ｔｅｒｉｇｉｔａｏｌ ＳＤ、ＸＨを含むＤｏｗ Ｓｙｎａｌｏｘシリーズ；Ｈｕｎｔｓｍａｎ ＪＥＦＦＯＸ ＷＬ６６０、５０００、Ｃｒｏｄａ Ａｔｌａｓ（商標） Ｇ−５０００、Ｃｌａｒｉｔａｎｔ Ｐｏｌｙｇｌｙｋｏｌ Ｂ １１−タイプ（Ｂ１１／３０、Ｂ１１／５０、Ｂ１１／７０）、Ｐｏｌｙｇｌｙｋｏｌ Ｄ−タイプ（Ｄ２１／１００、Ｄ２１／１５０、Ｄ２１／２２０）、Ｐｏｌｙｇｌｙｋｏｌ Ｐ ４１−タイプ（Ｐ４１／２００、Ｐ４１／３００）が含まれる。

他の添加剤も硬化性組成物に含まれ得る。添加剤は抑制剤、熱開始剤、ポロゲン等であり得る。抑制剤はレジストを安定化させ、その貯蔵寿命を延ばすために使用される。抑制剤はヒンダードフェノール、第二級芳香族アミンの亜リン酸エステル及びチオエーテル、ベンゾフラノン、アクリル化ビスフェノールであり得る。例には、４−メトキシフェノール、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、３，５−ビス（１，１−ジメチルエチル）−４−ヒドロキシベンゼンプロパン酸、Ｃ１３〜１５分岐鎖アルキルエステル、ペンタエリスリトールテトラキス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシヒドロシンナメート）、２，２’−メチレンビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール）、Ｎ，Ｎ’−ビス（１，４−ジメチルペンチル）−ｐ−フェニレンジアミン、ビス［４−（２−フェニル−２−プロピル）フェニル］アミン、Ｎ−（１，３−ジメチルブチル）−Ｎ’−フェニル−１，４−フェニレンジアミン、ビス（１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジル）セバケート、メチル１，２，２，６，６−ペンタメチル−４−ピペリジルセバケート、２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジニルステアレート、ビス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスフェート、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスフィート、ジオクタデシル３，３’−チオジプロピオネート、２，２−ビス［［３−（ドデシルチオ）−１−オキソプロポキシ］メチル］プロパン−１，３−ジイルビス［３−（ドデシルチオ）プロピオネート］が含まれる。

熱開始剤は、高温時に硬化性組成物を更に重合させて、機械的強度を向上させる又は焼付け過程により誘発される収縮及び応力を打ち消すために役立つ。幾つかの硬化性成分は、露光下で１００％硬化しない場合がある。硬化したレジストを焼付けすると、適切に開始された場合に、未硬化のモノマー又は官能基の一部が更に硬化し得る。好ましくは、熱開始剤は室温で安定であり、高温、例えば２００℃超又は２５０℃以上で分解してラジカル又はルイス酸を生成する。例には、ジシアンジアミド、シクロヘキシルトシレート、ｔｅｒｔ−ブチルヒドロペルオキシド、クメンヒドロペルオキシド、２，２’−アゾジ（２−メチルブチロニトリル）、２，２’−アゾビス［２−（２−イミダゾリン−２−イル）プロパン］ジヒドロクロリド、ジフェニル（メチル）スルホニウムテトラフルオロボレートが含まれる。

添加剤が存在する場合に、添加剤は、アクリルモノマー、膨張性モノマー、光開始剤、光増感剤及び界面活性剤の量を選択した後に残るどのような量を補うこともできる。例えば、硬化性組成物は、硬化性組成物の総重量を基準に２重量％以下の添加剤を含み得る。幾つかの例示的な実施形態では、添加剤の量は、硬化性組成物の総重量を基準に少なくとも１．７５重量％以下、１．５重量％以下、１．０重量％以下、０．７５重量％以下、０．５重量％以下、０．２重量％以下、０．０２重量％以下、又は０．００２重量％以下であり得る。添加剤が存在する場合に、添加剤の量に関する「以下」は０を含まないと理解されるべきである。したがって、添加剤の量に関して記載された値「以下」は、量が０を超える限り、示された値以下を意味すると理解されるべきである。幾つかの例示的な実施形態では、添加剤の量は、硬化性組成物の総重量を基準に０．００２重量％〜２重量％、０．０２重量％〜１．７５重量％、０．２重量％〜１．２５重量％、又は０．５重量％〜１．０重量％であり得る。

硬化性組成物の全ての成分の総量は、定義上１００重量％を超えることはできないと理解されるべきである。すなわち、アクリレートモノマーの先に開示された範囲内で選択されるアクリレートモノマーの量のどれも、膨張性モノマーの先に開示された範囲内で選択される膨張性モノマーの量のどれも、光開始剤の先に開示された範囲内で選択される光開始剤の量のどれも、光増感剤の先に開示された範囲内で選択される光増感剤の量のどれも、そして界面活性剤又は添加剤等の他の成分の量のどれも、組合せは多くても１００重量％である。１つの例示的な実施形態では、硬化性組成物はアクリレートモノマー、膨張性モノマー、光開始剤、及び光増感剤のみからなる。別の例示的な実施形態では、硬化性組成物はアクリレートモノマー、膨張性モノマー、光開始剤、光増感剤、及び界面活性剤のみからなる。別の例示的な実施形態では、硬化性組成物はアクリレートモノマー、膨張性モノマー、光開始剤、光増感剤、界面活性剤、及び添加剤のみからなる。そのような実施形態では、これらの成分の総量は、定義上１００重量％である。別の例示的な実施形態では、硬化性組成物は実質的にアクリレートモノマー、膨張性モノマー、光開始剤、及び光増感剤からなり、ナノインプリンティング／平坦化での硬化性組成物の使用に大きな影響を及ぼさず、上記の収縮の利点にも影響しない他の成分を幾らかの量有する。別の例示的な実施形態では、硬化性組成物は実質的にアクリレートモノマー、膨張性モノマー、光開始剤、光増感剤、及び界面活性剤からなり、ナノインプリンティング／平坦化での硬化性組成物の使用に大きな影響を及ぼさず、上記の収縮の利点にも影響しない他の成分を幾らかの量有する。別の例示的な実施形態では、硬化性組成物は実質的にアクリレートモノマー、膨張性モノマー、光開始剤、光増感剤、界面活性剤、及び添加剤からなり、ナノインプリンティング／平坦化での硬化性組成物の使用に大きな影響を及ぼさず、上記の収縮の利点にも影響しない他の成分を幾らかの量有する。例えば、アクリレートモノマー、膨張性モノマー、光開始剤、及び光増感剤の総量は、硬化性組成物の総重量を基準に少なくとも９０重量％、少なくとも９３重量％、少なくとも９５重量％、少なくとも９７重量％、少なくとも９８重量％、少なくとも９９重量％、少なくとも９９．５重量％、少なくとも９９．９重量％であり得る。残りは界面活性剤及び／又は添加剤であり得る。別の例では、アクリレートモノマー、膨張性モノマー、光開始剤、光増感剤、及び界面活性剤の総量は、硬化性組成物の総重量を基準に少なくとも９５重量％、少なくとも９６重量％、少なくとも９７重量％、少なくとも９８重量％、少なくとも９９重量％、少なくとも９９．５重量％、少なくとも９９．９重量％であり得る。残りは添加剤であり得る。

硬化性組成物をナノインプリンティングプロセス／平坦化プロセスで使用するために、硬化性組成物の粘度は２５℃で１０ｃＰ以下であり得る。幾つかの例示的な実施形態では、硬化性組成物の粘度は２５℃で８ｃＰ以下、６ｃＰ以下、又は５ｃＰ以下であり得る。粘度に関して「以下」は０を含まない、すなわち、粘度が０ｃＰである場合を含まないと理解されるべきである。したがって、粘度に関して記載された値「以下」は、量が０を超える限り、示された値以下を意味すると理解されるべきである。幾つかの例示的な実施形態では、硬化性組成物の粘度は２５℃で２ｃＰ〜１０ｃＰ、３ｃＰ〜８ｃＰ、又は４ｃＰ〜７ｃＰであり得る。すなわち、硬化性組成物の特定の成分及び各成分の相対量は、成分の組合せにより、上記列記の範囲の粘度を有する硬化性組成物が得られるように選択されるべきである。硬化性組成物の粘度が２５℃で１０ｃＰを上回る場合に、硬化性組成物はナノインプリンティング／平坦化で使用するためには適していない。それというのも、液滴は流体ディスペンサによって噴射される場合に十分に小さくなく（例えば、１ピコリットルのサイズ未満にならない）、液滴は連続した形に十分に迅速に展延せず、スループットに悪影響を与えるからである。

硬化性組成物の実施例１〜実施例３及び比較例１〜比較例４の組成物は以下の通りである。

実施例１（ＥＸ１）：４７部の３，４−エポキシシクロヘキシルメチル３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート（ＥＨＥＨＣ）（膨張性モノマー）、５０部のイソボルニルアクリレート（ＩＢＯＡ）（モノアクリレートモノマー）、２．５部のジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート（ＤＰＩＰＦ）（光開始剤）、０．５部の２−イソプロピルチオキサントン（ＩＴＸ）（光増感剤）及び１部の界面活性剤、すなわちWonda Science社製のフッ素化界面活性剤ＦＳ２０００Ｍ１を合して、硬化性組成物を形成した。各成分を秤量し、不透明なボトルに入れた。次に、ボトル内の成分を１分間ボルテックス混合した後に、ローラーミキサー上に約８時間置くことで、硬化性組成物が形成された。

実施例２（ＥＸ２）：１５部の１，４−シクロヘキサンジオンビス（エチレンケタール）（ＣＨＤＢ）（膨張性モノマー）、８５部のＩＢＯＡ、２．５部のＤＰＩＰＦ、０．５部のＩＴＸ及び１部の界面活性剤を、実施例１と同じ方法を使用して調製した。

実施例３（ＥＸ３）：７９部のオクタヒドロ−スピロ［１，３−ベンゾジオキソール−２，２’（３’Ｈ）−フラン］（Ｔ１、以下に示す）（膨張性モノマー）、１９部のネオペンチルグリコールジアクリレート、０．９部のＤＰＩＰＦ、０．２部のＩＴＸ及び１．６部の界面活性剤を、実施例１と同じ方法を使用して調製した。

比較例１（ＣＥ１）：４７部のネオペンチルグリコールジアクリレート（ＮＰＧＤＡ）（ジアクリレートモノマー）、５０部のＩＢＯＡ、２．５部のＤＰＩＰＦ、０．５部のＩＴＸ及び１部の界面活性剤を、実施例１と同じ方法を使用して調製した。この硬化性組成物には膨張性モノマーが存在しないことに注目すべきである。

比較例２（ＣＥ２）：９７部のＮＰＧＤＡ、２．５部のＤＰＩＰＦ、０．５部のＩＴＸ及び１部の界面活性剤を、実施例１と同じ方法を使用して調製した。この硬化性組成物には膨張性モノマーが存在しないことに注目すべきである。

比較例３（ＣＥ３）：９７部のＥＨＥＨＣ、２．５部のＤＰＩＰＦ、０．５部のＩＴＸ及び１部の界面活性剤を、実施例１と同じ方法を使用して調製した。この硬化性組成物にはアクリレートモノマーが存在しないことに注目すべきである。

比較例４（ＣＥ４）：７９部のＩＢＯＡ（アクリレートモノマー）、１９部のネオペンチルグリコールジアクリレート、０．９部のＤＰＩＰＦ、０．２部のＩＴＸ及び１．６部の界面活性剤を、実施例１と同じ方法を使用して調製した。

実施例及び比較例の硬化性組成物を、硬化後の収縮量について試験した。収縮試験は、ＵＶ硬化システム及びヒーターと連結されたAnton Paar社のＭＣＲ−３０１レオメーターで実施した。３６５ｎｍで９２ｍＷ／ｃｍ^２〜９８ｍＷ／ｃｍ^２の強度を有する３４０ｎｍ広帯域長波長フィルタを備えた水銀ＵＶランプを使用して、各硬化性組成物を２５分間硬化させた。ＵＶ強度は変動し、ＵＶパワーメーターを使用して３６５ｎｍでのＵＶ光強度を測定した。総線量は強度×露光時間によって計算することができる。誘導時間及び硬化時間を、貯蔵弾性率及び損失弾性率と一緒に記録した。貯蔵弾性率が１０ＭＰａに達したときに硬化時間を記録した。誘導期間を、弾性率の増加の開始時に記録した。体積変化は、体積変化が安定した時を基準に１０分間の硬化時間及び／又は２０分間の硬化時間で記録した。結果を以下の表１に報告する。

ＵＶの照射を５０秒の記録点で開始した。ＣＥ１、ＥＸ１及びＥＸ２の貯蔵弾性率は開始後に急激に増加し、約５０秒でその平坦域に達した。しかしながら、開環モノマーのみを有するＣＥ３については、１０倍長い誘導期間で非常に緩やかな勾配が示された。１０分の時点でさえ、ＣＥ３は重合を終えなかった。これはＣＥ３にはカチオン性開環機序しか存在せず反応が遅い一方で、他の全ての配合にはアクリレートが含まれており、ラジカル重合及びカチオン重合の両方が起こったからであると考えられる。アクリレートモノマーの添加により、硬化速度が劇的に向上した。

表２は、レオメーターによって１０分の時点で測定された実施例及び比較例の各々についての収縮を報告している。

ＣＥ１、ＥＸ１及びＥＸ２に関して、表２は、膨張性モノマーの量によって収縮がどのように影響を受けるかを示している。表２で分かるように、ＥＸ１をＣＥ１と比較することによって、ＥＸ１は、ＣＥ１中のジアクリレートＮＰＧＤＡに対して４７部の３員の膨張性モノマーＥＨＥＨＣを用いるとわずか０．８％の収縮しか示さず、アクリレートの重合からの収縮がほぼ完全に相殺された。一方で、ＥＸ２は、３員環と比べてより膨張性である５員環のＣＨＤＢを有する。しかしながら、ＥＸ２はＣＨＤＢを１５部しか有しなかった。最終結果により、ＣＥ１と比較して収縮に関して２１％の正味の減少が示された（３．９％から３．１％へ）。ＥＸ１を使用することにより、１００ｎｍの厚さを有する平坦化層は１ｎｍ未満の高さの収縮を示し得るが、これは一部の製造プロセスの仕様では許容可能である。例えば、集積回路基板を製造するためのリソグラフィプロセスである平坦化プロセスで、より複雑で高価な化学機械研磨（ＣＭＰ）プロセスを置き換えることができる。

ＣＥ２及びＣＥ３に関しては、モノマーのパーセンテージが大幅に増加すると、体積収縮はほぼゼロに減少した。これは、散布された層全体の高さの違いに直接影響する。散布された層の厚さが５０ｎｍの場合に、散布された層全体の高さの差はわずか０．１ｎｍである。散布された層が半導体分野では一般的な１００ｎｍの場合に、高さの収縮は約０．２ｎｍであり、それはＣＭＰを置き換えるのに適している。実施例の硬化性組成物では、他の平坦化プロセス、例えばスピンオンカーボン及びＣＭＰプロセスを置き換えるのに、１回の散布経路でおそらく十分である。

ＣＥ３は１０分の時点で非常に小さな収縮しか示さないが、ＣＥ３は上記の散布システム１００での噴射散布には適していない。特に、ＣＥ３は２５℃で１０ｃＰより大きな粘度を有し、つまり、ＣＥ３は噴射可能ではなく、上記のシステム１００で使用することができないことを意味する。

ＣＥ４は、膨張性モノマー及びアクリレートの混合物を含まない硬化性組成物が１０分の時点で粗悪な収縮、すなわち３．０％より大きい収縮を伴うことを示している。ＥＸ３は、多量の膨張性モノマー（膨張性モノマーは前の実施例の膨張性モノマーとは異なる）を少量のジアクリレート成分と組み合わせて有する硬化性組成物が１０分の時点で良好な収縮を伴ったことを示している。

実施例の各々はまた、２５℃で７ｃＰ〜９ｃＰの範囲の、すなわち１０ｃＰより低い粘度を有していた。したがって、該硬化性組成物は噴射可能であり、十分な精度及びスループットで上記のシステム１００によって散布することができる。

この詳細な説明を考慮することで、様々な態様の更なる変更及び代替的な実施形態が当業者には明らかであろう。したがって、この詳細な説明は例示的なものとしてのみ解釈されるべきである。本明細書に示され記載される形態は、実施形態の例として解釈されるべきであると理解されるべきである。要素及び材料は本明細書に示され記載されるものと置き換えることができ、部材及びプロセスを逆転してもよく、或る特定の特徴を独立して利用することができ、全てはこの詳細な説明の恩恵を受けた後に当業者には明らかであろう。

１００ ナノインプリントリソグラフィシステム
１０２ 基板
１０４ 基板チャック
１０６ 基板位置決めステージ
１０８ テンプレート
１１０ メサ部（モールド）
１１２ パターン形成表面
１１４ テンプレート凹部
１１６ テンプレート凸部
１１８ テンプレートチャック
１２０ インプリントヘッド
１２２ 流体ディスペンサ
１２４ 形成可能材料
１２６ 放射線源
１２８ 露光経路
１３０ 基板表面
１３２ 基板コーティング
１３４ 熱放射源
１３６ フィールドカメラ
１３８ 液滴検査システム
１４０ プロセッサ（コントローラ）
１４２ コンピュータ可読メモリ
２４４ （テンプレートの前面側の）引っ込んだ表面
２４６ メサ部の側壁
３００ インプリンディングプロセス

Claims (20)

1. 硬化性組成物であって、
   前記硬化性組成物の総重量を基準に少なくとも１０重量％の膨張性モノマーと、
   前記硬化性組成物の総重量を基準に少なくとも２５重量％の５００以下の分子量を有するアクリレートモノマーと、
   光開始剤と、
   光増感剤と、
   を含み、
   前記硬化性組成物は、１０ｃＰ以下の粘度を有し、
   前記膨張性モノマー及び前記アクリレートモノマーの総量は、前記硬化性組成物の総重量を基準に少なくとも９０重量％である、硬化性組成物。
2. 前記硬化性組成物の総重量を基準に１０重量％〜５０重量％の前記膨張性モノマーと、
   前記硬化性組成物の総重量を基準に５０重量％〜９０重量％の前記アクリレートモノマーと、
   を含む（但し、合計で１００重量％を超えない）、請求項１に記載の硬化性組成物。
3. 前記膨張性モノマー及び前記アクリレートモノマーの総量は、前記硬化性組成物の総重量を基準に少なくとも９５重量％である、請求項１または２に記載の硬化性組成物。
4. 前記硬化性組成物の硬化によって得られる硬化した生成物の体積は、硬化前の前記硬化性組成物の体積よりも３．５％以下だけ小さい、請求項１から３のいずれか１項に記載の硬化性組成物。
5. 前記アクリレートモノマーの量と前記膨張性モノマーの量との比率は、４：１〜１：３である、請求項１から４のいずれか１項に記載の硬化性組成物。
6. 前記膨張性モノマーは、３員環以上の構造を有する１つ以上の環を含む、請求項１から５のいずれか１項に記載の硬化性組成物。
7. 前記膨張性モノマーは、スピロオルトエステル、オルトカーボネート及び二環式オルトエステルからなる群から選択される、請求項１から６のいずれか１項に記載の硬化性組成物。
8. 前記膨張性モノマーは、
   

   

   

   

   

   

   及び
   

   

   からなる群から選択される、請求項１〜７のいずれか１項に記載の硬化性組成物。
9. 前記膨張性モノマーは、異なる膨張性モノマーの混合物を含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の硬化性組成物。
10. 前記アクリレートモノマーは、４．５以下の大西パラメータを有する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の硬化性組成物。
11. 前記アクリレートモノマーは、イソボルニルアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ベンジルアクリレート、ベンジルメタクリレート、ｍ−キシリレンジアクリレート、トリシクロデカンジメタノールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，１０−デカンジオールジアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、及びジシクロペンタニルアクリレート、及びそれらの誘導体からなる群から選択される、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の硬化性組成物。
12. 前記アクリレートモノマーは、異なるアクリレートモノマーの混合物を含む、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の硬化性組成物。
13. 前記硬化性組成物の総重量を基準に５重量％以下の光開始剤を含む、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の硬化性組成物。
14. 前記硬化性組成物の総重量を基準に３重量％以下の光増感剤を含む、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の硬化性組成物。
15. 前記光開始剤は、金属不含のカチオン性光開始剤及びラジカル光開始剤の組合せである、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の硬化性組成物。
16. 前記膨張性モノマー、前記アクリレートモノマー、前記光開始剤、及び前記光増感剤の総量は、前記硬化性組成物の総重量を基準に少なくとも９８重量％である、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の硬化性組成物。
17. 界面活性剤を更に含む、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の硬化性組成物。
18. テンプレート又はスーパーストレートを把持するように構成された第１のチャックと、
    基板を把持するように構成された第２のチャックと、
    前記基板上に請求項１〜１７のいずれか一項に記載の硬化性組成物を散布するように構成された散布システムと、
    前記テンプレート又は前記スーパーストレートを前記基板上の前記硬化性組成物と接触させるように構成された位置決めシステムと、
    前記硬化性組成物を放射線に曝すことによって前記硬化性組成物を硬化させるように構成された放射線源と、
    を備えるナノインプリントリソグラフィシステム。
19. 基板上の請求項１〜１７のいずれか１項に記載の硬化性組成物をテンプレート又はスーパーストレートと接触させることと、
    前記硬化性組成物を放射線に曝露することによって前記硬化性組成物を硬化させることで、硬化した組成物を形成することと、
    前記テンプレート又は前記スーパーストレートを前記硬化した組成物から分離することと、
    前記硬化した組成物が形成された基板を処理することで、物品を製造することと、
    を含む、物品を作製する方法。
20. 前記硬化性組成物は、硬化前に第１の体積を有し、前記硬化した組成物は、硬化後に第２の体積を有し、
    前記第２の体積は、前記第１の体積より３．５％以下だけ小さい、請求項１９に記載の方法。

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