JP2021028911A - 電界発光表示装置およびヘッドマウント表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 パッド電極の周辺部を損傷させずに、パッド電極の上面を露出させることができる電界発光表示装置を提供する。【解決手段】 本発明は、表示領域および非表示領域を備えた基板と、前記基板上の表示領域に備えられた発光素子と、前記発光素子上に備えられ、前記表示領域から前記非表示領域に延長された封止層と、前記基板上の非表示領域に備えられた複数のパッド電極と、前記複数のパッド電極間の領域に備えられて、その下部の絶縁層を保護する保護層とを含んでなり、前記封止層は、前記複数のパッド電極のそれぞれの少なくとも一部及び前記保護層の少なくとも一部を露出させるための開口領域を備えた電界発光表示装置を提供する。【選択図】図２

Description

本発明は、電界発光表示装置に関し、より詳細には、パッド電極を露出させる方法に関する。

電界発光表示装置は、アノード電極とカソード電極の間に発光層が形成された構造からなり、前記二つの電極間の電界により前記発光層が発光することによって画像を表示する装置である。

発光層は、電子と正孔の結合によりエキシトン（ｅｘｃｉｔｏｎ）が生成され、生成されたエキシトンが励起状態（ｅｘｃｉｔｅｄ ｓｔａｔｅ）から基底状態（ｇｒｏｕｎｄ ｓｔａｔｅ）に落ちながら発光する有機物からなり得、量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ）のような無機物からもなり得る。

発光層を発光させるために、様々な回路素子が備えられ、回路素子は、パッド電極を介して印加される外部の駆動信号によって駆動することができる。すなわち、パッド電極に外部駆動素子を接続させることにより、外部駆動素子で生成された駆動信号がパッド電極を介して回路素子に伝達され得る。

したがって、パッド電極を外部駆動素子に接続させるために、パッド電極の上面が外部に露出されるが、パッド電極の上面を外部に露出させるとき、パッド電極の周辺部が損傷する問題が発生し得る。

特開２０１８−１９０４１１

本発明は、前述した従来の問題点を解決するために考案されたものであり、本発明は、製造コストを削減し、パッド電極の周辺部を損傷させずに、パッド電極の上面を露出させることができる電界発光表示装置を提供することを目的とする。

目的を達成するために、本発明は、表示領域および非表示領域を備えた基板と、前記基板上の表示領域に備えられた発光素子と、前記発光素子上に具備され、前記表示領域から前記非表示領域に延長された封止層と、前記基板上の非表示領域に備えられた複数のパッド電極と、および前記複数のパッド電極間の領域に備えられて、その下部の絶縁層を保護する保護層を含んでなり、前記封止層は前記複数のパッド電極それぞれの少なくとも一部及び前記保護層の少なくとも一部を露出させるのための開口領域を備えた電界発光表示装置を提供する。

また、本発明は、表示領域および非表示領域を備えた基板と、前記基板上の表示領域に具備され、アクティブ層、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極を含んでなる薄膜トランジスタ。前記基板上の非表示領域に具備され、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同じ層に備えられたパッド電極と、前記薄膜トランジスタ上に具備され、前記表示領域から前記非表示領域に延長されるパッシベーション層と、前記非表示領域のパッシベーション層上に備えられた保護層と、前記表示領域のパッシベーション層上に備えられた平坦化層と、前記平坦化層に備えられた発光素子；および前記発光素子上に具備され、前記表示領域から前記非表示領域に延長された封止層を含んでなり、前記封止層は、前記パッド電極の少なくとも一部及び前記保護層の少なくとも一部を露出させるための開口領域を備えた電界発光表示装置を提供する。

本発明の一実施例によると、複数のパッド電極間の境界領域に保護層を形成することにより、複数のパッド電極の上面を露出させるために封止層およびその下部のパッシベーション層を除去する工程で、保護層およびその下部のパッシベーション層が残存することになり、複数のパッド電極間の周辺部が損傷する問題を防止することができる。

本発明の一実施例による電界発光表示装置の概略的な平面図である。 本発明の一実施例による電界発光表示装置の概略的な断面図であって、これは、図１のＩ−ＩＩ線の断面に相当する。 本発明の一実施例による電界発光表示装置の概略的な製造工程断面図である。 本発明の一実施例による電界発光表示装置の概略的な製造工程断面図である。 本発明の一実施例による電界発光表示装置の概略的な製造工程断面図である。 本発明の一実施例による電界発光表示装置の概略的な製造工程断面図である。 本発明の他の実施例による電界発光表示装置の概略的な平面図であり、これは、図１のＡ領域の拡大図に該当する。 図４ａのＡ−Ｂ線の断面図である。 図４ａのＣ−Ｄ線の断面図である。 図４ａのＥ−Ｆ線の断面図である。 本発明のまた他の実施例に係る電界発光表示装置の概略的な平面図であり、これは、図１のＡ領域の拡大図に該当する。 図５ａのＡ−Ｂ線の断面図である。 図５ａのＣ−Ｄ線の断面図である。 図５ａのＥ−Ｆ線の断面図である。 本発明の他の実施例による電界発光表示装置の断面図であって、これは表示領域の断面に相当する。 本発明の一実施例によるヘッドマウント表示装置に関するものである。 本発明の一実施例によるヘッドマウント表示装置に関するものである。 本発明の一実施例によるヘッドマウント表示装置に関するものである。

本発明の利点と特徴、そしてそれらを達成する方法は添付の図と共に詳細に後述されている実施例を参照すると明確になるだろう。しかし、本明細書は、以下で開示される実施例に限定されるものではなく、異なる多様な形態で具現されるものであり、単に本実施例は、本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本明細書は、請求項の範疇によってのみ定義される。

本発明の一例を説明するため、図に示した形状、大きさ、比率、角度、個数などは、例示的なものであって、本発明が図に示した事項に限定されるものではない。明細書全体にわたって同一参照符号は同一の構成要素を指す。また、本発明を説明するにおいて、関連する公知技術に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曖昧にすると判断された場合、その詳細な説明は省略する。本明細書で言及した「含む」、「有する」、「からなる」などが使用されている場合、「〜だけ」が使用されていない限り、他の部分を追加することができる。構成要素を単数で表現した場合に特に明示的な記載事項がない限り、複数を含む場合を含む。

構成要素を解釈するに当たり、別途の明示的な記載がなくても誤差の範囲を含むものと解釈する。

位置関係についての説明である場合、例えば、「〜上に」、「〜上部に」、「〜下部に」、「〜横に」などで２つの部分の位置関係が説明されている場合、「すぐに」または「直接」が使用されていない限り、二つの部分の間に１つ以上の他の部分が位置することもできる。

時間の関係についての説明である場合、例えば、「〜後に」、「〜に続いて」、「〜次に」、「〜前に」などで時間的前後関係が説明されている場合、「すぐに」または「直接」が使用されていない以上、連続的でない場合も含むことができる。

第１、第２などが多様な構成要素を記述するために使用されるが、これらの構成要素はこれらの用語によって制限されない。これらの用語は、単に一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用されるものである。したがって、以下で言及される第１構成要素は、本発明の技術的思想内で第２構成要素であることもあり得る。

本発明のいくつかの実施例のそれぞれの特徴が部分的または全体的に互いに結合または組み合わせ可能で、技術的に様々な連動および駆動が可能であり、各実施例が互いに独立的に実施することもでき、関連の関係に一緒に行うこともできる。

以下、図を参照、本発明の好ましい実施例について詳細に説明することにする。

図１は、本発明の一実施例による電界発光表示装置の概略的な平面図である。

図１に示すように、本発明の一実施例による電界発光表示装置は、基板１００上に備えられた表示領域（ＤＡ）および非表示領域（ＮＤＡ）を含んでなる。

表示領域（ＤＡ）には、複数のサブ画素が完備されていて、複数のサブ画素の各々には、回路素子と発光素子が備えられている。

回路素子は、各種の信号配線、薄膜トランジスタ、及びコンデンサなどを含んでなる。信号配線は、ゲート配線、データ配線、電源配線、および基準配線を含んでなり得、薄膜トランジスタは、スイッチング薄膜トランジスタ、駆動薄膜トランジスタおよびセンシング薄膜トランジスタを含んでなり得る。

スイッチング薄膜トランジスタは、ゲート配線に供給されるゲート信号によってスイッチングされ、データ配線から供給されるデータ電圧を駆動薄膜トランジスタに供給する役割をする。駆動薄膜トランジスタは、スイッチング薄膜トランジスタから供給されるデータ電圧によってスイッチングされ、電源配線から供給される電源からのデータ電流を生成して有機発光素子の第１電極に供給する役割をする。センシング薄膜トランジスタは、画質劣化の原因となる駆動薄膜トランジスタの閾値電圧の偏差をセンシングする役割をするものであり、ゲート配線または別のセンシング配線から供給されるセンシング制御信号に応答して駆動薄膜トランジスタの電流を基準配線に供給する。

コンデンサは、駆動薄膜トランジスタに供給されるデータ電圧を１フレームの間維持させる役割をするものであり、駆動薄膜トランジスタのゲート端子およびソース端子にそれぞれ接続する。

発光素子は、回路素子によって駆動する有機発光素子からなることができ、有機発光素子は、第１電極、第２電極及び第１電極と第２電極の間に備えられた発光層を含んでなり得る。

非表示領域（ＮＤＡ）は、表示領域（ＤＡ）の外郭に備えられている。すなわち、非表示領域（ＮＤＡ）は、表示領域（ＤＡ）の上側外郭、下側外郭、右側外郭および左側外郭に設けられる。非表示領域（ＮＤＡ）は、パッド領域（ＰＡ）を含んでなる。パッド領域（ＰＡ）は、の表示領域（ＤＡ）の下側外郭に備えることができるが、必ずしもそれに限定されるものではなく、表示領域（ＤＡ）の上側外郭、右側外郭、または左側外郭に備えることができる。場合によって、パッド領域（ＰＡ）は、表示領域（ＤＡ）の上側外郭、下側外郭、右側外郭および左側外郭のうち少なくとも２つの外郭に設けることもできる。

パッド領域（ＰＡ）には、複数のパッド電極４００が備えられている。複数のパッド電極４００は、複数のリンク配線を介して表示領域（ＤＡ）に備えられた各種信号配線、例えば、ゲート配線、データ配線、電源配線、または基準配線に接続している。それによって、外部の駆動回路から印加される駆動信号は、複数のパッド電極４００を介して、表示領域（ＤＡ）に備えられた各種信号配線に伝達することができる。複数のパッド電極４００の外部の駆動回路を接続できるようにするために、複数のパッド電極４００の上面にコンタクト領域が設けられ、コンタクト領域によって複数のパッド電極４００の上面の少なくとも一部が外部に露出する。

図２は、本発明の一実施例による電界発光表示装置の概略的な断面図であって、これは、図１のＩ−ＩＩ線の断面に相当する。

図２に示すように、基板１００上の表示領域（ＤＡ）には、駆動薄膜トランジスタ（Ｔ）が備えられている。

基板１００は、ガラスまたはプラスチックからなり得るが、必ずしもそれに限定されるものではなく、シリコンウエハのような半導体材料からなることもできる。基板１００は、透明な材料からなることもあり、不透明な材料からなることもある。

駆動薄膜トランジスタ（Ｔ）は、アクティブ層１１０、ゲート絶縁層１２０、ゲート電極１３０、層間絶縁層１４０、ソース電極１５１およびドレイン電極１５２を含んでなり得る。アクティブ層１１０は、基板１００上に形成されていて、ゲート絶縁層１２０は、アクティブ層１１０上に形成されていて、ゲート電極１３０は、ゲート絶縁層１２０上に形成されていて、層間絶縁層１４０は、ゲート電極１３０上に形成されていて、ソース電極１５１とドレイン電極１５２は、層間絶縁層１４０上で互いに向かい合うように形成されている。

ゲート絶縁層１２０と、層間絶縁層１４０は、無機絶縁物からなることができ、非表示領域（ＮＤＡ）まで延長されている。特に、ゲート絶縁層１２０と、層間絶縁層１４０は、非表示領域（ＮＤＡ）の基板１００の端まで延長することができる。

ソース電極１５１は、ゲート絶縁層１２０と、層間絶縁層１４０上に備えられたコンタクトホールを介して、アクティブ層１１０の一側と接続していて、ドレイン電極１５２は、ゲート絶縁層１２０と、層間絶縁層１４０上に備えられたコンタクトホールを介して、アクティブ層１１０の他側と接続している。

このような駆動薄膜トランジスタ（Ｔ）は、ゲート電極１３０がアクティブ層１１０の上側に備えられたトップゲート構造（Ｔｏｐ ｇａｔｅ）からなり得るが、必ずしもそれに限定されるものではなく、ゲート電極１３０がアクティブ層１１０の下に備えられたボトムゲート構造（Ｂｏｔｔｏｍ ｇａｔｅ）からなることもできる。

ソース電極１５１と、ドレイン電極１５２上には、パッシベーション層１６０が形成されていて、パッシベーション層１６０上には平坦化層１８０が形成されている。

パッシベーション層１６０は、無機絶縁層からなることができ、平坦化層１８０は、有機絶縁層からなることができる。パッシベーション層１６０は、非表示領域（ＮＤＡ）まで延長されていて、平坦化層１８０は、非表示領域（ＮＤＡ）に延長されないことがあり得る。パッシベーション層１６０は、非表示領域（ＮＤＡ）の基板１００の端まで延長することができる。平坦化層１８０は、非表示領域（ＮＤＡ）に延長され得るが、の非表示領域（ＮＤＡ）の基板１００の端まで延長されずに、特に、パッド領域（ＰＡ）とは、重畳しないように形成することができる。

平坦化層１８０上には、第１電極２００、バンク２１０、発光層２２０及び第２電極２３０を含む有機発光素子が形成されている。

第１電極２００は、平坦化層１８０上に形成されている。第１電極２００は、陽極として機能することができる。第１電極２００は、パッシベーション層１６０と、平坦化層１８０に形成されたコンタクトホールを介して駆動薄膜トランジスタ（Ｔ）のドレイン電極１５２と接続することができる。ただし、場合によって、第１電極２００が、パッシベーション層１６０と、平坦化層１８０に形成されたコンタクトホールを介して駆動薄膜トランジスタ（Ｔ）のソース電極１５１と接続することもできる。

バンク２１０は、第１電極２００の端を覆いながら、複数のサブ画素間の境界にマトリックス構造で形成されて、個々のサブ画素に発光領域を定義する。すなわち、バンク２１０によって覆われずに露出した第１電極２００の露出領域が発光領域となる。

発光層２２０は、複数のサブ画素領域および、複数のサブ画素間の境界領域に形成することができる。即ち、発光層２２０は、第１電極２００及びバンク２１０上に形成することができる。発光層２２０は、白色（Ｗ）光を発光するように備えることができる。そのために、発光層２２０は、互いに異なる色の光を発光する複数のスタック（ｓｔａｃｋ）を含んでなり得る。

第２電極２３０は、発光層２２０上に形成されている。第２電極２３０は、陰極（Ｃａｔｈｏｄｅ）として機能することができる。第２電極２３０は、発光層２２０と同様に、それぞれのサブ画素および、それらの間の境界領域にも形成される。

本発明の一実施例による電界発光表示装置は、上部発光方式からなることができ、この場合、第２電極２３０は、発光層２２０で発光された光を上部の方に透過させるために、透明な導電物質を含んでなり得る。また、第２電極２３０は、半透明電極からなることもあり、それによって、サブ画素別にマイクロキャビティ（Ｍｉｃｒｏ Ｃａｖｉｔｙ）の効果を得ることができる。第２電極２３０が半透明電極からなる場合、第２電極２３０と、第１電極２００の間で光の反射と再反射が繰り返され、マイクロキャビティ効果を得ることができ、光効率が向上し得る。このようなマイクロキャビティ効果のために、第１電極２００は、反射電極を含んでなり得、特に、第１電極２００は、下部の反射電極および上部の透明電極を含んでなり得る。ここで、反射電極と透明電極は、誘電体を挟んで互いに離隔することができる。

第２電極２３０上には、封止層３００が形成されている。封止層３００は、第１封止層３１０、第２封止層３２０、第３封止層３３０、及び第４封止層３４０を含んでなり得る。

第１封止層３１０は、第２電極２３０上に形成されていて、第２封止層３２０は、第１封止層３１０上に形成されていて、第３封止層３３０は、第２封止層３２０上に形成されていて、第４封止層３４０は、第３封止層３３０上に形成されている。

第１封止層３１０は、非表示領域（ＮＤＡ）まで延長することができ、特に、非表示領域（ＮＤＡ）の基板１００の端まで延長することができるが、パッド領域（ＰＡ）には、形成されない。第２封止層３２０は、非表示領域（ＮＤＡ）まで延長することができるが、の非表示領域（ＮＤＡ）の基板１００の端まで延長することはなく、特にパッド領域（ＰＡ）には、形成されない。ただし、第２封止層３２０が、第１封止層３１０と同じパターンで、非表示領域（ＮＤＡ）の基板１００の端まで延長することもできる。場合によって、第２封止層３２０は、省略することも可能である。第３封止層３３０は、非表示領域（ＮＤＡ）まで延長することができるが、の非表示領域（ＮＤＡ）の基板１００の端まで延長することはなく、特にパッド領域（ＰＡ）には、形成されない。第４封止層３４０は、非表示領域（ＮＤＡ）まで延長することができ、特に、非表示領域（ＮＤＡ）の基板１００の端まで延長することができるが、パッド領域（ＰＡ）には、形成されない。第４封止層３４０は、第１封止層３１０と同じパターンからなり得る。

封止層３００は、無機絶縁層と有機絶縁層が交互に積層された構造からなることができる。そのために、第１封止層３１０ないし第４封止層３４０のそれぞれは、無機絶縁層または有機絶縁層からなることができる。特に、基板１００の先端まで延長される第１封止層３１０と第４封止層３４０は、無機絶縁層からなることができ、基板１００の先端まで延長されない第３封止層３３０は、有機絶縁層からなることができる。

基板１００上の非表示領域（ＤＡ）には、ゲート絶縁層１２０と、層間絶縁層１４０が順番に形成されていて、層間絶縁層１４０上にパッド電極４００が形成されている。パッド電極４００は、ソース電極１５１及びドレイン電極１５２と同一の物質で同一な工程を経て形成され得るが、必ずしもそれに限定されるものではない。

パッド電極４００上には、パッシベーション層１６０が形成されている。パッシベーション層１６０は、パッド電極４００の上面の一部が露出するようにして、パッド電極４００の一側と他側が重畳するように形成することができる。すなわち、パッド電極４００の上面の一部上にはパッシベーション層１６０が除去され、パッド電極４００と外部の駆動回路との間のコンタクト領域（ＣＡ）が設けられる。パッシベーション層１６０は、非表示領域（ＤＡ）の基板１００の端まで延長され、非表示領域（ＤＡ）の基板１００の端と重畳することができる。

複数のパッド電極４００間に備えられたパッシベーション層１６０の上面には、保護層５００が形成されている。保護層５００は、その下部のパッシベーション層１６０を保護する役割を果たし、したがって、の保護層５００とその下部のパッシベーション層１６０は、互いに同一のパターンで形成することができる。保護層５００は、Ａｌ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、またはＴｉのような導電性物質からなることができる。特に、保護層５００は、第１電極２００と同一の物質で同一工程を経て形成することができるが、必ずしもそれに限定されるものではない。

また、非表示領域（ＮＤＡ）内のパッシベーション層１６０上には、封止層３００を形成することができる。ただし、封止層３００は、パッド領域（ＰＡ）から削除され、封止層３００が除去された領域が開口領域（ＯＡ）を構成することになる。開口領域（ＯＡ）は、パッド電極４００及び保護層５００と重畳し、特にパッシベーション層１６０が除去されたコンタクト領域（ＣＡ）と重畳する。したがって、開口領域（ＯＡ）は、パッド電極４００と、保護層５００が外部に露出することができる。

封止層３００は、非表示領域（ＮＤＡ）に形成されるが、開口領域（ＯＡ）には形成されず、したがって、の非表示領域（ＮＤＡ）の基板１００の端と重畳するように形成することができる。特に、基板１００の端と重畳する封止層３００は、保護層５００及びパッシベーション層１６０の上面と接する無機絶縁物からなる第１封止層３１０および、第１封止層３１０と接する無機絶縁物からなる第４封止層３４０を含むことができる。

したがって、の表示領域（ＤＡ）に備えた封止層３００の厚さは、非表示領域（ＮＤＡ）に備えた封止層３００の厚さよりも厚く形成することができる。

図３ａ〜図３ｄは、本発明の一実施例による電界発光表示装置の概略的な製造工程断面図であって、これは前述した図２による電界発光表示装置の製造工程に関するものである。

まず、図３ａに示すように、基板１００上にアクティブ層１１０を形成し、アクティブ層１１０上にゲート絶縁層１２０を形成し、ゲート絶縁層１２０上にゲート電極１３０を形成し、ゲート電極１３０上に層間絶縁層１４０を形成し、層間絶縁層１４０上にソース電極１５１、ドレイン電極１５２およびパッド電極４００を形成し、ソース電極１５１、ドレイン電極１５２およびパッド電極４００上にパッシベーション層１６０を形成し、パッシベーション層１６０上に平坦化層１８０を形成する。

ソース電極１５１とドレイン電極１５２は、ゲート絶縁層１２０と層間絶縁層１４０の所定の領域にコンタクトホールを形成し、コンタクトホールを介して、アクティブ層１１０の一側と他側に接続するように形成する。

ゲート絶縁層１２０、層間絶縁層１４０、及びパッシベーション層１６０は、表示領域（ＤＡ）全体および非表示領域（ＮＤＡ）全体に形成する。平坦化層１８０は、表示領域（ＤＡ）に形成して、非表示領域（ＮＤＡ）の一部領域までに形成することができるが、パッド電極４００と重畳しないように形成する。

次に、図３ｂに示すように、平坦化層１８０上に第１電極２００を形成し、第１電極２００の端を覆うようにバンク２１０を形成し、第１電極２００及びバンク２１０上に発光層２２０を形成し、発光層２２０上に第２電極２３０を形成する。

第１電極２００は、パッシベーション層１６０と、平坦化層１８０の所定の領域にコンタクトホールを形成し、コンタクトホールを介してドレイン電極１５２またはソース電極１５１と接続するように形成する。

次に、図３ｃに示すように、表示領域（ＤＡ）の第２電極２３０および非表示領域（ＮＤＡ）のパッシベーション層１６０上に封止層３００を形成する。具体的には、表示領域（ＤＡ）の第２電極２３０および非表示領域（ＮＤＡ）のパッシベーション層１６０上に第１封止層３１０を形成し、第１封止層３１０上に、第２封止層３２０を形成し、第２封止層３２０上に第３封止層３３０を形成し、第３封止層３３０上に第４封止層３４０を形成する。

第１封止層３１０は、表示領域（ＤＡ）全体および非表示領域（ＮＤＡ）全体に形成する。第２封止層３２０は、表示領域（ＤＡ）全体および非表示領域（ＮＤＡ）の一部に形成する。特に、第２封止層３２０は、パッド電極４００と重畳しないように形成することができる。第３封止層３３０は、表示領域（ＤＡ）全体および非表示領域（ＮＤＡ）の一部に形成する。特に、第３封止層３３０は、パッド電極４００と重畳しないように形成する。第４封止層３４０は、表示領域（ＤＡ）全体および非表示領域（ＮＤＡ）全体に形成する。これにより、非表示領域（ＮＤＡ）の一部領域では、第１封止層３１０の上面が第４封止層３４０の下面と接するようになる。

次に、図３ｄに示すように、複数のパッド電極４００の領域と、それらの間の境界領域に備えられた封止層３００および、その下部のパッシベーション層１６０を除去する。そうすれば、封止層３００が除去されて開口領域（ＯＡ）が形成され、封止層３００下部のパッシベーション層１６０が除去されてコンタクト領域（ＣＡ）が形成される。ただし、複数のパッド電極４００間の境界領域に備えられた保護層５００は、除去されずに残存し、それによって、保護層５００下部のパッシベーション層１６０も残存することになる。

封止層３００および、その下部のパッシベーション層１６０を除去する工程は、レーザーアブレーション（ｌａｓｅｒ ａｂｌａｔｉｏｎ）工程を利用することができ、この場合、別途のマスクが必要なく製造コストを削減することができる利点がある。レーザーアブレーション工程を介してレーザーをスキャンする場合、封止層３００および、その下部のパッシベーション層１６０は、削除されるが、保護層５００は削除されなくなる。一般的に、無機絶縁物は、レーザーのような電磁波に対する浸透深さが深い。一方、導電物質は、レーザーのような電磁波の浸透深さが浅い。したがって、保護層５００として導電物質を用いる場合、レーザーアブレーション（ｌａｓｅｒ ａｂｌａｔｉｏｎ）工程時に削除されずに残存することができ、それによって保護層５００下部のパッシベーション層１６０が残存してパッド電極４００の周辺部、特に、パッド電極４００間の境界領域が損傷する問題が発生しない。

ただし、封止層３００および、その下部のパッシベーション層１６０を除去する工程が必ずしもレーザーアブレーション（ｌａｓｅｒ ａｂｌａｔｉｏｎ）工程からなるわけではなく、ドライエッチング（ｄｒｙ ｅｔｃｈｉｎｇ）工程からなることもできる。

このように、本発明の一実施例によると、複数のパッド電極４００間の境界領域に、保護層５００を形成することにより、複数のパッド電極４００の上面を露出させるために、封止層３００および、その下部のパッシベーション層１６０を除去する工程で、保護層５００および、その下部のパッシベーション層１６０が残存するようになり、複数のパッド電極４００間の周辺部が損傷する問題を防止することができる。ここで、複数のパッド電極４００と保護層５００は、パッシベーション層１６０を間に置いて離隔していて、それによって複数のパッド電極４００と保護層５００は、電気的に絶縁されている。

図４ａは、本発明の他の実施例による電界発光表示装置の概略的な平面図であり、これは、図１のＡ領域の拡大図に該当する。

図４ａに示すように、本発明の他の実施例による電界発光表示装置は、基板１００上に備えられた表示領域（ＤＡ）および非表示領域（ＮＤＡ）を含んでなる。以下では、前述した実施例と異なる構成について説明することにする。

非表示領域（ＮＤＡ）には、パッド領域（ＰＡ）が備えられていて、パッド領域（ＰＡ）には、複数のパッド電極４００および、複数の第１保護層５１０が備えられている。

複数のパッド電極４００は、互いに所定の間隔を有しながら離間している。

複数のパッド電極４００のそれぞれは、表示領域（ＤＡ）と向かい合う第１辺４００ａ、第１辺４００ａから延長され隣接するパッド電極４００と向かい合う第２辺４００ｂ、第２辺４００ｂから延長され第１辺４００ａと向かい合う第３辺４００ｃ、及び第３辺４００ｃから延長され第２辺４００ｂと向かい合う第４辺４００ｄを含んでなる。このような複数のパッド電極４００のそれぞれは、四角形の構造からなることができる。

複数の第１保護層５１０は、複数のパッド電極４００間に備えられ、互いに離隔している。複数の第１保護層５１０のそれぞれは、一つのパッド電極４００の第２辺４００ｂおよびそれと隣接する他の一つのパッド電極４００の第４辺４００ｄとの間に位置する。ただし、最も左側に位置する第１保護層５１０は、最も左側に位置するパッド電極４００の第４辺４００ｄと向かい合うように位置し、最も右側に位置する第１保護層５１０は、最も右側に位置するパッド電極４００の第２辺４００ｂと向かい合うように位置することができる。

複数の第１保護層５１０のそれぞれは、表示領域（ＤＡ）と向かい合う第１辺５１０ａ、第１辺５１０ａから延長され左側のパッド電極４００と向かい合う第２辺５１０ｂ、第２辺５１０ｂから延長され第１辺５１０ａと向かい合う第３辺５１０ｃ、及び第３辺５１０ｃから延長され、第２辺５１０ｂと向かい合う第４辺５１０ｄを含んでなる。このような複数の第１保護層５１０のそれぞれは、四角形の構造からなることができる。

第１保護層５１０の第１辺５１０ａと、パッド電極４００の第１辺４００ａは、互いに同じ延長線上に位置することができ、それによって複数の第１保護層５１０の第１辺５１０ａと、複数のパッド電極４００の第１辺４００ａの組み合わせは、まっすぐな直線をなすことができる。

第１保護層５１０の第２辺５１０ｂと一側（ｅｘ．左側）パッド電極４００の第２辺４００ｂは、互いに一致することができるが、互いに一致しない場合もあり得る。特に、第１保護層５１０の第２辺５１０ｂが、一側パッド電極４００の領域の上側まで延長されることにより、第１保護層５１０と一側パッド電極４００が互いに重畳することができる。

第１保護層５１０の第３辺５１０ｃとパッド電極４００の第３辺４００ｃは、互いに同一の延長線上に位置することができ、それによって複数の第１保護層５１０の第３辺５１０ｃと、複数のパッド電極４００の第３辺４００ｃの組み合わせは、まっすぐな直線をなすことができる。

第１保護層５１０の第４辺５１０ｄと他側（ｅｘ．右側）パッド電極４００の第４辺４００ｄは、互いに一致することができるが、互いに一致しない場合があり得る。特に、第１保護層５１０の第４辺５１０ｄが、他側パッド電極４００の領域の上側まで延長されることにより、第１保護層５１０と他側パッド電極４００が互いに重畳することができる。

第１保護層５１０は、パッド電極４００の第１辺４００ａ及び第３辺４００ｃとは対向しないように配置することができる。

このような第１保護層５１０とパッド電極４００上には、封止層３００が除去された開口領域（ＯＡ）が設けられ、開口領域（ＯＡ）とパッド電極４００が重畳する領域にコンタクト領域（ＣＡ）が設けられる。

開口領域（ＯＡ）は、前述したように、レーザーアブレーション工程で封止層３００が除去された領域であり得、複数の第１保護層５１０の一部分および複数のパッド電極４００の一部分と重畳し、一字型直線構造からなることができる。

開口領域（ＯＡ）は、第１保護層５１０とパッド電極４００の外郭に延長されず、それによって、開口領域（ＯＡ）全体は、第１保護層５１０とパッド電極４００と重畳する。開口領域（ＯＡ）が第１保護層５１０とパッド電極４００の外郭に延長される場合には、第１保護層５１０によって保護されない領域において、封止層３００が除去されてパッド電極４００の周辺部が損傷し得る。

開口領域（ＯＡ）は、第１保護層５１０とパッド電極４００の全領域よりも小さく備えることができるが、必ずしもそれに限定されるものではなく、第１保護層５１０とパッド電極４００の全領域と一致するように備えることもできる。

開口領域（ＯＡ）の一端、例として上端は、第１保護層５１０の第１辺４００ａ及びパッド電極４００の第１辺４００ａと一致しないことがあり得るが、一致することもできる。また、開口領域（ＯＡ）の他端、例として下端は、第１保護層５１０の第３辺４００ｃ及びパッド電極４００の第３辺４００ｃと一致しないことがあり得るが、一致することもできる。また、開口領域（ＯＡ）の側面端は、第１保護層５１０の第２辺４００ｂまたは第４辺４００ｄと一致しないことがあり得るが、一致することもできる。

図４ｂは、図４ａのＡ−Ｂ線の断面図である。

図４ｂに示すように、基板１００上には、ゲート絶縁層１２０が形成されていて、ゲート絶縁層１２０上に層間絶縁層１４０が形成されていて、層間絶縁層１４０上に複数のパッド電極４００が形成されている。

複数のパッド電極４００上にパッシベーション層１６０が形成されていて、前記パッシベーション層１６０上に第１保護層５１０が形成されている。前記パッド電極４００の第２辺４００ｂと第４辺４００ｄは、それぞれ、第１保護層５１０と重畳し、前記第１保護層５１０の第２辺５１０ｂと第４辺５１０ｄは、それぞれ前記パッド電極４００と重畳する。

隣接する二つのパッド電極４００間に位置する第１保護層５１０は、その下に形成されたパッシベーション層１６０と同じパターンで形成される。

一側（ｅｘ．左側）端に位置する第１保護層５１０の上面には、封止層３００が形成されている。具体的には、第１保護層５１０の上面に無機絶縁層である第１封止層３１０が形成され、第１封止層３１０上に無機絶縁層である第４封止層３４０が形成される。封止層３００は、一側端に位置する第１保護層５１０の一部分とは重畳するが、その他の第１保護層５１０およびパッド電極４００とは重畳しない。したがって、封止層３００が形成されない領域が開口領域（ＯＡ）になり、開口領域（ＯＡ）内でパッド電極４００が露出する領域がコンタクト領域（ＣＡ）になる。

図４ｃは、図４ａのＣ−Ｄ線の断面図である。

図４ｃに示すように、基板１００上には、ゲート絶縁層１２０が形成されていて、ゲート絶縁層１２０上に層間絶縁層１４０が形成されていて、層間絶縁層１４０上にパッド電極４００が形成されている。

パッド電極４００上には、パッシベーション層１６０が形成されていて、パッシベーション層１６０上には、封止層３００が形成されている。

パッド電極４００の第１辺４００ａと第３辺４００ｃは、それぞれ、パッシベーション層１６０および封止層３００と重畳する。パッド電極４００上の封止層３００の一部分が除去されて開口領域（ＣＡ）が形成され、また、パッド電極４００上のパッシベーション層１６０の一部分が除去されてパッド電極４００の上面の一部が露出するコンタクト領域（ＣＡ）が設けられる。コンタクト領域（ＣＡ）と接するパッシベーション層１６０の一端と封止層３００の一端は、互いに一致するようにパターンされる。

封止層３００は、パッシベーション層１６０の上面に備えられた無機絶縁層である第１封止層３１０および第１封止層３１０の上面に備えられた無機絶縁層である第４封止層３４０を含んでなる。

図４ｄは、図４ａのＥ−Ｆ線の断面図である。

図４ｄに示すように、基板１００上にゲート絶縁層１２０が形成されていて、ゲート絶縁層１２０上に層間絶縁層１４０が形成されていて、層間絶縁層１４０上にパッシベーション層１６０が形成されていて、パッシベーション層１６０上に第１保護層５１０が形成されている。

第１保護層５１０上に封止層３００が形成されている。封止層３００は、第１保護層５１０の上面に備えられた無機絶縁層である第１封止層３１０と第１封止層３１０の上面に備えられた無機絶縁層である第４封止層３４０を含んでなる。

第１保護層５１０の第１辺５１０ａと第３辺５１０ｃは、それぞれ、封止層３００と重畳する。第１保護層５１０上の封止層３００の一部分は、除去されて、第１保護層５１０の上面の一部が露出する開口領域（ＯＡ）が設けられる。開口領域（ＯＡ）と接する第１封止層３１０の一端と第４封止層３４０の一端は、互いに一致するようにパターンされる。

図５ａは、本発明のまた他の実施例に係る電界発光表示装置の概略的な平面図であり、これは、図１のＡ領域の拡大図に該当する。以下では、前述した図４ａと異なる構成について説明することにする。

図５ａに示すように、基板１００上には、複数のパッド電極４００と保護層５００が形成されている。複数のパッド電極４００のそれぞれは、図４ａによる複数のパッド電極４００のそれぞれと同様に、第１辺４００ａ、第２辺４００ｂ、第３辺４００ｃ、及び第４辺４００ｄを含んでなる。

保護層５００は、複数の第１保護層５１０および複数の第１保護層５１０を連結する第２保護層５２０を含んでなる。複数の第１保護層５１０は、図４ａによる複数の第１保護層５１０と同様に、第１辺５１０ａ、第２辺５１０ｂ、第３辺５１０ｃ、及び第４辺５１０ｄを含んでなる。

第２保護層５２０は、複数の第１保護層５１０の第３辺５１０ｃと接しながら、パッド電極４００の第３辺４００ｃと向かい合うように形成される。第１保護層５１０と第２保護層５２０は、互いに同一の物質で一体に形成される。したがって、本発明のまた他の実施例によれば、保護層５００が、パッド電極４００の第１辺４００ａを除いて、第２辺４００ｂ、第３辺４００ｃ及び第４辺４００ｄと向かい合うように形成される。

開口領域（ＯＡ）は、複数の第１保護層５１０の一部分、第２保護層５２０の一部分および複数のパッド電極４００の一部と重畳し、一字型直線構造からなることができる。ただし、開口領域（ＯＡ）が第２保護層５２０とは、重畳しないないように形成して、前述した図４ａの開口領域（ＯＡ）と同じ構造からなることもできる。

開口領域（ＯＡ）の一端、例として上端は、第１保護層５１０の第１辺４００ａ及びパッド電極４００の第１辺４００ａと一致しないことがあり得るが、一致することもできる。また、開口領域（ＯＡ）の他端、例として下端は、第２保護層５２０の下端と一致しないことがあり得るが、一致することもできる。また、開口領域（ＯＡ）の側面端は、第１保護層５１０の第２辺４００ｂまたは第４辺４００ｄと一致しないことがあり得るが、一致することもできる。

このように、本発明のまた他の実施例によれば、第２保護層５２０を追加で備えることにより、保護層５００の全領域が、前述した図４ａの場合よりも大きくなり、封止層３００を除去して開口領域（ＯＡ）を形成する工程マージンが大きくなり得、前記パッド電極４００が外部に露出するコンタクト領域（ＣＡ）が増加し得る。

図５ｂは、図５ａのＡ−Ｂ線の断面図であって、これは、前述した図４ｂと同じなので、繰り返し説明は省略することにする。

図５ｃは、図５ａのＣ−Ｄ線の断面図である。

図５ｃに示すように、基板１００上にゲート絶縁層１２０が形成されていて、ゲート絶縁層１２０上に層間絶縁層１４０が形成されていて、前記層間絶縁層１４０上にパッド電極４００が形成されていて、パッド電極４００上にパッシベーション層１６０が形成されている。

パッド電極４００の第１辺４００ａの上側のパッシベーション層１６０上には、封止層３００が形成されていて、パッド電極４００の第３辺４００ｃの上側のパッシベーション層１６０上には、第２保護層５２０が形成されていて、第２保護層５２０上に封止層３００が形成されている。

パッド電極４００の第１辺４００ａは、パッシベーション層１６０及び封止層３００と重畳し、パッド電極４００の第３辺４００ｃは、パッシベーション層１６０及び第２保護層５２０と重畳する。

パッド電極４００上の封止層３００の一部分および第２保護層５２０上の封止層３００の一部分が除去されて開口領域（ＯＡ）が設けられる。また、パッド電極４００上のパッシベーション層１６０の一部が除去され、パッド電極４００の上面の一部が露出するコンタクト領域（ＣＡ）が設けられる。開口領域（ＯＡ）は、コンタクト領域（ＣＡ）より大きく形成され、コンタクト領域（ＣＡ）全体は、開口領域（ＯＡ）と重畳する。

パッド電極４００の第１辺４００ａ近傍でパッシベーション層１６０の一端と封止層３００の一端は、互いに一致するようにパターンされるが、パッド電極４００の第３辺４００ｃ近傍でパッシベーション層１６０の一端と封止層３００の一端は、互いに一致しない。

封止層３００は、パッシベーション層１６０の上面に備えられた無機絶縁層である第１封止層３１０および第１封止層３１０の上面に備えられた無機絶縁層である第４封止層３４０を含んでなる。

図５ｄは、図５ａのＥ−Ｆ線の断面図である。

図５ｄに示すように、基板１００上にゲート絶縁層１２０が形成されていて、ゲート絶縁層１２０上に層間絶縁層１４０が形成されていて、層間絶縁層１４０上にパッシベーション層１６０が形成されていて、パッシベーション層１６０上に第１保護層５１０及び第２保護層５２０が形成されている。

第１保護層５１０及び第２保護層５２０上には、封止層３００が形成されている。封止層３００は、第１及び第２保護層５１０、５２０上面に備えられた無機絶縁層である第１封止層３１０および第１封止層３１０の上面に備えられた無機絶縁層の第４封止層３４０を含んでなる。

第１保護層５１０の一端と第２保護層５２０の一端は、それぞれ、封止層３００と重畳する。第１保護層５１０及び第２保護層５２０上の封止層３００の一部分は、除去されて、第１保護層５１０及び第２保護層５２０の上面の一部が露出する開口領域（ＯＡ）が設けられる。開口領域（ＯＡ）と接する第１封止層３１０の一端と第４封止層３４０の一端は、互いに一致するようにパターンされる。

図６は、本発明の他の実施例による電界発光表示装置の断面図であって、これは表示領域の断面に相当する。

図６に示すように、本発明の他の実施例による電界発光表示装置は、基板１００、回路素子層１５０、平坦化層１８０、第１電極２００、バンク２１０、発光層２２０、第２電極２３０、封止層３００、およびカラーフィルタ層６１０、６２０、６３０を含んでなる。以下では、前述した実施例と異なる構成について説明することにする。

回路素子層１５０は、基板１００上に形成されている。回路素子層１５０には、各種の信号配線、薄膜トランジスタ、及びコンデンサなどを含む回路素子がサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）ごとに備えられていて、特に、前述した図２のように、アクティブ層１１０、ゲート絶縁層１２０、ゲート電極１３０、層間絶縁層１４０は、ソース電極１５１、ドレイン電極１５２、およびパッシベーション層１６０が備えられ得る。

平坦化層１８０は、回路素子層１５０上に形成されていて、第１電極２００は、平坦化層１８０上でサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）ごとにパターン形成されている。第１電極２００は、回路素子層１５０に備えられた駆動薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極と接続している。

バンク２１０は、平坦化層１８０上で第１電極２００の両端を覆うように形成され、バンク２１０によって遮られずに露出した第１電極２００の上面の一部領域が発光領域となる。

バンク２１０及び平坦化層１８０には、凹面構造のトレンチ（Ｔ）が形成されている。トレンチ（Ｔ）は、サブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）間の境界領域において、バンク２１０を貫通して平坦化層１８０の所定の領域まで延長することができる。したがって、トレンチ（Ｔ）は、バンク２１０及び平坦化層１８０の所定領域を除去する工程を経て形成することができる。また、図に示していないが、トレンチ（Ｔ）は、平坦化層１８０の下の回路素子層１５０の内部まで延長して形成することもできる。

トレンチ（Ｔ）は、発光層２２０の少なくとも一部を断絶させるためのものである。即ち、発光層２２０の少なくとも一部がトレンチ（Ｔ）内で断絶することで、発光層２２０を介して隣接するサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）間に電荷が移動することが防止され、隣接するサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）間でリーク電流が発生することを防止することができる。このように、発光層２２０の少なくとも一部がトレンチ（Ｔ）内で断絶するようにするために、トレンチ（Ｔ）の幅（ａ）より、トレンチ（Ｔ）の深さ（ｂ）が大きいことが好ましい。

発光層２２０は、複数のサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）領域および、複数のサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）間の境界領域に形成される。即ち、発光層２２０は、第１電極２００及びバンク２１０上に形成され、トレンチ（Ｔ）内の平坦化層１８０上にも形成される。

発光層２２０は、白色（Ｗ）光を発光するように備えることができる。そのために、発光層２２０は、互いに異なる色の光を発光する複数のスタック（ｓｔａｃｋ）を含んでなり得る。具体的には、発光層２２０は、第１スタック２２１、第２スタック２２３、及び第１スタック２２１と第２スタック２２３の間に備えられた電荷生成層（Ｃｈａｒｇｅ ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ； ＣＧＬ）２２２を含んでなり得る。

発光層２２０は、トレンチ（Ｔ）の内部及びトレンチ（Ｔ）の上側に形成される。本発明の一実施例によれば、発光層２２０が、トレンチ（Ｔ）の内部に形成されるとき、発光層２２０の少なくとも一部が切断されることにより、隣接するサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）間でリーク電流の発生が防止されえる。

第１スタック２２１は、トレンチ（Ｔ）の内部の側面に形成され、トレンチ（Ｔ）の内部の下面にも形成することができる。

ここで、トレンチ（Ｔ）の中央部を基準にして、トレンチ（Ｔ）の内部の一側面、例として、左側の側面に形成された第１スタック２２１の第１部分２２１ａと、トレンチ（Ｔ）の内部の他の側面、例として、右側の側面に形成された第１スタック２２１の第２部分２２１ｂは、互いに連結せずに断絶している。また、トレンチ（Ｔ）の内部の下面に形成された第１スタック２２１の第３部分２２１ｃは、トレンチ（Ｔ）の内部の側面に形成された第１スタック２２１の第１部分２２１ａおよび第２部分２２１ｂと相互に連結せず、断絶している。これにより、トレンチ（Ｔ）を挟んで隣接するように配置されたサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）間では、第１スタック２２１を介して電荷が移動することができない。

また、電荷生成層２２２は、第１スタック２２１上に形成されている。ここで、電荷生成層２２２は、トレンチ（Ｔ）の内部まで延長されず、トレンチ（Ｔ）の上側のみに形成することができる。すなわち、電荷生成層２２２は、トレンチ（Ｔ）によって貫通したバンク２１０の一端の上面２１０ａ、すなわちトレンチ（Ｔ）と接するバンク２１０の一端の上面２１０ａより上側に形成することができる。ただし、必ずしもそれに限定されるものではなく、電荷生成層２２２を、トレンチ（Ｔ）の内部まで延長することも可能である。

ここで、トレンチ（Ｔ）の中央部を基準にして、トレンチ（Ｔ）の一側、例として左側に形成された電荷生成層２２２の第１部分２２２ａと、トレンチ（Ｔ）の他側、例として右側に形成された電荷生成層２２２の第２部分２２２ｂは、互いに連結せずに断絶している。電荷生成層２２２の第１部分２２２ａは、第１スタック２２１の第１部分２２１ａ上に形成され、電荷生成層２２２の第２部分２２２ｂは、第１スタック２２１の第２部分２２１ｂ上に形成されたものである。

これにより、トレンチ（Ｔ）を挟んで隣接するように配置されたサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）間では、電荷生成層２２２を介して電荷が移動できない。

また、第２スタック２２３は、電荷生成層２２２上で、トレンチ（Ｔ）を挟んで隣接するように配置されたサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）間で断絶せずに互いに連結することができる。すなわち、トレンチ（Ｔ）の中央部を基準にして、トレンチ（Ｔ）の一側、例として左側に形成された第２スタック２２３の第１部分２２３ａと、トレンチ（Ｔ）の他側、例として右側に形成された第２スタック２２３の第２部分２２３ｂは、相互に連結している。したがって、トレンチ（Ｔ）を挟んで隣接するように配置されたサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）間では、第２スタック２２３を介して電荷が移動できる。

ここで、電荷生成層２２２が断絶したトレンチ（Ｔ）の領域に対応する第２スタック２２３の部分の第１厚さ（ｄ）は、トレンチ（Ｔ）と重複しない領域に対応する第２スタック２２３の部分の第２厚さ（ｄ２）より薄く形成することができる。つまり、電荷生成層２２２の第１部分２２２ａと第２部分２２２ｂの間の領域と重畳する第２スタック２２３の部分の第１厚さ（ｄ１）は、バンク２１０と重畳する第２スタック２２３の第１部分２２３ａ又は第２部分２２３ｂの第２厚さ（ｄ２）より薄く形成することができる。

このように、第２スタック２２３の部分の第１厚さ（ｄ１）が相対的に薄く形成される理由は、第２スタック２２３が、電荷生成層２２２の第１部分２２２ａ及び第２部分２２２ｂの上面それぞれから、互いに離隔した状態で蒸着された後、互いに出会って形成することができるからである。したがって、比較的薄い第１厚さ（ｄ１）に形成される第２スタック２２３の部分の下部の一部は、トレンチ（Ｔ）上側で断絶するように構成することができる。すなわち、第２スタック２２３の第１部分２２３ａの下部の一部と第２スタック２２３の第２部分２２３ｂの下部の一部は、互いに断絶することができる。

以上のような第１スタック２２１、電荷生成層２２２、及び第２スタック２２３の構造によって、トレンチ（Ｔ）内には、空隙（Ｈ）が形成される。空隙（Ｈ）は、平坦化層１８０および発光層２２０によって定義され、したがって、空隙（Ｈ）は、発光層２２０の下に設けられる。即ち、発光層２２０の下に設けられる空隙（Ｈ）は、平坦化層１８０、第１スタック２２１、電荷生成層２２２、及び第２スタック２２３によって定義さされる。空隙（Ｈ）は、トレンチ（Ｔ）の内部からトレンチ（Ｔ）上側まで延長され、空隙（Ｈ）の先端（ＨＴ）は、トレンチ（Ｔ）内で断絶した発光層２２０の少なくとも一部より高い位置に備えられる。具体的には、空隙（Ｈ）の先端（ＨＴ）は、電荷生成層２２２よりも高い位置に形成され、それによって、空隙（Ｈ）によって電荷生成層２２２の第１部分２２２ａと第２部分２２２ｂが断絶することになる。

電荷生成層２２２は、第１スタック２２１及び第２スタック２２３に比べて導電性が大きい。特に、電荷生成層２２２を構成するＮ型電荷生成層は、金属材料を含んでなり得るので、第１スタック２２１及び第２スタック２２３に比べて導電性が大きい。したがって、互いに隣接するように配置されたサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）間での電荷の移動は、主に電荷生成層２２２を介して行われ、第２スタック２２３を介して行われる電荷の移動量は微々である。したがって、本発明の他の実施例によれば、電荷生成層２２２を、トレンチ（Ｔ）の内部で断絶するように構成することにより、互いに隣接するように配置されたサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）間での電荷の移動を減らしてリーク電流の発生を防止することができる。

第２電極２３０は、発光層２２０上でそれぞれのサブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）および、それらの間の境界領域に形成される。

封止層３００は、第２電極２３０上に形成され、前述した様々な実施例のように、第１封止層３１０、第２封止層３２０、第３封止層３３０および第４封止層３４０を含んでなり得る。

カラーフィルタ層６１０、６２０、６３０は、封止層３００上に形成されている。カラーフィルタ層６１０、６２０、６３０は、第１サブ画素（Ｐ１）に備えられた赤色（Ｙ）のカラーフィルタ６１０、第２サブ画素（Ｐ２）に備えられた緑色（Ｇ）カラーフィルタ６２０、及び第３サブ画素（Ｐ３）に備えられた青色（Ｂ）のカラーフィルタ６３０を含んでなり得るが、必ずしもそれに限定されるものではない。一方、図に示していないが、のカラーフィルタ層６１０、６２０、６３０間にブラックマトリックスをさらに形成して、サブ画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）間の境界で光が漏洩することを防止することができる。

図７ａ〜図７ｃは、本発明の一実施例によるヘッドマウント表示（Ｈｅａｄ−Ｍｏｕｎｔｅｄ Ｄｉｓｐｌａｙ Ａｐｐａｒａｔｕｓ）装置に関するものである。図７ａは、概略的な斜視図であり、図７ｂは、ＶＲ（Ｖｉｒｔｕａｌ Ｒｅａｌｉｔｙ）の構造の概略的な平面図であり、図７ｃはＡＲ（Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ Ｒｅａｌｉｔｙ）の構造の概略的な断面図である。

図７ａに示すように、本発明に係るヘッドマウント表示装置は、収納ケース１０、およびヘッドマウントバンド３０を含んでなる。

収納ケース１０は、その内部に表示装置、レンズアレイ、および接眼レンズなどの構成を収納している。

ヘッドマウントバンド３０は、収納ケース１０に固定される。ヘッドマウントバンド３０は、使用者の頭の上面と両側面を囲むように形成された例を示したが、これに限定されない。ヘッドマウントバンド３０は、使用者の頭にヘッドマウント表示装置を固定するためのものであり、メガネフレーム形態やヘルメット形態の構造物に代替することができる。

図７ｂに示すように、本発明に係るＶＲ（Ｖｉｒｔｕａｌ Ｒｅａｌｉｔｙ）の構造のヘッドマウント表示装置は、左眼用表示装置１２と右眼用表示装置１１、レンズアレイ１３、および左眼接眼レンズ２０ａと右眼接眼レンズ２０ｂを含んでなる。

左眼用表示装置１２と右眼用表示装置１１、レンズアレイ１３、及び左眼接眼レンズ２０ａと右眼接眼レンズ２０ｂは、前述した収納ケース１０に収納される。

左眼用表示装置１２と右眼用表示装置１１は、同じ映像を表示することができ、この場合、使用者は、２Ｄ映像を視聴することができる。または、左眼用表示装置１２は、左眼映像を表示して、右眼用表示装置１１は、右眼映像を表示することができ、この場合、使用者は、立体映像を視聴することができる。左眼用表示装置１２と右眼用表示装置１１のそれぞれは、前述した様々な電界発光表示装置からなり得る。ここで、前述した様々な電界発光表示装置に画像が表示される面に該当する上側の部分、例として、カラーフィルタ層６１０、６２０、６３０が、レンズアレイ１３と向かい合うことになる。

レンズアレイ１３は、左眼接眼レンズ２０ａと左眼用表示装置１２のそれぞれと離隔し、左眼接眼レンズ２０ａと左眼用表示装置１２の間に備えることができる。すなわち、レンズアレイ１３は、左眼接眼レンズ２０ａの前方及び左眼用表示装置１２の後方に位置することができる。また、レンズアレイ１３は、右眼接眼レンズ２０ｂと右眼用表示装置１１のそれぞれと離隔し、右眼接眼レンズ２０ｂと右眼用表示装置１１の間に備えることができる。すなわち、レンズアレイ１３は、右眼接眼レンズ２０ｂの前方及び前記右眼用表示装置１１の後方に位置することができる。

レンズアレイ１３は、マイクロレンズアレイ（Ｍｉｃｒｏ Ｌｅｎｓ Ａｒｒａｙ）であり得る。レンズアレイ１３は、ピンホールアレイ（Ｐｉｎ Ｈｏｌｅ Ａｒｒａｙ）に代替することができる。レンズアレイ１３により、左眼用表示装置１２または右眼用表示装置１１に表示される映像は、使用者に拡大して見え得る。

左眼接眼レンズ２０ａには、使用者の左眼（ＬＥ）が位置し、右眼接眼レンズ２０ｂには、使用者の右眼（ＲＥ）が位置することができる。

図７ｃに示すように、本発明に係るＡＲ（Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ Ｒｅａｌｉｔｙ）構造のヘッドマウント表示装置は、左眼用表示装置１２、レンズアレイ１３、左眼接眼レンズ２０ａ、透過反射部１４ 、および透過窓１５を含んでなる。図７ｃは便宜上、左内側の構成だけを示し、右内側の構成も左内側の構成と同じである。

左眼用表示装置１２、レンズアレイ１３、左眼接眼レンズ２０ａ、透過反射部１４、および透過窓１５は、前述した収納ケース１０に収納される。

左眼用表示装置１２は、透過窓１５を覆わずに、の透過反射部１４の一側、例として上側に位置することができる。これにより、左眼用表示装置１２が透過窓１５を介して見える外部の背景を遮らずに、透過反射部１４に映像を提供することができる。

左眼用表示装置１２は、前述した様々な実施例による電界発光表示装置からなり得る。ここで、前述した様々な実施例による電界発光表示装置に画像が表示される面に該当する上側の部分、例として、カラーフィルタ層６１０、６２０、６３０が、透過反射部１４と向かい合うことになる。

レンズアレイ１３は、の左眼接眼レンズ２０ａと透過反射部１４の間に備えることができる。

左眼接眼レンズ２０ａには、使用者の左眼が位置する。

透過反射部１４は、レンズアレイ１３と透過窓１５の間に配置される。透過反射部１４は、光の一部を透過させ、光の他の一部を反射させる反射面１４ａを含むことができる。反射面１４ａは、左眼用表示装置１２に示される映像が、レンズアレイ１３に進むように形成される。したがって、使用者は、透過窓１５を介して、外部の背景と左眼用表示装置１２によって表示される映像の両方を見ることができる。つまり、使用者は現実の背景と仮想の映像を重ねて一つの映像として見ることができるので、拡張現実（Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ Ｒｅａｌｉｔｙ，ＡＲ）を具現することができる。

透過窓１５は、透過反射部１４の前方に配置されている。

以上、添付した図面を参照して、本発明の実施例をさらに詳細に説明したが、本発明は、必ずしもこのような実施例で限定されるわけではなく、本発明の技術思想を逸脱しない範囲内で多様に変形実施することができる。したがって、本発明に開示した実施例は、本発明の技術思想を限定するためのものではなく説明するためのものであり、このような実施例により、本発明の技術思想の範囲が限定されるものではない。従って、以上で記述した実施例は、すべての面で例示的なものであり限定的ではないと理解されなければならない。本発明の保護範囲は、特許請求の範囲によって解釈されなければならず、それと同等の範囲内にあるすべての技術思想は、本発明の権利範囲に含まれるものと解釈されなければならない。

１００：基板
１１０：アクティブ層
１２０：ゲート絶縁層
１３０：ゲート電極
１４０：層間絶縁層
１５１：ソース電極
１５２：ドレイン電極
１６０：パッシベーション層
１８０：平坦化層
２００：第１電極
２１０：バンク
２２０：発光層
２３０：第２電極
３００：封止層
３１０、３２０、３３０、３４０：第１、第２、第３、第４封止層
４００：パッド電極
５００：保護層

Claims (22)

1. 表示領域および非表示領域を備えた基板と、
   前記基板上の表示領域に備えられた発光素子と、
   前記発光素子上に備えられ、前記表示領域から前記非表示領域に延長された封止層と、
   前記基板上の非表示領域に備えられた複数のパッド電極と、
   前記複数のパッド電極間の領域に備えられ、その下部の絶縁層を保護する保護層とを含んでなり、
   前記封止層が、前記複数のパッド電極それぞれの少なくとも一部及び前記保護層の少なくとも一部を露出させるための開口領域を備えた電界発光表示装置。
2. 前記保護層が、導電性物質からなる請求項１に記載の電界発光表示装置。
3. 前記絶縁層が、前記保護層の下に備えられたパッシベーション層を含み、
   前記保護層と、その下のパッシベーション層は、前記複数のパッド電極と重畳する請求項１に記載の電界発光表示装置。
4. 前記複数のパッド電極のそれぞれが、コンタクト領域を介して外部の駆動回路と接続し、前記コンタクト領域は、前記開口領域と重畳する請求項１に記載の電界発光表示装置。
5. 前記開口領域が、前記複数のパッド電極及び前記保護層と重畳しながら延長された直線構造からなる請求項１に記載の電界発光表示装置。
6. 前記開口領域が、前記複数のパッド電極及び前記保護層の全体領域よりも小さいか、同じである請求項５に記載の電界発光表示装置。
7. 前記複数のパッド電極のそれぞれが、前記表示領域と向かい合う第１辺、第１辺から延長され、隣接するパッド電極と向かい合う第２辺、及び前記第２辺から延長され、前記第１辺と向かい合う第３辺を含んでなり、
   前記保護層は、前記複数のパッド電極間に備えられた複数の第１保護層を含んでなり、
   前記複数の第１保護層のそれぞれは、前記表示領域と向かい合う第１辺、前記第１辺から延長され、一つのパッド電極と向かい合う第２辺、及び前記第２辺から延長され、前記第１辺と向かい合う第３辺を含んでなる請求項１に記載の電界発光表示装置。
8. 前記複数の第１保護層のそれぞれが、前記複数のパッド電極の第１辺とは向かい合わない請求項７に記載の電界発光表示装置。
9. 前記複数の第１保護層の第２辺が、前記複数のパッド電極と重畳するよう備えられた請求項７に記載の電界発光表示装置。
10. 前記複数の第１保護層の第１辺と前記複数のパッド電極の第１辺が、互いに同じ延長線上に位置する請求項７に記載の電界発光表示装置。
11. 前記複数の第１保護層の第３辺と接しながら前記複数のパッド電極の第３辺と向かい合う第２保護層をさらに含む請求項７に記載の電界発光表示装置。
12. 前記開口領域が、前記第１保護層の一部および前記第２保護層の一部と重畳する請求項１１に記載の電界発光表示装置。
13. 前記封止層が、第１無機絶縁層、前記第１無機絶縁層上に備えられた有機絶縁層、前記有機絶縁層上に備えられた第２無機絶縁層を含んでなり、
    前記第１無機絶縁層と前記第２無機絶縁層は、前記基板の一端まで延長されていて、前記有機絶縁層は、前記基板の一端まで延長されず、
    前記基板の一端から前記第１無機絶縁層の上面と前記第２無機絶縁層の下面が接する請求項１に記載の電界発光表示装置。
14. 前記第１無機絶縁層の一部および前記第２無機絶縁層の一部が、前記パッド電極及び前記保護層と重畳する請求項１３に記載の電界発光表示装置。
15. 前記発光素子が、第１電極、前記第１電極の端を囲むバンク、前記第１電極及び前記バンク上に備えられた発光層、及び前記発光層上に備えられた第２電極を含んでなり、
    前記発光層の一部は、前記バンクを貫通するトレンチ内で断絶している請求項１に記載の電界発光表示装置。
16. 表示領域および非表示領域を備えた基板と、
    前記基板上の表示領域に具備され、アクティブ層、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極を含んでなる薄膜トランジスタと、
    前記基板上の非表示領域に具備され、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同じ層に備えられたパッド電極と、
    前記薄膜トランジスタ上に具備され、前記表示領域から前記非表示領域に延長されるパッシベーション層と、
    前記非表示領域のパッシベーション層上に備えられた保護層と、
    前記表示領域のパッシベーション層上に備えられた平坦化層と、
    前記平坦化層に備えられた発光素子と、
    前記発光素子上に具備され、前記表示領域から前記非表示領域に延長される封止層とを含んでなり、
    前記封止層が、前記パッド電極の少なくとも一部及び前記保護層の少なくとも一部を露出させるための開口領域を備えた電界発光表示装置。
17. 前記発光素子が、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と第２電極の間に備えられた発光層を含んでなり、
    前記保護層は、前記第１電極と同一の物質からなる請求項１６に記載の電界発光表示装置。
18. 前記保護層と、その下のパッシベーション層は、前記パッド電極と重畳し、前記パッド電極の少なくとも一部は、コンタクト領域を介して外部の駆動回路と接続し、前記コンタクト領域は、前記開口領域と重畳する請求項１６に記載の電界発光表示装置。
19. 前記表示領域に備えられた封止層の厚さが、前記非表示領域に備えられた封止層の厚さよりも厚く、
    前記非表示領域の封止層は、前記基板の一端と重畳する請求項１６に記載の電界発光表示装置。
20. 前記発光素子が、第１電極、前記第１電極の端を囲むバンク、前記第１電極及び前記バンク上に備えられた発光層、及び前記発光層上に備えられた第２電極を含んでなり、
    前記発光層の一部は、前記バンクを貫通するトレンチ内で断絶している請求項１６に記載の電界発光表示装置。
21. 請求項１〜請求項２０のうちのいずれか一項の規定に基づく電界発光表示装置を含むヘッドマウント表示装置。
22. 前記電界発光表示装置と離隔するレンズアレイ、及び前記電界発光表示装置と前記レンズアレイを収納する収納ケースをさらに含んでなる請求項２１に記載のヘッドマウント表示装置。