KR102652963B1 - 전계 발광 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 제1 서브 화소, 제2 서브 화소 및 제3 서브 화소를 구비한 기판; 상기 기판 상의 제1 서브 화소, 제2 서브 화소 및 제3 서브 화소 각각에 구비된 제1 전극; 상기 제1 전극의 가장자리를 가리면서 상기 제1 서브 화소, 제2 서브 화소 및 제3 서브 화소 사이에 구비된 뱅크; 상기 제1 서브 화소의 제1 전극 상에 구비된 제1 발광층; 상기 제2 서브 화소의 제1 전극 상에 구비된 제2 발광층; 상기 제3 서브 화소의 제1 전극 상에 구비된 제3 발광층; 및 상기 제1 내지 제3 발광층 상에 구비된 제2 전극을 포함하여 이루어지고, 상기 제1 서브 화소와 상기 제2 서브 화소 사이의 상기 뱅크 상에 상기 제3 발광층이 추가로 구비되고, 상기 추가로 구비된 제3 발광층은 상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층과 중첩되는 전계 발광 표시 장치를 제공한다.

Description

전계 발광 표시 장치{Electroluminescent Display Device}
본 발명은 전계 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 서브 화소 별로 상이한 색상의 광을 발광하는 전계 발광 표시 장치에 관한 것이다.
전계 발광 표시 장치는 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 발광층이 형성된 구조로 이루어져, 상기 두 개의 전극 사이의 전계에 의해 상기 발광층이 발광함으로써 화상을 표시하는 장치이다.
상기 발광층은 전자와 정공의 결합에 의해 엑시톤(exciton)이 생성되고 생성된 엑시톤이 여기상태(excited state)에서 기저상태(ground state)로 떨어지면서 발광을 하는 유기물로 이루어질 수도 있고, 퀀텀 도트(Quantum dot)와 같은 무기물로 이루어질 수도 있다.
상기 발광층은 서브 화소 별로 상이한 색상, 예로서, 적색, 녹색, 및 청색의 광을 발광하도록 이루어질 수도 있고, 서브 화소 별로 동일한 색상, 예로서, 백색의 광을 발광하도록 이루어질 수도 있다.
상기 발광층이 서브 화소 별로 동일한 색상, 예로서, 백색의 광이 발광하는 경우에는 서로 인접하는 서브 화소 사이에서 발광층을 통해 전하가 이동하여 누설전류가 발생하고 그로 인해서 화상 품질이 저하되는 문제가 있다.
그에 반하여, 상기 발광층이 서브 화소 별로 상이한 색상, 예로서, 서브 화소 별로 적색의 광, 녹색의 광, 및 청색의 광이 발광하는 경우에는 상기의 누설전류의 문제는 발생하지 않는다. 그러나, 이 경우에는 조밀하게 배열된 서브 화소 별로 서로 상이한 발광층을 정밀하게 증착하는데 한계가 있다.
본 발명은 전술한 종래의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 본 발명은 서브 화소 별로 상이한 발광층을 형성함으로써 누설전류의 문제를 방지함과 더불어 조밀하게 배열된 서브 화소 별로 상이한 발광층을 정밀하게 형성할 수 있는 전계 발광 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 제1 서브 화소, 제2 서브 화소 및 제3 서브 화소를 구비한 기판; 상기 기판 상의 제1 서브 화소, 제2 서브 화소 및 제3 서브 화소 각각에 구비된 제1 전극; 상기 제1 전극의 가장자리를 가리면서 상기 제1 서브 화소, 제2 서브 화소 및 제3 서브 화소 사이에 구비된 뱅크; 상기 제1 서브 화소의 제1 전극 상에 구비된 제1 발광층; 상기 제2 서브 화소의 제1 전극 상에 구비된 제2 발광층; 상기 제3 서브 화소의 제1 전극 상에 구비된 제3 발광층; 및 상기 제1 내지 제3 발광층 상에 구비된 제2 전극을 포함하여 이루어지고, 상기 제1 서브 화소와 상기 제2 서브 화소 사이의 상기 뱅크 상에 상기 제3 발광층이 추가로 구비되고, 상기 추가로 구비된 제3 발광층은 상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층과 중첩되는 전계 발광 표시 장치를 제공한다.
본 발명은 또한 기판 상에 구비되며, 제1 색상의 광을 발광하는 제1 서브 화소, 제2 색상의 광을 발광하는 제2 서브 화소, 및 제3 색상의 광을 발광하는 제3 서브 화소를 포함하는 제1 화소; 상기 기판 상에 구비되며, 상기 제1 서브 화소, 상기 제2 서브 화소, 및 상기 제3 서브 화소를 포함하는 제2 화소; 상기 제1 서브 화소, 상기 제2 서브 화소 및 상기 제3 서브 화소 각각에 구비된 제1 전극; 상기 제1 전극의 가장자리를 가리면서 상기 제1 화소와 상기 제2 화소의 사이, 및 상기 제1 내지 제3 서브 화소 사이에 구비된 뱅크; 상기 제1 서브 화소의 제1 전극 상에 구비된 제1 발광층; 상기 제2 서브 화소의 제1 전극 상에 구비된 제2 발광층; 상기 제3 서브 화소의 제1 전극 상에 구비된 제3 발광층; 및 상기 제1 내지 제3 발광층 상에 구비된 제2 전극을 포함하여 이루어지고, 상기 제1 서브 화소와 상기 제2 서브 화소 사이의 상기 뱅크 상에 상기 제3 발광층이 추가로 구비되고, 상기 추가로 구비된 제3 발광층은 상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층과 중첩되는 전계 발광 표시 장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 쉴드층과 포토 레지스트층을 이용하여 서브 화소 별로 상이한 광을 발광하는 발광층을 패턴 형성할 수 있기 때문에, 조밀하게 배열되는 서브 화소에 상기 발광층을 정밀하게 패턴 형성할 수 있다.
특히, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 제2 서브 화소와 제3 서브 화소 사이에 제1 발광층을 추가로 형성하고, 제3 서브 화소와 제1 서브 화소 사이에 제2 발광층을 추가로 형성하고, 제1 서브 화소와 제2 서브 화소 사이에 제3 발광층을 추가로 형성함으로써, 전계 발광 표시 장치의 제조를 위한 리프트 오프 공정 시에 용제의 침투 공간이 증가될 수 있고 그에 따라 제1 내지 제3 발광층을 보다 정밀하게 패턴 형성할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 단면도로서, 도 1의 AB라인의 일 실시예에 따른 단면도이다.
도 3a 내지 도 3h는 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 제조 공정도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 단면도로서, 도 4의 AB라인의 일 실시예에 따른 단면도이다.
도 6a 내지 도 6h는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 제조 공정도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 단면도로서, 도 4의 AB라인의 다른 실시예에 따른 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 단면도로서, 도 4의 AB라인의 또 다른 실시예에 따른 단면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 12a 내지 도 12c는 도 11에 따른 전계 발광 표시 장치의 제조 공정을 보여주는 공정도이다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 단면도로서, 이는 도 11의 AB라인의 단면도이다.
도 14a 내지 도 14c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 이는 헤드 장착형 표시(HMD) 장치에 관한 것이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하, 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 1에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치는 기판(100), 제1 전극(300), 및 발광층(510, 520, 530)을 포함하여 이루어진다.
상기 기판(100) 상에는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3)가 구비되어 있다.
상기 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3)는 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2), 및 제3 서브 화소(SP3)를 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3)가 가로 방향으로 순서대로 배열됨으로써, 상기 제1 서브 화소(SP1)는 상기 제2 서브 화소(SP2) 및 상기 제3 서브 화소(SP3)와 각각 인접하게 배치되고, 상기 제2 서브 화소(SP2)는 상기 제3 서브 화소(SP3) 및 상기 제1 서브 화소(SP1)와 각각 인접하게 배치되고, 상기 제3 서브 화소(SP3)는 상기 제1 서브 화소(SP1) 및 상기 제2 서브 화소(SP2)와 각각 인접하게 배치될 수 있다.
상기 제1 서브 화소(SP1)는 제1 색상, 예로서 적색(R) 광을 방출하도록 구비되고, 상기 제2 서브 화소(SP2)는 제2 색상, 예로서 녹색(G) 광을 방출하도록 구비되고, 상기 제3 서브 화소(SP3)는 제3 색상, 예로서 청색(B) 광을 방출하도록 구비될 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 각각의 서브 화소(SP1, SP2, SP3)에서 방출되는 광의 색상은 다양하게 변경될 수 있다.
상기 제1 전극(300)은 상기 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3) 별로 패턴 형성되어 있다. 즉, 상기 제1 서브 화소(SP1)에 하나의 제1 전극(300)이 형성되고, 상기 제2 서브 화소(SP2)에 다른 하나의 제1 전극(300)이 형성되고, 상기 제3 서브 화소(SP3)에 또 다른 하나의 제1 전극(300)이 형성되어 있다. 상기 제1 전극(300)은 전계 발광 표시 장치의 양극(Anode)으로 기능할 수 있다.
상기 발광층(510, 520, 530)은 상기 제1 서브 화소(SP1)에 형성된 제1 발광층(510), 상기 제2 서브 화소(SP2)에 형성된 제2 발광층(520), 및 상기 제3 서브 화소(SP3)에 형성된 제3 발광층(510)을 포함하여 이루어진다.
상기 제1 발광층(510)은 제1 색상, 예로서 적색(R) 광을 방출하는 유기 발광층을 포함하고, 상기 제2 발광층(520)은 제2 색상, 예로서 녹색(G) 광을 방출하는 유기 발광층을 포함하고, 상기 제3 발광층(530)은 제3 색상, 예로서 청색(B) 광을 방출하는 유기 발광층을 포함할 수 있다. 상기 제1 발광층(510), 상기 제2 발광층(520), 및 상기 제3 발광층(530)은 서로 소정 간격으로 이격될 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 단면도로서, 도 1의 AB라인의 일 실시예에 따른 단면도이다.
도 2에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치는 기판(100), 회로 소자층(200), 제1 전극(300), 뱅크(400), 발광층(510, 520, 530), 제2 전극(600), 및 봉지층(700)을 포함하여 이루어진다.
상기 기판(100)은 유리 또는 플라스틱으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 물질로 이루어질 수도 있다. 상기 기판(100)은 투명한 재료로 이루어질 수도 있고 불투명한 재료로 이루어질 수도 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치는 발광된 광이 상부쪽으로 방출되는 소위 상부 발광(Top emisison) 방식으로 이루어질 수 있고, 따라서, 상기 기판(100)의 재료로는 투명한 재료뿐만 아니라 불투명한 재료가 이용될 수 있다.
상기 회로 소자층(200)은 상기 기판(100) 상에 형성되어 있다.
상기 회로 소자층(200)에는 각종 신호 배선들, 박막 트랜지스터, 및 커패시터 등을 포함하는 회로 소자가 서브 화소(SP1, SP2, SP3) 별로 구비되어 있다.
상기 신호 배선들은 게이트 배선, 데이터 배선, 전원 배선, 및 기준 배선을 포함하여 이루어질 수 있고, 상기 박막 트랜지스터는 스위칭 박막 트랜지스터, 구동 박막 트랜지스터 및 센싱 박막 트랜지스터를 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 스위칭 박막 트랜지스터는 상기 게이트 배선에 공급되는 게이트 신호에 따라 스위칭되어 상기 데이터 배선으로부터 공급되는 데이터 전압을 상기 구동 박막 트랜지스터에 공급하는 역할을 한다.
상기 구동 박막 트랜지스터는 상기 스위칭 박막 트랜지스터로부터 공급되는 데이터 전압에 따라 스위칭되어 상기 전원 배선에서 공급되는 전원으로부터 데이터 전류를 생성하여 상기 제1 전극(300)에 공급하는 역할을 한다.
상기 센싱 박막 트랜지스터는 화질 저하의 원인이 되는 상기 구동 박막 트랜지스터의 문턱 전압 편차를 센싱하는 역할을 하는 것으로서, 상기 게이트 배선 또는 별도의 센싱 배선에서 공급되는 센싱 제어 신호에 응답하여 상기 구동 박막 트랜지스터의 전류를 상기 기준 배선으로 공급한다.
상기 커패시터는 상기 구동 박막 트랜지스터에 공급되는 데이터 전압을 한 프레임 동안 유지시키는 역할을 하는 것으로서, 상기 구동 박막 트랜지스터의 게이트 단자 및 소스 단자에 각각 연결된다.
상기 스위칭 박막 트랜지스터, 구동 박막 트랜지스터 및 센싱 박막 트랜지스터 각각은, 보텀 게이트(Bottom Gate) 구조 또는 탑 게이트(Top Gate) 구조 등 당업계에 공지된 다양한 구조로 변경될 수 있다. 또한, 상기 회로 소자층(200)은 상기 스위칭 박막 트랜지스터, 구동 박막 트랜지스터 및 센싱 박막 트랜지스터를 보호하기 위한 패시베이션층 및 상기 패시베이셔층 상에 구비된 평탄화층을 추가로 포함할 수 있다.
상기 제1 전극(300)은 상기 회로 소자층(200) 상에서 서브 화소(SP1, SP2, SP3) 별로 패턴 형성되어 있다. 상기 제1 전극(300)은 상기 회로 소자층(200)에 구비된 구동 박막 트랜지스터와 연결되어 있다. 구체적으로, 상기 제1 전극(300)은 상기 패시베이셔층과 상기 평탄화층에 구비된 콘택홀을 통해서 상기 구동 박막 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극과 연결되어 있다.
상기 뱅크(400)는 상기 제1 전극(300)의 가장자리를 가리면서 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3) 사이의 경계 영역에 형성된다. 상기 뱅크(400)는 인접하는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3) 사이의 경계 영역에 형성됨으로써 전체적으로 매트릭스 구조로 형성될 수 있다. 상기 뱅크(400)에 의해서 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3)에 발광 영역이 정의된다. 즉, 상기 뱅크(400)에 의해 가려지지 않고 노출된 상기 제1 전극(300)의 노출 영역이 발광 영역을 구성하게 된다.
상기 발광층(510, 520, 530)은 상기 제1 전극(300) 상에서 서브 화소(SP1, SP2, SP3) 별로 패턴 형성되어 있다. 즉, 제1 서브 화소(SP1)의 제1 전극(300) 상에 제1 발광층(510)이 패턴 형성되어 있고, 제2 서브 화소(SP2)의 제1 전극(300) 상에 제2 발광층(520)이 패턴 형성되어 있고, 제3 서브 화소(SP3)의 제1 전극(300) 상에 제3 발광층(530)이 패턴 형성되어 있다.
상기 제1 발광층(510)은 정공 주입층, 정공 수송층, 적색 발광층, 전자 수송층, 및 전자 주입층이 순서대로 적층된 구조를 포함하여 이루어질 수 있다. 상기 제2 발광층(520)은 정공 주입층, 정공 수송층, 녹색 발광층, 전자 수송층, 및 전자 주입층이 순서대로 적층된 구조를 포함하여 이루어질 수 있다. 상기 제3 발광층(530)은 정공 주입층, 정공 수송층, 청색 발광층, 전자 수송층, 및 전자 주입층이 순서대로 적층된 구조를 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 발광층(510, 520, 530)은 인접하는 서브 화소(SP1, SP2, SP3) 사이의 경계에 형성된 상기 뱅크(400) 상에도 형성될 수 있다. 예로서, 상기 발광층(510, 520, 530)은 상기 뱅크(400)의 측면(410)을 따라 상기 뱅크(400)의 상면(420) 일부까지 연장될 수 있다. 이때, 각각의 발광층(510, 520, 530)은 상기 뱅크(400)의 상면(420)에서 소정 간격으로 서로 이격될 수 있다.
상기 제2 전극(600)은 상기 발광층(510, 520, 530) 상에 형성되어 있다. 상기 제2 전극(600)은 전계 발광 표시 장치의 음극(Cathode)으로 기능할 수 있다. 상기 제2 전극(600)은 각각의 서브 화소(SP1, SP2, SP3) 및 그들 사이의 경계 영역에도 형성된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치가 상부 발광 방식으로 이루어진 경우 상기 제2 전극(600)은 상기 발광층(510, 520, 530)에서 발광된 광을 상부쪽으로 투과시키기 위해서 투명한 도전물질을 포함하여 이루어질 수 있다. 또한, 상기 제2 전극(600)은 반투명 전극을 포함할 수 있으며 그에 따라 서브 화소(SP1, SP2, SP3) 별로 마이크로 캐버티(Micro Cavity) 효과를 얻을 수 있다. 즉, 반투명 전극을 포함하는 제2 전극(600)과 반사 전극을 포함하는 제1 전극(300) 사이에서 광의 반사와 재반사가 반복되면서 마이크로 캐버티 효과를 얻을 수 있어 광효율이 향상될 수 있다.
상기 봉지층(700)은 상기 제2 전극(600) 상에 형성되어 상기 발광층(510, 520, 530)으로 외부의 수분이 침투하는 것을 방지하는 역할을 한다. 이와 같은 봉지층(700)은 무기절연물로 이루어질 수도 있고 무기절연물과 유기절연물이 교대로 적층된 구조로 이루어질 수도 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
한편, 상기 제2 전극(600)과 상기 봉지층(700) 사이에 당업계에 공지된 캡핑층(Capping layer)를 추가로 형성하여 광 추출 효과를 증진시킬 수도 있다.
도 3a 내지 도 3h는 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 제조 공정도로서, 이는 전술한 도 2에 따른 전계 발광 표시 장치의 제조 공정에 관한 것이다.
우선, 도 3a에서 알 수 있듯이, 기판(100) 상에 회로 소자층(200)을 형성하고, 상기 회로 소자층(200) 상에서 서브 화소(SP1, SP2, SP3) 별로 제1 전극(300)을 형성하고, 상기 제1 전극(300)의 가장 자리를 덮도록 뱅크(400)를 형성한다.
다음, 도 3b에서 알 수 있듯이, 상기 제1 전극(300) 및 상기 뱅크(400) 상에 쉴드층(910) 및 포토 레지스트층(920)을 차례로 형성하고, 그 후, 제2 서브 화소(SP2) 영역 및 제3 서브 화소(SP3)을 마스크(950)로 가린 상태에서 상기 포토 레지스트층(920) 위에서 광을 조사한다.
상기 마스크(950)는 광을 투과시키는 오픈부(951) 및 광을 차단하는 차광부(952)를 구비하고 있다. 이때, 상기 오픈부(951)는 상기 제1 서브 화소(SP1) 영역에 대응시키고, 상기 차광부(952)는 제2 서브 화소(SP2) 영역 및 제3 서브 화소(SP3) 영역에 대응시킨다. 그에 따라, 상기 광은 상기 오픈부(951)만을 투과하여 상기 제1 서브 화소(SP1) 영역에 조사되고 상기 제2 서브 화소(SP2) 영역 및 제3 서브 화소(SP3) 영역에는 조사되지 않는다. 상기 광은 자외선(UV)을 이용할 수 있다.
상기 쉴드층(910)은 후술하는 도 3c 공정 및 도 3e 공정에서 사용하는 용제(solvent)에 의해서 유기물이 손상되는 것을 방지하는 보호층의 역할을 한다. 이와 같은 쉴드층(910)은 불소 중합체를 포함하여 이루어질 수 있지만 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.
다음, 도 3c에서 알 수 있듯이, 소정의 용제를 이용하여 상기 쉴드층(910) 및 포토 레지스트층(920)에 대한 현상 공정을 수행한다. 그리하면, 광이 조사된 상기 제1 서브 화소(SP1) 영역의 쉴드층(910) 및 포토 레지스트층(920)은 제거되고, 광이 조사되지 않은 상기 제2 서브 화소(SP2) 영역 및 제3 서브 화소(SP3) 영역의 쉴드층(910) 및 포토 레지스트층(920)은 잔존한다. 그에 따라, 상기 제1 서브 화소(SP1)의 제1 전극(300)의 상면 및 상기 제1 서브 화소(SP1)와 인접하는 뱅크(400)의 일부의 상면이 노출된다.
이때, 상기 포토 레지스트층(920) 보다 상기 쉴드층(910)이 더 많이 제거됨으로써, 상기 포토 레지스트층(920) 아래에 언더컷(UC) 구조가 형성된다. 상기 언더컷 구조는 후술하는 도 3e의 리프트 오프(lift off) 공정 시에 용제의 투입을 보다 원활히 하는 역할을 한다.
다음, 도 3d에서 알 수 있듯이, 상기 제1 서브 화소(SP1)의 제1 전극(300)의 상면, 상기 제1 서브 화소(SP1)와 인접하는 뱅크(400)의 일부의 상면, 및 상기 잔존하는 포토 레지스트층(920)의 상면에 제1 발광층(510)을 증착한다.
다음, 도 3e에서 알 수 있듯이, 소정의 용제(solvent)를 이용하여 상기 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3) 영역에 증착된 상기 쉴드층(910), 포토 레지스트층(920) 및 제1 발광층(510)을 리프트 오프 공정을 통해서 제거한다. 그리하면, 상기 제1 서브 화소(SP1)의 제1 전극(300)의 상면 및 상기 제1 서브 화소(SP1)와 인접하는 뱅크(400)의 일부의 상면에만 제1 발광층(510)이 형성된다.
다음, 전술한 도 3b 내지 도 3e의 공정을 반복 수행하되, 도 3b에서 상기 제2 서브 화소(SP2) 영역에 대응하는 오픈부(951) 및 상기 제1 서브 화소(SP1) 영역 및 제3 서브 화소(SP3) 영역에 대응하는 차광부(952)를 구비한 마스크(950)를 이용하여 광을 조사한다.
그리하면, 도 3f와 같이, 상기 제2 서브 화소(SP2)의 제1 전극(300)의 상면 및 상기 제2 서브 화소(SP2)와 인접하는 뱅크(400)의 일부의 상면에만 제2 발광층(520)이 형성된다.
다음, 전술한 도 3b 내지 도 3e의 공정을 반복 수행하되, 도 3b에서 상기 제3 서브 화소(SP3) 영역에 대응하는 오픈부(951) 및 상기 제1 서브 화소(SP1) 영역 및 제2 서브 화소(SP2) 영역에 대응하는 차광부(952)를 구비한 마스크(950)를 이용하여 광을 조사한다.
그리하면, 도 3g와 같이, 상기 제3 서브 화소(SP3)의 제1 전극(300)의 상면 및 상기 제3 서브 화소(SP3)와 인접하는 뱅크(400)의 일부의 상면에만 제3 발광층(530)이 형성된다.
다음, 도 3h에서 알 수 있듯이, 상기 발광층(510, 520, 530) 및 상기 뱅크(400) 상에 제2 전극(600)을 형성하고, 상기 제2 전극(600) 상에 봉지층(700)을 형성한다.
이와 같이 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 쉴드층(910) 및 포토 레지스트층(920)을 이용하여 서브 화소(SP1, SP2, SP3) 별로 상이한 광을 발광하는 발광층(510, 520, 530)을 패턴 형성할 수 있기 때문에, 조밀하게 배열되는 서브 화소(SP1, SP2, SP3)에 상기 발광층(510, 520, 530)을 정밀하게 패턴 형성할 수 있다.
그러나, 도 3a 내지 도 3h에 의한 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 제조 공정은 전술한 도 3e의 리프트 오프 공정이 원활히 수행되지 않는 경우가 발생할 수 있다.
구체적으로 설명하면, 전술한 도 3e의 공정은 소정의 용제를 투입하여 상기 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3) 영역에 증착된 상기 쉴드층(910)을 기판(100)으로부터 떼어냄으로써 상기 쉴드층(910) 위의 포토 레지스트층(920) 및 제1 발광층(510)이 함께 제거되는 공정인데, 이때, 상기 쉴드층(910)의 하면으로 침투할 수 있는 상기 용제의 침투 공간이 상기 제1 서브 화소(SP1) 영역에 한정되기 때문에 상기 용제가 상기 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3) 영역 전체로 충분히 침투하지 못할 수 있다. 이와 같이 상기 용제가 상기 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3) 영역 전체로 충분히 침투하지 못하게 되면, 상기 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3) 영역에 증착된 상기 쉴드층(910), 포토 레지스트층(920) 및 제1 발광층(510)의 일부가 제거되지 못하고 잔존하는 문제가 발생할 수 있다. 한편, 상기 용제의 투입시간을 증가시킴으로써 상기 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3) 영역에 증착된 상기 쉴드층(910), 포토 레지스트층(920) 및 제1 발광층(510)이 잔존하는 것을 방지할 수 있지만, 이 경우에는 공정 시간이 증가되고 상기 용제와의 장시간 접촉으로 인해서 유기물이 손상될 수도 있다.
이하에서는, 용제의 투입시간을 증가시키지 않으면서도 리프트 오프 공정시에 제거되어야 할 상기 쉴드층(910), 포토 레지스트층(920) 및 제1 발광층(510)이 잔존하는 문제를 해소할 수 있는 본 발명의 다양한 실시예에 대해서 설명하기로 한다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 4에서 알 수 있듯이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치는 기판(100), 제1 전극(300), 및 발광층(510, 520, 530)을 포함하여 이루어진다.
상기 기판(100) 상에는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3)가 구비되어 있고, 상기 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3) 별로 상기 제1 전극(300)이 패턴 형성되어 있다. 상기 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3) 및 상기 제1 전극(300)은 전술한 도 1과 동일하므로 반복 설명은 생략하기로 한다.
상기 발광층(510, 520, 530)은 제1 서브 화소(SP1)에 형성된 제1 색상의 광을 방출하는 제1 발광층(510), 제2 서브 화소(SP2)에 형성된 제2 색상의 광을 방출하는 제2 발광층(520), 및 제3 서브 화소(SP3)에 형성된 제3 색상의 광을 방출하는 제3 발광층(510)을 포함하여 이루어진다.
상기 제1 발광층(510)과 상기 제2 발광층(520)은 상기 제1 서브 화소(SP1)와 상기 제2 서브 화소(SP2) 사이에서 서로 이격될 수 있다. 또한, 상기 제2 발광층(520)과 상기 제3 발광층(530)은 상기 제2 서브 화소(SP2)와 상기 제3 서브 화소(SP3) 사이에서 서로 이격될 수 있다. 또한, 상기 제3 발광층(530)과 상기 제1 발광층(510)은 상기 제3 서브 화소(SP3)와 상기 제1 서브 화소(SP1) 사이에서 서로 이격될 수 있다.
한편, 상기 제1 발광층(510)은 상기 제2 서브 화소(SP2)와 상기 제3 서브 화소(SP3) 사이에 추가로 형성되어 있다. 이때, 상기 제2 서브 화소(SP2)와 상기 제3 서브 화소(SP3) 사이에서 상기 제1 발광층(510)은 상기 제2 발광층(520) 및 상기 제3 발광층(530) 각각과 중첩될 수 있다.
또한, 상기 제2 발광층(520)은 상기 제3 서브 화소(SP3)와 상기 제1 서브 화소(SP1) 사이에 추가로 형성되어 있다. 이때, 상기 제3 서브 화소(SP3)와 상기 제1 서브 화소(SP1) 사이에서 상기 제2 발광층(520)은 상기 제3 발광층(530) 및 상기 제1 발광층(510) 각각과 중첩될 수 있다.
또한, 상기 제3 발광층(530)은 상기 제1 서브 화소(SP1)와 상기 제2 서브 화소(SP2) 사이에 추가로 형성되어 있다. 이때, 상기 제1 서브 화소(SP1)와 상기 제2 서브 화소(SP2) 사이에서 상기 제3 발광층(530)은 상기 제1 발광층(510) 및 상기 제2 발광층(520) 각각과 중첩될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 제2 서브 화소(SP2)와 상기 제3 서브 화소(SP3) 사이에 제1 발광층(510)을 추가로 형성하고, 상기 제3 서브 화소(SP3)와 상기 제1 서브 화소(SP1) 사이에 제2 발광층(520)을 추가로 형성하고, 상기 제1 서브 화소(SP1)와 상기 제2 서브 화소(SP2) 사이에 제3 발광층(530)을 추가로 형성함으로써, 전계 발광 표시 장치의 제조를 위한 리프트 오프 공정 시에 용제의 침투 공간이 증가될 수 있고 그에 따라 용제의 투입시간을 줄이면서도 리프트 오프 공정에 의해 제거되어 할 쉴드층(910), 포토 레지스트층(920) 및 발광층(510, 520, 530)이 잔존하는 문제가 해소될 수 있다. 이에 대해서는 후술하는 도 6a 내지 도 6h 공정을 참조하면 보다 용이하게 이해할 수 있을 것이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 단면도로서, 도 4의 AB라인의 일 실시예에 따른 단면도이다.
도 5에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치는 기판(100), 회로 소자층(200), 제1 전극(300), 뱅크(400), 발광층(510, 520, 530), 제2 전극(600), 및 봉지층(700)을 포함하여 이루어진다.
상기 기판(100), 상기 회로 소자층(200), 상기 제1 전극(300), 상기 뱅크(400), 상기 제2 전극(600), 및 상기 봉지층(700)은 전술한 도 2에서와 동일하므로 반복 설명은 생략하기로 한다.
상기 발광층(510, 520, 530)은 제1 서브 화소(SP1)의 제1 전극(300) 상에 형성된 제1 발광층(510), 제2 서브 화소(SP2)의 제1 전극(300) 상에 형성된 제2 발광층(520), 및 제3 서브 화소(SP3)의 제1 전극(300) 상에 형성된 제3 발광층(530)을 포함하여 이루어진다.
상기 제1 발광층(510)은 정공 주입층, 정공 수송층, 적색의 유기 발광층, 전자 수송층, 및 전자 주입층이 순서대로 적층된 구조를 포함하여 이루어질 수 있다. 상기 제2 발광층(520)은 정공 주입층, 정공 수송층, 녹색의 유기 발광층, 전자 수송층, 및 전자 주입층이 순서대로 적층된 구조를 포함하여 이루어질 수 있다. 상기 제3 발광층(530)은 정공 주입층, 정공 수송층, 청색의 유기 발광층, 전자 수송층, 및 전자 주입층이 순서대로 적층된 구조를 포함하여 이루어질 수 있다. 한편, 상기 발광층(510, 520, 530)은 상기 정공 수송층과 상기 적색/녹색/청색 유기 발광층 사이에 구비된 전자 저지층 및 상기 적색/녹색/청색의 유기 발광층과 상기 전자 수송층 사이에 구비된 정공 저지층을 추가로 포함할 수 있다.
상기 제1 서브 화소(SP1)의 제1 전극(300) 상에 형성된 제1 발광층(510)은 제1 서브 화소(SP1)와 제2 서브 화소(SP2) 사이에 구비된 뱅크(400)의 측면(410)을 따라 상면(420) 일부까지 연장되고, 또한 제3 서브 화소(SP3)와 제1 서브 화소(SP1) 사이에 구비된 뱅크(400)의 측면(410)을 따라 상면(420) 일부까지 연장된다.
상기 제2 서브 화소(SP2)의 제1 전극(300) 상에 형성된 제2 발광층(520)은 제2 서브 화소(SP2)와 제3 서브 화소(SP3) 사이에 구비된 뱅크(400)의 측면(410)을 따라 상면(420) 일부까지 연장되고, 또한 제1 서브 화소(SP1)와 제2 서브 화소(SP2) 사이에 구비된 뱅크(400)의 측면(410)을 따라 상면(420) 일부까지 연장된다.
상기 제3 서브 화소(SP3)의 제1 전극(300) 상에 형성된 제3 발광층(530)은 제3 서브 화소(SP3)와 제1 서브 화소(SP1) 사이에 구비된 뱅크(400)의 측면(410)을 따라 상면(420) 일부까지 연장되고, 또한 제2 서브 화소(SP2)와 제3 서브 화소(SP3) 사이에 구비된 뱅크(400)의 측면(410)을 따라 상면(420) 일부까지 연장된다.
상기 제1 발광층(510)과 상기 제2 발광층(520)은 상기 제1 서브 화소(SP1)와 상기 제2 서브 화소(SP2) 사이의 뱅크(400) 상에서 서로 이격될 수 있고, 상기 제2 발광층(520)과 상기 제3 발광층(530)은 상기 제2 서브 화소(SP2)와 상기 제3 서브 화소(SP3) 사이의 뱅크(400) 상에서 서로 이격될 수 있고, 상기 제3 발광층(530)과 상기 제1 발광층(510)은 상기 제3 서브 화소(SP3)와 상기 제1 서브 화소(SP1) 사이의 뱅크(400) 상에서 서로 이격될 수 있다.
한편, 상기 제1 발광층(510)은 상기 제2 서브 화소(SP2)와 상기 제3 서브 화소(SP3) 사이의 뱅크(400) 상에 추가로 형성되어 있다. 이때, 상기 제2 서브 화소(SP2)와 상기 제3 서브 화소(SP3) 사이에서 상기 제1 발광층(510)은 상기 제2 발광층(520) 및 상기 제3 발광층(530) 각각의 아래에 형성될 수 있다. 그에 따라, 상기 제2 서브 화소(SP2)와 상기 제3 서브 화소(SP3) 사이에서 상기 제1 발광층(510)의 하면 전체는 상기 뱅크(400)의 상면(420)과 접하고 상기 제1 발광층(510)의 상면은 상기 제2 발광층(520)의 하면 및 상기 제3 발광층(530)의 하면과 각각 접하게 된다.
상기 제1 서브 화소(SP1)의 제1 전극(300) 상에 형성되는 제1 발광층(510) 및 상기 제2 서브 화소(SP2)와 상기 제3 서브 화소(SP3) 사이의 뱅크(400) 상에 형성되는 제1 발광층(510)은 동일한 공정을 통해 동시에 형성하며 특히 상기 제2 발광층(520) 및 상기 제3 발광층(530)보다 먼저 형성할 수 있다. 그에 따라, 상기 제2 서브 화소(SP2)와 상기 제3 서브 화소(SP3) 사이에서 상기 제1 발광층(510)이 상기 제2 발광층(520) 및 상기 제3 발광층(530) 각각의 아래에 형성될 수 있게 된다.
또한, 상기 제2 발광층(520)은 상기 제3 서브 화소(SP3)와 상기 제1 서브 화소(SP1) 사이의 뱅크(400) 상에 추가로 형성되어 있다. 이때, 상기 제3 서브 화소(SP3)와 상기 제1 서브 화소(SP1) 사이에서 상기 제2 발광층(520)은 상기 제3 발광층(530)의 아래 및 상기 제1 발광층(510)의 위에 형성될 수 있다. 그에 따라, 상기 제3 서브 화소(SP3)와 상기 제1 서브 화소(SP1) 사이에서 상기 제2 발광층(520)의 하면 일부는 상기 뱅크(400)의 상면과 접하고 상기 제2 발광층(520)의 하면 나머지는 상기 제1 발광층(510)의 상면과 접하고 상기 제2 발광층(520)의 상면은 상기 제3 발광층(530)의 하면과는 접하지만 상기 제1 발광층(510)의 하면과는 접하지 않는다.
상기 제2 서브 화소(SP2)의 제1 전극(300) 상에 형성되는 제2 발광층(520) 및 상기 제3 서브 화소(SP3)와 상기 제1 서브 화소(SP1) 사이의 뱅크(400) 상에 형성되는 제2 발광층(520)은 동일한 공정을 통해 동시에 형성하며 특히 상기 제1 발광층(510) 형성 이후 및 상기 제3 발광층(530) 형성 이전에 형성할 수 있다. 그에 따라, 상기 제3 서브 화소(SP3)와 상기 제1 서브 화소(SP1) 사이에서 상기 제2 발광층(520)이 상기 제3 발광층(530)의 아래 및 상기 제1 발광층(510)의 위에 형성될 수 있게 된다.
또한, 상기 제3 발광층(530)은 상기 제1 서브 화소(SP1)와 상기 제2 서브 화소(SP2) 사이의 뱅크(400) 상에 추가로 형성되어 있다. 이때, 상기 제1 서브 화소(SP1)와 상기 제2 서브 화소(SP2) 사이에서 상기 제3 발광층(530)은 상기 제2 발광층(520) 및 상기 제3 발광층(530) 각각의 위에 형성될 수 있다. 그에 따라, 상기 제1 서브 화소(SP1)와 상기 제2 서브 화소(SP2) 사이에서 상기 제3 발광층(530)의 하면은 상기 뱅크(400)의 상면(420), 상기 제1 발광층(510)의 상면 및 상기 제2 발광층(520)의 상면과 각각 접하고 상기 제3 발광층(530)의 상면은 상기 제1 발광층(510) 및 상기 제2 발광층(520)과 접하지 않게 된다.
상기 제3 서브 화소(SP3)의 제1 전극(300) 상에 형성되는 제3 발광층(530) 및 상기 제1 서브 화소(SP1)와 상기 제2 서브 화소(SP2) 사이의 뱅크(400) 상에 형성되는 제3 발광층(530)은 동일한 공정을 통해 동시에 형성하며 특히 상기 제1 발광층(510) 및 상기 제2 발광층(520)보다 나중에 형성할 수 있다. 그에 따라, 상기 제1 서브 화소(SP1)와 상기 제2 서브 화소(SP2) 사이에서 상기 제3 발광층(530)이 상기 제1 발광층(510) 및 상기 제2 발광층(520) 각각의 위에 형성될 수 있게 된다.
도 6a 내지 도 6h는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 제조 공정도로서, 이는 전술한 도 5에 따른 전계 발광 표시 장치의 제조 공정에 관한 것이다.
우선, 도 6a에서 알 수 있듯이, 기판(100) 상에 회로 소자층(200)을 형성하고, 상기 회로 소자층(200) 상에서 서브 화소(SP1, SP2, SP3) 별로 제1 전극(300)을 형성하고, 상기 제1 전극(300)의 가장 자리를 덮도록 뱅크(400)를 형성한다.
다음, 도 6b에서 알 수 있듯이, 상기 제1 전극(300) 및 상기 뱅크(400) 상에 쉴드층(910) 및 포토 레지스트층(920)을 차례로 형성하고, 그 후, 제2 서브 화소(SP2) 영역 및 제3 서브 화소(SP3)을 마스크(950)로 가린 상태에서 상기 포토 레지스트층(920) 위에서 광을 조사한다.
상기 마스크(950)는 광을 투과시키는 오픈부(951) 및 광을 차단하는 차광부(952)를 구비하고 있다. 이때, 상기 오픈부(951)는 상기 제1 서브 화소(SP1) 영역, 및 상기 제2 서브 화소(SP2)와 상기 제3 서브 화소(SP3)의 사이 영역에 대응시키고, 상기 차광부(952)는 제2 서브 화소(SP2) 영역 및 제3 서브 화소(SP3) 영역에 대응시킨다. 그에 따라, 상기 광은 상기 오픈부(951)만을 투과하여 상기 제1 서브 화소(SP1) 영역 및 상기 제2 서브 화소(SP2)와 상기 제3 서브 화소(SP3)의 사이 영역에 조사되고 상기 제2 서브 화소(SP2) 영역 및 제3 서브 화소(SP3) 영역에는 조사되지 않는다.
다음, 도 6c에서 알 수 있듯이, 소정의 용제를 이용하여 상기 쉴드층(910) 및 포토 레지스트층(920)에 대한 현상 공정을 수행한다. 그리하면, 광이 조사된 상기 제1 서브 화소(SP1) 영역 및 상기 제2 서브 화소(SP2)와 상기 제3 서브 화소(SP3)의 사이 영역의 쉴드층(910) 및 포토 레지스트층(920)은 제거되고, 광이 조사되지 않은 상기 제2 서브 화소(SP2) 영역 및 제3 서브 화소(SP3) 영역의 쉴드층(910) 및 포토 레지스트층(920)은 잔존한다. 그에 따라, 상기 제1 서브 화소(SP1)의 제1 전극(300)의 상면, 상기 제1 서브 화소(SP1)와 인접하는 뱅크(400)의 일부의 상면, 및 상기 제2 서브 화소(SP2)와 상기 제3 서브 화소(SP3)의 사이의 뱅크(400)의 일부의 상면이 노출된다.
이때, 상기 포토 레지스트층(920) 보다 상기 쉴드층(910)이 더 많이 제거됨으로써, 상기 포토 레지스트층(920) 아래에 언더컷(UC) 구조가 형성된다.
다음, 도 6d에서 알 수 있듯이, 상기 제1 서브 화소(SP1)의 제1 전극(300)의 상면, 상기 제1 서브 화소(SP1)와 인접하는 뱅크(400)의 일부의 상면, 상기 제2 서브 화소(SP2)와 상기 제3 서브 화소(SP3)의 사이의 뱅크(400)의 일부의 상면, 및 상기 잔존하는 포토 레지스트층(920)의 상면에 제1 발광층(510)을 증착한다.
다음, 도 6e에서 알 수 있듯이, 소정의 용제(solvent)를 이용하여 상기 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3) 영역에 증착된 상기 쉴드층(910), 포토 레지스트층(920) 및 제1 발광층(510)을 리프트 오프 공정을 통해서 제거한다. 그리하면, 상기 제1 서브 화소(SP1)의 제1 전극(300)의 상면, 상기 제1 서브 화소(SP1)와 인접하는 뱅크(400)의 일부의 상면, 및 상기 제2 서브 화소(SP2)와 상기 제3 서브 화소(SP3)의 사이의 뱅크(400)의 일부의 상면에만 제1 발광층(510)이 형성된다.
다음, 전술한 도 6b 내지 도 6e의 공정을 반복 수행하되, 도 6b에서 상기 제2 서브 화소(SP2) 영역 및 상기 제3 서브 화소(SP3)와 상기 제1 서브 화소(SP1) 사이의 영역에 대응하는 오픈부(951), 및 상기 제1 서브 화소(SP1) 영역 및 제3 서브 화소(SP3) 영역에 대응하는 차광부(952)를 구비한 마스크(950)를 이용하여 광을 조사한다.
그리하면, 도 6f와 같이, 상기 제2 서브 화소(SP2)의 제1 전극(300)의 상면, 상기 제2 서브 화소(SP2)와 인접하는 뱅크(400)의 일부의 상면, 및 상기 제3 서브 화소(SP3)와 상기 제1 서브 화소(SP1)의 사이의 뱅크(400)의 일부의 상면에만 제2 발광층(520)이 형성된다. 이때, 상기 제3 서브 화소(SP3)와 상기 제1 서브 화소(SP1)의 사이의 뱅크(400)의 일부의 상면에서 상기 제2 발광층(520)은 상기 제1 발광층(510)의 상면까지 연장된다.
다음, 전술한 도 6b 내지 도 6e의 공정을 반복 수행하되, 도 6b에서 상기 제3 서브 화소(SP3) 영역 및 상기 제1 서브 화소(SP1)와 상기 제2 서브 화소(SP2) 사이의 영역에 대응하는 오픈부(951), 및 상기 제1 서브 화소(SP1) 영역 및 제2 서브 화소(SP2) 영역에 대응하는 차광부(952)를 구비한 마스크(950)를 이용하여 광을 조사한다.
그리하면, 도 6g와 같이, 상기 제3 서브 화소(SP3)의 제1 전극(300)의 상면, 상기 제3 서브 화소(SP3)와 인접하는 뱅크(400)의 일부의 상면, 및 상기 제1 서브 화소(SP1)와 상기 제2 서브 화소(SP2)의 사이의 뱅크(400)의 일부의 상면에만 제3 발광층(530)이 형성된다. 이때, 상기 제1 서브 화소(SP1)와 상기 제2 서브 화소(SP2)의 사이의 뱅크(400)의 일부의 상면에서 상기 제3 발광층(530)은 상기 제1 발광층(510)과 상기 제2 발광층(520)의 상면까지 연장된다.
다음, 도 6h에서 알 수 있듯이, 상기 발광층(510, 520, 530) 및 상기 뱅크(400) 상에 제2 전극(600)을 형성하고, 상기 제2 전극(600) 상에 봉지층(700)을 형성한다.
이와 같이 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 전술한 도 6e의 공정에서 소정의 용제를 투입하여 상기 제2 서브 화소(SP2) 및 제3 서브 화소(SP3) 영역에 증착된 상기 쉴드층(910), 포토 레지스트층(920) 및 제1 발광층(510)을 기판(100)으로부터 떼어낼 때, 상기 쉴드층(910)의 하면으로 침투할 수 있는 상기 용제의 침투 공간이 상기 제1 서브 화소(SP1) 영역뿐만 아니라 상기 제2 서브 화소(SP2)와 상기 제3 서브 화소(SP3) 사이 영역으로 확장될 수 있다. 그에 따라, 상기 용제의 투입시간을 줄이면서도 상기 제2 서브 화소(SP2) 및 상기 제3 서브 화소(SP3) 영역에 증착된 상기 쉴드층(910), 포토 레지스트층(920) 및 제1 발광층(510)을 용이하게 제거할 수 있다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 단면도로서, 이는 발광층(510, 520, 530, 540)의 구성이 변경된 것을 제외하고 전술한 도 5와 동일하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서 동일한 도면부호를 부여하였고, 이하에서는 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
도 7에 따르면, 발광층(510, 520, 530, 540)이 제1 발광층(510), 제2 발광층(520), 제3 발광층(530), 및 제4 발광층(540)을 포함하여 이루어진다.
상기 제1 발광층(510), 제2 발광층(520) 및 제3 발광층(530)의 형성 위치는 전술한 도 5와 동일하다. 다만, 상기 제1 발광층(510), 제2 발광층(520) 및 제3 발광층(530) 각각의 적층 구조는 전술한 도 5와 상이하다.
구체적으로, 상기 제1 발광층(510)은 정공 주입층, 정공 수송층, 및 적색의 유기 발광층이 순서대로 적층된 구조를 가지고, 상기 제2 발광층(520)은 정공 주입층, 정공 수송층, 및 녹색의 유기 발광층이 순서대로 적층된 구조를 가지고, 상기 제3 발광층(530)은 정공 주입층, 정공 수송층, 및 청색이 유기 발광층이 순서대로 적층된 구조를 가질 수 있다. 또한, 상기 발광층(510, 520, 530)은 상기 정공 수송층과 상기 적색/녹색/청색의 유기 발광층 사이에 구비된 전자 저지층을 추가로 포함할 수 있고, 상기 적색/녹색/청색의 유기 발광층과 상기 전자 수송층 사이에 구비된 정공 저지층을 추가로 포함할 수 있다. 이 경우에, 상기 제1 발광층(510), 제2 발광층(520) 및 제3 발광층(530)은 전자 수송층 및 전자 주입층을 포함하지 않을 수 있다. 한편, 상기 발광층(510, 520, 530)이 전자 수송층을 추가로 포함할 수도 있으며, 이 경우 상기 발광층(510, 520, 530)은 전자 주입층을 포함하지 않을 수 있다.
상기 제4 발광층(540)은 상기 제1 발광층(510), 제2 발광층(520) 및 제3 발광층(530)의 상면에 형성되어 있다. 상기 제4 발광층(540)은 제1 서브 화소(SP1), 제2 서브 화소(SP2), 제3 서브 화소(SP3), 및 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3) 사이의 경계 영역 전체에 형성되어 있다. 따라서, 상기 제4 발광층(540)은 기판(100)의 상면 상에 전체적으로 형성되므로 별도의 패터닝 공정이 필요 없다.
상기 제4 발광층(540)은 정공 저지층, 전자 수송층 및 전자 주입층의 적층 구조로 이루어질 수도 있고, 전자 수송층 및 전자 주입층의 적층 구조로 이루어질 수도 있고, 전자 주입층 만으로 이루어질 수도 있다.
도 7에 따르면, 제1 서브 화소(SP1)에서는 상기 제1 발광층(510)과 상기 제4 발광층(540)의 조합에 의해 제1 색, 예로서 적색의 광이 발광하고, 제2 서브 화소(SP2)에서는 상기 제2 발광층(520)과 상기 제4 발광층(540)의 조합에 의해 제2 색, 예로서 녹색의 광이 발광하고, 제3 서브 화소(SP3)에서는 상기 제3 발광층(530)과 상기 제4 발광층(540)의 조합에 의해 제3 색, 예로서 청색의 광이 발광할 수 있다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 단면도로서, 이는 제2 전극(600)의 구성이 변경된 것을 제외하고 전술한 도 5와 동일하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서 동일한 도면부호를 부여하였고, 이하에서는 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
도 8에 따르면, 제2 전극(600)이 제1 발광층(510), 제2 발광층(520) 및 제3 발광층(530) 상에서 상기 제1 발광층(510), 제2 발광층(520) 및 제3 발광층(530) 각각의 패턴과 동일한 패턴으로 동시에 형성될 수 있다.
구체적으로, 제1 서브 화소(SP1) 내에서 제2 전극(600)이 제1 발광층(510)과 동일한 패턴으로 이루어지고, 제2 서브 화소(SP2) 내에서 제2 전극(600)이 제2 발광층(520)과 동일한 패턴으로 이루어지고, 제3 서브 화소(SP3) 내에서 제2 전극(600)이 제3 발광층(530)과 동일한 패턴으로 이루어진다.
또한, 제1 서브 화소(SP1)와 제2 서브 화소(SP2) 사이에서 제2 전극(600)이 제3 발광층(530)과 동일한 패턴으로 이루어지고, 제2 서브 화소(SP2)와 제3 서브 화소(SP3) 사이에서 제2 전극(600)이 제1 발광층(510)과 동일한 패턴으로 이루어지고, 제3 서브 화소(SP3)와 제1 서브 화소(SP1) 사이에서 제2 전극(600)이 제2 발광층(520)과 동일한 패턴으로 이루어진다.
그에 따라, 제1 서브 화소(SP1)와 제2 서브 화소(SP2) 사이의 뱅크(400)의 상면 일 부분(예로서, 좌측 부분) 위에는 제1 발광층(510), 제2 전극(600), 제3 발광층(530), 및 제2 전극(600)이 차례로 형성되고, 제1 서브 화소(SP1)와 제2 서브 화소(SP2) 사이의 뱅크(400)의 상면 다른 부분(예로서, 우측 부분) 위에는 제2 발광층(520), 제2 전극(600), 제3 발광층(530), 및 제2 전극(600)이 차례로 형성되어 있다.
또한, 제2 서브 화소(SP2)와 제3 서브 화소(SP3) 사이의 뱅크(400)의 상면 일 부분(예로서, 좌측 부분) 위에는 제1 발광층(510), 제2 전극(600), 제2 발광층(520), 및 제2 전극(600)이 차례로 형성되고, 제2 서브 화소(SP2)와 제3 서브 화소(SP3) 사이의 뱅크(400)의 상면 다른 부분(예로서, 우측 부분) 위에는 제1 발광층(510), 제2 전극(600), 제3 발광층(530), 및 제2 전극(600)이 차례로 형성되어 있다.
또한, 제3 서브 화소(SP3)와 제1 서브 화소(SP1) 사이의 뱅크(400)의 상면 일 부분(예로서, 좌측 부분) 위에는 제2 발광층(530), 제2 전극(600), 제3 발광층(530), 및 제2 전극(600)이 차례로 형성되고, 제3 서브 화소(SP3)와 제1 서브 화소(SP1) 사이의 뱅크(400)의 상면 다른 부분(예로서, 우측 부분) 위에는 제1 발광층(510), 제2 전극(600), 제2 발광층(520), 및 제2 전극(600)이 차례로 형성되어 있다.
상기 제1 서브 화소(SP1)와 제2 서브 화소(SP2) 사이에 구비된 제2 전극(600), 상기 제2 서브 화소(SP2)와 제3 서브 화소(SP3) 사이에 구비된 제2 전극(600), 및 상기 제3 서브 화소(SP3)와 제1 서브 화소(SP1) 사이에 구비된 제2 전극(600)은 전계 발광 표시 장치의 캐소드로 기능하지 않고, 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3) 내에 각각 구비된 제2 전극(600)이 전계 발광 표시 장치의 캐소드로 기능할 수 있다. 구체적으로 도시하지는 않았지만, 상기 캐소드로 기능하는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3) 내에 각각 구비된 제2 전극(600)은 별도의 도전 라인을 통해서 서로 전기적으로 연결된다.
한편, 도시하지는 않았지만, 도 8의 구조에 전술한 도 7에 따른 제1 발광층(510), 제2 발광층(520), 제3 발광층(530), 및 제4 발광층(540)의 구조가 적용될 수 있다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 9에서 알 수 있듯이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치는 기판(100), 제1 전극(300), 및 발광층(510, 520, 530)을 포함하여 이루어진다.
상기 기판(100) 상에는 복수의 화소(P1, P2)가 구비되어 있다.
상기 복수의 화소(P1, P2)는 서로 인접하는 제1 화소(P1) 및 제2 화소(P2)를 포함한다. 도면에는, 세로 방향으로 인접하는 2개의 화소(P1, P2) 만을 도시하였지만, 가로 방향 및 세로 방향으로 복수의 화소(P1, P2)가 배열된다.
각각의 화소(P1, P2)는 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3)를 포함하여 이루어진다. 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3)는 제1 색상, 예로서 적색(R) 광을 방출하도록 구비된 제1 서브 화소(SP1), 제2 색상, 예로서 녹색(G) 광을 방출하도록 구비된 제2 서브 화소(SP2), 및 제3 색상, 예로서 청색(B) 광을 방출하도록 구비된 제3 서브 화소(SP3)를 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 제1 전극(300)은 상기 복수의 서브 화소(SP1, SP2, SP3) 별로 패턴 형성되어 있다.
상기 발광층(510, 520, 530)은 상기 제1 서브 화소(SP1)에 형성된 제1 발광층(510), 상기 제2 서브 화소(SP2)에 형성된 제2 발광층(520), 및 상기 제3 서브 화소(SP3)에 형성된 제3 발광층(510)을 포함하여 이루어진다.
이때, 상기 제1 화소(P1)의 제1 서브 화소(SP1)에 구비된 제1 발광층(510)은 상기 제2 화소(P2)의 제1 서브 화소(SP1)에 구비된 제1 발광층(510)과 연결되어 있다. 즉, 상기 제1 발광층(510)은 상기 제1 화소(P1)와 제2 화소(P2) 사이의 경계 영역에도 형성된다. 또한, 상기 제1 화소(P1)의 제2 서브 화소(SP2)에 구비된 제2 발광층(520)은 상기 제2 화소(P2)의 제2 서브 화소(SP2)에 구비된 제2 발광층(520)과 연결되어 있다. 즉, 상기 제2 발광층(520)은 제1 화소(P1)와 제2 화소(P2) 사이의 경계 영역에도 형성된다. 또한, 상기 제1 화소(P1)의 제3 서브 화소(SP3)에 구비된 제3 발광층(530)은 상기 제2 화소(P2)의 제3 서브 화소(SP3)에 구비된 제3 발광층(530)과 연결되어 있다. 즉, 상기 제3 발광층(530)은 제1 화소(P1)와 제2 화소(P2) 사이의 경계 영역에도 형성된다.
이와 같이, 도 9에 따르면, 제1 발광층(510), 제2 발광층(520), 및 제3 발광층(530)이 서브 화소(SP1, SP2, SP3)에서 제1 방향, 예로서, 상하 방향으로 연장됨으로써, 전체적으로 스트라이프 구조로 발광층(510, 520, 530)이 형성된다.
한편, 전술한 도 4에서와 유사하게 상기 제1 발광층(510)은 상기 제2 서브 화소(SP2)와 상기 제3 서브 화소(SP3) 사이에 추가로 형성되면서 상기 제2 발광층(520) 및 상기 제3 발광층(530) 각각과 중첩될 수 있다. 또한, 상기 제2 발광층(520)은 상기 제3 서브 화소(SP3)와 상기 제1 서브 화소(SP1) 사이에 추가로 형성되면서 상기 제3 발광층(530) 및 상기 제1 발광층(510) 각각과 중첩될 수 있다. 또한, 상기 제3 발광층(530)은 상기 제1 서브 화소(SP1)와 상기 제2 서브 화소(SP2) 사이에 추가로 형성되면서 상기 제1 발광층(510) 및 상기 제2 발광층(520) 각각과 중첩될 수 있다.
특히, 상기 제2 서브 화소(SP2)와 상기 제3 서브 화소(SP3) 사이에 추가로 형성되는 제1 발광층(510)은 상기 제1 화소(P1), 상기 제2 화소(P2), 및 상기 제1 화소(P1)와 상기 제2 화소(P2) 사이의 경계에 연속적으로 형성된다. 또한, 상기 제3 서브 화소(SP3)와 상기 제1 서브 화소(SP1) 사이에 추가로 형성되는 제2 발광층(520)은 상기 제1 화소(P1), 상기 제2 화소(P2), 및 상기 제1 화소(P1)와 상기 제2 화소(P2) 사이의 경계에 연속적으로 형성된다. 또한, 상기 제1 서브 화소(SP1)와 상기 제2 서브 화소(SP2) 사이에 추가로 형성되는 제3 발광층(530)은 상기 제1 화소(P1), 상기 제2 화소(P2), 및 상기 제1 화소(P1)와 상기 제2 화소(P2) 사이의 경계에 연속적으로 형성된다.
따라서, 상기 제1 발광층(510), 제2 발광층(520), 및 제3 발광층(530)은 서브 화소(SP1, SP2, SP3) 사이에서 상기 제1 방향으로 연장됨으로써, 전체적으로 스트라이프 구조로 형성된다.
도 9의 구조에는 전술한 도 5, 도 7 및 도 8에 따른 제1 발광층(510), 제2 발광층(520), 제3 발광층(530), 제4 발광층(540), 및 제2 전극(600)의 구조가 다양하게 적용될 수 있으며, 이는 후술하는 실시예에도 마찬가지이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 평면도로서, 이는 서브 화소(SP1, SP2, SP3) 사이에 형성되는 제1 발광층(510), 제2 발광층(520) 및 제3 발광층(530)의 구성이 변경된 것을 제외하고 전술한 도 9에 따른 전계 발광 표시 장치와 동일하다. 따라서, 이하에서는 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
도 10에서 알 수 있듯이, 상기 제2 서브 화소(SP2)와 상기 제3 서브 화소(SP3) 사이에 추가로 형성되는 제1 발광층(510)은 상기 제1 화소(P1) 및 상기 제2 화소(P2)에 형성되지만 상기 제1 화소(P1)와 상기 제2 화소(P2) 사이의 경계에는 형성되지 않는다. 그에 따라, 상기 제1 화소(P1)의 제2 서브 화소(SP2)와 제3 서브 화소(SP3) 사이에 형성되는 제1 발광층(510)과 상기 제2 화소(P2)의 제2 서브 화소(SP2)와 제3 서브 화소(SP3) 사이에 형성되는 제1 발광층(510)은 서로 이격되어 있다.
또한, 상기 제3 서브 화소(SP3)와 상기 제1 서브 화소(SP1) 사이에 추가로 형성되는 제2 발광층(520)은 상기 제1 화소(P1) 및 상기 제2 화소(P2)에 형성되지만 상기 제1 화소(P1)와 상기 제2 화소(P2) 사이의 경계에는 형성되지 않는다. 그에 따라, 상기 제1 화소(P1)의 제3 서브 화소(SP3)와 제1 서브 화소(SP1) 사이에 형성되는 제2 발광층(520)과 상기 제2 화소(P2)의 제3 서브 화소(SP3)와 제1 서브 화소(SP1) 사이에 형성되는 제2 발광층(520)은 서로 이격되어 있다.
또한, 상기 제1 서브 화소(SP1)와 상기 제2 서브 화소(SP2) 사이에 추가로 형성되는 제3 발광층(530)은 상기 제1 화소(P1) 및 상기 제2 화소(P2)에 형성되지만 상기 제1 화소(P1)와 상기 제2 화소(P2) 사이의 경계에는 형성되지 않는다. 그에 따라, 상기 제1 화소(P1)의 제1 서브 화소(SP1)와 제2 서브 화소(SP2) 사이에 형성되는 제3 발광층(530)과 상기 제2 화소(P2)의 제1 서브 화소(SP1)와 제2 서브 화소(SP2) 사이에 형성되는 제3 발광층(530)은 서로 이격되어 있다.
전술한 도 6b 내지 도 6e를 참조하면, 상기 서브 화소(SP1, SP2, SP3) 사이에 추가로 형성된 발광층(510, 520, 530)의 영역은 쉴드층(910)과 포토 레지스트층(920)이 제거된 영역으로서, 이 영역으로 인해서 리프트 오프 공정시 용제의 침투 공간이 증가될 수 있게 된다. 따라서, 상기 쉴드층(910)과 포토 레지스트층(920)이 제거된 영역을 증가시키면 리프트 오프 공정시 용제의 침투 공간이 증가되는 장점이 있다.
그러나, 전술한 도 9에서와 같이 상기 쉴드층(910)과 포토 레지스트층(920)이 제거된 영역이 상하 방향으로 연속된 구조로 이루어지게 되면, 각각의 서브 화소(SP1, SP2, SP3) 내에 잔존하는 쉴드층(910)이 리프트 오프 공정 이전에 벗겨질 가능성이 있다.
이에 대해서 구체적으로 설명하면, 상기 쉴드층(910)은 추후 리프트 오프 공정을 통해 용이하게 제거될 수 있도록 그 하부층과의 접착력이 크지 않도록 구성되어 있다. 이때, 상기 쉴드층(910)과 포토 레지스트층(920)이 제거된 영역이 상하 방향으로 연속된 구조로 이루어지게 되면, 각각의 서브 화소(SP1, SP2, SP3) 내에 잔존하는 쉴드층(910)이 서로 연결되지 못하고 이격된 구조로 이루어지게 되어, 리프트 오프 공정 이전에 상기 잔존하는 쉴드층(910)이 벗겨질 가능성이 있다.
따라서, 도 10에서는 상기 쉴드층(910)과 포토 레지스트층(920)이 제거된 영역, 즉, 상기 서브 화소(SP1, SP2, SP3) 사이에 추가된 발광층(510, 520, 530)의 형성 영역이 상하 방향으로 연속된 구조로 이루어지지 않고 제1 화소(P1)와 제2 화소(P2) 사이의 경계에서 끊어지도록 구성함으로써, 상기 제1 화소(P1)와 제2 화소(P2) 사이의 경계를 통해서 각각의 서브 화소(SP1, SP2, SP3) 내에 잔존하는 쉴드층(910)이 서로 연결되어 리프트 오프 공정 이전에 쉽게 벗겨지지 않게 된다.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 개략적인 평면도로서, 이는 화소(P1, P2) 사이의 경계에 발광층(510, 520, 530)이 추가로 형성된 것을 제외하고 전술한 도 10에 따른 전계 발광 표시 장치와 동일하다.
도 11에서 알 수 있듯이, 제1 화소(P1)의 제1 서브 화소(SP1)와 제2 화소(P2)의 제1 서브 화소(SP1) 사이의 경계에 제2 발광층(520)과 제3 발광층(530)이 추가로 형성되어 있다. 이때, 상기 제1 화소(P1)의 제1 서브 화소(SP1)와 제2 화소(P2)의 제1 서브 화소(SP1) 사이의 경계에서, 상기 제2 발광층(520)은 상기 제3 발광층(530)의 아래에 형성되며, 상기 제2 발광층(520)과 상기 제3 발광층(530)은 서로 대칭되는 각형 구조로 이루어져 있다.
또한, 제1 화소(P1)의 제2 서브 화소(SP2)와 제2 화소(P2)의 제2 서브 화소(SP2) 사이의 경계에 제1 발광층(510)과 제3 발광층(530)이 형성되어 있다. 이때, 상기 제1 화소(P1)의 제2 서브 화소(SP2)와 제2 화소(P2)의 제2 서브 화소(SP2) 사이의 경계에서, 상기 제1 발광층(510)은 상기 제3 발광층(530)의 아래에 형성되며, 상기 제1 발광층(510)과 상기 제3 발광층(530)은 서로 대칭되는 각형 구조로 이루어져 있다.
또한, 제1 화소(P1)의 제3 서브 화소(SP3)와 제2 화소(P2)의 제3 서브 화소(SP3) 사이의 경계에 제1 발광층(510)과 제2 발광층(520)이 형성되어 있다. 이때, 상기 제1 화소(P1)의 제3 서브 화소(SP3)와 제2 화소(P2)의 제3 서브 화소(SP3) 사이의 경계에서, 상기 제1 발광층(510)은 상기 제2 발광층(520)의 아래에 형성되며, 상기 제1 발광층(510)과 상기 제2 발광층(520)은 서로 대칭되는 각형 구조로 이루어져 있다.
상기 제1 화소(P1)의 제1 서브 화소(SP1)와 제2 화소(P2)의 제1 서브 화소(SP1) 사이의 경계에 구비된 상기 제2 및 제3 발광층(520, 530), 상기 제1 화소(P1)의 제2 서브 화소(SP2)와 제2 화소(P2)의 제2 서브 화소(SP2) 사이의 경계에 구비된 제1 및 제3 발광층(510, 530), 및 상기 제1 화소(P1)의 제3 서브 화소(SP3)와 제2 화소(P2)의 제3 서브 화소(SP3) 사이의 경계에 구비된 제1 및 제2 발광층(510, 520)은 서로 연결되지 않고 이격되어 있다.
도 12a 내지 도 12c는 도 11에 따른 전계 발광 표시 장치의 제조 공정을 보여주는 공정도로서, 이는 상기 발광층(510, 520, 530)의 형성 공정을 통해서 상기 발광층(510, 520, 530)의 구조를 보다 용이하게 보여주기 위한 것이다.
우선, 도 12a에서 알 수 있듯이, 복수의 화소(P1, P2)의 제1 서브 화소(SP1)에 제1 발광층(510)을 상하 방향으로 연속적으로 형성하고, 복수의 화소(P1, P2)의 제2 서브 화소(SP2)와 제3 서브 화소(SP3) 사이의 경계에 제1 발광층(510)을 상하 방향으로 불연속적으로 형성하고, 제1 화소(P1)의 제2 서브 화소(SP2)와 제2 화소(P2)의 제2 서브 화소(SP2) 사이의 경계에 제1 발광층(510)을 형성하고, 제1 화소(P1)의 제3 서브 화소(SP3)와 제2 화소(P2)의 제3 서브 화소(SP3) 사이의 경계에 제1 발광층(510)을 형성한다.
이때, 복수의 화소(P1, P2)의 제2 서브 화소(SP2)와 제3 서브 화소(SP3) 사이의 경계에 불연속적으로 형성된 제1 발광층(510), 상기 제1 화소(P1)의 제2 서브 화소(SP2)와 제2 화소(P2)의 제2 서브 화소(SP2) 사이의 경계에 형성된 제1 발광층(510), 및 상기 제1 화소(P1)의 제3 서브 화소(SP3)와 제2 화소(P2)의 제3 서브 화소(SP3) 사이의 경계에 형성된 제1 발광층(510)은 서로 접하지 않고 이격되어 있다. 따라서, 전술한 도 10에서 설명한 바와 같이, 상기 제1 발광층(510) 사이의 이격 공간을 통해서 제2 서브 화소(SP2)와 제3 서브 화소(SP3)에 잔존하는 쉴드층(910)이 서로 연결될 수 있어 리프트 오프 공정 이전에 쉽게 벗겨지지 않게 된다.
한편, 상기 제1 화소(P1)의 제2 서브 화소(SP2)와 제2 화소(P2)의 제2 서브 화소(SP2) 사이의 경계에 형성된 제1 발광층(510)의 상하방향의 폭은 일정하지 않을 수 있다. 구체적으로, 상대적으로 제2 서브 화소(SP2)와 제3 서브 화소(SP3) 사이의 경계에 가까운 제1 발광층(510) 부분의 상하방향의 제1 폭(h1)은 상대적으로 제2 서브 화소(SP2)와 제3 서브 화소(SP3) 사이의 경계에서 먼 제1 발광층(510) 부분의 상하방향의 제2 폭(h2)보다 크게 형성될 수 있다. 특히, 상기 제1 화소(P1)의 제2 서브 화소(SP2)와 제2 화소(P2)의 제2 서브 화소(SP2) 사이의 경계에 형성된 제1 발광층(510)은 삼각형 구조로 이루어질 수 있으며, 상기 제1 발광층(510)의 일변(510a)은 제2 서브 화소(SP2)와 제3 서브 화소(SP3) 사이의 경계를 향하면서 상하방향으로 연장될 수 있다.
또한, 상기 제1 화소(P1)의 제3 서브 화소(SP3)와 제2 화소(P2)의 제3 서브 화소(SP3) 사이의 경계에 형성된 제1 발광층(510)의 상하방향의 폭은 일정하지 않을 수 있다. 구체적으로, 상대적으로 제2 서브 화소(SP2)와 제3 서브 화소(SP3) 사이의 경계에 가까운 제1 발광층(510) 부분의 상하방향의 제1 폭(h1)은 상대적으로 제2 서브 화소(SP2)와 제3 서브 화소(SP3) 사이의 경계에서 먼 제1 발광층(510) 부분의 상하방향의 제2 폭(h2)보다 크게 형성될 수 있다. 특히, 상기 제1 화소(P1)의 제3 서브 화소(SP3)와 제2 화소(P2)의 제3 서브 화소(SP3) 사이의 경계에 형성된 제1 발광층(510)은 삼각형 구조로 이루어질 수 있으며, 상기 제1 발광층(510)의 일변(510a)은 제2 서브 화소(SP2)와 제3 서브 화소(SP3) 사이의 경계를 향하면서 상하방향으로 연장될 수 있다.
전술한 도 6b 내지 도 6e를 참조하면, 상기 제1 발광층(510)의 형성 영역은 쉴드층(910)과 포토 레지스트층(920)이 제거된 영역으로서, 이 영역을 통해서 리프트 오프 공정시 용제가 제2 서브 화소(SP2)와 제3 서브 화소(SP3)에 잔존하는 쉴드층(910)의 하면으로 침투하게 된다. 이때, 상기 용제가 상기 쉴드층(910)의 하면으로 균일하게 침투시키기 위해서, 본 발명의 또 다른 실시예에서는 상기 제1 발광층(510)의 제1 폭(h1)을 상기 제1 발광층(510)의 제2 폭(h2)보다 크게 형성한 것이다.
구체적으로 설명하면, 상기 제1 서브 화소(SP2) 영역에는 상대적으로 넓은 면적으로 쉴드층(910)과 포토 레지스트층(920)이 제거되어 있기 때문에 많은 양의 용제가 상기 제1 서브 화소(SP1)에서 상기 제2 및 제3 서브 화소(SP2, SP3) 쪽으로 침투하는 반면, 상기 제2 서브 화소(SP2)와 상기 제3 서브 화소(SP3) 사이의 경계 영역에는 상대적으로 좁은 면적으로 쉴드층(910)과 포토 레지스트층(920)이 제거되어 있기 때문에 적은 양의 용제가 상기 제2 서브 화소(SP2)와 상기 제3 서브 화소(SP3) 사이의 경계에서 상기 제2 및 제3 서브 화소(SP2, SP3) 쪽으로 침투하게 된다. 따라서, 본 발명의 또 다른 실시예에서는 상기 용제의 침투량의 차이를 보상하기 위해서, 상기 제2 서브 화소(SP2)와 상기 제3 서브 화소(SP3) 사이의 경계에서 가까운 제1 발광층(510) 부분의 제1 폭(h1)을 상기 제2 서브 화소(SP2)와 상기 제3 서브 화소(SP3) 사이의 경계에서 먼 제1 발광층(510) 부분의 제2 폭(h2)보다 크게 형성함으로써, 상기 제2 서브 화소(SP2)와 상기 제3 서브 화소(SP3) 사이의 경계에서 가까운 부분으로부터 침투하는 용제의 양을 상기 제2 서브 화소(SP2)와 상기 제3 서브 화소(SP3) 사이의 경계에서 먼 부분으로부터 침투하는 용제의 양보다 많게 한 것이다.
다음, 도 12b에서 알 수 있듯이, 복수의 화소(P1, P2)의 제2 서브 화소(SP2)에 제2 발광층(510)을 상하 방향으로 연속적으로 형성하고, 복수의 화소(P1, P2)의 제3 서브 화소(SP3)와 제1 서브 화소(SP1) 사이의 경계에 제2 발광층(520)을 상하 방향으로 불연속적으로 형성하고, 제1 화소(P1)의 제3 서브 화소(SP3)와 제2 화소(P2)의 제3 서브 화소(SP3) 사이의 경계에 제2 발광층(520)을 형성하고, 제1 화소(P1)의 제1 서브 화소(SP1)와 제2 화소(P2)의 제1 서브 화소(SP1) 사이의 경계에 제2 발광층(520)을 형성한다.
이때, 복수의 화소(P1, P2)의 제3 서브 화소(SP3)와 제1 서브 화소(SP1) 사이의 경계에 불연속적으로 형성된 제2 발광층(520), 상기 제1 화소(P1)의 제3 서브 화소(SP3)와 제2 화소(P2)의 제3 서브 화소(SP2) 사이의 경계에 형성된 제2 발광층(520), 및 상기 제1 화소(P1)의 제1 서브 화소(SP1)와 제2 화소(P2)의 제1 서브 화소(SP1) 사이의 경계에 형성된 제2 발광층(520)은 서로 접하지 않고 이격되어 있다. 따라서, 전술한 도 10에서 설명한 바와 같이, 상기 제2 발광층(520) 사이의 이격 공간을 통해서 제3 서브 화소(SP3)와 제1 서브 화소(SP1)에 잔존하는 쉴드층(910)이 서로 연결될 수 있어 리프트 오프 공정 이전에 쉽게 벗겨지지 않게 된다.
한편, 상기 제1 화소(P1)의 제3 서브 화소(SP3)와 제2 화소(P2)의 제3 서브 화소(SP3) 사이의 경계에 형성된 제2 발광층(520)의 상하방향의 폭은 일정하지 않을 수 있다. 구체적으로, 상대적으로 제3 서브 화소(SP3)와 제1 서브 화소(SP1) 사이의 경계에 가까운 제2 발광층(520) 부분의 상하방향의 제1 폭(h1)은 상대적으로 제3 서브 화소(SP3)와 제1 서브 화소(SP1) 사이의 경계에서 먼 제2 발광층(520) 부분의 상하방향의 제2 폭(h2)보다 크게 형성될 수 있다. 특히, 상기 제1 화소(P1)의 제3 서브 화소(SP3)와 제2 화소(P2)의 제3 서브 화소(SP3) 사이의 경계에 형성된 제2 발광층(520)은 삼각형 구조로 이루어질 수 있으며, 상기 제1 발광층(520)의 일변(520a)은 제3 서브 화소(SP3)와 제1 서브 화소(SP1) 사이의 경계를 향하면서 상하방향으로 연장될 수 있다.
또한, 상기 제1 화소(P1)의 제1 서브 화소(SP1)와 제2 화소(P2)의 제1 서브 화소(SP1) 사이의 경계에 형성된 제2 발광층(520)의 상하방향의 폭은 일정하지 않을 수 있다. 구체적으로, 상대적으로 제3 서브 화소(SP3)와 제1 서브 화소(SP1) 사이의 경계에 가까운 제2 발광층(520) 부분의 상하방향의 제1 폭(h1)은 상대적으로 제3 서브 화소(SP3)와 제1 서브 화소(SP1) 사이의 경계에서 먼 제2 발광층(520) 부분의 상하방향의 제2 폭(h2)보다 크게 형성될 수 있다. 특히, 상기 제1 화소(P1)의 제1 서브 화소(SP1)와 제2 화소(P2)의 제1 서브 화소(SP1) 사이의 경계에 형성된 제2 발광층(520)은 삼각형 구조로 이루어질 수 있으며, 상기 제2 발광층(520)의 일변(520a)은 제3 서브 화소(SP3)와 제1 서브 화소(SP1) 사이의 경계를 향하면서 상하방향으로 연장될 수 있다.
다음, 도 12c에서 알 수 있듯이, 복수의 화소(P1, P2)의 제3 서브 화소(SP3)에 제3 발광층(530)을 상하 방향으로 연속적으로 형성하고, 복수의 화소(P1, P2)의 제1 서브 화소(SP1)와 제2 서브 화소(SP2) 사이의 경계에 제3 발광층(530)을 상하 방향으로 불연속적으로 형성하고, 제1 화소(P1)의 제1 서브 화소(SP1)와 제2 화소(P2)의 제1 서브 화소(SP1) 사이의 경계에 제3 발광층(530)을 형성하고, 제1 화소(P1)의 제2 서브 화소(SP2)와 제2 화소(P2)의 제2 서브 화소(SP2) 사이의 경계에 제3 발광층(530)을 형성한다.
이때, 복수의 화소(P1, P2)의 제1 서브 화소(SP1)와 제2 서브 화소(SP2) 사이의 경계에 불연속적으로 형성된 제3 발광층(530), 상기 제1 화소(P1)의 제1 서브 화소(SP1)와 제2 화소(P2)의 제1 서브 화소(SP1) 사이의 경계에 형성된 제3 발광층(530), 및 상기 제1 화소(P1)의 제2 서브 화소(SP2)와 제2 화소(P2)의 제2 서브 화소(SP2) 사이의 경계에 형성된 제3 발광층(530)은 서로 접하지 않고 이격되어 있다. 따라서, 전술한 도 10에서 설명한 바와 같이, 상기 제3 발광층(530) 사이의 이격 공간을 통해서 제1 서브 화소(SP1)와 제2 서브 화소(SP2)에 잔존하는 쉴드층(910)이 서로 연결될 수 있어 리프트 오프 공정 이전에 쉽게 벗겨지지 않게 된다.
한편, 상기 제1 화소(P1)의 제1 서브 화소(SP1)와 제2 화소(P2)의 제1 서브 화소(SP1) 사이의 경계에 형성된 제3 발광층(530)의 상하방향의 폭은 일정하지 않을 수 있다. 구체적으로, 상대적으로 제1 서브 화소(SP1)와 제2 서브 화소(SP2) 사이의 경계에 가까운 제3 발광층(530) 부분의 상하방향의 제1 폭(h1)은 상대적으로 제1 서브 화소(SP1)와 제2 서브 화소(SP2) 사이의 경계에서 먼 제3 발광층(530) 부분의 상하방향의 제2 폭(h2)보다 크게 형성될 수 있다. 특히, 상기 제1 화소(P1)의 제1 서브 화소(SP1)와 제2 화소(P2)의 제1 서브 화소(SP1) 사이의 경계에 형성된 제3 발광층(530)은 삼각형 구조로 이루어질 수 있으며, 상기 제3 발광층(530)의 일변(530a)은 제1 서브 화소(SP1)와 제2 서브 화소(SP2) 사이의 경계를 향하면서 상하방향으로 연장될 수 있다.
또한, 상기 제1 화소(P1)의 제2 서브 화소(SP2)와 제2 화소(P2)의 제2 서브 화소(SP2) 사이의 경계에 형성된 제3 발광층(530)의 상하방향의 폭은 일정하지 않을 수 있다. 구체적으로, 상대적으로 제1 서브 화소(SP1)와 제2 서브 화소(SP2) 사이의 경계에 가까운 제3 발광층(530) 부분의 상하방향의 제1 폭(h1)은 상대적으로 제1 서브 화소(SP1)와 제2 서브 화소(SP2) 사이의 경계에서 먼 제3 발광층(530) 부분의 상하방향의 제2 폭(h2)보다 크게 형성될 수 있다. 특히, 상기 제1 화소(P1)의 제2 서브 화소(SP2)와 제2 화소(P2)의 제2 서브 화소(SP2) 사이의 경계에 형성된 제3 발광층(530)은 삼각형 구조로 이루어질 수 있으며, 상기 제3 발광층(530)의 일변(530a)은 제1 서브 화소(SP1)와 제2 서브 화소(SP2) 사이의 경계를 향하면서 상하방향으로 연장될 수 있다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치의 단면도로서, 이는 도 11의 AB라인의 단면도이다. 즉, 도 13은 제1 전극(300)이 형성되지 않은 제1 화소(P1)와 제2 화소(P2) 사이의 경계 영역의 단면도이다.
도 13에서 알 수 있듯이, 기판(100) 상에 회로 소자층(200)이 형성되어 있고, 상기 회로 소자층(200) 상에 뱅크(400)가 형성되어 있다.
상기 뱅크(400) 상에는 발광층(510, 520, 530)이 형성되어 있다.
구체적으로, 제1 서브 화소(SP1)에 대응하는 영역에는 상대적으로 큰 폭을 가지는 제1 발광층(510)이 상기 뱅크(400) 상에 형성되고, 상기 제1 발광층(510) 상에 상대적으로 작은 폭을 가지는 제2 발광층(520)과 제3 발광층(530)이 차례로 형성될 수 있다. 이때, 상기 제2 발광층(520)과 상기 제3 발광층(530)의 폭은 서로 동일할 수 있지만 서로 상이할 수도 있다.
또한, 제2 서브 화소(SP2)에 대응하는 영역에는 상대적으로 작은 폭을 가지는 제1 발광층(510)이 상기 뱅크(400) 상에 형성되고, 상기 제1 발광층(510) 상에 상대적으로 큰 폭을 가지는 제2 발광층(520)이 형성되고, 상기 제2 발광층(520) 상에 상대적으로 작은 폭을 가지는 제3 발광층(530)이 형성될 수 있다. 이때, 상기 제1 발광층(510)과 상기 제3 발광층(530)의 폭은 서로 동일할 수 있지만 서로 상이할 수도 있다.
또한, 제3 서브 화소(SP3)에 대응하는 영역에는 상대적으로 작은 폭을 가지는 제1 발광층(510)과 제2 발광층(520)이 상기 뱅크(400) 상에 차례로 형성되고, 상기 제2 발광층(520) 상에 상대적으로 큰 폭을 가지는 제3 발광층(530)이 형성될 수 있다. 이때, 상기 제1 발광층(510)과 상기 제2 발광층(520)의 폭은 서로 동일할 수 있지만 서로 상이할 수도 있다.
도 14a내지 도 14c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전계 발광 표시 장치에 관한 것으로서, 이는 헤드 장착형 표시(HMD) 장치에 관한 것이다. 도 14a는 개략적인 사시도이고, 도 14b는 VR(Virtual Reality) 구조의 개략적인 평면도이고, 도 14c는 AR(Augmented Reality) 구조의 개략적인 단면도이다.
도 14a에서 알 수 있듯이, 본 발명에 따른 헤드 장착형 표시 장치는 수납 케이스(10), 및 헤드 장착 밴드(30)를 포함하여 이루어진다.
상기 수납 케이스(10)는 그 내부에 표시 장치, 렌즈 어레이, 및 접안 렌즈 등의 구성을 수납하고 있다.
상기 헤드 장착 밴드(30)는 상기 수납 케이스(10)에 고정된다. 상기 헤드 장착밴드(30)는 사용자의 머리 상면과 양 측면들을 둘러쌀 수 있도록 형성된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 상기 헤드 장착 밴드(30)는 사용자의 머리에 헤드 장착형 디스플레이를 고정하기 위한 것으로, 안경테 형태 또는 헬멧 형태의 구조물로 대체될 수 있다.
도 14b에서 알 수 있듯이, 본 발명에 따른 VR(Virtual Reality) 구조의 헤드 장착형 표시 장치는 좌안용 표시 장치(12)와 우안용 표시 장치(11), 렌즈 어레이(13), 및 좌안 접안 렌즈(20a)와 우안 접안 렌즈(20b)를 포함하여 이루어진다.
상기 좌안용 표시 장치(12)와 우안용 표시 장치(11), 상기 렌즈 어레이(13), 및 상기 좌안 접안 렌즈(20a)와 우안 접안 렌즈(20b)는 전술한 수납 케이스(10)에 수납된다.
상기 좌안용 표시 장치(12)와 우안용 표시 장치(11)는 동일한 영상을 표시할 수 있으며, 이 경우 사용자는 2D 영상을 시청할 수 있다. 또는, 상기 좌안용 표시 장치(12)는 좌안 영상을 표시하고 상기 우안용 표시장치(11)는 우안 영상을 표시할 수 있으며, 이 경우 사용자는 입체 영상을 시청할 수 있다. 상기 좌안용 표시 장치(12)와 상기 우안용 표시 장치(11) 각각은 전술한 도 1 내지 도 13에 따른 전계 발광 표시 장치로 이루어질 수 있다. 이때, 도 1 내지 도 13에서 화상이 표시되는 면, 예를 들어 봉지층(700)이 상기 렌즈 어레이(13)와 마주하게 된다.
상기 렌즈 어레이(13)는 상기 좌안 접안 렌즈(20a)와 상기 좌안용 표시 장치(12) 각각과 이격되면서 상기 좌안 접안 렌즈(20a)와 상기 좌안용 표시 장치(12) 사이에 구비될 수 있다. 즉, 상기 렌즈 어레이(13)는 상기 좌안 접안 렌즈(20a)의 전방 및 상기 좌안용 표시 장치(12)의 후방에 위치할 수 있다. 또한, 상기 렌즈 어레이(13)는 상기 우안 접안 렌즈(20b)와 상기 우안용 표시 장치(11) 각각과 이격되면서 상기 우안 접안 렌즈(20b)와 상기 우안용 표시 장치(11) 사이에 구비될 수 있다. 즉, 상기 렌즈 어레이(13)는 상기 우안 접안 렌즈(20b)의 전방 및 상기 우안용 표시 장치(11)의 후방에 위치할 수 있다.
상기 렌즈 어레이(13)는 마이크로 렌즈 어레이(Micro Lens Array)일 수 있다. 상기 렌즈 어레이(13)는 핀홀 어레이(Pin Hole Array)로 대체될 수 있다. 상기 렌즈 어레이(13)로 인해 좌안용 표시장치(12) 또는 우안용 표시장치(11)에 표시되는 영상은 사용자에게 확대되어 보일 수 있다.
상기 좌안 접안 렌즈(20a)에는 사용자의 좌안(LE)이 위치하고, 상기 우안 접안 렌즈(20b)에는 사용자의 우안(RE)이 위치할 수 있다.
도 14c에서 알 수 있듯이, 본 발명에 따른 AR(Augmented Reality) 구조의 헤드 장착형 표시 장치는 좌안용 표시 장치(12), 렌즈 어레이(13), 좌안 접안 렌즈(20a), 투과 반사부(14), 및 투과창(15)을 포함하여 이루어진다. 도 14c에는 편의상 좌안쪽 구성만을 도시하였으며, 우안쪽 구성도 좌안쪽 구성과 동일하다.
상기 좌안용 표시 장치(12), 렌즈 어레이(13), 좌안 접안 렌즈(20a), 투과 반사부(14), 및 투과창(15)은 전술한 수납 케이스(10)에 수납된다.
상기 좌안용 표시 장치(12)는 상기 투과창(15)을 가리지 않으면서 상기 투과 반사부(14)의 일측, 예로서 상측에 배치될 수 있다. 이에 따라서, 상기 좌안용 표시 장치(12)가 상기 투과창(15)을 통해 보이는 외부 배경을 가리지 않으면서 상기 투과 반사부(14)에 영상을 제공할 수 있다.
상기 좌안용 표시 장치(12)는 전술한 도 1 내지 도 13에 따른 전계 발광 표시 장치로 이루어질 수 있다. 이때, 도 1 내지 도 13에서 화상이 표시되는 면, 예를 들어 봉지층(700)이 상기 투과 반사부(14)와 마주하게 된다.
상기 렌즈 어레이(13)는 상기 좌안 접안 렌즈(20a)와 상기 투과반사부(14) 사이에 구비될 수 있다.
상기 좌안 접안 렌즈(20a)에는 사용자의 좌안이 위치한다.
상기 투과 반사부(14)는 상기 렌즈 어레이(13)와 상기 투과창(15) 사이에 배치된다. 상기 투과 반사부(14)는 광의 일부를 투과시키고, 광의 다른 일부를 반사시키는 반사면(14a)을 포함할 수 있다. 상기 반사면(14a)은 상기 좌안용 표시 장치(12)에 표시된 영상이 상기 렌즈 어레이(13)로 진행하도록 형성된다. 따라서, 사용자는 상기 투과층(15)을 통해서 외부의 배경과 상기 좌안용 표시 장치(12)에 의해 표시되는 영상을 모두 볼 수 있다. 즉, 사용자는 현실의 배경과 가상의 영상을 겹쳐 하나의 영상으로 볼수 있으므로, 증강현실(Augmented Reality, AR)이 구현될 수 있다.
상기 투과층(15)은 상기 투과 반사부(14)의 전방에 배치되어 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 기판 200: 회로 소자층
300: 제1 전극 400: 뱅크
510, 520, 530: 제1, 제2, 제3 발광층
600: 제2 전극 700: 봉지층

Claims (20)

  1. 제1 서브 화소, 제2 서브 화소 및 제3 서브 화소를 구비한 기판;
    상기 기판 상의 제1 서브 화소, 제2 서브 화소 및 제3 서브 화소 각각에 구비된 제1 전극;
    상기 제1 전극의 가장자리를 가리면서 상기 제1 서브 화소, 제2 서브 화소 및 제3 서브 화소 사이에 구비된 뱅크;
    상기 제1 서브 화소의 제1 전극 상에 구비된 제1 발광층;
    상기 제2 서브 화소의 제1 전극 상에 구비된 제2 발광층;
    상기 제3 서브 화소의 제1 전극 상에 구비된 제3 발광층; 및
    상기 제1 내지 제3 발광층 상에 구비된 제2 전극을 포함하여 이루어지고,
    상기 제1 서브 화소와 상기 제2 서브 화소 사이의 상기 뱅크 상에 상기 제3 발광층이 추가로 구비되고, 상기 추가로 구비된 제3 발광층은 상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층과 중첩되고,
    상기 추가로 구비된 제3 발광층은 상기 제3 발광층과 이격되는 전계 발광 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 추가로 구비된 제3 발광층은 상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층 각각의 상면에 구비되어 있는 전계 발광 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 서브 화소와 상기 제3 서브 화소 사이의 상기 뱅크 상에 상기 제1 발광층이 추가로 구비되고, 상기 추가로 구비된 제1 발광층은 상기 제2 발광층 및 상기 제3 발광층과 중첩되는 전계 발광 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 추가로 구비된 제1 발광층은 상기 제2 발광층 및 상기 제3 발광층의 하면에 구비되어 있는 전계 발광 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제3 서브 화소와 상기 제1 서브 화소 사이의 상기 뱅크 상에 상기 제2 발광층이 추가로 구비되고, 상기 추가로 구비된 제2 발광층은 상기 제3 발광층 및 상기 제1 발광층과 중첩되는 전계 발광 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 추가로 구비된 제2 발광층은 상기 제1 발광층의 상면 및 상기 제3 발광층의 하면에 구비되어 있는 전계 발광 표시 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 발광층, 상기 제2 발광층, 및 상기 제3 발광층 상에 제4 발광층이 추가로 구비되고,
    상기 제4 발광층은 제1 내지 제3 서브 화소 사이의 경계 영역 전체에 구비되어 있는 전계 발광 표시 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 발광층은 정공 주입층, 정공 수송층 및 제1 색상의 광을 발광하는 유기 발광층을 포함하고,
    상기 제2 발광층은 정공 주입층, 정공 수송층 및 제2 색상의 광을 발광하는 유기 발광층을 포함하고,
    상기 제3 발광층은 정공 주입층, 정공 수송층 및 제3 색상의 광을 발광하는 유기 발광층을 포함하고,
    상기 제4 발광층은 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나를 포함하는 전계 발광 표시 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전극은 상기 제1 서브 화소에 구비된 제1 발광층, 상기 제2 서브 화소에 구비된 제2 발광층, 및 상기 제3 서브 화소에 구비된 제3 발광층과 동일한 패턴으로 이루어지고,
    상기 추가로 구비된 제3 발광층은 상기 제1 발광층 상에 구비된 제2 전극의 상면 및 상기 제2 발광층 상에 구비된 제2 전극의 상면에 구비되어 있는 전계 발광 표시 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 추가로 구비된 제3 발광층 상에 상기 제2 전극이 추가로 구비되고, 상기 추가로 구비된 제2 전극은 상기 추가로 구비된 제3 발광층과 동일한 패턴으로 이루어진 전계 발광 표시 장치.
  11. 기판 상에 구비되며, 제1 색상의 광을 발광하는 제1 서브 화소, 제2 색상의 광을 발광하는 제2 서브 화소, 및 제3 색상의 광을 발광하는 제3 서브 화소를 포함하는 제1 화소;
    상기 기판 상에 구비되며, 상기 제1 서브 화소, 상기 제2 서브 화소, 및 상기 제3 서브 화소를 포함하는 제2 화소;
    상기 제1 서브 화소, 상기 제2 서브 화소 및 상기 제3 서브 화소 각각에 구비된 제1 전극;
    상기 제1 전극의 가장자리를 가리면서 상기 제1 화소와 상기 제2 화소의 사이, 및 상기 제1 내지 제3 서브 화소 사이에 구비된 뱅크;
    상기 제1 서브 화소의 제1 전극 상에 구비된 제1 발광층;
    상기 제2 서브 화소의 제1 전극 상에 구비된 제2 발광층;
    상기 제3 서브 화소의 제1 전극 상에 구비된 제3 발광층; 및
    상기 제1 내지 제3 발광층 상에 구비된 제2 전극을 포함하여 이루어지고,
    상기 제1 서브 화소와 상기 제2 서브 화소 사이의 상기 뱅크 상에 상기 제3 발광층이 추가로 구비되고, 상기 추가로 구비된 제3 발광층은 상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층과 중첩되고,
    상기 추가로 구비된 제3 발광층은 상기 제3 발광층과 이격되는 전계 발광 표시 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제2 서브 화소와 상기 제3 서브 화소 사이의 상기 뱅크 상에 상기 제1 발광층이 추가로 구비되고, 상기 추가로 구비된 제1 발광층은 상기 제2 발광층 및 상기 제3 발광층과 중첩되고,
    상기 제3 서브 화소와 상기 제1 서브 화소 사이의 상기 뱅크 상에 상기 제2 발광층이 추가로 구비되고, 상기 추가로 구비된 제2 발광층은 상기 제3 발광층 및 상기 제1 발광층과 중첩되는 전계 발광 표시 장치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 추가로 구비된 제3 발광층은 상기 제1 화소와 상기 제2 화소 사이의 경계를 따라 일직선으로 연속되지 않고 단절되어 있는 전계 발광 표시 장치.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 제1 화소의 제1 서브 화소와 상기 제2 화소의 제1 서브 화소 사이에 상기 제2 발광층과 상기 제3 발광층이 추가로 구비되어 있고,
    상기 제1 화소의 제2 서브 화소와 상기 제2 화소의 제2 서브 화소 사이에 상기 제1 발광층과 상기 제3 발광층이 추가로 구비되어 있고,
    상기 제1 화소의 제3 서브 화소와 상기 제2 화소의 제3 서브 화소 사이에 상기 제1 발광층과 상기 제2 발광층이 추가로 구비되어 있는 전계 발광 표시 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1 화소의 제1 서브 화소와 상기 제2 화소의 제1 서브 화소 사이에 추가로 형성된 상기 제3 발광층, 및 상기 제1 화소의 제2 서브 화소와 상기 제2 화소의 제2 서브 화소 사이에 추가로 형성된 상기 제3 발광층은 서로 접하지 않고 이격되어 있는 전계 발광 표시 장치.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 제1 화소의 제1 서브 화소와 상기 제2 화소의 제1 서브 화소 사이에 추가로 형성된 상기 제3 발광층은 상대적으로 큰 제1 폭을 가지는 부분 및 상대적으로 작은 제2 폭을 가지는 부분을 포함하고, 상기 제1 폭을 가지는 부분은 상기 제2 폭을 가지는 부분보다 상기 제1 서브 화소와 상기 제2 서브 화소 사이의 경계에 가까운 전계 발광 표시 장치.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 제1 화소의 제1 서브 화소와 상기 제2 화소의 제1 서브 화소 사이에는 상대적으로 넓은 폭을 가지는 상기 제1 발광층, 및 상기 제1 발광층 상에서 상대적으로 좁은 폭을 가지면서 차례로 적층된 상기 추가로 구비된 제2 발광층과 제3 발광층이 구비되어 있는 전계 발광 표시 장치.
  18. 제11항에 있어서,
    상기 제1 발광층, 상기 제2 발광층, 및 상기 제3 발광층 상에 제4 발광층이 추가로 구비되고, 상기 제4 발광층은 제1 내지 제3 서브 화소 사이의 경계 영역 전체에 구비되어 있고,
    상기 제1 발광층, 상기 제2 발광층, 및 상기 제3 발광층은 정공 주입층, 정공 수송층, 및 유기 발광층을 포함하고, 상기 제4 발광층은 전자 수송층 및 전자 주입층 중 적어도 하나를 포함하는 전계 발광 표시 장치.
  19. 제11항에 있어서,
    상기 제2 전극은 상기 제1 서브 화소에 구비된 제1 발광층, 상기 제2 서브 화소에 구비된 제2 발광층, 및 상기 제3 서브 화소에 구비된 제3 발광층과 동일한 패턴으로 이루어지고,
    상기 추가로 구비된 제3 발광층은 상기 제1 발광층 상에 구비된 제2 전극의 상면 및 상기 제2 발광층 상에 구비된 제2 전극의 상면에 구비되어 있는 전계 발광 표시 장치.
  20. 제1항 또는 제11항에 있어서,
    상기 기판과 이격되는 렌즈 어레이, 및 상기 기판과 상기 렌즈 어레이를 수납하는 수납 케이스를 추가로 포함하여 이루어진 전계 발광 표시 장치.
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