CN112397546A - 电致发光显示装置和头戴式显示设备 - Google Patents

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Abstract

公开了一种电致发光显示装置和头戴式显示设备。该电致发光显示装置包括：基板，其包括显示区域和非显示区域；发射器件，其在基板上的显示区域中；封装层，其从显示区域延伸至非显示区域，其中，封装层设置在发射器件上；多个焊盘电极，其在基板上的非显示区域中；以及保护层，其设置在多个焊盘电极中的每个之间的区域中，并且被配置成保护设置在该保护层下方的绝缘层，其中，封装层设置有开口区域，该开口区域被配置成露出多个焊盘电极中的每个中的至少一部分和保护层的至少一部分。

Description

电致发光显示装置和头戴式显示设备
相关申请的交叉应用
本申请要求于2019年8月12日提交的韩国专利申请第10-2019-0098203号的权益，该韩国专利申请通过引用如同在本文中完全阐述一样并入于此。
技术领域
本公开内容涉及一种电致发光显示装置，并且更具体地，涉及一种用于露出焊盘电极的方法。
背景技术
以这样的方式设置电致发光显示装置，使得在阳极电极与阴极电极之间设置发射层，并且发射层通过在上述两个电极之间生成的电场来发射光，从而显示图像。
发射层可以由有机材料形成，该有机材料在通过电子和空穴的结合而产生激子并且激子从激发态下降到基态时发射光，或者发射层可以由诸如量子点的无机材料形成。
为了使发射层发射光，设置了各种电路器件，其中，可以通过经由焊盘电极施加的外部驱动信号来驱动电路器件。也就是说，外部驱动装置与焊盘电极连接，由此在外部驱动装置中生成的驱动信号可以经由焊盘电极传输至电路器件。
因此，为了将焊盘电极与外部驱动装置连接，焊盘电极的上表面露于外部。在这种情况下，当焊盘电极的上表面露于外部时，其可能具有与焊盘电极的外围上的损坏有关的问题。
发明内容
鉴于上述问题而做出本公开内容，并且本公开内容的目的是提供一种电致发光显示装置，该电致发光显示装置能够实现制造成本的降低并且能够使焊盘电极的上表面露出而不造成焊盘电极的外围上的任何损坏。
根据本公开内容的一个方面，上述和其他目的可以通过提供一种电致发光显示装置来实现，该电致发光显示装置包括：基板，其包括显示区域和非显示区域；发射器件，其在基板上的显示区域中；封装层，其从显示区域延伸至非显示区域，其中，封装层设置在发射器件上；多个焊盘电极，其在基板上的非显示区域中；以及保护层，其设置在多个焊盘电极中的每个之间的区域中，并且被配置成保护设置在该保护层下方的绝缘层，其中，封装层设置有开口区域，该开口区域被配置成露出多个焊盘电极中的每个中的至少一部分和保护层的至少一部分。
根据本公开内容的另一方面，提供了一种电致发光显示装置，该电致发光显示装置包括：基板，其包括显示区域和非显示区域；薄膜晶体管，其设置在基板上的显示区域中，并且被配置成包括有源层、栅电极、源电极和漏电极；焊盘电极，其设置在基板上的非显示区域中，并且与源电极和漏电极设置在同一层中；钝化层，其从显示区域延伸至非显示区域，其中，钝化层设置在薄膜晶体管上；保护层，其设置在非显示区域的钝化层上；平坦化层，其设置在显示区域的钝化层上；发射器件，其设置在平坦化层中；以及封装层，其从显示区域延伸至非显示区域，其中，封装层设置在发射器件上，其中，封装层设置有用于露出焊盘电极的至少一部分和保护层的至少一部分的开口区域。
附图说明
根据以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解本公开内容的以上和其他目的、特征和其他优点。在附图中：
图1是示出了根据本公开内容的一个实施方式的电致发光显示装置的平面图；
图2是示出了根据本公开内容的一个实施方式的电致发光显示装置的截面视图，其与沿图1的I-II线的截面视图相对应；
图3A至图3D是示出了根据本公开内容的一个实施方式的用于制造电致发光显示装置的方法的截面视图；
图4A是示出了根据本公开内容的另一实施方式的电致发光显示装置的平面图，其与图1的'A'区域的放大图相对应；
图4B是沿图4A的A-B线的截面视图；
图4C是沿图4A的C-D线的截面视图；
图4D是沿图4A的E-F线的截面视图；
图5A是示出了根据本公开内容的另一实施方式的电致发光显示装置的平面图，其与图1的'A'区域的放大图相对应；
图5B是沿图5A的A-B线的截面视图；
图5C是沿图5A的C-D线的截面视图；
图5D是沿图5A的E-F线的截面视图；
图6是示出了根据本公开内容的另一实施方式的电致发光显示装置的截面视图，其与显示区域的截面视图相对应；以及
图7A至图7C示出了根据本公开内容的另一实施方式的电致发光显示装置。
具体实施方式
现在将详细地参考本公开内容的示例性实施方式，在附图中示出了这些示例性实施方式的示例。在可能的情况下，贯穿附图将使用相同的附图标记来指代相同或相似的部分。
将通过参照附图描述的以下实施方式来阐明本公开内容的优点和特征以及其实现方法。然而，可以以不同的形式体现本公开内容，并且本公开内容不应当被解释为限于本文中阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式，使得本公开内容将是透彻且完整的并且将向本领域技术人员充分传达本公开内容的范围。此外，本公开内容仅由权利要求的范围来限定。
用于描述本公开内容的实施方式的附图中所公开的形状、尺寸、比率、角度和数目仅是示例，并且因此本公开内容不限于所示出的细节。相似的附图标记始终指代相似的元件。在以下描述中，当相关已知功能或配置的详细描述被确定为不必要地模糊了本公开内容的重点时，将省略详细描述。
在解释元件时，元件被解释为包括误差范围，即使未明确描述也是如此。
在描述位置关系时，例如，当两个部分之间的位置关系被描述为‘在～上’、‘在～上方’、‘在～下方’和‘紧接着～’时，除非使用‘刚好’或‘直接’，否则可以在两个部分之间设置一个或更多个其他部分。
在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为‘在～之后’、‘随后～’、‘然后～’和‘在～之前’时，除非使用‘刚好’或‘直接’，否则可以包括不连续的情况。
应当理解，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但这些元件不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。例如，在不脱离本公开内容的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。
如本领域技术人员可以充分理解的，本公开内容的各个实施方式的特征可以部分地或全部地彼此耦合或组合，并且可以以各种方式彼此协作并在技术上被驱动。本公开内容的实施方式可以彼此独立地执行，或者可以以相互依赖的关系一起执行。
在下文中，将参照附图详细描述本公开内容的示例性实施方式。
图1是示出了根据本公开内容的一个实施方式的电致发光显示装置的平面图。
如图1中所示，根据本公开内容的一个实施方式的电致发光显示装置可以包括在基板100上的显示区域(DA)和非显示区域(NDA)。
在显示区域(DA)中，存在多个子像素。在多个子像素中的每个中，存在电路器件和发射器件。
电路器件包括各种信号线、薄膜晶体管和电容器。信号线可以包括栅极线、数据线、电源线和参考线，并且薄膜晶体管可以包括开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管和感测薄膜晶体管。
通过供应至栅极线的栅极信号来切换开关薄膜晶体管，并且开关薄膜晶体管向驱动薄膜晶体管供应从数据线供应的数据电压。通过从开关薄膜晶体管供应的数据电压来切换驱动薄膜晶体管，并且驱动薄膜晶体管从自电源线供应的电源来生成数据电流，并且将数据电流供应至有机发光器件的第一电极。感测薄膜晶体管感测驱动薄膜晶体管中的阈值电压的偏差，该阈值电压的偏差导致图像品质的劣化。响应于从栅极线或另外的感测线供应的感测控制信号，感测薄膜晶体管将驱动薄膜晶体管的电流供应至参考线。
电容器将供应至驱动薄膜晶体管的数据电压保持一个帧周期，并且电容器与驱动薄膜晶体管的栅极端子和源极端子中的每个连接。
发射器件可以包括由电路器件驱动的有机发光器件，其中有机发光器件可以包括第一电极、第二电极以及设置在第一电极与第二电极之间的发射层。
非显示区域(NDA)设置在显示区域(DA)的外围。也就是说，在显示区域(DA)的上外围侧、下外围侧、右外围侧和左外围侧中制备非显示区域(NDA)。非显示区域(NDA)可以包括焊盘区域(PA)。焊盘区域(PA)可以设置在显示区域(DA)的下外围侧，但是不限于此结构。焊盘区域(PA)可以设置在显示区域(DA)的上外围侧、右外围侧或左外围侧。如果需要，可以在显示区域(DA)的上外围侧、下外围侧、右外围侧和左外围侧中的至少两个中制备焊盘区域(PA)。
可以在焊盘区域(PA)中设置多个焊盘电极400。多个焊盘电极400经由多条链接线与设置在显示区域(DA)中的各种信号线例如栅极线、数据线、电源线或参考线连接。因此，从外部驱动电路施加的驱动信号可以经由多个焊盘电极400传输至设置在显示区域(DA)中的各种信号线。为了将外部驱动电路与多个焊盘电极400连接，在多个焊盘电极400的上表面中制备接触区域，由此多个焊盘电极400的上表面中的至少一部分可以经由接触区域露于外部。
图2是示出了根据本公开内容的一个实施方式的电致发光显示装置的截面视图，其与沿图1的I-II线的截面视图相对应。
如图2中所示，驱动薄膜晶体管(T)设置在基板100上的显示区域(DA)中。
基板100可以由玻璃或塑料形成，但是不限于这些材料。基板100可以由诸如硅晶片的半导体材料形成。基板100可以由透明材料或不透明材料形成。
驱动薄膜晶体管(T)可以包括有源层110、栅极绝缘层120、栅电极130、层间绝缘层140、源电极151和漏电极152。有源层110形成在基板100上，栅极绝缘层120形成在有源层110上，栅电极130形成在栅极绝缘层120上，层间绝缘层140形成在栅电极130上，并且源电极151和漏电极152设置在层间绝缘层140上，其中，源电极151和漏电极152彼此面对。
栅极绝缘层120和层间绝缘层140可以由无机绝缘材料形成，并且可以延伸至非显示区域(NDA)。特别地，栅极绝缘层120和层间绝缘层140可以延伸至非显示区域(NDA)的基板100的端部。
源电极151经由设置在栅极绝缘层120和层间绝缘层140上的接触孔与有源层110的一侧连接，并且漏电极152经由设置在栅极绝缘层120和层间绝缘层140上的接触孔与有源层110的另一侧连接。
驱动薄膜晶体管(T)可以以顶栅结构形成，其中，栅电极130设置在有源层110上方，但是不限于此结构。可以设置底栅结构，其中，栅电极130设置在有源层110下方。
在源电极151和漏电极152上形成钝化层160，并且在钝化层160上形成平坦化层180。
钝化层160可以由无机绝缘层形成，并且平坦化层180可以由有机绝缘层形成。钝化层160延伸至非显示区域(NDA)，并且平坦化层180可以不延伸至非显示区域(NDA)。钝化层160可以延伸至非显示区域(NDA)的基板100的端部。平坦化层180可以延伸至非显示区域(NDA)。然而，平坦化层180可以不延伸至非显示区域(NDA)的基板100的端部。特别地，可以在不与焊盘区域(PA)交叠的同时设置平坦化层180。
在平坦化层180上形成包括第一电极200、堤部210、发射层220和第二电极230的有机发光器件。
在平坦化层180上形成第一电极200。第一电极200可以用作阳极。第一电极200可以经由设置在钝化层160和平坦化层180中的接触孔与驱动薄膜晶体管(T)的漏电极152连接。如果需要，第一电极200可以经由设置在钝化层160和平坦化层180中的接触孔与驱动薄膜晶体管(T)的源电极151连接。
覆盖第一电极200的外围的堤部210在多个子像素中的每个子像素之间的边界中形成为矩阵结构，从而在每个单独的子像素中限定发射区域。也就是说，第一电极200的未被堤部210覆盖的露出部分成为发射区域。
发射层220可以设置在多个子像素区域中，并且可以设置在多个子像素中的每个子像素之间的边界区域中。也就是说，发射层220可以形成在第一电极200和堤部210上。发射层220可以被配置成发射白(W)色光。为此，发射层220可以包括用于发射不同颜色的光的多个叠层。
在发射层220上形成第二电极230。第二电极230可以用作阴极。以与发射层220相同的方式，第二电极230可以设置在多个子像素区域中，并且可以设置在多个子像素中的每个子像素之间的边界区域中。
根据本公开内容的一个实施方式的电致发光显示装置可以形成为顶部发光型。在这种情况下，第二电极230可以包括用于使从发射层220发射的光向上透射的透明导电材料。此外，第二电极230可以由半透明电极形成，由此可以通过每个子像素获得微腔效应。如果第二电极230由半透明电极形成，则可以通过第二电极230与第一电极200之间的光的重复反射和再反射来获得微腔效应，从而提高光效率。为了获得微腔效应，第一电极200可以包括反射电极。特别地，第一电极200可以包括下反射电极和上透明电极。在这种情况下，反射电极和透明电极可以在电介质插入其间的条件下彼此间隔开。
在第二电极230上形成封装层300。封装层300可以包括第一封装层310、第二封装层320、第三封装层330和第四封装层340。
在第二电极230上形成第一封装层310，在第一封装层310上形成第二封装层320，在第二封装层320上形成第三封装层330，并且在第三封装层330上形成第四封装层340。
第一封装层310可以延伸至非显示区域(NDA)。特别地，第一封装层310可以延伸至非显示区域(NDA)的基板100的端部，但是，第一封装层310不形成在焊盘区域(PA)中。第二封装层320可以延伸至非显示区域(NDA)，但是，第二封装层320不延伸至非显示区域(NDA)的基板100的端部。特别地，第二封装层320不形成在焊盘区域(PA)中。以与第一封装层310的图案相同的方式，第二封装层320可以延伸至非显示区域(NDA)的基板100的端部。如果需要，可以省略第二封装层320。第三封装层330可以延伸至非显示区域(NDA)，但是，第三封装层330不延伸至非显示区域(NDA)的基板100的端部。特别地，第三封装层330不形成在焊盘区域(PA)中。第四封装层340可以延伸至非显示区域(NDA)。特别地，第四封装层340可以延伸至非显示区域(NDA)的基板100的端部，但是，第四封装层340不形成在焊盘区域(PA)中。第四封装层340可以以与第一封装层310的图案相同的图案形成。
封装层300可以形成为无机绝缘层和有机绝缘层的交替堆叠结构。为此，第一封装层至第四封装层310、320、330和340中的每个可以由无机绝缘层或有机绝缘层形成。特别地，延伸至基板100的端部的第一封装层310和第四封装层340可以由无机绝缘层形成，并且没有延伸至基板100的端部的第三封装层330可以由有机绝缘层形成。
在基板100的非显示区域(NDA)中，顺序地在基板100的非显示区域(NDA)上形成栅极绝缘层120和层间绝缘层140，并且在层间绝缘层140上形成焊盘电极400。焊盘电极400由与源电极151和漏电极152的材料相同的材料形成，并且焊盘电极400、源电极151和漏电极152可以通过相同的工艺制造，但是不限于该方法。
在焊盘电极400上形成钝化层160。钝化层160露出焊盘电极400的上表面的一部分，并且钝化层160与焊盘电极400的一侧和焊盘电极400的另一侧交叠。也就是说，从焊盘电极400的上表面的一部分去除钝化层160的一部分，由此在焊盘电极400与外部驱动电路之间制备接触区域(CA)。钝化层160延伸至非显示区域(NDA)的基板100的端部，并且钝化层160可以与非显示区域(NDA)的基板100的端部交叠。
在设置在多个焊盘电极400中的每个之间的钝化层160的上表面上形成保护层500。保护层500保护设置在其下方的钝化层160。保护层500可以以与设置在其下方的钝化层160的图案相同的图案形成。保护层500可以由诸如Al、ITO、IZO或Ti的导电材料形成。特别地，保护层500和第一电极200可以由相同的材料形成并且可以通过相同的工艺制造，但是不限于该方法。
此外，封装层300可以形成在非显示区域(NDA)中的钝化层160上。从焊盘区域(PA)去除封装层300，从而形成通过去除封装层300获得的开口区域(OA)。开口区域(OA)与焊盘电极400和保护层500交叠。特别地，开口区域(OA)与去除了钝化层160的接触区域(CA)交叠。因此，焊盘电极400和保护层500可以经由开口区域(OA)露于外部。
封装层300形成在非显示区域(NDA)中，但是，封装层300不形成在开口区域(OA)中。因此，封装层300可以与非显示区域(NDA)的基板100的端部交叠。特别地，与基板100的端部交叠的封装层300可以包括与钝化层160和保护层500的上表面接触的无机绝缘材料的第一封装层310以及与第一封装层310接触的无机绝缘材料的第四封装层340。
因此，设置在显示区域(DA)中的封装层300的厚度可以大于设置在非显示区域(NDA)中的封装层300的厚度。
图3A至图3D是示出了根据本公开内容的一个实施方式的用于制造电致发光显示装置的方法的截面视图，其与图2的前述电致发光显示装置的制造工艺有关。
首先，如图3A中所示，在基板100上形成有源层110，在有源层110上形成栅极绝缘层120，在栅极绝缘层120上形成栅电极130，在栅电极130上形成层间绝缘层140，在层间绝缘层140上形成源电极151、漏电极152和焊盘电极400，在源电极151、漏电极152和焊盘电极400上形成钝化层160，以及在钝化层160上形成平坦化层180。
根据在栅极绝缘层120和层间绝缘层140的预定区域中形成接触孔，源电极151和漏电极152经由该接触孔与有源层110的一侧和有源层110的另一侧连接。
栅极绝缘层120、层间绝缘层140和钝化层160形成在整个显示区域(DA)和整个非显示区域(NDA)上。平坦化层180形成在显示区域(DA)中，并且可以形成在非显示区域(NDA)的一部分中。然而，平坦化层180不与焊盘电极400交叠。
然后，如图3B中所示，在平坦化层180上形成第一电极200，堤部210形成为覆盖第一电极200的外围，在第一电极200和堤部210上形成发射层220，并且在发射层220上形成第二电极230。
根据在钝化层160和平坦化层180的预定区域中形成接触孔，第一电极200经由该接触孔与漏电极152或源电极151连接。
此外，在非显示区域(NDA)的钝化层160上形成保护层500。保护层500形成在多个焊盘电极400中的每个之间的钝化层160的上表面上。保护层500和第一电极200可以由相同的材料形成并且可以通过相同的工艺制造，但是不限于该方法。
然后，如图3C中所示，在显示区域(DA)的第二电极230和非显示区域(NDA)的钝化层160上形成封装层300。详细地，在显示区域(DA)的第二电极230和非显示区域(NDA)的钝化层160上形成第一封装层310，在第一封装层310上形成第二封装层320，在第二封装层320上形成第三封装层330，并且在第三封装层330上形成第四封装层340。
第一封装层310形成在整个显示区域(DA)和整个非显示区域(NDA)中。第二封装层320形成在整个显示区域(DA)中和非显示区域(NDA)的一部分中。特别地，第二封装层320可以不与焊盘电极400交叠。第三封装层330形成在整个显示区域(DA)中和非显示区域(NDA)的一部分中。特别地，第三封装层330可以不与焊盘电极400交叠。第四封装层340形成在整个显示区域(DA)和整个非显示区域(NDA)中。因此，在非显示区域(NDA)的一部分中，使第一封装层310的上表面与第四封装层340的下表面接触。
然后，如图3D中所示，去除设置在多个焊盘电极400以及焊盘电极400中的每个之间的边界区域上的封装层300，并且还去除设置在封装层300下方的钝化层160。因此，通过去除封装层300来形成开口区域(OA)，并且通过去除设置在封装层300下方的钝化层160来形成接触区域(CA)。然而，设置在焊盘电极400中的每个之间的边界区域中的保护层500保留而不被去除，由此还保留了设置在保护层500下方的钝化层160。
可以通过激光烧蚀工艺来执行去除封装层300和位于封装层300下方的钝化层160的过程。在这种情况下，不需要附加的掩模。也就是说，有利之处在于，其没有掩模的附加制造成本。如果通过激光烧蚀工艺执行激光扫描，则封装层300和位于封装层300下方的钝化层160被去除，然而，保护层500保留而不被去除。通常，诸如激光的电磁波渗透至无机绝缘材料中的深度是相对大的，而诸如激光的电磁波渗透至导电材料中的深度是相对小的。因此，如果使用导电材料的保护层500，则保护层500可以保留而不被激光烧蚀工艺去除。因此，钝化层160保留在保护层500下方，使得可以防止焊盘电极400的外围区域，特别地焊盘电极400中的每个之间的区域的外围被损坏。
然而，为了去除封装层300和设置在封装层300下方的钝化层160，并不总是需要执行激光烧蚀工艺。例如，可以执行干法蚀刻工艺以去除封装层300和设置在封装层300下方的钝化层160。
根据本公开内容的一个实施方式，在多个焊盘电极400中的每个之间的边界区域中形成保护层500，由此在去除封装层300和设置在封装层300下方的钝化层160以露出多个焊盘电极400的上表面的工艺之后保留保护层500和设置在保护层500下方的钝化层160。因此，可以防止多个焊盘电极400中的每个之间的区域的外围被损坏。在这种情况下，在钝化层160插入在保护层500与多个焊盘电极400之间的条件下，保护层500与多个焊盘电极400间隔开，由此保护层500与多个焊盘电极400电绝缘。
图4A是示出根据本公开内容的另一实施方式的电致发光显示装置的平面视图，其对应于图1的'A'区域的放大图。
如图4A中所示，根据本公开内容的另一实施方式的电致发光显示装置包括在基板100上的显示区域(DA)和非显示区域(NDA)。在下文中，将仅详细描述与上述实施方式不同的部分。
在非显示区域(NDA)中设置有焊盘区域(PA)，并且在焊盘区域(PA)中设置有多个焊盘电极400和多个第一保护层510。
多个焊盘电极400以固定的间隔设置。
多个焊盘电极400中的每一个包括面对显示区域(DA)的第一侧400a、从第一侧400a延伸并且面对相邻的焊盘电极400的第二侧400b、从第二侧400b延伸并且与第一侧400a相对的第三侧400c以及从第三侧400c延伸并且与第二侧400b相对的第四侧400d。多个焊盘电极400中的每一个以矩形形状的结构形成。
多个第一保护层510以固定间隔设置，其中第一保护层510中的每一个定位在焊盘电极400中的每一个之间。多个第一保护层510中的每一个设置在一个焊盘电极400的第二侧400b与另一个相邻的焊盘电极400的第四侧400d之间。在本文中，位于最左边的第一保护层510面对位于最左边的焊盘电极400的第四侧400d，并且位于最右边的第一保护层510面对位于最右边的焊盘电极400的第二侧400b。
多个第一保护层510中的每一个包括面对显示区域(DA)的第一侧510a、从第一侧510a延伸并且面对左侧的焊盘电极400的第二侧510b、从第二侧510b延伸并且与第一侧510a相对的第三侧510c以及从第三侧510c延伸并且与第二侧510b相对的第四侧510d。多个第一保护层510中的每一个以矩形形状的结构形成。
第一保护层510的第一侧510a和焊盘电极400的第一侧400a可以沿着同一条延伸线定位，由此可以通过将多个第一保护层510中的第一侧510a和多个焊盘电极400中的第一侧400a组合来形成直线。
第一保护层510的第二侧510b可以与一侧的焊盘电极400(例如，左侧的焊盘电极)的第二侧400b重合，或者不重合。特别地，第一保护层510的第二侧510b延伸至左侧的焊盘电极400的区域的上部，使得第一保护层510可以与左侧的焊盘电极400交叠。
第一保护层510的第三侧510c和焊盘电极400的第三侧400c可以沿着同一条延伸线定位，由此可以通过将多个第一保护层510中的第三侧510c和多个焊盘电极400中的第三侧400c组合来形成直线。
第一保护层510的第四侧510d可以与另一侧的焊盘电极400(例如，右侧的焊盘电极)的第四侧400d重合，或者不重合。特别地，第一保护层510的第四侧510d延伸至右侧的焊盘电极400的区域的上部，使得第一保护层510可以与右侧的焊盘电极400交叠。
第一保护层510可以被设置成不面对焊盘电极400的第一侧400a和第三侧400c。
在第一保护层510和焊盘电极400上制备通过去除封装层300获得的开口区域(OA)，并且在开口区域(OA)与焊盘电极400之间的交叠区域中制备接触区域(CA)。
如上所述，开口区域(OA)可以是通过激光烧蚀工艺从其去除封装层300的区域，并且可以是在与多个第一保护层510的一部分和多个焊盘电极400的一部分交叠的同时以直线结构形成的区域。
开口区域(OA)不延伸至第一保护层510和焊盘电极400的外围，由此整个开口区域(OA)与第一保护层510和焊盘电极400交叠。如果开口区域(OA)延伸至第一保护层510和焊盘电极400的外围，则封装层300从未被第一保护层510保护的区域去除，由此焊盘电极400的外围区域可能被损坏。
开口区域(OA)在尺寸上可以小于第一保护层510和焊盘电极400的整个区域，但不限于该结构。开口区域(OA)在尺寸上可以与第一保护层510和焊盘电极400的整个区域相同。
开口区域(OA)的一个端部——例如开口区域(OA)的上端部可以与第一保护层510的第一侧510a和焊盘电极400的第一侧400a重合，或者不重合。此外，开口区域(OA)的另一个端部——例如开口区域(OA)的下端部可以与第一保护层510的第三侧510c和焊盘电极400的第三侧400c重合，或者不重合。此外，开口区域(OA)的侧端部可以与第一保护层510的第二侧510b或第四侧510d重合，或者不重合。
图4B是沿着图4A的A-B线的截面视图。
如图4B中所示，在基板100上形成栅极绝缘层120，在栅极绝缘层120上形成层间绝缘层140，并且在层间绝缘层140上形成多个焊盘电极400。
在多个焊盘电极400上形成钝化层160，并且在钝化层160上形成第一保护层510。焊盘电极400的第二侧400b和第四侧400d中的每一个与第一保护层510交叠，并且第一保护层510的第二侧510b和第四侧510d中的每一个与焊盘电极400交叠。
以与形成在第一保护层510下方的钝化层160的图案相同的图案形成定位在相邻的两个焊盘电极400之间的第一保护层510。
封装层300形成在设置在一个端部处的第一保护层510(例如，位于最左边的第一保护层)的上表面上。详细地，在第一保护层510的上表面上形成无机绝缘层的第一封装层310，并且在第一封装层310上形成无机绝缘层的第四封装层340。封装层300与位于最左边的第一保护层510的一部分交叠，然而不与第一保护层510的其余部分和焊盘电极400交叠。因此，未形成封装层300的区域变为开口区域(OA)，并且在开口区域(OA)中用于使焊盘电极400露出的区域变为接触区域(CA)。
图4C是沿着图4A的C-D线的截面视图。
如图4C中所示，在基板100上形成栅极绝缘层120，在栅极绝缘层120上形成层间绝缘层140，并且在层间绝缘层140上形成焊盘电极400。
在焊盘电极400上形成钝化层160，并且在钝化层160上形成封装层300。
焊盘电极400的第一侧400a和第三侧400c中的每一个与钝化层160和封装层300交叠。通过去除封装层300的焊盘电极400上的一部分来形成开口区域(OA)，并且通过去除钝化层160的设置在焊盘电极400上的一部分来制备用于使焊盘电极400的上表面的一部分露出的接触区域(CA)。钝化层160的与接触区域(CA)接触的一个端部与封装层300的一个端部重合。
封装层300包括设置在钝化层160的上表面上的无机绝缘层的第一封装层310和设置在第一封装层310的上表面上的无机绝缘层的第四封装层340。
图4D是沿着图4A的E-F线的截面视图。
如图4D中所示，在基板100上形成栅极绝缘层120，在栅极绝缘层120上形成层间绝缘层140，在层间绝缘层140上形成钝化层160，并且在钝化层160上形成第一保护层510。
在第一保护层510上形成封装层300。封装层300包括设置在第一保护层510的上表面上的无机绝缘层的第一封装层310和设置在第一封装层310的上表面上的无机绝缘层的第四封装层340。
第一保护层510的第一侧510a和第三侧510c中的每一个与封装层300交叠。通过去除封装层300的设置在第一保护层510上的一部分来制备用于使第一保护层510的上表面的一部分露出的开口区域(OA)。第一封装层310以如下方式被图案化，该方式使得第一封装层310的与开口区域(OA)接触的一个端部与第四封装层340的一个端部重合。
图5A是示出根据本公开内容的另一实施方式的电致发光显示装置的平面视图，其对应于图1的'A'区域的放大图。在下文中，将仅详细描述与图4不同的部分。
如图5A中所示，在基板100上形成多个焊盘电极400和保护层500。以与图4A中示出的多个焊盘电极400中的每一个相同的方式，图5A中示出的多个焊盘电极400中的每一个包括第一侧400a、第二侧400b、第三侧400c和第四侧400d。
保护层500包括多个第一保护层510和被设置成将多个第一保护层510彼此连接的第二保护层520。以与图4A中示出的多个第一保护层510相同的方式，第一保护层510包括第一侧510a、第二侧510b、第三侧510c和第四侧510d。
第二保护层520与多个第一保护层510中的每一个中的第三侧510c接触，并且还面对焊盘电极400的第三侧400c。第一保护层510和第二保护层520由相同的材料形成，并且形成为一体。因此，根据本公开内容的另一实施方式，除了焊盘电极400的第一侧400a之外，保护层500面对第二侧400b、第三侧400c和第四侧400d。
开口区域(OA)可以在与多个第一保护层510的一部分、第二保护层520的一部分以及多个焊盘电极400的一部分交叠的同时以直线结构形成。然而，开口区域(OA)可以不与第二保护层520交叠，由此开口区域(OA)在结构上可以与图4A中示出的开口区域(OA)的结构相同。
开口区域(OA)的一个端部——例如开口区域(OA)的上端部可以与第一保护层510的第一侧510a和焊盘电极400的第一侧400a重合，或者不重合。此外，开口区域(OA)的另一个端部——例如开口区域(OA)的下端部可以与第二保护层520的下端部重合，或者不重合。此外，开口区域(OA)的侧端部可以与第一保护层510的第二侧510b或第四侧510d重合，或者不重合。
根据本公开内容的另一实施方式，另外提供第二保护层520，使得与图4A的情况相比，保护层500的整个区域相对较大。因此，用于通过去除封装层300来形成开口区域(OA)的工艺余量可以较大，并且可以增加用于使焊盘电极400露于外部的接触区域(CA)。
图5B是沿着图5A的A-B线的截面视图，图5B与上面的图4B相同，因此将省略对相同部分的重复描述。
图5C是沿着图5A的C-D线的截面视图。
如图5C中所示，在基板100上形成栅极绝缘层120，在栅极绝缘层120上形成层间绝缘层140，在层间绝缘层140上形成焊盘电极400，并且在焊盘电极400上形成钝化层160。
在定位在焊盘电极400的第一侧400a上方的钝化层160上形成封装层300，在定位在焊盘电极400的第三侧400c上方的钝化层160上形成第二保护层520，并且在第二保护层520上形成封装层300。
焊盘电极400的第一侧400a与钝化层160和封装层300交叠，并且焊盘电极400的第三侧400c与钝化层160和第二保护层520交叠。
通过去除封装层300的设置在焊盘电极400上方的一部分并去除封装层300的设置在第二保护层520上方的一部分来制备开口区域(OA)。此外，通过去除钝化层160的设置在焊盘电极400上方的一部分来制备用于使焊盘电极400的上表面的一部分露出的接触区域(CA)。开口区域(OA)相对大于接触区域(CA)，并且整个接触区域(CA)与开口区域(OA)交叠。
在焊盘电极400的第一侧400a的附近，钝化层160以如下方式被图案化，该方式使得钝化层160的一个端部与封装层300的一个端部重合。然而，在焊盘电极400的第三侧400c的附近，钝化层160的一个端部与封装层300的一个端部不重合。
封装层300包括设置在钝化层160的上表面上的无机绝缘层的第一封装层310和设置在第一封装层310的上表面上的无机绝缘层的第四封装层340。
图5D是沿着图5A的E-F线的截面视图。
如图5D中所示，在基板100上形成栅极绝缘层120，在栅极绝缘层120上形成层间绝缘层140，在层间绝缘层140上形成钝化层160，并且在钝化层160上形成第一保护层510和第二保护层520。
在第一保护层510和第二保护层520上形成封装层300。封装层300包括设置在第一保护层510和第二保护层520的上表面上的无机绝缘层的第一封装层310和设置在第一封装层310的上表面上的无机绝缘层的第四封装层340。
第一保护层510的一个端部和第二保护层520的一个端部中的每一个与封装层300交叠。通过去除封装层300的设置在第一保护层510和第二保护层520上方的一部分来制备用于使第一保护层510和第二保护层520的上表面的一部分露出的开口区域(OA)。第一封装层310的与开口区域(OA)接触的一个端部与第四封装层340的一个端部重合。
图6是示出根据本公开内容的另一实施方式的电致发光显示装置的截面视图，其对应于显示区域的截面视图。
如图6中所示，根据本公开内容的另一实施方式的电致发光显示装置包括基板100、电路器件层150、平坦化层180、第一电极200、堤部210、发射层220、第二电极230、封装层300以及滤色器层610、620和630。在下文中，将仅详细描述与上述实施方式不同的部分。
电路器件层150设置在基板100上。在电路器件层150中，包括各种信号线、薄膜晶体管和电容器的电路器件由每个子像素(P1，P2，P3)提供。特别地，如图2中所描述的，可以提供有源层110、栅极绝缘层120、栅电极130、层间绝缘层140、源电极151、漏电极152和钝化层160。
平坦化层180设置在电路器件层150上，并且第一电极200通过每个子像素(P1，P2，P3)在平坦化层180上被图案化。第一电极200与设置在电路器件层150中的驱动薄膜晶体管的源电极或漏电极连接。
堤部210在设置在平坦化层180上的同时被设置成覆盖第一电极200的两个端部。在本文中，第一电极200的上表面的在没有被堤部210覆盖的情况下而露出的一部分变为发射区域。
在堤部210和平坦化层180中设置有凹槽结构的沟槽(T)。沟槽(T)可以在子像素(P1，P2，P3)中的每一个之间的边界区域中穿透堤部210，并且可以延伸至平坦化层180的预定区域。因此，沟槽(T)可以通过去除平坦化层180和堤部210的预定区域的工艺来制造。此外，尽管未示出，但是沟槽(T)可以延伸至平坦化层180下方的电路器件层150的内部。
沟槽(T)被设置成使发射层220的至少一部分与发射层220的其余部分断开。也就是说，根据发射层220的至少一部分被断开地设置，可以防止电荷通过发射层220在相邻子像素(P1，P2，P3)之间传输，从而防止相邻子像素(P1，P2，P3)之间的漏电流。为了使发射层220的至少一部分断开地设置在沟槽(T)中，优选地沟槽(T)的深度(b)大于沟槽(T)的宽度(a)。
发射层220设置在多个子像素(P1，P2，P3)和多个子像素(P1，P2，P3)中的每一个之间的边界区域中。即，发射层220形成在第一电极200和堤部210上，并且还形成在平坦化层180上、沟槽(T)内部。
发射层220可以被配置成发射白色(W)颜色的光。为此，发射层220可以包括被配置成发射不同颜色的光的多个堆叠。详细地，发射层220可以包括用于发射第一颜色的光的第一堆叠221、用于发射第二颜色的光的第二堆叠223以及设置在第一堆叠221与第二堆叠223之间的电荷生成层(CGL)222。
发射层220形成在沟槽(T)内部和沟槽(T)上方。根据本公开内容的一个实施方式，当发射层220形成在沟槽(T)内部时，发射层220的至少一部分被断开地设置，使得可以防止在相邻子像素(P1，P2，P3)之间的区域中发生漏电流。
第一堆叠221可以形成在沟槽(T)内部的侧表面处，并且还可以形成在沟槽(T)内部的下表面上。
在这种情况下，关于沟槽(T)的中心，第一堆叠221的形成在沟槽(T)的内部的一个侧表面——例如沟槽(T)的内部的左侧的侧表面处的第一部分221a与第一堆叠221的形成在沟槽(T)的内部的另一个侧表面——例如沟槽(T)的内部的右侧的侧表面处的第二部分221b断开。此外，第一堆叠221的形成在沟槽(T)的内部的下表面上的第三部分221c与第一堆叠221的形成在沟槽(T)的内部的侧表面处的第一部分221a和第二部分221b断开。因此，在沟槽(T)置于彼此相邻设置的子像素(P1，P2，P3)之间的情况下，在彼此相邻设置的子像素(P1，P2，P3)之间的区域中，电荷不通过第一堆叠221传输。
此外，电荷生成层222形成在第一堆叠221上。在这种情况下，电荷生成层222可以仅形成在沟槽(T)上方，而不设置在沟槽(T)内部。即，电荷生成层222可以设置在沟槽(T)穿透的堤部210的一个端部的上表面210a上方。换言之，电荷生成层222可以设置在堤部210的与沟槽(T)接触的一个端部的上表面210a上方，但是不限于该结构。电荷生成层222可以延伸至沟槽(T)的内部。
在这种情况下，关于沟槽(T)的中心，电荷生成层222的形成在沟槽(T)的内部的一个侧表面——例如沟槽(T)的内部的左侧的侧表面处的第一部分222a与电荷生成层222的形成在沟槽(T)的内部的另一个侧表面——例如沟槽(T)的内部的右侧的侧表面处的第二部分222b断开。电荷生成层222的第一部分222a形成在第一堆叠221的第一部分221a上，并且电荷生成层222的第二部分222b形成在第一堆叠221的第二部分221b上。
因此，在沟槽(T)置于彼此相邻设置的子像素(P1，P2，P3)之间的情况下，在彼此相邻设置的子像素(P1，P2，P3)之间的区域中，电荷不通过电荷生成层222传输。
此外，第二堆叠223可以在沟槽(T)置于彼此相邻设置的子像素(P1，P2，P3)之间的情况下、在彼此相邻设置的子像素(P1，P2，P3)之间的区域中没有任何断开的情况下、连接地设置在电荷生成层222上。也就是说，关于沟槽(T)的中心，第二堆叠223的形成在沟槽(T)的内部的一个侧表面——例如沟槽(T)的内部的左侧的侧表面处的第一部分223a与第二堆叠223的形成在沟槽(T)的内部的另一个侧表面——例如沟槽(T)的内部的右侧的侧表面处的第二部分223b连接。因此，在沟槽(T)置于彼此相邻设置的子像素(P1，P2，P3)之间的情况下，在彼此相邻设置的子像素(P1，P2，P3)之间的区域中，电荷通过第二堆叠223传输。
在这种情况下，第二堆叠223的与沟槽(T)的其中电荷生成层222断开地设置的部分相对应的部分中的第一厚度(d1)可以相对小于第二堆叠223的与不与沟槽(T)交叠的部分相对应的部分中的第二厚度(d2)。换言之，第二堆叠223的与电荷生成层222的第一部分222a和电荷生成222的第二部分222b之间的部分交叠的部分中的第一厚度(d1)相对小于第二堆叠223的与堤部210交叠的第一部分223a或第二部分223b中的第二厚度(d2)。
第二堆叠223的部分中的第一厚度(d1)相对较小的原因是，第二堆叠223以如下方式沉积，该方式使得在电荷生成层222的第一部分222a的上表面上的第二堆叠223首先与在电荷生成层222的第二部分222b的上表面上的第二堆叠223间隔开，然后与在电荷生成层222的第二部分222b的上表面上的第二堆叠223相遇。因此，第二堆叠223的以相对小的第一厚度(d1)形成的下部的一部分可以断开地设置在沟槽(T)上方。即，第二堆叠223的第一部分223a的下部的一部分可以与第二堆叠223的第二部分223b的下部的一部分断开。
通过第一堆叠221、电荷生成层222和第二堆叠223的结构在沟槽(T)内部形成孔(H)。孔(H)由平坦化层180和发射层220限定，由此在发射层220下方制备孔(H)。即，在发射层220下方制备的孔(H)由平坦化层180、第一堆叠221、电荷生成层222和第二堆叠223限定。孔(H)从沟槽(T)的内部延伸至沟槽(T)的上部，并且孔(H)的端部(HT)被定位成相对高于断开地设置在沟槽(T)内部的发射层220的至少一部分。详细地，孔(H)的端部(HT)被定位成相对高于电荷生成层222，由此电荷生成层222的第一部分222a和电荷生成层222的第二部分222b通过孔(H)彼此断开。
电荷生成层222的电导率大于第一堆叠221和第二堆叠223中的每一个的电导率。特别地，用于电荷生成层222的N型电荷生成层可以包括金属材料，由此电荷生成层222的电导率大于第一堆叠221和第二堆叠223中的每一个的电导率。因此，主要通过电荷生成层222进行在相邻设置的相邻子像素(P1，P2，P3)之间的电荷传输，并且通过第二堆叠223的电荷传输是微不足道的。因此，根据本公开内容的另一实施方式，电荷生成层222被断开地设置在沟槽(T)内部，使得可以大大减少在相邻设置的相邻子像素(P1，P2，P3)之间的电荷传输，从而防止漏电流的发生。
第二电极230形成在每个子像素(P1，P2，P3)中、发射层220上，并且还形成在子像素(P1，P2，P3)中的每一个之间的边界区域中、发射层220上。
封装层300形成在第二电极230上。以与上述实施方式的方式相同的方式，封装层300可以包括第一封装层310、第二封装层320、第三封装层330和第四封装层340。
滤色器层610、620和630形成在封装层300上。滤色器层610、620和630可以包括设置在第一子像素(P1)中的红色(R)滤色器层610、设置在第二子像素(P2)中的绿色(G)滤色器层620和设置在第三子像素(P3)中的蓝色(B)滤色器层630，但是不限于该结构。同时，尽管未示出，但是可以在滤色器层610、620和630中的每一个之间的区域中额外地提供黑矩阵，使得可以防止在子像素(P1，P2，P3)中的每一个之间的边界区域中的光泄漏。
图7A至图7C涉及根据本公开内容的另一实施方式的电致发光显示装置，并且涉及头戴式显示(HMD)设备。图7A是示意性透视图，图7B是虚拟现实(VR)结构的示意性平面视图，以及图7C是增强现实(AR)结构的示意性截面视图。
如图7A中所看到的，根据本公开内容的HMD设备可以包括容纳壳体10和头戴式带30。
容纳壳体10可以容纳诸如显示设备、透镜阵列和目镜的元件。
头戴式带30可以固定至容纳壳体10。头戴式带30被示出为被设置成围绕用户的上表面和两个侧表面，但是不限于此。头戴式带30可以将HMD设备固定至用户的头部，并且可以由眼镜框式结构或头盔式结构代替。
如图7B中所看到的，根据本公开内容的具有VR结构的HMD设备可以包括左眼显示设备12、右眼显示设备11、透镜阵列13、左眼目镜20a和右眼目镜20b。
左眼显示设备12、右眼显示设备11、透镜阵列13、左眼目镜20a以及右眼目镜20b可以被容纳到容纳壳体10中。
左眼显示设备12和右眼显示设备11可以显示相同的图像，并且在这种情况下，用户可以观看二维(2D)图像。可替选地，左眼显示设备12可以显示左眼图像，并且右眼显示设备11可以显示右眼图像。左眼显示设备12和右眼显示设备11中的每一个可以被配置为如以上所说明的电致发光显示装置。在这种情况下，与显示图像的表面相对应的上部(例如，滤色器层610、620和630)可以面向透镜阵列13。
透镜阵列13可以与左眼目镜20a和左眼显示设备12中的每一个间隔开并且可以设置在左眼目镜20a与左眼显示设备12之间。也就是说，透镜阵列13可以设置在左眼目镜20a的前面和左眼显示设备12的后面。此外，透镜阵列13可以与右眼目镜20b和右眼显示设备11中的每一个间隔开并且可以设置在右眼目镜20b与右眼显示设备11之间。也就是说，透镜阵列13可以设置在右眼目镜20b的前面和右眼显示设备11的后面。
透镜阵列13可以是微透镜阵列。透镜阵列13可以由针孔阵列代替。通过使用透镜阵列13，由左眼显示设备12或右眼显示设备11显示的图像可以以一定的放大率放大，并且因此，经放大的图像可以被用户看到。
用户的左眼LE可以位于左眼目镜20a处，并且用户的右眼RE可以位于右眼目镜20b处。
如图7C中所看到的，根据本公开内容的具有AR结构的HMD设备可以包括左眼显示设备12、透镜阵列13、左眼目镜20a、透射反射部14和透射窗口15。在图7C中，为了方便，仅示出了左眼元件，并且右眼元件可以与左眼元件相同。
左眼显示设备12、透镜阵列13、左眼目镜20a、透射反射部14和透射窗口15可以被容纳到容纳壳体10中。
左眼显示设备12可以在不覆盖透射窗口15的情况下设置在透射反射部14的一侧(例如，上侧)中。因此，左眼显示设备12可以在没有覆盖通过透射窗口15看到的外部背景的情况下向透射反射部14提供图像。
左眼显示设备12可以被配置为如以上所说明的电致发光显示装置。在这种情况下，与显示图像的表面相对应的上部(例如，滤色器层610、620和630)可以面向透射反射部14。
透镜阵列13可以设置在左眼目镜20a与透射反射部14之间。
用户的左眼可以位于左眼目镜20a处。
透射反射部14可以设置在透镜阵列13与透射窗口15之间。透射反射部14可以包括使光的一部分透射并且使光的其他部分反射的反射表面14a。反射表面14a可以被设置成使得由左眼显示设备12显示的图像行进至透镜阵列13。因此，用户可以通过透射窗口15看到外部背景和由左眼显示设备12显示的图像中的全部。也就是说，用户可以看到包括真实背景和虚拟图像的一个图像，并且因此，可以实现AR。
透射窗口15可以设置在透射反射部14的前面。
根据本公开内容的一个实施方式，在多个焊盘电极中的每一个之间的边界区域中设置保护层。因此，对于为了露出多个焊盘电极的上表面而去除封装层和设置在其下方的钝化层的过程，保留了保护层和设置在其下方的钝化层，使得可以防止对多个焊盘电极中的每一个之间的外围区域的损坏。
本公开内容的上述特征、结构和效果被包括在本公开内容的至少一个实施方式中，但不限于仅一个实施方式。此外，本领域技术人员可以通过对其他实施方式的组合或修改来实现在本公开内容的至少一个实施方式中描述的特征、结构和效果。因此，与组合和修改相关联的内容应被解释为在本公开内容的范围内。
对于本领域技术人员将明显的是，在不脱离本公开内容的精神或范围的情况下，可以在本公开内容中进行各种修改和变型。因此，本公开内容旨在覆盖本公开内容的修改和变型，只要它们落入所附权利要求及其等同物的范围内。

Claims (22)

1.一种电致发光显示装置，包括：
基板，其包括显示区域和非显示区域；
发射器件，其在所述基板上的所述显示区域中；
封装层，其从所述显示区域延伸至所述非显示区域，其中，所述封装层设置在所述发射器件上；
多个焊盘电极，其在所述基板上的所述非显示区域中；以及
保护层，其设置在所述多个焊盘电极中的每个之间的区域中，并且被配置成保护设置在所述保护层下方的绝缘层，
其中，所述封装层设置有开口区域，所述开口区域被配置成露出所述多个焊盘电极中的每个中的至少一部分和所述保护层的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中，所述保护层由导电材料形成。
3.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，
其中，所述绝缘层包括设置在所述保护层下方的钝化层，以及
所述保护层和设置在所述保护层下方的所述钝化层与所述多个焊盘电极交叠。
4.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中，所述多个焊盘电极中的每个经由接触区域与外部驱动电路连接，并且所述接触区域与所述开口区域交叠。
5.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中，所述开口区域在与所述多个焊盘电极和所述保护层交叠的同时形成为延伸的直线结构。
6.根据权利要求5所述的电致发光显示装置，其中，所述开口区域的尺寸等于或小于包括所述多个焊盘电极和所述保护层的整个区域的尺寸。
7.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，
其中，所述多个焊盘电极中的每个包括：面对所述显示区域的第一侧；从所述第一侧延伸并面对相邻的焊盘电极的第二侧；以及从所述第二侧延伸并与所述第一侧相对的第三侧，以及
其中，所述保护层包括多个第一保护层，其中，每个第一保护层设置在所述多个焊盘电极中的每个之间，以及
所述多个第一保护层中的每个包括：面对所述显示区域的第一侧；从所述第一侧延伸并面对一个焊盘电极的第二侧；以及从所述第二侧延伸并与所述第一侧相对的第三侧。
8.根据权利要求7所述的电致发光显示装置，其中，所述多个第一保护层中的每个不面对所述多个焊盘电极的第一侧。
9.根据权利要求7所述的电致发光显示装置，其中，所述多个第一保护层中的每个中的第二侧与所述多个焊盘电极中的每个交叠。
10.根据权利要求7所述的电致发光显示装置，其中，所述多个第一保护层中的每个中的第一侧和所述多个焊盘电极中的每个中的第一侧沿同一延长线定位。
11.根据权利要求7所述的电致发光显示装置，还包括第二保护层，所述第二保护层与所述多个第一保护层中的每个中的第三侧接触并且面对所述多个焊盘电极中的每个中的第三侧。
12.根据权利要求11所述的电致发光显示装置，其中，所述开口区域与所述第一保护层的一部分和所述第二保护层的一部分交叠。
13.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，
其中，所述封装层包括第一无机绝缘层、在所述第一无机绝缘层上的有机绝缘层和在所述有机绝缘层上的第二无机绝缘层，
所述第一无机绝缘层和所述第二无机绝缘层延伸至所述基板的一个端部，并且所述有机绝缘层不延伸至所述基板的一个端部，以及
所述第一无机绝缘层的上表面和所述第二无机绝缘层的下表面在所述基板的一个端部处彼此接触。
14.根据权利要求13所述的电致发光显示装置，其中，所述第一无机绝缘层的一部分和所述第二无机绝缘层的一部分与所述焊盘电极和所述保护层交叠。
15.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，
其中，所述发射器件包括第一电极、被配置成围绕所述第一电极的外围的堤部、设置在所述第一电极和所述堤部上的发射层、以及设置在所述发射层上的第二电极，以及
所述发射层的一部分断开地设置在所述堤部中的沟槽内部。
16.一种电致发光显示装置，包括：
基板，其包括显示区域和非显示区域；
薄膜晶体管，其设置在所述基板上的所述显示区域中，并且被配置成包括有源层、栅电极、源电极和漏电极；
焊盘电极，其设置在所述基板上的所述非显示区域中，并且与所述源电极和所述漏电极设置在同一层中；
钝化层，其从所述显示区域延伸至所述非显示区域，其中，所述钝化层设置在所述薄膜晶体管上；
保护层，其设置在所述非显示区域的所述钝化层上；
平坦化层，其设置在所述显示区域的所述钝化层上；
发射器件，其设置在所述平坦化层中；以及
封装层，其从所述显示区域延伸至所述非显示区域，其中，所述封装层设置在所述发射器件上，
其中，所述封装层设置有用于露出所述焊盘电极的至少一部分和所述保护层的至少一部分的开口区域。
17.根据权利要求16所述的电致发光显示装置，
其中，所述发射器件包括第一电极、第二电极以及设置在所述第一电极与所述第二电极之间的发射层，以及
所述保护层和所述第一电极由相同的材料形成。
18.根据权利要求16所述的电致发光显示装置，
其中，所述保护层和设置在所述保护层下方的所述钝化层与所述焊盘电极交叠，所述焊盘电极的至少一部分经由接触区域与外部驱动电路连接，并且所述接触区域与所述开口区域交叠。
19.根据权利要求16所述的电致发光显示装置，其中，设置在所述显示区域中的所述封装层的厚度大于设置在所述非显示区域中的所述封装层的厚度，并且设置在所述非显示区域中的所述封装层与所述基板的一个端部交叠。
20.根据权利要求16所述的电致发光显示装置，
其中，所述发射器件包括第一电极、被配置成围绕所述第一电极的外围的堤部、设置在所述第一电极和所述堤部上的发射层、以及设置在所述发射层上的第二电极，以及
所述发射层的一部分断开地设置在所述堤部中的沟槽内部。
21.一种头戴式显示设备，包括：
根据权利要求1至20中的任一项所述的电致发光显示装置。
22.根据权利要求21所述的头戴式显示设备，还包括与所述电致发光显示装置间隔开的透镜阵列以及用于将所述电致发光显示装置和所述透镜阵列容纳在其中的容纳壳体。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023159500A1 (zh) * 2022-02-25 2023-08-31 京东方科技集团股份有限公司 发光基板及其制备方法、背光模组及显示装置

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102661283B1 (ko) * 2018-11-26 2024-05-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102643070B1 (ko) * 2018-12-07 2024-02-29 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시 장치
KR20220004856A (ko) * 2020-07-02 2022-01-12 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 패널과, 이의 제조방법
KR20230021217A (ko) * 2021-08-04 2023-02-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
WO2023073481A1 (ja) * 2021-10-27 2023-05-04 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、及び表示装置の作製方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150115256A1 (en) * 2013-10-30 2015-04-30 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode (oled) display
US20180107316A1 (en) * 2016-10-14 2018-04-19 Japan Display Inc. Touchscreen
JP2018073760A (ja) * 2016-11-04 2018-05-10 キヤノン株式会社 有機デバイス
US20180308903A1 (en) * 2017-04-24 2018-10-25 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
US20190131572A1 (en) * 2017-10-31 2019-05-02 Lg Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
KR20190076384A (ko) * 2017-12-22 2019-07-02 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100521272B1 (ko) 2002-12-20 2005-10-12 삼성에스디아이 주식회사 휘도가 개선된 유기전계 발광표시장치
KR20070021062A (ko) 2005-08-17 2007-02-22 소니 가부시키가이샤 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR101094292B1 (ko) * 2010-05-28 2011-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101764272B1 (ko) 2010-12-02 2017-08-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
US11074025B2 (en) 2012-09-03 2021-07-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
JP2014145857A (ja) 2013-01-28 2014-08-14 Sony Corp 表示装置およびその製造方法、並びに電子機器
KR20180130021A (ko) 2013-04-15 2018-12-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
KR102446857B1 (ko) * 2015-05-26 2022-09-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR101797018B1 (ko) 2015-11-30 2017-11-13 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치와 그를 포함한 헤드 장착형 디스플레이
US10069098B2 (en) 2016-06-29 2018-09-04 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device, method of manufacturing the same, and head mounted display including the same
KR102066099B1 (ko) 2016-07-29 2020-01-14 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102550693B1 (ko) * 2016-08-04 2023-07-04 삼성디스플레이 주식회사 플렉시블 디스플레이 장치 및 제조 방법
KR102611500B1 (ko) 2016-08-31 2023-12-06 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치와 그의 제조방법
KR20180032731A (ko) * 2016-09-22 2018-04-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102664438B1 (ko) * 2016-09-23 2024-05-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US20180145124A1 (en) * 2016-11-21 2018-05-24 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device
KR20180076689A (ko) 2016-12-28 2018-07-06 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102663231B1 (ko) 2016-12-30 2024-05-02 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
JP6827332B2 (ja) 2017-02-01 2021-02-10 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN107180852B (zh) * 2017-05-18 2019-11-15 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种触控显示面板及显示装置
KR102438255B1 (ko) 2017-05-31 2022-08-30 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102354920B1 (ko) * 2017-06-30 2022-01-21 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 일체형 표시장치 및 이의 제조방법
KR102413716B1 (ko) * 2017-09-25 2022-06-28 삼성디스플레이 주식회사 표시패널
KR101948898B1 (ko) 2017-09-29 2019-02-15 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치
KR102408164B1 (ko) * 2017-10-31 2022-06-10 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조방법
KR102470042B1 (ko) * 2017-11-16 2022-11-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102504133B1 (ko) * 2018-02-20 2023-02-28 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치와, 이의 제조 방법
KR102541447B1 (ko) * 2018-02-20 2023-06-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102601293B1 (ko) * 2018-05-08 2023-11-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치, 표시 장치의 검사 장치 및 표시 장치의 검사 방법
KR102578168B1 (ko) * 2018-10-01 2023-09-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109616580B (zh) 2018-10-23 2020-06-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
KR20210059833A (ko) * 2019-11-15 2021-05-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20150115256A1 (en) * 2013-10-30 2015-04-30 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode (oled) display
US20180107316A1 (en) * 2016-10-14 2018-04-19 Japan Display Inc. Touchscreen
JP2018073760A (ja) * 2016-11-04 2018-05-10 キヤノン株式会社 有機デバイス
US20180308903A1 (en) * 2017-04-24 2018-10-25 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
US20190131572A1 (en) * 2017-10-31 2019-05-02 Lg Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing the same
CN109728041A (zh) * 2017-10-31 2019-05-07 乐金显示有限公司 显示装置及其制造方法
KR20190076384A (ko) * 2017-12-22 2019-07-02 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023159500A1 (zh) * 2022-02-25 2023-08-31 京东方科技集团股份有限公司 发光基板及其制备方法、背光模组及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
GB202012392D0 (en) 2020-09-23
CN112397546B (zh) 2024-04-19
GB2590753B (en) 2021-12-29
TW202121681A (zh) 2021-06-01
DE102020121091A1 (de) 2021-02-18
US20210050555A1 (en) 2021-02-18
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