JP2020526939A - 静電チャック - Google Patents

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Abstract

本発明の一実施例は、窒化アルミニウム焼結体からなる静電チャックにおいて、前記窒化アルミニウム焼結体は、窒化アルミニウム及び前記窒化アルミニウムの粒界に沿って形成された複合酸化物を含み、前記複合酸化物は、互いに固溶関係を成す少なくとも2種類の希土類金属を含み、前記複合酸化物は、周辺より酸素の含量が高い捕集領域を含む静電チャックを開示する。

Description

本発明は、静電チャックに関する。
静電チャックは、静電気力を利用して半導体ウェハーなどを固定する装置であって、吸着方法によってクーロン(Coulomb)型静電チャックとジョンセン−ラーベック(Johnsen−Rahbek)型静電チャックに分けられる。
クーロン(Coulomb)型静電チャックは、誘電体の上下面に存在する互いに異なる電荷間の静電気的引力を利用して半導体ウェハーを固定する。しかし、クーロン(Coulomb)型静電チャックは、誘電体の体積抵抗率が1×1015Ω・cm以上でなければならないし、半導体ウェハーのサイズが大きくなるほど、充分な静電吸着力をウェハー接触面全体に均一に形成できないこともある。これに対し、ジョンセン−ラーベック(Johnsen−Rahbek)型静電チャックは、相対的に低い体積抵抗を有する誘電体を利用しても充分な吸着力を提供することができる。
一方、静電チャック用素材としては、窒化アルミニウム(AlN)などのようにアルミニウムを主要原料とする素材が用いられているが、純粋な窒化アルミニウム(AlN)焼結体は常温での体積抵抗率が1×1014Ω・cm以上であるため、ジョンセン−ラーベック(Johnsen−Rahbek)型静電チャックで使用する時、充分な吸着率と優れた電流応答特性を有することが難しいことがある。
本発明の実施例らは、体積抵抗率が減少された静電チャックを提供する。
本発明の一実施例は、窒化アルミニウム焼結体からなる静電チャックにおいて、前記窒化アルミニウム焼結体は、窒化アルミニウム及び前記窒化アルミニウムの粒界に沿って形成された複合酸化物を含み、前記複合酸化物は、互いに固溶関係を成す少なくとも2種類の希土類金属を含み、前記複合酸化物は、周辺より酸素含量が高い捕集領域を含む静電チャックを開示する。
本実施例において、前記複合酸化物は前記窒化アルミニウム焼結体に0.2wt%ないし20wt%で含まれてもよい。
本実施例において、前記窒化アルミニウム焼結体の体積抵抗率は1×10Ω・cmないし1×1012Ω・cmであってもよい。
本実施例において、前記複合酸化物の結晶ピークは、前記少なくとも2種類の希土類金属それぞれの酸化物の結晶ピークと相異することがある。
本実施例において、前記窒化アルミニウム焼結体は、前記窒化アルミニウムの粒界に窒化チタン(TiN)をさらに含むことができる。
本実施例において、前記窒化チタン(TiN)は前記窒化アルミニウム焼結体に1wt%ないし5wt%含まれてもよい。
本実施例において、前記少なくとも2種類の希土類金属は、ランタン(La)、セリウム(Ce)、プラセオジミウム(Pr)、ネオジム(Nd)、プロメチウム(Pm)、サマリウム(Sm)、ユウロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)、イッテルビウム(Yb)及びルテチウム(Lu)から選択されてもよい。
本実施例において、前記複合酸化物は、ユウロピウム−ガドリニウム複合酸化物(EuGdOX)、サマリウム−ガドリニウム複合酸化物(SmGdOX)、セリウム−ユウロピウム複合酸化物(CeEuOX)、サマリウム−セリウム複合酸化物(SmCeOX)、ガドリニウム−サマリウム複合酸化物(GdSmOx)及びランタン−セリウム複合酸化物(LaCeOX)のうち、少なくともいずれか一つを含むことができる。
本実施例において、前記周辺は前記複合酸化物から前記捕集領域を除いた領域、及び前記窒化アルミニウム焼結体を含むことができる。
本実施例において、前記複合酸化物はナノサイズを有する複合酸化物パウダーによって形成されたナノ複合酸化物であってもよい。
前述したもの以外の他の側面、特徴、利点が以下の図面、特許請求の範囲及び発明の詳細な説明によって明確になる。
本発明の実施例によれば、静電チャックの体積抵抗率が減少して静電チャックの電流応答特性が向上することができる。
また、ナノサイズを有する複合酸化物パウダーを使用して静電チャックを製造することで、製造過程中に焼結温度を低めることができ、静電チャックの物理的特性が向上される。
勿論、このような効果によって本発明の範囲が限定されることではない。
本発明の一実施例による静電チャックを形成する窒化アルミニウム焼結体を図示した図面である。 本発明の一実施例による静電チャックの製造過程を概略的に図示したフローチャートである。 図2の静電チャックの製造過程中に複合酸化物パウダーの製造過程を概略的に図示したフローチャートである。 図1の複合酸化物パウダーのXRD分析結果を図示した図面である。 図1の複合酸化物パウダーの大きさによる窒化アルミニウム焼結体の焼結温度と体積抵抗率を図示した図面である。 図1の窒化アルミニウム焼結体の酸素分布状態を図示した図面である。
本発明は多様な変換を加えることができるし、様々な実施例を有してもよいところ、特定実施例を図面に例示して詳細な説明に詳しく説明する。しかし、これは本発明を特定実施形態に対して限定しようとするものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変換、均等物ないし代替物を含むものとして理解されなければならない。本発明を説明するに当たり、関連公知技術に対する具体的な説明が本発明の要旨を曖昧にすることがあると判断される場合、その詳しい説明を省略する。
第1、第2などの用語は様々な構成要素を説明するために使われることがあるが、構成要素は用語によって限定されてはならない。用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的のみに使用される。
本出願で使用した用語は、単に特定実施例を説明するために使われたもので、本発明を限定しようとする意図はない。単数の表現は文脈上明らかに異なる意味を持たない限り、複数の表現を含む。また、各図面において、構成要素は説明の便宜及び明確性のために誇張や省略されたり、または概略的に図示されていて、各構成要素の大きさは実際の大きさを全面的に反映することではない。
各構成要素の説明において、上(on)にまたは下(under)に形成されるものとして記載する場合、上(on)と下(under)は直接または別の構成要素を介在して形成されることを全て含み、上(on)及び下(under)に対する基準は図面を基準として説明する。
以下、本発明の実施例を添付図面を参照にして詳しく説明し、添付図面を参照して説明するにあたり、同一または対応する構成要素には同一な図面番号を与え、これに対して重なる説明は省略する。
図1は、本発明の一実施例による静電チャックを形成する窒化アルミニウム焼結体を図示した図面である。
本発明の一実施例による静電チャックはジョンセン−ラーベック(Johnsen−Rahbek)型静電チャックであって、少なくとも一部が窒化アルミニウム焼結体10からなってもよい。一例として、静電チャックは全体が窒化アルミニウム焼結体10からなってもよい。
窒化アルミニウム焼結体10は窒化アルミニウム11を主成分とし、窒化アルミニウム焼結体11の導電性を向上させるための希土類金属が含まれた複合酸化物12を含んでもよい。また、窒化アルミニウム焼結体10は、窒化チタン(TiN)をさらに含んでもよい。
複合酸化物12は少なくとも2種類の希土類金属を含む複合酸化物12であってもよい。一例として、複合酸化物12が2種類の希土類金属を含む時、いずれかの希土類金属は、もう一つの希土類金属酸化物内に固溶されることがある。よって、いずれか一つの希土類金属酸化物の結晶が変化して、複合酸化物12は単一希土類金属酸化物に比べて格子欠陷が増加することがある。すなわち、本発明による少なくとも2種類の希土類金属を含む複合酸化物12は、前記2種類の希土類金属のいずれか一つの酸化物または2種類の希土類金属それぞれの酸化物が単純混合されたものとは異なる。
一方、格子欠陷が増加した複合酸化物12は酸素との反応性が向上され、これによって窒化アルミニウム11内の酸素を効果的に取り除くことができる。よって、窒化アルミニウム11の純度が向上され、窒化アルミニウム焼結体10の体積抵抗率が減少することがある。
複合酸化物12は、窒化アルミニウム11の粒界に沿って形成されてもよい。すなわち、窒化アルミニウム11の粒界に沿って連続的な導電性結晶相が生成されるので、窒化アルミニウム焼結体10の導電性が向上されることがある。
一方、複合酸化物12は周辺より酸素の含量が高い捕集領域14を含むことができる。ここで周辺は、複合酸化物12から捕集領域14を除いた領域及び窒化アルミニウム11を含む。
下記表1は、図1の窒化アルミニウム焼結体1がサマリウム−セリウム複合酸化物(SmCeOX)を含む場合、図1の第1地点(P1)ないし第5地点(P5)での組成物の含量を示す。
Figure 2020526939
図1において、第1地点(P1)、第2地点(P2)及び第3地点(P3)は捕集領域14で、第4地点(P4)と第5地点(P5)は複合酸化物12によって形成された導電性結晶相である。前記表1から分かるように、捕集領域14での酸素含量が捕集領域14の周辺より遥かに高いことが分かる。前記のような捕集領域14の形成は、窒化アルミニウム11の導電性を向上させることができる。
より具体的に、後述するように、本発明による窒化アルミニウム焼結体10はナノサイズの複合酸化物パウダーを使って形成することができるし、これによって低い焼結温度で焼結しても窒化アルミニウム焼結体10は低い体積抵抗率を有することができる。すなわち、ナノサイズの複合酸化物パウダーによって低温液相焼結が進められるので、窒化アルミニウム11結晶の大きさは高温での焼結時とは異なって大きく成長せず、液相の複合酸化物は窒化アルミニウム11粒子の間に侵透して窒化アルミニウム焼結体10を緻密化させ、既存の高温焼結時とは異なる微細な構造を形成する。このような微細構造の特徴は、捕集領域14の生成によって見られる。言い換えれば、優れた酸素反応性を有する複合酸化物12が低温液相焼結過程を経て窒化アルミニウム11粒子内外の酸素を吸収することで捕集領域14を含む微細構造を形成すると同時に、窒化アルミニウム11粒子は酸素欠陷が減少して優れた導電性粒子に変わる。これによって窒化アルミニウム焼結体10は低静電特性を有することができる。
複合酸化物12に含まれた少なくとも2種類の希土類金属は、ランタン(La)、セリウム(Ce)、プラセオジミウム(Pr)、ネオジム(Nd)、プロメチウム(Pm)、サマリウム(Sm)、ユウロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)、イッテルビウム(Yb)及びルテチウム(Lu)から選択されてもよい。一例として、複合酸化物12は、ユウロピウム−ガドリニウム複合酸化物(EuGdOX)、サマリウム−ガドリニウム複合酸化物(SmGdOX)、セリウム−ユウロピウム複合酸化物(CeEuOX)、サマリウム−セリウム複合酸化物(SmCeOX)、ガドリニウム−サマリウム複合酸化物(GdSmOx)及びランタン−セリウム複合酸化物(LaCeOX)のうち、少なくともいずれか一つを含むことができる。このような複合酸化物12は、窒化アルミニウム11と化学的に結合して窒化アルミニウム11の粒界に沿って導電性結晶相を形成する。一例として、複合酸化物12がサマリウム−セリウム複合酸化物(SmCeOX)の場合形成される導電性結晶相はCeX1−SmAlOであってもよい。
複合酸化物12は、窒化アルミニウム焼結体10を基準として、窒化アルミニウム焼結体10内に0.2wt%ないし20wt%で含まれてもよい。複合酸化物12の含量が窒化アルミニウム焼結体10に対して0.2wt%より小さければ、窒化アルミニウム焼結体10の抵抗減少効果が表れにくくなるし、複合酸化物12の含量が窒化アルミニウム焼結体10に対して20wt%より大きければ、窒化アルミニウム焼結体10の抵抗が減少し過ぎて、静電チャックの電流が漏れることがある。
したがって、複合酸化物12は窒化アルミニウム焼結体10内に0.2wt%ないし20wt%で含まれることが好ましく、これによって窒化アルミニウム焼結体10は1×10Ω・cmないし1×1012Ω・cmの体積抵抗率を有することができ、窒化アルミニウム焼結体10からなってもよい本発明による静電チャックは、電圧印加時のchucking及び電圧除去時のde−chuckingタイムが5秒以内と優れた電流応答特性と高吸着力を有することができる。
窒化アルミニウム焼結体10は、窒化チタンをさらに含むことができる。これによって、窒化アルミニウム焼結体10が黒色を有することにより、放射熱量が増加して加熱特性が向上されることがある。よって、窒化アルミニウム焼結体10からなってもよい静電チャックは、半導体ウェハーを固定する時に半導体ウェハーを加熱する機能を一緒に行うことができる。また、TiOより熱及び電気導電性が大きい窒化チタンは、窒化アルミニウム11の粒界に含まれることで複合酸化物12の電気的特性を向上させることができる。
窒化チタンは窒化アルミニウム焼結体10に1wt%ないし5wt%で含まれてもよい。窒化チタンの含量が1wt%より小さければ複合酸化物12のさらなる抵抗減少効果を持ちにくいし、窒化アルミニウム焼結体10の色相が均一でないので、部分的にしみがつくことがある。一方、窒化チタンの含量が5wt%より多ければ、むしろ窒化アルミニウム焼結体10の体積抵抗率が増加することがある。よって、窒化チタンは窒化アルミニウム焼結体10に1wt%ないし5wt%で含まれることが好ましい。
図2は本発明の一実施例による静電チャックの製造過程を概略的に図示したフローチャートで、図3は図2の静電チャックの製造過程中に複合酸化物パウダーの製造過程を概略的に図示したフローチャートで、図4は図1の複合酸化物パウダーのXRD分析結果を図示した図面である。
図2及び図3を参照すれば、本発明の一実施例による静電チャックの製造方法は、窒化アルミニウムパウダーを準備する段階(S10)、少なくとも2種類の希土類金属を含む複合酸化物パウダーを準備する段階(S20)、窒化アルミニウムパウダーと複合酸化物パウダーを混合して混合パウダーを形成する段階(S30)、混合パウダーを第1次加圧成形して予備成形体を製造する段階(S40)、及び予備成形体を第2次加圧成形及び塑性する段階(S50)を含むことができる。この中で、窒化アルミニウムパウダーと、複合酸化物パウダーはいずれを先に形成しても構わない。
窒化アルミニウムは、直接窒化法、還元窒化法、アルキルアルミニウムによる仮想合成法などで製造されたものであってもよい。
窒化アルミニウムパウダーは、純度99.9%以上で、平均粒度は約1μmであってもよいが、これに限定されない。
複合酸化物パウダーを形成する段階(S20)は、少なくとも第1希土類金属酸化物パウダーと第2希土類金属酸化物パウダーを湿式混合する段階(S21)、混合された第1、2希土類金属酸化物を乾燥させて顆粒を形成する段階(S23)、顆粒を熱処理して複合酸化物を合成する段階(S25)、及び複合酸化物を粉砕する段階(S27)を含むことができる。
相互に異なる第1、2希土類金属は、ランタン(La)、セリウム(Ce)、プラセオジミウム(Pr)、ネオジム(Nd)、プロメチウム(Pm)、サマリウム(Sm)、ユウロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)、イッテルビウム(Yb)及びルテチウム(Lu)から選択されてもよい。
第1希土類金属酸化物パウダーと第2希土類金属酸化物パウダーそれぞれは99.5%以上の純度を有し、平均粒度が100nm以下のナノパウダーであってもよい。
第1希土類金属酸化物パウダーと第2希土類金属酸化物パウダーは、製造される静電チャックに対してそれぞれ0.1wt%ないし10wt%で混合されてもよく、第1希土類金属酸化物パウダーと第2希土類金属酸化物パウダーは様々な割合で混合されてもよい。
第1希土類金属酸化物パウダーと第2希土類金属酸化物パウダーは、無水メタノールまたは無水エタノールを溶媒で湿式混合されてもよい。一例として、第1希土類金属酸化物パウダーと第2希土類金属酸化物パウダーは、アルミナまたはナイロンボールを用いたボールミーリング工程によって均一に混合されることができる。
湿式混合された第1、2希土類金属酸化物は、乾燥過程を通じて乾燥された顆粒を形成することができる。乾燥は噴霧乾燥法、真空乾燥法などによることができるし、乾燥された顆粒は篩にこして大きさを調整することができる。
次いで、窒素または大気雰囲気下で500℃ないし1000℃の温度で1時間ないし5時間乾燥した顆粒を熱処理して複合酸化物を合成する。複合酸化物は一例として、ユウロピウム−ガドリニウム複合酸化物(EuGdOX)、サマリウム−ガドリニウム複合酸化物(SmGdOX)、セリウム−ユウロピウム複合酸化物(CeEuOX)、サマリウム−セリウム複合酸化物(SmCeOX)、ガドリニウム−サマリウム複合酸化物(GdSmOx)及びランタン−セリウム複合酸化物(LaCeOX)のうち、少なくともいずれか一つを含んでもよいが、これは第1、2希土類金属の中でいずれか一つの酸化物、または第1、2希土類金属それぞれの酸化物が単純混合されたものとは異なるもので、図4から明確に分かる。
図4は複合酸化物と単一希土類金属酸化物のXRD分析結果を図示した図面であって、図4のAは単一希土類金属酸化物としてサマリウム(Sm)酸化物のXRD分析結果を示し、Bは複合酸化物としてガドリニウム−サマリウム複合酸化物(GdSmOx)のXRD分析結果を示す。
図4のBから分かるように、ガドリニウム−サマリウム複合酸化物(GdSmOx)、すなわち、サマリウム酸化物にガドリニウムがドーピングされた複合酸化物の場合、Aに比べてサマリウムのピークがシフトされて広くなった形態を有することが分かる。言い換えれば、複合酸化物化されながら、単一酸化物のピーク位置が0.1度から0.9度の範囲で複合酸化物のピーク位置にシフトされた。これはガドリニウムの固溶によってサマリウム酸化物の結晶が変化したことで、これによって複合酸化物は単一酸化物、または単一酸化物が単純に混合された場合に比べて多くの格子欠陷を有することができ、これによって酸素との反応性が向上されることがある。
前記のように熱処理を通して合成された複合酸化物は粉砕過程を通じて粉砕されて複合酸化物パウダーを形成することができる。複合酸化物パウダーの平均粒度は窒化アルミニウムパウダーの平均粒度より小さいことがある。例えば、複合酸化物パウダーの平均粒度は100nm以下であってもよい。
窒化アルミニウムパウダーと複合酸化物パウダーを形成した後は、これらを混合して混合パウダーを形成(S30)する。
一例として、窒化アルミニウムパウダーと複合酸化物パウダーは、成形性のためのバインダー、可塑剤などと湿式混合されてスラリーを形成した後、これを乾燥させて混合パウダーを形成することができる。湿式混合は一例として、純度99%以上のアルミナまたはナイロンボールを利用したボールミーリング工程によってもよく、スラリーの乾燥は、噴霧乾燥法、真空乾燥法などによってもよいが、これに限定されない。
一方、混合パウダーを形成する段階(S30)で、二酸化チタンがさらに添加されてもよい。二酸化チタンは窒化アルミニウム焼結体の黒色化及び色相の均一性のためのもので、窒化アルミニウム焼結体を基準として0.1wt%ないし5wt%で含まれてもよい。また、二酸化チタンは焼結過程を経て窒化チタンを形成してもよく、これによって複合酸化物12の電気的特性をさらに向上させることができる。
次いで、形成された混合パウダーを第1次加圧成形して一定形態を有する予備成形体を製造する。一例として、予備成形体は油圧プレスで150bar以下の圧力で成形した後、冷間静水圧成形を経て一定強度を持つことができる。また、予備成形体は350℃ないし600℃の温度で60時間以内で窒素脱脂を行うことができる。
次に、予備成形体を第2次加圧成形及び塑性(S50)して窒化アルミニウム焼結体を形成する。第2次加圧成形は、一例として、予備成形体を黒鉛モールドに装入し、高温加圧焼結炉で圧力300bar以下、及び1650℃ないし1850℃の温度で成形及び塑性させることができる。塑性温度が1650℃より低いか、1850℃より高い場合は、窒化アルミニウム焼結体の体積抵抗率が顕著に減少することがある。
このように形成された窒化アルミニウム焼結体は、低い体積抵抗率を有することがある。
より具体的に、2種類の希土類金属を含んで高い格子欠陷を有する複合酸化物は、窒化アルミニウム焼結体の塑性過程中に窒化アルミニウム内の酸素と効果的に反応することで窒化アルミニウムの抵抗を下げ、窒化アルミニウムの粒界に沿って導電性結晶相を形成し、窒化アルミニウム焼結体の抵抗が減少されることができる。
この時、複合酸化物は窒化アルミニウム焼結体内に0.2wt%ないし20wt%で含まれることで、窒化アルミニウム焼結体は1×10Ω・cmないし1×1012Ω・cmの体積抵抗率を有してもよい。よって、窒化アルミニウム焼結体からなってもよい本発明による静電チャックは、電圧印加時のchucking及び電圧除去時のde−chuckingタイムが5秒以内と優れた電流応答特性と高吸着力を有することができる。
また、複合酸化物パウダーは、ナノサイズを有することによって、窒化アルミニウム焼結体の器具的強度を向上させ、窒化アルミニウム焼結体の製造過程中に焼結温度を下げることができるし、混合パウダーの形成時に添加される添加剤の量を減少させることができ、酸素との反応性をさらに向上させることができる。このようにナノサイズを有する複合酸化物パウダーによって形成された複合酸化物をナノ複合酸化物と命名することができる。
図5は図1の複合酸化物パウダーの平均粒度による窒化アルミニウム焼結体の焼結温度と体積抵抗率を図示した図面で、図6は図1の窒化アルミニウム焼結体の酸素分布状態を図示した図面である。
図5は複合酸化物パウダーの大きさによる窒化アルミニウム焼結体の焼結温度と体積抵抗率を図示した図面であって、図5の(I)ないし(IV)は純度99.9%、平均粒度1μmである窒化アルミニウムパウダーと、ユウロピウム−ガドリニウム複合酸化物(EuGdOX)を混合して製造された窒化アルミニウム焼結体を示す。ただし、図5の(I)と(III)の窒化アルミニウム焼結体は、μm単位の粒子サイズを有するユウロピウム−ガドリニウム複合酸化物(EuGdOX)パウダーを混合して製造し、図5の(II)と(IV)はnm単位の粒子サイズを有するユウロピウム−ガドリニウム複合酸化物(EuGdOX)パウダーを混合して製造したことに差がある。また、図5の(I)と(II)の窒化アルミニウム焼結体は1850℃で塑性し、図5の(III)と(IV)の窒化アルミニウム焼結体は1700℃で塑性した。
図5から分かるように、(I)と(II)は、高い塑性温度によって窒化アルミニウム焼結体の体積抵抗率が1×1012Ω・cm以下で形成されることが分かる。しかし、1700℃に塑性温度を下げた場合、(III)の場合は窒化アルミニウム焼結体の体積抵抗率が1×1014Ω・cmより大きく増加したことに対し、(IV)の場合は窒化アルミニウム焼結体が低い体積抵抗率を維持することが分かる。よって、複合酸化物パウダーがナノサイズを有することによって、窒化アルミニウム焼結体の焼結温度を下げることができるし、これによって相対的に静電チャックの製造工程が容易になる。
図6は、サマリウム−セリウム複合酸化物(SmCeOX)を含む窒化アルミニウム焼結体の酸素分布状態を図示した図面であって、
図6の(A)はサマリウム−セリウム複合酸化物(SmCeOX)パウダーがnm単位の粒子サイズを有する場合で、図6の(B)はサマリウム−セリウム複合酸化物(SmCeOX)パウダーがμm単位の粒子サイズを有する場合である。図6から分かるように、図6の(B)は酸素が均一に分布された一方、図6の(A)はサマリウム−セリウム複合酸化物(SmCeOX)の周りに酸素凝集現象が表れている。すなわち、複合酸化物がナノサイズを有する複合酸化物パウダーに形成されれば、複合酸化物の酸素捕集能力が向上することが分かる。
よって、本発明によれば、格子欠陷が増加した複合酸化物パウダーがナノサイズを有することで、複合酸化物の酸素反応性がより向上され、窒化アルミニウム内部の酸素をより効果的に取り除くことができ、これによって窒化アルミニウム焼結体の体積抵抗率を下げることができる。
以下では、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明する。以下の実施例は本発明を例示として詳しく説明するためのものであり、いかなる場合でも本発明の範囲を制限するための意図ではない。
1.窒化アルミニウムパウダー及び複合酸化物パウダーの準備
窒化アルミニウムパウダーは還元窒化法によって形成した窒化アルミニウムパウダーで、純度99.9%以上、平均粒径1μmのものを使用した。
希土類金属は、ガドリニウム(Gd)、サマリウム(Sm)、セリウム(Ce)及びユウロピウム(Eu)を選択し、互いに固溶を成すように含量を調節した。ガドリニウム(Gd)、サマリウム(Sm)、セリウム(Ce)及びユウロピウム(Eu)それぞれの酸化物は、純度99.5%以上であり、平均粒径が100nm以下である。
複合酸化物パウダーは、相異なる2種類の希土類金属酸化物パウダーを無水メタノールを溶媒にして、純度99.9%のアルミナボールを利用したボールミーリングを通じて湿式混合した後、これを噴霧乾燥法によって乾燥させ、窒素雰囲気下で800℃の温度で3時間熱処理し、平均粒径が100nm以下になるように粉砕して形成した。
2.窒化アルミニウム焼結体形成
1)窒化アルミニウムパウダー、複合酸化物パウダー、二酸化チタン、バインダー及び可塑剤を無水メタノールを溶媒にして、純度99.9%のアルミナボールを用いたボールミーリングを通して12時間湿式混合した後、これを噴霧乾燥法によって乾燥させて混合パウダーを形成した。
2)混合パウダーを油圧プレスで150barの圧力で成形して予備成形体を製造し、予備成形体は冷間静水圧成形を経て450℃の温度で40時間窒素脱脂を行った。
3)予備成形体を黒鉛モールドに装入し、高温加圧焼結炉で圧力150bar、温度1800℃で成形及び塑性して窒化アルミニウム焼結体を形成した。
3.窒化アルミニウム焼結体の体積抵抗率測定
真空雰囲気下で室温で測定した。印加電圧は500V/mmにし、電圧印加後1分である時の電流を測定して窒化アルミニウム焼結体の体積抵抗率を算出した。
Figure 2020526939
前記表2の比較例1ないし比較例3、及び実施例1ないし実施例7で分かるように、窒化アルミニウム焼結体が2種類の希土類金属を含む複合酸化物を含む場合が、2種類の希土類金属それぞれの酸化物を含む場合より窒化アルミニウム焼結体の体積抵抗率が減少することが分かる。この時、前記表2の比較例4ないし比較例6で分かるように、窒化アルミニウム焼結体内の複合酸化物の含量が0.2wt%ないし20wt%を脱すれば、窒化アルミニウム焼結体の体積抵抗率が大き過ぎるか小さ過ぎるため、複合酸化物は窒化アルミニウム焼結体内で0.2wt%ないし20wt%で含まれてもよい。
下記表3は窒化アルミニウム焼結体の塑性温度による窒化アルミニウム焼結体の体積抵抗率を示す。
Figure 2020526939
前記表3で分かるように、1750℃を基準として、塑性温度が1710℃まで低くなると体積抵抗がだんだん小さくなって、塑性温度が1800℃まで上がると体積抵抗はだんだん大きくなる傾向を見せる。また、1800℃以上ではまた体積抵抗が徐々に減少するが、塑性温度が1850℃より高くなると過焼結によって体積抵抗率が顕著に減少することが分かる。体積抵抗率が1×10Ω・cmより小さいと静電チャックから電流が漏れることもあるので、塑性温度は1850℃以下に設定されることが好ましい。また、塑性温度が1650℃より低くなる場合は、未焼結によって同じく体積抵抗率が顕著に減少する現象が表れるので、塑性温度は1650℃以上に設定されることが好ましい。
以上、図面に図示された実施例を参考にして説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当該技術分野における通常の知識を有する者であれば、これによって多様な変形及び均等な別の実施例が可能であるという点を理解することができる。よって、本発明の真の技術的保護範囲は、添付の特許請求範囲の技術的思想によって定められなければならない。
10 窒化アルミニウム焼結体
11 窒化アルミニウム
12 複合酸化物
14 捕集領域

Claims (9)

  1. 窒化アルミニウム焼結体からなる静電チャックにおいて、
    前記窒化アルミニウム焼結体は、窒化アルミニウム及び前記窒化アルミニウムの粒界に沿って形成された複合酸化物を含み、
    前記複合酸化物は、互いに固溶関係を成す少なくとも2種類の希土類金属を含み、
    前記複合酸化物は、周辺より酸素含量が高い捕集領域を含み、
    前記複合酸化物は、ナノサイズを有する複合酸化物パウダーによって形成されたナノ複合酸化物である静電チャック。
  2. 前記複合酸化物は、前記窒化アルミニウム焼結体に0.2wt%ないし20wt%で含まれた請求項1に記載の静電チャック。
  3. 前記窒化アルミニウム焼結体の体積抵抗率は1×10Ω・cmないし1×1012Ω・cmである請求項1に記載の静電チャック。
  4. 前記複合酸化物の結晶ピークは、前記少なくとも2種類の希土類金属それぞれの酸化物の結晶ピークと異なる請求項1に記載の静電チャック。
  5. 前記窒化アルミニウム焼結体は、前記窒化アルミニウムの粒界に窒化チタン(TiN)をさらに含む請求項1に記載の静電チャック。
  6. 前記窒化チタン(TiN)は、前記窒化アルミニウム焼結体に1wt%ないし5wt%で含まれた請求項5に記載の静電チャック。
  7. 前記少なくとも2種類の希土類金属は、ランタン(La)、セリウム(Ce)、プラセオジミウム(Pr)、ネオジム(Nd)、プロメチウム(Pm)、サマリウム(Sm)、ユウロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、テルビウム(Tb)、ジスプロシウム(Dy)、ホルミウム(Ho)、エルビウム(Er)、ツリウム(Tm)、イッテルビウム(Yb)及びルテチウム(Lu)から選択された請求項1に記載の静電チャック。
  8. 前記複合酸化物は、ユウロピウム−ガドリニウム複合酸化物(EuGdOX)、サマリウム−ガドリニウム複合酸化物(SmGdOX)、セリウム−ユウロピウム複合酸化物(CeEuOX)、サマリウム−セリウム複合酸化物(SmCeOX)、ガドリニウム−サマリウム複合酸化物(GdSmOx)及びランタン−セリウム複合酸化物(LaCeOX)のうち、少なくともいずれか一つを含む請求項1に記載の静電チャック。
  9. 前記周辺は前記複合酸化物から前記捕集領域を除いた領域、及び前記窒化アルミニウム焼結体を含む請求項1に記載の静電チャック。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101965895B1 (ko) * 2018-11-08 2019-04-04 주식회사 케이에스엠컴포넌트 정전 척 및 그 제조 방법
US20230245918A1 (en) * 2020-07-13 2023-08-03 Kyocera Corporation Sample holder
CN116262666B (zh) * 2022-12-29 2024-05-17 浙江省冶金研究院有限公司 一种氮化铝基陶瓷复合材料的制备方法及其在静电吸盘上的应用

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6217075A (ja) * 1985-07-12 1987-01-26 電気化学工業株式会社 窒化アルミニウム焼結体及びその製法
JP2002324832A (ja) * 2002-02-19 2002-11-08 Kyocera Corp 静電チャック
JP2003055052A (ja) * 2000-10-23 2003-02-26 Ngk Insulators Ltd 低体積抵抗材料、窒化アルミニウム焼結体および半導体製造用部材
JP2004083292A (ja) * 2002-08-22 2004-03-18 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 窒化アルミニウム焼結体、及びその製造方法、並びに窒化アルミニウム焼結体を用いた電極内蔵型サセプタ
JP2004175656A (ja) * 2002-11-14 2004-06-24 Ngk Insulators Ltd 窒化アルミニウム質セラミックス、半導体製造用部材および窒化アルミニウム焼結体の製造方法
JP2004262750A (ja) * 2003-02-28 2004-09-24 Ngk Insulators Ltd 窒化アルミニウム質材料および半導体製造装置用部材
WO2005092789A1 (ja) * 2004-03-29 2005-10-06 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha 窒化アルミニウム粉末及び窒化アルミニウム焼結体
JP2007254164A (ja) * 2006-03-20 2007-10-04 Ngk Insulators Ltd 窒化アルミニウム焼結体、半導体製造装置用部材、及び窒化アルミニウム焼結体の製造方法
CN104926314A (zh) * 2015-06-17 2015-09-23 长沙鼎成新材料科技有限公司 一种led用陶瓷基板

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050092789A1 (en) 1998-08-21 2005-05-05 Giacona Corrado Iii Bottled drink carrier apparatus
US6607836B2 (en) 2000-10-23 2003-08-19 Ngk Insulators, Ltd. Material of low volume resistivity, an aluminum nitride sintered body and a member used for the production of semiconductors
JP4514379B2 (ja) * 2000-12-21 2010-07-28 日本碍子株式会社 窒化アルミニウム焼結体及び半導体製造装置用部材
JP2005294648A (ja) 2004-04-01 2005-10-20 Ngk Insulators Ltd 静電チャックとその製造方法
JP2006273587A (ja) 2005-03-25 2006-10-12 Ngk Insulators Ltd 窒化アルミニウム質セラミックス、半導体製造部材及び窒化アルミニウム質セラミックスの製造方法
JP5180034B2 (ja) 2008-11-21 2013-04-10 日本碍子株式会社 窒化アルミニウム焼結体、その製法及びそれを用いた静電チャック
JP5872998B2 (ja) 2012-04-26 2016-03-01 日本特殊陶業株式会社 アルミナ焼結体、それを備える部材、および半導体製造装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6217075A (ja) * 1985-07-12 1987-01-26 電気化学工業株式会社 窒化アルミニウム焼結体及びその製法
JP2003055052A (ja) * 2000-10-23 2003-02-26 Ngk Insulators Ltd 低体積抵抗材料、窒化アルミニウム焼結体および半導体製造用部材
JP2002324832A (ja) * 2002-02-19 2002-11-08 Kyocera Corp 静電チャック
JP2004083292A (ja) * 2002-08-22 2004-03-18 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 窒化アルミニウム焼結体、及びその製造方法、並びに窒化アルミニウム焼結体を用いた電極内蔵型サセプタ
JP2004175656A (ja) * 2002-11-14 2004-06-24 Ngk Insulators Ltd 窒化アルミニウム質セラミックス、半導体製造用部材および窒化アルミニウム焼結体の製造方法
JP2004262750A (ja) * 2003-02-28 2004-09-24 Ngk Insulators Ltd 窒化アルミニウム質材料および半導体製造装置用部材
WO2005092789A1 (ja) * 2004-03-29 2005-10-06 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha 窒化アルミニウム粉末及び窒化アルミニウム焼結体
JP2007254164A (ja) * 2006-03-20 2007-10-04 Ngk Insulators Ltd 窒化アルミニウム焼結体、半導体製造装置用部材、及び窒化アルミニウム焼結体の製造方法
CN104926314A (zh) * 2015-06-17 2015-09-23 长沙鼎成新材料科技有限公司 一种led用陶瓷基板

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