JP2020501376A - 構成部材を備えた固体層を薄くするための方法 - Google Patents
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Abstract
Description
6HCl+2Al+12H2O→2[AlCl3 *6H2O]+3H2
4 固体層
5 表面
8 剥離面
9 改質部
150 構成部材
Claims (18)
- 少なくとも1つの固体(1)から少なくとも1つの固体層(4)を分離するための方法であって、少なくとも
剥離面(8)を形成するために、レーザー光線によって前記固体(1)の内部に多数の改質部(9)を生成するステップと、
前記固体(1)の最初に露出する表面(5)上にまたはこの表面の上方に、層および/または構成部材(150)を配置または生成することによって複合構造体を生成するステップとを有し、この場合露出する前記表面(5)が分離すべき前記固体層(4)の構成部分であり、
さらに、前記固体(1)内に応力を発生するために前記固体(1)に外力を加えるステップを有し、この場合外力は、応力が前記剥離面(8)に沿って亀裂を広げるような強さであり、
前記剥離面(8)を形成するための前記改質部が複合構造体を生成する前に生成されることを特徴とする方法。 - 外力を加えるために、受容層(140)が前記複合構造体または分離すべき前記固体(4)の露出表面(5)に配置され、前記受容層(140)がポリマー材料を有し、前記受容層(140)が前記固体(1)内に応力を特に機械的に発生するために熱負荷され、この熱負荷が周囲温度の下方の温度に前記受容層を冷却することであり、この場合前記受容層(140)のポリマー材料がガラス転移を行うように、前記冷却が実施され、前記応力によって、亀裂が前記固体(1)内で前記剥離面(8)に沿って広がり、この亀裂が最初の固体層(4)を前記固体(1)から分離することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記固体(1)が前記剥離面(8)の発生前に少なくとも1つの高温方法で処理され、この高温方法が70°Cと、前記固体(1)の材料の溶融温度または蒸発温度との間の温度で実施され、
少なくとも1つの前記高温方法がエピタキシャル成長方法、ドープ方法またはプラズマを用いた方法であり、この高温方法によって、少なくとも1つの層(145)が前記固体(1)上に生成され、少なくとも1つの生成された層(145)が予め定めたパラメータを有し、少なくとも1つの予め定めた前記パラメータがレーザー光波の屈折および/または吸収および/または反射の最大度合いを定め、屈折および/または吸収および/または反射のこの度合いが5%以下、好ましくは1%以下、特に好ましくは0.1%以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。 - 前記改質部(9)によって前記固体(1)内に圧縮応力が発生させられ、圧縮応力を発生する前記改質部(9)の少なくとも一部が、前記固体(1)から前記固体層(4)を分離する際に、前記固体層(4)に残ることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 残る改質部部分の前記圧縮応力によって生じる前記固体層(4)の変形を、少なくとも部分的におよび好ましくは大半をおよび特に好ましくは完全に取り除くためにあるいは前記圧縮応力を少なくとも部分的におよび好ましくは大半をまたは完全に取り除くために、前記固体(1)から前記固体層(4)を分離することによって露出する表面に、金属層(20)が生成され、および/または
前記金属層がスパッタリングまたは電気化学的な被膜形成によって生成されることを特徴とする請求項4に記載の方法。 - 前記金属層が第1状態でおよび室温よりも高い温度で前記固体層(4)上に生成され、そして室温で第2状態にあり、この場合第1状態から第2状態への移行によって、前記金属層が、残りの改質部分の圧縮応力によって生じる前記固体層の変形を少なくとも部分的に、好ましくは完全に取り除き、
あるいは
前記金属層が室温よりも高い温度範囲で前記固体層(4)上に生成され、この場合温度範囲が室温よりも少なくとも100°Cまたは150°Cまたは200°Cまたは250°Cまたは300°Cまたは350°Cまたは400°Cだけ高く、特に好ましくは最高で2000°C以下であるかまたは固体材料の溶融温度または蒸発温度よりも低く、この場合前記金属層を室温に冷却することによって、前記固体層が残りの改質部分の圧縮応力によって生じる変形を少なくとも部分的に、好ましくは完全に取り除かれることを特徴とする請求項5に記載の方法。 - 前記改質部(9)が多光子励起によって生成され、
この場合先ず最初に多数のベース改質部が少なくとも区間毎に均一に延びる、特に湾曲した線に沿って、特に均一に延びる区間で生成され、
この場合ベース改質部が予め定めたプロセスパラメータを以て生成され、
この場合予め定めたプロセスパラメータが好ましくは発射あたりのエネルギおよび/または発射密度を含み、
この場合このプロセスパラメータの少なくとも1つの値、好ましくはこのプロセスパラメータの両値またはすべての値あるいはこのプロセスパラメータの2つよりも多い値が、前記固体の結晶格子安定性に依存して定められ、
この場合、結晶格子がその都度のベース改質部の周りで無傷のままであるように、前記値が選択され、
この場合さらに、臨界以下の亀裂を誘発するために誘発改質部が生成され、この場合誘発改質部を生成するための少なくとも1つのプロセスパラメータがベース改質部を生成するための少なくとも1つのプロセスパラメータとは異なっており、好ましくは複数のプロセスパラメータが互いに異なっており、および/または
誘発改質部が、ベース改質部を生成する線の延在方向に対して傾斜したまたは離隔された方向に生成され、この場合臨界以下の亀裂が5mmよりも小さく広がっていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。 - 前記固体材料がシリコンであり、この場合開口数が0.5〜0.8、特に約0.65であり、照射深さが150〜1000μm、特に約300μmであり、パルス間隔が1〜5μm、特に約2μmであり、線間隔が1〜5μm、特に約2μmであり、パルス時間が50〜400ns、特に約300nsであり、パルスエネルギが3〜30μJ、特に約10μJであり、
あるいは
前記固体材料がSiCであり、この場合開口数が0.4〜0.8、特に約0.4であり、照射深さが50〜500μm、特に約180μmであり、パルス間隔が0.1〜3μm、特に約1μmであり、線間隔が10〜100μm、特に約75μmであり、パルス時間が100fs〜10ns、特に約3nsであり、パルスエネルギが0.5〜30μJ、特に約7μJであることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法。 - 臨界以下の亀裂が、5〜200μm、特に10〜100μmまたは10〜50μmまたは10〜30μmまたは20〜100μmまたは20〜50μmまたは20〜30μmだけ前記固体内で広がることを特徴とする請求項4または5に記載の方法。
- 臨界以下の亀裂を形成した、複数の線の範囲の間の区間が、ガラス転移によって生じる応力によって裂けることを特徴とする請求項4〜6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記受容層(140)が、複合構造体を形成するために層および/または構成部材(150)を配置した前記固体(1)の表面(5)とは反対側にある、前記固体(1)の表面に配置または生成され、
あるいは
前記受容層(140)が質量的に少なくともその大部分が、好ましくは完全にポリマー材料からなり、このポリマー材料のガラス転移が−130〜0°C、特に−85〜−10°Cまたは−80〜−20°Cまたは−65〜−40°Cまたは−60〜−50°Cであり、
この場合前記受容層(140)がポリマーマトリックスを形成するポリマーハイブリッド材料からなり、この場合ポリマーマトリックス内に充填材が設けられ、ポリマーマトリックスが好ましくはポリマーメチルシロキサンマトリックスであり、ポリマーハイブリッド材料におけるポリマーマトリックスの質量割合が好ましくは80〜99%、特に好ましくは90〜99%であることを特徴とする請求項1〜10のいずれか一項に記載の方法。 - 成形された前記複合構造体の露出した層または露出した前記構成部材(150)上に、露出した層または露出した前記構成部材(150)の変形を制限するための安定化層(142)が配置または生成され、この場合変形が前記受容層(140)によって加えられる機械的な応力によって生じ、
この場合前記安定化層(142)が好ましくはセラミックス材料を備えているかまたはセラミックス材料からなりおよび/またはポリマー材料を備えているかまたはポリマー材料からなり、
前記安定化層(142)がその場で生成されるかまたはフィルムとして提供されおよび/または
前記安定化層(142)が前記層または前記露出構成部材(150)を包みおよび/または
前記安定化層(142)が溶剤を塗布することによってまたは溶剤に浸漬することによって前記層から除去されるかまたは前記構成部材(150)から除去されることを特徴とする請求項1〜11のいずれか一項に記載の方法。 - 前記安定化層(142)がガラスウェハとして形成されているかまたは前記安定化層(142)上にガラスウェハが配置されていることを特徴とする請求項12に記載の方法。
- 前記受容層(140、146)を−130〜−10°Cの温度、特に−80〜−50°Cの温度に冷却するための冷却装置(174)が設けられ、
この冷却装置(174)が好ましくは液体窒素を霧化するための霧化手段(182)、特に少なくとも1本の穴あき導管または1本の穴あき導管を備え、冷却作用が霧化された液体窒素によって発生させられ、
あるいは
前記冷却装置(174)が窒素浴(178)を備え、この場合前記受容層(140、146)が窒素浴(178)内にある液体窒素に対して離隔して位置決めされ、
あるいは
前記冷却装置(174)が窒素を好ましくは均一に提供する噴霧手段(182)を備え、この噴霧手段(182)が好ましくは前記受容層(140、142)の上方および/または側方に配置されていることを特徴とする請求項1〜13のいずれか一項に記載の方法。 - 電気的な要素を生成するための方法であって、少なくとも
剥離面(8)を形成するためにレーザー光線によって固体(1)の内部に多数の改質部(9)を生成するステップを有し、
この場合前記改質部(9)によって前記固体(1)内に圧縮応力が発生させられ、
さらに、前記固体(1)の最初に露出する表面(5)上にまたはこの表面の上方に、層および/または構成部材(150)を配置または生成することによって複合構造体を生成するステップを有し、この場合前記露出する表面(5)が分離すべき固体層(4)の構成部分であり、
さらに、前記改質部(9)によって形成された前記剥離面(8)に沿って残りの前記固体(1)と前記固体層(4)を分けることにより、前記固体層(4)を分離するステップを有し、この場合圧縮応力を発生する前記改質部(9)の少なくとも構成部分が前記固体層(4)上に残り、
この場合前記固体層(4)が前記改質部(9)に基づいて前記固体(1)から剥離されるほど多くの改質部(9)が生成され、
あるいは
この場合前記固体(1)内に他の応力を発生するために、外力が前記固体(1)に加えられ、この場合外力は、応力が前記改質部によって形成された前記剥離面(8)に沿って亀裂の広がりを生じるような強さであり、
さらに、前記改質部構成部分によって生じる圧縮応力を少なくとも部分的に補償するために、前記固体(1)からの前記固体層(4)の分離によって露出する表面に金属層(20)を生成するステップを有する
上記方法。 - 電気的な要素が垂直な構成要素、特にショットキーダイオード(200)および/または金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)(250)であり、この場合前記金属層が電気接触部、特にオーム接触部を形成しおよび/または熱排出のためのインターフェースを形成しおよび/または電気的な要素が水平な構成要素、特に高電子移動度トランジスタ(HEMT)であり、この場合前記金属層が好ましくは熱排出のためのインターフェースを形成し、
好ましくは平均して、前記固体層の平らな表面側の1cm2あたり、多数の電気的な要素、特に少なくとも10個または少なくとも50個または少なくとも100個の電気的な要素が生成され、この場合電気的な要素がその生成後好ましくはダイシングによって互いに分離されることを特徴とする請求項15に記載の方法。 - 上述のいずれか一つの方法に従って製作された固体(1)であって、この固体が少なくとも
前記固体(1)の内部の剥離面(8)を備え、この剥離面(8)がレーザー光線照射によって生成される改質部(9)によって形成され、
さらに、高温処理方法によって生じる範囲(145)を備え、この範囲(145)に層および/または構成部材(150)が好ましくは配置または生成されている、
上記固体(1)。 - 多要素構造体であって、この構造体が少なくとも
固体層を備え、
この固体層が50質量%以上、特に75質量%以上または90質量%以上または95質量%以上または98質量%以上または99質量%以上のSiCからなり、
前記固体層が第1表面の範囲に、圧縮応力を発生する改質部または改質部構成部分を有し、
前記改質部が前記固体層の非結晶化された構成部分であり、
前記改質部が第2表面よりも第1表面の近くに位置しているかまたはこの第1表面を一緒に形成し、前記第2表面が前記第1表面に対して平行にまたはほぼ平行に形成され、
前記第1表面が平らまたはほぼ平らであり、
さらに、前記固体層の前記第1表面に生成された金属層を備えている、
上記多要素構造体。
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---|---|
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2020213478A1 (ja) * | 2019-04-19 | 2020-10-22 | ||
JPWO2020213479A1 (ja) * | 2019-04-19 | 2020-10-22 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11081393B2 (en) | 2019-12-09 | 2021-08-03 | Infineon Technologies Ag | Method for splitting semiconductor wafers |
US11848197B2 (en) | 2020-11-30 | 2023-12-19 | Thinsic Inc. | Integrated method for low-cost wide band gap semiconductor device manufacturing |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012108056A1 (ja) * | 2011-02-10 | 2012-08-16 | 信越ポリマー株式会社 | 内部応力層形成単結晶部材および単結晶基板製造方法 |
JP2015516672A (ja) * | 2012-02-26 | 2015-06-11 | ソレクセル、インコーポレイテッド | レーザ分割及び装置層移設のためのシステム及び方法 |
JP2016509364A (ja) * | 2012-12-21 | 2016-03-24 | コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ | 厚膜結晶層の製造方法 |
WO2016055443A1 (de) * | 2014-10-06 | 2016-04-14 | Siltectra Gmbh | Splitting-verfahren und verwendung eines materials in einem splitting-verfahren |
US20160254232A1 (en) * | 2013-10-08 | 2016-09-01 | Silectra GmbH | Combined wafer production method with laser treatment and temperature-induced stresses |
Family Cites Families (57)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5148446A (en) | 1991-06-07 | 1992-09-15 | Tektronix, Inc. | Laser objective lens shield |
DE10305258A1 (de) | 2002-02-08 | 2003-08-21 | Creo Inc | Verfahren und Vorrichtung zum Schutz von optischen Elementen |
KR100749972B1 (ko) | 2002-03-12 | 2007-08-16 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 가공 대상물 절단 방법 |
US6787732B1 (en) | 2002-04-02 | 2004-09-07 | Seagate Technology Llc | Method for laser-scribing brittle substrates and apparatus therefor |
US20040175918A1 (en) * | 2003-03-05 | 2004-09-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Novel formation of an aluminum contact pad free of plasma induced damage by applying CMP |
US7052978B2 (en) | 2003-08-28 | 2006-05-30 | Intel Corporation | Arrangements incorporating laser-induced cleaving |
JP2005277136A (ja) | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Sharp Corp | 基板製造方法および基板製造装置 |
FR2870988B1 (fr) | 2004-06-01 | 2006-08-11 | Michel Bruel | Procede de realisation d'une structure multi-couches comportant, en profondeur, une couche de separation |
EP1806202B1 (en) | 2004-10-25 | 2011-08-17 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. | Method and device for forming crack |
KR100590775B1 (ko) * | 2004-12-08 | 2006-06-19 | 한국전자통신연구원 | 실리콘 발광 소자 |
JP2006245498A (ja) | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Sharp Corp | 基板の製造方法およびその装置 |
JP2006315017A (ja) | 2005-05-11 | 2006-11-24 | Canon Inc | レーザ切断方法および被切断部材 |
JP5638198B2 (ja) * | 2005-07-11 | 2014-12-10 | クリー インコーポレイテッドCree Inc. | ミスカット基板上のレーザダイオード配向 |
US7635637B2 (en) * | 2005-07-25 | 2009-12-22 | Fairchild Semiconductor Corporation | Semiconductor structures formed on substrates and methods of manufacturing the same |
JP4736738B2 (ja) | 2005-11-17 | 2011-07-27 | 株式会社デンソー | レーザダイシング方法およびレーザダイシング装置 |
JP4715470B2 (ja) * | 2005-11-28 | 2011-07-06 | 株式会社Sumco | 剥離ウェーハの再生加工方法及びこの方法により再生加工された剥離ウェーハ |
US8993410B2 (en) * | 2006-09-08 | 2015-03-31 | Silicon Genesis Corporation | Substrate cleaving under controlled stress conditions |
WO2008126742A1 (ja) | 2007-04-05 | 2008-10-23 | Cyber Laser Inc. | レーザ加工方法及び切断方法並びに多層基板を有する構造体の分割方法 |
JP2009061462A (ja) | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 基板の製造方法および基板 |
RU2472247C2 (ru) * | 2007-11-02 | 2013-01-10 | Президент Энд Феллоуз Оф Гарвард Колледж | Изготовление самостоятельных твердотельных слоев термической обработкой подложек с полимером |
JP2009140959A (ja) | 2007-12-03 | 2009-06-25 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | レーザーダイシング装置及びダイシング方法 |
JP2009140958A (ja) | 2007-12-03 | 2009-06-25 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | レーザーダイシング装置及びダイシング方法 |
US20090242010A1 (en) * | 2008-03-27 | 2009-10-01 | Twin Creeks Technologies, Inc. | Method to Form a Photovoltaic Cell Comprising a Thin Lamina Bonded to a Discrete Receiver Element |
ES2418142T3 (es) | 2008-12-23 | 2013-08-12 | Siltectra Gmbh | Procedimiento para producir capas independientes delgadas de materiales en estado sólido con superficies estructuradas |
GB0900036D0 (en) | 2009-01-03 | 2009-02-11 | M Solv Ltd | Method and apparatus for forming grooves with complex shape in the surface of apolymer |
JP2011040564A (ja) * | 2009-08-11 | 2011-02-24 | Toshiba Corp | 半導体素子の製造方法および製造装置 |
JP2013503105A (ja) | 2009-08-28 | 2013-01-31 | コーニング インコーポレイテッド | 化学強化ガラス基板からガラス品をレーザ割断するための方法 |
JP2012109341A (ja) | 2010-11-16 | 2012-06-07 | Shibuya Kogyo Co Ltd | 半導体材料の切断方法と切断装置 |
RU2459691C2 (ru) | 2010-11-29 | 2012-08-27 | Юрий Георгиевич Шретер | Способ отделения поверхностного слоя полупроводникового кристалла (варианты) |
CN103380482B (zh) | 2011-02-10 | 2016-05-25 | 信越聚合物株式会社 | 单结晶基板制造方法及内部改质层形成单结晶部件 |
RU2469433C1 (ru) | 2011-07-13 | 2012-12-10 | Юрий Георгиевич Шретер | Способ лазерного отделения эпитаксиальной пленки или слоя эпитаксиальной пленки от ростовой подложки эпитаксиальной полупроводниковой структуры (варианты) |
KR101949777B1 (ko) | 2011-09-15 | 2019-02-19 | 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 | 유리판 절단방법 및 유리판 절단장치 |
FR2980279B1 (fr) | 2011-09-20 | 2013-10-11 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'une structure composite a separer par exfoliation |
WO2013084877A1 (ja) | 2011-12-07 | 2013-06-13 | 旭硝子株式会社 | 強化ガラス板の切断方法、および強化ガラス板切断装置 |
DE102012001620A1 (de) | 2012-01-30 | 2013-08-01 | Siltectra Gmbh | Verfahren zur Herstellung von dünnen Platten aus Werkstoffen geringer Duktilität mittels temperaturinduzierter mechanischer Spannung unter Verwendung von vorgefertigten Polymer-Folien |
JP6044919B2 (ja) | 2012-02-01 | 2016-12-14 | 信越ポリマー株式会社 | 基板加工方法 |
JP5843393B2 (ja) | 2012-02-01 | 2016-01-13 | 信越ポリマー株式会社 | 単結晶基板の製造方法、単結晶基板、および、内部改質層形成単結晶部材の製造方法 |
KR101345229B1 (ko) | 2012-03-02 | 2013-12-26 | 마이크로 인스펙션 주식회사 | 기판의 절단장치 |
US9257339B2 (en) * | 2012-05-04 | 2016-02-09 | Silicon Genesis Corporation | Techniques for forming optoelectronic devices |
KR20130143433A (ko) | 2012-06-21 | 2013-12-31 | 주식회사 이오테크닉스 | 레이저 가공방법 및 장치 |
US8785294B2 (en) * | 2012-07-26 | 2014-07-22 | Gtat Corporation | Silicon carbide lamina |
WO2014101989A1 (de) * | 2012-12-28 | 2014-07-03 | Merck Patent Gmbh | Dotiermedien zur lokalen dotierung von siliziumwafern |
CN105051919A (zh) * | 2013-01-16 | 2015-11-11 | Qmat股份有限公司 | 用于形成光电器件的技术 |
DE102013007672A1 (de) | 2013-05-03 | 2014-11-06 | Siltectra Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Waferherstellung mit vordefinierter Bruchauslösestelle |
JP6341639B2 (ja) | 2013-08-01 | 2018-06-13 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
DE102014014486A1 (de) | 2013-10-08 | 2015-04-09 | Siltectra Gmbh | Neuartiges Waferherstellungsverfahren |
DE102014002600A1 (de) | 2014-02-24 | 2015-08-27 | Siltectra Gmbh | Kombiniertes Waferherstellungsverfahren mit Laserbehandlung und temperaturinduzierten Spannungen |
JP2016015463A (ja) | 2014-06-10 | 2016-01-28 | エルシード株式会社 | SiC材料の加工方法及びSiC材料 |
JP6390898B2 (ja) | 2014-08-22 | 2018-09-19 | アイシン精機株式会社 | 基板の製造方法、加工対象物の切断方法、及び、レーザ加工装置 |
JP6506520B2 (ja) | 2014-09-16 | 2019-04-24 | 株式会社ディスコ | SiCのスライス方法 |
JP6494382B2 (ja) | 2015-04-06 | 2019-04-03 | 株式会社ディスコ | ウエーハの生成方法 |
DE102015004603A1 (de) | 2015-04-09 | 2016-10-13 | Siltectra Gmbh | Kombiniertes Waferherstellungsverfahren mit Laserbehandlung und temperaturinduzierten Spannungen |
DE102015008037A1 (de) | 2015-06-23 | 2016-12-29 | Siltectra Gmbh | Verfahren zum Führen eines Risses im Randbereich eines Spendersubstrats |
JP6649308B2 (ja) * | 2017-03-22 | 2020-02-19 | キオクシア株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP6903532B2 (ja) * | 2017-09-20 | 2021-07-14 | キオクシア株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2019057575A (ja) * | 2017-09-20 | 2019-04-11 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
US10576585B1 (en) * | 2018-12-29 | 2020-03-03 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
-
2017
- 2017-12-12 JP JP2019531275A patent/JP7256123B2/ja active Active
- 2017-12-12 US US16/467,765 patent/US10978311B2/en active Active
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-
2021
- 2021-03-22 US US17/207,894 patent/US20210225659A1/en active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012108056A1 (ja) * | 2011-02-10 | 2012-08-16 | 信越ポリマー株式会社 | 内部応力層形成単結晶部材および単結晶基板製造方法 |
JP2015516672A (ja) * | 2012-02-26 | 2015-06-11 | ソレクセル、インコーポレイテッド | レーザ分割及び装置層移設のためのシステム及び方法 |
JP2016509364A (ja) * | 2012-12-21 | 2016-03-24 | コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ | 厚膜結晶層の製造方法 |
US20160254232A1 (en) * | 2013-10-08 | 2016-09-01 | Silectra GmbH | Combined wafer production method with laser treatment and temperature-induced stresses |
WO2016055443A1 (de) * | 2014-10-06 | 2016-04-14 | Siltectra Gmbh | Splitting-verfahren und verwendung eines materials in einem splitting-verfahren |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2020213478A1 (ja) * | 2019-04-19 | 2020-10-22 | ||
JPWO2020213479A1 (ja) * | 2019-04-19 | 2020-10-22 | ||
JP7178491B2 (ja) | 2019-04-19 | 2022-11-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10978311B2 (en) | 2021-04-13 |
US20200066542A1 (en) | 2020-02-27 |
JP7256123B2 (ja) | 2023-04-11 |
EP3551373A1 (de) | 2019-10-16 |
WO2018108938A1 (de) | 2018-06-21 |
US20210225659A1 (en) | 2021-07-22 |
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---|---|---|
KR102551442B1 (ko) | 정의된 방향의 수정 라인으로 웨이퍼를 생산하는 방법 | |
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