JP2020201049A - 2成分ガスの濃度比算出方法および検知対象ガスの濃度算出方法 - Google Patents

2成分ガスの濃度比算出方法および検知対象ガスの濃度算出方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2020201049A
JP2020201049A JP2019106044A JP2019106044A JP2020201049A JP 2020201049 A JP2020201049 A JP 2020201049A JP 2019106044 A JP2019106044 A JP 2019106044A JP 2019106044 A JP2019106044 A JP 2019106044A JP 2020201049 A JP2020201049 A JP 2020201049A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
concentration
sensor element
resistance value
electric resistance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2019106044A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6976991B2 (ja
Inventor
駿介 澤坂
Shunsuke Sawasaka
駿介 澤坂
真也 福田
Shinya Fukuda
真也 福田
晴美 栗林
Harumi Kuribayashi
晴美 栗林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissha Co Ltd
Original Assignee
Nissha Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissha Co Ltd filed Critical Nissha Co Ltd
Priority to JP2019106044A priority Critical patent/JP6976991B2/ja
Priority to PCT/JP2020/019764 priority patent/WO2020246228A1/ja
Priority to EP20818210.5A priority patent/EP3982118B1/en
Priority to US17/616,988 priority patent/US11692957B2/en
Priority to CN202080041882.XA priority patent/CN113924478B/zh
Priority to TW109117034A priority patent/TWI841738B/zh
Publication of JP2020201049A publication Critical patent/JP2020201049A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6976991B2 publication Critical patent/JP6976991B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/14Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of an electrically-heated body in dependence upon change of temperature
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/12Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N33/00Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
    • G01N33/0004Gaseous mixtures, e.g. polluted air
    • G01N33/0009General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
    • G01N33/0027General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector
    • G01N33/0036General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector specially adapted to detect a particular component
    • G01N33/004CO or CO2
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N33/00Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
    • G01N33/0004Gaseous mixtures, e.g. polluted air
    • G01N33/0009General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
    • G01N33/0027General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector
    • G01N33/0036General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the detector specially adapted to detect a particular component
    • G01N33/005H2
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N33/00Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
    • G01N33/0004Gaseous mixtures, e.g. polluted air
    • G01N33/0009General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
    • G01N33/0062General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the measuring method or the display, e.g. intermittent measurement or digital display
    • G01N33/0067General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment concerning the measuring method or the display, e.g. intermittent measurement or digital display by measuring the rate of variation of the concentration
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N33/00Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
    • G01N33/0004Gaseous mixtures, e.g. polluted air
    • G01N33/0009General constructional details of gas analysers, e.g. portable test equipment
    • G01N33/007Arrangements to check the analyser
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N33/00Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
    • G01N33/48Biological material, e.g. blood, urine; Haemocytometers
    • G01N33/483Physical analysis of biological material
    • G01N33/497Physical analysis of biological material of gaseous biological material, e.g. breath
    • G01N33/4972Determining alcohol content

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Food Science & Technology (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)

Abstract

【課題】2つのガスセンサ素子を用いて、検知対象ガスの濃度を高精度に求める方法を提供する。また、1つのガスセンサ素子を用いて、2成分ガスの濃度比を求める方法を提供する。【解決手段】濃度比算出方法は、ガスセンサ素子へと導入した2つのガス成分のいずれもが反応する温度にガスセンサ素子を加熱し、温度を所定時間維持してガスセンサ素子の電気抵抗値を測定する第1測定ステップと、2つのガス成分のいずれかのみが反応する温度にガスセンサ素子を加熱し、温度を所定時間維持してガスセンサ素子の電気抵抗値を測定する第2測定ステップと、第1測定ステップでの電気抵抗値と第2測定ステップでの電気抵抗値との組み合わせに基づいて、2つのガス成分の濃度比を算出する濃度比算出ステップとを備える。【選択図】図1

Description

本発明は、2成分ガスの濃度比算出方法および検知対象ガスの濃度算出方法に関する。
2つのガス成分と検知対象ガスとを含む被検ガスをガスセンサ素子へと導入し、検知対象ガスの濃度を算出する方法が知られている(たとえば、特許文献1参照)。この方法では、アルコールに対して高感度なガスセンサ素子100と、アルコールに対する感度以外の特性がガスセンサ素子と同一の参照センサ素子200とを用いる(図13参照)。ガスセンサ素子100へは、2つのガス成分とアルコールとを含む被検ガスを導入する。それと並行して、参照センサ素子200へは、アルコール除去手段210を介して、2つのガス成分を導入する。ガスセンサ素子100においては、導入されたアルコールにより抵抗値が変化するが、参照センサ素子200においてはアルコールが導入されないため抵抗値が変化しない。ガスセンサ素子と参照センサ素子の抵抗値の差を検出することで、被検ガス中のアルコール濃度を検知することができる。
特開平8−285803号公報
しかし、従来の方法で検知されたアルコール濃度は、2つのガス成分を含んだ濃度であるため、検知対象ガスの濃度を精度よく求められないという問題があった。また、参照センサ素子において、2つのガス成分がそれぞれどの程度の割合で含まれているのか分からないという問題があった。
本発明は上記のような課題を解決するためになされたものであり、2つのガスセンサ素子を用いて、検知対象ガスの濃度を高精度に求めることができる算出方法を提供することを目的とする。また、1つのガスセンサ素子を用いて、2つのガス成分の濃度比を求めることができる2成分ガスの濃度比算出方法を提供することを目的とする。
以下に、課題を解決するための手段として複数の態様を説明する。これら態様は必要に応じて任意に組み合わせることができる。
本発明の2成分ガスの濃度比算出方法は、
ガスセンサ素子へと導入した2つのガス成分のいずれもが反応する温度にガスセンサ素子を加熱し、温度を所定時間維持してガスセンサ素子の電気抵抗値を測定する第1測定ステップと、
2つのガス成分のいずれかのみが反応する温度にガスセンサ素子を加熱し、温度を所定時間維持してガスセンサ素子の電気抵抗値を測定する第2測定ステップと、
第1測定ステップでの電気抵抗値と第2測定ステップでの電気抵抗値との組み合わせに基づいて、2つのガス成分の濃度比を算出する濃度比算出ステップとを備えたものである。
2つのガス成分は水素と一酸化炭素であってもよい。
本発明の検知対象ガスの濃度算出方法は、
2つのガス成分と1つの検知対象ガスとを含む被検ガスをガスセンサ素子へ導入し、検知対象ガスの暫定濃度を算出する暫定濃度算出ステップと、
暫定濃度算出ステップと並行して、ガスセンサ素子と同一の特性を持つ参照センサ素子へ2つのガス成分を導入し、2つのガス成分のいずれもが反応する温度に参照センサ素子を加熱し、温度を所定時間維持して参照センサ素子の電気抵抗値を測定する第1測定ステップと、
2つのガス成分のいずれかのみが反応する温度に参照センサ素子を加熱し、温度を所定時間維持して参照センサ素子の電気抵抗値を測定する第2測定ステップと、
第1測定ステップでの電気抵抗値と第2測定ステップでの電気抵抗値との組み合わせに基づいて、2つのガス成分の濃度比を算出する濃度比算出ステップと、
あらかじめ準備された、ガスセンサ素子における2つのガス成分の検量線と、参照センサ素子における2つのガス成分の検量線とを、濃度比に基づいて補正する検量線補正ステップと、
検量線補正ステップで補正された参照センサ素子における検量線を用いて、第1測定ステップでの電気抵抗値における2つのガス成分の濃度を算出するガス成分濃度算出ステップと、
検量線補正ステップで補正されたガスセンサ素子における検量線を用いて、ガス成分濃度算出ステップで算出した2つのガス成分の濃度を検知対象ガスの濃度に換算するガス成分濃度換算ステップと、
暫定濃度算出ステップで算出した検知対象ガスの暫定濃度と、ガス成分濃度換算ステップで換算した検知対象ガスの濃度との差を算出する検知対象ガス濃度算出ステップとを備えたものである。
被検ガスが呼気ガスであり、2つのガス成分は水素と一酸化炭素であり、検知対象ガスはエタノールであってもよい。
本発明の2成分ガスの濃度比算出方法は、ガスセンサ素子へと導入した2つのガス成分のいずれもが反応する温度にガスセンサ素子を加熱し、温度を所定時間維持してガスセンサ素子の電気抵抗値を測定する第1測定ステップと、2つのガス成分のいずれかのみが反応する温度にガスセンサ素子を加熱し、温度を所定時間維持してガスセンサ素子の電気抵抗値を測定する第2測定ステップと、第1測定ステップでの電気抵抗値と第2測定ステップでの電気抵抗値との組み合わせに基づいて、2つのガス成分の濃度比を算出する濃度比算出ステップとを備えるように構成した。
したがって、本発明の方法によれば、1つのガスセンサ素子を用いて、2つのガス成分の濃度比を求めることができる。
本発明の検知対象ガスの濃度算出方法は、2つのガス成分と1つの検知対象ガスとを含む被検ガスをガスセンサ素子へ導入し、検知対象ガスの暫定濃度を算出する暫定濃度算出ステップと、暫定濃度算出ステップと並行して、ガスセンサ素子と同一の特性を持つ参照センサ素子へ2つのガス成分を導入し、2つのガス成分のいずれもが反応する温度に参照センサ素子を加熱し、温度を所定時間維持して参照センサ素子の電気抵抗値を測定する第1測定ステップと、2つのガス成分のいずれかのみが反応する温度に参照センサ素子を加熱し、温度を所定時間維持して参照センサ素子の電気抵抗値を測定する第2測定ステップと、第1測定ステップでの電気抵抗値と第2測定ステップでの電気抵抗値との組み合わせに基づいて、2つのガス成分の濃度比を算出する濃度比算出ステップと、あらかじめ準備された、ガスセンサ素子における2つのガス成分の検量線と、参照センサ素子における2つのガス成分の検量線とを、濃度比に基づいて補正する検量線補正ステップと、検量線補正ステップで補正された参照センサ素子における検量線を用いて、第1測定ステップでの電気抵抗値における2つのガス成分の濃度を算出するガス成分濃度算出ステップと、検量線補正ステップで補正されたガスセンサ素子における検量線を用いて、ガス成分濃度算出ステップで算出した2つのガス成分の濃度を検知対象ガスの濃度に換算するガス成分濃度換算ステップと、暫定濃度算出ステップで算出した検知対象ガスの暫定濃度と、ガス成分濃度換算ステップで換算した検知対象ガスの濃度との差を算出する検知対象ガス濃度算出ステップとを備えるように構成した。
したがって、本発明の方法によれば、2つのガスセンサ素子を用いて、検知対象ガスの濃度を高精度に求めることができる。
(a)ガスセンサ素子を用いたガスセンサ装置の一例を示す模式的な断面図である。(b)2成分ガスの濃度比算出方法を示すフローチャートである。 2成分ガスの濃度比算出方法で用いる検量線の一例である。 2成分ガスの濃度比算出方法で用いる検量線に、実測値を適用した図である。 2成分ガスの濃度比算出方法で用いる検量線から、2成分ガスの濃度比を算出する方法を示した図である。 (a)ガスセンサ素子を用いたガスセンサ装置の一例を示す模式的な断面図である。(b)参照センサ素子を用いた参照センサ装置の一例を示す模式的な断面図である。 検知対象ガスの濃度算出方法を示すフローチャートである。 暫定濃度算出ステップにおいて、検知対象ガスの暫定濃度を算出する方法を示す図である。 参照センサ素子における検量線の一例を示す図である。 検量線補正ステップで補正された、ガスセンサ素子における2成分ガスの検量線の一例を示す図である。 検量線補正ステップで補正された、参照センサ素子における2成分ガスの検量線の一例を示す図である。 ガス濃度算出ステップにおいて、2成分ガスの濃度を算出する方法を示す図である。 ガス成分濃度換算ステップにおいて、2成分ガス濃度を検知対象ガス濃度に換算する方法を示す図である。 従来の検知対象ガス濃度算出方法に用いる、ガスセンサ装置と参照センサ装置とを示す模式的な断面図である。
以下、本発明の2成分ガスの濃度比算出方法について、図面を参照しながら実施形態の一例を説明する。
2成分ガスの濃度比算出方法は、ガスセンサ素子1へと導入した2つのガス成分G1,G2のいずれもが反応する温度にガスセンサ素子1を加熱し、温度を所定時間維持してガスセンサ素子1の電気抵抗値を測定する第1測定ステップS1と、2つのガス成分G1,G2のいずれかのみが反応する温度にガスセンサ素子1を加熱し、温度を所定時間維持してガスセンサ素子1の電気抵抗値を測定する第2測定ステップS2と、第1測定ステップでの電気抵抗値と第2測定ステップでの電気抵抗値との組み合わせに基づいて、2つのガス成分G1,G2の濃度比を算出する濃度比算出ステップとを備えたものである(図1参照)。
ガスセンサ素子1は、たとえば、金属酸化物半導体を含有した感ガス体11と、感ガス体に埋設されたコイル状のヒータ兼用電極12と、ヒータ兼用電極の内部を通る直線状電極13と、ヒータ兼用電極12の両端から延びヒータ兼用電極を加熱するリード線8a,8cと、直線状電極13の端部から感ガス体の外に延びるリード線8bとを備えたものを用いることができる(図1(a)参照)。
感ガス体11に含まれる金属酸化物半導体は、たとえば、酸化スズ、酸化タングステン、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化チタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、スズ酸バリウムなどを用いることができる。感ガス体11は、さらに適宜の無機絶縁体、触媒などの添加剤を含有してもよい。無機絶縁体は、たとえばアルミナおよびシリカから選択される少なくとも一種を含有することができる。触媒は、たとえばルテニウム、パラジウム、アンチモン、ランタン、セリウム、およびモリブデンから選択される少なくとも一種を含有することができる。
感ガス体11の形状は、特に制限されず、たとえば図1のような楕円体状、球体状などといった球状に形成される。感ガス体11の寸法は、適宜設定されるが、好ましくはその径が0.2〜0.7mmの範囲である。たとえば、感ガス体11は、長径0.5mm、短径0.3mmの長楕円体状に形成する。
ガスセンサ素子1の3本のリード線8a,8b,8cに、それぞれ3つの端子7a,7b,7cを接続し、ベース6と、ガスセンサ素子1を収容するカバー5とを設けることで、ガスセンサ装置とすることができる。カバー5の先端面(天井面)の中央にはガス導入孔9を開口し、ガスをガスセンサ素子1に導入できるようにする。またガス導入孔9には、被検ガス中の異物などを除去するための金網10を設けることができる。
ガスセンサ素子1へと導入する2つのガス成分G1,G2は、第1測定ステップにおいて両方のガス成分が反応し、第2測定ステップにおいて一方のガス成分のみが反応する。2つのガス成分G1,G2がどのような温度特性を有しているか分かれば、そのような反応が可能なガス成分を選択することができる。一例として、以下、2つのガス成分を水素と一酸化炭素として説明する。
第1測定ステップS1では、水素と一酸化炭素とが反応する温度にガスセンサ素子1を加熱し、その温度を所定時間維持してガスセンサ素子1の電気抵抗値を測定する(図1(b)参照)。水素と一酸化炭素とが反応する温度は、これらガス成分の温度特性を考慮し、たとえば100℃〜200℃とすることができる。そして、この温度を維持する所定の時間は、たとえば、センサ抵抗値を安定的に測定できる5秒以上とすることができる。上記の温度を上記の時間維持し、ガスセンサ素子1の電気抵抗値を測定する。このときの電気抵抗値は、ガスセンサ装置に接続された、たとえばマイクロコンピュータなどの記憶部に記憶されるように構成する。
第2測定ステップS2では、水素のみが反応する温度にガスセンサ素子1を加熱し、その温度を所定時間維持してガスセンサ素子1の電気抵抗値を測定する。水素のみが反応する温度は、水素の温度特性を考慮し、たとえば200℃〜300℃とすることができる。そして、この温度を維持する所定の時間は、たとえば2秒〜5秒とすることができる。上記の温度を上記の時間維持し、ガスセンサ素子1の電気抵抗値を測定する。このときの電気抵抗値は、ガスセンサ装置に接続された、たとえばマイクロコンピュータなどの記憶部に記憶されるように構成する。
濃度比算出ステップS3では、第1測定ステップでの電気抵抗値と第2測定ステップでの電気抵抗値との組み合わせに基づいて、水素と一酸化炭素の濃度比を算出する。濃度比を算出する際には、たとえば、あらかじめマイクロコンピュータなどの記憶部に記憶させておいた水素と一酸化炭素のそれぞれの検量線を用いることができる(図2参照)。検量線は、次のようにして得ることができる。水素のみを含み、低濃度・中濃度・高濃度の3種のガス(水素100%ガス)を用いて、第1測定ステップの温度・時間で電気抵抗値を測定し、その後、第2測定ステップの温度・時間で電気抵抗値を測定する。横軸に第1測定ステップでの電気抵抗値をとり、縦軸に第2測定ステップでの電気抵抗値をとって、測定された3組の電気抵抗値をプロットし、水素100%ガスの検量線を得る。同様に、一酸化炭素のみを含み、低濃度・中濃度・高濃度の3種のガス(一酸化炭素100%ガス)を用いて、第1測定ステップの温度・時間で電気抵抗値を測定し、その後、第2測定ステップの温度・時間で電気抵抗値を測定する。測定された3組の電気抵抗値をプロットし、一酸化炭素100%ガスの検量線を得る。
水素と一酸化炭素とが混合したガスを実際に測定し、その2つの電気抵抗値を上記の検量線に当てはめる(図3参照)。図では、第1測定ステップの電気抵抗値がR1(Ω)、第2測定ステップでの電気抵抗値がR2(Ω)の場合を示している。R1とR2との交点がC1であるとすると、C1は水素100%ガスの検量線よりも一酸化炭素100%ガスの検量線の方に近いため、一酸化炭素の方が水素よりも多く含まれていることが分かる。水素と一酸化炭素の濃度比を算出する方法は、次の通りである。まず、図4のように、交点C1を通り両方の検量線を結ぶ仮の直線を引き、その長さをL1とする。次に、仮の直線と一酸化炭素100%ガスの検量線との交点C2から交点C1までの長さをL2とする。(L2×100)/L1で求められる値が水素の比率である。そして、交点C1から仮の直線と水素100%ガスの検量線までの長さをL3とすると、(L3×100)/L1で求められる値が一酸化炭素の比率である。このようにして求められた比率が、水素と一酸化炭素の濃度比となる。たとえば、L2=0.12、L3=0.88であれば、水素濃度12%、一酸化炭素濃度88%となる。
上記のようにして、ガスセンサ素子に導入した2つのガス成分の濃度比を求めることができる。つまり、2つのガス成分の有無だけでなく、2つのガス成分がどのような比率で混合しているのかを知ることができる。
なお、3つ以上のガス成分G1,G2,G3を含む被検ガスのうち、2つのガス成分G1,G2をガスセンサ素子に導入し、その濃度比を算出することができる。つまり、ガスセンサ装置にガス成分G3を除去する手段を設ければ、1つのガスセンサ素子を用いて2つのガス成分G1,G2の濃度比を算出することができる。ガス成分G3を除去する手段としては、たとえば、フィルタ、吸着剤などがある。
なお、本発明の濃度比算出方法では水素と一酸化炭素のほかに、2つのガス成分の組み合わせとして次のようなガス成分を用いることができる。たとえば、水素、一酸化炭素、アセトン、メタン、プロパン、二酸化硫黄、VOC(揮発性有機化合物)からなる群から選ばれた2つを用いることができる。なお、温度や時間は半導体ガスセンサ(感ガス体)の材料の配合の割合によって、ある程度制御することができる。そのため、本発明の濃度比算出方法で用いる2つのガス成分の組み合わせとしては、半導体ガスセンサで検知可能な可燃性ガスを、その候補対象とすることができる。
次に、本発明の検知対象ガスの濃度算出方法について、図面を参照しながら実施形態の一例を説明する。
検知対象ガスの濃度算出方法は、2つのガス成分G1,G2と1つの検知対象ガスGtとを含む被検ガスをガスセンサ素子1へ導入し、検知対象ガスGtの暫定濃度を算出する暫定濃度算出ステップS4と、暫定濃度算出ステップS4と並行して、ガスセンサ素子と同一の特性を持つ参照センサ素子2へ2つのガス成分G1,G2を導入し、2つのガス成分G1,G2のいずれもが反応する温度に参照センサ素子2を加熱し、温度を所定時間維持して参照センサ素子2の電気抵抗値を測定する第1測定ステップS5と、2つのガス成分G1,G2のいずれかのみが反応する温度に参照センサ素子2を加熱し、温度を所定時間維持して参照センサ素子2の電気抵抗値を測定する第2測定ステップS6と、第1測定ステップS5での電気抵抗値と第2測定ステップS6での電気抵抗値との組み合わせに基づいて、2つのガス成分G1,G2の濃度比を算出する濃度比算出ステップS7と、あらかじめ準備された、ガスセンサ素子1における2つのガス成分G1,G2の検量線3と、参照センサ素子2における2つのガス成分G1,G2の検量線4とを、濃度比に基づいて補正する検量線補正ステップS8と、検量線補正ステップS8で補正された参照センサ素子における検量線4´を用いて、第1測定ステップS5での電気抵抗値における2つのガス成分G1,G2の濃度を算出するガス成分濃度算出ステップS9と、検量線補正ステップS8で補正されたガスセンサ素子における検量線3´を用いて、ガス成分濃度算出ステップS9で算出した2つのガス成分G1,G2の濃度を検知対象ガスGtの濃度に換算するガス成分濃度換算ステップS10と、暫定濃度算出ステップS4で算出した検知対象ガスGtの暫定濃度と、ガス成分濃度換算ステップS10で換算した検知対象ガスGtの濃度との差を算出する検知対象ガス濃度算出ステップS11とを備えたものである(図5、図6参照)。
暫定濃度算出ステップS4では、2つのガス成分G1,G2と1つの検知対象ガスGtとを含む被検ガスをガスセンサ素子1へ導入し、検知対象ガスGtの暫定濃度を算出する(図5(a)参照)。ガスセンサ素子1は、図1(a)を参照してすでに説明した内容と同じものを用いる。ガスセンサ素子1に導入する被検ガスは、2つのガス成分G1,G2と検知対象ガスGtとを含んでいる。2つのガス成分G1,G2は、参照センサ素子2における第1測定ステップにおいて両方のガス成分が反応し、第2測定ステップにおいて一方のガス成分のみが反応する。2つのガス成分G1,G2がどのような温度特性を有しているか分かれば、そのような反応が可能なガス成分を選択することができる。
被検ガスは呼気ガスであり、2つのガス成分G1,G2は水素と一酸化炭素であり、検知対象ガスGtはエタノールであってもよい。つまり、本発明は呼気ガス分析装置に応用することができる。ユーザが呼気分析装置に呼気ガスを吹き込むことで、呼気ガス中のエタノール濃度が算出される。以下、G1を水素、G2を一酸化炭素、Gtをエタノールとして説明する。
暫定濃度算出ステップS4では、検知対象ガスGtであるエタノールの暫定濃度を算出する。このとき、あらかじめマイクロコンピュータなどの記憶部に記憶させておいた検量線3を用いて、暫定濃度を算出する(図7参照)。検量線3は、たとえば次のようにして得ることができる。まず、水素(G1)のみを低濃度で含むガスをガスセンサ素子に導入して反応させ、電気抵抗値を測定する。次に、水素のみを中濃度で含むガスをガスセンサ素子に導入して反応させ、電気抵抗値を測定する。次に、水素のみを高濃度で含むガスをガスセンサ素子に導入して反応させ、電気抵抗値を測定する。得られた3つの電気抵抗値をプロットすることで、水素(G1)の検量線を得ることができる。同様にして、一酸化炭素(G2)とエタノール(Gt)の検量線を得ることができる。
暫定濃度算出ステップS4において測定された電気抵抗値Rtを、上記のあらかじめ準備された検量線3に当てはめる(図7参照)。暫定濃度を求めるガス成分はエタノール(Gt)であるので、エタノールの検量線において電気抵抗値がRtとなる点が、エタノールの暫定濃度Dtとして算出できる。このエタノールの暫定濃度Dtは、2成分ガス(水素および一酸化炭素)も含んだ状態の濃度である。つまり、精度よく求められたエタノール濃度ではない。
暫定濃度算出ステップS4と並行して行う第1測定ステップS5では、ガスセンサ素子1と同一の特性を持つ参照センサ素子2へ水素および一酸化炭素を導入し、水素および一酸化炭素のいずれもが反応する温度に参照センサ素子2を加熱し、温度を所定時間維持して参照センサ素子2の電気抵抗値を測定する(図5(b)、図6参照)。参照センサ素子2は、ガスセンサ素子1と同一の特性を持つ。参照センサ素子2には、水素と一酸化炭素を導入し、エタノールは導入しない。したがって、参照センサ素子2に被検ガスを導入する際は、たとえばエタノールを吸着するフィルタ14を介して導入する。
水素と一酸化炭素とが反応する温度は、これらガス成分の温度特性を考慮し、たとえば100℃〜200℃とすることができる。そして、この温度を維持する所定の時間は、たとえばセンサ抵抗値を安定的に測定できる5秒以上とすることができる。上記の温度を上記の時間維持し、参照センサ素子2の電気抵抗値を測定する。このときの電気抵抗値は、たとえばマイクロコンピュータなどの記憶部に記憶されるように構成する。
第2測定ステップS6では、水素のみが反応する温度に参照センサ素子2を加熱し、その温度を所定時間維持して参照センサ素子2の電気抵抗値を測定する。水素のみが反応する温度は、水素の温度特性を考慮し、たとえば200℃〜300℃とすることができる。そして、この温度を維持する所定の時間は、たとえば2秒〜5秒とすることができる。上記の温度を上記の時間維持し、参照センサ素子2の電気抵抗値を測定する。このときの電気抵抗値は、たとえばマイクロコンピュータなどの記憶部に記憶されるように構成する。
なお図5(b)を参照して、第2測定ステップは、フィルタ14によって参照センサ装置の内部に閉じ込められた水素と一酸化炭素に対して行うことができる。したがって、第2測定ステップを行うにあたり、呼気分析装置のユーザは追加で呼気を吹き込む必要がない。
濃度比算出ステップS7では、第1測定ステップS5での電気抵抗値と第2測定ステップS6での電気抵抗値との組み合わせに基づいて、水素と一酸化炭素の濃度比を算出する。算出方法は、図2〜図4を参照してすでに説明した内容と同じ方法を用いる。
検量線補正ステップS8では、あらかじめ準備された検量線を補正する。補正する検量線は、次の2種である。1つは、ガスセンサ素子1における2つのガス成分(水素、一酸化炭素)の検量線3であり、暫定濃度算出ステップS4で用いた検量線である(図7参照)。もう1つは、参照センサ素子2における2つのガス成分(水素、一酸化炭素)の検量線4である(図8参照)。検知対象ガスGtであるエタノールはフィルタ14に除去され、参照センサ素子2には導入されないため、エタノールには反応しない。したがって、電気抵抗値はほぼ変化せず、検量線はほぼ横一直線となる。濃度比算出ステップS7で算出した濃度比を用いて、2種の検量線3,4における2つのガス成分(水素、一酸化炭素)の検量線を下記の式で補正する。
Figure 2020201049

たとえば、水素が12%であったとすると、α=0.12であり、補正後の検量線3´,4´はそれぞれ図9と図10のような直線になる。検量線補正ステップによって、ガスセンサ素子1における水素と一酸化炭素の2成分ガスの検量線3´と、参照センサ素子2における水素と一酸化炭素の2成分ガスの検量線4´とを得ることができる。
ガス成分濃度算出ステップS9では、検量線補正ステップS8で補正された参照センサ素子における検量線4´を用いて、第1測定ステップS5での電気抵抗値R1における水素と一酸化炭素の2成分ガスの濃度Dnを算出する(図3、図11参照)。検量線4´に第1測定ステップでの電気抵抗値R1を適用する理由は、電気抵抗値R1が、水素と一酸化炭素の両方に反応したときの抵抗値であるためである。また、第2測定ステップでの電気抵抗値R2は水素のみが反応したときの抵抗値であるため、R2を検量線4´に適用するのは相応しくない。このようにして、参照センサ素子2における水素と一酸化炭素の2成分ガス濃度Dnを算出できる。
ガス成分濃度換算ステップS10では、検量線補正ステップS8で補正された検量線3´を用いて、ガス成分濃度算出ステップS9で算出した水素と一酸化炭素の2成分ガスの濃度Dnを、エタノールの濃度Dcに換算する(図12参照)。検量線3´は、ガスセンサ素子1における、水素と一酸化炭素の2成分ガスの検量線である。濃度換算方法は、次の通りである。まず、この検量線3´において2成分ガス濃度がDnとなる点P1を求める。次に、エタノールの検量線において、P1と同じ電気抵抗値をとる点P2を求める。P2における濃度が、2成分ガス濃度Dnをエタノール濃度に換算した濃度Dcとなる。つまり濃度Dcは、参照センサ素子2における2成分ガス濃度を、ガスセンサ素子1におけるエタノール濃度に換算したものである。
検知対象ガス濃度算出ステップS11では、暫定濃度算出ステップS4で算出したエタノールの暫定濃度Dt(図7参照)と、ガス成分濃度換算ステップS10で換算したエタノールの濃度Dc(図12参照)との差を算出する。つまり、Dt−Dcで算出された値が、最終的に求めたいエタノール濃度である。
呼気ガス中の水素と一酸化炭素の濃度比には個人差があるため、2成分ガスの検量線をあらかじめ準備しておくことは困難である。そこで、本発明では、参照センサ素子2において、第1測定ステップS5と第2測定ステップS6でそれぞれ電気抵抗値を測定している。そして、次の濃度比算出ステップS7において、2つの電気抵抗値の組み合わせから水素と一酸化炭素の濃度比を算出している。そして、次の検量線補正ステップS8において、算出した濃度比に基づいて、図7と図8の検量線を補正し、2成分ガスの検量線を求めている(図9、図10参照)。そして、次のガス成分濃度算出ステップS9において、2成分ガスの検量線を用いて、参照センサ素子2における2成分ガスの濃度を算出している(図11参照)。これらのステップS5〜S9を備えていることにより、呼気ガスを吹き込む人が変わっても、その都度、その人の呼気ガス中の2成分ガスの濃度比を算出し、2成分ガスの適切な検量線を求め、2成分ガスの正確な濃度を算出することができる。
算出した2成分ガス濃度は参照センサ素子2における2成分ガスの検量線4´を用いているため、次のガス成分濃度換算ステップS10で、ガスセンサ素子1における2成分ガスの検量線3´を用いてエタノール濃度に換算する必要がある(図12参照)。そして最後に、暫定エタノール濃度から、換算したエタノール濃度を差し引くことで、エタノール濃度を精度よく算出することができる。
なお、上記では、暫定濃度算出ステップS4を第1測定ステップS5と並行して行っているが、検知対象ガス濃度算出ステップS11よりも前であれば、どのステップと並行して行ってもよい。
1 :ガスセンサ素子
2 :参照センサ素子
3 :ガスセンサ素子における検量線
3´ :補正されたガスセンサ素子における検量線
4 :参照センサ素子における検量線
4´ :補正された参照センサ素子における検量線
5 :カバー
6 :ベース
7a,7b,7c:端子
8a,8b,8c:リード線
9 :ガス導入孔
10 :金網
11 :感ガス体
12 :ヒータ兼用電極
13 :直線状電極
14 :フィルタ
100 :ガスセンサ素子
200 :参照センサ素子
210 :アルコール除去手段

Claims (4)

  1. ガスセンサ素子へと導入した2つのガス成分のいずれもが反応する温度に前記ガスセンサ素子を加熱し、前記温度を所定時間維持して前記ガスセンサ素子の電気抵抗値を測定する第1測定ステップと、
    2つの前記ガス成分のいずれかのみが反応する温度に前記ガスセンサ素子を加熱し、前記温度を所定時間維持して前記ガスセンサ素子の電気抵抗値を測定する第2測定ステップと、
    前記第1測定ステップでの前記電気抵抗値と前記第2測定ステップでの前記電気抵抗値との組み合わせに基づいて、2つの前記ガス成分の濃度比を算出する濃度比算出ステップとを備えた、2成分ガスの濃度比算出方法。
  2. 2つの前記ガス成分は水素と一酸化炭素である、請求項1に記載の2成分ガスの濃度比算出方法。
  3. 2つのガス成分と1つの検知対象ガスとを含む被検ガスをガスセンサ素子へ導入し、前記検知対象ガスの暫定濃度を算出する暫定濃度算出ステップと、
    前記暫定濃度算出ステップと並行して、前記ガスセンサ素子と同一の特性を持つ参照センサ素子へ2つの前記ガス成分を導入し、2つの前記ガス成分のいずれもが反応する温度に前記参照センサ素子を加熱し、前記温度を所定時間維持して前記参照センサ素子の電気抵抗値を測定する第1測定ステップと、
    2つの前記ガス成分のいずれかのみが反応する温度に前記参照センサ素子を加熱し、前記温度を所定時間維持して前記参照センサ素子の電気抵抗値を測定する第2測定ステップと、
    前記第1測定ステップでの前記電気抵抗値と前記第2測定ステップでの前記電気抵抗値との組み合わせに基づいて、2つの前記ガス成分の濃度比を算出する濃度比算出ステップと、
    あらかじめ準備された、前記ガスセンサ素子における2つの前記ガス成分の検量線と、前記参照センサ素子における2つの前記ガス成分の検量線とを、前記濃度比に基づいて補正する検量線補正ステップと、
    前記検量線補正ステップで補正された前記参照センサ素子における前記検量線を用いて、前記第1測定ステップでの前記電気抵抗値における2つの前記ガス成分の濃度を算出するガス成分濃度算出ステップと、
    前記検量線補正ステップで補正された前記ガスセンサ素子における前記検量線を用いて、前記ガス成分濃度算出ステップで算出した2つの前記ガス成分の濃度を前記検知対象ガスの濃度に換算するガス成分濃度換算ステップと、
    前記暫定濃度算出ステップで算出した前記検知対象ガスの前記暫定濃度と、前記ガス成分濃度換算ステップで換算した前記検知対象ガスの濃度との差を算出する検知対象ガス濃度算出ステップとを備えた、検知対象ガスの濃度算出方法。
  4. 前記被検ガスが呼気ガスであり、2つの前記ガス成分は水素と一酸化炭素であり、前記検知対象ガスはエタノールである、請求項3に記載の検知対象ガスの濃度算出方法。
JP2019106044A 2019-06-06 2019-06-06 2成分ガスの濃度比算出方法および検知対象ガスの濃度算出方法 Active JP6976991B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019106044A JP6976991B2 (ja) 2019-06-06 2019-06-06 2成分ガスの濃度比算出方法および検知対象ガスの濃度算出方法
PCT/JP2020/019764 WO2020246228A1 (ja) 2019-06-06 2020-05-19 2成分ガスの濃度比算出方法および検知対象ガスの濃度算出方法
EP20818210.5A EP3982118B1 (en) 2019-06-06 2020-05-19 Concentration ratio calculation method for two-component gas and concentration calculation method for gas to be detected
US17/616,988 US11692957B2 (en) 2019-06-06 2020-05-19 Method for calculating concentration of detection target gas
CN202080041882.XA CN113924478B (zh) 2019-06-06 2020-05-19 2成分气体的浓度比计算方法以及检测对象气体的浓度计算方法
TW109117034A TWI841738B (zh) 2019-06-06 2020-05-22 雙成分氣體的濃度比計算方法及檢測對象氣體的濃度計算方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019106044A JP6976991B2 (ja) 2019-06-06 2019-06-06 2成分ガスの濃度比算出方法および検知対象ガスの濃度算出方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020201049A true JP2020201049A (ja) 2020-12-17
JP6976991B2 JP6976991B2 (ja) 2021-12-08

Family

ID=73652849

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019106044A Active JP6976991B2 (ja) 2019-06-06 2019-06-06 2成分ガスの濃度比算出方法および検知対象ガスの濃度算出方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11692957B2 (ja)
EP (1) EP3982118B1 (ja)
JP (1) JP6976991B2 (ja)
CN (1) CN113924478B (ja)
TW (1) TWI841738B (ja)
WO (1) WO2020246228A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019220741A1 (ja) * 2018-05-17 2019-11-21 フィガロ技研株式会社 金属酸化物半導体ガスセンサを用いるガス検出装置とガス検出方法
CN116380980B (zh) * 2023-04-10 2024-07-05 哲弗智能系统(上海)有限公司 一种气体浓度的确定方法、装置、电子设备及介质

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH095275A (ja) * 1995-06-21 1997-01-10 Fuji Electric Co Ltd 複合ガスセンサ
JP2000221153A (ja) * 1999-02-02 2000-08-11 Fuji Electric Co Ltd ガス検知装置
WO2005015191A1 (ja) * 2003-08-11 2005-02-17 Hitachi, Ltd. ガスセンサ及びガス検知方法
JP2005321215A (ja) * 2004-05-06 2005-11-17 Tokyo Gas Co Ltd 接触燃焼式ガスセンサ
JP2007003421A (ja) * 2005-06-24 2007-01-11 Matsushita Electric Works Ltd ガス検出装置及びガス検出方法
JP2009518647A (ja) * 2005-12-09 2009-05-07 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 高温高圧センサー
JP2012167954A (ja) * 2011-02-10 2012-09-06 Fuji Electric Co Ltd ガス検知装置
JP2016114989A (ja) * 2014-12-11 2016-06-23 ホーチキ株式会社 ガス警報器
WO2017064784A1 (ja) * 2015-10-15 2017-04-20 株式会社日立製作所 水分検出素子、ガス検出装置及び呼気検査システム

Family Cites Families (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60227158A (ja) * 1984-04-25 1985-11-12 Ngk Spark Plug Co Ltd ガスセンサ−
EP0358925A3 (en) * 1988-09-14 1990-11-28 Seiko Co.,Ltd. Catalytic combustion type co gas sensor
IT1241405B (it) * 1990-03-02 1994-01-14 Eniricerche Spa Sensori di gas per determinare idrocarburi gassosi realizzati con film sottili di ossido di stagno
US5279795A (en) * 1993-01-04 1994-01-18 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Extended range chemical sensing apparatus
JPH08278272A (ja) * 1995-04-10 1996-10-22 Ngk Insulators Ltd NOxセンサ
JPH08285803A (ja) 1995-04-14 1996-11-01 Matsushita Seiko Co Ltd 検知素子
JP3494508B2 (ja) * 1995-06-26 2004-02-09 日本碍子株式会社 可燃性ガスセンサ、可燃性ガス濃度の測定方法及び触媒劣化検知方法
US6228252B1 (en) * 1997-02-13 2001-05-08 Ngk Spark Plug Co. Ltd. Apparatus for detecting concentration of nitrogen oxide
JP3953175B2 (ja) * 1997-02-24 2007-08-08 大阪瓦斯株式会社 窒素酸化物濃度測定装置及び窒素酸化物濃度測定方法
US6128945A (en) * 1997-09-03 2000-10-10 Figaro Engineering Inc. Gas detecting method and its detector
US6055849A (en) * 1997-09-03 2000-05-02 Figaro Engineering Inc. Gas detector and its adjusting method
JP3923154B2 (ja) * 1997-12-02 2007-05-30 松下エコシステムズ株式会社 ガスセンサ
US6344174B1 (en) * 1999-01-25 2002-02-05 Mine Safety Appliances Company Gas sensor
JP3385248B2 (ja) * 1999-10-29 2003-03-10 光明理化学工業株式会社 ガスセンサ
DE10008969C2 (de) * 2000-02-25 2002-10-17 Siemens Ag Alkoholsensor und Betriebsverfahren
US6561692B2 (en) * 2000-03-23 2003-05-13 Ta Instruments-Waters Llc Differential scanning calorimeter
US6488406B2 (en) * 2000-03-23 2002-12-03 Ta Instruments-Waters, Llc Differential scanning calorimeter
KR100315314B1 (ko) * 2000-05-06 2001-11-26 손원열 가스 분석, 농도추정 및 측정, 측정 데이터 보정방법과그의 표시방법
JP4150803B2 (ja) * 2000-07-31 2008-09-17 理研計器株式会社 半導体ガスセンサー式ガス濃度測定装置
US7041256B2 (en) * 2001-01-30 2006-05-09 Industrial Scientific Corporation Poison resistant combustible gas sensors and method for warning of poisoning
RU2206082C1 (ru) * 2001-12-27 2003-06-10 Воронежский государственный технический университет Полупроводниковый металлооксидный датчик газов
US7048844B2 (en) * 2002-11-15 2006-05-23 Delphi Technologies, Inc. Gas sensor and method for use thereof
US7763208B2 (en) * 2003-11-12 2010-07-27 E.I. Du Pont De Nemours And Company System and method for sensing and analyzing gases
DE102004013678A1 (de) * 2004-03-18 2005-10-20 Micronas Gmbh Vorrichtung zur Detektion eines Gases oder Gasgemischs
JP4724426B2 (ja) * 2004-03-30 2011-07-13 シチズンホールディングス株式会社 ガスセンサ用検知素子および接触燃焼式ガスセンサ
JP4474980B2 (ja) * 2004-04-15 2010-06-09 パナソニック株式会社 ガスセンサとそれを用いた燃料電池システムおよび自動車
JP2006071601A (ja) * 2004-09-06 2006-03-16 Denso Corp 赤外線センサ、赤外線式ガス検出器、及び赤外線光源
JP4758145B2 (ja) * 2005-06-03 2011-08-24 シチズンホールディングス株式会社 接触燃焼式ガスセンサ
JP2007192702A (ja) * 2006-01-20 2007-08-02 Japan Organo Co Ltd イオンセンサー、再生時期の判定方法、軟化器、イオン分析装置及びイオン分析方法
JP4916204B2 (ja) * 2006-03-31 2012-04-11 大阪瓦斯株式会社 ガス検知装置
CN101241101A (zh) * 2008-03-06 2008-08-13 中山大学 一种微加工气敏元件及其制备方法
EP2105733A1 (de) * 2008-03-26 2009-09-30 Micronas GmbH Verfahren zum Messen der Konzentration eines Gases
US9140659B2 (en) * 2011-09-29 2015-09-22 Belenos Clean Power Holding Ag Gas sensor and method for determining a concentration of gas in a two-component mixture
JP2013076634A (ja) * 2011-09-30 2013-04-25 Chino Corp ガスセンサおよびガス濃度測定システム
US8265881B1 (en) * 2011-10-07 2012-09-11 H2Scan Corporation Techniques for calculating gas concentrations in a fluid environment
US10578573B2 (en) * 2013-03-12 2020-03-03 Msa Technology, Llc Diagnostics for catalytic structures and combustible gas sensors including catalytic structures
DE102014101657A1 (de) * 2014-02-11 2015-08-13 Ams Sensor Solutions Germany Gmbh Verfahren und Sensorsystem zur Messung der Konzentration von Gasen
JP6355448B2 (ja) * 2014-03-31 2018-07-11 新コスモス電機株式会社 ガスセンサ
US9823211B1 (en) * 2014-09-09 2017-11-21 Maxim Integrated Products, Inc. Gas characterization system having a preconcentrator
DE102015106373B4 (de) * 2015-04-24 2023-03-02 Infineon Technologies Ag Photoakustisches gassensormodul mit lichtemittereinheit und einer detektoreinheit
JP6203214B2 (ja) * 2015-04-30 2017-09-27 日本写真印刷株式会社 半導体式ガスセンサの製造方法及びガス検知装置
JP6359049B2 (ja) * 2016-05-09 2018-07-18 Nissha株式会社 ガスセンサデバイス及びその製造方法
CN206020323U (zh) * 2016-08-31 2017-03-15 温州市国晟汽车电器有限公司 一种新型酒精传感器
JP6617736B2 (ja) * 2017-02-27 2019-12-11 信越半導体株式会社 炭素濃度測定方法
JP6853090B2 (ja) * 2017-03-29 2021-03-31 株式会社日立ハイテク 自動分析装置
US10948469B2 (en) * 2017-05-17 2021-03-16 Msa Technology, Llc Dynamic comparative diagnostics for catalytic structures and combustible gas sensors including catalytic structures
JP6909663B2 (ja) * 2017-07-20 2021-07-28 日本碍子株式会社 ガスセンサのキャリブレーション方法
US10697912B2 (en) * 2017-07-21 2020-06-30 Riken Keiki Co., Ltd. Gas detection method and gas detector
US10983085B2 (en) * 2017-08-02 2021-04-20 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Gas sensor
WO2020014001A1 (en) * 2018-07-10 2020-01-16 Readout, Inc. Breath analyte detection device
US10900922B2 (en) * 2018-07-17 2021-01-26 Msa Technology, Llc Power reduction in combustible gas sensors
US11543396B2 (en) * 2019-06-11 2023-01-03 Msa Technology, Llc Gas sensor with separate contaminant detection element
EP3851812B1 (en) * 2020-01-14 2022-07-06 Axetris AG Gas flow measuring circuit and gas flow sensor

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH095275A (ja) * 1995-06-21 1997-01-10 Fuji Electric Co Ltd 複合ガスセンサ
JP2000221153A (ja) * 1999-02-02 2000-08-11 Fuji Electric Co Ltd ガス検知装置
WO2005015191A1 (ja) * 2003-08-11 2005-02-17 Hitachi, Ltd. ガスセンサ及びガス検知方法
JP2005321215A (ja) * 2004-05-06 2005-11-17 Tokyo Gas Co Ltd 接触燃焼式ガスセンサ
JP2007003421A (ja) * 2005-06-24 2007-01-11 Matsushita Electric Works Ltd ガス検出装置及びガス検出方法
JP2009518647A (ja) * 2005-12-09 2009-05-07 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア 高温高圧センサー
JP2012167954A (ja) * 2011-02-10 2012-09-06 Fuji Electric Co Ltd ガス検知装置
JP2016114989A (ja) * 2014-12-11 2016-06-23 ホーチキ株式会社 ガス警報器
WO2017064784A1 (ja) * 2015-10-15 2017-04-20 株式会社日立製作所 水分検出素子、ガス検出装置及び呼気検査システム

Also Published As

Publication number Publication date
TWI841738B (zh) 2024-05-11
JP6976991B2 (ja) 2021-12-08
EP3982118A1 (en) 2022-04-13
WO2020246228A1 (ja) 2020-12-10
EP3982118A4 (en) 2022-08-03
US11692957B2 (en) 2023-07-04
TW202109039A (zh) 2021-03-01
CN113924478B (zh) 2024-03-29
US20220170872A1 (en) 2022-06-02
EP3982118B1 (en) 2023-06-07
CN113924478A (zh) 2022-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2020246228A1 (ja) 2成分ガスの濃度比算出方法および検知対象ガスの濃度算出方法
CN102597754B (zh) 氢气氯气水平探测器
JPH0517650Y2 (ja)
US20200088669A1 (en) Method for Operating a Sensor Device
US20240036016A1 (en) Gas sensor calibration method
US20070274868A1 (en) Combustible gas pellistor
JP2008032712A (ja) ガス混合物中の種々のガスを検出するための混成電位型センサおよび該センサによりガス混合物中の種々のガスを検出する方法
JP2017207396A (ja) ガス濃度検出装置
JP2018084478A (ja) ガス濃度検出方法及び固体電解質センサ
US11486846B2 (en) Method and device for analyzing a gas
KR20180105814A (ko) 히터 전류의 변화를 이용한 가스센서 모듈의 온도 보정방법
JP5216434B2 (ja) 半導体式ガス検知装置
JP5844556B2 (ja) 熱伝導式ガスセンサの出力補正方法およびガス検知器
JP5921845B2 (ja) 熱線型半導体式ガスセンサの感度補正方法およびポータブル型ガス検知器
JP6775814B2 (ja) ガス濃度測定装置
JP2011202993A (ja) 感応部に酸化セリウムを含むガスセンサの初期安定化状態の判定方法
TWI285801B (en) Gas mixture concentration recognition system and method
JP7385810B2 (ja) ガスセンサ
JP2005043296A (ja) 熱重量測定方法
JPS5892946A (ja) ガス成分検出器
JP4912968B2 (ja) 非メタン炭化水素ガス検知素子
KR20060065704A (ko) 전기화학적 센서
US20200018719A1 (en) Gas sensor, gas sensor system, and method of making and using a gas sensor and gas sensor system
JP4750327B2 (ja) 半導体式検知装置及びその出力算出方法
JPH11258199A (ja) 電気化学式付臭剤センサ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210712

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20210712

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210817

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211018

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20211102

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20211110

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6976991

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150