JPS5892946A - ガス成分検出器 - Google Patents
ガス成分検出器Info
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- JPS5892946A JPS5892946A JP19247781A JP19247781A JPS5892946A JP S5892946 A JPS5892946 A JP S5892946A JP 19247781 A JP19247781 A JP 19247781A JP 19247781 A JP19247781 A JP 19247781A JP S5892946 A JPS5892946 A JP S5892946A
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- gas component
- fuel ratio
- detecting element
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- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
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- G01N27/122—Circuits particularly adapted therefor, e.g. linearising circuits
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はガス成分検出器、特に内燃機関の排気ガス中の
酸素濃度を検出し空燃比を測定するためのガス成分検出
器に関するものである。
酸素濃度を検出し空燃比を測定するためのガス成分検出
器に関するものである。
近年、排気ガス中の有害成分を低減させるため、また燃
費を向上させる等の目的で内燃機間管理論空燃比よりも
薄−空燃比で運転させる、いわゆる希薄燃焼方式が提案
されて−る。この方式にお−て轄薄−飯域での空燃比を
精確に検出する手段が必要である。
費を向上させる等の目的で内燃機間管理論空燃比よりも
薄−空燃比で運転させる、いわゆる希薄燃焼方式が提案
されて−る。この方式にお−て轄薄−飯域での空燃比を
精確に検出する手段が必要である。
この聰の手段としてれ、特公昭８６−６６０８号、特開
昭６１！−８６８９６８に記載の検知装置がある。これ
等は、素子として一酸化コバルト（ＯｏＯ）もしくは−
酸化コバルトと酸化マグネシウム（ＭｇＯ）との合金を
用−１−酸化コバルトが四三酸化コパル）（００１０４
）へ変化するのを防止するとともに温度補償のため、素
子ｔある一定の温度、例えば９００℃に加熱保持して使
用する構成となっている。
昭６１！−８６８９６８に記載の検知装置がある。これ
等は、素子として一酸化コバルト（ＯｏＯ）もしくは−
酸化コバルトと酸化マグネシウム（ＭｇＯ）との合金を
用−１−酸化コバルトが四三酸化コパル）（００１０４
）へ変化するのを防止するとともに温度補償のため、素
子ｔある一定の温度、例えば９００℃に加熱保持して使
用する構成となっている。
これ等装置の検出原理は、第１１ＩＫ示すようにＣｏｏ
等よりなる素子の電気抵抗値が空燃比が薄くなるにつれ
て低下するのを利用するものである。
等よりなる素子の電気抵抗値が空燃比が薄くなるにつれ
て低下するのを利用するものである。
しかしながら、ＯｏＯ等は金属鹸化物半導体であシ、電
気抵抗値は温度によっても大きく変化すゐ０例えば第１
図に示すように温度ｔｏから温度＄１へ素子の温度が低
下すると、温度“ｔ・のとき空燃比１８での電気抵抗値
凰・が温ｔＬ＊ ｌではｌＬｌと高くな夛、この値は温
度ｔ・のと古の空燃比纜は１６に相当し空燃比て約３変
化してしまうことに＆る。このため自動車等の如く非常
に広い温度範囲でかつ温度変化の大１１−場合には精ｉ
１ｔ’を空燃比の検出が困離である。また、ヒータを用
−た場合でも、大１１一温度変化の雰囲気下で所定温度
に保持するに祉その制御回路が複雑で高価にならざるを
得ない。
気抵抗値は温度によっても大きく変化すゐ０例えば第１
図に示すように温度ｔｏから温度＄１へ素子の温度が低
下すると、温度“ｔ・のとき空燃比１８での電気抵抗値
凰・が温ｔＬ＊ ｌではｌＬｌと高くな夛、この値は温
度ｔ・のと古の空燃比纜は１６に相当し空燃比て約３変
化してしまうことに＆る。このため自動車等の如く非常
に広い温度範囲でかつ温度変化の大１１−場合には精ｉ
１ｔ’を空燃比の検出が困離である。また、ヒータを用
−た場合でも、大１１一温度変化の雰囲気下で所定温度
に保持するに祉その制御回路が複雑で高価にならざるを
得ない。
本発明社、上記の＠題を解決して広一温度範囲で精ＳＫ
空燃比を検出できるガス成分検出器１ｍ供することを目
的とするもので、ガス成分検出素子と温度検出素子加熱
手段との構成によシ、温度制御なしもしくは簡単′Ｉｋ
ｉｌｌｌ！ｌＩＩ御で精確な空燃比の検出を可能とする
ものである。
空燃比を検出できるガス成分検出器１ｍ供することを目
的とするもので、ガス成分検出素子と温度検出素子加熱
手段との構成によシ、温度制御なしもしくは簡単′Ｉｋ
ｉｌｌｌ！ｌＩＩ御で精確な空燃比の検出を可能とする
ものである。
以下、本発＠を実施例により説明する。先ず第Ｓ図にお
−て、ｌはアルミナよりなる板状の基体で、後記するガ
ス成分検出素子および電極を保持するとともに、内部に
温度検出素子と電極およびヒータが埋設しである。また
上端には６本のり−ドＩ［６を有している。この基体１
社排気ガスを導入する孔？ｌＴｈ有する耐熱性金属より
なる保護カバー７およびこれと結合した耐熱性金属のパ
イプ８の内部に収納されている。保護カバー７とパイプ
８の結合部には排気管Ｋｌ定するための７ランジ９が取
付けである。基体ｌはパイプ８内において、アル之す等
の焼結体よりなる保持部材１０により支持されている。
−て、ｌはアルミナよりなる板状の基体で、後記するガ
ス成分検出素子および電極を保持するとともに、内部に
温度検出素子と電極およびヒータが埋設しである。また
上端には６本のり−ドＩ［６を有している。この基体１
社排気ガスを導入する孔？ｌＴｈ有する耐熱性金属より
なる保護カバー７およびこれと結合した耐熱性金属のパ
イプ８の内部に収納されている。保護カバー７とパイプ
８の結合部には排気管Ｋｌ定するための７ランジ９が取
付けである。基体ｌはパイプ８内において、アル之す等
の焼結体よりなる保持部材１０により支持されている。
基体１の上部、リード線６およびこれに接続したステン
レス等の耐熱性金属よシなるサブリード線１１ｔｊ無機
接着剤１ｍによりパイプ８内に固定されている。パイプ
８にはパイプ１８が、パイプ１８には更にパイプ１４ｍ
結合されており、これ等の内部に設置したアルミナ等よ
りなる絶縁管１ｉｔ、７ツ素ゴム等よ〉なるブツシュ１
６、シリコ１ンゴム等の耐熱性ゴム部材ｌＩＦに上記サ
ブリード！１１＃挿通され、外部に導出されたサブリー
ド線１１ｔｊカバ一部材１８により被覆されて−る。
レス等の耐熱性金属よシなるサブリード線１１ｔｊ無機
接着剤１ｍによりパイプ８内に固定されている。パイプ
８にはパイプ１８が、パイプ１８には更にパイプ１４ｍ
結合されており、これ等の内部に設置したアルミナ等よ
りなる絶縁管１ｉｔ、７ツ素ゴム等よ〉なるブツシュ１
６、シリコ１ンゴム等の耐熱性ゴム部材ｌＩＦに上記サ
ブリード！１１＃挿通され、外部に導出されたサブリー
ド線１１ｔｊカバ一部材１８により被覆されて−る。
次Ｋ、基体ｌの部分ｏｐｓｉｗ＊ならびにその製造方法
Ｋ”）−で第８図な−し第す図により説明する。゛ ｌａｘ ｘｂＳｔｅａ基体ｌを構成すべきアルミナグリ
ーンシーシである。一方のグリーンシーシｌ＆にはその
中央に１対の白金、白金−ロジウム等の耐熱金属よりな
る膜状の電極４ｍ、４ｂが互１／ＡＫ離間してスクリー
ン印刷される。またこの電極＊ａ、ａｈＦｉグリーンシ
ー）１１＆の貫通孔１１１、Ｉｌｍの内向にも形成され
て−る。更にグリーンシー）１＆に＃ｉその外周部に沿
って白金、白金−ロジウム、タングステン、モリブデン
−マンｌン等の金属よりなる膜状のヒータ６ａがスクリ
ーン印刷され、またこのヒータ５１は貫通孔１１Ｂ、１
１４の内面にも及んで−る。一方グリーンシート１ｂＫ
は上記と同様のヒータ５ｂが、外周部および−ｖＬカ上
勢電１［ｉ ４ ａ ％ ４ ｂと対応する位置に印刷
される。また、グリーンシー）１ｃ６ｃａｘ対の白金、
白金−ロジウム等の耐熱金属よりなる膜状の電極５ａｓ
ａｂが互−に−間してスクリーン印刷される。さらに醸
化、セリウム（Ｃ・０倉 ）よ＃Ｊ″Ｉｋる膜状温度検
出素子８が印刷される。 。
Ｋ”）−で第８図な−し第す図により説明する。゛ ｌａｘ ｘｂＳｔｅａ基体ｌを構成すべきアルミナグリ
ーンシーシである。一方のグリーンシーシｌ＆にはその
中央に１対の白金、白金−ロジウム等の耐熱金属よりな
る膜状の電極４ｍ、４ｂが互１／ＡＫ離間してスクリー
ン印刷される。またこの電極＊ａ、ａｈＦｉグリーンシ
ー）１１＆の貫通孔１１１、Ｉｌｍの内向にも形成され
て−る。更にグリーンシー）１＆に＃ｉその外周部に沿
って白金、白金−ロジウム、タングステン、モリブデン
−マンｌン等の金属よりなる膜状のヒータ６ａがスクリ
ーン印刷され、またこのヒータ５１は貫通孔１１Ｂ、１
１４の内面にも及んで−る。一方グリーンシート１ｂＫ
は上記と同様のヒータ５ｂが、外周部および−ｖＬカ上
勢電１［ｉ ４ ａ ％ ４ ｂと対応する位置に印刷
される。また、グリーンシー）１ｃ６ｃａｘ対の白金、
白金−ロジウム等の耐熱金属よりなる膜状の電極５ａｓ
ａｂが互−に−間してスクリーン印刷される。さらに醸
化、セリウム（Ｃ・０倉 ）よ＃Ｊ″Ｉｋる膜状温度検
出素子８が印刷される。 。
そして上記グリーンシー）１１、Ｉｂ、Ｉｃ社重ね合さ
れる。この際、グリーンシー）！Ｎ％ｌｂの端部間には
、シー）１％の貫通孔１１２゜１１８．１１４と対応す
る位置にリード線６ｂ。
れる。この際、グリーンシー）！Ｎ％ｌｂの端部間には
、シー）１％の貫通孔１１２゜１１８．１１４と対応す
る位置にリード線６ｂ。
６ｅ、６ｍの一端が、またグリーンシー） １ ｂ。
１．６の端部間にはシー）ｌｂの貫通孔１１＆とシー）
１０の貫通孔１１６と対応する位置にリード線６ｄ１６
・の一端がそれぞれセットされる。
１０の貫通孔１１６と対応する位置にリード線６ｄ１６
・の一端がそれぞれセットされる。
そして重ね合せたシー）１％％ １に＋、ｌｅｔ加熱し
つつ加圧接着後、電気炉で。１６００℃〜１６００℃、
約す時間焼成する。これＫよりシー）１ａＳｌｂ１１０
祉焼結して一体化し、内部Ｋｊｉｉ状電極６ａ。
つつ加圧接着後、電気炉で。１６００℃〜１６００℃、
約す時間焼成する。これＫよりシー）１ａＳｌｂ１１０
祉焼結して一体化し、内部Ｋｊｉｉ状電極６ａ。
ｓｂ、膜状温度検出素子８、膜状ヒータ６ｂが、表面に
膜状電＠６＊Ｓ４ｂと膜状ヒータ５８が形成される。同
時にリード！！６＆、６ｂｓ６ａｓ６ｄ、６ｅもシー）
１８％ ｌｂｓ １０間に焼結時の収縮作用により強固
に固着される。
膜状電＠６＊Ｓ４ｂと膜状ヒータ５８が形成される。同
時にリード！！６＆、６ｂｓ６ａｓ６ｄ、６ｅもシー）
１８％ ｌｂｓ １０間に焼結時の収縮作用により強固
に固着される。
次にＭｇＯ１ＮｉＯｔ園溶させたペースト状のに示すよ
うに、ｔｌｉ＊ａ、ｉｂ上にガス成分検出素子ｇ＊、電
極＠ａ、Ｂｂ上に温度検出素子３が形成され、この素子
ｓｉｔ基体基体忙中設されている。
うに、ｔｌｉ＊ａ、ｉｂ上にガス成分検出素子ｇ＊、電
極＠ａ、Ｂｂ上に温度検出素子３が形成され、この素子
ｓｉｔ基体基体忙中設されている。
このようにして製作したガス成分検出素子３と、温度補
償素子８との抵抗一温度特性を電気炉中で昇温しつつ測
定した結果管筒６図に示す。Ｃ＠ｏ。
償素子８との抵抗一温度特性を電気炉中で昇温しつつ測
定した結果管筒６図に示す。Ｃ＠ｏ。
特性は６ｂＯ℃〜９５０℃で良く一致している。
第７図は上記ガス威分検出器の検出回路例を示すもので
、ガス成分検出！！５−ｂ−らの出力電圧管ｊ＆珊して
内燃機関の吸気系の燃料制御装置に信号管送る。１中１
９は電源、ＩＯは制御囲路で、これは検出器からの電気
信号を所定値と比較して制御信号管出すものである。図
示のようにガス成分検出素子露と温度検出素子３と紘直
列に接続され、端子６ｅ（リード線）に祉ガス成分検出
素子露と温度検出素子８の電気抵抗値に応じた出力電圧
が発生する。また、ヒータ６、ａ、５ｂは端子５ｍ（リ
ード線）で並列に接続され接地されている。ここで温度
検出素子８は基体ｌの中に埋設されて−るので、温度検
出素子８の電気抵抗値は排気ガスのガス成分によらず温
度のみによシはば決まシ、かつガス成分検出素子３と温
度検出素子３とは第６５４に示したように電気抵抗値の
温度依存性はほぼ同じである。従って、第８図に示すよ
うに温＆が例えば７００℃、フ７０℃、８６０℃と変化
しても、ガス成分検出素子２（図中ａ）と温度検出素子
８（図中ｂ）の電気抵抗値の交点社同−空燃比（１７゜
８）てほとんど変化せず、従って端子６ｅに発生する出
力電圧も変化せず、温度変化にかかわらず精密に空燃比
を検出できる。
、ガス成分検出！！５−ｂ−らの出力電圧管ｊ＆珊して
内燃機関の吸気系の燃料制御装置に信号管送る。１中１
９は電源、ＩＯは制御囲路で、これは検出器からの電気
信号を所定値と比較して制御信号管出すものである。図
示のようにガス成分検出素子露と温度検出素子３と紘直
列に接続され、端子６ｅ（リード線）に祉ガス成分検出
素子露と温度検出素子８の電気抵抗値に応じた出力電圧
が発生する。また、ヒータ６、ａ、５ｂは端子５ｍ（リ
ード線）で並列に接続され接地されている。ここで温度
検出素子８は基体ｌの中に埋設されて−るので、温度検
出素子８の電気抵抗値は排気ガスのガス成分によらず温
度のみによシはば決まシ、かつガス成分検出素子３と温
度検出素子３とは第６５４に示したように電気抵抗値の
温度依存性はほぼ同じである。従って、第８図に示すよ
うに温＆が例えば７００℃、フ７０℃、８６０℃と変化
しても、ガス成分検出素子２（図中ａ）と温度検出素子
８（図中ｂ）の電気抵抗値の交点社同−空燃比（１７゜
８）てほとんど変化せず、従って端子６ｅに発生する出
力電圧も変化せず、温度変化にかかわらず精密に空燃比
を検出できる。
また、ガス成分検出−子急と温度検出素子８との電気抵
抗値の温度依存性は、第６図より約６５０’−９５０℃
と非常に広い温度範囲であるので、ヒータ６ｍ−，５ｂ
はある一定電圧を印加するか、もしくｋｉｓｏｏ℃土ｌ
暴Ｏ″ＣＫ単純な０Ｎ−ＯＦＦ制御て充分である。
抗値の温度依存性は、第６図より約６５０’−９５０℃
と非常に広い温度範囲であるので、ヒータ６ｍ−，５ｂ
はある一定電圧を印加するか、もしくｋｉｓｏｏ℃土ｌ
暴Ｏ″ＣＫ単純な０Ｎ−ＯＦＦ制御て充分である。
ガス成分検出素子の組成として酸化コパルＦ（Ｃｏｄ）
、酸化！ダネシウム（ＭｇＯ）固溶体、温度検出素子と
して酸化ニオブ（Ｎｂｍ Ｏｓ ）を１０七ルー添加
したジルコニア（Ｚ ｒ Ｏｓ ）を用い、第９図およ
び第１Ｏ図に示すように、基体ｌ上に電＊ＩａＳ４ａｓ
会すを形成し、電極Ｂｍ。
、酸化！ダネシウム（ＭｇＯ）固溶体、温度検出素子と
して酸化ニオブ（Ｎｂｍ Ｏｓ ）を１０七ルー添加
したジルコニア（Ｚ ｒ Ｏｓ ）を用い、第９図およ
び第１Ｏ図に示すように、基体ｌ上に電＊ＩａＳ４ａｓ
会すを形成し、電極Ｂｍ。
４ ｂｆ［Ｋ温度検出素子３、電極４に一４ａ間にガス
成分検出素子８を形成し、温度検出素子８の表面をガス
シールするために緻密構造にしたアルミナ膜１０１で被
覆した。又、基体ｌ内にヒータｈｂを形成した。製造方
法社、先の実施例とほぼ同じであるが温度検出素子８と
その表面をＩＩ＆覆したアルえす＊１Ｏ１ｔｊ同時Ｋｍ
威し、アルミナ膜１ｏｌｋ緻密に焼結する。
成分検出素子８を形成し、温度検出素子８の表面をガス
シールするために緻密構造にしたアルミナ膜１０１で被
覆した。又、基体ｌ内にヒータｈｂを形成した。製造方
法社、先の実施例とほぼ同じであるが温度検出素子８と
その表面をＩＩ＆覆したアルえす＊１Ｏ１ｔｊ同時Ｋｍ
威し、アルミナ膜１ｏｌｋ緻密に焼結する。
１１１１図に示すようにこの実施例によって得られたガ
ス威分検出素子愈と温度検出素子３との電気抵抗値を示
すが、両者の電気抵抗値の温度依存性状良く一致して−
た。
ス威分検出素子愈と温度検出素子３との電気抵抗値を示
すが、両者の電気抵抗値の温度依存性状良く一致して−
た。
なお、本発明にお―て、画素子８．３の材料は前述した
ごとくであるが、要するに画素子の電気抵抗値の温度依
存性（抵抗温度係数）が同一もしくは同等である材料を
用−れｄよい。故に、前述の材料における量的割合ある
いは第８成分の添加は、その条件を満足するように設定
すればよい。
ごとくであるが、要するに画素子の電気抵抗値の温度依
存性（抵抗温度係数）が同一もしくは同等である材料を
用−れｄよい。故に、前述の材料における量的割合ある
いは第８成分の添加は、その条件を満足するように設定
すればよい。
以上述べたごとく、本発明によれば、比較的広一温度範
囲で正確に空燃比を検出でき、その実用上の効果は大き
い。
囲で正確に空燃比を検出でき、その実用上の効果は大き
い。
第１図社従来の検出器における空燃比と電気抵抗値との
関係を示す図、第８図は本発明の一実施例を示す縦断面
図、第３図社第１図の要部の正向図、第４図社第８図の
ムーム断面図、第６図は第８図に示す要部の分解斜視図
、１１６図は本発明実施例における温度と電気抵抗値の
関係を示す図、第７図は検出回路例を示す図、第８図は
本発明実施例における空燃比と電気抵抗値の関係を示す
図、第９図は本発明の他の実施例における要部を示す図
、第１Ｏ図轄第９ＷＪのムーム断面図、第１１図辻本発
明の他の実施例における温度と電気抵抗値の関係を示す
図である０ １−・基体、Ｓ−ガス成分検出素子、８・一温度検出素
子、６ｍ、６ｂ−・・七−タ。 代理人弁理士 岡 部 隆 Ｉｌｌ ■ １に３ 面 第 ４ 図 ＠５図 ＠６［１ ｉ度 （°Ｃ） 晶１！Ｌ各（１ひＫ） １ｉ７図 ｑ ＠ ８ 図 空 ガ＆ｒヒ ｆｉ９ 図 第１１図
関係を示す図、第８図は本発明の一実施例を示す縦断面
図、第３図社第１図の要部の正向図、第４図社第８図の
ムーム断面図、第６図は第８図に示す要部の分解斜視図
、１１６図は本発明実施例における温度と電気抵抗値の
関係を示す図、第７図は検出回路例を示す図、第８図は
本発明実施例における空燃比と電気抵抗値の関係を示す
図、第９図は本発明の他の実施例における要部を示す図
、第１Ｏ図轄第９ＷＪのムーム断面図、第１１図辻本発
明の他の実施例における温度と電気抵抗値の関係を示す
図である０ １−・基体、Ｓ−ガス成分検出素子、８・一温度検出素
子、６ｍ、６ｂ−・・七−タ。 代理人弁理士 岡 部 隆 Ｉｌｌ ■ １に３ 面 第 ４ 図 ＠５図 ＠６［１ ｉ度 （°Ｃ） 晶１！Ｌ各（１ひＫ） １ｉ７図 ｑ ＠ ８ 図 空 ガ＆ｒヒ ｆｉ９ 図 第１１図
Claims (1)
- 検出ガス中のガス成分に応じた電気抵抗値を示すＯｏＯ
−ＭｇＯ系もしく社（３ｏＯ−ＮｉＯ−Ｍ ｇ Ｏ系よ
りなる膜状ガス成分検出素子と、この素子の示す電気抵
抗値を取出す電極と、温度に応じた電気信号を示し主成
分がＣ・Ｏｓもしく社！ｒＯ，よりなる膜状温度検出素
子と、この素子の示す電気抵抗値を取出す電極と、前記
雨検出素子を加熱する加熱手段とを有し、これらを耐熱
電気絶縁材より成る基体に設け、前記膜状温度検出素子
を、耐熱電気絶縁材よ！１１にるガス不浸透性の腰で被
覆もしくは前記基体内Ｋｌｌ設したこと全特徴とするガ
ス成分検出器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19247781A JPS5892946A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | ガス成分検出器 |
| US06/354,794 US4453397A (en) | 1981-08-17 | 1982-03-04 | Gas detecting sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19247781A JPS5892946A (ja) | 1981-11-30 | 1981-11-30 | ガス成分検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5892946A true JPS5892946A (ja) | 1983-06-02 |
Family
ID=16291936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19247781A Pending JPS5892946A (ja) | 1981-08-17 | 1981-11-30 | ガス成分検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5892946A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60115837A (ja) * | 1983-11-29 | 1985-06-22 | Ngk Spark Plug Co Ltd | ヒ−タ付ガスセンサとその製造法 |
| JPS60117140A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-24 | Ngk Spark Plug Co Ltd | ヒ−タ付きガスセンサ |
| WO2004003536A1 (ja) * | 2002-06-27 | 2004-01-08 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | 抵抗型酸素センサとそれを使った酸素センサ装置及び空燃比制御システム |
| WO2005003749A1 (ja) * | 2003-07-03 | 2005-01-13 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | 酸化物半導体を使った酸素センサ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5693038A (en) * | 1979-12-27 | 1981-07-28 | Nec Corp | Semiconductor gas sensor |
-
1981
- 1981-11-30 JP JP19247781A patent/JPS5892946A/ja active Pending
Patent Citations (1)
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