JPS5830650A - ガス成分検出器 - Google Patents
ガス成分検出器Info
- Publication number
- JPS5830650A JPS5830650A JP12917681A JP12917681A JPS5830650A JP S5830650 A JPS5830650 A JP S5830650A JP 12917681 A JP12917681 A JP 12917681A JP 12917681 A JP12917681 A JP 12917681A JP S5830650 A JPS5830650 A JP S5830650A
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- Japan
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- gas component
- temperature
- detection element
- heater
- gas
- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
- G01N27/122—Circuits particularly adapted therefor, e.g. linearising circuits
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
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- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はガス成分検出器、特に内燃機関の排気ガス中の
酸素濃度を検出し空燃比を測定するためのガス成分検出
器に関するものである。
酸素濃度を検出し空燃比を測定するためのガス成分検出
器に関するものである。
近年、排気ガス中の有害成分を低減させるため、また燃
費を向上させる等の目的で内燃機関を理論空燃比よりも
薄い空燃比で運転させる、いわゆる希薄燃焼方式が提案
されている。この方式においてはHい領域での空燃比を
精確に検出する手段が必要である@ この種の手段としては、特公昭21g−6503号、特
開昭52−86396号に記載の検知装置がある。これ
等は、素子として一酸化コパル) (000)もしく喧
−醗化コバルトと酸化マグネシウム(MgO)との合金
を用い、−拳化コバルトが四三酸化コバル) (0o1
04 )へ変化するのを防止するとともに濃度補償のた
め1、素子をある一定の温度、例えば900℃に加熱保
持して使用する構成となっている。
費を向上させる等の目的で内燃機関を理論空燃比よりも
薄い空燃比で運転させる、いわゆる希薄燃焼方式が提案
されている。この方式においてはHい領域での空燃比を
精確に検出する手段が必要である@ この種の手段としては、特公昭21g−6503号、特
開昭52−86396号に記載の検知装置がある。これ
等は、素子として一酸化コパル) (000)もしく喧
−醗化コバルトと酸化マグネシウム(MgO)との合金
を用い、−拳化コバルトが四三酸化コバル) (0o1
04 )へ変化するのを防止するとともに濃度補償のた
め1、素子をある一定の温度、例えば900℃に加熱保
持して使用する構成となっている。
これ等装置の検出原理社、第1図に示すようにOoO等
よ抄なる素子の電気抵抗値が空燃比が薄くなるにつれて
低下するのを利用するものである。
よ抄なる素子の電気抵抗値が空燃比が薄くなるにつれて
低下するのを利用するものである。
しかしながら、OoO等は金属讃化物牛導体であり、電
気抵抗値は温度によっても大きく変化する。例えば第1
図に示すように温度toから温度t1へ素子の温度が低
下すると、温度t。
気抵抗値は温度によっても大きく変化する。例えば第1
図に示すように温度toから温度t1へ素子の温度が低
下すると、温度t。
のとき空燃比18での電気抵抗値Reが温度t1ではR
1と高くな9、この値打温度toのときの空燃比はば1
6に相当し空燃比で約怠変化してしまうことになる。こ
のため自動車等の如く非常に広い温度範囲でかつ温度変
化の大Ii−場合Kd精確な空燃比の検出が困難である
。また、ヒータを用いた場合でも、大きい温度変化の雰
!!気下で所定温度に保持するに社その制御回路が複雑
で高価にがらざるを得ない。
1と高くな9、この値打温度toのときの空燃比はば1
6に相当し空燃比で約怠変化してしまうことになる。こ
のため自動車等の如く非常に広い温度範囲でかつ温度変
化の大Ii−場合Kd精確な空燃比の検出が困難である
。また、ヒータを用いた場合でも、大きい温度変化の雰
!!気下で所定温度に保持するに社その制御回路が複雑
で高価にがらざるを得ない。
本実明社、上記の間■を解決して広vhi1度範囲で精
確に空燃比を検出できるガス成分検出器を提供すること
を目的とするもので、ガス成分検出素子と温度検出素子
とを直列KIII続するとともに、加熱手段を設ける仁
とKよシ、簡単な温度制御で精確な空燃比の検出を可能
とするものである。
確に空燃比を検出できるガス成分検出器を提供すること
を目的とするもので、ガス成分検出素子と温度検出素子
とを直列KIII続するとともに、加熱手段を設ける仁
とKよシ、簡単な温度制御で精確な空燃比の検出を可能
とするものである。
以下、本発明な実施例により説明する。
先ず第2図にお−て、1社アルミナよりなる板状の基体
で、後記するガス成分検出素子および・電極を保持する
とともに、内部にヒー・夕が埋設しである。また上端K
F!4本のリードl[6を有している。この基体lは排
気ガスを導入する孔71を有する耐熱性金属よりなる保
護カバー7およびこれと結合した耐熱性金属のパイプ8
の内部に収納されている。保護カバー7とペイプ8の結
合部には排気管に固定するための7ランジ9が取付けで
ある。基体1はパイプa内にお−て、アルミナ等の焼結
体よ抄なる保持部材10により支持されている。基体1
の上部、リードIj6およびこれに接続したステンレス
等の耐熱性金属よりなるサブリード線11は無機接着剤
18によ抄パイプ8内に固定されている。
で、後記するガス成分検出素子および・電極を保持する
とともに、内部にヒー・夕が埋設しである。また上端K
F!4本のリードl[6を有している。この基体lは排
気ガスを導入する孔71を有する耐熱性金属よりなる保
護カバー7およびこれと結合した耐熱性金属のパイプ8
の内部に収納されている。保護カバー7とペイプ8の結
合部には排気管に固定するための7ランジ9が取付けで
ある。基体1はパイプa内にお−て、アルミナ等の焼結
体よ抄なる保持部材10により支持されている。基体1
の上部、リードIj6およびこれに接続したステンレス
等の耐熱性金属よりなるサブリード線11は無機接着剤
18によ抄パイプ8内に固定されている。
パイプ8にはパイプ13が、パイプ13[は更にパイプ
14が結合されており、これ等の内部に設電したアル之
す等よ抄なる絶縁管IB1フッ素ゴム等よりなるブツシ
ュ16、シリコンゴム等の耐熱性ゴム部材17に上記サ
ブリード線11が挿通され、外部に導出されたサブリー
ド線11はカバ一部材18により被覆されて−る。
14が結合されており、これ等の内部に設電したアル之
す等よ抄なる絶縁管IB1フッ素ゴム等よりなるブツシ
ュ16、シリコンゴム等の耐熱性ゴム部材17に上記サ
ブリード線11が挿通され、外部に導出されたサブリー
ド線11はカバ一部材18により被覆されて−る。
次に、基惨1の部分の詳細構造ならびにそのS全方法に
ついて第3図ないし第5図により説明する。
ついて第3図ないし第5図により説明する。
1a、lbは基体1を構成すべきアル電ナグリーンシー
トである。一方のグリーンシー)11にはその中央に1
対の白金、白金−ロジウム等の耐熱金属よりなる膜状の
電極4&、4bがスクリーン印刷される。またこの電極
4&、番すはグリーンシート1&の貫通孔111、li
tの内面にも形成されている。更にグリーンシート1&
にはその外周部に沿りて白金、白金−ロジウム、タング
ステン、そリプデンーマンガン等の余事よりなる膜状の
ピータS&がスクリーン印刷され、またこのヒータ5a
は貫通孔113.114の内面にも及んでいる。一方グ
リーンシー ) lb[i上記と同様のと−タsbが、
外周部および一部が上記電極4&、4′bと対応する位
置に印刷される。
トである。一方のグリーンシー)11にはその中央に1
対の白金、白金−ロジウム等の耐熱金属よりなる膜状の
電極4&、4bがスクリーン印刷される。またこの電極
4&、番すはグリーンシート1&の貫通孔111、li
tの内面にも形成されている。更にグリーンシート1&
にはその外周部に沿りて白金、白金−ロジウム、タング
ステン、そリプデンーマンガン等の余事よりなる膜状の
ピータS&がスクリーン印刷され、またこのヒータ5a
は貫通孔113.114の内面にも及んでいる。一方グ
リーンシー ) lb[i上記と同様のと−タsbが、
外周部および一部が上記電極4&、4′bと対応する位
置に印刷される。
そして上記グリーンシート1&、1′b#P1重ね合さ
れる。この際、両グリーンシー)L&、1bの端部間に
は、シート1&の貫通孔11−1.112と対応する位
置にリードm6&、6bの一端が、シート1&の貫通孔
113.114とシー)1bのヒータ両端と重なる位置
にリード&l613.611の一端がそれぞれセットさ
れる。
れる。この際、両グリーンシー)L&、1bの端部間に
は、シート1&の貫通孔11−1.112と対応する位
置にリードm6&、6bの一端が、シート1&の貫通孔
113.114とシー)1bのヒータ両端と重なる位置
にリード&l613.611の一端がそれぞれセットさ
れる。
そして重ね合せたシー)1a、lbを加熱しつつ加圧し
、電気炉で1500@〜1600℃、約5時間焼成する
。これによりシー)1&、1bは焼結して一体化し、内
部に膜状ヒータ5bが、表面に膜状電極4m、4bと膜
状ヒー#baが形成される。同時にリード1164%
ay60.6dもシート1&、lb間に焼結時の収縮
作用により強固に固着される。
、電気炉で1500@〜1600℃、約5時間焼成する
。これによりシー)1&、1bは焼結して一体化し、内
部に膜状ヒータ5bが、表面に膜状電極4m、4bと膜
状ヒー#baが形成される。同時にリード1164%
ay60.6dもシート1&、lb間に焼結時の収縮
作用により強固に固着される。
次にMgOを固溶させたペースト状のOoOをスクリー
ン印刷によって電極4&、413間、および電極41と
ヒータ1!1&との間に印刷し、乾燥後、電気炉中で約
1150℃、2時間焼成する。次にペースト状のホウケ
イ僧ガラスをスクリーン印刷により電極4bとヒータB
&との間に形成したOoO層を覆うようにコーティング
し、乾燥後、約1050℃、15分間焼成する。
ン印刷によって電極4&、413間、および電極41と
ヒータ1!1&との間に印刷し、乾燥後、電気炉中で約
1150℃、2時間焼成する。次にペースト状のホウケ
イ僧ガラスをスクリーン印刷により電極4bとヒータB
&との間に形成したOoO層を覆うようにコーティング
し、乾燥後、約1050℃、15分間焼成する。
これにより第5図および第4図に示すように、電IIM
4&、413上にガス成分検出素子2が、電!IA4b
およびヒータ5&上に温度検出素子3が形成され、素子
3はガラス層30により被覆されている。
4&、413上にガス成分検出素子2が、電!IA4b
およびヒータ5&上に温度検出素子3が形成され、素子
3はガラス層30により被覆されている。
第6図社上記ガス成分検出器の検出回路例を示すもので
、19は電源、20FJ制御回路であってガス成分検出
器からの出力電圧を処理し、図示しない@蒐系の燃料制
御装置に信号を送る。
、19は電源、20FJ制御回路であってガス成分検出
器からの出力電圧を処理し、図示しない@蒐系の燃料制
御装置に信号を送る。
図示のようにガス成分検出素子2と温度検出素子3とは
直列に接続されピータ5&、5bと七もに接地されてお
り、端子6bにはガス成分検出素子8と温度検出素子3
の電気抵抗値に応じた出力電圧が発生する。ここで温度
検出素子3社実質的にガス不透性1のコーティング層3
0によ抄被覆されているので、温度検出素子3の電気抵
抗値は排気ガスのガス成分によらず温度のみによりfi
ff決まり、かつガス成分検出素子2と温度検出素子易
とは同一成分よりなるので電気抵抗の温度依存性は同じ
である。従って第7図に示すように、温度が例えば76
0℃、800”C,840℃と貧化しても、ガス成分検
出素子2と温度検出素子3の電気抵抗値の交点は同一空
燃比(18)でほとんど変化せず、従って端子6bに発
生する出力電圧も変化せず、温度変化にかかわらず精確
に空燃比を検出できる。
直列に接続されピータ5&、5bと七もに接地されてお
り、端子6bにはガス成分検出素子8と温度検出素子3
の電気抵抗値に応じた出力電圧が発生する。ここで温度
検出素子3社実質的にガス不透性1のコーティング層3
0によ抄被覆されているので、温度検出素子3の電気抵
抗値は排気ガスのガス成分によらず温度のみによりfi
ff決まり、かつガス成分検出素子2と温度検出素子易
とは同一成分よりなるので電気抵抗の温度依存性は同じ
である。従って第7図に示すように、温度が例えば76
0℃、800”C,840℃と貧化しても、ガス成分検
出素子2と温度検出素子3の電気抵抗値の交点は同一空
燃比(18)でほとんど変化せず、従って端子6bに発
生する出力電圧も変化せず、温度変化にかかわらず精確
に空燃比を検出できる。
また、ヒータ5&、5bは、ガス成分検出素子2のII
k低作動温度以上に加熱保持するのみでよく、例えばV
OO℃±BO℃程度の範囲に温度保持すればよいので、
ピーク制御も単純立011−゛0シ1制御で充分である
。
k低作動温度以上に加熱保持するのみでよく、例えばV
OO℃±BO℃程度の範囲に温度保持すればよいので、
ピーク制御も単純立011−゛0シ1制御で充分である
。
なお、ガス成分検出素子は上記実施例のものに限らずT
ies、0@0鵞、Zr0m、Mid、Sn01%La
0rO@、Nb1O,などガス成分に応じた電気抵抗値
を示すものが用いられ得る。温度検出素子はガス成分検
出素子と組成が必ずしも同一のものでなくてもよい。た
だし、抵抗温度係数がガス成分検出素子とほぼ同一のも
のを用−るO温度検出素子を被覆する材料としては上記
実施側以外にアル、ミナ、スピネル等の耐熱、電数絶縁
性の材料を用−1これを緻密に形成してもよい。素子お
よびビータは膜状に限らずベレット状、コイル状に形成
したものを用いてもよいO
ies、0@0鵞、Zr0m、Mid、Sn01%La
0rO@、Nb1O,などガス成分に応じた電気抵抗値
を示すものが用いられ得る。温度検出素子はガス成分検
出素子と組成が必ずしも同一のものでなくてもよい。た
だし、抵抗温度係数がガス成分検出素子とほぼ同一のも
のを用−るO温度検出素子を被覆する材料としては上記
実施側以外にアル、ミナ、スピネル等の耐熱、電数絶縁
性の材料を用−1これを緻密に形成してもよい。素子お
よびビータは膜状に限らずベレット状、コイル状に形成
したものを用いてもよいO
第1図は従来の検出器における空燃費と電更抵抗値の関
係を示す図、第2図社本発明の一実施例を示す縦断面図
、第3図社第1図の要部の正面図、第4図は第3図のA
−A線断面図、第5図は第2図に示す要部の分解斜視図
、第6図は検出回路例を示す図、第7図は本発明実鳩例
における空燃比と電気抵抗値の関係を示す図である。 1・・・・・・基体 2・・・・・・ガス成分検出素
子3・・・・・・温度検出素子 4a、4b・・・・・
・電極am、sb・・・・・・ヒータ 61.61.60.6d・・・・・・リード線19・・
・・・・電源 20・・・・・・制御回路第3図 第4図 第6図
係を示す図、第2図社本発明の一実施例を示す縦断面図
、第3図社第1図の要部の正面図、第4図は第3図のA
−A線断面図、第5図は第2図に示す要部の分解斜視図
、第6図は検出回路例を示す図、第7図は本発明実鳩例
における空燃比と電気抵抗値の関係を示す図である。 1・・・・・・基体 2・・・・・・ガス成分検出素
子3・・・・・・温度検出素子 4a、4b・・・・・
・電極am、sb・・・・・・ヒータ 61.61.60.6d・・・・・・リード線19・・
・・・・電源 20・・・・・・制御回路第3図 第4図 第6図
Claims (1)
- 耐熱かつ電気絶縁性基体に、検出ガス中のガス酸分に応
じた電気抵抗値を示す金属酸化物よりなるガス成分検出
素子と、温度に応じた電気抵抗値を示すとともに上記ガ
ス成分検出素子と類似の抵抗温度係数をもち上記ガス成
分検出素子と直列に接続せしめた温度検出素子と、これ
等の各素子の電気抵抗値を取出す電極と、これ等画素子
を加熱する加熱手段を設けた仁とを特徴とするガス成分
検出器。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12917681A JPS5830650A (ja) | 1981-08-18 | 1981-08-18 | ガス成分検出器 |
US06/354,794 US4453397A (en) | 1981-08-17 | 1982-03-04 | Gas detecting sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12917681A JPS5830650A (ja) | 1981-08-18 | 1981-08-18 | ガス成分検出器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5830650A true JPS5830650A (ja) | 1983-02-23 |
Family
ID=15003017
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12917681A Pending JPS5830650A (ja) | 1981-08-17 | 1981-08-18 | ガス成分検出器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5830650A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02171647A (ja) * | 1988-11-02 | 1990-07-03 | Vaisala Oy | ガス或は蒸気の相対濃度を測定する為の測定方法及びセンサー |
-
1981
- 1981-08-18 JP JP12917681A patent/JPS5830650A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02171647A (ja) * | 1988-11-02 | 1990-07-03 | Vaisala Oy | ガス或は蒸気の相対濃度を測定する為の測定方法及びセンサー |
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