JP2020188189A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 金属支持層と、
   前記金属支持層の厚み方向の一方側に配置される絶縁層と、
   前記絶縁層の前記厚み方向の一方側に配置され、端子部と、前記端子部と電気的に接続されるグランドリード残余部分とを備える導体層と、を備え、
   前記グランドリード残余部分の厚みは、前記端子部の厚みよりも薄く、
   前記絶縁層の一部は、前記グランドリード残余部分が延びる方向において、前記グランドリード残余部分および前記金属支持層に対して、前記端子部の反対側に突出することを特徴とする、配線回路基板。
2. 前記端子部は、前記厚み方向に積層される複数の端子形成層を備え、
   前記グランドリード残余部分は、前記複数の端子形成層の少なくとも１つに連続するリード形成層を備えることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
3. 前記グランドリード残余部分は、配線回路基板の端部に位置することを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板。
4. 前記グランドリード残余部分は、前記絶縁層の前記厚み方向の一方面に配置されることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の配線回路基板。
5. 金属支持層を準備する工程と、
   前記金属支持層の厚み方向の一方側に絶縁層を形成する工程と、
   前記絶縁層の前記厚み方向の一方側に配置される端子部と、前記端子部および前記金属支持層を電気的に接続するグランドリードとを備える導体層を形成する工程と、
   前記導体層を無電解めっきする工程と、
   前記端子部と前記金属支持層とが絶縁されるように、前記グランドリードの一部を除去して、グランドリード残余部分を形成する工程と、を含み、
   前記グランドリード残余部分の厚みは、前記端子部の厚みよりも薄く、
   前記グランドリードの一部を除去する工程において、前記金属支持層の一部と前記グランドリードの一部とを同時にエッチングすることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
6. 前記導体層を形成する工程は、
   前記グランドリードを構成するリード形成層と、前記端子部を構成し、前記リード形成層と連続する端子形成層とを同時に形成する工程と、
   前記グランドリードを構成するリード形成層を形成せず、前記端子部を構成する端子形成層を形成する工程と、を含むことを特徴とする、請求項５に記載の配線回路基板の製造方法。
7. 前記絶縁層を形成する工程後、かつ、前記導体層を形成する工程前において、前記絶縁層の前記厚み方向の一方面、および、前記絶縁層から露出する金属支持層の前記厚み方向の一方面に、種膜を形成する工程と、
   前記導体層を形成する工程後、かつ、前記無電解めっきする工程前において、前記導体層から露出する種膜を除去する工程と、
   前記グランドリードの一部を除去する工程後、前記グランドリードの除去により露出した種膜を除去する工程と、をさらに含むことを特徴とする、請求項５または６に記載の配線回路基板の製造方法。