JP2020161498A - 有機発光表示装置及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】有機発光表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板と、基板上に形成された複数個の有機発光素子を有するディスプレイ部と、ディスプレイ部を密封する封止層と、ディスプレイ部と封止層との間に配される保護層と、を含み、有機発光素子は、画素電極、画素電極上に配され、有機発光層を含む中間層、及び中間層上に配された対向電極を備え、保護層は、対向電極を覆うキャッピング層と、キャッピング層上の遮断層を含む有機発光表示装置である。【選択図】図４

Description

本発明は、有機発光表示装置及びその製造方法に関する。
有機発光素子を利用した有機発光ディスプレイ装置は、現在広く汎用化されているＬＣＤに比べて速い応答速度を有しており、動画の実現に優れており、自発光して視野角が広く、高輝度を出すことができて、次世代表示装置として脚光を浴びている。
前記有機発光素子は、互いに対向した画素電極、対向電極、及び画素電極と対向電極との間に介在した有機物を含む発光層からなる。かような有機発光素子は、水分、酸素、光などに非常に敏感であって、それらと接触すれば、前記発光領域が徐々に縮小される画素縮小（ｐｉｘｅｌ ｓｈｒｉｎｋａｇｅ）現象が発生することがある。また、対向電極が酸化されることによって、画素縮小（ｐｉｘｅｌ ｓｈｒｉｎｋａｇｅ）現象が発生することもある。
また、酸素、水分などが発光層に拡散されれば、電極と有機物層との界面で電気化学的な電荷移動反応が発生して酸化物が生成され、前記酸化物が有機物層と画素電極または対向電極とを分離させて、暗点（ｄａｒｋ ｓｐｏｔ）のような現象を誘発することによって、前記有機発光素子の寿命を縮める。
本発明の主な目的は、画素縮小（ｐｉｘｅｌ ｓｈｒｉｎｋａｇｅ）問題を改善して有機発光表示装置の寿命を向上させうる有機発光表示装置及びその製造方法を提供することである。
一実施例によれば、基板と、前記基板上に形成された複数個の有機発光素子を有するディスプレイ部と、前記ディスプレイ部を密封する封止層と、前記ディスプレイ部と前記封止層との間に配される保護層と、を含み、前記有機発光素子は、画素電極、前記画素電極上に配され、有機発光層を含む中間層、前記中間層上に配された対向電極を備え、前記保護層は、前記対向電極を覆うキャッピング層と、前記キャッピング層上の遮断層と、を含む有機発光表示装置を提供する。
前記キャッピング層は、有機物からなってもよい。
前記遮断層は、フッ化リチウム（ＬｉＦ）からなってもよい。
前記遮断層は、前記キャッピング層を覆ってもよい。
前記封止層は、少なくとも第１無機膜、第１有機膜及び第２無機膜が順次に積層された構造であってもよい。
前記第１無機膜は、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）からなってもよい。
前記遮断層は、前記キャッピング層を覆ってもよい。
前記第１有機膜の面積は、前記遮断層の面積よりも大きい。
前記第１無機膜の面積は、前記第１有機膜の面積よりも大きい。
前記封止層は、前記第２無機膜上に形成された第２有機膜と、前記第２有機膜上に形成された第３無機膜と、をさらに含んでもよい。
前記第１無機膜の面積は、前記第１有機膜の面積よりも大きい。
前記遮断層は、前記キャッピング層を覆い、前記第１有機膜の面積は、前記遮断層の面積よりも大きく、前記第２有機膜の面積は、前記第１有機膜の面積よりも大きい。
前記第２無機膜及び前記第３無機膜の面積は、前記第１無機膜の面積よりも大きい。
他の実施例によれば、基板と、前記基板上に形成された複数個の有機発光素子を有するディスプレイ部と、前記ディスプレイ部を密封して、少なくとも多孔性無機膜、第１有機膜及び第２無機膜が順次に積層された封止層と、前記ディスプレイ部と前記封止層との間に配される保護層と、を含み、前記有機発光素子は、画素電極、前記画素電極上に配され、有機発光層を含む中間層、及び前記中間層上に配された対向電極を備え、前記保護層は、前記対向電極を覆うキャッピング層と、前記キャッピング層上の多孔性遮断層と、を含む有機発光表示装置を提供する。
前記キャッピング層は、有機物からなってもよい。
前記多孔性遮断層は、フッ化リチウム（ＬｉＦ）からなってもよい。
前記多孔性無機膜は、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）からなってもよい。
前記多孔性遮断層は、前記キャッピング層を覆ってもよい。
前記第１有機膜の面積は、前記多孔性遮断層の面積よりも大きい。
前記多孔性無機膜の面積は、前記第１有機膜の面積よりも大きい。
前記封止層は、前記第２無機膜上に形成された第２有機膜と、前記第２有機膜上に形成された第３無機膜と、をさらに含む。
前記多孔性無機膜の面積は、前記第１有機膜の面積よりも大きい。
前記多孔性遮断層は、前記キャッピング層を覆い、前記第１有機膜の面積は、前記遮断層の面積よりも大きく、前記第２有機膜の面積は、前記第１有機膜の面積よりも大きい。
前記第２無機膜及び前記第３無機膜の面積は、前記多孔性無機膜の面積よりも大きい。
一実施例によれば、基板上に表示領域を定義して対向電極を含むディスプレイ部を形成する段階と、前記対向電極を覆うようにキャッピング層を形成する段階と、前記キャッピング層上に遮断層を形成する段階と、前記遮断層上に前記ディスプレイ部を密封する封止層を形成する段階と、を含む有機発光表示装置の製造方法を提供する。
前記キャッピング層は、有機物からなってもよい。
前記遮断層は、フッ化リチウム（ＬｉＦ）からなってもよい。
前記遮断層は、前記キャッピング層を覆うように形成される。
前記封止層を形成する段階は、前記遮断層上に第１無機膜を形成する段階と、前記第１無機膜上に第１有機膜を形成する段階と、前記第１有機膜上に第２無機膜を形成する段階と、を含む。
前記第１無機膜はスパッタリング法によって形成され、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）からなってもよい。
第１無機膜の面積は、前記第１有機膜の面積よりも大きく形成される。
前記遮断層は、前記キャッピング層を覆うように形成され、前記第１有機膜の面積は、前記遮断層の面積よりも大きい。
前記第２無機膜上に第２有機膜を形成する段階と、前記第２有機膜上に第３無機膜を形成する段階と、をさらに含み、前記第２無機膜と前記第３無機膜は、化学気相蒸着法（ＣＶＤ）により形成される。
前記第１無機膜の面積は、前記第１有機膜の面積よりも大きく形成される。
前記遮断層は、前記キャッピング層を覆うように形成され、前記第１有機膜の面積は、前記遮断層の面積よりも大きく、前記第２有機膜の面積は、前記第１有機膜の面積よりも大きく形成される。
前記第２無機膜及び前記第３無機膜の面積は、前記第１無機膜の面積よりも大きく形成される。
前記遮断層は、ピンホール（Ｐｉｎ−ｈｏｌｅ）構造を有するフッ化リチウム（ＬｉＦ）からなってもよい。
本発明の一実施例によれば、対向電極の酸化を防止して、画素縮小（ｐｉｘｅｌ ｓｈｒｉｎｋａｇｅ）問題を改善することができる。
また、進行性暗点の発現を遅延させて、有機発光表示装置の寿命を向上させうる。
本発明の一実施例による有機発光表示装置を示す概略的な平面図である。 図１の有機発光表示装置のＩ−Ｉ’線に沿って切り取った断面図である。 図１の有機発光表示装置のＩＩ−ＩＩ’線に沿って切り取った断面図である。 図３のＰ１部分を拡大した拡大図である。 本発明の他の実施例による有機発光表示装置を示す概略的な断面図である。 図５の有機発光表示装置の一部分を概略的に示す断面図である。 図６のＰ２部分を拡大した拡大図である。 図１の有機発光表示装置の製造方法を概略的に示す断面図である。 図１の有機発光表示装置の製造方法を概略的に示す断面図である。 図１の有機発光表示装置の製造方法を概略的に示す断面図である。
本発明は、多様な変換を加えて多様な実施例を有することができるところ、特定実施例を図面に例示し、詳細な説明で詳細に説明する。しかし、それは、本発明を特定の実施形態に対して限定しようとするものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変換、均等物ないし代替物を含むものと理解されねばならない。本発明を説明するに当たって、関連した公知技術についての具体的な説明が、本発明の要旨を不明にする恐れがあると判断される場合、その詳細な説明を省略する。
本明細書で使われる第１、第２などの用語は、多様な構成要素を説明するのに使われるが、構成要素は、用語によって限定されてはならない。用語は、一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的にのみ使われる。
本明細書で、層、膜、領域、板などの部分が異なる部分“上に”にあるとする時、それは他の部分の“直上に”ある場合のみならず、その中間にさらに異なる部分がある場合も含む。
以下、本発明による実施例を、図面を参照して詳細に説明する。図面を参照して説明するに当たって、実質的に同一あるいは対応する構成要素は、同じ図面番号を与し、それについて重複する説明は省略する。図面において複数層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示した。そして、図面で、説明の便宜上、一部層及び領域の厚さを誇張して示した。
図１は、本発明の一実施例による有機発光表示装置を示す概略的な平面図であり、図２は、図１の有機発光表示装置のＩ−Ｉ’線に沿って切り取った断面図であり、図３は、図１の有機発光表示装置のＩＩ−ＩＩ’線に沿って切り取った断面図であり、そして、図４は、図３のＰ１部分を拡大した拡大図である。
図１ないし図４を参照すれば、本発明の一実施例による有機発光表示装置１０は、基板１０１、基板１０１上に表示領域ＡＡを定義するディスプレイ部２００、及び前記ディスプレイ部２００を密封する封止層３００を含む。
基板１０１は、可撓性基板であり、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ；ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ポリエチレンナフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｎａｐｈｔａｌａｔｅ）、ポリアリレート（ＰＡＲ；ｐｏｌｙａｒｙｌａｔｅ）、及びポリエチルイミド（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｉｍｉｄｅ）のように耐熱性及び耐久性に優れたプラスチックで構成することができる。しかし、本発明は、それらに限定されず、基板１０１は、金属やガラスなど多様な素材からもなる。
ディスプレイ部２００は、基板１０１上で表示領域（Ａｃｔｉｖｅ Ａｒｅａ、ＡＡ）を定義し、互いに電気的に連結された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と有機発光素子（ＯＬＥＤ）とを含む。一方、表示領域ＡＡの周辺には、パッド部１が配され、電源供給装置（図示せず）、または信号生成装置（図示せず）からの電気的信号を表示領域ＡＡに伝達することができる。
以下、図３を参照してディスプレイ部２００をさらに詳しく説明する。
基板１０１上には、バッファ層２０１が形成されてもよい。バッファ層２０１は、基板１０１上の全体面、すなわち、表示領域ＡＡと、表示領域ＡＡの外郭とに全面形成される。バッファ層２０１は、基板１０１を通じた不純元素の浸透を防止し、基板１０１の上部に平坦な面を提供するものであって、かような役割が行える多様な物質からなる。
例えば、バッファ層２０１は、シリコンオキサイド、シリコンナイトライド、シリコンオキシナイトライド、アルミニウムオキサイド、アルミニウムナイトライド、チタンオキサイド、またはチタンナイトとイドなどの無機物や、ポリイミド、ポリエステル、アクリルなどの有機物を含有し、例示した材料のうち、複数の積層体で形成することができる。
バッファ層２０１上には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成される。薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、活性層２０２、ゲート電極２０４、ソース電極２０６、及びドレイン電極２０７を含むことができる。
活性層２０２は、アモルファスシリコン、またはポリシリコンのような無機半導体、有機半導体、または酸化物半導体からなり、ソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域を含む。
活性層２０２の上部には、ゲート絶縁膜２０３が形成される。ゲート絶縁膜２０３は、基板１０１の全体に対応するように形成される。すなわち、ゲート絶縁膜２０３は、基板１０１上の表示領域ＡＡと、表示領域ＡＡの外郭にいずれも対応するように形成される。ゲート絶縁膜２０３は、活性層２０２とゲート電極２０４とを絶縁するためのものであって、有機物またはＳｉＮｘ、ＳｉＯ２のような無機物で形成することができる。
ゲート絶縁膜２０３上にゲート電極２０４が形成される。ゲート電極２０４は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｍｏを含有し、Ａｌ：Ｎｄ、Ｍｏ：Ｗ合金のような合金を含むが、それらに限定されず、設計条件を考慮して多様な材質で形成することができる。
ゲート電極２０４の上部には、層間絶縁膜２０５が形成される。層間絶縁膜２０５は、基板１０１の全面に対応して形成されることが望ましい。すなわち、表示領域ＡＡ及び表示領域ＡＡの外郭のいずれにも対応すべく形成される。
層間絶縁膜２０５は、ゲート電極２０４とソース電極２０６との間、及びゲート電極２０４とドレイン電極２０７との間に配されて、それらの間の絶縁のためのものであり、ＳｉＮｘ、ＳｉＯ２のような無機物で形成することができる。本実施例で、層間絶縁膜２０５は、ＳｉＮｘで形成されるか、またはＳｉＮｘ層とＳｉＯ２層の２層構造からなる。
層間絶縁膜２０５上には、ソース電極２０６及びドレイン電極２０７が形成される。具体的に、層間絶縁膜２０５及びゲート絶縁膜２０３は、活性層２０２のソース領域及びドレイン領域を露出するように形成され、かような活性層２０２の露出されたソース領域及びドレイン領域と接するように、ソース電極２０６及びドレイン電極２０７が形成される。
一方、図３は、活性層２０２、ゲート電極２０４及びソースドレイン電極２０６、２０７を順次に含むトップゲート方式（ｔｏｐ ｇａｔｅ ｔｙｐｅ）の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を例示しているが、本発明はそれに限定されず、ゲート電極２０４が活性層２０２の下部に配されてもよい。
かような薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、有機発光素子（ＯＬＥＤ）に電気的に連結されて有機発光素子（ＯＬＥＤ）を駆動し、パッシベーション層２０８で覆われて保護される。
パッシベーション層２０８は、無機絶縁膜及び／または有機絶縁膜を使用することができる。無機絶縁膜としては、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、ＺｒＯ２、ＢＳＴ、ＰＺＴなどを含み、有機絶縁膜としては、一般の汎用高分子（ＰＭＭＡ、ＰＳ）、フェノール系グループを有する高分子誘導体、アクリル系高分子、イミド系高分子、アリルエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ−キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子、及びそれらのブレンドなどを含みうる。また、パッシベーション層２０８は、無機絶縁膜と有機絶縁膜との複合積層体でも形成することができる。
パッシベーション層２０８上には、有機発光素子（ＯＬＥＤ）が形成され、有機発光素子（ＯＬＥＤ）は、画素電極２１１、中間層２１４及び対向電極２１５を備えることができる。
画素電極２１１は、パッシベーション層２０８上に形成される。さらに具体的に、パッシベーション層２０８は、ドレイン電極２０７全体を覆わず、所定の領域を露出するように形成され、露出されたドレイン電極２０７と連結されるように、画素電極２１１が形成される。
本実施例で画素電極２１１は、反射電極であり、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、及びこれらの化合物などで形成された反射膜と、反射膜上に形成された透明または半透明の電極層を備えることができる。透明または半透明の電極層は、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、Ｉｎ２Ｏ３（ｉｎｄｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）、ＩＧＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｏｘｉｄｅ）、及びＡＺＯ（ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）を含むグループから選択された少なくとも１つ以上を備えることができる。
画素電極２１１と対向するように配された対向電極２１５は、透明または半透明電極であり、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ、及びそれらの化合物を含む仕事関数が小さい金属薄膜で形成することができる。対向電極２１５は、５ないし２０ｎｍの厚さに形成することができる。また、金属薄膜の上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３の透明電極形成用物質で補助電極層やバス電極をさらに形成することができる。
したがって、対向電極２１５は、中間層２１４に含まれた有機発光層から放出された光を透過させることができる。すなわち、有機発光層から放出される光は、直接または反射電極で構成された画素電極２１１により反射され、対向電極２１５側に放出される。
しかし、本実施例の有機発光表示装置１０は、前面発光型に制限されず、有機発光層から放出された光が基板１０１側に放出される背面発光型であってもよい。その場合、画素電極２１１は、透明または半透明電極で構成され、対向電極２１５は、反射電極で構成される。また、本実施例の有機発光表示装置１０は、前面及び背面の両方に光を放出する両面発光型であってもよい。
一方、画素電極２１１上には、絶縁物で画素定義膜２１３が形成される。画素定義膜２１３は、画素電極２１１の所定の領域を露出し、露出された領域に有機発光層を含む中間層２１４が位置する。
有機発光層は、低分子有機物または高分子有機物であり、中間層２１４は、有機発光層以外に正孔輸送層（ＨＴＬ：ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ）、正孔注入層（ＨＩＬ：ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）、電子輸送層（ＥＴＬ：ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ）及び電子注入層（ＥＩＬ：ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）のような機能層を選択的にさらに含むことができる。
対向電極２１５上には、封止層３００が配される。封止層３００は、少なくとも第１無機膜３０１、第１有機膜３０２及び第２無機膜３０３を含むことができる。また、封止層３００とディスプレイ部２００との間には、保護層２２０がさらに形成される。
以下、図４を参照して保護層２２０をさらに詳しく説明する。
保護層２２０は、対向電極２１５を覆うキャッピング層（Ｃａｐｐｉｎｇｌａｙｅｒ）２２２と、キャッピング層２２２上の遮断層２２４を含む。
キャッピング層２２２は、対向電極２１５を覆うように形成される。キャッピング層２２２は、ａ−ＮＰＤ、ＮＰＢ、ＴＰＤ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、Ａｌｑ３またはＣｕＰｃなどの有機物からなり、有機発光素子（ＯＬＥＤ）を保護する機能以外に、有機発光素子（ＯＬＥＤ）から発生した光の効率的な放出に一助となる。キャッピング層２２２は、２０ないし２００ｎｍの厚さに形成される。対向電極２１５の端部（ｅｄｇｅ）からキャッピング層２２２の端部（ｅｄｇｅ）までの距離は、５０ないし１５０μｍである。
遮断層２２４は、ＬｉＦ、ＭｇＦ２またはＣａＦ２などの無機物からなる。遮断層２２４は、キャッピング層２２２を覆うように形成される。遮断層２２４は、第１無機膜３０１を形成する過程で使われるプラズマなどが、有機発光素子（ＯＬＥＤ）に浸透して、中間層２１４及び対向電極２１５に損傷を起こさないように、プラズマなどを遮断する役割を行う。遮断層２２４の厚さは、３０ないし２００ｎｍの厚さに形成される。キャッピング層２２２の端部（ｅｄｇｅ）から遮断層２２４の端部（ｅｄｇｅ）までの距離は、５０ないし１５０μｍである。
遮断層２２４は、大きな双極子モーメント（ｄｉｐｏｌｅ ｍｅｍｅｎｔ）を有する場合がある。遮断層２２４と対向電極２１５とが接触する場合、遮断層２２４の前記の大きな双極子モーメントが対向電極２１５に影響を与えることになり、これにより、対向電極２１５の表面で酸化反応が発生する可能性がある。対向電極２１５が酸化されることにより、有機発光素子の画素縮小（ｐｉｘｅｌ ｓｈｒｉｎｋａｇｅ）現象が発生する。例えば、対向電極２１５がＭｇで形成され、遮断層２２４がＬｉＦで形成される場合、下記化学式１のような酸化反応が発生する恐れがある。
Figure 2020161498
前記化学式１のような酸化反応によって対向電極２１５が酸化されることにより、有機発光素子の画素縮小現象が発生する。本発明の一実施例によれば、キャッピング層２２２が対向電極２１５を完全に覆うように形成されることによって、遮断層２２４と対向電極２１５とが接触できなくなる。したがって、遮断層２２４と対向電極２１５との表面反応を防止することによって、遮断層２２４による対向電極２１５の酸化を根本的に防止しうる。これにより、対向電極２１５の酸化による画素縮小現象を防止することができる。
保護層２２０上には、第１無機膜３０１が形成される。第１無機膜３０１は、例えば、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）からなる。
一方、第１無機膜３０１上に形成される第１有機膜３０２は、高分子有機化合物で構成される。第１有機膜３０２は、第１無機膜３０１上に形成され、画素定義膜２１３による段差を平坦化可能に所定の厚さに形成しうる。第１有機膜３０２は、エポキシ、アクリレートまたはウレタンアクリレートのうち、いずれか１つを含むことができる。第１有機膜３０２の面積は、第１無機膜３０１の面積よりも小さく形成される。第１有機膜３０２の面積は、遮断層２２４の面積よりも大きく形成される。これにより、第１有機膜３０２の面積が拡張されることによって、パネル外郭部での透湿を効果的に防止することができる。
第２無機膜３０３は、第１無機膜３０１と第１有機膜３０２とを取り囲むように形成される。すなわち、第１有機膜３０２は、第１無機膜３０１と第２無機膜３０３とにより全体が取り囲まれるので、外部の水分や酸素の浸透が効率よく防止される。
第２無機膜３０３は、例えば、ＳｉＮｘまたはＳｉＯｘで形成され、化学気相蒸着法（ＣＶＤ）により所定の厚さに形成される。したがって、第１有機膜３０２上にパーティクルが存在しても、パーティクルによって形成される段差を十分にカバーすることができる。また、第２無機膜３０３は、プラズマを使わない化学気相蒸着法によって形成されるので、第２無機膜３０３の形成時、第１有機膜３０２に損傷を与えず、それにより、第１有機膜３０２でガスが発生する現象を防止することができる。
一方、第２無機膜３０３は、第１無機膜３０１よりも大きく形成され、表示領域ＡＡの外部で層間絶縁膜２０５と直接接することができる。また、第２無機膜３０３は、層間絶縁膜２０５と同じ材質で形成されてもよい。それにより、第２無機膜３０３と層間絶縁膜２０５との接合力が向上しうる。
第２無機膜３０３上には、第２有機膜３０４と第３無機膜３０５が形成され、封止層３００の外面には酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）からなる第４無機膜（図示せず）がさらに形成されてもよい。
第２有機膜３０４は、エポキシ、アクリレートまたはウレタンアクリレートのうち、いずれか１つを含み、所定の厚さに形成される。第２有機膜３０４は、第１無機膜３０１で発生した膜ストレスを緩和させ、パーティクルなどが存在しても、これを平坦に覆う。第２有機膜３０４の面積は、第１有機膜３０２の面積よりも大きく形成される。これにより、第２有機膜３０４の面積が拡張されることによって、パネル外郭部での透湿を効率よく防止することができる。
第３無機膜３０５は、第２有機膜３０４をカバーする。一方、第３無機膜３０５は、第２無機膜３０３と同じ材質で形成される。第３無機膜３０５は、第２無機膜３０３よりも大きく形成され、表示領域ＡＡの外部で層間絶縁膜２０５と直接接する。また、第３無機膜３０５は、層間絶縁膜２０５と同じ材質で形成されてもよい。これにより、第３無機膜３０５と層間絶縁膜２０５との接合力が向上する。
かような封止層３００は、交互に配された複数層の追加的な無機膜及び有機膜をさらに含み、無機膜及び有機膜の積層回数は制限されない。
また、封止層３００の上面には、保護フィルム（図示せず）が付着されるが、保護フィルム（図示せず）の付着力が強い場合は、保護フィルム（図示せず）の除去時に封止層３００まで剥離される恐れがある。したがって、保護フィルム（図示せず）との付着力が弱い酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）からなる第４無機膜（図示せず）をさらに形成することによって、かような問題を解決することができる。
図５は、本発明の他の実施例による有機発光表示装置を示す概略的な断面図であり、図６は、図５の有機発光表示装置の一部を概略的に示す断面図であり、そして、図７は、図６のＰ２部分を拡大した拡大図である。
図５ないし図７を参照すれば、本発明の一実施例による有機発光表示装置２０は、基板１０１、基板１０１上に表示領域ＡＡを定義するディスプレイ部２００、及び前記ディスプレイ部２００を密封する封止層２３００を含む。
基板１０１は、可撓性基板である。しかし、本発明は、これに限定されず、基板１０１は、金属やガラスなど多様な素材で構成される。
ディスプレイ部２００は、基板１０１上で表示領域（Ａｃｔｉｖｅ Ａｒｅａ：ＡＡ）を定義し、互いに電気的に連結された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と有機発光素子（ＯＬＥＤ）とを含む。一方、表示領域ＡＡの周辺には、パッド部１が配され、電源供給装置（図示せず）、または信号生成装置（図示せず）からの電気的信号を表示領域ＡＡに伝達する。
以下、図６を参照してディスプレイ部２００をさらに詳しく説明する。
基板１０１上には、バッファ層２０１が形成される。
バッファ層２０１上には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成される。薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、活性層２０２、ゲート電極２０４、ソース電極２０６、及びドレイン電極２０７を含むことができる。
活性層２０２の上部には、ゲート絶縁膜２０３が形成される。ゲート絶縁膜２０３は、基板１０１全体に対応すべく形成される。
ゲート絶縁膜２０３上にゲート電極２０４が形成される。
ゲート電極２０４の上部には、層間絶縁膜２０５が形成される。層間絶縁膜２０５は、基板１０１の全面に対応すべく形成されることが望ましい。すなわち、表示領域ＡＡ及び表示領域ＡＡの外郭のいずれにも対応すべく形成される。
層間絶縁膜２０５は、ＳｉＮｘ、ＳｉＯ２のような無機物で形成することができる。本実施例で層間絶縁膜２０５は、ＳｉＮｘで形成されるか、またはＳｉＮｘ層とＳｉＯ２層との２層構造で形成される。
層間絶縁膜２０５上には、ソース電極２０６及びドレイン電極２０７が形成される。
一方、図６は、活性層２０２、ゲート電極２０４及びソースドレイン電極２０６、２０７を順次に含むトップゲート方式（ｔｏｐ ｇａｔｅ ｔｙｐｅ）の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を例示しているが、本発明は、これに限らず、ゲート電極２０４が活性層２０２の下部に配されてもよい。
かような薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、有機発光素子（ＯＬＥＤ）に電気的に連結されて有機発光素子（ＯＬＥＤ）を駆動し、パッシベーション層２０８で覆われて保護される。
パッシベーション層２０８は、無機絶縁膜及び／または有機絶縁膜を使用しうる。また、パッシベーション層２０８は、無機絶縁膜と有機絶縁膜との複合積層体で形成されてもよい。
パッシベーション層２０８上には、有機発光素子（ＯＬＥＤ）が形成され、有機発光素子（ＯＬＥＤ）は、画素電極２１１、中間層２１４、及び対向電極２１５を備えることができる。
画素電極２１１は、パッシベーション層２０８上に形成される。画素電極２１１と対向するように配された対向電極２１５は、透明または半透明電極であり、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ、及びこれらの化合物を含む仕事関数の小さい金属薄膜で形成されてもよい。対向電極２１５は、５ないし２０ｎｍの厚さで形成される。
したがって、対向電極２１５は、中間層２１４に含まれた有機発光層から放出された光を透過させることができる。すなわち、有機発光層から放出される光は、直接または反射電極で構成された画素電極２１１により反射され、対向電極２１５側に放出される。
しかし、本実施例の有機発光表示装置２０は、前面発光型に限定されず、有機発光層から放出された光が、基板１０１側に放出される背面発光型であってもよい。この場合、画素電極２１１は、透明または半透明電極で構成され、対向電極２１５は、反射電極で構成される。また、本実施例の有機発光表示装置２０は、前面及び背面の両方に光を放出する両面発光型であってもよい。
一方、画素電極２１１上には、絶縁物で画素定義膜２１３が形成される。
有機発光層は、低分子有機物または高分子有機物であり、中間層２１４は、有機発光層以外に正孔輸送層（ＨＴＬ：ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ）、正孔注入層（ＨＩＬ：ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）、電子輸送層（ＥＴＬ：ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ）、及び電子注入層（ＥＩＬ：ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ）のような機能層を選択的にさらに含むことができる。
対向電極２１５上には、封止層２３００が配される。封止層２３００は、少なくとも多孔性無機膜２３０１、第１有機膜３０２、及び第２無機膜３０３を含むことができる。また、封止層２３００とディスプレイ部２００との間には、保護層２２２０がさらに形成される。
以下、図７を参照して保護層２２２０をさらに詳しく説明する。
保護層２２２０は、対向電極２１５を覆うキャッピング層２２２と、キャッピング層２２２上の多孔性遮断層２２２４とを含む。
キャッピング層２２２は、対向電極２１５を覆うように形成される。キャッピング層２２２は、ａ−ＮＰＤ、ＮＰＢ、ＴＰＤ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、Ａｌｑ３またはＣｕＰｃなどの有機物からなり、有機発光素子（ＯＬＥＤ）を保護する機能以外に、有機発光素子（ＯＬＥＤ）から発生した光の効率的な放出に一助となる。キャッピング層２２２は、２０ないし２００ｎｍの厚さに形成される。対向電極２１５の端部（ｅｄｇｅ）からキャッピング層２２２の端部（ｅｄｇｅ）までの距離は、５０ないし１５０μｍである。
多孔性遮断層２２２４は、ＬｉＦ、ＭｇＦ２またはＣａＦ２の無機物からなる。多孔性遮断層２２２４は、キャッピング層２２２を覆うように形成される。多孔性遮断層２２２４は、第１無機膜３０１を形成する過程で使われるプラズマなどが有機発光素子（ＯＬＥＤ）に浸透して中間層２１４及び対向電極２１５に損傷を起こさないように、プラズマなどを遮断する役割を行う。多孔性遮断層２２２４の厚さは、３０ないし２００ｎｍの厚さに形成される。キャッピング層２２２の端部（ｅｄｇｅ）から多孔性遮断層２２２４の端部（ｅｄｇｅ）までの距離は、５０ないし１５０μｍである。本実施例で多孔性遮断層２２２４は、ピンホール（Ｐｉｎ−ｈｏｌｅ）構造を有するフッ化リチウム（ＬｉＦ）からなる。
多孔性遮断層２２２４は、大きな双極子モーメント（ｄｉｐｏｌｅ ｍｅｍｅｎｔ）を有する場合がある。多孔性遮断層２２２４と対向電極２１５とが接触する場合、多孔性遮断層２２２４の前記大きな双極子モーメントが対向電極２１５に影響を与え、これにより、対向電極２１５の表面で酸化反応が発生する可能性がある。対向電極２１５が酸化されることにより、有機発光素子の画素縮小現象が発生する。例えば、対向電極２１５がＭｇで形成され、多孔性遮断層２２２４がＬｉＦで形成される場合、下記化学式１のような酸化反応が発生する恐れがある。
Figure 2020161498
前記化学式１のような酸化反応によって、対向電極２１５が酸化されることにより、有機発光素子の画素縮小現象が発生する恐れがある。本発明の一実施例によれば、キャッピング層２２２が対向電極２１５を完全に覆うように形成されることで、多孔性遮断層２２２４と対向電極２１５とが接触できなくなる。したがって、多孔性遮断層２２２４と対向電極２１５との表面反応を防止することによって、多孔性遮断層２２２４による対向電極２１５の酸化を根本的に防止することができる。これにより、対向電極２１５の酸化による画素縮小現象を防止することができる。
保護層２２２０上には、多孔性無機膜２３０１が形成される。多孔性無機膜２３０１は、例えば、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）からなる。多孔性無機膜２３０１は、スパッタリング法によって所定の厚さを有して形成されるが、多孔性遮断層２２２４上に蒸着される多孔性無機膜２３０１は、多孔性遮断層２２２４の結晶構造によって成長する。すなわち、ピンホール（Ｐｉｎ−ｈｏｌｅ）構造を有する多孔性フッ化リチウム（ＬｉＦ）上に形成される多孔性無機膜２３０１には、微細クラックが全体として存在する。
一方、多孔性無機膜２３０１上に形成される第１有機膜３０２は、高分子有機化合物で構成され、高分子有機化合物では、ガスが放出される（Ｏｕｔｇａｓｓｉｎｇ）現象が発生する恐れがある。放出されたガスは、有機発光素子（ＯＬＥＤ）方向に浸透しうる。この際、無機膜がパーティクルなどによって割れてクラックが発生した場合は、有機化合物で発生したガスが無機膜に発生したクラックに集中して、有機発光素子（ＯＬＤＥ）の対向電極２１５を酸化させて、暗点（Ｄａｒｋｓｐｏｔ）を誘発させる。
しかし、本実施例によれば、多孔性無機膜２３０１及び多孔性遮断層２２２４には、全体として微細クラックが存在するので、第１有機膜３０２でガスが放出されても、発生したガスがいずれか一地点に集中しない。すなわち、第１有機膜３０２で発生したガスは、多孔性無機膜２３０１及び多孔性遮断層２２２４に全体として存在する微細クラックによって広く拡散されるので、いずれか一地点の対向電極２１５が酸化されず、その結果、暗点として発現しない。すなわち、平均効果（ａｖｅｒａｇｅ ｅｆｆｅｃｔ）により第１有機膜３０２から由来した排出ガスなどの対向電極２１５や中間層２１４に損傷を加える物質が、一定部分に集中することが防止可能なので、対向電極２１５や中間層２１４の局部的な損傷を最大限抑制して、暗点の発現を遅延させることができる。ここで、平均効果とは、アウトガス（ｏｕｔｇａｓ）物質が一部分に集中せず、全体として広がる効果を意味する。多孔性膜を使用せず、アウトガス物質が拡散し難い緻密な膜を使用する場合、アウトガス物質は、緻密な膜の欠陥部位、すなわち、異物やスクラッチなどによって形成されたピンホールを通じて広がるので、アウトガス物質が欠陥部位に集中する。これにより、欠陥部位で対向電極と画素電極との間の中間層がダメージ（ｄａｍａｇｅ）を受けて、ダークスポット（ｄａｒｋ ｓｐｏｔ）が発生し、このダークスポットが成長し続ける、いわゆる進行性暗点が発生する。多孔性遮断層２２２４及び多孔性無機膜２３０１を使うことによって、平均効果で、前記欠陥部位にアウトガス物質が局部的に集中せず、全体として均一に拡散されて進行性暗点を作らなくなる。これにより、有機発光表示装置２０の製品寿命を延長して、製品の信頼性を向上させうる。
第１有機膜３０２は、多孔性無機膜２３０１上に形成され、画素定義膜２１３による段差を平坦化できるように、所定の厚さに形成することができる。第１有機膜３０２は、エポキシ、アクリレート、またはウレタンアクリレートのうち、いずれか一つを含むことができる。第１有機膜３０２の面積は、多孔性無機膜２３０１の面積よりも小さく形成される。第１有機膜３０２の面積は、多孔性遮断層２２２４の面積よりも大きく形成される。これにより、第１有機膜３０２の面積が拡張されることによって、パネル外郭部での透湿を効率よく防止することができる。
第２無機膜３０３は、多孔性無機膜２３０１と第１有機膜３０２とを取り囲むように形成される。すなわち、第１有機膜３０２は、多孔性無機膜２３０１と第２無機膜３０３とにより全体として取り囲まれるので、外部の水分や酸素の浸透が効率よく防止される。
第２無機膜３０３は、例えば、ＳｉＮｘまたはＳｉＯｘで形成され、化学気相蒸着法（ＣＶＤ）により所定の厚さに形成される。したがって、第１有機膜３０２上にパーティクルが存在しても、パーティクルによって形成される段差を十分にカバーすることができる。また、第２無機膜３０３は、プラズマを使用しない化学気相蒸着法によって形成されるので、第２無機膜３０３の形成時、第１有機膜３０２に損傷を与えず、これにより、第１有機膜３０２でガスが発生する現象を防止することができる。
一方、第２無機膜３０３は、多孔性無機膜２３０１よりも大きく形成され、表示領域ＡＡの外部で層間絶縁膜２０５と直接接することができる。また、第２無機膜３０３は、層間絶縁膜２０５と同じ材質で形成されてもよい。これにより、第２無機膜３０３と層間絶縁膜２０５との接合力が向上しうる。
第２無機膜３０３上には、第２有機膜３０４と第３無機膜３０５とが形成され、封止層３００の外面には、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）からなる第４無機膜（図示せず）がさらに形成されてもよい。第２有機膜３０４は、エポキシ、アクリレート、またはウレタンアクリレートのうち、いずれか一つを含み、所定の厚さに形成される。第２有機膜３０４は、多孔性無機膜２３０１に発生した膜ストレスを緩和させ、パーティクルなどが存在しても、これを平坦に覆う。第２有機膜３０４の面積は、第１有機膜３０２の面積よりも大きく形成される。これにより、第２有機膜３０４の面積が拡張されることによって、パネル外郭部での透湿を効率よく防止することができる。
第３無機膜３０５は、第２有機膜３０４をカバーする。一方、第３無機膜３０５は、第２無機膜３０３と同じ材質で形成される。第３無機膜３０５は、第２無機膜３０３よりも大きく形成され、表示領域ＡＡの外部で層間絶縁膜２０５と直接接することができる。また、第３無機膜３０５は、層間絶縁膜２０５と同じ材質で形成されてもよい。これにより、第３無機膜３０５と層間絶縁膜２０５との接合力が向上しうる。
かような封止層３００は、交互に配された複数層の追加的な無機膜及び有機膜をさらに含み、無機膜及び有機膜の積層回数は限定されない。
また、封止層３００の上面には、保護フィルム（図示せず）が付着されるが、保護フィルム（図示せず）の付着力が強い場合は、保護フィルム（図示せず）の除去時に封止層３００まで剥離される恐れがある。したがって、保護フィルム（図示せず）との付着力が弱い酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）からなる第４無機膜（図示せず）をさらに形成することによって、かような問題を解決することができる。
図８ないし図１０は、図１の有機発光表示装置１０の製造方法を概略的に示す断面図である。一方、ディスプレイ部２００は、図３の図示及び説明と同様なので、図８ないし図１０では、ディスプレイ部２００の構成を省略した。
以下、図８ないし図１０を、図４と共に参照して、有機発光表示装置１０の製造方法を説明する。
まず、図８に示されたように、基板１０１上に表示領域を定義するディスプレイ部２００を形成する。ディスプレイ部２００は、図３で例示した構成を有し、かつ、公知された多様な有機発光ディスプレイが適用されるので、その具体的な製造方法は省略する。ただし、ディスプレイ部２００は、表示領域の外郭にまで形成されるバッファ層２０１、ゲート絶縁膜２０３、及び層間絶縁膜２０５を含む。ここで、層間絶縁膜２０５は、ゲート電極（図３の２０４）とソース電極（図３の２０６）との間、及びゲート電極（図３の２０４）とドレイン電極（図３の２０７）との間に配され、これらの間の絶縁のためのものであって、ＳｉＮｘ、ＳｉＯ２のような無機物で形成することができる。
次いで、図９のように、ディスプレイ部２００上に保護層２２０を形成する。
保護層２２０は、ａ−ＮＰＤ、ＮＰＢ、ＴＰＤ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、Ａｌｑ３またはＣｕＰｃなどの有機物からなるキャッピング層２２２とフッ化リチウム（ＬｉＦ）からなる遮断層２２４を含む。
キャッピング層２２２は、対向電極２１５を覆うように形成する。キャッピング層２２２が対向電極２１５を完全に覆うように形成されることで、遮断層２２４と対向電極２１５とが接触できなくなる。したがって、遮断層２２４と対向電極２１５との表面反応を防止することによって、遮断層２２４による対向電極２１５の酸化を根本的に防止することができる。これにより、対向電極２１５の酸化による画素縮小現象を防止することができる。
次いで、図１０のように第１無機膜３０１、第１有機膜３０２、第２無機膜３０３、第２有機膜３０４、及び第３無機膜３０５を順次に形成する。
第１無機膜３０１は、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）からなってもよい。また、第１無機膜３０１は、スパッタリング法によって所定の厚さに形成される。
一方、フッ化リチウム（ＬｉＦ）をして全体としてピンホール（Ｐｉｎ−ｈｏｌｅ）構造を持たせ、遮断層２２４上に蒸着される第１無機膜３０１は、遮断層２２４の結晶構造に沿って成長するので、第１無機膜３０１に微細クラックが全体として存在しうる。したがって、第１無機膜３０１上に形成される第１有機膜（図１０の３０２）でガスが発生しても、発生したガスは、第１無機膜３０１及び遮断層２２４に全体として存在する微細クラックによって広く拡散（Ａｖｅｒａｇｅ Ｅｆｆｅｃｔ）され、いずれか１つの地点に集中することが防止される。したがって、対向電極２１５の酸化、及びこれによる暗点発現を防止することができる。
第１有機膜３０２は、画素定義膜（図３の２１３）による段差を平坦化可能に所定の厚さに形成しうる。第１有機膜３０２は、エポキシ、アクリレート、またはウレタンアクリレートのうち、いずれか一つを含むことができる。第１有機膜３０２の面積が遮断層２２４の面積よりは大きく、第１無機膜３０１の面積よりも小さく形成することができる。これにより、第１有機膜３０２の面積が拡張されることによって、パネル外郭部での透湿を効率よく防止することができる。
第２無機膜３０３は、第１無機膜３０１と第１有機膜３０２とを取り囲むように形成される。すなわち、第１有機膜３０２は、第１無機膜３０１と第２無機膜３０３とにより全体として取り囲まれるので、外部の水分や酸素の浸透が効率よく防止される。
第２無機膜３０３は、例えば、ＳｉＮｘで形成され、化学気相蒸着法（ＣＶＤ）により所定の厚さに形成される。したがって、第１有機膜３０２上にパーティクルが存在しても、パーティクルによって形成される段差を十分にカバーすることができる。また、第２無機膜３０３は、プラズマを使用しない化学気相蒸着法によって形成されるので、第２無機膜３０３の形成時、第１有機膜３０２に損傷を与えず、これにより、第１有機膜３０２でガスが発生する現象を防止することができる。
一方、第２無機膜３０３は、第１無機膜３０１よりも大きく形成され、表示領域の外部で層間絶縁膜２０５と直接接する。また、第２無機膜３０３は、層間絶縁膜２０５と同じ材質で形成されてもよい。この場合、第２無機膜３０３と層間絶縁膜２０５との接合力が向上する。したがって、第２無機膜３０３がパーティクルをカバーできるほどの厚さに形成されることにより、膜ストレスが増加しても、第２無機膜３０３の剥離を防止し、これにより、外部の水分や酸素の浸透を効率よく防止することができる。
第２有機膜３０４は、エポキシ、アクリレート、またはウレタンアクリレートのうち、いずれか１つを含み、所定の厚さに形成される。第２有機膜３０４は、第１無機膜３０１に発生した膜ストレスを緩和させ、パーティクルなどが存在してもこれを平坦に覆う。
第３無機膜３０５は、第２有機膜３０４をカバーする。第３無機膜３０５は、化学気相蒸着法によって形成されて、第２有機膜３０４に損傷を与えない。
このような封止層３００は、交互に配された複数層の追加的な無機膜及び有機膜をさらに含め、無機膜及び有機膜の積層回数は制限されない。
本発明によるフレキシブルディスプレイ装置は、前記のように説明された実施例の構成と方法とが限定的に適用されるものではなく、前記実施例は、多様な変形がなされるように、各実施例の全部または一部が選択的に組み合わせて構成されてもよい。
また、以上では本発明の望ましい実施例について図示及び説明したが、本発明は、前述した特定の実施例に限定されず、特許請求の範囲で請求する本発明の要旨を外れず、当該発明が属する技術分野で当業者によって、多様な変形実施が可能であることはいうまでもなく、かような変形実施は、本発明の技術的思想や展望から個別的に理解されてはならない。
１０、２０ 有機発光表示装置
１０１ 基板
２００ ディスプレイ部
２０１ バッファ層
２０２ 活性層
２０３ ゲート絶縁膜
２０４ ゲート電極
２０５ 層間絶縁膜
２０６ ソース電極
２０７ ドレイン電極
２０８ パッシベーション層
２１１ 画素電極
２１３ 画素定義膜
２１４ 中間層
２１５ 対向電極
２２０ 保護層
２２２ キャッピング層
２２４ 遮断層
３００ 封止層
３０１ 第１無機膜
３０２ 第１有機膜
３０３ 第２無機膜
３０４ 第２有機膜
３０５ 第３無機膜
２３００ 封止層
２２２４ 多孔性遮断層
２３０１ 多孔性無機膜
ＴＦＴ 薄膜トランジスタ
ＯＬＥＤ 有機発光素子

Claims (31)

  1. 基板と、
    前記基板上に形成された複数個の有機発光素子を有するディスプレイ部と、
    前記ディスプレイ部を密封する封止層と、
    前記ディスプレイ部と前記封止層との間に配される保護層と、を含み、
    前記有機発光素子は、画素電極、前記画素電極上に配され、有機発光層を含む中間層、及び前記中間層上に配された対向電極を備え、
    前記保護層は、前記対向電極の下の層と接する面以外の前記対向電極の側面および上面と接し前記対向電極を覆う有機化合物からなるキャッピング層と、前記キャッピング層上に位置する遮断層と、を含み、
    前記遮断層は、前記キャッピング層と接して前記キャッピング層を覆い、
    前記封止層は、少なくとも第１無機膜、第１有機膜及び第２無機膜が順次に積層された構造を有し、
    前記第１無機膜は、前記キャッピング層と接する部分以外の前記遮断層の側面および上面と接し前記遮断層を覆い、
    前記第２無機膜は、前記第１有機膜と接して前記第１有機膜を覆い、前記第１無機膜を取り囲むように設けられる有機発光表示装置。
  2. 前記遮断層は、フッ化リチウム（ＬｉＦ）からなる請求項１に記載の有機発光表示装置。
  3. 前記第１無機膜は、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）からなる請求項１または請求項２に記載の有機発光表示装置。
  4. 前記遮断層が前記キャッピング層を覆う請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の有機発光表示装置。
  5. 前記第１有機膜の面積が前記遮断層の面積よりも大きい請求項４に記載の有機発光表示装置。
  6. 前記第１無機膜の面積が前記第１有機膜の面積よりも大きい請求項１から請求項５のいずれか１つに記載の有機発光表示装置。
  7. 前記封止層は、前記第２無機膜上に形成された第２有機膜と、前記第２有機膜上に形成された第３無機膜とをさらに含む請求項１または請求項２に記載の有機発光表示装置。
  8. 前記第１無機膜の面積が前記第１有機膜の面積よりも大きい請求項７に記載の有機発光表示装置。
  9. 前記遮断層が前記キャッピング層を覆い、
    前記第１有機膜の面積が前記遮断層の面積よりも大きく、前記第２有機膜の面積が前記第１有機膜の面積よりも大きい請求項７または請求項８に記載の有機発光表示装置。
  10. 前記第２無機膜及び前記第３無機膜の面積が前記第１無機膜の面積よりも大きい請求項７から請求項９のいずれか１つに記載の有機発光表示装置。
  11. 基板と、
    前記基板上に形成された複数個の有機発光素子を有するディスプレイ部と、
    前記ディスプレイ部を密封し、少なくとも多孔性無機膜、第１有機膜及び第２無機膜が順次に積層された封止層と、
    前記ディスプレイ部と前記封止層との間に配される保護層と、を含み、
    前記有機発光素子は、画素電極、前記画素電極上に配され、有機発光層を含む中間層、及び前記中間層上に配された対向電極を備え、
    前記保護層は、前記対向電極の下の層と接する面以外の前記対向電極の側面および上面と接し前記対向電極を覆う有機化合物からなるキャッピング層と、前記キャッピング層上に位置する多孔性遮断層と、を含み、
    前記多孔性遮断層は、前記キャッピング層と接して前記キャッピング層を覆い、
    前記多孔性無機膜は、前記キャッピング層と接する部分以外の前記多孔性遮断層の側面および上面と接し前記多孔性遮断層を覆い、
    前記第２無機膜は、前記第１有機膜と接して前記第１有機膜を覆い、前記多孔性無機膜を取り囲むように設けられる有機発光表示装置。
  12. 前記多孔性遮断層は、フッ化リチウム（ＬｉＦ）からなる請求項１１に記載の有機発光表示装置。
  13. 前記多孔性無機膜は、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）からなる請求項１１または請求項１２に記載の有機発光表示装置。
  14. 前記第１有機膜の面積が前記多孔性遮断層の面積よりも大きい請求項１１から請求項１３のいずれか１つに記載の有機発光表示装置。
  15. 前記多孔性無機膜の面積が前記第１有機膜の面積よりも大きい請求項１１から請求項１４のいずれか１つに記載の有機発光表示装置。
  16. 前記封止層は、前記第２無機膜上に形成された第２有機膜と、前記第２有機膜上に形成された第３無機膜と、をさらに含む請求項１１に記載の有機発光表示装置。
  17. 前記多孔性無機膜の面積が前記第１有機膜の面積よりも大きい請求項１６に記載の有機発光表示装置。
  18. 前記多孔性遮断層が前記キャッピング層を覆い、
    前記第１有機膜の面積が前記多孔性遮断層の面積よりも大きく、
    前記第２有機膜の面積が前記第１有機膜の面積よりも大きい請求項１６または請求項１７に記載の有機発光表示装置。
  19. 前記第２無機膜及び前記第３無機膜の面積が前記多孔性無機膜の面積よりも大きい請求項１６から請求項１８のいずれか１つに記載の有機発光表示装置。
  20. 基板上に表示領域を定義し、対向電極を含むディスプレイ部を形成する段階と、
    前記対向電極の下の層と接する面以外の前記対向電極の側面および上面と接し前記対向電極を覆うように有機化合物からなるキャッピング層を形成する段階と、
    前記キャッピング層上に、前記キャッピング層と接するように遮断層を形成する段階と、
    前記遮断層上に前記ディスプレイ部を密封する封止層を形成する段階と、
    前記遮断層が前記キャッピング層を覆うように形成される段階と、を含み、
    前記封止層を形成する段階は、
    前記遮断層の上に、前記キャッピング層と接する部分以外の前記遮断層の側面および上面と接し前記遮断層を覆うように第１無機膜を形成する段階と、
    前記第１無機膜の上に第１有機膜を形成する段階と、
    前記第１有機膜の上に、前記第１有機膜と接して前記第１有機膜を覆い、前記第１無機膜を取り囲むように第２無機膜を形成する段階と、を含む有機発光表示装置の製造方法。
  21. 前記遮断層は、フッ化リチウム（ＬｉＦ）からなる請求項２０に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  22. 前記第１無機膜は、スパッタリング法によって形成され、酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）からなる請求項２０または請求項２１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  23. 前記第１無機膜の面積が前記第１有機膜の面積よりも大きく形成される請求項２０から請求項２２のいずれか１つに記載の有機発光表示装置の製造方法。
  24. 前記第１有機膜の面積が前記遮断層の面積よりも大きい請求項２０から請求項２３のいずれか１つに記載の有機発光表示装置の製造方法。
  25. 前記第２無機膜上に第２有機膜を形成する段階と、前記第２有機膜上に第３無機膜を形成する段階と、をさらに含み、
    前記第２無機膜と前記第３無機膜は、化学気相蒸着法（ＣＶＤ）により形成される請求項２０または請求項２１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  26. 前記第１無機膜の面積が前記第１有機膜の面積よりも大きく形成される請求項２５に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  27. 前記遮断層が前記キャッピング層を覆うように形成され、
    前記第１有機膜の面積が前記遮断層の面積よりも大きく、
    前記第２有機膜の面積が前記第１有機膜の面積よりも大きく形成される請求項２５または請求項２６に記載の有機発光表示装置の製造方法。
  28. 前記第２無機膜及び前記第３無機膜の面積が前記第１無機膜の面積よりも大きく形成される請求項２５から請求項２７のいずれか１つに記載の有機発光表示装置の製造方法。
  29. 前記遮断層は、ピンホール（Ｐｉｎ−ｈｏｌｅ）構造を有するフッ化リチウム（ＬｉＦ）からなる請求項２０から請求項２８のいずれか１つに記載の有機発光表示装置の製造方法。
  30. 基板と、
    前記基板上に形成された複数個の有機発光素子を有するディスプレイ部と、
    前記ディスプレイ部を密封し、少なくとも多孔性無機膜、第１有機膜及び第２無機膜が順次に積層された封止層と、
    前記ディスプレイ部と前記封止層との間に配される保護層と、を含み、
    前記有機発光素子は、画素電極、前記画素電極上に配され、有機発光層を含む中間層、及び前記中間層上に配された対向電極を備え、
    前記保護層は、前記対向電極を覆い、有機化合物からなるキャッピング層と、前記キャッピング層上に位置し、前記キャッピング層と接する多孔性遮断層と、を含み、
    前記多孔性遮断層は、フッ化リチウム（ＬｉＦ）からなる有機発光表示装置。
  31. 基板上に表示領域を定義し、対向電極を含むディスプレイ部を形成する段階と、
    前記対向電極を覆うように、有機化合物からなるキャッピング層を形成する段階と、
    前記キャッピング層上に、前記キャッピング層と接するように遮断層を形成する段階と、
    前記遮断層上に前記ディスプレイ部を密封する封止層を形成する段階と、を含み、
    前記遮断層は、ピンホール（Ｐｉｎ−ｈｏｌｅ）構造を有するフッ化リチウム（ＬｉＦ）からなる有機発光表示装置の製造方法。
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