TW201515209A - 有機發光顯示設備及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

有機發光顯示設備包含：基板；具有複數個有機發光裝置在基板上之顯示單元；密封顯示單元之封裝層；以及介於顯示單元與封裝層之間之保護層，其中複數個有機發光裝置中的每一個包含：像素電極、在像素電極上之中間層，中間層包含有機發射層、以及在中間層上之相對電極，且保護層包含：覆蓋相對電極之覆蓋層及在覆蓋層上之阻隔層。

Description

有機發光顯示設備及其製造方法
相關申請案之交互參照
本申請案主張於2013年7月22日向韓國智慧財產局提出的第10-2013-0086253號之韓國專利申請案的優先權和效益，其內容於此全部併入作為參照。
本發明的一或多個實施例係關於一種有機發光顯示設備及其製造方法。
使用有機發光裝置之有機發光顯示設備能夠以相較於液晶顯示器(LCD)還要快的回應速度來播放影像，具有為自發光和高亮度之廣視角，且正變成為下一代的顯示設備。
有機發光裝置通常包含像素電極、面對像素電極的相對電極以及介於像素電極與相對電極之間的發射層，發射層包含有機材料。由於有機發光裝置對於濕氣、氧氣、光等非常敏感，當發射區域在有機發光裝置與濕氣、氧氣、光等接觸下逐漸減小時，可能會出現像素收縮現象。此外，像素收縮現象可能由於像素電極的氧化而發生。
再者，當氧氣、濕氣等擴散至發射層時，在電極與有機材料層之間的介面處出現電化學電荷移動反應(electrochemical charge moving reaction)。這類反應產生自像素電極或相對電極分離有機材料層的氧化物且造成像是暗點的現象，此縮短了有機發光裝置的壽命。
本發明的實施例的態樣係針對一種能夠藉由改善像素收縮問題而延長其壽命的有機發光顯示設備及其製造方法。
另外的態樣將部分在下列描述中闡述，而部分將由說明而顯而易見，或可透過所提出的實施例之實行而明瞭。
根據本發明的一或多個實施例，有機發光顯示設備包含：基板；具有複數個有機發光裝置在基板上之顯示單元；密封顯示單元之封裝層；以及介於顯示單元與封裝層之間之保護層，其中，複數個有機發光裝置中的每一個包含：像素電極；在像素電極上之中間層，中間層包含有機發射層；以及在中間層上之相對電極，且保護層包含：覆蓋相對電極的覆蓋層；以及在覆蓋層上的阻隔層。
覆蓋層可由有機材料形成。
阻隔層可由氟化鋰(LiF)形成。
阻隔層可覆蓋此覆蓋層。
封裝層可具有至少包含依序堆疊的第一無機層、第一有機層及第二無機層的結構。
第一無機層可由氧化鋁(AlOx)形成。
阻隔層可覆蓋此覆蓋層。
第一有機層的面積可大於阻隔層。
第一無機層的面積可大於第一有機層。
封裝層可進一步包含在第二無機層上之第二有機層、以及位在第二有機層上之第三無機層。
第一無機層的面積可大於第一有機層。
阻隔層可覆蓋此覆蓋層，第一有機層的面積可大於阻隔層，第二有機層的面積可大於第一有機層。
第二無機層和第三無機層中每一個的面積可大於第一無機層。
根據本發明的一或多個實施例，有機發光顯示設備包含：基板；具有複數個有機發光裝置在基板上之顯示單元；密封顯示單元並至少包含依序堆疊的多孔無機層、第一有機層及第二無機層之封裝層；以及介於顯示單元與封裝層之間之保護層，其中，複數個有機發光裝置的每一個包含：像素電極；在像素電極上之中間層，中間層包含有機發射層；以及在中間層上之相對電極，且保護層包含：覆蓋相對電極的覆蓋層及在覆蓋層上的多孔阻隔層。
覆蓋層可由有機材料形成。
多孔阻隔層可由氟化鋰(LiF)形成。
多孔無機層可由氧化鋁(AlOx )形成。
多孔阻隔層可覆蓋此覆蓋層。
第一有機層的面積可大於多孔阻隔層。
多孔無機層的面積可大於第一有機層。
封裝層可進一步包含在第二無機層上之第二有機層、以及在第二有機層上之第三無機層。
多孔無機層的面積可大於第一有機層。
多孔阻隔層可覆蓋此覆蓋層，第一有機層的面積可大於多孔阻隔層，且第二有機層的面積可大於第一有機層。
第二無機層和第三無機層中每一個的面積可大於多孔無機層。
根據本發明的一或多個實施例，製造有機發光顯示設備的方法包含：在基板上形成顯示單元，此顯示單元係定義主動區域且包含相對電極；形成覆蓋層以覆蓋相對電極；在覆蓋層上形成阻隔層；以及在阻隔層上形成封裝層以密封顯示單元。
覆蓋層可由有機材料形成。
阻隔層可由氟化鋰(LiF)形成。
阻隔層可形成以覆蓋此覆蓋層。
封裝層的形成可包含：在阻隔層上形成第一無機層；在第一無機層上形成第一有機層；以及在第一有機層上形成第二無機層。
第一無機層可藉由濺鍍法由氧化鋁(AlOx)形成。
第一無機層的面積可大於第一有機層。
阻隔層可形成以覆蓋此覆蓋層，且第一有機層的面積可大於阻隔層。
方法可進一步包含：在第二無機層上形成第二有機層；以及在第二有機層上形成第三無機層，其中第二無機層及第三無機層藉由化學氣相沉積(CVD)法所形成。
第一無機層的面積可大於第一有機層。
阻隔層可形成以覆蓋此覆蓋層，第一有機層的面積可大於阻隔層，且第二有機層的面積可大於第一有機層。
第二無機層及第三無機層中每一個的面積可大於第一無機層。
阻隔層可由具有針孔結構的LiF所形成。
現將詳細參照實施例，其示例將繪示於附圖中，其中，全文相同的參考符號表示相同元件。在這方面，本實施例可具有不同形式且不被詮釋為限於本文所述的說明。因此，實施例僅在下文藉由參照附圖描述，以說明本說明書的態樣。在下面的敘述中，不會對習知功能或結構進行詳細描述，從而不會不必要詳細地混淆本發明。
將理解的是，儘管詞彙「第一」、「第二」等在本文中可用於描述各種組件，然而這些組件不應受這些詞彙限制。這些詞彙僅用於區分一組件與另一個組件。
將理解的是，當層、區域或組件被稱為形成在另一層、區域或組件「上」時，其可直接或間接地形成在另一層、區域或組件上。亦即，例如，可存在中間層、區域或組件。
現將參照附圖更充分地描述本發明的實施例。圖式中相同的參考符號代表相同的元件，且因此重複敘述將不再提供。在圖式中，為了便於說明而誇大一些層及區域的厚度。為了清楚起見亦放大了一些層及區域。
當在此所使用時，用語「及/或」包含一或多個相關條列項目的任何及所有組合。當像是「至少一個」的表述前綴於元件列表時，係修飾整個元件列表而非修飾列表中的個別元件。
另外，當描述本發明實施例時使用「可」係指稱「本發明的一或多個實施例」。
第1圖是根據本發明的實施例的有機發光顯示設備10的示意性俯瞰圖，第2圖是第1圖的有機發光顯示設備10沿著線段I-I'所截取的剖面圖，第3圖是第1圖的有機發光顯示設備10沿著線段II-II'的剖面圖，且第4圖是第3圖中的區域P1的放大圖。
參照第1圖至第4圖，根據本發明的實施例的有機發光顯示設備10可包含基板101、在基板101上定義主動區域AA的顯示單元200、以及密封顯示單元200的封裝層300。
基板101可以是可撓性基板，且可由具有良好抗熱性和耐受性的塑膠所形成，像是聚醯亞胺(polyimide)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate, PET)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate)、聚芳酯(polyarylate, PAR)、聚醚醯亞胺(polyetherimide)等。然而，本發明的一或多個實施例並不侷限於此，且基板101可由各種其它適當材料所形成，像是金屬、玻璃等。
在一些實施例中，顯示單元200在基板101上定義主動區域AA，並可包含薄膜電晶體TFT和電性連接至薄膜電晶體TFT之有機發光裝置OLED。焊墊部1可設置圍繞主動區域AA，以從電源裝置或訊號產生裝置來傳遞電性訊號至主動區域AA。
顯示單元200現將參照第3圖而更詳細地描述。
緩衝層201可形成於基板101上。在這種情況下，緩衝層201形成於基板101的整個表面上，亦即，同時形成在主動區域AA以及主動區域AA外的外部區域。在一些實施例中，在基板101上形成緩衝層201以提供平坦化平面，且作用以有效地防止雜質元素滲透基板101。緩衝層201可由適用於有機發光裝置中的各種材料所形成。
例如，緩衝層201可包含無機材料，像是氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦、氮化鈦等，或有機材料，像是聚醯亞胺(polyimide)、聚酯(polyesther)、丙烯酸(acryl)等，且可藉著從上述材料中堆疊複數個材料來形成。
薄膜電晶體TFT可形成在緩衝層201上。薄膜電晶體TFT可包含主動層202、閘極電極204、源極電極206以及汲極電極207。
主動層202可由像是非晶矽或多晶矽之無機半導體、有機半導體、或氧化半導體所形成，且可包含源極區域、汲極區域以及通道區域。
閘極絕緣層203可形成在主動層202上。在一些實施例中，閘極絕緣層203係形成以對應至基板101的整個表面。亦即，在一些實施例中，閘極絕緣層203係形成以同時對應於主動區域AA和主動區域AA外的外部區域。閘極絕緣層203可提供介於主動層202及閘極電極204之間的絕緣體，且可由有機材料或無機材料形成，像是氮化矽(SiNx)或氧化矽(SiO2 )。
閘極電極204可形成在閘極絕緣層203上。閘極電極204可包含金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、鋁(Al)、鉬(Mo)或合金，像是Al:釹(Nd)合金、Mo:鎢(W)合金等。然而，閘極電極204並不侷限於此，且可藉由考量設計條件而由各種適當材料所形成。
層間絕緣層205可形成在閘極電極204上。在本發明的實施例中，層間絕緣層205係形成以對應於基板101的整個表面。亦即，在一些實施例中，層間絕緣層205係形成以同時對應於主動區域AA和主動區域AA外的外部區域。
在一些實施例中，層間絕緣層205設置在閘極電極204與源極電極206之間，且在一些實施例中是在閘極電極204與汲極電極207之間，以作為其間的絕緣，且可由無機材料形成，像是SiNx 、SiO2 等。在本實施例中，層間絕緣層205可由SiNx 形成，或可為由SiNx 層及SiO2 層所形成的兩層結構。
源極電極206和汲極電極207可形成在層間絕緣層205上。在一些實施例中，層間絕緣層205和閘極絕緣層203係形成以暴露主動層202的源極區域及汲極區域，且源極電極206和汲極電極207係形成以接觸主動層202之暴露源極區域和汲極區域。
儘管第3圖示出了依序包含主動層202、閘極電極204以及源極電極206及汲極電極207的頂部閘極型薄膜電晶體TFT，本發明的上述實施例的一或多個並不侷限於此，且閘極電極204可設置在主動層202下。
薄膜電晶體TFT係電性連接至有機發光裝置OLED，以驅動有機發光裝置OLED，且受到覆蓋薄膜電晶體TFT的鈍化層208所保護。
鈍化層208可包含無機絕緣層及/或有機絕緣層。無機絕緣層的非限制性範例包含氧化矽(SiO2 )、氮化矽(SiNx )、氮氧化矽(SiON)、氧化鋁(Al2 O3 )、氧化鈦(TiO2 )、氧化鉭(Ta2 O5 )、氧化鉿(HfO2 )、氧化鋯(ZrO2 )、鈦酸鍶鋇(BST)、鈦酸鋯鉛(PZT)等，且有機絕緣層的非限制性範例包含典型的通用聚合物(聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯醯基聚合物、亞醯胺基聚合物、芳基醚基聚合物、醯胺基聚合物、氟基聚合物、對二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物、其混合物等。鈍化層208可藉由堆疊無機絕緣層和有機絕緣層而形成。
有機發光裝置OLED可形成於鈍化層208上，且可包含像素電極211、中間層214以及相對電極215。
像素電極211可形成於鈍化層208上。舉例來說，鈍化層208可形成以暴露汲極電極207之設定或預定區域，而非覆蓋整個汲極電極207，且像素電極211可形成以連接至汲極電極207的暴露區域。
在一個實施例中，像素電極211可為反射電極，且可包含由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、銥(Ir)、鉻(Cr)、其混合物等所形成的反射層、以及形成在反射層上的透明或半透明電極層。透明或半透明電極層可包含選自由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2 O3 )、氧化銦鎵(IGO)及氧化鋁鋅(AZO)所組成的群組的至少一種。
定位成面對像素電極211的相對電極215可為透明或半透明電極，且可由具有低功函數的金屬薄膜所形成，包含鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰(LiF)/Ca、LiF/Al、Al、Ag、鎂(Mg)或其混合物。相對電極215可以約5nm至約20nm的厚度形成。另外，輔助電極層或匯流電極可進一步被包含且可由用於形成透明電極的材料形成，像是ITO、IZO、ZnO、In2 O3 等形成。
在一些實施例中，相對電極215可使得由中間層214的有機發射層所發射的光通過。由有機發射層所發射的光可直接朝向相對電極215發射，或可由包含反射電極的像素電極211反射，且接著射向相對電極215。
然而，根據本實施例的可撓性顯示設備10並不侷限於頂部發射型，且當為底部發射型時，由有機發射層所發射的光可射向基板101。在這種情況下，像素電極211可包含透明或半透明電極，且相對電極215可包含反射電極。可撓性顯示設備10可為於兩個方向，亦即，向著頂部和底部發光之雙面發射型設備。
像素定義層213可形成在像素電極211上，且可由任何適當絕緣材料形成。在一些實施例中，像素定義層213暴露像素電極211的設定或預定區域，且包含有機發射層的中間層214座落於暴露區域。
有機發射層可由低分子有機材料或高分子有機材料形成。除了有機發射層之外，中間層214可進一步選擇性地包含功能層，像是電洞傳輸層(HTL)、電洞注入層(HIL)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)等。
封裝層300可形成在相對電極215上。封裝層300可至少包含第一無機層301、第一有機層302、以及第二無機層303。保護層220可進一步形成於封裝層300及顯示單元200之間。
現將參照第4圖而更詳細地說明保護層220。
保護層220可包含覆蓋相對電極215之覆蓋層222以及形成在覆蓋層222上的阻隔層224。
覆蓋層222可形成以覆蓋相對電極215。覆蓋層222可由有機材料形成，像是a-鄰苯二酚二磺酸釹(a-neodymium pyrocatechin disulfonate, a-NPD)、N,N’-二苯基-N,N’-二(萘-1-基)(1,1’-聯苯基)-4,4’-二胺(N,N’-diphenyl-N,N’-bis(1-naphthyl)(1,1’-biphenyl)-4,4’-diamine, NPB)、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)(1,1’-聯苯基)-4,4’-二胺(N,N’ -diphenyl-N,N’-bis(3-methylphenyl)(1,1’-biphenyl)-4,4’diamine, TPD)、4,4’,4”-三(苯基-間-甲苯基氨基)三苯胺 (4,4’,4”-tris(phenyl-m-tolylamino)triphenylamine, m-MTDATA)、三(8-羥基喹啉)鋁(tris-(8-hydroxyquinolate) aluminum, Alq3 )、銅酞菁(copper phthalocyanine, CuPc)等，且可不單作用於保護有機發光裝置OLED，而是亦有利於由有機發光裝置OLED所產生之光的有效發射。覆蓋層222可以約20nm至約200nm的厚度形成。從相對電極215的邊緣至覆蓋層222的邊緣的距離可為約50 μm至約150 μm。
阻隔層224可由無機材料形成，像是LiF、MgF2、CaF2等。阻隔層224作用以有效地防止用於形成第一無機層301之過程中之電漿等滲入有機發光裝置OLED中，以不致損害中間層214、相對電極215等。阻隔層224可以約30 nm至約200 nm的厚度形成。從覆蓋層222的邊緣至阻隔層224的邊緣的距離可為約50 μm至約150 μm。
阻隔層224可具有大偶極矩。在實施例中，當阻隔層224接觸相對電極215時，阻隔層224的大偶極矩影響相對電極215，且作為結果，氧化反應可能在相對電極215的表面上發生。相對電極215的氧化可能致使有機發光裝置OLED的像素收縮現象。例如，當相對電極215由Mg形成，且阻隔層224由LiF形成時，根據化學式1之氧化反應可能發生。 2LiF + Mg à MgF2 + 2Li    (化學式1)
依據化學式1之相對電極215的氧化可能會造成有機發光裝置OLED的像素收縮現象。根據本發明的實施例，覆蓋層222係形成以完全地覆蓋相對電極215，從而有效地防止阻隔層224與相對電極215接觸。因此，阻隔層224和相對電極215之間的表面反應以及接續之相對電極215的氧化可有效地避免。因此，由於相對電極215的氧化而發生之像素收縮現象 可有效地避免。
在一些實施例中，第一無機層301形成在保護層220上。第一無機層301可由例如氧化鋁(AlOx )形成。
第一有機層302可形成在第一無機層301上，且可由高分子有機化合物來形成。第一有機層302可以設定或預定厚度形成，以平坦化(平均化)由於像素定義層213所導致的階差(level difference)。第一有機層302可包含環氧樹脂(epoxy)、丙烯酸酯(acrylate)和聚氨酯丙烯酸酯(urethane acrylate)中的任何一個。第一有機層302的面積可小於第一無機層301。第一有機層302的面積可大於阻隔層224的面積。相應地，第一有機層302的面積之擴張可有效地避免濕氣由面板外部滲入有機發光裝置中。
在一些實施例中，第二無機層303係形成以圍繞第一無機層301及第一有機層302。因此，由於整個第一有機層302由第一無機層301及第二無機層303所包圍，故可有效地避免外部濕氣及氧氣滲透進入有機發光裝置中。
第二無機層303可由例如SiNx 或SiOx 所形成，且可藉由化學氣相沉積(CVD)以設定或預定厚度形成。因此，即使粒子存在於第一有機層302上，由於粒子所形成之階差可充分地被覆蓋。此外，由於第二無機層303藉由其中未使用電漿的CVD所形成，故第一有機層302可受到保護以在第二無機層303形成時不至受損，且來自第一有機層302之氣體之釋出可得以有效地避免。
第二無機層303可形成以大於第一無機層301，且可直接接觸主動區域AA外的層間絕緣層205。另外，第二無機層303可與層間絕緣層205由相同材料形成。因此，第二無機層303與層間絕緣層205之間的結合力可增加。
第二有機層304及第三無機層305可形成在第二無機層303上，且雖然未示出，然而AlOx 的第四無機層可進一步形成於封裝層300的外表面上。
第二有機層304可包含環氧樹脂、丙烯酸酯及聚氨酯丙烯酸酯中任何一個，且可以設定或預定厚度形成。在一些實施例中，第二有機層304減緩施加至第一無機層301上的膜應力，且即使粒子等存在，第二有機層304得以覆蓋粒子等以平坦化。第二有機層304的面積可大於第一有機層302。因此，第二有機層304的面積擴張可有效地避免濕氣從面板外部滲透進入有機發光裝置中。
在一些實施例中，第三無機層305覆蓋第二有機層304。第三無機層305可與第二無機層303由相同材料形成。第三無機層305可形成大於第二無機層303，且可直接地接觸主動區域AA外部的層間絕緣層205。另外，第三無機層305可與層間絕緣層205由相同材料形成。因此，介於第三無機層305與層間絕緣層205之間的結合力可增加。
封裝層300可進一步包含交替堆疊的複數個增設無機層以及複數個增設有機層，且無機層及有機層的堆疊數量並不侷限於本發明之實施例。
在一個實施例中，保護膜附接於封裝層300的上表面。然而，當保護膜的附接力強時，封裝層300在保護膜移除時可能會剝離。因此，具有對保護膜之弱附接力之AlOx 的第四無機層可進一步形成以補救此問題。
第5圖是根據本發明的另一實施例的有機發光顯示設備20之示意性剖面圖，第6圖是第5圖的有機發光顯示設備20的一部分的剖面圖，且第7圖是第6圖中的一部分區域P2的放大圖。
參照第5圖至第7圖，根據本發明的實施例之有機發光顯示設備20可包含基板101、在基板101上定義主動區域AA之顯示單元200、以及密封顯示單元200的封裝層2300。
基板101可為可撓性基板。然而，本發明的一或多個實施例並不侷限於此，且基板101可由各種適當材料形成，像是金屬、玻璃等。
顯示單元200定義基板101上之主動區域AA，且可包含薄膜電晶體TFT以及電性連接至薄膜電晶體TFT之有機發光裝置OLED。
現將參照第6圖更詳細地說明顯示單元200。
緩衝層201可形成在基板101上。
薄膜電晶體TFT可形成在緩衝層201上。薄膜電晶體TFT可包含主動層202、閘極電極204、源極電極206及汲極電極207。
閘極絕緣層203可形成在主動層202上。在一些實施例中，閘極絕緣層203係形成以對應於基板101的整個表面。
閘極電極204可形成在閘極絕緣層203上。
層間絕緣層205可形成在閘極電極204上。在一些實施例中，層間絕緣層205係形成以對應於基板101的整個表面。亦即，層間絕緣層205係形成以對應於主動區域AA以及主動區域AA外的外部區域。
層間絕緣層205可由無機材料形成，像是SiNx 、SiO2 等。在本實施例中，層間絕緣層205可由SiNx 形成，或可為包含SiNx 層及SiO2 層的兩層結構。
源極電極206以及汲極電極207可形成在層間絕緣層205上。
雖然第6圖繪示依序包含主動層202、閘極電極204以及源極電極206及汲極電極207之頂部閘極型薄膜電晶體TFT，然而本發明之一或多個上述實施例並不侷限於此，且閘極電極204可設置在主動層202下。
薄膜電晶體TFT電性連接至有機發光裝置OLED以驅動有機發光裝置OLED，且由覆蓋薄膜電晶體TFT之鈍化層208保護。
鈍化層208可包含無機絕緣層及/或有機絕緣層。鈍化層208可形成為無機絕緣層及有機絕緣層的複合堆疊體。
有機發光裝置OLED可形成在鈍化層208上，且可包含像素電極211、中間層214及相對電極215。
像素電極211可形成在鈍化層208上以面對相對電極215。相對電極215可為透明或半透明電極，且可由具有低功函數的金屬薄膜所形成，包含Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或其化合物。相對電極215可以約5nm至約20nm的厚度形成。
因此，相對電極215可使得由包含於中間層214之有機發射層所發射的光通過。亦即，由有機發射層發射的光可直接地射向相對電極215，或藉著包含反射電極的像素電極211反射再接續射向相對電極215。
然而，根據本實施例的可撓性顯示設備20並不侷限於頂部發射型，且如同底部發射型，由有機發射層所發射的光可以朝向基板101發射。在這種情況下，像素電極211可包含透明或半透明電極，且相對電極215可包含反射電極。可撓性顯示設備20可於兩個方向，即，朝向頂部及底部發射光的雙面發射型。
像素定義層213可形成在像素電極211上。
包含於中間層214之有機發射層可由低分子有機材料或高分子有機材料形成。除了有機發射層以外，中間層214可進一步選擇性地包含功能層，像是HTL、HIL、ETL、EIL等。
封裝層2300係設置於相對電極215上。封裝層2300可至少包含多孔無機層2301、第一有機層302、以及第二無機層303。保護層2220可進一步形成於封裝層2300與顯示單元200之間。
現將參照第7圖更詳細地說明保護層2220。
保護層2220可包含覆蓋相對電極215之覆蓋層222、以及形成於覆蓋層222上之多孔阻隔層2224。
覆蓋層222可形成以覆蓋相對電極215。覆蓋層222可由有機材料形成，像是a-NPD、NPB、TPD、m-MTDATA、Alq3 、CuPc等，且可作用於不單保護有機發光裝置OLED，而是亦有利於由有機發光裝置OLED所產生的光的有效發射。覆蓋層222可以約20 nm至約200 nm的厚度形成。從相對電極215的邊緣至覆蓋層222的邊緣的距離可為約50 μm至約150 μm。
多孔阻隔層2224可由無機材料形成，像是LiF、MgF2 、CaF2 等。在一些實施例中，多孔阻隔層2224作用以阻隔用於形成多孔無機層2301的過程中之電漿等滲透進入有機發光裝置OLED，以不致損害中間層214、相對電極215等。多孔阻隔層2224可以約30 nm至約200 nm的厚度形成。從覆蓋層222的邊緣至多孔阻隔層2224的邊緣的距離可為約50 μm至約150 μm。在本實施例中，多孔阻隔層2224可由具有針孔結構的LiF形成。
多孔阻隔層2224可具有大偶極矩。在實施例中，當多孔阻隔層2224接觸相對電極215時，多孔阻隔層2224的大偶極矩影響相對電極215，且作為結果，氧化反應可能會在相對電極215的表面上發生。相對電極215的氧化可能造成有機發光裝置OLED之像素收縮現象。例如，當相對電極215由Mg形成，且多孔阻隔層2224由LiF形成時，根據化學式1之氧化反應可能發生。 2LiF + Mg à MgF2 + 2Li    (化學式1)
這裡，根據化學式1之相對電極215的氧化反應可能造成有機發光裝置OLED的像素收縮現象。根據本發明的實施例，覆蓋層222係形成以完全覆蓋相對電極215，從而有效地避免多孔阻隔層2224與相對電極215之接觸。因此，介於多孔阻隔層2224與相對電極215之間之表面反應以及接續之相對電極215的氧化可有效地避免。因此，由於相對電極215的氧化所導致之像素收縮現象可有效地避免。
在一些實施例中，多孔無機層2301形成於保護層2220上。多孔無機層2301可由例如AlOx 形成。多孔無機層2301可藉由濺鍍法以設定或預定厚度形成。在一些實施例中，多孔無機層2301可形成在多孔阻隔層2224上。當多孔無機層2301形成在多孔阻隔層2224上時，多孔無機層2301根據多孔阻隔層2224的結晶構造來生長。亦即，微細裂縫可在形成於具有針孔結構的多孔阻隔層2224的多孔LiF上的多孔無機層2301上出現。
第一有機層302可形成在多孔無機層2301上。第一有機層302可由高分子有機化合物形成。在一些實施例中，高分子有機化合物可能逸出氣體，且所釋出之氣體可能向著有機發光裝置OLED滲透。若由於粒子等造成無機層斷開或碎裂，則由高分子有機化合物釋出的氣體可能會集中到無機層上的裂縫中，且因此，有機發光裝置OLED的相對電極215的對應點可能會氧化，從而造成暗點。
然而，根據本實施例，由於多孔無機層2301及多孔阻隔層2224具有微細裂縫，故從第一有機層302釋出的氣體並不會僅僅集中到任一點。由於自第一有機層302釋出的氣體可由於存在於多孔無機層2301及多孔阻隔層2224上的微細裂縫而廣泛地散佈，故相對電極215可被保護免於只在任一點被氧化，且因此，暗點的形成可有效地避免。亦即，因為由於平均效果而可有效地避免損傷相對電極215及中間層214的物質，像是從第一有機層302釋出的氣體等，聚中到特定部分，故可限制相對電極215及中間層214之局部損害，進而延緩暗點。在本申請書中，「平均效果」表示逸出氣體物質並未集中到一部分而是實質上散佈出去的事實。相對的，當逸出氣體物質難以由此散佈的精密膜而非多孔膜被使用時，逸出氣體物質可能透過由於外來物質或刮傷所造成之精密膜的缺陷部分，即，針孔，而集中，且因而可能集中到缺陷部分。作為結果，介於相對電極215及像素電極211之間的中間層214可能會損傷且暗點可能會出現。在一些情況下，持續生長的暗點、所謂的漸進式暗點(progressive dark spot)可能會產生。然而，在本發明的實施例中，藉由使用多孔阻隔層2224及多孔無機層2301，逸出氣體物質由於平均效果並不會局部集中於缺陷部分，反而是廣泛均勻地散佈，且漸進式暗點並不會產生。因此，有機發光顯示設備20之壽命可得以延長，進而改善了產品的可靠性。
在一些實施例中，第一有機層302形成在多孔無機層2301上。第一有機層302可以設定或預定厚度形成，以平坦化由像素定義層213所造成之階差。第一有機層302可包含環氧樹脂、丙烯酸酯及聚氨酯丙烯酸酯中任何一個。第一有機層302的面積可小於多孔無機層2301。第一有機層302的面積可大於多孔阻隔層2224。因此，第一有機層302的面積之擴張可有效地避免濕氣從面板外部滲透進入有機發光裝置中。
在一些實施例中，第二無機層303係形成以包圍多孔無機層2301及第一有機層302。亦即，由於整個第一有機層302由多孔無機層2301及第二無機層303所包圍，外部濕氣及氧氣滲透進入有機發光裝置可有效地避免。
第二無機層303可由例如SiNx 或SiOx 形成，且可藉由CVD以設定或預定厚度形成。因此，即使粒子存在於第一有機層302上，由於粒子所形成的階差可被充分地覆蓋。此外，由於第二無機層303藉由未使用電漿的CVD來形成，第一有機層302可在第二無機層303形成時受到保護免於損害，且自第一有機層302之氣體釋出可有效地避免。
第二無機層303可形成以大於多孔無機層2301，且可直接接觸主動區域AA外的層間絕緣層205。此外，第二無機層303可與層間絕緣層205以相同材料形成。因此，第二無機層303與層間絕緣層205之間的結合力可增加。
第二有機層304及第三無機層305可形成在第二無機層303上，且雖然未示出，AlOx的第四無機層可進一步形成在封裝層2300的外表面上。
第二有機層304可包含環氧樹脂、丙烯酸酯及聚氨酯丙烯酸酯中任何一個，且可以設定或預定厚度形成。在一些實施例中，第二有機層304減緩施加於多孔無機層2301上的膜應力，且即便粒子等存在，第二有機層304覆蓋粒子等用以平坦化。第二有機層304的面積可大於第一有機層302。因此，第二有機層304的面積之擴張可有效地避免濕氣從面板外部滲透進入有機發光裝置中。
在一些實施例中，第三無機層305覆蓋第二有機層304。第三無機層305可與第二無機層303以相同材料形成。第三無機層305可形成以大於第二無機層303，且可直接接觸主動區域AA外的層間絕緣層205。另外，第三無機層305可與層間絕緣層205以相同材料形成。因此，介於第三無機層305及層間絕緣層205之間的結合力可增加。
封裝層2300可進一步包含交替堆疊的複數個增設無機層及複數個增設有機層，且無機層及有機層之堆疊數量並不侷限於本發明的實施例。
在一些實施例中，保護膜附於封裝層2300的上表面。然而，若保護膜的附接力強，則封裝層2300在移除保護膜時可能會剝離。因此，由AlOx所形成對保護膜具有弱附接力的第四無機層可進一步形成以補救此問題。
第8圖至第10圖是根據本發明的實施例用於說明製造第1圖之有機發光顯示設備10的方法之示意性剖面圖。由於顯示單元200實質上與參照第3圖描述者相同，故顯示單元200之構造的詳細描述在第8圖至第10圖中不再提供。
現將一同參照第8圖至第10圖以及第4圖來描述製造有機發光顯示設備10的方法。
如第8圖所示，定義主動區域AA的顯示單元200形成於基板101上。由於顯示單元200可具有第3圖中所示之構造，且各種適當的有機發光顯示器可應用於此，製造顯示單元200的詳細方法不在此提供。在一些實施例中，顯示單元200包含形成至主動區域AA的外部區域之緩衝層201、閘極絕緣層203、以及層間絕緣層205。在一些實施例中，層間絕緣層205設置在閘極電極(第3圖的204)以及源極電極(第3圖的206)之間，且在一些實施例中，係設置於閘極電極(第3圖的204)以及汲極電極(第3圖的207)之間以作為其間的絕緣體，且可由無機材料形成，像是SiNx 、SiO2 等。
如第9圖中所示，保護層220可形成於顯示單元200上。
在一些實施例中，保護層220包含可由有機材料形成的覆蓋層222，像是a-NPD、NPB、TPD、m-MTDATA、Alq3 、CuPc等、以及可由LiF形成的阻隔層224。
在一些實施例中，覆蓋層222係形成以覆蓋相對電極215。在一些實施例中，覆蓋層222係形成以完全覆蓋相對電極215，進而有效地避免阻隔層224接觸相對電極215。因此，介於阻隔層224與相對電極215之間的表面反應以及接續之相對電極215的氧化可有效地避免。因此，由於相對電極215之氧化所產生之像素收縮現象可有效地避免。
如第10圖所示，第一無機層301、第一有機層302、第二無機層303、第二有機層304及第三無機層305可依序形成。
第一無機層301可由AlOx 形成，且可藉由濺鍍法以設定或預定厚度形成。
根據本發明之另一實施例，藉由使LiF大致上具有針孔結構且根據阻隔層224的結晶構造生長沉積在阻隔層224上的第一無機層301，來產生第一無機層301上的微細裂縫。因此，即使由形成在第一無機層301上的第一有機層302等釋出氣體，釋出的氣體可廣泛地散佈到存在於第一無機層301上的微細裂縫，且阻隔層224可有效地避免釋出的氣體集中到任何一點(平均效果)。因此，相對電極215之氧化以及暗點之產生可從而有效地避免。
第一有機層302可以設定或預定厚度形成，以平坦化由於像素定義層(第3圖的213)所造成的階差。第一有機層302可包含環氧樹脂、丙烯酸酯及聚氨酯丙烯酸酯中任何一個。第一有機層302的面積可大於阻隔層224且小於第一無機層301。因此，第一有機層302的面積之擴張可有效地避免濕氣從面板外部滲透進入有機發光裝置中。
第二無機層303係形成以包圍第一無機層301及第一有機層302。亦即，由於整個第一有機層302由第一無機層301及第二無機層303包圍，故可有效地避免外部濕氣及氧氣之滲透。
第二無機層303可藉由CVD以設定或預定厚度由例如SiNx 所形成。因此，即便第一有機層302上存有粒子，由於粒子所形成的階差可被充分地覆蓋。另外，由於第二無機層303係藉由未使用電漿的CVD來形成，故第一有機層302可被保護免於在第二無機層303形成時受到損害，從而有效地避免氣體從第一有機層302之釋出。
在一些實施例中，第二無機層303係形成以大於第一無機層301且直接接觸主動區域AA外的層間絕緣層205。此外，第二無機層303可與層間絕緣層205以相同材料形成。在這種情況下，介於第二無機層303以及層間絕緣層205之間的結合力可增加。因此，由於第二無機層303以足夠厚度形成以覆蓋粒子，故即使在膜應力增加時，第二無機層303仍可受到保護免於剝落，且因此，可有效地避免外部濕氣及氧氣滲透進入有機發光裝置中。
第二有機層304可包含環氧樹脂、丙烯酸酯及聚氨酯丙烯酸酯中任何一個，且可以設定或預定厚度形成。在一些實施例中，第二有機層304減緩施加至第一無機層301上的膜應力，且即便粒子等存在，第二有機層304覆蓋了粒子等以平坦化。
在一些實施例中，第三無機層305覆蓋第二有機層304。第三無機層305可藉由CVD形成，從而有效地避免對第二有機層304之損害。
封裝層300可進一步包含交替堆疊的複數個增設無機層以及複數個增設有機層，且無機層及有機層的堆疊數量並不侷限於本發明的實施例。
如上所述，根據本發明上述實施例中的一或多個，相對電極之氧化可有效地避免，從而改善了像素收縮問題。
另外，漸進式暗點的出現可得以延緩，從而改善有機發光顯示設備的壽命。
應該理解的是，本文描述的例示性實施例應考量僅為描述性意義而非用於限制之目的。在各實施例中的特徵或態樣的說明應一般考量為可用於其它實施例中的其它類似特徵或態樣。
雖然參照圖式描述了本發明的一或多個實施例，所屬技術領域中具有通常知識者將理解的是，在不脫離本發明由所附申請專利範圍及其等效物所定義的精神及範疇下，可對其進行形式及細節上的各種變更。
1‧‧‧焊墊部
10、20‧‧‧顯示設備
AA‧‧‧主動區域
P1、P2‧‧‧區域
200‧‧‧顯示單元
300、2300‧‧‧封裝層
220、2220‧‧‧保護層
101‧‧‧基板
201‧‧‧緩衝層
202‧‧‧主動層
203‧‧‧閘極絕緣層
204‧‧‧閘極電極
205‧‧‧層間絕緣層
206‧‧‧源極電極
207‧‧‧汲極電極
208‧‧‧鈍化層
211‧‧‧像素電極
213‧‧‧像素定義層
214‧‧‧中間層
215‧‧‧相對電極
222‧‧‧覆蓋層
224‧‧‧阻隔層
301‧‧‧第一無機層
302‧‧‧第一有機層
303‧‧‧第二無機層
304‧‧‧第二有機層
305‧‧‧第三無機層
OLED‧‧‧有機發光裝置
TFT‧‧‧薄膜電晶體
2224‧‧‧多孔阻隔層
2301‧‧‧多孔無機層
這些及/或其它態樣將搭配附圖而由下列對實施例的說明而變得顯而易見且更容易了解，其中：
第1圖是根據本發明的實施例的有機發光顯示設備的示意性俯瞰圖；
第2圖是第1圖的有機發光顯示設備沿著線段I-I'區域所截取的剖面圖；
第3圖是第1圖的有機發光顯示設備沿著線段II-II'區域所截取的剖面圖；
第4圖是第3圖中區域P1的放大圖；
第5圖是根據本發明的另一實施例的有機發光顯示設備的示意性剖面圖；
第6圖是第5圖的有機發光顯示設備的區域的剖面放大圖；
第7圖是第6圖中的區域P2的放大圖；以及
第8圖至第10圖是根據本發明的實施例用於說明製造第1圖的有機發光顯示設備的方法的示意性剖面圖。
200‧‧‧顯示單元
300‧‧‧封裝層
220‧‧‧保護層
101‧‧‧基板
201‧‧‧緩衝層
203‧‧‧閘極絕緣層
205‧‧‧層間絕緣層
215‧‧‧相對電極
222‧‧‧覆蓋層
224‧‧‧阻隔層
301‧‧‧第一無機層
302‧‧‧第一有機層
303‧‧‧第二無機層
304‧‧‧第二有機層
305‧‧‧第三無機層

Claims (37)

  1. 一種有機發光顯示設備，其包含： 一基板； 一顯示單元，係具有複數個有機發光裝置在該基板上； 一封裝層，係密封該顯示單元；以及 一保護層，係介於該顯示單元與該封裝層之間， 其中，該複數個有機發光裝置之每一個包含： 一像素電極； 一中間層，係在該像素電極上，該中間層包含一有機發射層；以及 一相對電極，係在該中間層上；且 該保護層包含： 一覆蓋層，覆蓋該相對電極；以及 一阻隔層，係在該覆蓋層上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該覆蓋層係由一有機材料形成。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該阻隔層係由氟化鋰(LiF)形成。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該阻隔層覆蓋該覆蓋層。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示設備，其中該封裝層具有一結構，該結構包含依序堆疊之一第一無機層、一第一有機層及一第二無機層。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之有機發光顯示設備，其中該第一無機層係由氧化鋁(AlOx )形成。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之有機發光顯示設備，其中該阻隔層覆蓋該覆蓋層。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之有機發光顯示設備，其中該第一有機層的面積大於該阻隔層的面積。
  9. 如申請專利範圍第5項所述之有機發光顯示設備，其中該第一無機層的面積大於該第一有機層的面積。
  10. 如申請專利範圍第5項所述之有機發光顯示設備，其中該封裝層進一步包含： 一第二有機層，係在該第二無機層上；以及 一第三無機層，係在該第二有機層上。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之有機發光顯示設備，其中該第一無機層的面積大於該第一有機層的面積。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之有機發光顯示設備，其中該阻隔層覆蓋該覆蓋層，該第一有機層的面積大於該阻隔層的面積，且該第二有機層的面積大於該第一有機層的面積。
  13. 如申請專利範圍第10項所述之有機發光顯示設備，其中該第二無機層及該第三無機層中每一個的面積係大於該第一無機層的面積。
  14. 一種有機發光顯示設備，其包含： 一基板； 一顯示單元，係具有複數個有機發光裝置在該基板上； 一封裝層，密封該顯示單元，且包含依序堆疊之一多孔無機層、一第一有機層及一第二無機層；以及 一保護層，係介於該顯示單元與該封裝層之間， 其中，該複數個有機發光裝置中的每一個包含： 一像素電極； 一中間層，係在該像素電極上，該中間層包含一有機發射層；以及 一相對電極，係在該中間層上；且 該保護層包含： 一覆蓋層，覆蓋該相對電極；以及 一多孔阻隔層，係在該覆蓋層上。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之有機發光顯示設備，其中該覆蓋層係由一有機材料形成。
  16. 如申請專利範圍第14項所述之有機發光顯示設備，其中該多孔阻隔層係由氟化鋰(LiF)形成。
  17. 如申請專利範圍第14項所述之有機發光顯示設備，其中該多孔無機層係由氧化鋁(AlOx )形成。
  18. 如申請專利範圍第14項所述之有機發光顯示設備，其中該多孔阻隔層覆蓋該覆蓋層。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之有機發光顯示設備，其中該第一有機層的面積大於該多孔阻隔層的面積。
  20. 如申請專利範圍第14項所述之有機發光顯示設備，其中該多孔無機層的面積大於該第一有機層的面積。
  21. 如申請專利範圍第14項所述之有機發光顯示設備，其中該封裝層進一步包含： 一第二有機層，係在該第二無機層上；以及 一第三無機層，係在該第二有機層上。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之有機發光顯示設備，其中該多孔無機層的面積大於該第一有機層的面積。
  23. 如申請專利範圍第21項所述之有機發光顯示設備，其中該多孔阻隔層覆蓋該覆蓋層，該第一有機層的面積大於該多孔阻隔層的面積，且該第二有機層的面積大於該第一有機層的面積。
  24. 如申請專利範圍第21項所述之有機發光顯示設備，其中該第二無機層及該第三無機層中之每一個的面積係大於該多孔無機層的面積。
  25. 一種製造有機發光顯示設備之方法，該方法包含： 形成一顯示單元在一基板上，該顯示單元定義一主動區域且包含一相對電極； 形成一覆蓋層以覆蓋該相對電極； 形成一阻隔層在該覆蓋層上；以及 形成一封裝層在該阻隔層上以密封該顯示單元。
  26. 如申請專利範圍第25項所述之方法，其中該覆蓋層係由一有機材料形成。
  27. 如申請專利範圍第25項所述之方法，其中該阻隔層係由氟化鋰(LiF)形成。
  28. 如申請專利範圍第25項所述之方法，其中該阻隔層係形成以覆蓋該覆蓋層。
  29. 如申請專利範圍第25項所述之方法，其中該封裝層之形成包含： 形成一第一無機層在該阻隔層上； 形成一第一有機層在該第一無機層上；以及 形成一第二無機層在該第一有機層上。
  30. 如申請專利範圍第29項所述之方法，其中該第一無機層係藉由一濺鍍法由氧化鋁(AlOX )形成。
  31. 如申請專利範圍第29項所述之方法，其中該第一無機層的面積大於該第一有機層的面積。
  32. 如申請專利範圍第29項所述之方法，其中該阻隔層係形成以覆蓋該覆蓋層，且該第一有機層的面積大於該阻隔層的面積。
  33. 如申請專利範圍第29項所述之方法，其進一步包含： 形成一第二有機層在該第二無機層上；以及 形成一第三無機層在該第二有機層上， 其中該第二無機層及該第三無機層係藉由一化學氣相沉積(CVD)法形成。
  34. 如申請專利範圍第33項所述之方法，其中該第一無機層的面積大於該第一有機層的面積。
  35. 如申請專利範圍第33項所述之方法，其中該阻隔層係形成以覆蓋該覆蓋層，該第一有機層的面積大於該阻隔層的面積，且該第二有機層的面積大於該第一有機層的面積。
  36. 如申請專利範圍第33項所述之方法，其中該第二無機層及該第三無機層中的每一個的面積係大於該第一無機層的面積。
  37. 如申請專利範圍第25項所述之方法，其中該阻隔層係由具有一針孔結構的LiF形成。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107464827A (zh) * 2016-06-03 2017-12-12 三星显示有限公司 有机发光显示设备及其制造方法
TWI638208B (zh) * 2016-07-05 2018-10-11 日商日本顯示器股份有限公司 顯示裝置

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9692010B2 (en) * 2012-11-20 2017-06-27 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
KR20150011231A (ko) * 2013-07-22 2015-01-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102093393B1 (ko) 2013-08-14 2020-03-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102126382B1 (ko) * 2014-02-19 2020-06-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102428711B1 (ko) * 2015-12-28 2022-08-04 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
US10168844B2 (en) 2015-06-26 2019-01-01 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device
KR20170088473A (ko) * 2016-01-22 2017-08-02 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
KR102486876B1 (ko) 2015-07-07 2023-01-11 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102512714B1 (ko) * 2015-09-15 2023-03-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치, 이의 제어 방법 및 컴퓨터 프로그램
JP6684564B2 (ja) * 2015-10-14 2020-04-22 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
KR102532303B1 (ko) * 2015-11-03 2023-05-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102453924B1 (ko) * 2015-11-11 2022-10-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN105244365B (zh) 2015-11-18 2018-09-25 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示装置、制造方法及显示设备
KR102552272B1 (ko) * 2015-11-20 2023-07-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102419688B1 (ko) * 2015-12-11 2022-07-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR102440236B1 (ko) * 2015-12-31 2022-09-05 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
KR102465377B1 (ko) * 2016-02-12 2022-11-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2017152256A (ja) 2016-02-25 2017-08-31 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2017157290A (ja) 2016-02-29 2017-09-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102541448B1 (ko) * 2016-03-08 2023-06-09 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102443694B1 (ko) * 2016-03-11 2022-09-15 삼성전자주식회사 전류 확산 특성 및 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 발광 소자
KR102568781B1 (ko) * 2016-05-31 2023-08-22 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
TWI625326B (zh) * 2016-09-09 2018-06-01 昱鐳光電科技股份有限公司 有機電激發光元件
KR102648401B1 (ko) 2016-09-30 2024-03-18 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN108538882B (zh) * 2017-03-02 2020-05-19 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
US10673017B2 (en) 2017-03-23 2020-06-02 Sharp Kabushiki Kaisha Organic EL display device
JP2018181429A (ja) 2017-04-03 2018-11-15 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
JP2018194600A (ja) * 2017-05-15 2018-12-06 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP6906363B2 (ja) 2017-05-16 2021-07-21 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN206774584U (zh) * 2017-06-06 2017-12-19 京东方科技集团股份有限公司 薄膜封装结构和显示装置
JP6906397B2 (ja) * 2017-08-10 2021-07-21 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102083315B1 (ko) * 2017-09-11 2020-03-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102503183B1 (ko) 2017-12-20 2023-02-22 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시장치
KR102490629B1 (ko) * 2017-12-20 2023-01-20 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US10741792B2 (en) * 2018-05-21 2020-08-11 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Inorganic material having alkoxy chain encapsulating a display panel
WO2020065858A1 (ja) * 2018-09-27 2020-04-02 シャープ株式会社 表示装置
KR20200100238A (ko) * 2019-02-15 2020-08-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
KR20200111889A (ko) 2019-03-19 2020-10-05 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 패널 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
JP2021034261A (ja) * 2019-08-27 2021-03-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN110854287A (zh) * 2019-10-23 2020-02-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制备方法、显示装置
CN111312798A (zh) * 2020-04-09 2020-06-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及其制作方法
CN113900293B (zh) * 2020-06-22 2023-05-02 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、液晶显示面板和显示装置
KR20220023892A (ko) * 2020-08-21 2022-03-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20220082982A (ko) * 2020-12-10 2022-06-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN114583081A (zh) * 2022-02-24 2022-06-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN115275044B (zh) * 2022-07-18 2023-09-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050158579A1 (en) * 1996-06-25 2005-07-21 Marks Tobin J. Organic light-emitting diodes and methods for assembly and enhanced charge injection
JP2001338755A (ja) 2000-03-21 2001-12-07 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ素子およびその製造方法
JP4324718B2 (ja) 2000-05-30 2009-09-02 カシオ計算機株式会社 電界発光素子
JP2002033186A (ja) 2000-07-17 2002-01-31 Stanley Electric Co Ltd 有機発光素子
US7211828B2 (en) * 2001-06-20 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic apparatus
US7038377B2 (en) * 2002-01-16 2006-05-02 Seiko Epson Corporation Display device with a narrow frame
JP2003297550A (ja) * 2002-03-29 2003-10-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子およびこれを用いた表示装置並びに照明装置
JP2004079512A (ja) * 2002-06-17 2004-03-11 Sanyo Electric Co Ltd 有機ｅｌパネルおよびその製造方法
JP2004281247A (ja) * 2003-03-17 2004-10-07 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及びその製造方法
US7648925B2 (en) * 2003-04-11 2010-01-19 Vitex Systems, Inc. Multilayer barrier stacks and methods of making multilayer barrier stacks
JP4407169B2 (ja) * 2003-06-20 2010-02-03 カシオ計算機株式会社 封止方法及び封止構造
JP4131243B2 (ja) 2004-02-06 2008-08-13 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器
JP2005317476A (ja) 2004-04-30 2005-11-10 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置
JP4906033B2 (ja) 2004-05-20 2012-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US7202504B2 (en) 2004-05-20 2007-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and display device
JP4329740B2 (ja) 2004-10-22 2009-09-09 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンス装置
JP2008226859A (ja) 2004-10-22 2008-09-25 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンス装置
KR100721562B1 (ko) * 2004-12-03 2007-05-23 삼성에스디아이 주식회사 마그네슘-칼슘 막인 캐소드를 구비하는 유기전계발광소자및 그의 제조방법
KR20060116561A (ko) 2005-05-10 2006-11-15 주식회사 대우일렉트로닉스 Ｏｌｅｄ 패널의 플렉시블 인쇄회로기판 결합용 마크 구조
JP2007179828A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Fujifilm Corp 有機電界発光素子およびその製造方法
KR100647339B1 (ko) * 2006-01-11 2006-11-23 삼성전자주식회사 평판표시장치
KR101369910B1 (ko) 2007-03-30 2014-03-05 삼성전자주식회사 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
JP2008305557A (ja) 2007-06-05 2008-12-18 Fujifilm Corp 有機ｅｌ発光装置及びその製造方法
US8592555B2 (en) * 2008-08-11 2013-11-26 Emd Millipore Corporation Immunoglobulin-binding proteins with improved specificity
KR101001552B1 (ko) * 2009-01-20 2010-12-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2010267543A (ja) * 2009-05-15 2010-11-25 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器
KR101244706B1 (ko) * 2009-12-01 2013-03-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US8753711B2 (en) 2009-12-18 2014-06-17 General Electric Company Edge sealing method using barrier coatings
JP5183716B2 (ja) 2009-12-21 2013-04-17 キヤノン株式会社 発光装置
KR101155904B1 (ko) * 2010-01-04 2012-06-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
CN102948255B (zh) * 2010-06-23 2015-05-13 东京毅力科创株式会社 密封膜形成方法和密封膜形成装置
JP5472035B2 (ja) 2010-10-22 2014-04-16 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置および電子機器
KR101752876B1 (ko) 2010-12-16 2017-07-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20120138307A (ko) * 2011-06-14 2012-12-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
WO2013021924A1 (ja) * 2011-08-05 2013-02-14 三菱化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス発光装置及びその製造方法
KR101463474B1 (ko) * 2011-11-21 2014-11-20 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR101900364B1 (ko) 2011-12-22 2018-09-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR101892711B1 (ko) 2011-12-28 2018-08-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101900363B1 (ko) 2012-01-16 2018-09-20 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조방법
TWI473264B (zh) * 2012-03-02 2015-02-11 Au Optronics Corp 有機電致發光裝置
KR102028505B1 (ko) * 2012-11-19 2019-10-04 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시패널 및 이의 제조방법
KR102048926B1 (ko) * 2012-11-19 2019-11-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
EP3006597B1 (en) * 2013-05-24 2020-07-01 Panasonic Corporation Organic electroluminescent device
KR20150011231A (ko) * 2013-07-22 2015-01-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107464827A (zh) * 2016-06-03 2017-12-12 三星显示有限公司 有机发光显示设备及其制造方法
CN107464827B (zh) * 2016-06-03 2023-06-20 三星显示有限公司 有机发光显示设备及其制造方法
TWI638208B (zh) * 2016-07-05 2018-10-11 日商日本顯示器股份有限公司 顯示裝置
US10121835B2 (en) 2016-07-05 2018-11-06 Japan Display Inc. Display device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015023023A (ja) 2015-02-02
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JP6986115B2 (ja) 2021-12-22
EP2830118A3 (en) 2015-04-15
TWI641127B (zh) 2018-11-11
US20150021565A1 (en) 2015-01-22
KR20150011231A (ko) 2015-01-30
US10032835B2 (en) 2018-07-24
CN203932064U (zh) 2014-11-05
JP2020161498A (ja) 2020-10-01
CN104332483A (zh) 2015-02-04

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