JP2020057740A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本明細書は、樹脂製のパッケージを成形する際にボイドの発生を抑える製造方法を提供する。【解決手段】本明細書が開示する製造方法は、金属板と半導体チップが接合されたアセンブリを金型のキャビティに入れて当該キャビティに溶融樹脂を注入する工程を備える。半導体装置は、第１、第２半導体チップを内蔵しているパッケージと、パッケージの一方の幅広面に露出している第１、第３金属板と、他方の幅広面に露出している第２、第４金属板を備える。金型は、第１、第２半導体チップの並び方向に対して交差するキャビティ面に溶融樹脂を注入するゲートを備える。キャビティは、所定方向からみたときに、第１、第３金属板の間を通り、ゲートから、ゲートから最も遠い金属板角部まで、第１、第３金属板の縁に沿ったクランク形状の部分の所定方向の厚みが、クランク形状以外の部分の厚みよりも大きくなるように形成されている。【選択図】図４

Description

本明細書が開示する技術は、半導体装置の製造方法に関する。特に、２個の半導体チップを封止する樹脂製のパッケージの一方の面に矩形の第１、第３金属板が露出しているとともに反対側の面に矩形の第２、第４金属板が露出しており、第１、第２金属板の間に第１半導体チップが挟まれており、第３、第４金属板の間に第２半導体チップが挟まれている半導体装置の製造方法に関する。

上記した半導体装置の製造方法では、金属板と半導体素子のアセンブリを金型のキャビティに入れ、キャビティに溶融樹脂を流し込んでパッケージを形成する（例えば特許文献１）。溶融樹脂は、金型に設けられたゲートからキャビティへ注入される。溶融樹脂は、半導体チップの両側を回り込んでいき、合流する。半導体チップの両側は金属板で挟まれているため、合流地点で空気（気泡）が停滞すると、形成されたパッケージの内部にボイド（気泡）が残る場合がある。

特許文献１に開示された技術では、アセンブリを入れた金型において、第１、第３金属板の法線方向からみて、第１、第３金属板の間を通る直線と交差するようにゲート（溶融樹脂の注入口）を設けるとともに、キャビティ形状を工夫することでボイドの発生を抑制する。

特許第６００１４７３号公報

矩形の半導体チップの場合、半導体チップの両側を回り込んだ溶融樹脂の合流点が半導体チップの角部に近いと、合流後の溶融樹脂は半導体チップから離れる方向にスムーズに流れる。合流点が角部から離れるにつれて、角部付近に溶融樹脂の滞留が生じ、気泡が角部付近にとどまる。特許文献１の技術のように、第１、第３金属板の間を通る直線と交差するようにゲートが設けられていると、金属板の法線方向からみて、上記直線に対して線対称に溶融樹脂が流れる。すなわち、２個の半導体チップに対して同じように溶融樹脂が流れる。一方の半導体チップの角部が溶融樹脂の合流点となる場合、他方の半導体チップの角部も合流点となり、ボイドの発生が抑えられる。

他方、いくつかの理由により、第１、第３金属板の並び方向と交差するキャビティ面にゲートを設けることが要求される場合がある。そのような場合、ゲートに近い半導体チップの周りを溶融樹脂が流れ、次に、ゲートから遠い側の半導体チップの周りを溶融樹脂が流れる。一方の半導体チップを周り込む溶融樹脂の合流点と、他方の半導体チップを周り込む溶融樹脂の合流点を別々に調整する必要がある。例えば、ゲートの位置を調整することで、ゲートに近い半導体チップの合流点はチップの角部に調整できたとしても、ゲートから遠い半導体チップの合流点は、必ずしもチップの角部になるとは限らない。

本明細書は、半導体チップの並び方向に交差するキャビティ面にゲートを設けた場合にボイドの発生を抑制する技術を提供する。特に、ゲートに近い側の半導体チップを回り込む樹脂流の合流点と、ゲートから遠い側の半導体チップを回り込む合流点の両方を、矩形の半導体チップの角部に近づけることのできる製造方法を提供する。

本明細書が開示する製造方法によって製造される半導体装置は、次の形状を有している。その半導体装置は、所定方向からみたときに矩形の第１、第２半導体チップと、矩形の第１−第４金属板と、樹脂製のパッケージを備えている。第１、第２半導体チップはパッケージに封止されている。第１半導体チップは第１、第２金属板に挟まれており、第２半導体チップは第３、第４金属板に挟まれている。金属板と半導体チップの間にはスペーサが介在してもよい。半導体チップと金属板は、対応する辺が平行となるように配置されている。第１、第３金属板は、それぞれの一辺同士が対向かつ平行になるようにパッケージの一方の側面（第１側面）に露出しているとともに第２、第４金属板がそれぞれの一辺同士が対向かつ平行になるようにパッケージの反対側の側面（第２側面）に露出している。

本明細書が開示する製造方法は、金属板と半導体チップが接合されたアセンブリを金型のキャビティに入れて当該キャビティに溶融樹脂を流し込む工程を備えている。金型は、第１、第２チップの並び方向に対して交差するキャビティ面に溶融樹脂を注入するゲートを備えている。金型のキャビティは、第１側面の法線方向からみたときに、第１、第３金属板の間を通り、ゲートから、ゲートから最も遠い金属板角部まで、第１、第３金属板の縁に沿ったクランク形状の部分の厚み（パッケージの上記法線方向の厚み）が、第１、第３金属板を囲んでいる部分であってクランク形状以外の部分の厚みよりも大きくなるように形成されている。溶融樹脂を注入したとき、厚みの大きいクランク形状の経路における溶融樹脂の流速が速くなる。その結果、第１半導体チップの両側を回り込む樹脂流が第１半導体チップの角部で合流するとともに、第２半導体チップの両側を回り込む樹脂流が第２半導体チップの角部で合流するようになる。第１（第２）半導体チップの角部で樹脂流が合流すると、合流後の樹脂流は半導体チップから離れる方向へスムーズに流れ、溶融樹樹脂の滞留がなくなり、ボイドが生じ難くなる。

さらに、以下の構造を採用すると、樹脂流の合流点がゲートから遠い側の半導体チップの角部により一層近づくようになる。ゲートが設けられているキャビティ面に対向するキャビティ面に、パッケージを形成するためのキャビティから突出しており、溶融樹脂の一部を溜めるサブキャビティを設ける。溶融樹脂の一部がサブキャビティに流れ込むことで、サブキャビティに近い側で溶融樹脂の流速が遅くなり、合流点が半導体チップの角部に近づく。サブキャビティ内で固化した樹脂は、パッケージを金型から取り出した後に除去される。

本明細書が開示する技術の詳細とさらなる改良は以下の「発明を実施するための形態」にて説明する。

実施例の製造方法で製造される半導体装置の斜視図である。 図１のII−II線に沿った断面図である。 図１のIII−III線に沿った断面図である。 半導体チップと金属板のアセンブリを入れた金型の平面図である。 図４のV−V線に沿った断面図である。 図４のVI−VI線に沿った断面図である。 金型の平面図である（溶融樹脂の流れを矢印で模式的に表した図）。 余剰部除去前の半導体装置の斜視図である。 変形例の半導体装置の平面図である。

実施例の製造方法を説明するのに先立って、実施例の製造方法で製造される半導体装置２を説明する。図１に、半導体装置２の斜視図を示す。半導体装置２は、樹脂製のパッケージ３に２個の半導体チップ（第１半導体チップ４ａ、第２半導体チップ４ｂ）が封止されたデバイスである。以下では、第１半導体チップ４ａと第２半導体チップ４ｂをあわせて半導体チップ４と総称する場合がある。

半導体チップ４はトランジスタである。２個の半導体チップ４はパッケージ３の内部で直列に接続されている。パッケージ３のひとつの側面から３個のパワー端子９ａ、９ｂ、９ｃが延びている。２個の半導体チップ４（トランジスタ）の直列接続の正極側、負極側、中点がそれぞれパワー端子９ａ、９ｃ、９ｂと導通している。パッケージ３の別の側面からは制御端子８ａ、８ｂが延びている。制御端子８ａは、第１半導体チップ４ａと導通している。複数の制御端子８ａのそれぞれは、第１半導体チップ４ａのゲート電極、センスエミッタ電極、第１半導体チップ４ａに内蔵されている温度センサなどに接続されている。複数の制御端子８ｂは、第２半導体チップ４ｂと導通しており、それぞれ、第２半導体チップ４ｂのゲート電極、センスエミッタ電極、第２半導体チップ４ｂに内蔵されている温度センサなどに接続されている。

パッケージ３は扁平であり、２個の幅広い側面（幅広面３ａ、３ｂ）を備えている。一方の幅広面３ａに金属板（第１金属板１１、第３金属板１３）が露出している。図１では見えないが、他方の幅広面３ｂにも金属板（第２金属板１２、第４金属板１４）が露出している。第１金属板１１と第３金属板１３は、ともに矩形であり、それぞれの一辺同士が対向かつ平行となるように幅広面３ａに配置されている。図１では見えないが、第２金属板１２と第４金属板１４も同様に矩形であり、それぞれの一辺同士が対向かつ平行となるように幅広面３ｂに露出している。第１金属板１１と第２金属板１２が対向しており、それらの間に第１半導体チップ４ａが挟まれている。第３金属板１３と第４金属板１４も対向しており、それらの間に第２半導体チップ４ｂが挟まれている。第１半導体チップ４ａも図中の座標系のＸ方向からみて矩形であり、それぞれの辺が第１金属板１１の対応するそれぞれの辺と平行になるように配置されている。第２半導体チップ４ｂもＸ方向からみて矩形であり、それぞれの辺が第３金属板１３の対応するそれぞれの辺と平行になるように配置されている。図中のＸ方向は、幅広面３ａの法線方向に相当し、第１、第３金属板１１、１３の法線方向にも相当する。第１−第４金属板１１−１４は、導電性を有しているとともに熱伝導率の高い金属で作られている。第１−第４金属板１１−１４は、典型的には銅で作られている。

図１のII−II線に沿った半導体装置２の断面を図２に示す。図１のIII−III線に沿った半導体装置２の断面を図３に示す。図２、図３を参照してパッケージ３の内部の構造を説明する。

第１金属板１１と第２金属板１２が対向しており、それらの間に第１半導体チップ４ａとスペーサ５ａが挟まれている。第１半導体チップ４ａの一方の幅広面にコレクタ電極が設けられており、コレクタ電極は第１金属板１１と電気的に接続されている。第１半導体チップ４ａの他方の幅広面にエミッタ電極が設けられており、エミッタ電極はスペーサ５ａを介して第２金属板１２に電気的に接続されている。第２半導体チップ４ｂについても同様であり、そのコレクタ電極が第３金属板１３に電気的に接続されており、エミッタ電極がスペーサ５ｂを介して第４金属板１４に電気的に接続されている。

第２金属板１２の縁から継手１２ａが延びており、第３金属板１３の縁から継手１３ａが延びている。継手１２ａと継手１３ａはパッケージ３の内部で接続されており、第２金属板１２と第３金属板１３は導通している。すなわち、第２金属板１２と第３金属板１３を通じて第１半導体チップ４ａと第２半導体チップ４ｂが直列に接続される。第１金属板１１の縁にパワー端子９ａが接続されている。第１金属板１１は、第１半導体チップ４ａのコレクタ電極と導通している。すなわち、パワー端子９ａが２個の半導体チップ４の直列接続の正極側と導通している。図示は省略するが、第３金属板１３、第４金属板１４のそれぞれと、図１に示したパワー端子９ｂ、９ｃが導通している。第１−第４金属板１１−１４は、半導体チップ４の熱を外に放出する放熱板として機能するとともに、半導体チップ４の主電極（エミッタ電極とコレクタ電極）をパワー端子９ａ−９ｃと導通させる導電部材としても機能する。

第１半導体チップ４ａの表面にはゲート電極なども設けられており、ゲート電極はボンディングワイヤ６で制御端子８ａと電気的に接続される（図２）。図示は省略しているが、第２半導体チップ４ｂの表面にもゲート電極などが設けられており、ゲート電極などはボンディングワイヤで制御端子８ｂと電気的に接続される。

半導体装置２の構造をまとめると以下の通りである。半導体装置２は、２個の半導体チップ４が樹脂製のパッケージ３に埋設されたデバイスである。パッケージ３は扁平であり、その幅広面３ａの法線方向（図中のＸ方向）からみたときに、矩形の第１半導体チップ４ａが矩形の第１、第２金属板１１、１２に挟まれているとともに、矩形の第２半導体チップ４ｂが矩形の第３、第４金属板１３、１４に挟まれている。第１、第３金属板１１、１３は、それぞれの一辺同士が対向し、かつ平行になるようにパッケージ３の第１の幅広面３ａに露出している。第２、第４金属板１２、１４は、それぞれの一辺同士が対向し、かつ平行になるようにパッケージ３の反対側の第２の幅広面３ｂに露出している。第１半導体チップ４ａ（第２半導体チップ４ｂ）も矩形であり、幅広面３ａの法線方向（図中のＸ方向）からみたときに、第１金属板１１（第３金属板１３）の輪郭の内側に位置するとともに、各辺が第１金属板１１（第３金属板１３）の各辺と平行になるように配置されている。

半導体装置２の製造方法、すなわち、実施例の製造方法を説明する。半導体装置２の製造方法は、接合工程、パッケージ成形工程、余剰部除去工程を含んでいる。

（接合工程）第１−第４金属板１１−１４、半導体チップ４、スペーサ５ａ、５ｂはハンダで接合される。接合工程は公知の技術で実施されるので説明は省略する。第１−第４金属板１１−１４、半導体チップ４、スペーサ５ａ、５ｂをハンダで接合した構造体をアセンブリ２ａと称する。アセンブリ２ａは、パッケージ３を形成する前の半導体装置２に相当する。

（パッケージ成形工程）パッケージ成形工程では、アセンブリ２ａを金型に入れて溶融樹脂を注入し、パッケージ３を形成する。図４に、アセンブリ２ａを入れた金型２０の平面図を示す。図４の平面図は、図１における座標系のＸ方向（すなわち、パッケージ３の幅広面３ａ（第１金属板１１）の法線方向）から金型２０を見た図に相当する。第１金属板１１の紙面奥側には第２金属板１２が位置しており、第３金属板１３の紙面奥側には第４金属板１４が位置している。なお、符号１３ａが示す破線の矩形は、第３金属板１３の縁から延びる継手を示しており、継手１３ａはパワー端子９ｂと接続している。

図４では、理解を助けるため、溶融樹脂の通路、すなわち、金型２０のキャビティ２３と、ゲート２５、および、サブキャビティ２６をグレーで示してある。キャビティ２３は、パッケージ３を作るための空間であり、パッケージ３と同じ形状を有している（ただし、後述する溝２４の形状は除く）。ゲート２５は溶融樹脂をキャビティ２３に導くための流路である。図示は省略しているが、ゲート２５に溶融樹脂の供給装置が接続される。

サブキャビティ２６は、キャビティ２３と連通している空間であるが、サブキャビティ２６で形成された樹脂部分は後に除去される。サブキャビティ２６の効果については後述する。

後述するが、金型２０は上型２１と下型２２に分割されている。パワー端子９ａ−９ｃと制御端子８ａ、８ｂが上型２１と下型２２に挟まれ、アセンブリ２ａが金型２０に対して固定される。溶融樹脂を注入するゲート２５は、キャビティ２３に配置されたアセンブリ２ａの２個の半導体チップ４の並び方向（図中のＹ方向）と交差するキャビティ面３１に設けられている。サブキャビティ２６はキャビティ面３１の反対側のキャビティ面３２に設けられている。

図１、図３に示したように、パッケージ３の幅広面３ａは第１金属板１１、第３金属板１３の表面と面一であり、幅広面３ｂは第２金属板１２、第４金属板１４の表面と面一である。しかしながら、パッケージ３の幅広面３ａ、３ｂに対向するキャビティ面には溝２４が設けられており、パッケージ３の形成直後の幅広面３ａ、３ｂには、厚みが他の部分より厚い部分が形成される。

以下、パッケージ３の幅広面３ａ（第１金属板１１）の法線方向（図中のＸ方向）からみたときの溝２４の形状について説明する。溝２４は、第１金属板１１と第３金属板１３の間を通り、ゲート２５から、ゲート２５から最も遠い金属板角部Ｐｍまで、第１、第３金属板１１、１３の縁に沿ってクランク形状に形成される。別言すると、溝２４は、法線方向からみたときに次の形状を有している。以下、２個の半導体チップ４の並び方向（図中のＹ方向）をチップ並び方向と称する。溝２４は、連続的に連なっている第１溝２４ａと第２溝２４ｂと第３溝２４ｃで構成されている。第１溝２４ａは、ゲート２５に近い第１金属板１１のチップ並び方向に平行な２辺のうち、ゲート２５に近い辺１１ｅに沿って延びている。第２溝２４ｂは、第１金属板１１と第３金属板１３の間を通っている。第３溝２４ｃは、ゲート２５から遠い側の第３金属板１３のチップ並び方向に平行な２辺のうち、ゲート２５から遠い側の辺１３ｅに沿って延びている。

溝２４によって、パッケージ３において、第１、第３金属板１１、１３の間を通り、ゲート２５から、ゲート２５から最も遠い金属板角部Ｐｍまで、第１、第３金属板１１、１３の縁に沿ったクランク形状の部分の厚み（Ｘ方向の厚み）が、第１、第３金属板１１、１３を囲んでいる部分であって上記クランク形状以外の部分の厚みよりも大きくなる。キャビティ面の反対側の面（第２、第４金属板１２、１４が露出している面に対応するキャビティ面）にも同様の溝が形成されている。

図４のＶ−Ｖ線に沿った断面を図５に示し、VI−VI線に沿った断面を図６に示す。図５に示すように、第１金属板１１に対向するキャビティ面３３に、第１金属板１１の辺１１ｅ（図４も参照のこと）に沿った第１溝２４ａが設けられている（図５参照）。キャビティ面３３の反対側のキャビティ面３４にも、第１溝２４ａと対向するように第１溝１２４ａが設けられている。図６に示すように、キャビティ面３３には、第１金属板１１と第３金属板１３の間に延びる第２溝２４ｂが設けられている。キャビティ面３３の反対側のキャビティ面３４にも、第２溝２４ｂに対向するように第２溝１２４ｂが設けられている。図５、図６には現れていないが、キャビティ面３３には、第３金属板１３の辺１３ｅに沿って第３溝２４ｃが設けられており、キャビティ面３４には、第３溝２４ｃと対向するように第３溝１２４ｃが設けられている。キャビティ面３３の第１−第３溝２４ａ−２４ｃは、Ｘ方向からみてクランク状の溝２４を形成する。反対側のキャビティ面３４の第１−第３溝１２４ａ−１２４ｃも、Ｘ方向からみてクランク状の溝１２４を形成する。

溝２４は、パッケージ３を形成する際にボイド（気泡）の発生を抑制する。特に、矩形の第１半導体チップ４ａの角部付近におけるボイド発生を抑制するとともに、矩形の第２半導体チップ４ｂの角部付近におけるボイド発生を抑制する。

溝２４の効果を説明するのに先立って、ボイド発生のメカニズムを説明する。図７に、図４と同じ平面図を示す。図７には、ゲート２５から注入される溶融樹脂の流れを太矢印線と太矢印点線で模式的に示してある。符号４１−４４は、図中のＸ方向（第１金属板１１の法線方向）からみたときの第１半導体チップ４ａの四辺のそれぞれを指しており、符号５１−５４は、第２半導体チップ４ｂの四辺のそれぞれを指している。

ゲート２５から注入された溶融樹脂は、第１半導体チップ４ａの両側を回り込む。溶融樹脂は、第１半導体チップ４ａの第１辺４１と第２辺４２を通るルートと、第４辺４４と第３辺４３を通るルートに分かれる。第１半導体チップ４ａの両側を回り込んだ２通りの流れは、ゲート２５から最も遠いチップ角部Ｐａの付近で合流する。同様に、溶融樹脂は、第２半導体チップ４ｂを回り込み、第２半導体チップ４ｂの第１辺５１と第２辺５２を通るルートと、第４辺５４と第３辺５３を通るルートに分かれる。第２半導体チップ４ｂの両側を回り込んだ２通りの流れは、ゲート２５から最も遠いチップ角部Ｐｂの付近で合流する。合流点がチップ角部Ｐａ、Ｐｂに近いほど、合流後の溶融樹脂の流れは半導体チップから離れる方向へスムーズに流れる。溶融樹脂の流れとともに気泡もチップ角部Ｐａ、Ｐｂから離れていく。溶融樹脂の流れがスムーズであると、ボイドが発生し難い。

合流点が半導体チップの辺に沿ってチップ角部Ｐａ、Ｐｂから離れると、チップ角部Ｐａ、Ｐｂの付近に溶融樹脂の淀みが生じ、キャビティ２３の空気が気泡となってとどまる可能性が高くなる。気泡がとどまったまま溶融樹脂が固化すると、気泡がボイドとなってパッケージ３の内部に残る。従って、溶融樹脂の合流点をチップ角部Ｐａ、Ｐｂに近づけることが、ボイド発生の抑制につながる。

図７において、濃いグレーで示した部分が溝２４の部分である。溝２４において、キャビティの厚み（Ｘ方向の幅）が、第１、第３金属板１１、１３を囲む他の部分の厚みよりも大きくなる。キャビティの厚みが大きくなることで、溶融樹脂が大量にスムーズに流れるようになる。溝２４を設けない場合、第１半導体チップ４ａを周りこむ樹脂の流れは、チップ角部Ｐａよりも、第２辺４２の＋Ｚ方向にシフトする。溝２４は、第１半導体チップ４ａの第１辺４１、第２辺４２に近い部位を通過しており、溝２４における樹脂の流速が速くなることで、第１辺４１、第２辺４２に沿った樹脂の流れも速くなる。その結果、合流点がチップ角部Ｐａに近づく。

溝２４を設けない場合、第２半導体チップ４ｂを周りこむ樹脂の流れは、チップ角部Ｐｂよりも、第３辺５３の−Ｙ方向にシフトする。溝２４は、第２半導体チップ４ｂの第４辺５４、第３辺５３に近い部位を通過しており、溝２４における樹脂の流速が速くなることで、第４辺５４、第３辺５３に沿った樹脂の流れも速くなる。その結果、合流点がチップ角部Ｐｂに近づく。

第２半導体チップ４ｂの第１辺５１、第２辺５２を周り込む溶融樹脂の一部は、サブキャビティ２６に流れ込む（図７、太矢印点線を参照）。その結果、第１辺５１、第２辺５２を周り込んでチップ角部Ｐｂに到達する溶融樹脂の流れが遅くなる。第４辺５４、第３辺５３に沿った樹脂の流れが速くなるとともに、第１辺５１、第２辺５２に沿った樹脂の流れが遅くなることで、合流点はさらにチップ角部Ｐｂに近づく。

金型２０に溝２４、サブキャビティ２６を設けることで、２個の半導体チップ４のそれぞれを周り込む溶融樹脂の流れの合流点がチップ角部Ｐａ、Ｐｂに近づく。溶融樹脂の流れの合流点がチップ角部Ｐａ、Ｐｂに近づくことにより、ボイド発生が抑制される。

（余剰部除去工程）図８に、溶融樹脂が固化した後に金型２０から取り出した半導体装置２ｂの斜視図を示す。図８の半導体装置２ｂは、余剰部（溝２４とサブキャビティ２６で形成された部分）を除去する前の状態である。パッケージ３の幅広面３ａには、溝２４によって形成されたクランク形状の突条９１ａが形成されている。また、図８では見えないが、反対側の幅広面３ｂにも、クランク形状の突条９１ｂが形成されている。

また、幅広面３ａ、３ｂに挟まれた幅狭面には、サブキャビティ２６で形成された突部９２が形成されている。クランク形状の突条９１ａ、９１ｂと、突部９２は、完成品の半導体装置２では不要な余剰部に相当する。突部９２は、カッタで切り落とされる。突条９１ａ、９１ｂは、研磨により除去される。突条９１ａを研磨による除去する工程で、幅広面３ａが第１、第３金属板１１、１３と面一に仕上げられ、突条９１ｂを研磨により除去する工程で、幅広面３ｂが第２、第４金属板１２、１４と面一に仕上げられる。以上の工程を通じて半導体装置２が製造される。

実施例で説明した技術に関する留意点を述べる。第１−第４金属板１１−１４は、法線方向からみたときに概略形状が矩形であればよい。例えば、第１−第４金属板の一部あるいは全部の角が切り落とされていてもよい。図９に、変形例の半導体装置１０２の平面図を示す。第１金属板１１１と第３金属板１１３は、法線方向からみたときに一部の角が切り落とされた矩形形状をなしている。図８にてグレーで示された範囲が、キャビティに設けられた溝により形成される突条１９１を示している。図９では、金型のゲート２５が仮想線で描かれている。突条１９１は、略矩形の第１、第３金属板１１１、１１３の縁に沿って、ゲート２５から第１、第３金属板１１１、１１３の間を通り、ゲート２５から最も遠い金属板角部Ｐｍまで、クランク状に形成される。図９の形状であっても、実施例の製造方法で製造することによって、ボイド発生を抑制することができる。

以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。

２、２ｂ、１０２：半導体装置
２ａ：アセンブリ
３：パッケージ
３ａ、３ｂ：幅広面
４、４ａ、４ｂ：半導体チップ
５ａ、５ｂ：スペーサ
８ａ、８ｂ：制御端子
９ａ−９ｃ：パワー端子
１１−１４、１１１、１１３：金属板
２０：金型
２１：上型
２２：下型
２３：キャビティ
２４：溝
２５：ゲート
２６：サブキャビティ
３１、３２、３３、３４：キャビティ面
９１ａ、９１ｂ、１９１：突条
９２：突部

Claims (2)

1. 所定方向からみたときに矩形の第１半導体チップが矩形の第１、第２金属板に挟まれているとともに、矩形の第２半導体チップが矩形の第３、第４金属板に挟まれており、前記第１、第２半導体チップが樹脂製のパッケージに封止されており、前記第１、第３金属板がそれぞれの一辺同士が対向かつ平行になるように前記パッケージの第１側面に露出しているとともに第２、第４金属板がそれぞれの一辺同士が対向かつ平行になるように前記パッケージの反対側の第２側面に露出している半導体装置の製造方法であり、
   前記金属板と前記半導体チップが接合されたアセンブリを金型のキャビティに入れて当該キャビティに溶融樹脂を注入する工程を備えており、
   前記金型は、前記第１、第２半導体チップの並び方向に対して交差するキャビティ面に溶融樹脂を注入するゲートを備えており、
   前記キャビティは、前記所定方向からみたときに、前記第１、第３金属板の間を通り、前記ゲートから、前記ゲートから最も遠い金属板角部まで、前記第１、第３金属板の縁に沿ったクランク形状の部分の前記所定方向の厚みが、前記第１、第３金属板を囲んでいる部分であって前記クランク形状以外の部分の厚みよりも大きくなるように形成されている、半導体装置の製造方法。
2. 前記金型は、前記ゲートが設けられているキャビティ面に対して反対側のキャビティ面に、前記パッケージを形成するための前記キャビティから突出しており、前記溶融樹脂の一部を溜めるサブキャビティを備えており、
   前記サブキャビティ内で固化した樹脂を除去する除去工程を備えている、請求項１に記載の製造方法。

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