JP7087901B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
2a:アセンブリ
3:パッケージ
3a、3b:幅広面
4、4a、4b:半導体チップ
5a、5b:スペーサ
8a、8b:制御端子
9a-9c:パワー端子
11-14、111、113:金属板
20:金型
21:上型
22:下型
23:キャビティ
24:溝
25:ゲート
26:サブキャビティ
31、32、33、34:キャビティ面
91a、91b、191:突条
92:突部
Claims (2)
- 矩形の第1半導体チップが矩形の第1、第2金属板に挟まれているとともに、矩形の第2半導体チップが矩形の第3、第4金属板に挟まれており、前記第1、第2半導体チップが樹脂製のパッケージに封止されており、前記第1、第3金属板がそれぞれの一辺同士が対向かつ平行になるように前記パッケージの第1側面に露出しているとともに第2、第4金属板がそれぞれの一辺同士が対向かつ平行になるように前記パッケージの反対側の第2側面に露出している半導体装置の製造方法であり、
前記第1、第2、第3、第4金属板と前記第1、第2半導体チップが接合されたアセンブリを金型のキャビティに入れて当該キャビティに溶融樹脂を注入する工程を備えており、
前記金型は、前記第1、第2半導体チップの並び方向に対して交差するキャビティ面であって前記第1半導体チップに近いキャビティ面に溶融樹脂を注入するゲートを備えており、
前記キャビティは、前記第1側面の法線方向からみたときにクランク形状の部分であって、前記第1金属板の前記並び方向に沿った2辺のうち前記ゲートに近い辺に沿って延びており、前記第1、第3金属板の間を通り、前記第3金属板の前記並び方向に沿った2辺のうち前記ゲートから遠い辺に沿って延びているクランク形状の部分の前記法線方向の厚みが、前記第1、第3金属板を囲んでいる部分であって前記クランク形状以外の部分の厚みよりも大きくなるように形成されている、半導体装置の製造方法。 - 前記金型は、前記ゲートが設けられているキャビティ面に対して反対側のキャビティ面に、前記パッケージを形成するための前記キャビティから突出しており、前記溶融樹脂の一部を溜めるサブキャビティを備えており、
前記サブキャビティ内で固化した樹脂を除去する除去工程を備えている、請求項1に記載の製造方法。
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JPH0536745A (ja) * | 1991-08-01 | 1993-02-12 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 封止金型及び封止方法 |
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2018
- 2018-10-04 JP JP2018189252A patent/JP7087901B2/ja active Active
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