JPH0536745A - 封止金型及び封止方法 - Google Patents

封止金型及び封止方法

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JPH0536745A
JPH0536745A JP3216407A JP21640791A JPH0536745A JP H0536745 A JPH0536745 A JP H0536745A JP 3216407 A JP3216407 A JP 3216407A JP 21640791 A JP21640791 A JP 21640791A JP H0536745 A JPH0536745 A JP H0536745A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
cavity
mold
gate
semiconductor chip
Prior art date
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Pending
Application number
JP3216407A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeo Komamura
武夫 駒村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinko Electric Industries Co Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Industries Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Shinko Electric Industries Co Ltd filed Critical Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority to JP3216407A priority Critical patent/JPH0536745A/ja
Publication of JPH0536745A publication Critical patent/JPH0536745A/ja
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  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 パッケージ部の厚さが1mm以下の薄型半導
体装置を製造する際にも、樹脂の未充填部が残留するこ
となく均斉なパッケージ部を形成することのできる封止
金型及び封止方法を提供する。 【構成】 リードフレーム12に搭載された半導体チッ
プ14がインサートされた金型内のキャビティ16内
に、樹脂流入ゲート22を介して溶融樹脂を導入し、前
記半導体チップ14及びリードフレーム12の一部分を
封止するパッケージ部34を形成する封止金型におい
て、該樹脂流入ゲート22の在る位置と異なる位置に、
キャビティ14に流入した溶融樹脂の一部がキャビティ
14から流出する樹脂流出ゲート26が設けられ、且つ
前記樹脂流出ゲート26を介して流出した溶融樹脂を溜
める樹脂溜まり30が設けられていることを特徴とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は封止金型及び封止方法に
関し、更に詳細には、リードフレームに搭載された半導
体チップがインサートされた金型内のキャビティ内に樹
脂流入ゲートを介して溶融樹脂を導入し、前記半導体チ
ップ及びリードフレームの一部分を封止するパッケージ
部を形成する封止金型及び封止方法に関する。
【0002】
【従来の技術】通常、半導体装置は、搭載された半導体
チップとリードフレームのインナーリードとがワイヤボ
ンディング等によって電気的に連結された後、樹脂によ
って半導体チップ及びインナーリードを封止するパッケ
ージ部が形成される封止工程を通過する。かかる封止工
程においては、図3に示す如く、上型100と下型11
0とから成る金型内に形成されるキャビティ124内
に、リードフレーム102に搭載された半導体チップ1
04がリードフレームのインナーリード126と共にイ
ンサートされる。このキャビティ124には、リードフ
レーム102の下面側に形成された溶融樹脂通路106
の樹脂流入ゲート108から溶融樹脂が導入される。キ
ャビティ124内に導入された溶融樹脂は、リードフレ
ーム102のインナーリード126間の間隙等からリー
ドフレーム102の上面側に流入し、半導体チップ10
4及びインナーリード126を封止するパッケージ部を
形成する。尚、キャビティ124内の空気は、溶融樹脂
がキャビティ124内に充填されるに伴い空気排出孔1
12・・を介して排出される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】図3に示す封止金型に
よれば、リードフレーム102に搭載された半導体チッ
プ104及びインナーリード126を封止するパッケー
ジ部を容易に形成することができる。ところで、最近、
半導体装置の薄型化が進行し、パッケージ部の厚さが1
mm以下の薄型半導体装置も要求されつつある。しかし
ながら、パッケージ部の厚さが1mm以下の薄型半導体
装置を図3に示す従来の金型で製造せんとすると、図4
に示す如く、パッケージ部120の半導体チップ104
上面に相当する部位に、樹脂が未充填である未充填部1
22が残留し易いことが判明した。そこで、本発明の目
的は、パッケージ部の厚さが1mm以下の薄型半導体装
置を製造する際にも、樹脂の未充填部が残留することな
く均斉なパッケージ部を形成できる封止金型及び封止方
法を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者は、前記目的を
達成すべく検討した結果、金型のキャビティ内に流入し
た溶融樹脂の一部をキャビティに設けられた樹脂流出ゲ
ートを介して樹脂溜まりに流出させることによって、キ
ャビティ内に溶融樹脂の流れを発生させてキャビティ内
に残留している気泡等をキャビティ外に排出でき、均斉
なパッケージ部を形成できることを見い出し、本発明に
到達した。即ち、本発明は、リードフレームに搭載され
た半導体チップがインサートされた金型内のキャビティ
内に樹脂流入ゲートを介して溶融樹脂を導入し、前記半
導体チップ及びリードフレームの一部分を封止するパッ
ケージ部を形成する封止金型において、該樹脂流入ゲー
トの在る位置と異なる位置に、前記キャビティに流入し
た溶融樹脂の一部がキャビティから流出する樹脂流出ゲ
ートが設けられ、且つ前記樹脂流出ゲートを介して流出
した溶融樹脂を溜める樹脂溜まりが設けられていること
を特徴とする封止金型にある。また、本発明は、リード
フレームに搭載された半導体チップがインサートされた
金型内のキャビティ内に樹脂流入ゲートを介して溶融樹
脂を導入し、前記半導体チップ及びリードフレームの一
部分を封止するパッケージ部を形成する際に、該樹脂流
入ゲートの在る位置と異なる位置に設けた樹脂流出ゲー
トを介してキャビティに流入した溶融樹脂の一部を樹脂
溜まりに流出させることを特徴とする封止方法にもあ
る。かかる本発明は、パッケージ部の厚さが1mm以下
である薄型半導体装置を製造する際に、好適に適用する
ことができる。
【0006】
【作用】従来の図3に示す金型を用いて薄型半導体装置
を製造する場合、キャビティ124内にインサートされ
た半導体チップ104の上面とキャビティ壁面との間隔
が、半導体チップ104の側面又はリードフレーム10
2の下面とキャビティ壁面との間隔に比較して著しく狭
くなる。このため、樹脂流入ゲート108からキャビテ
ィ124内に流入した溶融樹脂は、比較的間隔の広い半
導体チップ104の側面側から半導体チップ104を囲
むように充填される。従って、最狭間隙となる半導体チ
ップ104の上面側への樹脂の充填が最後となるため、
半導体チップ104上面側の気泡等がキャビティ124
内に残留し、得られるパッケージ部に樹脂の未充填部が
できる。この点、本発明によれば、キャビティ内に流入
した溶融樹脂の一部をキャビティ内への樹脂流入ゲート
と別位置に設けた樹脂流出ゲートを介して樹脂溜まりに
流出させるため、キャビティ内に溶融樹脂の流れを発生
させることができる。このため、最狭間隙となる半導体
チップの上面とキャビティ壁面との間隔にも溶融樹脂の
流れができ、前記間隔に残留する気泡等をキャビティ内
から樹脂溜まりに排出することができる結果、均斉なパ
ッケージ部を形成できるのである。
【0007】
【実施例】本発明を図面を用いて更に詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施例を示す部分断面図であり、上
型10と下型20とから成る金型内にキャビティ16が
形成されている。このキャビティ16内には、リードフ
レーム12に搭載された半導体チップ14がリードフレ
ーム12のインナーリード24と共にインサートされ
る。キャビティ16には、溶融樹脂導入路18に設けら
れた樹脂流入ゲート22を介して溶融樹脂が流入し、樹
脂流入ゲート22に対して対角となる位置に設けられた
樹脂流出ゲート26からキャビティ16内に流入した溶
融樹脂の一部が流出する。樹脂流出ゲート26から流出
した溶融樹脂は、溶融樹脂流出路28を介して樹脂溜ま
り30に溜められる。樹脂溜まり30は、キャビティ1
6から流出する溶融樹脂を充分に溜められる大きさであ
り、且つ図2に示す様に、樹脂溜まり30に溜められる
溶融樹脂とリードフレーム12のアウターリード34と
の接触を避けることのできる位置に設けられている。ア
ウターリード34に樹脂が付着すると、得られた半導体
装置を回路基板等に実装したとき、回路基板等の端子と
アウターリード34との接触不良発生のおそれがあるた
めである。尚、キャビティ16及び樹脂溜まり30の空
気を迅速に排出できるように、複数の空気排出孔32が
キャビティ16及び樹脂溜まり30の周囲に設けられて
いる。
【0008】図1〜図2に示す本実施例の封止金型によ
れば、半導体チップ14が搭載されたリードフレーム1
2を、上型10と下型20とを型閉じして形成されるキ
ャビティ16内に半導体チップ14及びリードフレーム
12のインナーリード24がインサートされる様に、型
開きされた下型20上に載置する。次いで、上型10と
下型20とを型閉じし、溶融樹脂導入路18から樹脂流
入ゲートを介して溶融樹脂をキャビティ16内に流入さ
せる。キャビティ16内に流入した溶融樹脂は、キャビ
ティ16の壁面と半導体チップ14との間隔を充填しつ
つ溶融樹脂の一部は樹脂流出ゲート26から流出し、溶
融樹脂流出路28を介して樹脂溜まり30に溜められ
る。この際の樹脂の充填は、キャビティ16の壁面との
間隔が比較的広い半導体チップ14の側面側からなさ
れ、最狭間隔である半導体チップ14への上面側の充填
が最後となる。本実施例においては、キャビティ16に
流入した溶融樹脂の一部を樹脂流出ゲート26から流出
させてキャビティ16内に樹脂の流れを発生させるた
め、最狭間隔である半導体チップ14への上面側にも溶
融樹脂の流れができ、半導体チップ14への上面側に残
留していた気泡38等も樹脂の流れと共に樹脂溜まり3
0に排出される。このため、半導体チップ14への上面
側も樹脂で完全に充填され、図2に示す様に、均斉なパ
ッケージ部36が形成されるのである。この様にパッケ
ージ部36が形成する樹脂が固化された後、上型10と
下型20とを型開して半導体装置を取り出す。取り出さ
れた半導体装置には、溶融樹脂導入路18、溶融樹脂流
出路28、及び樹脂溜まり30に充填されて固化した樹
脂が付着しているが、これらは樹脂流入ゲート22及び
樹脂流出ゲート26の部分で容易に切断することがで
き、半導体装置から容易に切り離すことができる。図1
〜図2に示す金型によれば、半導体チップ14の上面と
キャビティ壁面との間隔が極めて狭くなる、パッケージ
部36の厚さが1mm以下の薄型半導体装置を製造する
際に、均斉なパッケージ部36を形成することができ
る。
【0009】以上、述べてきた本実施例においては、樹
脂流入ゲート及び樹脂流出ゲートを各々一箇所に設けた
が、複数個の樹脂流入ゲートを設けてもよく、複数個の
樹脂流出ゲートを設けてもよい。また、金型内に複数個
のキャビティを設け、複数個の半導体チップの封止を同
時に行う多数個取り金型を採用してもよい。その際に、
キャビティごとに樹脂溜まりを設けてもよく、複数個の
キャビティと溶融樹脂流出路で連結された樹脂溜まりを
設けてもよい。更に、本実施例においては、樹脂流入ゲ
ートと樹脂流出ゲートとをリードフレームの下面側に設
けたが、各ゲートをリードフレームの上面側と下面側と
の異なる面に設けてもよい(例えば、リードフレームの
上面側に樹脂流入ゲートを設け、リードフレームの下面
側に樹脂流出ゲートを設ける)。
【0010】
【発明の効果】本発明によれば、パッケージ部が1mm
以下の薄型半導体装置を製造する際に、樹脂の未充填部
等がなく均斉なパッケージ部を容易に形成することがで
き、半導体装置の製造効率を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す部分断面図である。
【図2】図1の金型によって成形されたパッケージ部の
状態を説明するための説明図である。
【図3】従来の金型を示す部分断面図である。
【図4】図3の金型によって成形されたパッケージ部の
状態を説明するための説明図である。
【符号の説明】
10 上型 12 リードフレーム 14 半導体チップ 16 キャビティ 20 上型 22 樹脂流入ゲート 26 樹脂流出ゲート 30 樹脂溜まり 36 パッケージ部

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 リードフレームに搭載された半導体チッ
    プがインサートされた金型内のキャビティ内に樹脂流入
    ゲートを介して溶融樹脂を導入し、前記半導体チップ及
    びリードフレームの一部分を封止するパッケージ部を形
    成する封止金型において、 該樹脂流入ゲートの在る位置と異なる位置に、前記キャ
    ビティに流入した溶融樹脂の一部がキャビティから流出
    する樹脂流出ゲートが設けられ、 且つ前記樹脂流出ゲートを介して流出した溶融樹脂を溜
    める樹脂溜まりが設けられていることを特徴とする封止
    金型。
  2. 【請求項2】 パッケージ部の厚さが1mm以下である
    請求項1記載の封止金型。
  3. 【請求項3】 リードフレームに搭載された半導体チッ
    プがインサートされた金型内のキャビティ内に、溶融樹
    脂導入路の樹脂流入ゲートを介して溶融樹脂を導入し、
    前記半導体チップ及びリードフレームの一部分を封止す
    るパッケージ部を形成する際に、 該樹脂流入ゲートの在る位置と異なる位置に設けた樹脂
    流出ゲートを介してキャビティに流入した溶融樹脂の一
    部を樹脂溜まりに流出させることを特徴とする封止方
    法。
  4. 【請求項4】 パッケージ部の厚さが1mm以下である
    請求項3記載の封止方法。
JP3216407A 1991-08-01 1991-08-01 封止金型及び封止方法 Pending JPH0536745A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020057740A (ja) * 2018-10-04 2020-04-09 トヨタ自動車株式会社 半導体装置の製造方法
US11164812B2 (en) 2019-04-26 2021-11-02 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020057740A (ja) * 2018-10-04 2020-04-09 トヨタ自動車株式会社 半導体装置の製造方法
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