JP6001472B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
近年、複数の半導体素子の上下面に金属板を電気的・熱的に接続し、樹脂封止した半導体装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。このような半導体装置の一例としては、絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ(IGBT)やダイオード等の半導体素子が縦横に配列された半導体装置を挙げることができる。
IGBTは、バイポーラトランジスタのベースを電界効果トランジスタ(FET)のゲートで置換したものであり、電流駆動方式であるバイポーラトランジスタの高速性や耐電力性と、電圧駆動方式である電界効果トランジスタの省電力性を兼備しているため、上記のような半導体装置は、スイッチング動作を行うパワー半導体装置として用いることができる。
特開2007−73743号公報
ところで、上記のような半導体装置の製造工程において、半導体素子等を樹脂封止する際には、例えば、金型から樹脂を注入するゲートの位置を、最外列において隣接する半導体素子の間に設定する。
この場合、最外列において隣接する半導体素子間の中央部分から流れ込む樹脂の流れと、最外列において隣接する各々の半導体素子の外側から流れ込む樹脂の流れが存在し、両者は最外列において隣接する半導体素子と、その内側に配列された半導体素子との間の部分で合流する。合流する部分の上下は金属板で挟まれているため、空気の逃げ場がなくなり、ボイドが発生する問題が生じる。
このような問題は、複数の半導体素子が縦横に配列された半導体装置のみならず、例えば、2つの半導体装置を配列した半導体装置においても発生する。
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、ボイドの発生を抑制可能な半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
本半導体装置の製造方法は、平面上の第1の方向に配列された複数の半導体素子と、前記複数の半導体素子を封止する封止樹脂と、前記複数の半導体素子と電気的に接続され、前記平面に垂直な方向から視て、前記封止樹脂の所定の面から前記第1の方向と直交する方向に突出する部分を備えた複数の端子と、前記平面に垂直な方向から視て、前記所定の面から突出する端子間であって、かつ、前記複数の半導体素子のうちの何れか一の半導体素子と対向する位置に設けられた、前記所定の面から前記一の半導体素子側に窪んだ形状の凹部と、を有する半導体装置の製造方法であって、前記封止樹脂は、前記凹部の位置から樹脂を注入して形成される
開示の技術によれば、ボイドの発生を抑制可能な半導体装置の製造方法を提供できる。
第1の実施の形態に係る半導体装置の回路構成を例示する図である。 第1の実施の形態に係る半導体装置を例示する斜視図である。 第1の実施の形態に係る半導体装置を例示する図2のA−A線に沿う断面図である。 第1の実施の形態に係る半導体装置を例示する図2のB−B線に沿う断面図である。 第1の実施の形態に係る半導体装置の内部構造を例示する平面図である。 第1の実施の形態に係る半導体装置において凹部を設ける位置を説明するための平面図である。 一般的な樹脂の流れについて説明するための平面図(比較例)である。 第1の実施の形態に係る半導体装置の製造工程において、溶解した樹脂を金型に流入させてモールド成形を行う際の樹脂流動解析結果を例示する図である。 第1の実施の形態の変形例1に係る半導体装置の製造工程において、溶解した樹脂を金型に流入させてモールド成形を行う際の樹脂流動解析結果を例示する図(その1)である。 第1の実施の形態の変形例1に係る半導体装置の製造工程において、溶解した樹脂を金型に流入させてモールド成形を行う際の樹脂流動解析結果を例示する図(その2)である。 第1の実施の形態の変形例2に係る半導体装置の内部構造を例示する平面図(その1)である。 第1の実施の形態の変形例2に係る半導体装置の内部構造を例示する平面図(その2)である。
以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
〈第1の実施の形態〉
第1の実施の形態に係る半導体装置は、複数の半導体素子が配列されたものであれば、例えば、2つの半導体素子が配列された形態や、4つの半導体素子が縦横に配列された形態や、更に多くの半導体素子が縦横に配列された形態等のどのような形態でもよいが、
ここでは、4つの半導体素子(2つのIGBT及び2つのダイオード)が縦横に配列された半導体装置を例にして以下の説明を行う。
まず、第1の実施の形態に係る半導体装置の回路構成について説明する。図1は、第1の実施の形態に係る半導体装置の回路構成を例示する図である。図1を参照するに、第1の実施の形態に係る半導体装置1は、IGBT10及び20並びにダイオード31及び32を有するインバータ回路である。
半導体装置1において、IGBT10は、コレクタ電極11と、エミッタ電極12と、ゲート電極13とを有する。又、IGBT20は、コレクタ電極21と、エミッタ電極22と、ゲート電極23とを有する。
IGBT10のコレクタ電極11は、ダイオード31のカソード及び高位側電源端子41aと電気的に接続されている。IGBT10のエミッタ電極12は、ダイオード31のアノードと電気的に接続されている。つまり、ダイオード31は、IGBT10と逆並列に接続されている。IGBT10のゲート電極13は、制御電極端子46のうちの少なくとも1つと電気的に接続されている。
IGBT20のエミッタ電極22は、ダイオード32のアノード及び低位側電源端子42aと電気的に接続されている。IGBT20のコレクタ電極21は、ダイオード32のカソードと電気的に接続されている。つまり、ダイオード32は、IGBT20と逆並列に接続されている。IGBT20のゲート電極13は、制御電極端子47のうちの少なくとも1つと電気的に接続されている。
又、IGBT10のエミッタ電極12はIGBT20のコレクタ電極21と電気的に接続され、更に出力端子43aと電気的に接続されている。
次に、第1の実施の形態に係る半導体装置の構造について説明する。図2は、第1の実施の形態に係る半導体装置を例示する斜視図である。図3は、第1の実施の形態に係る半導体装置を例示する図2のA−A線に沿う断面図である。図4は、第1の実施の形態に係る半導体装置を例示する図2のB−B線に沿う断面図である。図5は、第1の実施の形態に係る半導体装置の内部構造を例示する平面図である。
なお、本願では、半導体装置1において、金属板44及び45が露出する面を上面、金属板41及び43が露出する面を下面とする。又、高位側電源端子41a、低位側電源端子42a、及び出力端子43aが突出する面を正面とする。又、吊りリード端子41b、吊りリード端子43b、制御電極端子46、及び制御電極端子47が突出する面を背面とする。又、その他の面を側面とする。
図2〜図5を参照するに、半導体装置1において、高位側電源端子41a及び吊りリード端子41bを含む金属板41、低位側電源端子42aを含む金属板42、並びに出力端子43a及び吊りリード端子43bを含む金属板43が、長手方向が略同一方向(Y方向)を向くように、所定の間隔を開けて並設されている。
又、複数の金属製のリード端子が、長手方向を金属板41の長手方向と略同一方向(Y方向)を向くように所定の間隔を開けて並設された制御電極端子46が設けられている。又、複数の金属製のリード端子が、長手方向を金属板43の長手方向と略同一方向(Y方向)を向くように所定の間隔を開けて並設された制御電極端子47が設けられている。
金属板41、42、及び43、並びに、制御電極端子46及び47の材料としては、各々、例えば、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、アルミニウム(Al)等を用いることができる。金属板41、42、及び43、並びに、制御電極端子46及び47の各々の表面に銀(Ag)や金(Au)等のめっき処理を施してもよい。
金属板41の上面には、コレクタ電極11が錫系のはんだ等の導電性の接合材(図示せず)を介して金属板41と導通するように、IGBT10が実装されている。なお、コレクタ電極11はP型であるため、コレクタ電極11と接続される金属板41をP側と称する場合がある。又、金属板41の上面には、カソードが錫系のはんだ等の導電性の接合材(図示せず)を介して金属板41と導通するように、ダイオード31が実装されている。IGBT10及びダイオード31は、金属板41の長手方向(Y方向)に配列されている。
金属板43の上面には、コレクタ電極21が錫系のはんだ等の導電性の接合材(図示せず)を介して金属板43と導通するように、IGBT20が実装されている。又、金属板43の上面には、カソードが錫系のはんだ等の導電性の接合材(図示せず)を介して金属板43と導通するように、ダイオード32が実装されている。IGBT20及びダイオード32は、金属板43の長手方向(Y方向)に配列されている。
金属板41のIGBT10及びダイオード31を実装する部分の厚さ(高位側電源端子41a及び吊りリード端子41bを除く部分の厚さ)は、例えば、2〜3mm程度とすることができる。金属板43のIGBT20及びダイオード32を実装する部分の厚さ(出力端子43a及び吊りリード端子43bを除く部分の厚さ)は、例えば、2〜3mm程度とすることができる。金属板41のIGBT10及びダイオード31を実装する部分の厚さと、金属板43のIGBT20及びダイオード32を実装する部分の厚さとを、略同一の厚さとしてもよい。
金属板41の高位側電源端子41a及び吊りリード端子41bの厚さは、金属板41のIGBT10及びダイオード31を実装する部分の厚さよりも薄くてもよく、例えば、0.5mm程度とすることができる。金属板43の出力端子43a及び吊りリード端子43bの厚さは、金属板43のIGBT20及びダイオード32を実装する部分の厚さよりも薄くてもよく、例えば、0.5mm程度とすることができる。
IGBT10及びダイオード31上には、導電性のスペーサ61及び錫系のはんだ等の導電性の接合材(図示せず)を介して、IGBT10のエミッタ電極12及びダイオード31のアノードと導通するように、金属板44が配置されている。金属板44は、錫系のはんだ等の導電性の接合材(図示せず)を介して、金属板43と電気的に接続されている。
IGBT20及びダイオード32上には、導電性のスペーサ62及び錫系のはんだ等の導電性の接合材(図示せず)を介して、IGBT20のエミッタ電極22及びダイオード32のアノードと導通するように、金属板45が配置されている。金属板45は、錫系のはんだ等の導電性の接合材(図示せず)を介して、金属板42と電気的に接続されている。なお、エミッタ電極22はN型であるため、エミッタ電極22と接続される金属板42をN側と称する場合がある。
金属板44の厚さは、例えば、2〜3mm程度とすることができる。金属板45の厚さは、例えば、2〜3mm程度とすることができる。金属板44と金属板45とを、略同一の厚さとしてもよい。金属板44及び45の材料としては、例えば、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、アルミニウム(Al)等を用いることができる。金属板44及び45の表面に銀(Ag)や金(Au)等のめっき処理を施してもよい。
制御電極端子46を構成する各金属製のリード端子は、ボンディングワイヤを介して、IGBT10のゲート電極13や温度センサ(図示せず)等と電気的に接続されている。制御電極端子47を構成する各金属製のリード端子は、ボンディングワイヤを介して、IGBT20のゲート電極23や温度センサ(図示せず)等と電気的に接続されている。制御電極端子46及び47を構成する各金属製のリード端子の厚さは、例えば、0.5mm程度とすることができる。ボンディングワイヤとしては、例えば、金線や銅線等の金属線を用いることができる。
IGBT10及び20、ダイオード31及び32、金属板41〜45、制御電極端子46及び47、並びにボンディングワイヤは、封止樹脂50により封止されている。但し、金属板41及び43の下面の少なくとも一部は、封止樹脂50の下面から露出している。又、金属板44及び45の上面の少なくとも一部は、封止樹脂50の上面から露出している。
又、金属板41の高位側電源端子41a、金属板42の低位側電源端子42a、及び金属板43の出力端子43aの各々の少なくとも一部は、封止樹脂50の正面から突出している。又、金属板41の端部に形成された吊りリード端子41b、金属板43の端部に形成された吊りリード端子43b、制御電極端子46、及び制御電極端子47の各々の少なくとも一部は、封止樹脂50の背面から突出している。
IGBT10とIGBT20が配列されている第1の方向(略X方向)と、吊りリード端子41b及び43b並びに制御電極端子46及び47が突出する第2の方向(略Y方向)とは、直交している。但し、本願における直交は、厳密な意味での直交ではなく、おおよそ直交していることを意味する。例えば、製造上のばらつき等により第1の方向と第2の方向とが90度から10数度程度ずれた場合も直交に含めるものとする。
封止樹脂50の材料としては、例えば、フィラーを含有したエポキシ系樹脂等を用いることができる。封止樹脂50の厚さは、例えば、5mm程度とすることができる。
金属板41〜45の封止樹脂50から露出する部分は、IGBT10及び20等が発する熱の外部への放出に寄与することができる。金属板41〜45は、例えば、リードフレームから作製できる。なお、吊りリード端子41b及び43bは、金属板41及び43をリードフレームから作製する際にはリードフレームの本体(図示せず)と接続されており、封止樹脂50で封止後にリードフレームの本体(図示せず)から切断された部分である。
封止樹脂50には、平面視において、背面から背面と対向するIGBT10の一辺側に窪んだ形状の凹部51、及び背面から背面と対向するIGBT20の一辺側に窪んだ形状の凹部52が形成されている。凹部51及び52の幅(X方向)は、例えば、2〜3mm程度とすることができる。凹部51及び52の窪み量(Y方向)は、例えば、5mm程度とすることができる。なお、本願において、平面視とは、図2等のZ方向(複数の半導体素子が配列された平面に垂直な方向)から視ることをいう。
凹部51及び52の長手方向は、金属板41〜43の長手方向(Y方向)、並びに制御電極端子46及び47を構成する複数の金属製のリード端子の長手方向と略同一方向とされている。なお、第1の実施の形態では、凹部51及び52の平面形状は、長手方向をY方向とする矩形状であるが、これには限定されず、例えば、長手方向をY方向とする半楕円形状や、長手方向をY方向とする半多角形状(半八角形状等)としても構わない。
なお、便宜上、図5等において、金属板41及び43の上側の封止樹脂50に関しては、各半導体素子の側面部を囲む部分のみを図示している。
図6は、第1の実施の形態に係る半導体装置において凹部を設ける位置を説明するための平面図である。凹部51は、平面視において、封止樹脂50の背面から突出する端子間であって、かつ、封止樹脂50の背面側の最外列に配置された半導体素子の一辺と対向する位置(図6のDの範囲内)に設けられている。
同様に、凹部52は、平面視において、封止樹脂50の背面から突出する端子間であって、かつ、封止樹脂50の背面側の最外列に配置された半導体素子の一辺と対向する位置(図6のEの範囲内)に設けられている。なお、本実施の形態において、封止樹脂50の背面側の最外列に配置された半導体素子は、IGBT10及び20である。
凹部51及び52の何れか一方は、封止樹脂50となる樹脂を充填する際のゲート(樹脂注入口)の位置に設けられている。つまり、封止樹脂50を形成する際に使用する金型には、凹部51及び52の何れか一方の位置に凸型のゲートが形成されており、凸型のゲートから樹脂が注入されて、封止樹脂50が形成される。そして、凸型のゲートの位置に凹部51及び52の何れか一方が形成される。なお、図5の例では、凹部52が凸型のゲートGの位置に設けられている。
凸型のゲートは、凹部51及び52の何れの位置にあってもよい。換言すれば、封止樹脂50を形成する樹脂は、凹部51及び52の何れかの位置から注入されればよい。従って、本実施の形態では、半導体装置1に凹部51及び52が形成されているが、半導体装置1には凸型のゲートの位置に少なくても1つの凹部が形成されていればよい。但し、半導体装置1に、凸型のゲートの位置に設けられた1つの凹部を含む3つ以上の凹部を形成してもよい。凹部を複数個設けることにより、半導体装置1の大型化をともなうことなく隣接する端子間の沿面距離を確保することが可能となり、絶縁性を高めることができる。
ここで、凸型のゲートの位置に設けられた1つの凹部を、平面視において、封止樹脂50の背面から突出する端子間であって、かつ、封止樹脂50の背面側の最外列に配置された半導体素子の一辺と対向する位置に設けることにより得られる特有の効果について説明する。
図7は、一般的な樹脂の流れについて説明するための平面図(比較例)である。図7において、リード端子やボンディングワイヤは図示が省略されており、金属板の形状は簡略化して図示されているが、図5等と同様に、図7の上側(ゲートG側)がリード端子が突出する背面側である。
図7のように、IGBT10及び20並びにダイオード31及び32が縦横に配列された半導体素子において、リード端子が突出する背面側のIGBT10とIGBT20との間の中央部分に配置されたゲートGから樹脂を注入する場合を考える。この場合、図7の矢印Hのように樹脂が流れる。
すなわち、ゲートGから注入された樹脂には、IGBT10とIGBT20との間の中央部分から流れ込む流れと、IGBT10及び20の外側から流れ込む流れが存在し、両者はIGBT10とダイオード31の間の部分及びIGBT20とダイオード32の間の部分で合流する。つまり、IGBT10とダイオード31の間の部分及びIGBT20とダイオード32の間の部分が合流部I(ウェルドライン)となる。
合流部I(ウェルドライン)では、ボイドや、樹脂と金属板との界面の剥離が発生し易くなる。特に、IGBTやダイオード等の半導体素子の上下に金属板を配置した両面放熱構造の場合には、半導体素子で挟まれた空間ではエアーが抜けないため、このような問題が発生し易くなる。
リード端子が突出する背面側と直交する側(側面側)であるIGBT10とダイオード31との間や、IGBT20とダイオード32との間にゲートGを配置することも考えられるが、この場合には、上記問題に加えて、樹脂のランナー部にリードフレームがないため、金型の型開き時に樹脂のランナーが折れる懸念が生じる。
又、ゲートGを図7とは反対の正面側に設けることも考えられるが、この場合には、ボンディングワイヤの部分が合流部(ウェルドライン)となり、ボンディングワイヤの倒れが発生するおそれがあり、好ましくない。
一方、本実施の形態のように、凸型のゲートの位置に設けられた1つの凹部を、平面視において、封止樹脂50の背面から突出する端子間であって、かつ、封止樹脂50の背面側の最外列に配置された半導体素子の一辺と対向する位置に設けることにより、樹脂の合流部(ウェルドライン)を半導体素子間ではなく、半導体素子の外側に持って行くことができる。
図8は、第1の実施の形態に係る半導体装置の製造工程において、溶解した樹脂を金型に流入させてモールド成形を行う際の樹脂流動解析結果を例示する図である。図8(a)に示すようにゲートGから注入された樹脂は、封止樹脂50の背面側の最外列に配置された半導体素子にぶつかることにより均一に流動し、図8(b)〜図8(d)に示すようにゲートGの対角に位置する角部(コーナ部)に向って流動する。そして、図8(e)に示すように、ゲートGの対角に位置する角部(コーナ部)が最終的な合流部Fとなる。
このとき、合流部Fにはエアーが抜けることを妨げる壁等が存在しないため、エアーを外側に押し出すことができ、エアーの巻き込みを抑制することができる。これにより、ボイドの発生や、樹脂と金属板との界面の剥離の発生を抑制することができ、耐久性が高く信頼性の高い半導体装置1を実現できる。
このように、第1の実施の形態では、凸型のゲートの位置に設けられた1つの凹部を、平面視において、封止樹脂の背面から突出する端子間であって、かつ、封止樹脂の背面側の最外列に配置された半導体素子の一辺と対向する位置に設ける。これにより、樹脂の合流部(ウェルドライン)を半導体素子間ではなく、半導体素子の外側(ゲートGの対角に位置する角部)に持って行くことが可能となる。その結果、ボイドの発生や、樹脂と金属板との界面の剥離の発生を抑制することが可能となり、耐久性が高く信頼性の高い半導体装置を実現できる。
又、封止樹脂の背面から突出する端子間に、封止樹脂の背面から半導体素子側に窪んだ形状の凹部を設けることにより、半導体装置の大型化をともなうことなく隣接する端子間の沿面距離を確保することが可能となり、絶縁性を高めることができる。
又、ボンディングワイヤの方向と略同一方向から樹脂が注入することにより、ボンディングワイヤの部分が合流部(ウェルドライン)とならないため、ボンディングワイヤの倒れが発生するおそれを低減できる。
なお、平面視において、封止樹脂50の高位側電源端子41aと低位側電源端子42aとの間の部分、及び低位側電源端子42aと出力端子43aとの間の部分にも凹部が形成されているが、これは隣接する端子間の沿面距離を確保することで絶縁性を高めるために設けられたものであり、樹脂の流動には影響しない。
〈第1の実施の形態の変形例1〉
第1の実施の形態の変形例1では、半導体素子の大きさ、及び、隣接する半導体素子の間隔により樹脂の流動が変化するか否かを検討する。なお、第1の実施の形態の変形例1において、既に説明した実施の形態と同一構成部についての説明は省略する。
図9は、第1の実施の形態の変形例1に係る半導体装置の製造工程において、溶解した樹脂を金型に流入させてモールド成形を行う際の樹脂流動解析結果を例示する図(その1)であり、半導体素子の大きさが中、隣接する半導体素子の間隔が中である場合の解析結果である。なお、前述の図8が、半導体素子の大きさが大、隣接する半導体素子の間隔が小である場合の解析結果である。
図9(a)に示すようにゲートGから注入された樹脂は、第1の実施の形態の場合と同様に、封止樹脂50の背面側の最外列に配置された半導体素子にぶつかることにより均一に流動し、図9(b)〜図9(d)に示すようにゲートGの対角に位置する角部(コーナ部)に向って流動する。そして、図9(e)に示すように、ゲートGの対角に位置する角部(コーナ部)が最終的な合流部Fとなる。その結果、第1の実施の形態と同様の効果を奏する。
図10は、第1の実施の形態の変形例1に係る半導体装置の製造工程において、溶解した樹脂を金型に流入させてモールド成形を行う際の樹脂流動解析結果を例示する図(その2)であり、半導体素子の大きさが小、隣接する半導体素子の間隔が大である場合の解析結果である。
図10(a)に示すようにゲートGから注入された樹脂は、第1の実施の形態の場合と同様に、封止樹脂50の背面側の最外列に配置された半導体素子にぶつかることにより均一に流動し、図10(b)〜図10(d)に示すようにゲートGの対角に位置する角部(コーナ部)に向って流動する。そして、図10(e)に示すように、ゲートGの対角に位置する角部(コーナ部)が最終的な合流部Fとなる。その結果、第1の実施の形態と同様の効果を奏する。
このように、第1の実施の形態の変形例1によれば、半導体素子の大きさや隣接する半導体素子の間隔の広狭にかかわらず、凸型のゲートの位置に設けられた1つの凹部を、平面視において、封止樹脂50の背面から突出する端子間であって、かつ、封止樹脂50の背面側の最外列に配置された半導体素子の一辺と対向する位置に設けることにより、第1の実施の形態と同様の効果を奏することが確認された。
〈第1の実施の形態の変形例2〉
第1の実施の形態の変形例2では、凹部51及び52を第1の実施の形態とは異なる位置に設ける例を示す。なお、第1の実施の形態の変形例2において、既に説明した実施の形態と同一構成部についての説明は省略する。
図11は、第1の実施の形態の変形例2に係る半導体装置の内部構造を例示する平面図(その1)である。図12は、第1の実施の形態の変形例2に係る半導体装置の内部構造を例示する平面図(その2)である。
前述のように、凹部51及び52は、平面視において、封止樹脂50の背面から突出する端子間であって、かつ、封止樹脂50の背面側の最外列に配置された半導体素子の一辺と対向する位置(図6のD又はEの範囲内)に設けることができる。第1の実施の形態では、凹部51を吊りリード端子41bと制御電極端子46のうちの1つとの間に設け、凹部52を吊りリード端子43bと制御電極端子47のうちの1つとの間に設けた。
しかし、図6のD又はEの範囲内であれば、図11や図12に示すように、凹部51を隣接する制御電極端子46の間に設け、凹部52を隣接する制御電極端子47の間に設けてもよい。この場合にも、第1の実施の形態や変形例1と同様の効果を奏する。
以上、好ましい実施の形態及びその変形例について詳説したが、上述した実施の形態及びその変形例に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態及びその変形例に種々の変形及び置換を加えることができる。
例えば、上記実施の形態では、複数の半導体素子(IGBT及びダイオード)が縦横に配列された半導体装置を例示したが、本発明は、IGBT及びダイオードが一体化された半導体素子が2つ配列された半導体装置等にも適用することができる。
1 半導体装置
10、20 IGBT
11、21 コレクタ電極
12、22 エミッタ電極
13、23 ゲート電極
31、32 ダイオード
41a 高位側電源端子
41b、43b 吊りリード端子
41、42、43、44、45 金属板
42a 低位側電源端子
43a 出力端子
46、47 制御電極端子
50 封止樹脂
51、52 凹部
61、62 スペーサ

Claims (6)

  1. 平面上の第1の方向に配列された複数の半導体素子と、
    前記複数の半導体素子を封止する封止樹脂と、
    前記複数の半導体素子と電気的に接続され、前記平面に垂直な方向から視て、前記封止樹脂の所定の面から前記第1の方向と直交する方向に突出する部分を備えた複数の端子と、
    前記平面に垂直な方向から視て、前記所定の面から突出する端子間であって、かつ、前記複数の半導体素子のうちの何れか一の半導体素子と対向する位置に設けられた、前記所定の面から前記一の半導体素子側に窪んだ形状の凹部と、を有する半導体装置の製造方法であって、
    前記封止樹脂は、前記凹部の位置から樹脂を注入して形成される半導体装置の製造方法
  2. 前記複数の半導体素子は、金属板上に実装されており、
    前記金属板の端部は、前記所定の面から突出して前記複数の端子の一部をなす請求項1記載の半導体装置の製造方法
  3. 前記複数の半導体素子の前記金属板と反対側の面上には、他の金属板が配置されている請求項2記載の半導体装置の製造方法
  4. 前記凹部の長手方向は、前記凹部に隣接する端子の長手方向と同一方向である請求項1乃至3の何れか一項記載の半導体装置の製造方法
  5. 前記封止樹脂内において、前記複数の端子の少なくとも一部は、金属線を介して、前記半導体素子に設けられた電極と電気的に接続されている請求項1乃至4の何れか一項記載の半導体装置の製造方法
  6. 前記凹部は複数個設けられている請求項1乃至5の何れか一項記載の半導体装置の製造方法
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