JP2022162192A - 半導体装置及びそれを用いた半導体モジュール - Google Patents

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Abstract

【課題】半導体装置が当接する絶縁部材の大型化を抑制した半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置１００は、板状に形成された放熱板５と、放熱板５の一方の面に接合された複数のスイッチング素子６と、放熱板５と離間した状態で、放熱板５から離れる方向に延出し、第一導電体（ボンディング部材のボンディングワイヤ７ａ及びボンディングワイヤ７ｂ）を介して、素子実装面５ａの側とは反対側の面に接続された第一端子４ｂと、複数のスイッチング素子６、放熱板５及び第一端子４ｂを封止するモールド樹脂１と、を備える。放熱板５の外周部には切欠きが設けられ、第一端子４ｂの放熱板５の側の部分が、放熱板５の一方の面に垂直な方向に見て、切欠きにより切り欠いている領域と重複し、放熱板５の他方の面の外周部に、内側に引っ込んだ引っ込み部が形成されている。【選択図】図２

Description

本願は、半導体装置及びそれを用いた半導体モジュールに関するものである。
電気自動車またはプラグインハイブリッド自動車のような電動車両には、高電圧バッテリーの電力を変換するための電力変換装置が設けられる。電力変換装置には、スイッチング動作にて電力を変換する半導体装置が用いられる。
半導体装置は、放熱性を有した金属板に接合された半導体スイッチング素子を備える。半導体スイッチング素子は、電力変換用のパワー回路を形成する主端子及びスイッチング制御を行う制御回路と接続される制御端子と、ＤＬＢ（Ｄｉｒｅｃｔ－Ｌｅａｄ－Ｂｏｎｄｉｎｇ）もしくはワイヤボンディング等の方法によって接続される。半導体スイッチング素子は樹脂またはゲル等の封止部材によって封止され、半導体スイッチング素子を取り囲んで封止部が形成される。同一の半導体スイッチング素子に対応した主端子及び制御端子が、封止部のひとつの突出面から突出すると共に突出面に沿って並んで配置されている半導体装置が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
開示された半導体装置では、半導体素子の裏面の主電極に接続された放熱板を介して、半導体素子の主電極と主端子とが電気的に接続されている。一方、半導体素子の制御電極には、ボンディングワイヤを介して制御端子が接続されている。これらの主端子及び制御端子が、封止部のひとつの突出面から突出するとともに、突出面に沿って並んで配置されている。
特開２０１５－１８５８３４号公報
上記特許文献１における半導体装置の構造では、放熱板は半導体素子の裏面の主電極に接続されているため、放熱板には電流が流れる。そのため、半導体装置は絶縁板などの絶縁部材を介して、冷却器に取り付けられる。絶縁板を介して半導体装置を冷却器に取り付けた場合、放熱板と冷却器との間に沿面距離を確保する必要があるため、半導体装置が当接する絶縁板が大型化するという課題があった。
そこで、本願は、半導体装置が当接する絶縁部材の大型化を抑制した半導体装置を得ること、及び大型化を抑制した半導体モジュールを得ることを目的とする。
本願に開示される半導体装置は、板状に形成された放熱板と、放熱板の一方の面に接合された複数のスイッチング素子と、放熱板と離間した状態で、放熱板から離れる方向に延出した端子であって、第一導電体を介して、複数のスイッチング素子における放熱板の側とは反対側の面と接続された第一端子と、複数のスイッチング素子、放熱板、及び第一端子を封止する封止部材とを備え、放熱板の外周部には、切欠きが設けられ、第一端子の放熱板の側の部分が、放熱板の一方の面に垂直な方向に見て、切欠きにより切り欠いている領域と重複し、放熱板の他方の面の外周部に、内側に引っ込んだ引っ込み部が形成されているものである。
本願に開示される半導体モジュールは、本願に開示された半導体装置と、引っ込み部を除いた放熱板の他方の面に当接した板状の絶縁部材と、を備えたものである。
本願に開示される半導体装置によれば、板状に形成された放熱板と、放熱板の一方の面に接合された複数のスイッチング素子とを備え、放熱板の他方の面の外周部に内側に引っ込んだ引っ込み部が形成されているため、半導体装置が絶縁板を介して冷却器に取り付けられる際の放熱板と冷却器との間の沿面距離における放熱板の側面の部分から絶縁板の側面までの水平距離を引っ込み部が形成されていない場合の水平距離よりも小さくすることができるので、半導体装置が当接する絶縁板の大型化を抑制することができる。
本願に開示される半導体モジュールによれば、本願に開示された半導体装置と、引っ込み部を除いた放熱板の他方の面に当接した板状の絶縁部材とを備えたため、絶縁板の大型化が抑制されるので、半導体モジュールの大型化を抑制することができる。
実施の形態１に係る半導体モジュールの外観を示す上面図である。 実施の形態１に係る半導体装置の構成の概略を示す平面図である。 実施の形態１に係る半導体装置の外観を示す側面図である。 実施の形態１に係る半導体装置の放熱板の概略を示す平面図である。 図２のＡ－Ａ断面位置で切断した半導体装置の概略を示す断面図である。 実施の形態１に係る半導体装置の放熱板の外観を示す斜視図である。 図２のＡ－Ａ断面位置で切断した半導体装置の要部の概略を示す断面図である。 比較例に係る半導体装置の要部を示す断面図である。 実施の形態２に係る半導体装置の放熱板の外観を示す斜視図である。 実施の形態３に係る半導体装置の放熱板の外観を示す斜視図である。 実施の形態３に係る半導体装置の放熱板の外観を示す側面図である。 実施の形態４に係る半導体装置の放熱板の外観を示す側面図である。 実施の形態４に係る半導体装置の別の放熱板の外観を示す側面図である。 実施の形態５に係る半導体装置の放熱板の外観を示す側面図である。 実施の形態６に係る半導体装置の放熱板の外観を示す側面図である 実施の形態７に係る半導体装置の外観を示す上面図である。 実施の形態７に係る半導体装置の構成の概略を示す平面図である。 実施の形態７に係る半導体装置の構成の概略を示す別の平面図である。 実施の形態７に係る半導体装置の構成の概略を示す別の平面図である。 実施の形態７に係る半導体装置の外観を示す側面図である。 実施の形態７に係る半導体装置の要部を示す側面図である。
以下、本願の実施の形態による半導体装置を図に基づいて説明する。なお、各図において同一、または相当部材、部位については同一符号を付して説明する。
実施の形態１．
図１は実施の形態１に係る半導体モジュール５００の外観を示す上面図、図２は半導体装置１００の構成の概略を示す平面図、図３は半導体装置１００の外観を示す側面図、図４は半導体装置１００の放熱板５の概略を示す平面図で、素子実装面５ａの側から見た図、図５は図２のＡ－Ａ断面位置で切断した半導体装置１００の概略を示す断面図で、引っ込み部５ｅを省略して示した図、図６は半導体装置１００の放熱板５の外観を示す斜視図で、素子実装面５ａとは反対側の冷却面５ｆの側から見た図、図７は図２のＡ－Ａ断面位置で切断した半導体装置１００と周囲の部材の概略を封止部材であるモールド樹脂１を取り除いて示す断面図で、特にＰ端子２と放熱板５の近傍を拡大して示した図、図８は比較例に係る半導体装置３００の要部を示す断面図で、図７と同等の部分を示す図ある。図２はモールド樹脂１を取り除いて示した図で、破線はモールド樹脂１の外形である。半導体装置１００は複数のスイッチング素子６を有し、スイッチング動作にて電力を変換する装置である。
＜半導体装置１００＞
半導体装置１００には、図１に示すように、主端子であるＰ端子２及びＮ端子３と制御端子４とがモールド樹脂１から外部に露出して設けられる。本実施の形態では、Ｐ端子２と制御端子４は同じモールド樹脂１の側面から外部に露出し、Ｎ端子３はＰ端子２と制御端子４が露出する側面とは反対側の側面から露出する。各端子の露出する側面はこれに限るものではない。これらの端子は、外部の機器と接続される端子である。本実施の形態では、半導体装置１００は３つの制御端子４を備える。３つの制御端子４は、第一端子であるゲート端子４ｂ、第二端子であるセンス端子４ｃ、及びセンスソース端子４ａである。モールド樹脂１は直方体状に設けられるが、モールド樹脂１の形状はこれに限るものではない。各端子は、図３に示すように、モールド樹脂１の側面の同じ高さから露出している。なお、各端子を設ける高さは、接続される外部の機器の端子配置等に応じて異なる高さに設けても構わない。
半導体装置１００は、図２に示すように、板状に形成された放熱板５、放熱板５の一方の面である素子実装面５ａに接合された複数のスイッチング素子６、Ｐ端子２、Ｎ端子３、制御端子４、及び複数のスイッチング素子６と放熱板５とＰ端子２とＮ端子３と制御端子４とを封止するモールド樹脂１を備える。本実施の形態では、半導体装置１００はトランスファーモールド成型されたものであるがこれに限るものではなく、ゲル等の封止部材を用いても構わない。ゲルを用いて封止する場合、例えばスイッチング素子６等を収めた樹脂ケースにゲルが注入される構成となる。
図４に示した放熱板５は、熱伝導性に優れると共に、電気伝導性を備えた銅またはアルミニウム等の金属から矩形状に作製される。放熱板５は、例えば銅製のヒートスプレッダである。放熱板５の材質及び形状はこれに限るものでない。放熱板５は、銅製のベース板に金属箔がロウ付けなどで接合された絶縁材であるセラミクス絶縁基板を接合したＤＢＣ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｂｏｎｄｅｄ Ｃｏｐｐｅｒ）基板等、その他の基板材料で作製されても構わない。放熱板５とスイッチング素子６とは、例えばはんだにより電気的かつ熱的に接合される。放熱板５とスイッチング素子６との接合ははんだに限るものではなく、高熱伝導で低電気抵抗な特性を備えた材料であればよく、例えば銀を主成分としたペースト材であっても構わない。スイッチング素子６で生じた熱は放熱板５を介して外部に拡散されるので、スイッチング素子６は効果的に冷却される。放熱板５が有した切欠き５ｂ及び引っ込み部５ｅ（図４において図示せず）については後述する。
スイッチング素子６は４つのスイッチング素子６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄを備える。スイッチング素子６には、ＭＯＳＦＥＴ（金属酸化膜型電界効果トランジスタ、Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ、Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）などの電力制御用半導体素子、もしくは還流ダイオードなどが用いられる。スイッチング素子６はこれらに限るものではなく、バイポーラトランジスタなどのその他のスイッチング素子でも構わない。本実施の形態では、ＭＯＳＦＥＴを用いてＭＯＳＦＥＴの寄生ダイオードを還流ダイオードとして使用した構成とするが、ＩＧＢＴ等の寄生ダイオードを有さないスイッチング素子を用いる場合などにおいて還流ダイオードを並列で付与する構成としても構わない。スイッチング素子６は、炭化ケイ素、シリコン、もしくは窒化ガリウムなどの材料からなる半導体基板に形成される。
半導体装置１００は、図２に示すように、放熱板５の素子実装面５ａおいて切欠き５ｂに隣接して配置されたセンス素子８を備える。センス素子８は、放熱板５を介してスイッチング素子６の周辺の温度を測定する素子である。センス素子８がスイッチング素子６の周辺の温度を測定することで、スイッチング素子６の温度上昇を抑制することができる。センス素子８は、例えばサーミスタである。センス素子８は、センス端子４ｃ及びセンスソース端子４ａと第二導電体であるボンディング部材のボンディングワイヤ７ｃを介して接続される。
＜端子＞
Ｐ端子２、Ｎ端子３、及び制御端子４の各端子は、電気伝導性を備えた銅またはアルミニウム等の金属から作製される。Ｐ端子２は一方の側が放熱板５の素子実装面５ａに接合され、他方の側がモールド樹脂１の外部に露出して外部で他の機器と接続される。Ｎ端子３は一方の側がスイッチング素子６における放熱板５の側とは反対側の面に設けられた電極に接合され、他方の側がモールド樹脂１の外部に露出して外部で他の機器と接続される。センスソース端子４ａは、Ｎ端子３の本体部分からＮ端子３が外部に露出した部分とは反対側に延出したＮ端子３の延出部分である。センスソース端子４ａはＮ端子３と同電位である。本実施の形態ではセンスソース端子４ａとＮ端子３とは一体化されているが、センスソース端子４ａとＮ端子３とを別に設けてボンディングワイヤ等で双方を接続する構成でも構わない。また、本実施の形態のＰ端子２及びＮ端子３のモールド樹脂１の外部に露出する部分が同じ高さになるように、Ｐ端子２及びＮ端子３のモールド樹脂１の内部で接続される部分は、図５に示すように、接続される側にへこませて設けられる。
ゲート端子４ｂは、放熱板５と離間した状態で、放熱板５から離れる方向に延出した端子であって、第一導電体であるボンディング部材のボンディングワイヤ７ａ及びボンディングワイヤ７ｂを介して、複数のスイッチング素子６における放熱板５の側とは反対側の面と接続される。スイッチング素子６の接続される部分は、スイッチング素子６のそれぞれが有したゲート電極９である。センス端子４ｃは、放熱板５と離間した状態で、放熱板５から離れる方向に延出した端子であって、ボンディングワイヤ７ｃを介してセンス素子８と接続される。ボンディングワイヤ７ａ、７ｂ、７ｃは例えばアルミ製にワイヤであるがこれに限るものではなく、銅製リボンなどその他の導電体でも構わない。第一導電体及び第二導電体の一方または双方にボンディング部材を用いた場合、ＤＬＢと比較して導電体の断面積を小さく構成できるため、半導体装置１００を小型化することができる。
素子実装面５ａに接合されたＰ端子２は、放熱板５を介してスイッチング素子６の放熱板５の側の面に設けられた電極と接続される。Ｎ端子３は上述したようにスイッチング素子６の放熱板５の側とは反対側の面に設けられた電極と接続される。これらの接続により、スイッチング素子６のドレイン電極間とソース電極間は電気的に並列接続され、一組のアームが構成される。
＜半導体モジュール５００＞
半導体モジュール５００は、図１に示すように、半導体装置１００と、後述する引っ込み部５ｅを除いた放熱板５の他方の面に当接した板状の絶縁部材である絶縁板１５とを備える。絶縁板１５は、例えば樹脂で形成される。絶縁部材は絶縁板１５に限るものではなく、絶縁シートでも構わない。スイッチング素子６の冷却を促進させるために、半導体装置１００の他方の面である冷却面５ｆ（図１において図示せず）に冷却器が取り付けられる。放熱板５はスイッチング素子６の主電極に接続されているため、放熱板５には電流が流れる。そのため、半導体装置１００と絶縁板１５とから半導体モジュール５００が形成され、半導体装置１００は絶縁板１５を介して冷却器に取り付けられる。半導体装置１００と冷却器との間には、予め定めた沿面距離が設けられる。
＜切欠き５ｂ＞
放熱板５の外周部には、図４に示すように、切欠き５ｂが設けられる。切欠き５ｂは、放熱板５の外周から内部に向けて切り欠かれた部分である。切欠き５ｂは、放熱板５が図４に示した放熱板５である場合、図４において破線で囲まれた領域である。本実施の形態では切欠き５ｂを矩形状に設けているが、切欠き５ｂの形状はこれに限るものではなく、曲線で囲まれた部分であっても構わない。放熱板５をプレス加工で作製する場合、プレス加工時に切欠き５ｂを同時に形成することができる。放熱板５の作製後に、放熱板５の一部を切削加工等で削除して切欠き５ｂを形成しても構わない。
ゲート端子４ｂの放熱板５の側の部分が、図２に示すように、放熱板５の素子実装面５ａに垂直な方向に見て、切欠き５ｂにより切り欠いている領域と重複している。センス端子４ｃの放熱板５の側の部分が、放熱板５の素子実装面５ａに垂直な方向に見て、切欠き５ｂにより切り欠いている領域と重複している。
このように構成することで、切欠き５ｂを有さない放熱板の外周よりも内側にゲート端子４ｂ及びセンス端子４ｃを配置できるため、ゲート端子４ｂ及びセンス端子４ｃの延出する方向における半導体装置１００の大型化を抑制することができる。ワイヤボンディング工程において、ゲート端子４ｂ及びセンス端子４ｃは切欠き５ｂの領域で治具により支持できるため、放熱板５とゲート端子４ｂ及びセンス端子４ｃとの間を支持する必要はない。放熱板５とゲート端子４ｂ及びセンス端子４ｃとの間を支持する新たな支持部材をワイヤボンディング工程に用いる必要がないので、ワイヤボンディング工程を煩雑化させることはない。また、ゲート端子４ｂ及びセンス端子４ｃを素子実装面５ａと同一平面上に容易に配置することができる。また、切欠き５ｂを有さない放熱板の外周よりも内側にゲート端子４ｂが配置されるため、半導体装置１００の電流経路長は短縮されるので、半導体装置１００の回路インダクタンスの増大を抑制することができる。
また、切欠き５ｂの分だけ放熱板５の体積が削減され、切欠き５ｂの部分には放熱板５に用いる部材よりも密度の小さいモールド樹脂１が充填されるため、半導体装置１００を軽量化することができる。また、切欠き５ｂを設けることで、部材間の線膨張係数差に起因した反りを抑制することができる。また、モールド樹脂１と放熱板５との接触する面積が増加するため、モールド樹脂１と放熱板５との密着性を向上させることができる。
＜比較例＞
本願の要部である引っ込み部５ｅの説明に先立ち、図８を用いて比較例について説明する。図８は、図２のＡ－Ａ断面位置と同等の位置で切断した半導体装置３００と周囲の部材の概略を示す断面図で、特にＰ端子２と放熱板５１の近傍を拡大してモールド樹脂１を取り除いて示した図である。放熱板５１の素子実装面５１ａに接合されたスイッチング素子（図８において図示せず）で生じた熱は、放熱板５１を介して外部に拡散される。絶縁板１５を介して半導体装置３００を冷却器１４に取り付けた場合、放熱板５１と冷却器１４との間に沿面距離１６を確保する必要がある。沿面距離１６は図８に示した矢印の部分の距離であり、絶縁板１５に当接した放熱板５１の側面の部分から絶縁板１５の側面までの水平距離１６ａと絶縁板１５の厚みとを足し合わせた距離である。沿面距離１６を確保するために、半導体装置３００が当接する絶縁板１５が放熱板５１の側面から離れる方向に大型化すると共に、絶縁板１５を備えた半導体モジュール６００は大型化する。
＜引っ込み部５ｅ＞
放熱板５の冷却面５ｆの外周部に、図６に示すように、内側に引っ込んだ引っ込み部５ｅが形成されている。引っ込み部５ｅを形成することで、冷却面５ｆの端面は冷却面５ｆの内側に面積が縮小される。本実施の形態では、引っ込み部５ｅは冷却面５ｆの外周部に沿って面取りされた面取り部である。引っ込み部５ｅを形成することで、図７に示すように、沿面距離１６における水平距離１６ｂを、図８に示した引っ込み部５ｅを形成しない水平距離１６ａよりも小さくすることができる。水平距離１６ｂが小さくなるので、半導体装置１００が当接する絶縁板１５が放熱板５の側面から離れる方向に大型化することを抑制することができる。絶縁板１５の大型化が抑制されるので、絶縁板１５を備えた半導体モジュール６００の大型化を抑制することができる。
面取り部は、例えば放熱板５の冷却面５ｆの外周部を金型で押すことで形成される。本実施の形態では、引っ込み部５ｅとして面取り部を形成したが引っ込み部５ｅの形状はこれに限るものではない。面取り部で引っ込み部５ｅを形成することで、引っ込み部５ｅを容易に形成することができる。引っ込み部５ｅが容易に形成されるので、半導体装置１００の生産性を向上させることができる。
＜スイッチング素子６の配置＞
複数のスイッチング素子６は、図２に示すように、放熱板５の素子実装面５ａにおける切欠き５ｂを挟んだ両側の領域に、切欠き５ｂを挟んで一列に並べられている。本実施の形態では、複数のスイッチング素子６は、矩形状の放熱板５の長辺に沿って一列に並べられている。また、放熱板５の素子実装面５ａにおける切欠き５ｂを挟んだ一方側の領域にスイッチング素子６ａ、６ｂが配置され、他方側の領域にスイッチング素子６ｃ、６ｄが配置される。このように構成することで、スイッチング素子６は切欠き５ｂを挟んだ一方側の領域と他方側の領域に離間して配置されるため、異なる領域に配置されたスイッチング素子６からの熱干渉を受けにくくなる。異なる領域に配置されたスイッチング素子６からの熱干渉を受けにくくなるため、スイッチング素子６の放熱性を向上させることができる。
ゲート端子４ｂのボンディングワイヤ７ａ及びボンディングワイヤ７ｂと接続された部分とゲート電極９とは、放熱板５の素子実装面５ａに平行な方向に一列に並べられている。このように構成することで、複数のスイッチング素子６を近接して配置でき、ボンディングワイヤ７ａ及びボンディングワイヤ７ｂの長さを短縮することができる。ボンディングワイヤ７ａ及びボンディングワイヤ７ｂの長さを短縮することができるので、半導体装置１００の生産性を向上させることができる。
放熱板５の素子実装面５ａにおける切欠き５ｂを挟んだ一方側の領域及び他方側の領域のそれぞれにおいて、互いに隣接している２つのスイッチング素子６のそれぞれのゲート電極９の間が、ボンディングワイヤ７ａまたはボンディングワイヤ７ｂにより接続される。切欠き５ｂに隣接して配置された、一方側の領域の１つのスイッチング素子６ｂのゲート電極９とゲート端子４ｂとの間が、ボンディングワイヤ７ａにより接続されている。切欠き５ｂに隣接して配置された、他方側の領域の１つのスイッチング素子６ｃのゲート電極９とゲート端子４ｂとの間が、ボンディングワイヤ７ｂより接続されている。本実施の形態では、このようにステッチボンディングにより各々のゲート電極９がゲート端子４ｂと並列に接続された例を示している。ボンディングワイヤ７ａは、一方側の領域に配置されたスイッチング素子６ａ、６ｂとゲート端子４ｂとを接続するステッチ配線である。ボンディングワイヤ７ｂは、他方側の領域に対置されたスイッチング素子６ｃ、６ｄとゲート端子４ｂとを接続するステッチ配線である。
このように構成することで、複数のスイッチング素子６と接続されるゲート端子４ｂを切欠き５ｂの領域に複数のスイッチング素子６に近接して配置することができる。ゲート端子４ｂを切欠き５ｂの領域に複数のスイッチング素子６に近接して配置することができるので、半導体装置１００を小型化することができる。また、ボンディングワイヤ７ａ、７ｂは、スイッチング素子６が並べられた方向に沿ってほぼ直線的に延出し、低ループで短いワイヤの配置となるため、樹脂封止工程においてボンディングワイヤ７ａ、７ｂが変形して生じる短絡不良が起きにくく、半導体装置１００の生産性を向上させることができる。本実施の形態ではステッチボンディングにより各々のゲート電極９がゲート端子４ｂと並列に接続された例を示したがこれに限るものではなく、各々のゲート電極９とゲート端子４ｂとを異なるワイヤで接続しても構わない。
一方側の領域に配置されたスイッチング素子６ａ、６ｂと他方側の領域に配置されたスイッチング素子６ｃ、６ｄとは、放熱板５の素子実装面５ａに垂直な方向に見て、スイッチング素子６が並べられた方向と直行する第一基準線Ｘに対して線対称に配置される。このように構成することで、ボンディングワイヤ７ａ、７ｂが同等の長さになり、配線長に起因した制御信号のばらつきを抑制することができる。
本実施の形態では、一方側の領域と他方側の領域のそれぞれに２つのスイッチング素子６を配置したがスイッチング素子６の配置数はこれに限るものではなく、それぞれに１つ、あるいは３つ以上配置しても構わない。また、１アームあたり４つのスイッチング素子６を並列接続しているが、スイッチング素子６の並列数は４に限定されるものではない。また、複数のスイッチング素子６のそれぞれのゲート電極９は一つのゲート端子４ｂと接続されているが、複数のゲート端子４ｂを配置して、それぞれのゲート端子４ｂが何れかのゲート電極９と接続された構成でも構わない。
以上のように、実施の形態１による半導体装置１００において、板状に形成された放熱板５と離間した状態で、放熱板５から離れる方向に延出した端子であって、第一導電体を介して、複数のスイッチング素子６における放熱板５の側とは反対側の面と接続されたゲート端子４ｂを備え、放熱板５の外周部には切欠き５ｂが設けられ、ゲート端子４ｂの放熱板５の側の部分が、放熱板５の素子実装面５ａに垂直な方向に見て、切欠き５ｂにより切り欠いている領域と重複しているため、新たな支持部材をワイヤボンディング工程に用いずに、切欠き５ｂを有さない放熱板５の外周よりも内側にゲート端子４ｂを配置できるので、ワイヤボンディング工程を煩雑化させることなく、ゲート端子４ｂの延出する方向における半導体装置１００の大型化を抑制することができる。
放熱板５の冷却面５ｆの外周部に、内側に引っ込んだ引っ込み部５ｅが形成されているため、沿面距離１６における水平距離１６ｂを引っ込み部５ｅが形成されていない水平距離１６ａよりも小さくすることができるので、半導体装置１００が当接する絶縁板１５の大型化を抑制することができる。また、絶縁板１５の大型化が抑制されるので、絶縁板１５を備えた半導体モジュール６００の大型化を抑制することができる。引っ込み部５ｅが冷却面５ｆの外周部に沿って面取りされた面取り部である場合、引っ込み部５ｅを容易に形成することができる。引っ込み部５ｅが容易に形成されるので、半導体装置１００の生産性を向上させることができる。
実施の形態２．
実施の形態２に係る半導体装置１００について説明する。図９は実施の形態２に係る半導体装置１００の放熱板５の外観を示す斜視図で、素子実装面５ａとは反対側の冷却面５ｆの側から見た図である。実施の形態２に係る半導体装置１００は、引っ込み部５ｅの形成される部分が実施の形態１とは異なる構成になっている。
切欠き５ｂの部分を除いた放熱板５の冷却面５ｆの外周部に、引っ込み部５ｅが形成されている。引っ込み部５ｅは、冷却面５ｆの外周部に沿って面取りされた面取り部である。実施の形態１に係る放熱板５の形状では、モールド樹脂１で封止して半導体装置１００を形成する際に、特に切欠き５ｂの奥側に位置する部分（図９の破線で囲んだ部分）の引っ込み部５ｅ及び引っ込み部５ｅの周囲においてガスが溜まる場合があった。ガスが溜まることで、モールド樹脂１の流動性が阻害されるので、半導体装置１００にモールド樹脂１で封止されない箇所が生じる場合があった。
以上のように、実施の形態２による半導体装置１００において、切欠き５ｂの部分を除いた放熱板５の冷却面５ｆの外周部に引っ込み部５ｅが形成されているため、切欠き５ｂには引っ込み部５ｅが形成されておらず、モールド樹脂１で封止して半導体装置１００を形成する際に切欠き５ｂの引っ込み部５ｅ及び引っ込み部５ｅの周囲にガスが溜まらないので、モールド樹脂１の流動性を向上させることができる。モールド樹脂１の流動性が向上するので、半導体装置１００にモールド樹脂１で封止されない箇所が生じることを抑制することができる。
実施の形態３．
実施の形態３に係る半導体装置１００について説明する。図１０は実施の形態３に係る半導体装置１００の放熱板５の外観を示す斜視図で、素子実装面５ａとは反対側の冷却面５ｆの側から見た図、図１１は半導体装置１００の放熱板５の外観を示す側面図である。実施の形態３に係る半導体装置１００は、引っ込み部５ｅの形状が実施の形態２とは異なる構成になっている。
引っ込み部５ｅは、放熱板５の冷却面５ｆの外周部が放熱板５の素子実装面５ａの側に引っ込んだ段差により形成されている。切欠き５ｂの部分を除いた放熱板５の冷却面５ｆの外周部に、引っ込み部５ｅが形成されている。段差は、例えば放熱板５の冷却面５ｆの外周部を金型で押すことで形成される。実施の形態２に示した面取り部も、本実施の形態で示す段差も同じ製造方法で形成することができる。段差は金型の平面部分で冷却面５ｆの外周部に対して垂直に押すため、高い寸法精度で形成しやすい。一方、面取り部は金型の斜めの面で冷却面５ｆの外周部を押すため、寸法精度が低くなる傾向がある。
以上のように、実施の形態３による半導体装置１００において、引っ込み部５ｅが放熱板５の冷却面５ｆの外周部が放熱板５の素子実装面５ａの側に引っ込んだ段差により形成されているため、引っ込み部５ｅを高い寸法精度で形成することができる。引っ込み部５ｅが高い寸法精度で形成されるため、放熱板５と冷却器１４との間の沿面距離１６を安定して確保することができる。沿面距離１６が安定して確保されるので、半導体装置１００の信頼性を向上させることができる。
実施の形態４．
実施の形態４に係る半導体装置１００について説明する。図１２は実施の形態４に係る半導体装置１００の放熱板５の外観を示す斜視図で、素子実装面５ａの側から見た図である。実施の形態４に係る半導体装置１００は、切欠き５ｂの奥側に位置する放熱板５の部分の形状が実施の形態３とは異なる構成になっている。
切欠き５ｂの奥側に位置する放熱板５の部分である奥側部分において、奥側部分における放熱板５の素子実装面５ａに、内側に引っ込んだ奥側引っ込み部５ｇが形成されている。本実施の形態における奥側引っ込み部５ｇは、奥側部分における切欠き５ｂの側の面に形成された傾斜面により形成される。傾斜面は、放熱板５の冷却面５ｆから素子実装面５ａに向かうに従って、次第に切欠き５ｂの側から放熱板５の側に傾斜している。傾斜面の傾斜の角度は図１２に示した角度に限るものではなく、例えばさらに浅い角度であっても構わない。また、図１３の変形例に示すように、傾斜面が冷却面５ｆの側から形成されていなくても構わない。図１３は実施の形態４に係る半導体装置１００の別の放熱板５の外観を示す斜視図で、素子実装面５ａの側から見た図である。
以上のように、実施の形態４による半導体装置１００において、切欠き５ｂの奥側に位置する放熱板５の部分である奥側部分において、奥側部分における放熱板５の素子実装面５ａに、内側に引っ込んだ奥側引っ込み部５ｇが形成されているため、図１２に示す矢印の方向のモールド樹脂１の流動性を向上させることができる。奥側引っ込み部５ｇが奥側部分における切欠き５ｂの側の面に形成された傾斜面により形成され、傾斜面が放熱板５の冷却面５ｆから素子実装面５ａに向かうに従って次第に切欠き５ｂの側から放熱板５の側に傾斜している場合、モールド樹脂１は傾斜面に沿って流動するので図１２に示す矢印の方向のモールド樹脂１の流動性を向上させることができる。
実施の形態５．
実施の形態５に係る半導体装置１００について説明する。図１４は実施の形態５に係る半導体装置１００の放熱板５の外観を示す斜視図で、素子実装面５ａの側から見た図である。実施の形態５に係る半導体装置１００は、奥側引っ込み部５ｇの形状が実施の形態４とは異なる構成になっている。
奥側引っ込み部５ｇは、切欠き５ｂの奥側に位置する奥側部分における放熱板５の素子実装面５ａが放熱板５の冷却面５ｆの側に引っ込んだ段差により形成されている。段差は、放熱板５の切欠き５ｂの設けられた側面と切欠き５ｂの設けられた側面の反対側の側面を連通して設けられる。
以上のように、実施の形態５による半導体装置１００において、奥側引っ込み部５ｇが奥側部分における放熱板５の素子実装面５ａが放熱板５の冷却面５ｆの側に引っ込んだ段差により形成されているため、図１４に示す矢印の方向のモールド樹脂１を流動させる部分が拡大されるので、矢印の方向のモールド樹脂１の流動性をさらに向上させることができる。
実施の形態６．
実施の形態６に係る半導体装置１００について説明する。図１５は実施の形態６に係る半導体装置１００の放熱板５の外観を示す斜視図で、素子実装面５ａの側から見た図である。実施の形態６に係る半導体装置１００は、奥側引っ込み部５ｇの形状が実施の形態５とは異なる構成になっている。
奥側引っ込み部５ｇは、切欠き５ｂの奥側に位置する奥側部分における切欠き５ｂの側の面に形成された傾斜面により形成されると共に、奥側部分における放熱板５の素子実装面５ａが放熱板５の冷却面５ｆの側に引っ込んだ段差により形成されている。段差は、放熱板５の切欠き５ｂの設けられた側面と切欠き５ｂの設けられた側面の反対側の側面を連通して設けられる。
以上のように、実施の形態６による半導体装置１００において、奥側引っ込み部５ｇが傾斜面と段差により形成されているため、モールド樹脂１は傾斜面に沿って流動するので図１５に示す矢印の方向のモールド樹脂１の流動性を向上し、段差により図１５に示す矢印の方向のモールド樹脂１を流動させる部分が拡大されるので、矢印の方向のモールド樹脂１の流動性をさらに向上させることができる。
実施の形態７．
実施の形態７に係る半導体装置２００について説明する。図１６は実施の形態２に係る半導体装置２００の外観を示す上面図、図１７はモールド樹脂１を取り除いて半導体装置２００の構成の概略を示した平面図、図１８は図１７から負アームＮ端子１１を取り除いて示した半導体装置２００の構成の概略を示す平面図、図１９は図１８からインナーリード１３を取り除いて示した半導体装置２００の構成の概略を示す平面図、図２０は半導体装置２００の外観を示す側面図、図２１は半導体装置２００の要部を示す側面図で、モールド樹脂１を取り除いて示した図である。図１７に示した破線は、モールド樹脂１の外形である。実施の形態７に係る半導体装置２００は、複数のスイッチング素子６と放熱板５とゲート端子４ｂとセンス端子４ｃとが二組設けられた構成になっている。
＜半導体装置２００＞
半導体装置２００は、スイッチング素子６によって構成される正と負のアームを備える。正のアームと負のアームは、直列接続されている。正のアームと負のアームは、モールド樹脂１により一体成形されている。これは一般に２ｉｎ１モジュールと呼ばれる形態である。本実施の形態では２ｉｎ１の構造について説明するが、半導体装置２００は４ｉｎ１の構造もしくは６ｉｎ１の構造であっても構わない。
半導体装置２００には、図１６に示すように、主端子である正アームＰ端子１０、負アームＮ端子１１及び交流端子１２と制御端子４とがモールド樹脂１から外部に露出して設けられる。本実施の形態では、正アームＰ端子１０及び負アームＮ端子１１は同じモールド樹脂１の側面から外部に露出し、交流端子１２は正アームＰ端子１０及び負アームＮ端子１１が露出する側面とは反対側の側面から露出する。制御端子４はそれぞれの側面に設けられる。各端子の露出する側面はこれに限るものではない。これらの端子は、外部の機器と接続される端子である。各端子は、図２０に示すように、モールド樹脂１の側面の同じ高さから露出している。なお、各端子を設ける高さは、接続される外部の機器の端子配置等に応じて異なる高さに設けても構わない。
半導体装置２００は、図１９に示すように、複数のスイッチング素子６、放熱板５、ゲート端子４ｂ、及びセンス端子４ｃを二組備える。図１９において、上側が正アーム側で第一組、下側が負アーム側で第二組とする。第一組の放熱板５ｃ及び第二組の放熱板５ｄは、同一平面上に隣接して配置される。本実施の形態では、第一組の放熱板５ｃ及び第二組の放熱板５ｄは矩形状に形成され、互いの長辺が対向し、長辺に沿った第二基準線Ｙに対して第一組の放熱板５ｃ、第二組の放熱板５ｄ、及び複数のスイッチング素子６が線対称に配置される。第一組の放熱板５ｃにはスイッチング素子６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄが接合され、第二組の放熱板５ｄにはスイッチング素子６ｅ、６ｆ、６ｇ、６ｈが接合される。第一組の放熱板５ｃの切欠き５ｂは、第二組の放熱板５ｄとは反対側の第一組の放熱板５ｃの外周部に設けられる。第二組の放熱板５ｄの切欠き５ｂは、第一組の放熱板５ｃとは反対側の第二組の放熱板５ｄの外周部に設けられる。第一組のゲート端子４ｂ及びセンス端子４ｃは、第二組の放熱板５ｄとは反対側に延出している。第二組のゲート端子４ｂ及びセンス端子４ｃは、第一組の放熱板５ｃとは反対側に延出している。
ゲート端子４ｂのそれぞれの第一組の放熱板５ｃ及び第二組の放熱板５ｄの側の部分が、第一組の放熱板５ｃ及び第二組の放熱板５ｄの素子実装面５ａに垂直な方向に見て、切欠き５ｂにより切り欠いている領域と重複している。センス端子４ｃのそれぞれの第一組の放熱板５ｃ及び第二組の放熱板５ｄの側の部分が、第一組の放熱板５ｃ及び第二組の放熱板５ｄの素子実装面５ａに垂直な方向に見て、切欠き５ｂにより切り欠いている領域と重複している。
このように構成することで、同一平面上に隣接して配置された第一組の放熱板５ｃ及び第二組の放熱板５ｄの双方に切欠き５ｂを形成できるので、ゲート端子４ｂ及びセンス端子４ｃの延出する方向における半導体装置２００の大型化を抑制することができる。また、切欠き５ｂを有さない放熱板の外周よりも内側にゲート端子４ｂが配置されるため、半導体装置２００の電流経路長は短縮されるので、半導体装置２００の回路インダクタンスの増大を抑制することができる。
＜インナーリード１３＞
半導体装置２００は、図１８に示すように、インナーリード１３と第三端子であるセンスソース端子４ａを備える。インナーリード１３は、第一組の放熱板５ｃの素子実装面５ａに接合されたスイッチング素子６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄの第一組の放熱板５ｃの側とは反対側の面に設けられた電極と、第二組の放熱板５ｄの素子実装面５ａとを接続する。インナーリード１３は、本体部分から第二組の放熱板５ｄとは反対側に延出した延出部１３ａを有する。センスソース端子４ａは、第一組の放熱板５ｃと離間した状態で、第一組の放熱板５ｃから離れる方向に延出した端子である。第二組の放熱板５ｄは、素子実装面５ａがスイッチング素子６ｅ、６ｆ、６ｇ、６ｈの第二組の放熱板５ｄの側の面に設けられた電極と接合される。センスソース端子４ａの第一組の放熱板５ｃの側の部分と延出部１３ａは、第一組の放熱板５ｃの素子実装面５ａに垂直な方向に見て、第一組の放熱板５ｃの切欠き５ｂの領域にそれぞれ重なって配置され、延出部１３ａは第三導電体であるボンディング部材のボンディングワイヤ７ｄを介してセンスソース端子４ａに接続されている。第三導電体にボンディング部材を用いた場合、ＤＬＢと比較して導電体の断面積を小さく構成できるため、半導体装置１００を小型化することができる。
このように構成することで、切欠き５ｂを有さない放熱板の外周よりも内側にセンスソース端子４ａ及び延出部１３ａを配置できるため、センスソース端子４ａ及び延出部１３ａの延出する方向における半導体装置２００の大型化を抑制することができる。ワイヤボンディング工程において、センスソース端子４ａ及び延出部１３ａは切欠き５ｂの領域で治具により支持できるため、放熱板５とセンスソース端子４ａ及び延出部１３ａとの間を支持する必要はない。放熱板５とセンスソース端子４ａ及び延出部１３ａとの間を支持する新たな支持部材をワイヤボンディング工程に用いる必要がないので、ワイヤボンディング工程を煩雑化させることはない。また、切欠き５ｂを有さない放熱板の外周よりも内側にセンスソース端子４ａが配置されるため、半導体装置２００の電流経路長は短縮されるので、半導体装置２００の回路インダクタンスの増大を抑制することができる。
＜半導体装置２００のアーム構成＞
半導体装置２００の正と負のアームについて説明する。スイッチング素子６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄは、図１８に示すように、第一組の放熱板５ｃとインナーリード１３とで並列接続され、正アームを構成する。スイッチング素子６ｅ、６ｆ、６ｇ、６ｈは、図１７に示すように、第二組の放熱板５ｄと負アームＮ端子１１とで並列接続され、負アームを構成する。負アームＮ端子１１は、第二組の放熱板５ｄの一方の面に接合されたスイッチング素子６ｅ、６ｆ、６ｇ、６ｈの第二組の放熱板５ｄの側とは反対側の面に設けられた電極と接続され、隙間を空けてインナーリード１３に重ねて配置される。正アームＰ端子１０は一方の側が正アームの第一組の放熱板５ｃの素子実装面５ａに接合され、他方の側がモールド樹脂１の外部に露出して外部で他の機器と接続される。交流端子１２は一方の側が負アームの第二組の放熱板５ｄの素子実装面５ａに接合され、他方の側がモールド樹脂１の外部に露出して外部で他の機器と接続される。負アームのドレイン電位となる第二組の放熱板５ｄは、インナーリード１３と接続されることで、正アームのソース電位と接続される。インナーリード１３は、正アームと負アームとを接続する。インナーリード１３と負アームＮ端子１１は２層で構成されている。
半導体装置２００の製造工程において、図１６に示すモールド樹脂１から外部に露出した各端子は同じリードフレームに支持されている。リードフレームに各端子が支持された状態でモールド樹脂１により封止された後、リードフレームから各端子は分断される。この工程は、半導体装置を製造する一般的な製造工程である。封止工程において、リードフレームは樹脂成形金型の上型と下型で挟持される。
本実施の形態では、インナーリード１３と負アームＮ端子１１を２層で構成している。２層の構成では、これらと樹脂成形金型との干渉を避けるために、インナーリード１３はモールド樹脂１の内部に配置される。そのため、正アームに係るセンスソース端子４ａは、スイッチング素子６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄのソース電位と同電位であるが、インナーリード１３とは分断されている必要がある。よって、インナーリード１３と正アームに係るセンスソース端子４ａは別に設けて、ボンディングワイヤ７ｄにより接続する構成としている。
＜貫通孔１１ａ、１３ｂ＞
インナーリード１３と負アームＮ端子１１とは、図２１に示すように、第一組の放熱板５ｃと第二組の放熱板５ｄとの間の隙間の部分（図２１において破線で囲まれた部分）に連通する貫通孔を有している。インナーリード１３の貫通孔１３ｂと負アームＮ端子１１の貫通孔１１ａは、素子実装面５ａに垂直な方向に見て、重なって配置される。インナーリード１３と負アームＮ端子１１とが重なって配置されているため、貫通孔１１ａ、１３ｂを有さない場合、第一組の放熱板５ｃと第二組の放熱板５ｄとの間の隙間の部分に流れ込んだモールド樹脂１がインナーリード１３と負アームＮ端子１１との間の隙間には流れ込みにくかった。貫通孔１１ａ、１３ｂを有した構成とすることで、インナーリード１３と負アームＮ端子１１との間の隙間にも図２１の矢印で示すように容易にモールド樹脂１を流動させることができる。インナーリード１３と負アームＮ端子１１との間の隙間にモールド樹脂１が設けられるので、インナーリード１３と負アームＮ端子１１の絶縁性を向上させることができる。インナーリード１３と負アームＮ端子１１の絶縁性が向上するので、半導体装置２００の信頼性を向上させることができる。本実施の形態では、図１７に示すように、半導体装置２００が２つの貫通孔を備える構成としたが、貫通孔の個数はこれに限るものではなく、さらに多くの貫通孔を備えた構成でも構わない。
以上のように、実施の形態７による半導体装置２００において、複数のスイッチング素子６、放熱板５、ゲート端子４ｂ、及びセンス端子４ｃを二組備え、第一組の放熱板５ｃ及び第二組の放熱板５ｄは同一平面上に隣接して配置され、第一組の放熱板５ｃの切欠き５ｂは第二組の放熱板５ｄとは反対側の第一組の放熱板５ｃの外周部に設けられ、第二組の放熱板５ｄの切欠き５ｂは第一組の放熱板５ｃとは反対側の第二組の放熱板５ｄの外周部に設けられ、第一組のゲート端子４ｂ及びセンス端子４ｃは第二組の放熱板５ｄとは反対側に延出し、第二組のゲート端子４ｂ及びセンス端子４ｃは第一組の放熱板５ｃとは反対側に延出しているため、同一平面上に隣接して配置された第一組の放熱板５ｃ及び第二組の放熱板５ｄの双方に切欠き５ｂを形成できるので、ゲート端子４ｂ及びセンス端子４ｃの延出する方向における半導体装置２００の大型化を抑制することができる。
インナーリード１３と負アームＮ端子１１とが第一組の放熱板５ｃと第二組の放熱板５ｄとの間の隙間の部分に連通する貫通孔を有しているため、インナーリード１３と負アームＮ端子１１との間の隙間にも容易にモールド樹脂１を流動させることができるので、インナーリード１３と負アームＮ端子１１の絶縁性を向上させることができる。また、インナーリード１３と負アームＮ端子１１の絶縁性が向上するので、半導体装置２００の信頼性を向上させることができる。
また本願は、様々な例示的な実施の形態及び実施例が記載されているが、１つ、または複数の実施の形態に記載された様々な特徴、態様、及び機能は特定の実施の形態の適用に限られるのではなく、単独で、または様々な組み合わせで実施の形態に適用可能である。
従って、例示されていない無数の変形例が、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。例えば、少なくとも１つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも１つの構成要素を抽出し、他の実施の形態の構成要素と組み合わせる場合が含まれるものとする。
１ モールド樹脂、２ Ｐ端子、３ Ｎ端子、４ 制御端子、４ａ センスソース端子、４ｂ ゲート端子、４ｃ センス端子、５ 放熱板、５ａ 素子実装面、５ｂ 切欠き、５ｃ 第一組の放熱板、５ｄ 第二組の放熱板、５ｅ 引っ込み部、５ｆ 冷却面、５ｇ 奥側引っ込み部、６ スイッチング素子、７ａ ボンディングワイヤ、７ｂ ボンディングワイヤ、７ｃ ボンディングワイヤ、７ｄ ボンディングワイヤ、８ センス素子、９ ゲート電極、１０ 正アームＰ端子、１１ 負アームＮ端子、１１ａ 貫通孔、１２ 交流端子、１３ インナーリード、１３ａ 延出部、１３ｂ 貫通孔、１４ 冷却器、１５ 絶縁板、１６ 沿面距離、１６ａ 水平距離、１６ｂ 水平距離、１００ 半導体装置、２００ 半導体装置、３００ 半導体装置、５００ 半導体モジュール、６００ 半導体モジュール、Ｘ 第一基準線、Ｙ 第二基準線

Claims (9)

  1. 板状に形成された放熱板と、
    前記放熱板の一方の面に接合された複数のスイッチング素子と、
    前記放熱板と離間した状態で、前記放熱板から離れる方向に延出した端子であって、第一導電体を介して、複数の前記スイッチング素子における前記放熱板の側とは反対側の面と接続された第一端子と、
    複数の前記スイッチング素子、前記放熱板、及び前記第一端子を封止する封止部材と、を備え、
    前記放熱板の外周部には、切欠きが設けられ、
    前記第一端子の前記放熱板の側の部分が、前記放熱板の一方の面に垂直な方向に見て、前記切欠きにより切り欠いている領域と重複し、
    前記放熱板の他方の面の外周部に、内側に引っ込んだ引っ込み部が形成されている半導体装置。
  2. 前記引っ込み部は、面取り部である請求項１に記載の半導体装置。
  3. 前記引っ込み部は、前記放熱板の他方の面の外周部が前記放熱板の一方の面の側に引っ込んだ段差により形成されている請求項１に記載の半導体装置。
  4. 前記切欠きの部分を除いた前記放熱板の他方の面の外周部に、前記引っ込み部が形成されている請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体装置。
  5. 前記切欠きの奥側に位置する前記放熱板の部分である奥側部分において、前記奥側部分における前記放熱板の一方の面に、内側に引っ込んだ奥側引っ込み部が形成されている請求項４に記載の半導体装置。
  6. 前記奥側引っ込み部は、前記奥側部分における前記切欠きの側の面に形成された傾斜面により形成され、前記傾斜面は、前記放熱板の他方の面から一方の面に向かうに従って、次第に切欠きの側から放熱板の側に傾斜している請求項５に記載の半導体装置。
  7. 前記奥側引っ込み部は、前記奥側部分における前記放熱板の一方の面が、前記放熱板の他方の面の側に引っ込んだ段差により形成されている請求項５または６に記載の半導体装置。
  8. 複数の前記スイッチング素子と、前記放熱板と、前記第一端子と、が二組設けられ、
    第一組の放熱板及び第二組の放熱板は、同一平面上に隣接して配置され、
    前記第一組の放熱板の前記切欠きは、前記第二組の放熱板とは反対側の前記第一組の放熱板の外周部に設けられ、
    前記第二組の放熱板の前記切欠きは、前記第一組の放熱板とは反対側の前記第二組の放熱板の外周部に設けられ、
    第一組の前記第一端子は、前記第二組の放熱板とは反対側に延出し、
    第二組の前記第一端子は、前記第一組の放熱板とは反対側に延出し、
    前記第一組の放熱板の一方の面に接合された前記スイッチング素子の前記放熱板の側とは反対側の面に設けられた電極と、前記第二組の放熱板の一方の面とを接続したインナーリードと、
    前記第二組の放熱板の一方の面に接合された前記スイッチング素子の前記放熱板の側とは反対側の面に設けられた電極と接続され、隙間を空けて前記インナーリードに重ねて配置された負アームＮ端子と、を備え、
    前記インナーリードと前記負アームＮ端子とは、第一組の放熱板と第二組の放熱板との間の隙間の部分に連通する貫通孔を有している請求項１から７のいずれか１項に記載の半導体装置。
  9. 請求項１から８のいずれか１項に記載の前記半導体装置と、
    前記引っ込み部を除いた前記放熱板の他方の端面に当接した板状の絶縁部材と、を備えた半導体モジュール。
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