JP5724415B2 - 半導体モジュール - Google Patents
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Description
図1に示すように、本発明の実施形態1に係る半導体モジュール1は、半導体素子2と、この半導体素子2の電極層(図示省略)と接続されるコンタクト材3、3(応力緩衝部材)と、半導体素子2の電極層と電気的に接続される電極端子4、4とを備える。
本発明の実施形態2に係る半導体モジュールについて図5を参照して詳細に説明する。
実施形態2に係るコンタクト材8の具体的な実施例を示す。図5に示すように、Mo製のコンタクト材本体8eに半導体素子2の外周形状に沿った溝8a〜8dを形成し、この溝8a〜8dにグラファイトシート9を嵌挿して、コンタクト材8を構成した。溝8a〜8dの深さは、半導体素子2と接触する面の最外周に形成される溝8aの深さを3mmとし、半導体素子2と接触する面の最内周に形成される溝8cの深さを1mm、その他の溝8b、8dの深さを2mmとした。そして、それぞれの溝8a〜8dの幅は1mmとし、それぞれの溝8a〜8dに厚さ1mmのグラファイトシート9を嵌挿した。
本発明の実施形態3に係る半導体モジュールについて図6を参照して詳細に説明する。
本発明の実施形態3に係る半導体モジュール11の具体的な実施例を示す。図6に示すように、半導体素子2(Si製 サイズ7×7mm)の周囲から1mm離れた位置に半導体素子2を囲むように肉厚2mmの酸化アルミニウム(Al2O3)製の絶縁部材12を配置した。コンタクト材8及び充填材9の形状等は、図5を参照して説明した実施形態2の半導体モジュール10と同様であるので、詳細な説明は省略する。
2…半導体素子
2a…電極層
2b…角部
3、8…コンタクト材(応力緩衝部材)
3a〜3d、8a〜8d…溝
4…電極端子
8e…コンタクト材本体
9…グラファイトシート(充填材)
12…絶縁部材
Claims (8)
- 半導体素子と、
当該半導体素子に圧接により設けられる応力緩衝部材と、を備える半導体モジュールであって、
前記応力緩衝部材の主面であって、前記半導体素子と接触する面には複数の溝が形成され、
前記複数の溝は、前記半導体素子の側端からの距離が近い溝ほど深く形成される
ことを特徴とする半導体モジュール。 - 半導体素子と、
当該半導体素子に圧接により設けられる応力緩衝部材と、を備える半導体モジュールであって、
前記応力緩衝部材の主面であって、前記半導体素子と接触する面には複数の溝が形成され、
前記複数の溝の幅は、前記半導体素子の側端からの距離が近い溝ほど広く形成される
ことを特徴とする半導体モジュール。 - 前記溝には、前記応力緩衝部材より熱伝導が高い材料からなる充填材が充填される
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体モジュール。 - 前記充填材の熱伝導率は、20W/mK以上である
ことを特徴とする請求項3に記載の半導体モジュール。 - 前記充填材は、グラファイトシートであり、
前記グラファイトシートのグラファイト層と前記溝とが略平行になるように前記グラファイトシートが前記溝に嵌入される
ことを特徴とする請求項3に記載の半導体モジュール。 - 前記溝は、前記半導体素子の外周形状に沿って形成される溝が同心状に複数形成される
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体モジュール。 - 前記半導体素子を挟装するように、前記応力緩衝部材を1対設け、
前記応力緩衝部材の前記半導体素子が設けられる面は、当該応力緩衝部材と前記半導体素子との接触面よりも大きく、
前記1対の応力緩衝部材の前記半導体素子が設けられる面であって、前記半導体素子と接触していない面には溝が形成され、
前記1対の応力緩衝部材の前記半導体素子と接触していない面に形成されたそれぞれの溝に絶縁部材を嵌挿して、前記絶縁部材を前記応力緩衝部材間に設ける
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体モジュール。 - 前記絶縁部材は、窒化ホウ素、窒化アルミニウムまたは酸化アルミニウムを含有する焼結体である
ことを特徴とする請求項7に記載の半導体モジュール。
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