JPS5871633A - 圧接型半導体装置 - Google Patents

圧接型半導体装置

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JPS5871633A
JPS5871633A JP56169890A JP16989081A JPS5871633A JP S5871633 A JPS5871633 A JP S5871633A JP 56169890 A JP56169890 A JP 56169890A JP 16989081 A JP16989081 A JP 16989081A JP S5871633 A JPS5871633 A JP S5871633A
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pressure
metal
groove
metal stamp
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JP56169890A
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Katsuhiko Takigami
滝上　克彦
Keiko Tokuyado
徳宿　恵子
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Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１）抛！１１１（Ｌ）技術分野 本尭明は、トランジスタ、サイリスタ或いはゲートター
ンオフサイリスタ　（以下ＧＴＯ）等り半導体索子１ｉ
−加圧接触する圧接製半導体ｌＩ＆置に胸する。
（２）　　従来技術 一般にトランジスタ、ナイリスタ或いＦｉＧＴＱ勢の半
導体索子を加圧圧接する圧振Ｍ４導体装置ｋｔ＝ｔ、−
力用として嵐〈知られている。そしてこの柚の圧接型半
導体装置は鉋１崗に示すように構成場れている。即ち牛
導体素子基体１１０両餉に、この素子基体ノーの熱ｊ１
張係数に近り金属板ＩＩ、ＩＩを介して、熱および電気
伝導率の高い円柱状の金属スタンプ１４．１１を設け、
この金属スタンプ１４．ＩＩで半導体索子基体１１を矢
印の方向に圧接する構造になっている。半導体素子基体
ＩＩと金属スタンプ１４゜１１と０間に金−板Ｉ１．Ｉ
ｌｌを設けたのは、半導体素子基体１１と金属スタンプ
１４．Ｉ！ｉとＯｗｋ膨張係数が具ガるために装置の稼
動により生ずる亀に変化に伴なって両省間のノくイメタ
ル効果によって機械的ストレスが牛導体素子基体ＪＪＫ
加わるのを防ぐためである。したがって通常金−＆ｒｘ
、ｚｘとして用いられるＯは牛４体本子基体１１がシリ
コンＳｉの場合、七すブデンＭＯ’やタングステンＷな
どでこれは温鼓補償板とも呼ばれる。例えは半導体素子
基体１１としてＳ１サイリスメを用いた場合、アノード
電極ｌ１ｌｌの金属板１３としてＷ板を用釣これを含金
法で素子に直接固着せしめ、さらに金属スタンプ１５と
して例えば円柱状ｔＤ　ｆ１４　Ｃｕスタンプに−の金
属板目を半田層１ｒを介して１着している。またカソー
ド電極側では同様に金１４の他Ｏｎ［１を半導体素子基
％ｓ　ｒＫ接触さぜ・ている。
ところで従来から使用されているサイリスタ中ダイオー
ド等Ｏ電力用半導体素子のカソード１１Ｌ極は、＆　２
　ｆＷ　（ａ）　、伽）に示すように電気的に一体化し
て構成されている。したがって圧接が多少不均一であっ
ても電気的に均一な圧＊１−行なった場合と同様な挙動
を示し、圧接の不均一による電気的な欠点が余９関連に
ならなかった。
なお第２図で２１は半導体素子基体、ＪＪはカソード電
極、２ＪＦｉゲート電極、２４はアノード電健である。
これに均し、最近開発がすすんでする大電カド２ンジス
／−？ＧＴＯ’等の半導体素子はいずれもカソード電極
（エンツタｔｉｉ）　ＩＩが第３図の（ａ）　、　（ｂ
）　Ｋ示すようにＩｌ数に分割されてお９、この分割さ
れたカソード領域１１上の電極を金属Ｍｏ＋Ｗ板（［３
図（ａ）で点線で示す内側の部分）を介して金属Ｃｕス
タンプで圧接して釣る。セしてＧＴＯの場合それぞれの
カンードＩＩ斌ＩＩｔ独立したＧＴＯ七して並列動作さ
せ大電流をゲートターンオフしている。従ってカソード
電極全体を均一に圧接することにより、部分圧警中接触
抵抗の差によるカソードエレメント間の亀ｔ！ｔ、Ｏア
ンバシンスを防止し、シリコン内の応力の不均一によっ
て生ずるターンオフ特性ノパラツキに伴う′ｆｔｆＬの
アンバランスを防止して−る０ （３）　　従来技術の問題点 この種の圧接型半導体装置においては、基本的に半導体
素子にかかる応力分布は、半無限の板を剛体で圧接する
場合と等価である。この仮定を基にＩＪ＆した場合、即
ち、第４１葎）に示すように牛無限弾性体４１を円柱状
剛体ボスト４２で圧接した場合、半無限弾性体４１中に
止じる圧接面に画直な方向の応力Ｐωは、被合榊造物の
五δ力解析を目的としてつくられたプログラム、通称Ｓ
　Ａ　Ｐ　（５ｔｒｕｃｔｕｒａｌ　Ａｎａｌｙｓｉｓ
　Ｐｒｏ　−ｇｒ關０を用いて解くと第４図（ｂ＞の如
く１示で龜る。（旺：８ＡＰは、１９６９年酎カリ耐ォ
ルニア大参のＥ、Ｌ、Ｗｌｌｓｏｎ　教授らが開発し、
撫在でＦｉ世界各地でこｔ）ＷＡ形ノログラムをアレン
ジして使っている。）この謔４Ｎ（ｂ）から明らかなよ
うに、生態ＶＬ５１ＩＩＬ性体４１と剛体４２との圧接
面Ｏ１１Ｍ−上の応力分布は剛体の周端部で無限大とな
９、千無＠弾性体４Ｉ内の応力分布は着しく不均一にな
る。
こＯ事実から半導体素子基体（半無限円板）ｔ−餐Ｘ＊
及び金属Ｃｕスタンプで加圧接触させた場合、半導体素
子内の応力分布は館４１６）のようになると謁見られる
。このようＫｌ来の圧接ｍの牛４体装置においては半導
体素子基体の周辺部に応力が集中することはさけがた―
ものである。参集、使用ψ破馳し良ＧＴＯ装置を１笥す
ると、その多くＦｉ第３図（ａ）の点一部分にリング状
ＴｉＪｆｆ接跡がｔＩＩｉ察された。そしてこのような
圧嫉跡か観察され九〇ＴＯ装置は、使用途中電入７ノー
ドを流（４大可制御陽＆電流Ｉ？ＧＱ）が着しく低下し
ている。これは圧力分布の不均一によシアイード電流の
面内不均一が襞じてターンオフ時間のバラツキが面内で
起っている輿−事爽から一定すると圧力の高い周辺Ｓリ
ターンオフが遅れ過電流密度の状態になったためと思わ
れ、を九圧接跡υ靭証され九〇ＴＯ装置は、稼動時の熱
り労によってカソード電極Ｖ崗辺部でカソード電極−ゲ
ート電極間の蝙絡事故が妬主するなど、ＧＴＯ装置にと
って敦令的な特性の劣化が生じていた。
このような問題を解決するための適切な方法は従来なか
′）た０ただ従来１４５ｉ１ｉ！ｕに示す如く、牛導体
素子基体ｓｚＫ＊触する金１ｇ板５ｘｔｂ畠子＠ＯＳ端
飾をバリ取プの意林で飴制して傾斜ＥｌｉｉｊＪを形成
する方法があシ、これによれば周辺ｓの応力が緩和され
るかにみえる０しかし過電そｖｉＦＦＭ角ｆ０は０２３
０°　に堆ることが多かつ九〇そして違算用いられる金
属板６１の厚さが５００〜１０００μ賜位であって、研
削の部分の量が１００〜３００μｍ位でめった。一方牛
導体素子のカソード領域部の扁さけｌＯ〜３０μ畷位で
あった。したがってｔＱ者を比較してみると研削する長
さが大−にカソード懺ｓｃＯ＾畜Ｏ負を上まわ）、バリ
堆ルの有無は単に最外絢ＯＳ点かに５−のＰ点からＱＡ
に移動するように径の小さ一円柱状のものを立て良のと
寮策的に同じになる。
前述した応力Ｍ釘プログラムＳＡＰを用φてＷ＃φても
、ぞＯ応力分布の結果ｒａｔ第４図と同じようになる。
しかもこの場合加圧する総萄重を同一とすれは午尋体巣
子基体６１１１Ｃ接する面積が減少し７た分たけ一辺の
応力が増加し、半導体素子にとってより−い県件になる
ことがわかっている。
以上のように、軌米Ｏ加圧級触製の半導体装置にお１て
は、必らず起きる半導体素子基体内の応力分布の不拘−
１それによってひき起こされる電気的特性の不拘−〇発
生、そしてその結果として生じる半導体素子の破壊とｉ
う一連の挙動は避けられないものであった。
軸）　発明の目的 本発ＩｆＡは１１０点に条みなされたもＯで、半導体垢
子へのｂｂ分的応Ａｉ系中を防止し、もって半導体装置
の特性安定化を図ると共に破壊を防止し、ｃＩｉＭ性を
向上させた圧歇配半＠体鉄Ｖｔ′＃Ｍ供するものである
。
（５）発明Ｖ歓賛 本発明は、半導体素子基体を圧接する金属スタンプの＠
面に４をしけ、加圧時にその溝が弾性１形することを利
用して、金属スタンプ−送直下での半導体素子基体への
応力系中を緩沌するようにしたものである。
（６）発明０夾施例 ！１％６図は本発明の一実施例Ｏ要部構成ｌである。今
同図で示すようにＧＴＯ等０半尋体集子基体６１の＃１
分化したカソード餉を温度補償板６２を介して金属スタ
ンプ６３と接触せしめておｐｌこの金属スタンプの側面
には全周にわたって＃６４を設けている。６５はアノー
ド＠Ｏ温度槓慣板である。このようにｍ成した装置に同
一に示す矢印Ｏ方向に荷重を加えカロ圧級触をさ舷ると
、溝６４ｉｉ前記８ＡＰＣ）解析結果によれｔｉｍ７ｅ
Ｎで示す妬くｉ形する。こし時４」１ｑＯ大自さ【半導
体素子ＩＩ＆体６１と温度補償板６２との接触面＆８か
ら求められる平均的圧力Ｐ　（三ｑ／Ｓ）をおよそ２０
０〜４００　　（ｋｇ／（が）Ｋなるよう軌釦すると、
＃ｊｉＣ４の変形は弾性限界内にあシ、り４１ｋ　ｔ−
取り去ると元の形状に復元する。
第８図１−１ａ！７図で示した温度補償板６２の域外周
端直下（Ｐ点）の半導体素子基体６Ｉ内の応力と溝６４
り深さＬおよび高さＨとの関係を示したものである□。
どのデータは、半導体素子基体６Ｊが５ＩＳｔｋｉ度補
償板６２が０．５鴎厚のＭｏ、金属スタンプ６３が半径
２５１；Ｉｑ）Ｃｕ円柱体、温度−償板６５がＷであっ
て、金属スタンプ６３に総荷重ｓｏｏｏｋｇｔ印加した
ときの解析結果である。
同図でわかるように、層外ｊｉｄ端の応力集中を酸相す
るには、栴６４を深くすればその効果が着しい。卸も、
本ＦＡ明の主眼としている応力集中がひき起す、−気Ｉ
＃性のバラツキ、そして最昶釣にｉＪ装象Ｏ破壊にした
らしめる原因を除去する方法としてすぐれていることを
示している。
発明省らＯ実験によっても、Ｓを金属スタンプ匈−に設
けると応力集中の一本１に明らかに寄与してりることが
−められた。実用上からは細−１１１１ｔ−深く形成す
ることの複雑さ、熱抵抗の増加等ｔ）乗件から自ずと、
神ｔＤ深さも限度がある〇経験によれは６００　　（ｋ
ｉ／Ｃｍ”　）程度の応力では、電気的に思わしくない
影響を与えない仁とがわかっている０１１１％８凶によ
れは、鳥の深さを１．５（關）筒板にすれは、１１配し
た許容で睡るであろう応力以下となり、と４ｔ）８にの
擲ならは、熱抵抗の増加＃１５１６栓ＩＬですみむしろ
応力集中を防止する利点Ｏｙｊがはるかに大きい事がわ
かる◎鵞たｈｂ４の−さ位には、温度補償板６１から余
り遠くなφ位置であれは効果がある。
鯖９ｅｉｉＪＦｉ本発物の他の実施例を示したもので、
擲の形状、構造についでは、幅が大きく、内部が丸みを
おびているもの（ａ）、ｖ字状ｖｐ（ｂ）、擲を複数個
設は友も０（ｃ）−（ｄｏ、など種々変形実施できる＠
鵞た金属スタンプとしてドーナツ状のもυを用いた場合
にもその側面に擲を設けることで四徐の効果が得られる
。
（７）　　発明の効果 金属スタンプによシ圧級される半導体素子基体の部分的
な応力集中を効果的に防ぎもって圧接浚半導体装ＩＩｔ
の電気的特性ｏｙ定化と値麺性向上ｔ−ｈることかでき
る。
【図面の簡単な説明】
＃４１内Ｆｉ１１′来の加圧社牛尋体装置を示す断面図
、馳２ｋｉ（ｓ）、（ｂ）ｔｊ従従来サイリスクの構成
を　−示す平ｉ１Ｔ嫡とその六−に断面１、諏３図（１
）、伽）ＨＧＴＯＯカソードを極を示す平面１とそのＢ
−Ｂ’断面函、第４図−）、伽）は従来の圧接製半導体
装置における応力状態を説明する丸めの図、側５図は従
来の他の圧接製半導体装置０問題を説明するためＣｔ、
ＺＨ面図、阿６図は本発明〇一実施例の装部構成断面図
、１ｐＩ７図は、絡６図の鋏ｉ１に加圧した時に鍵形す
る金属スタンプの状態−１餓８区は同じく加圧した時の
半導体素子の応力と溝の深さおよび高さとの関係を示す
図、ｔｉｔ４　＃Ａ葎）〜ω）は本妬宍Ｏ匍の実施例の
無の構造を示す１である。 ６１・・・半導体素子基体、ｇｚ、６Ｂ・・・楓＆袖償
板、６１・・・金−スタンプ、ｆ４・・・鍵０出願人鴎
人　弁理士　鈴　　江　　武　　彦第１図 ｊＩ２図 ２ 第６図 第８図 第９図 （ａ）　　　　　（ｔ）） （ｃ）　　　　　（ｄ）

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 （１）　　半導体素子基体と、販半尋体素子基体の少な
    くとも一方の面に設けられた一半導体素子基体の熱ｊｌ
    張係数に近−熱診張係数を有する金属板ン、該金麺板を
    介して前記半導体素子基体を圧接する金属スタンプとを
    偽え良圧接製半導体装１１において、前記金輌スタンプ
    の側１ｏＫ＃Ｉｔ−設けたこと１−特徴とする圧接型半
    導体装置。 伐）金属スタンプの側面に設けられた鉤の数が１個また
    Ｆｉ２個以上からなる特許請求の範囲第（１）項記載の
    圧接型半導体装置。 （３）　　金属スタンプの形状を円柱状またはドーナツ
    状とした特許請求の範１８第（１）項記載υ圧接製半尋
    体装置。 （４）半導体索子がゲートターンオフサイリスタであっ
    て、少なくともその細分化したカソード電１！、Ｉｉｌ
    ｌＫｌ１ｍ記擲を有する金属スメンプを設けるようにし
    た特許請求の範囲ＩＩ　（１）項記載の圧級蓋牛褥体装
    置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012089623A (ja) * 2010-10-18 2012-05-10 Tokyo Electron Ltd 押圧用アダプタ
JP2012160639A (ja) * 2011-02-02 2012-08-23 Meidensha Corp 半導体モジュール及び応力緩衝部材
JP2015044350A (ja) * 2013-08-28 2015-03-12 キヤノン株式会社 液体吐出ヘッドおよび記録装置

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5040051A (en) * 1988-12-05 1991-08-13 Sundstrand Corporation Hydrostatic clamp and method for compression type power semiconductors
DE58905844D1 (de) * 1989-02-02 1993-11-11 Asea Brown Boveri Druckkontaktiertes Halbleiterbauelement.
JPH0671062B2 (ja) * 1989-08-30 1994-09-07 株式会社東芝 樹脂封止型半導体装置
JPH0744191B2 (ja) * 1989-12-15 1995-05-15 三菱電機株式会社 半導体装置およびそのための電極ブロック
US5661315A (en) * 1995-12-28 1997-08-26 Asea Brown Boveri Ag Controllable power semiconductor component
DE19732738A1 (de) * 1997-07-30 1999-02-04 Asea Brown Boveri Leistungshalbleiterbauelemente mit druckausgleichender Kontaktplatte
DE10330053A1 (de) * 2003-07-03 2005-02-10 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelement mit einem Druckkontakt und Ronde für einen Druckkontakt eines Halbleiterbauelements

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1171537B (de) * 1960-04-02 1964-06-04 Telefunken Patent Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterdiode
US3452254A (en) * 1967-03-20 1969-06-24 Int Rectifier Corp Pressure assembled semiconductor device using massive flexibly mounted terminals
GB1219570A (en) * 1967-08-04 1971-01-20 Lucas Industries Ltd Diode units
DE2204490A1 (de) * 1972-01-31 1973-08-09 Siemens Ag Halbleiterbauelement mit druckkontakt
JPS5318266Y2 (ja) * 1973-01-25 1978-05-16
FR2254879B1 (ja) * 1973-12-12 1977-09-23 Alsthom Cgee
JPS55121654A (en) * 1979-03-13 1980-09-18 Toshiba Corp Compression bonded semiconductor device
JPS5628774A (en) * 1979-08-17 1981-03-20 Tatsunobu Kashima Barrier curtain cloth hypoxia fire extinguishing method into which chemical fireeextinguishing substance is woven
JPS6132A (ja) * 1984-06-09 1986-01-06 Fumio Toda アルコ−ル分離剤

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012089623A (ja) * 2010-10-18 2012-05-10 Tokyo Electron Ltd 押圧用アダプタ
JP2012160639A (ja) * 2011-02-02 2012-08-23 Meidensha Corp 半導体モジュール及び応力緩衝部材
JP2015044350A (ja) * 2013-08-28 2015-03-12 キヤノン株式会社 液体吐出ヘッドおよび記録装置

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