JP2020013889A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 より高性能な半導体記憶装置を提供しようとする。【解決手段】 一実施形態による半導体記憶装置は、第1半導体と、第1および第2ワード線と、第1および第2セルトランジスタを含む。第1半導体は第1部分および第2部分を含む。第1ワード線は、第1半導体の第1部分と面する。第2ワード線は、第1ワード線の第2部分と面し、第1ワード線とともに第1半導体を挟み、第1ワード線とは別個である。第1セルトランジスタは、第1半導体の第1部分を含む第1領域に形成され、第1ワード線と接続されている。第2セルトランジスタは、第1半導体の第2部分を含む第2領域に形成され、第2ワード線と接続され、第1閾値電圧を有する。第1閾値電圧は第1電圧より高く、第1電圧は第1セルトランジスタからのデータのリードの間に第2ワード線に印加され、第1電圧はゼロまたは正の大きさを有する。【選択図】 図14
Description
実施形態は、概して半導体記憶装置に関する。
3次元に配列されたメモリセルを有する半導体記憶装置が知られている。
より高性能な半導体記憶装置を提供しようとするものである。
一実施形態による半導体記憶装置は、第1半導体と、第1および第2ワード線と、第1および第2セルトランジスタを含む。上記第1半導体は第1部分および第2部分を含む。上記第1ワード線は、上記第1半導体の上記第1部分と面する。上記第2ワード線は、上記第1ワード線の上記第2部分と面し、上記第1ワード線とともに上記第1半導体を挟み、上記第1ワード線とは別個である。上記第1セルトランジスタは、上記第1半導体の上記第1部分を含む第1領域に形成され、上記第1ワード線と接続されている。上記第2セルトランジスタは、上記第1半導体の上記第2部分を含む第2領域に形成され、上記第2ワード線と接続され、第1閾値電圧を有する。上記第1閾値電圧は第1電圧より高く、上記第1電圧は上記第1セルトランジスタからのデータのリードの間に上記第2ワード線に印加され、上記第1電圧はゼロまたは正の大きさを有する。
以下に実施形態が図面を参照して記述される。以下の記述において、略同一の機能および構成を有する構成要素は同一符号を付され、繰り返しの説明は省略される場合がある。図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なり得る。図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれ得る。また、ある実施形態についての記述は全て、明示的にまたは自明的に排除されない限り、別の実施形態の記述としても当てはまる。
本明細書および特許請求の範囲において、ある第1要素が別の第2要素に「接続されている」とは、第1要素が直接的または常時あるいは選択的に導電性となる要素を介して第2要素に接続されていることを含む。
(第1実施形態)
<1.1.構造(構成)>
図1は、第1実施形態のメモリシステム中の要素および接続、ならびに関連する要素を示す。図1に示されるように、メモリシステム5は、ホスト装置3により制御され、半導体メモリ1およびメモリコントローラ2を含む。メモリシステム5は、例えば、SSD(solid state drive)またはSDTMカード等であることが可能である。
<1.1.構造(構成)>
図1は、第1実施形態のメモリシステム中の要素および接続、ならびに関連する要素を示す。図1に示されるように、メモリシステム5は、ホスト装置3により制御され、半導体メモリ1およびメモリコントローラ2を含む。メモリシステム5は、例えば、SSD(solid state drive)またはSDTMカード等であることが可能である。
半導体メモリ1は、メモリコントローラ2により制御される。メモリコントローラ2は、ホスト装置3から命令を受け取り、受け取られた命令に基づいて半導体メモリ1を制御する。
<1.1.1.メモリコントローラ>
メモリコントローラ2は、ホストインターフェイス21、CPU(central processing unit)22、RAM(random access memory)23、ROM(read only memory)24、およびメモリインターフェイス25を含む。メモリコントローラ2は、例えば、SoC(System-on-a-chip)として構成されることができる。
メモリコントローラ2は、ホストインターフェイス21、CPU(central processing unit)22、RAM(random access memory)23、ROM(read only memory)24、およびメモリインターフェイス25を含む。メモリコントローラ2は、例えば、SoC(System-on-a-chip)として構成されることができる。
ROM24に格納されていてRAM23上にロードされたファームウェア(プログラム)がCPU22によって実行されることによって、メモリコントローラ2は、種々の動作、およびホストインターフェイス21ならびにメモリインターフェイス25の機能の一部を実行する。RAM23は、さらに、データを一時的に保持し、バッファおよびキャッシュとして機能する。
ホストインターフェイス21は、バスを介してホスト装置3と接続され、メモリコントローラ2とホスト装置3との通信を司る。メモリインターフェイス25は、半導体メモリ1と接続され、メモリコントローラ2と半導体メモリ1との通信を司る。
<1.1.2.半導体メモリ>
半導体メモリ1は、メモリセルアレイ(セルアレイ)11、入出力回路12、シーケンサ(制御回路)13、ドライバ15、センスアンプ16、およびロウデコーダ19等の要素を含む。
半導体メモリ1は、メモリセルアレイ(セルアレイ)11、入出力回路12、シーケンサ(制御回路)13、ドライバ15、センスアンプ16、およびロウデコーダ19等の要素を含む。
セルアレイ11は複数のメモリブロック(ブロック)BLK(BLK0、BLK1、…)を含む。各ブロックBLKは複数のストリングユニットSU(SU0、SU1、…)の集合である。各ストリングユニットSUは複数のNANDストリング(ストリング)STR(STR0、STR1、…)(図示せず)の集合である。ストリングSTRは、複数のメモリセルトランジスタ(セルトランジスタ)MTを含む。
入出力回路12は、NANDバスを介して、メモリコントローラ2と接続されている。NANDバスは、信号 ̄CE、CLE、ALE、 ̄WE、 ̄RE、 ̄WP、RY/ ̄BY、および8ビットの幅の信号DQを伝送する。信号の名称の前の記号「 ̄」は、記号「 ̄」を伴わない名称の信号の反転論理を示し、記号「 ̄」を伴う信号がローレベルの場合にアサートされていることを意味する。
入出力回路12は、信号DQを受け取り、信号DQを送信する。入出力回路12は、メモリコントローラ2から種々の制御信号を受け取り、制御信号に基づいて、信号DQを取り込み、また出力する。制御信号は、信号 ̄CE、CLE、ALE、 ̄WE、 ̄RE、および ̄WPを含む。
信号DQは、コマンド(CMD)、書き込みデータまたは読み出しデータ(DAT)、アドレス信号(ADD)、ステータスデータ(STA)等を含む。
シーケンサ13は、入出力回路12からコマンドCMDおよびアドレス信号ADDを受け取り、コマンドCMDおよびアドレス信号ADDに基づいて、ドライバ15、センスアンプ16、およびロウデコーダ19を制御する。
ドライバ15は、複数の電位のうちの選択されたものをロウデコーダ19に供給する。ロウデコーダ19は、ドライバ15から種々の電位を受け取り、入出力回路12からアドレス信号ADDを受け取り、受け取られたアドレス信号ADDに基づいて1つのブロックBLKを選択し、選択されたブロックBLKにドライバ15からの電位を転送する。
センスアンプ16は、セルトランジスタMTの状態をセンスし、センスされた状態に基づいて読み出しデータを生成し、また、書き込みデータをセルトランジスタMTに転送する。
<1.1.3.セルアレイ>
図2は、第1実施形態のセルアレイ11中の一部の回路図であり、1つのブロックBLK0の要素および接続、ならびに関連する要素を示す。複数の(例えば全ての)ブロックBLKは、みな図2に示される要素および接続を含む。
図2は、第1実施形態のセルアレイ11中の一部の回路図であり、1つのブロックBLK0の要素および接続、ならびに関連する要素を示す。複数の(例えば全ての)ブロックBLKは、みな図2に示される要素および接続を含む。
1つのブロックBLKは、n個(nは2以上の自然数)のストリングユニットSU(SU0、SU1、SU2、…SU(n−1))を含む。nは、例えば8であり、以下の記述は、この例に基づく。各ストリングユニットSUは、m(mは自然数)本のビット線BL(BL0〜BL(m−1))に接続されている。
各ストリングユニットSUは、複数のNANDストリングSTRを含む。各NANDストリングSTRは、1つのセレクトゲートトランジスタST、複数(例えば8つ)のメモリセルトランジスタMT(MT_0〜MT_7)、および1つのセレクトゲートトランジスタDT(DT0、DT1、DT2、…、またはDT7)を含む。トランジスタST、MT、およびDTは、この順で、セルソース線CELSRCと1つのビット線BLとの間に直列に接続されている。セルトランジスタMTは、制御ゲート電極、および周囲から絶縁された電荷蓄積層を含み、電荷蓄積層中の電荷の量に基づいてデータを不揮発に保持することができる。
α(αは偶数)の各々の値のケースについて、ストリングユニットSUα中のセルトランジスタMT_0〜MT_7の制御ゲート電極は、ワード線WLe0〜WLe7とそれぞれ接続されている。1つのストリングユニットSU中でワード線WL(WLe0〜WLe7、および後述のWLo0〜WLo7)を共有するセルトランジスタMTの組は、セルユニットCUと称される。αの各々の値のケースについて、ストリングユニットSUα中のトランジスタSTのゲート電極は、セレクトゲート線SGSLeに接続されている。
β(βは奇数)の各々の値のケースについて、ストリングユニットSUβ中のセルトランジスタMT_0〜MT_7の制御ゲート電極は、ワード線WLo0〜WLo7とそれぞれ接続されている。βの各々の値のケースについて、ストリングユニットSUβ中のトランジスタSTのゲート電極は、セレクトゲート線SGSLoに接続されている。
γ(γは0またはn−1以下の自然数)の各々の値のケースについて、トランジスタDTγはストリングユニットSUγに属する。ストリングユニットSUγの複数のストリングSTRの各々のトランジスタDTγのゲート電極はセレクトゲート線SGDLγに接続されている。
<1.1.4.セルトランジスタ>
図3を参照して、セルトランジスタMTについて記述される。半導体メモリ1は、1つのセルトランジスタMTにおいて2ビット以上のデータを保持することができる。図3は、第1実施形態のセルトランジスタMT当たり2ビットのデータを保持するセルトランジスタMTの閾値電圧の分布を示す。各セルトランジスタMTの閾値電圧は、保持されるデータに応じた値を有する。セルトランジスタMT当たり2ビットの記憶の場合、各セルトランジスタMTは、4つの閾値電圧のうちのいずれかを有し得る。4つの閾値電圧は、“11” データ、“01”データ、“00”データ、および“10”データをそれぞれ保持している状態である。“11”データ、“01”データ、“00”データ、および“10”データをそれぞれ保持しているステートのセルトランジスタMTは、Er、A、B、およびCステートにあると称される。
図3を参照して、セルトランジスタMTについて記述される。半導体メモリ1は、1つのセルトランジスタMTにおいて2ビット以上のデータを保持することができる。図3は、第1実施形態のセルトランジスタMT当たり2ビットのデータを保持するセルトランジスタMTの閾値電圧の分布を示す。各セルトランジスタMTの閾値電圧は、保持されるデータに応じた値を有する。セルトランジスタMT当たり2ビットの記憶の場合、各セルトランジスタMTは、4つの閾値電圧のうちのいずれかを有し得る。4つの閾値電圧は、“11” データ、“01”データ、“00”データ、および“10”データをそれぞれ保持している状態である。“11”データ、“01”データ、“00”データ、および“10”データをそれぞれ保持しているステートのセルトランジスタMTは、Er、A、B、およびCステートにあると称される。
ある同じ2ビットデータを保持する複数のセルトランジスタMTであっても、セルトランジスタMTの特性のばらつき等に起因して、互いに相違する閾値電圧を有し得る。このため、ある同じ2ビットデータを保持する複数のセルトランジスタMTは相違する閾値電圧を有する。
リード対象のセルトランジスタMTによって保持されているデータの判別のために、当該セルトランジスタMTのステートが判断される。ステートの判断のために、リード電圧VA、VB、およびVCが用いられる。以下、リード電圧VA、VB、およびVCを含め、セルトランジスタMTのステートの判断ためにリード対象のセルトランジスタMTに印加される或る大きさの電圧は、リード電圧VCGRと称される場合がある。
リード対象のセルトランジスタMTの閾値電圧が或るリード電圧VCGRを超えているか否かが、このセルトランジスタMTの閾値電圧のステートの判定に用いられる。リード電圧VCGR以上の閾値電圧を有するセルトランジスタMTは、制御ゲート電極においてリード電圧VCGRを受け取ってもオフを維持する。一方、リード電圧VCGR未満の閾値電圧を有するセルトランジスタMTは、制御ゲート電極においてリード電圧VCGRを受け取っていると、オンしている。電圧VREADは、非リード対象のセルユニットCUのセルトランジスタMTのワード線WLに印加され、いずれのステートにあるセルトランジスタMTの閾値電圧よりも高い。
1つのセルユニットCUのセルトランジスタMTの或る同じ位置(桁)のビットのデータの組は、1つのページを構成する。1セルユニット中のセルトランジスタMTの上位ビットのデータの組は上位ページと称され、1セルユニット中のセルトランジスタMTの下位ビットの組は下位ページと称される。
セルトランジスタMT当たり3ビット以上のデータの保持も、ここまで記述された原理の拡張により当業者にとって実現されることができる。
半導体メモリ1は、1つのセルトランジスタMTにおいて1ビットのデータを保持することもできる。図4は、第1実施形態のセルトランジスタMT当たり1ビットのデータを保持するセルトランジスタMTの閾値電圧の分布を示す。図4に示されるように、セルトランジスタMTに1ビットデータが書き込まれる場合、そのようなセルトランジスタMTは2つのステートのいずれかにあり、Erステート以外にただ1つのステート(programmedステート)のみを有する。programmedステート(以下、Prステートと称される)は、例えば、“0”データを保持しているものとして扱われることができる。読み出し対象のセルトランジスタMTがErステートとPrステートのいずれにあるかの判別のために、リード電圧VLが使用される。PrステートにあるセルトランジスタMTは、リード電圧VL以上の閾値電圧を有する。リード電圧VLもリード電圧VCGRに含まれ、リード電圧VLは例えば電圧VSS(=0V)である。
<1.1.5.セルアレイの構造>
半導体メモリ1では、その構造および製造方法に起因して、1つの層に位置するとともに隣り合う2つのセルトランジスタMTが比較的大きく相違するサイズを有し得る。そのような構造は、種々の形態により実現され得、以下、一例が記述される。しかしながら、第1実施形態は、セルトランジスタMT、ひいてはセルアレイ11の構造によって限定されず、以下の例に限定されない。
半導体メモリ1では、その構造および製造方法に起因して、1つの層に位置するとともに隣り合う2つのセルトランジスタMTが比較的大きく相違するサイズを有し得る。そのような構造は、種々の形態により実現され得、以下、一例が記述される。しかしながら、第1実施形態は、セルトランジスタMT、ひいてはセルアレイ11の構造によって限定されず、以下の例に限定されない。
図5は、第1実施形態の半導体メモリの一部の構造の断面を概略的に示す。具体的には、図5は、半導体メモリ1の隣り合う2つの相違するアドレス(識別番号)を有する2つのストリングユニットSUの構造を示し、例として、ストリングユニットSU0およびSU1の断面構造を示す。ストリングユニットSUの他の対も、図5と同じ構造を有する。
図5に示されるように、半導体基板sub、特にそのxy面に沿った表面の領域のpウェル上に、ストリングユニットSU0およびSU1が形成される。
基板subには、メモリピラーMPが接続されている。メモリピラーMPは、z軸に沿って延び、絶縁体30、半導体31、絶縁体32、絶縁体33、および絶縁体34を含む。
絶縁体30は、z軸に沿って延びる柱状の形状を有し、例えば、シリコン酸化物を含むか、シリコン酸化物からなる。半導体31は、z軸に沿って延び、絶縁体30を囲み、セルトランジスタMTのチャネルが形成される部分として機能し、例えば多結晶シリコンを含むか、多結晶シリコンからなる。絶縁体32は、z軸に沿って延び、半導体31を囲み、セルトランジスタMTのゲート絶縁体として機能し、例えば、シリコン酸化物の層とシリコン窒化物の層を含む。絶縁体33は、z軸に沿って延び、絶縁体32を囲み、セルトランジスタMTの電荷蓄積層として機能し、例えばシリコン窒化物を含むか、シリコン窒化物からなる。絶縁体34は、z軸に沿って延び、絶縁体33を囲み、セルトランジスタMTのブロック絶縁体として機能し、例えば、シリコン酸化物を含むか、シリコン酸化物からなる。
基板subの上方でメモリピラーMPの両側の各々に、複数の導電体の組が設けられている。導電体の各組は、z軸に沿って並び、基板subから離れる方向に向かって導電体CS、8つの導電体CW、および導電体CDを含む。導電体CS、CW、およびCDは、互いに電気的に分離されている。導電体CS、8つの導電体CW、および導電体CDは、例えば、タングステンを含むか、タングステンからなる。
メモリピラーMPの第1の側(例えば左側)には、ストリングユニットSU0が位置する。メモリピラーMPの第1の側の導電体CS、8つの導電体CW、および導電体CDは、それぞれ、セレクトゲート線SGSLe、ワード線WLe0、WLe1、WLe2、WLe3、WLe4、WLe5、WLe6、およびWLe7、ならびにセレクトゲート線SGDL0として機能する。導電体CS、導電体CW、および導電体CDは、例えば、タングステンを含むか、タングステンからなる。
メモリピラーMPの第2の側(例えば右側)には、ストリングユニットSU1が位置する。メモリピラーMPの第2の側の導電体CS、8つの導電体CW、および導電体CDは、それぞれ、セレクトゲート線SGSLo、ワード線WLo0、WLo1、WLo2、WLo3、WLo4、WLo5、WLo6、およびWLo7、ならびにセレクトゲート線SGDL1として機能する。
半導体31、絶縁体32、絶縁体33、および絶縁体34のうちの導電体CSと面する部分は、セレクトゲートトランジスタSTとして機能する。半導体31、絶縁体32、絶縁体33、および絶縁体34のうちの導電体CWと面する部分は、セルトランジスタMTとして機能する。半導体31、絶縁体32、絶縁体33、および絶縁体34のうちの導電体CDと面する部分は、セレクトゲートトランジスタDTとして機能する。
z軸に沿って並ぶトランジスタST、MT、DTが1つのストリングSTRに含まれているトランジスタに相当する。
メモリピラーMPの上方に、導電体CBLが設けられている。導電体CBLは、ビット線BLとして機能する。導電体CBLは、y軸に沿って延びる。導電体CBLは、コンタクトプラグCPを介してメモリピラーMPの上面と接続されている。
複数のストリングSTRがx軸上の相違する座標に設けられている。このようなx軸上の異なる座標に設けられている複数のストリングSTRが、1つのストリングユニットSUに含まれるストリングSTRに相当する。
図5において、図5に示されている要素の領域以外の領域(例えば、導電体CS、8つの導電体CW、および導電体CDの相互の間の領域)には、絶縁体が設けられている。
図6は、第1実施形態の半導体メモリ1の一部の1つの層の平面構造を示す。より具体的には、図6は、導電体CD(セレクトゲート線SGDLとして機能する導電体)が位置する層を、xy面に沿って示す。
図6に示されるように、導電体CDとして、8つの独立した導電体CD0〜CD7が設けられている。導電体CD0〜CD7は、それぞれ、セレクトゲート線SGDL0〜SGDL7として機能する。
導電体CD1は、概略、U字の形状を有する。具体的には、導電体CD1は、第1部分CDs1、第2部分CDs2、および第3部分CDs3を含む。第1部分CDs1および第3部分CDs3はx軸に沿って延び、第1部分CDs1は第3部分CDs3のy軸の座標より小さいy軸座標に位置する。第2部分CDs2は、y軸に沿って延び、第1部分CDs1の端(例えば右端)と、第3部分CDs3の第1部分CDs1と同じ側の端(例えば右端)とを接続する。
以下、第1部分CDs1は上側部分CDs1と称され、第2部分CDs2は接続部分と称され、第3部分CDs3は下側部分CDs3と称される場合がある。
導電体CD2〜CD7も、導電体CD1と同様に、概略、U字の形状を有し、各々が、第1部分CDs1、第2部分CDs2、および第3部分CDs3を有する。
導電体CD2、CD4、およびCD6は、同じ側(例えば左側)において、接続部分CDs2を有する。一方、導電体CD1、CD3、CD5、およびCD7は、導電体CD2、CD4、およびCD5が接続部分CDs2を有する側と反対側(例えば右側)において、それぞれの接続部分CDs2を有する。
導電体CD0も、上側部分CDs1、接続部分CDs2、および下側部分CDs3を含む。導電体CD0は、さらに、x軸に沿って延びる第4部分CDs4を含む。以下、第4部分CDs4は、最下水平部分CDs4と称される場合がある。接続部分CDs2は、上側部分CDs1、下側部分CDs3、および最下水平部分CDs4を接続する。導電体CD0の接続部分CDs2は、例えば、導電体CD2、CD4、CD5がそれぞれの接続部分CDs2を含む側と同じ側(例えば左側)に位置する。
導電体CD2、CD4、およびCD6は、この順にy軸に沿って図6の上から下に向かって並ぶ。導電体CD1、CD3、CD5、およびCD7は、この順にy軸に沿って図6の上から下に向かって並ぶ。
導電体CD1〜CD7の各々の上側部分CDs1および下側部分CDs3の間には、別の導電体CDの上側部分CDs1が位置し、このような配置により、導電体CD0の上側部分CDs1、下側部分CDs3、および最下水平部分CDs4、ならびに導電体CD1〜CD7の各々の上側部分CDs1および下側部分CDs3は、以下の順で、y軸に沿って並ぶ。すなわち、y軸に沿って上から下に向かって、導電体CD0の上側部分CDs1、導電体CD1の上側部分CDs1、導電体CD2の上側部分CDs1、導電体CD1の下側部分CDs3、導電体CD2の下側部分CDs3、導電体CD3の上側部分CDs1、導電体CD4の上側部分CDs1、導電体CD3の下側部分CDs3、導電体CD4の下側部分CDs3、導電体CD5の上側部分CDs1、導電体CD6上側部分CDs1、導電体CD5の下側部分CDs3、導電体CD6の下側部分CDs3、導電体CD7の上側部分CDs1、導電体CD0の下側部分CDs3、導電体CD7の下側部分CDs3、導電体CD0の最下水平部分CDs4の順に並ぶ。
導電体CD0〜CD7のそれぞれの上側部分CDs1および下側部分CDs3、ならびに導電体CD0の最下水平部分CDs4のうちのy軸上の上下に隣接する部分のうちの各2つの間には、メモリピラーMPが設けられる。メモリピラーMPは、セルトランジスタMT0〜MT7、およびセレクトゲートトランジスタDTならびにSTを実現するための構造を有し、詳細は後述される。図は、x軸に沿って並ぶ3つのメモリピラーMPおよびx軸に沿って並ぶ4つのメモリピラーMPのみを示すが、この例に限られない。
メモリピラーMPは、メモリピラーMP1〜MP16の複数の組を含む。以下に記述されるメモリピラーMP1〜MP16の複数の組が、x軸に沿って並ぶ。
メモリピラーMP1は、導電体CD0の上側部分CDs1と導電体CD1の上側部分CDs1との間に位置する。メモリピラーMP2は、導電体CD2の上側部分CDs1と導電体CD1の下側部分CDs3との間に位置する。メモリピラーMP3は、導電体CD2の下側部分CDs3と導電体CD3の上側部分CDs1との間に位置する。メモリピラーMP4は、導電体CD4の上側部分CDs1と導電体CD3の下側部分CDs3との間に位置する。メモリピラーMP5は、導電体CD4の下側部分CDs3と導電体CD5の上側部分CDs1との間に位置する。メモリピラーMP6は、導電体CD6の上側部分CDs1と導電体CD5の下側部分CDs3との間に位置する。メモリピラーMP7は、導電体CD6の下側部分CDs3と導電体CD7の上側部分CDs1との間に位置する。メモリピラーMP8は、導電体CD0の下側部分CDs3と導電体CD7の下側部分CDs3との間に位置する。
メモリピラーMP9は、導電体CD1の上側部分CDs1と導電体CD2の上側部分CDs1との間に位置する。メモリピラーMP10は、導電体CD1の下側部分CDs3と導電体CD2の下側部分CDs3との間に位置する。メモリピラーMP11は、導電体CD3の上側部分CDs1と導電体CD4の上側部分CDs1との間に位置する。メモリピラーMP12は、導電体CD3の下側部分CDs3と導電体CD4の下側部分CDs3との間に位置する。メモリピラーMP13は、導電体CD5の上側部分CDs1と導電体CD6の上側部分CDs1との間に位置する。メモリピラーMP14は、導電体CD5の下側部分CDs3と導電体CD6の下側部分CDs3との間に位置する。メモリピラーMP15は、導電体CD7の上側部分CDs1と導電体CD7の下側部分CDs3との間に位置する。メモリピラーMP16は、導電体CD7の下側部分CDs3と導電体CD0の最下水平部分CDs4との間に位置する。
メモリピラーMP1、MP2、MP3、MP4、MP5、MP6、MP7、およびMP8は、y軸に沿って並ぶ。メモリピラーMP9、MP10、MP11、MP12、MP13、MP14、MP15、およびMP16は、y軸に沿って並ぶ。
各メモリピラーMPは、導電体CDと、絶縁体(図示せず)を介して面する。各メモリピラーMPは、当該メモリピラーMPの上側の導電体部分CDs1またはCDs3と、当該メモリピラーMPの下側の導電体部分CDs1、CDs3、またはCDs4と、のちょうど中間に位置することを望まれる。しかしながら、各メモリピラーMPは、中間の位置から上または下に意図せずにずれている。図6は、そのような実際の構造を示し、例として、メモリピラーMPが、望まれる位置よりも上にずれているケースを示す。メモリピラーのMPのこのような配置により、各メモリピラーMPは、当該メモリピラーMPの上側の導電体部分CDs1またはCDs3と或る長さD1にわたって面し、当該メモリピラーMPの下側の導電体部分CDs1、CDs3、またはCDs4と或る長さD2にわたって面し、D1>D2なる関係を有する。
図7は、第1実施形態の半導体メモリの一部の平面構造を示し、図6一部が拡大された様子に加えて図6に示される層のz軸に沿ってより上の層の要素を示す。
導電体CDの上の層には、複数の導電体CBL(CBL1、CBL2、…、CBL14)が位置する。導電体CBLは、ビット線BLとして機能する。導電体CBLは、y軸に沿って延び、x軸に沿って並ぶ。隣り合う2つの導電体CBLがy軸に沿って並ぶメモリピラーMPの列のz軸に沿って上方で延びている。各導電体CBLは、同じ列に属する複数のメモリピラーMPのうち、1つおきのメモリピラーMPにコンタクトプラグCPによって接続されている。或るメモリピラーMPの列と重なる2本の導電体CBLは、相違するメモリピラーMPにコンタクトプラグCPによって接続される。このような接続により、隣り合う4本の導電体CBLは1つの組を構成し、このような組が、x軸に沿って繰り返し、位置することになる。すなわち、導電体CBLの各組は、p(pはゼロまたは自然数)が0および自然数の各値について、導電体CBL(4p+1)、CBL(4p+2)、CBL(4p+3)、およびCBL(4p+4)を含み、導電体CBL(4p+1)、CBL(4p+2)、CBL(4p+3)、およびCBL(4p+4)は、以下のように、メモリピラーMPに接続されている。以下、「p」を含んだ記述は、明示がなくとも、pが0および自然数の各値についての記述として適用される。ただし、pが0のケース、すなわち、CBL1、CBL2、CBL3、およびCBL4の組についてのみ代表として記述される場合もあり、これらの記述は、pが0以外の各場合についてにも当てはまる。すなわち、以下の導電体CBL1、CBL2、CBL3、およびCBL4についての記述が、pが自然数の各値についてのCBL(4p+1)、CBL(4p+2)、CBL(4p+3)、およびCBL(4p+4)にそれぞれ当てはまる。
導電体CBL(4p+1)は、メモリピラーMP1およびMP3と接続され、さらに、図示せぬメモリピラーMP5およびMP7と接続される。導電体CBL(4p+2)は、メモリピラーMP2およびMP4と接続され、さらに、図示せぬメモリピラーMP6およびMP8と接続される。導電体CBL(4p+3)は、メモリピラーMP9およびMP11と接続され、さらに、図示せぬメモリピラーMP13およびMP15と接続される。導電体CBL(4p+4)は、メモリピラーMP10およびMP12と接続され、さらに、図示せぬメモリピラーMP14およびMP16と接続される。
図8は、第1実施形態の半導体メモリの一部の1つの層の平面構造を示す。より具体的には、図8は、各導電体CWについての構造を、xy面に沿って示す。
図8に示されるように、導電体CWとして、導電体CWeおよびCWoが設けられる。図8が、ワード線WLeZ(Zは0または自然数)およびWLoZについて構造を示す場合、図8の導電体CWeはワード線WLeZとして機能し、導電体CWoはワード線WLoZとして機能する。
導電体CWeは、部分CWe1、CWe2、CWe3、CWe4、CWe5、CWe6、CWe7、CWe8、CWe9、およびCWe10を含む。導電体CWe1〜CWe9はx軸に沿って延び、導電体CWe10はy軸に沿って延びる。導電体CWe1〜CWe9は、同じ側の端(例えば左端)において部分CWe10に接続されている。こうして、導電体CWeは、櫛状の形状を有する。
導電体CWoは、部分CWo1、CWo2、CWo3、CWo4、CWo5、CWo6、CWo7、CWo8、およびCWo9を含む。導電体CWo1〜CWo8はx軸に沿って延び、導電体CWo9はy軸に沿って延びる。導電体CWo1〜CWo8は、導電体CWe0〜CWe9が互いに接続される側(例えば左端)と反対の側(例えば右端)において部分CWo9に接続されている。こうして、導電体CWoは、櫛状の形状を有する。
部分CWe1、CWo1、CWe2、CWo2、CWe3、CWo3、CWe4、CWo4、CWe5、CWo5、CWe6、CWo6、CWe7、CWo7、CWe8、CWo8、およびCWe9は、この順にy軸に沿って上から下に向かって並ぶ。
部分CWe1と部分CWo1は、メモリピラーMP1を挟み、メモリピラーMP1と面する。部分CWo1と部分CWe2は、メモリピラーMP9を挟み、メモリピラーMP9と面する。部分CWe2と部分CWo2は、メモリピラーMP2を挟み、メモリピラーMP2と面する。部分CWo2と部分CWe3は、メモリピラーMP10を挟み、メモリピラーMP10と面する。部分CWe3と部分CWo3は、メモリピラーMP3を挟み、メモリピラーMP3と面する。部分CWo3と部分CWe4は、メモリピラーMP11を挟み、メモリピラーMP11と面する。部分CWe4と部分CWo4は、メモリピラーMP4を挟み、メモリピラーMP4と面する。部分CWo4と部分CWe5は、メモリピラーMP12を挟み、メモリピラーMP12と面する。部分CWe5と部分CWo5は、メモリピラーMP5を挟み、メモリピラーMP5と面する。部分CWo5と部分CWe6は、メモリピラーMP13を挟み、メモリピラーMP13と面する。部分CWe6と部分CWo6は、メモリピラーMP6を挟み、メモリピラーMP6と面する。部分CWo6と部分CWe7は、メモリピラーMP14を挟み、メモリピラーMP14と面する。部分CWe7と部分CWo7は、メモリピラーMP7を挟み、メモリピラーMP7と面する。部分CWo7と部分CWe8は、メモリピラーMP15を挟み、メモリピラーMP15と面する。部分CWe8と部分CWo8は、メモリピラーMP8を挟み、メモリピラーMP8と面する。部分CWo8と部分CWe9は、メモリピラーMP16を挟み、メモリピラーMP16と面する。
図9は、第1実施形態の半導体メモリ1の一部の構造を示し、各メモリピラーMPのxy面に沿った断面の構造を示す。
図9に示されるとともに、図5および図7を参照して上で記述されるように、メモリピラーMPは、2つの導電体CWの間に位置する。図5を参照して記述されたように、メモリピラーMPは、z軸に沿って延び、絶縁体30、半導体31、絶縁体32、絶縁体33、および絶縁体34を含む。
2つの導電体CWの間には、絶縁体35および導電体36が設けられる。導電体36は、各導電体CWのメモリピラーMPと面する面および一方の導電体CWと面する縁に沿って設けられている。導電体36はまた、導電体CWの表面を覆う。導電体36は、例えば窒化チタンを含むか、窒化チタンからなる。
導電体36の表面は、絶縁体35により覆われている。絶縁体35は、例えば酸化アルミニウムを含むか、酸化アルミニウムからなる。
このような構造により、メモリピラーMPは、絶縁体35および導電体36を介して、導電体CWと面する。
2つの導電体CWの間には、絶縁体37が設けられている。
<1.2.動作>
半導体メモリ1は、セルアレイ11の一部を特定の用途に使用することができる。そのような用途は、半導体メモリ1に電源が供給され始めた後に最初に読み出されるデータを保持することを含む。電源オン後の最初のデータの読み出しはパワーオンリードと称され、セルアレイ11のうちのパワーオンリードされる領域は、パワーオンリード領域と称される。
半導体メモリ1は、セルアレイ11の一部を特定の用途に使用することができる。そのような用途は、半導体メモリ1に電源が供給され始めた後に最初に読み出されるデータを保持することを含む。電源オン後の最初のデータの読み出しはパワーオンリードと称され、セルアレイ11のうちのパワーオンリードされる領域は、パワーオンリード領域と称される。
図10に示されるように、半導体メモリ1はセルアレイ11の一部をパワーオンリード領域41として使用することができる。パワーオンリード領域41は、例えば、或る1つのブロックBLKの一部であり、例えば、ブロックBLK0の一部である。パワーオンリード領域41は、1つのブロックBLKの全体であってもよいし、複数のブロックBLKの各々の一部の組合せであってもよい。パワーオンリード領域41は、一般に、メモリシステム5のユーザからアクセスされることができない。セルアレイ11は、パワーオンリード領域41以外にユーザデータ領域42を含むことができる。ユーザデータ領域42は、メモリシステム5のユーザによってアクセスされることができる。
メモリシステム5は、例えばパワーオンリード領域41においては、セルトランジスタMT当たり1ビットのデータを書き込む(2値でデータを書き込む)ことができる。以下の記述は、パワーオンリード領域41に2値でデータが書き込まれる例に基づく。
図11は、第1実施形態の半導体メモリ1の一部を示す。より具体的には、図11は、パワーオンリード領域41中のセルトランジスタMTおよび関連する要素を示し、図8と同様に或る導電体CWの層を示す。ただし、図11は、各セルトランジスタMTがどのストリングユニットSUに属するかを視覚的に理解しやすくする目的で、図8とは異なり、導電体CWをストリングユニットSUごとに分割して示している。図11は、例として、上記のように1つの層についてのみ示すが、他の導電体CWの層についても、図11を参照して以下に記述される構造が形成されている。
例として、図11は、ストリングユニットSU3の記憶空間がパワーオンリード領域として使用されるケースを示す。よって、ストリングユニットSU3のセルトランジスタMTは、パワーオンリードで読み出されるデータを保持している。具体的には、以下の通りである。ストリングユニットSU3は、複数のセルトランジスタMT31、複数のセルトランジスタMT32、複数のセルトランジスタMT33、および複数のセルトランジスタMT34を含んでいる。セルトランジスタMT31は、導電体CBL(4p+1)と接続されたメモリピラーMP3に形成されるセルトランジスタである。セルトランジスタMT32は、導電体CBL(4p+2)と接続されたメモリピラーMP4に形成されるセルトランジスタである。セルトランジスタMT33は、導電体CBL(4p+3)と接続されたメモリピラーMP11に形成セルトランジスタである。セルトランジスタMT34は、導電体CBL(4p+4)と接続されたメモリピラーMP12に形成されるセルトランジスタである。そして、セルトランジスタMT31〜MT34は、パワーオンリードでリードされる、有効なデータを保持している。
以下、メモリピラーMPW(Wは自然数)に形成されるとともに導電体CBL(4p+1)、CBL(4p+2)、CBL(4p+3)、およびCBL(4p+4)と接続されたトランジスタは、それぞれ、セルトランジスタMTW1、MTW2、MTW3、およびMTW4と称される。
セルトランジスタMT31、MT32、MT33、およびMT34は、各々、以下に記述される、ストリングSU3とは異なるストリングユニットSUに属するセルトランジスタMTとメモリピラーを共有する。以下、同じメモリピラーMPに形成され、相違するストリングユニットSUに属する2つのセルトランジスタMTの一方は、他方に対して背面に位置すると称される。そして、2つの互いの背面に位置するセルトランジスタMTのうちの第1のセルトランジスタMTは、第2のセルトランジスタMTの背面セルトランジスタMTと称される場合がある。
各セルトランジスタMT31は、1つのセルトランジスタMT21の背面に位置する。すなわち、セルトランジスタMT21は、セルトランジスタMT31のストリングユニットSU3と異なるストリングユニットSU2に属するとともにセルトランジスタMT31と同じメモリピラーMP3に形成される。
各セルトランジスタMT32は、1つのセルトランジスタMT42の背面に位置する。すなわち、セルトランジスタMT42は、セルトランジスタMT32のストリングユニットSU3と異なるストリングユニットSU4に属するとともにセルトランジスタMT32と同じメモリピラーMP4に形成される。
各セルトランジスタMT33は、1つのセルトランジスタMT43の背面に位置する。すなわち、セルトランジスタMT43は、セルトランジスタMT33のストリングユニットSU3とは異なるストリングユニットSU4に属するとともにセルトランジスタMT33と同じメモリピラーMP11に形成される。
各セルトランジスタMT34は、1つのセルトランジスタMT44の背面に位置する。すなわち、セルトランジスタMT44は、セルトランジスタMT34のストリングユニットSU3とは異なるストリングユニットSU4に属するとともにセルトランジスタMT34と同じメモリピラーMP12に形成される。
セルトランジスタMT21、MT42、MT43、およびMT44は、データを保持しない。代わりに、セルトランジスタMT21、MT42、MT43、およびMT44は、固定の或る閾値電圧を有している状態にある。そのような状態は、セルトランジスタMT21、MT42、MT43、およびMT44が電圧VSSよりも高い閾値電圧を有している状態である。または、セルトランジスタMT21、MT42、MT43、およびMT44は、リードの間にワード線WLoX(Xは0または自然数)にリード電圧VCGRが印加される場合のワード線WLeXに印加される電圧、または、リードの間にワード線WLeXにリード電圧VCGRが印加される場合のワード線WLoXに印加される電圧よりも高い閾値電圧を有することができる。具体的には、セルトランジスタMT21、MT42、MT43、およびMT44は、Prステートにある。このように、セルトランジスタMT21、MT42、MT43、およびMT44は特定の状態に固定され、結果として、データを保持するために使用されない。
一方、ストリングユニットSU2およびSU4中のセルトランジスタMTのうちで、ストリングユニットSU3中のセルトランジスタMTの背面に位置しないセルトランジスタMTは、データを保持するために使用されることができる。具体的には、ストリングユニットSU2のセルトランジスタMTのうち、セルトランジスタMT21以外のセルトランジスタMT、すなわち、メモリピラーMP2、MP9、およびMP10に形成されるセルトランジスタMTは、データを保持するために使用されることができる。また、ストリングユニットSU4のセルトランジスタMTのうち、セルトランジスタMT42、MT43、およびMT44以外のセルトランジスタMT、すなわち、メモリピラーMP4に形成されるセルトランジスタMT41は、データを保持するために使用されることができる。
メモリピラーMP5に形成されているとともに導電体CBL1に接続されるセルトランジスタMT51については、後の実施形態で言及される。
以上のようなデータの保持の例が、図12に示されている。図12は、第1実施形態の半導体メモリ1のパワーオンリード領域41中の同じ層に位置するいくつかのセルトランジスタMTのデータの保持を示す。図12中の各独立した桝は、1つのセルトランジスタMTのステートを示す。各桝は、行により特定されるストリングユニットSU(SU2、SU3、またはSU4)に属し、各桝のセルトランジスタMTが含まれるストリングSTRが、列により特定される導電体CBL(CBL1、CBL2、CBL3、CBL4、…)に、ひいては、そのような導電体CBLにより実現されるビット線BLに接続されている。ストリングユニットSU3の各セルトランジスタMTと、当該セルトランジスタMTの背面セルトランジスタMTは、一点鎖線により囲まれている。
図12に示されるように、ストリングユニットSU3の各セルトランジスタMTは、パワーオンリードでリードされるデータに応じたステートにあることができる(斜線により示されている)。一方、ストリングユニットSU2およびSU4のセルトランジスタMTのうち、ストリングユニットSU3のセルトランジスタMTの背面に位置するものは、データを保持せず、電圧VSSよりも高い値の閾値電圧を有し、例えばPrステートにある。ストリングユニットSU2およびSU4のセルトランジスタMTのうち、ストリングユニットSU3のセルトランジスタMTの背面に位置しないものは、データを保持するために使用されることができ、すなわちデータに応じてErまたはPrステートにあることができる。
図11および図12を参照して記述されるような、セルトランジスタMTの状態は、通常の、ストリングユニットSU2、SU3、およびSU4ごとの書き込みにより形成されることができる。
次に、リードについて、図13〜図15を参照して記述される。図13は、第1実施形態の半導体メモリ1での動作の間のいくつかの要素に印加される電圧を時間に沿って示す。より具体的には、図13は、パワーオンリード領域41中の選択ブロックBLKでの動作を示し、例として、選択ブロックBLKのストリングユニットSU3のワード線WLo4と接続されたセルユニットCUからのリードの間のいくつかの要素に印加される電圧を時間に沿って示す。
図13に示されるように、図13の動作の開始の時点で、ビット線BL、全てのセレクトゲート線SGDL0〜7およびSGSLoおよびSGSLe、ならびにセルソース線CELSRCに、電圧VSSが印加されている。
時刻t1から時刻t3にわたって、ビット線BLが電圧VBLにプリチャージされる。また、時刻t1から時刻t3にわたって、セルソース線CELSRCに電圧VSRCが印加される。電圧VSRCは、電圧VSSより若干高い。
時刻t2から、選択ストリングユニットSU3のセレクトゲート線SGDL3およびストリングユニットSU3と接続されたセレクトゲート線SGSLoに電圧VSGが印加される。また、時刻t2から、選択ワード線WLo4にリード電圧VCGRが印加される。上記のように、パワーオンリード領域41ではセルトランジスタMTに2値でデータが書き込まれ、2値データを保持するセルトランジスタMTからのリードには、リード電圧VL(=VSS)が印加される。しかし、このような例でない場合も図示するため、およびリード電圧VCGRが印加される期間が視覚によって容易に認識されることを可能にするために、リード電圧VCGRが電圧VSSでないケースについては、点線により描かれる。
一方、時刻t2から、選択ワード線WLo4と同じ層に形成されるとともにワード線WLeXのXの位置においてワード線WLo4の「4」と同じ値を有するワード線WLe4には、ワード線WLe4と接続されたセルトランジスタMT21(MT21_4(アンダーバーに後続するY(Yは0または自然数)は、ワード線WLeYまたはWLoYと接続されていることを表す))の閾値電圧よりも低いとともにゼロまたは正の電圧が印加される。そのような電圧は、例えば、電圧VSSである。この例に基づくと、ワード線WLe4には、時刻t0から継続して時刻t2からも電圧VSSが印加される。
また、時刻t2から、残りの非選択のワード線WLのうち、ワード線WLe4およびWLo4の隣の計4つのワード線WLe3、WLe5、WLo3、およびWLo5以外のワード線WL、すなわち、ワード線WLo0〜2、WLo6、WLo7、WLe0〜2、WLe6、およびWLe7には電圧VREADが印加される。電圧VREADの印加は、時刻t3まで継続する。
さらに、時刻t2から、ワード線WLe4およびWLo4の隣の計4つのワード線WLe3、WLe5、WLo3、およびWLo5には電圧VREADKが印加される。電圧VREADKは電圧VREADより若干(例えば0.5V)高い。電圧VREADKの印加は、時刻t3まで継続する。電圧VREADKの印加は必須ではない。4つのワード線WLe3、WLe5、WLo3、およびWLo5に電圧VREADが印加されてもよい。または、4つのワード線WLe3、WLe5、WLo3、およびWLo5のうちの1〜3つの任意のワード線WLのみに電圧VREADKが印加され、残りのワード線WLに電圧VREADが印加されてもよい。ただし、以下の記述および図面では、一例として、4つのワード線WLe3、WLe5、WLo3、およびWLo5に電圧VREADKが印加される。
以上のような電圧の印加により、選択ワード線WLo4と接続されたセルトランジスタMTがオンすれば、対応するビット線BLからセルソース線CELSRCに電流が流れ、オフであれば電流は流れない。この電流の流れの有無の判断により、リード対象のセルトランジスタMT4によって保持されるデータが判断される。
また、上記のように、ワード線WLe4には、リードの間、ワード線WLe4と接続されたセルトランジスタMT21_4の閾値電圧よりも低い電圧しか印加されない。よって、セルトランジスタMT31_4からのデータのリードの間、セルトランジスタMT21_4がオンすることは、高い確度で抑制される。
図14および図15は、第1実施形態の半導体メモリ1の一部の或る動作中の状態を示しており、図13の時刻t2から時刻t3の間のストリングユニットSU2およびSU3中の互いの背面に位置する2つのセルトランジスタMTを含むとともに導電体CBL(4p+1)と接続される2つのストリングSTRの状態を示す。図14は、ストリングユニットSU3のセルトランジスタMT31_4がリード電圧VCGR未満の閾値電圧を有するケースを示す。図15は、セルトランジスタMT31_4がリード電圧VCGR以上の閾値電圧を有するケースを示す。
図14および図15に示されるように、ストリングユニットSU3のストリングSTRでは、セルトランジスタMT31_4の閾値電圧に基づいて、セル電流IcellがセルトランジスタMT31_4を介して流れるか(図14のケース)、流れない(図15のケース)。セル電流Icellは、ストリングユニットSU3のストリングSTRおよびストリングユニットSU2のストリングSTRがメモリピラーMPを共有しているため、ストリングユニットSU2のストリングSTRへ流入し、ストリングユニットSU2のストリングSTRを電流Impが流れ得る。しかし、ストリングユニットSU2のストリングSTRのセルトランジスタMT21_4は、電圧VSSより高い閾値電圧を有し(例えば、Prステートにあり)、ワード線WLo4は電圧VSSを印加されている。このため、セルトランジスタMT21_4はオフしており、電流Impは、セルトランジスタMT21_4を介して流れない。よって、電流ImpがセルトランジスタMT21_4を流れることによってセルトランジスタMT31_4のステートの判断に影響を与えることが抑制される。
図14および図15を参照して、ストリングユニットSU3のリード対象セルトランジスタMT31_4と、ストリングユニットSU2のセルトランジスタMT21_4の状態について記述された。このような状態は、ストリングユニットSU3のリード対象セルトランジスタMT32、MT33、およびMT34と、ストリングユニットSU4のセルトランジスタMT42、MT43、およびMT44の状態についても生じる。具体的には、図14および図15ならびに関連する記述における符号「SU2」、「SGDL2」、「MT31_4」、および「MT21_4」がそれぞれ「SU4」、「SGDL4」、「MT32_4」および「MT42_4」にそれぞれ置き換えられた状態が生じる。また、図14および図15ならびに関連する記述における「SU2」、「SGDL2」、「MT31_4」、および「MT21_4」がそれぞれ「SU4」、「SGDL4」、「MT33_4」、および「MT43_4」にそれぞれ置き換えられた状態が生じる。また、図14および図15ならびに関連する記述における「SU2」、「SGDL2」、「MT31_4」、および「MT21_4」がそれぞれ「SU4」、「SGDL4」、「MT34_4」、および「MT44_4」にそれぞれ置き換えられた状態が生じる。
<1.3.利点(効果)>
第1実施形態の半導体メモリ1によれば、以下に記述されるように、より簡便な構成でデータがリードされることができる。
第1実施形態の半導体メモリ1によれば、以下に記述されるように、より簡便な構成でデータがリードされることができる。
図5に示される半導体メモリ1のように、1つのメモリピラーMPに、相違するストリングユニットSUにそれぞれ属する2つのストリングSTRが形成される場合、パワーオンリード領域41中のセルトランジスタMTへの以下のように2値でのデータの書き込みおよびリードが考えられる。すなわち、2つのストリングSTRにおいて独立にデータが書き込まれ、こうすることによって、1つのメモリピラーMPに1つのストリングSTRが形成されるケースよりも多くのデータが記憶されることができる。そのようにデータが書き込まれた場合、データのリードは以下のように行われ得る。例として、図14および図15と同じく、ストリングユニットSU3のワード線WLo4と接続されたリード対象セルトランジスタMT31_4からデータがリードされるケースが想定される。一方、リード対象セルトランジスタMT31_4の背面セルトランジスタMT21_4も、第1実施形態と異なり、データを保持する。このため、セルトランジスタMT21_4も、データに応じて、ErまたはPrステートにある。
このような状態で、セルトランジスタMT31_4からデータがリードされる場合、データにセルトランジスタMT31_4の状態が正しく反映されるように、セルトランジスタMT21_4はオフしている必要がある。そこで、セルトランジスタMT21_4が、セルトランジスタMT31_4からのリードの間に、確実にオフしていることを目指して、そのような電圧がワード線WL21_4に印加される。そのような電圧は、半導体メモリ1のように、ErステートのセルトランジスタMTをオフさせるために負の値を有する必要がある。負の電圧の発生には、特別な回路が必要である。
第1実施形態のメモリシステム5によれば、パワーオンリード領域41中のリード対象セルトランジスタMTの背面セルトランジスタMTは、そのワード線WLにおいてリード対象セルトランジスタMTからのリードの間にゼロまたは正の第1電圧を印加され、かつ第1電圧より高い閾値電圧を有する。このため、リード対象セルトランジスタMTからのリードの間に、当該リード対象セルトランジスタMTの背面セルトランジスタMTをオフに維持するために、背面セルトランジスタMTのワード線WLに負のリード電圧VCGRが印加される必要がない。このため、負電圧の生成のための回路が不要であり、半導体メモリ1が簡略化されることができる。
また、パワーオンリード領域41は、半導体メモリ1への電源が供給され始めた直後にリードされる領域であり、その後の半導体メモリ1の動作に必要な重要な情報を保持しており、よって、パワーオンリード領域41のデータリードの高い信頼性が求められる。そうであるにも関わらず、パワーオンリード領域41は、半導体メモリ1への電源が供給され始めた直後にリードされるため、リードのためのパラメータ(例えば印加される電圧)の値が適切でない可能性がある。例えば、通常のリードでは半導体メモリ1の温度に基づいてリードのためのパラメータの値が決定されるのに対し、パワーオンリードでは、そのような制御が行われることができない。このため、パワーオンリード領域41からのデータのリードの信頼性が高い必要があるにも関わらず、その実現が難しい場合がある。
第1実施形態の半導体メモリ1によれば、上記のようにパワーオンリード領域41中のデータを保持するリード対象セルトランジスタMTの背面セルトランジスタMTは、第1電圧より高い閾値電圧を有する。このため、リード対象セルトランジスタMTからのリードの間、リード対象セルトランジスタMTの背面セルトランジスタMTは、高い確度でオフを維持し、電流を流すことを抑制される。よって、リード対象セルトランジスタMTのデータ(ステート)の判断に、リード対象セルトランジスタMTの背面セルトランジスタMTが干渉することが抑制され、リード対象セルトランジスタMTからデータが高い信頼性でリードされることができる。
(第2実施形態)
第2実施形態は、リード対象セルトランジスタMTの背面セルトランジスタMTの状態の点で、第1実施形態と異なる。第2実施形態については、第1実施形態と異なる点が以下に記述される。第1実施形態と同じ点については、第2実施形態に対して第1実施形態の記述が適用される。
第2実施形態は、リード対象セルトランジスタMTの背面セルトランジスタMTの状態の点で、第1実施形態と異なる。第2実施形態については、第1実施形態と異なる点が以下に記述される。第1実施形態と同じ点については、第2実施形態に対して第1実施形態の記述が適用される。
図16は、第2実施形態の半導体メモリ1のパワーオンリード領域41中の同じ層に位置するいくつかのセルトランジスタMTのデータの保持を示す。図16において、X0、X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7、およびX8は、各々、対応するセルトランジスタMTの具体的なステートを示し、具体的には、セルトランジスタ当たり1ビットのデータの保持の例に基づくと、ErまたはPrステートであることを示す。
図16に示されるように、互いに背面に位置する各2つのセルトランジスタMTは、同じステートにある。すなわち、ストリングユニットSU3の各セルトランジスタMTは、保持されるべきデータに応じて、ErまたはPrステートにある。一方、ストリングユニットSU2およびSU4のセルトランジスタMTのうち、ストリングユニットSU3のセルトランジスタMTの背面セルトランジスタMTは、データを保持せずに、ストリングユニットSU3中の対応する背面セルトランジスタMTと同じステートにある。ストリングユニットSU2およびSU4のセルトランジスタMTのうち、ストリングユニットSU3のセルトランジスタMTの背面に位置しないセルトランジスタMT、例えば、ストリングユニットSU4の導電体CBL(4p+1)と接続されたセルトランジスタMT、ストリングユニットSU2の導電体CBL(4p+2)、CBL(4p+3)、またはCBL(4p+4)と接続されたセルトランジスタMTは、データを保持するために使用されることができ、すなわちデータに応じたステートにあることができる。
各配線への電圧の印加については、第1実施形態(図13)と同じである。すなわち、パワーオンリード領域41中の選択ブロックBLKのストリングユニットSU3のワード線WLo4と接続されたセルユニットCUからのリードの間のいくつかの要素に印加される電圧については、図13と同じである。
図17に示されるように、時刻2から時刻t3の間、ワード線WLo4と同じ層に形成されるとともにワード線WLoXのXの位置においてワード線WLo4の「4」と同じ値を有するワード線WLe4に、ワード線WLo4と同じくリード電圧VCGRが印加される。
以上のような電圧の印加により、ストリングユニットSU3のセルトランジスタMT31_4、MT32_4、MT33_4、およびMT34_4に加えて、セルトランジスタMT31_4、MT32_4、MT33_4、およびMT34_4の背面セルトランジスタMT21_4、MT42_4、MT43_4、およびMT44_4も選択された状態が形成される。
このように、セルトランジスタMT31_4に保持されるデータが、互いに背面に位置するセルトランジスタMT31_4およびMT21_4によって保持される形になる。また、セルトランジスタMT32_4に保持されるデータが、互いに背面に位置するセルトランジスタMT32_4およびMT42_4によって保持される形になる。また、セルトランジスタMT33_4に保持されるデータが、互いに背面に位置するセルトランジスタMT33_4およびMT43_4によって保持される形になる。また、セルトランジスタMT34_4に保持されるデータが、互いに背面に位置するセルトランジスタMT34_4およびMT44_4によって保持される形になる。
そして、互いに背面に位置するセルトランジスタMT31_4およびMT21_4がオンすれば、対応するビット線BLからセルソース線CELSRCに電流が流れ、オフであれば電流は流れない。この電流の流れの有無の判断により、リード対象セルトランジスタMT31_4によって保持されるデータが判断される。
同様に、互いに背面に位置するセルトランジスタMT32_4およびMT42_4がオンすれば、対応するビット線BLからセルソース線CELSRCに電流が流れ、オフであれば電流は流れない。また、互いに背面に位置するセルトランジスタMT33_4およびMT43_4がオンすれば、対応するビット線BLからセルソース線CELSRCに電流が流れ、オフであれば電流は流れない。また、互いに背面に位置するセルトランジスタMT34_4および44_4がオンすれば、対応するビット線BLからセルソース線CELSRCに電流が流れ、オフであれば電流は流れない。
図18および図19は、第2実施形態の半導体メモリ1の一部の或る動作中の状態を示しており、図17の時刻t2から時刻t3の間のストリングユニットSU2およびSU3中の互いに背面に位置する2つのセルトランジスタMTを含むとともに導電体CBL(p+1)と接続される2つのストリングSTRの状態を示す。図18は、ストリングユニットSU3のセルトランジスタMT31_4がリード電圧VCGR以下の閾値電圧を有するケースを示す。図19は、セルトランジスタMT31_4がリード電圧VCGR超の閾値電圧を有するケースを示す。
図18および図19に示されるように、ストリングユニットSU3のストリングSTRでは、セルトランジスタMT31_4の閾値電圧に基づいて、セル電流Icellが流れるか(図18のケース)、セル電流Icellが流れない(図19のケース)。このとき、ストリングユニットSU2でも、セルトランジスタMT21_4は、セルトランジスタMT31_4と同じデータを保持し、ワード線WLe4において、ワード線WLo4とともにリード電圧VCGRを印加される。このため、図18に示されるように、リード電圧VCGRの印加によりセルトランジスタMT31_4がオンするのであれば、セルトランジスタMT21_4もオンして、セルトランジスタMT21_4を電流Impが流れる。一方、図19に示されるように、リード電圧VCGRの印加によってもセルトランジスタMT31_4がオフを維持するのであれば、セルトランジスタMT21_4もオフを維持する。よって、セルトランジスタMT21_4の状態がセル電流Icellに影響を与えることは回避され、むしろセルトランジスタMT21_4はセル電流Icellをアシストし、すなわちセル電流Icellが流れない(セル電流Icellの大きさがゼロ)場合とセル電流Icellが流れる場合との間のセル電流Icellの値の差を増幅する。
図18および図19を参照して、リード対象セルトランジスタMT31_4と、セルトランジスタMT21_4の状態について記述された。このような状態は、図14および図15について第1実施形態において記述されたように、ストリングユニットSU3のリード対象セルトランジスタMT32、MT33、およびMT34と、ストリングユニットSU4のセルトランジスタMT42、MT43、およびMT44の状態についても生じる。具体的には、図中の符号「SU2」、「SGDL2」、「MT31_4」、および「MT21_4」がそれぞれ「SU4」、「SGDL4」、「MT32_4」および「MT42_4」にそれぞれ置き換えられた状態が生じる。また、図中の符号「SU2」、「SGDL2」、「MT31_4」、および「MT21_4」がそれぞれ「SU4」、「SGDL4」、「MT33_4」、および「MT43_4」にそれぞれ置き換えられた状態が生じる。また、図中の符号「SU2」、「SGDL2」、「MT31_4」、および「MT21_4」がそれぞれ「SU4」、「SGDL4」、「MT34_4」、および「MT44_4」にそれぞれ置き換えられた状態が生じる。
第2実施形態の半導体メモリ1によれば、パワーオンリード領域41中のデータを保持するリード対象セルトランジスタMTの背面セルトランジスタMTは、当該リード対象セルトランジスタMTと同じデータを保持し(同じステートにあり)、リード対象セルトランジスタMTからのリードの間に選択された状態に置かれる。このため、リード対象セルトランジスタMTの背面セルトランジスタMTは、当該リード対象セルトランジスタMTがオンするのであればともにオンし、当該リード対象セルトランジスタMTがオフを維持するのであればともにオフを維持する。よって、リード対象セルトランジスタMTの背面セルトランジスタMTの状態がセル電流Icellに影響を与えることは回避され、むしろリード対象セルトランジスタMTの背面セルトランジスタMTはセル電流Icellをアシストする。このため、リード対象セルトランジスタMTからデータが高い信頼性でリードされることができる。
(第3実施形態)
第3実施形態は、第1実施形態に基づき、第1実施形態に付加的に実施され得る。
第3実施形態は、第1実施形態に基づき、第1実施形態に付加的に実施され得る。
パワーオンリード領域41に保持されるデータのような重要なおよび(または)動作が不安定な状態でリードされるデータは、複数のストリングユニットSUのそれぞれのセルユニットCUに重複して書き込まれるとともに複数のセルユニットCUが並行して選択されてリードされる場合がある。このようなデータの保持およびリードは、以下、多重選択と称され、第3実施形態は、第1実施形態に多重選択が適用された形態である。
図20は、第3実施形態の半導体メモリ1の或るブロックBLKの使用の例を示す。図20に示されるように、例えばブロックBLK0はパワーオンリード領域41を含む。パワーオンリード領域41の少なくとも2つのストリングユニットSU、例えばストリングユニットSU1およびSU2のそれぞれの少なくとも計2つのセルユニットCUは、同じデータAを保持し、すなわち、多重選択される。多重選択されるセルユニットCUが、セルトランジスタMT当たり1ビットのデータを保持する場合、これらセルユニットCUの各ページは、同一データを保持する。多重選択されるセルユニットCUが、セルトランジスタMT当たり2ビットのデータを保持する場合、当該セルユニットCUの各上位ページは同一のデータを保持し、当該セルユニットCUの各下位ページは同一のデータを保持する。ストリングユニットSU3のセルユニットCUとして代表的に描かれているように、その他のストリングユニットSUのセルユニットCUは、ストリングユニットSU1およびSU3のセルユニットCUとは異なるデータを保持する。
図21は、第3実施形態の半導体メモリ1のパワーオンリード領域41中の同じ層に位置するいくつかのセルトランジスタMTのデータの保持を示す。図21は、ストリングユニットSU3と、ストリングユニットSU3のアドレス、すなわち「3」と同じく奇数のアドレスを有するストリングユニットSUが多重選択される例に基づく。具体例として、ストリングユニットSU3およびSU5が、多重選択される例、すなわち同一のデータを保持する例に基づく。図21では、多重選択されるストリングユニットSU3およびSU5中のセルトランジスタMTを表す桝は、斜線を含んでいる。
図21に示されるように、ストリングユニットSU3およびSU5において、同じビット線BLに接続される2つのセルトランジスタMTは同じステートにある。
加えて、ストリングユニットSU5に並ぶストリングユニットSU4およびSU6中の特定のセルトランジスタMTは、ストリングユニットSU5中のセルトランジスタMTの背面に位置する。具体的には、以下の通りである。
ストリングユニットSU5の導電体CBL(p+1)と接続されるセルトランジスタMTは、ストリングユニットSU4の導電体CBL(p+1)と接続されるセルトランジスタMTの背面に位置する。ストリングユニットSU5の導電体CBL(p+2)、CBL(p+3)、およびCBL(p+4)とそれぞれ接続されるセルトランジスタMTは、ストリングユニットSU6の導電体CBL(p+2)、CBL(p+3)、およびCBL(p+4)とそれぞれ接続されるセルトランジスタMTの背面に位置する。
そして、ストリングユニットSU3およびSU5のセルトランジスタMTの背面トランジスタMTは、第1実施形態と同じく、リードの間にワード線WLoXにリード電圧VCGRが印加される場合のワード線WLeXに印加される電圧、または、リードの間にワード線WLeXにリード電圧VCGRが印加される場合のワード線WLoXに印加される電圧よりも高い閾値電圧を有することができる。例として、背面セルトランジスタMTは、Prステートにあることができる。
ストリングユニットSU2およびSU6中のセルトランジスタMTのうちでストリングユニットSU3またはSU5のセルトランジスタMTの背面に位置しないセルトランジスタMTは、データを保持するために使用されることができる。具体的には、ストリングユニットSU2のセルトランジスタMTのうち、導電体CBL(p+2)、CBL(p+3)、またはCBL(p+4)に接続されるセルトランジスタMTは、データを保持するために使用されることができる。また、ストリングユニットSU6のセルトランジスタMTのうち、導電体CBL(p+1)と接続されるセルトランジスタMTは、データを保持するために使用されることができる。
図22は、第3実施形態の半導体メモリ1での動作の間のいくつかの要素に印加される電圧を時間に沿って示す。より具体的には、図22は、パワーオンリード領域41中の選択ブロックBLKでの動作を示し、例として、選択ブロックBLKのストリングユニットSU3およびSU5が多重選択されるとともにワード線WLo4と接続されたセルユニットCUからのリードの間のいくつかの要素に印加される電圧を時間に沿って示す。以下、第1実施形態(図13)と異なる点が主に記述される。
図22に示されるように、時刻t2から時刻t3の間、多重選択されるストリングユニットSU3およびSU5のそれぞれのセレクトゲート線SGDL3およびSGDL5に電圧VSGが印加される。このような電圧の印加により、各ビット線BLとセルソース線CELSRCとの間に、ストリングユニットSU3のストリングSTRおよびストリングユニットSU5のストリングSTRが電気的に接続される。
選択されたストリングユニットSU3およびSU5のストリングSTRの状態、およびリード対象のセルトランジスタMTの背面セルトランジスタMTが属するストリングSTRの状態については、第1実施形態(図14および図15)と同じである。すなわち、図14および図15ならびに関連する記述におけるストリングユニットSU2およびSU3のそれぞれのストリングSTRの状態が、ストリングユニットSU2、SU3、SU4、SU5、およびSU6のうちの互いに背面に位置する2つのセルトランジスタMTをそれぞれ含んだ2つのストリングユニットSUのそれぞれのストリングSTRにおいて生じる。
第3実施形態によれば、第1実施形態と同じく、パワーオンリード領域41中のデータを保持するリード対象セルトランジスタMTの背面セルトランジスタMTは、データを保持することに使用されずに高い閾値電圧を有する状態(例えば、Prステート)にある。このため、第1実施形態と同じ利点を得られる。
さらに、第3実施形態によれば、パワーオンリード領域41中の2つのセルユニットCUに同一のデータが保持され、当該2つのセルユニットCUからデータがリードされる。このため、仮に一方のセルユニットCUに不良の個所が含まれていても、他方のセルユニットCUからのデータのリードが可能であり、全体として、パワーオンリードでデータが高い信頼性でリードされることができる。多重選択される2つのセルユニットCUのいずれにおいても、そのようなセルユニットCUのセルトランジスタMTの背面セルトランジスタMTがデータを保持することに使用されずに高い閾値電圧を有する状態にある。このため、リード対象のセルトランジスタMTからデータが一層高い信頼性でリードされることができる。
(第4実施形態)
第4実施形態は、第2実施形態に基づき、第2実施形態に多重選択が適用された形態である。
第4実施形態は、第2実施形態に基づき、第2実施形態に多重選択が適用された形態である。
図23は、第4実施形態の半導体メモリ1のパワーオンリード領域41中の同じ層に位置するいくつかのセルトランジスタMTのデータの保持を示す。図23に示されるように、第3実施形態と同じく、パワーオンリード領域41の少なくとも2つのセルユニットCUは、同じデータを保持し、例えばストリングユニットSU3およびSU5において同じビット線BLに接続される2つのセルトランジスタMTは同じステートにある。
加えて、ストリングユニットSU3およびSU5の各リード対象セルトランジスタMTの背面セルトランジスタMTは、第2実施形態と同じく、当該リード対象セルトランジスタMTと同じステートにある。
ストリングユニットSU2およびSU6のセルトランジスタMTのうち、ストリングユニットSU3またはSU5のセルトランジスタMTの背面に位置しないセルトランジスタMTは、データを保持するために使用されることができ、すなわち、データに応じたステートにあることができる。具体的には、ストリングユニットSU6のセルトランジスタMTのうちの導電体CBL(4p+1)と接続されるセルトランジスタMT、ストリングユニットSU2のセルトランジスタMTのうちの導電体CBL(4p+2)、CBL(4p+3)、またはCBL(4p+4)と接続されるセルトランジスタMTは、データを保持するために使用されることができる。
図24は、第4実施形態の半導体メモリ1での動作の間のいくつかの要素に印加される電圧を時間に沿って示す。より具体的には、図24は、パワーオンリード領域41中の選択ブロックBLKでの動作を示し、例として、選択ブロックBLKのストリングユニットSU3およびSU5が多重選択されるとともにワード線WLo4と接続されたセルユニットCUからのリードの間のいくつかの要素に印加される電圧を時間に沿って示す。以下、第2実施形態(図17)と異なる点が主に記述される。
図24に示されるように、時刻t2から時刻t3の間、多重選択されるストリングユニットSU3およびSU5のそれぞれのセレクトゲート線SGDL3およびSGDL5に電圧VSGが印加される。このような電圧の印加により、各ビット線BLとセルソース線CELSRCとの間に、ストリングユニットSU3のストリングSTRおよびストリングユニットSU5のストリングSTRが電気的に接続される。
選択されたストリングユニットSU3およびSU5のストリングSTRと、リード対象のセルトランジスタMTの背面セルトランジスタMTが属するストリングSTRとの状態については、第2実施形態(図18および図19)と同じである。すなわち、図18および図19ならびに関連する記述におけるストリングユニットSU2およびSU3のそれぞれのストリングSTRの状態が、ストリングユニットSU2、SU3、SU4、SU5、およびSU6のうちの互いに背面に位置する2つのセルトランジスタMTをそれぞれ含んだ2つのストリングユニットSUのそれぞれのストリングSTRにおいて生じる。
第4実施形態によれば、第2実施形態と同じく、パワーオンリード領域41中のデータを保持するリード対象セルトランジスタMTの背面セルトランジスタMTは、当該リード対象セルトランジスタMTと同じデータを保持し、リード対象セルトランジスタMTからのリードの間に選択された状態に置かれる。このため、第2実施形態と同じ利点を得られる。
さらに、第4実施形態によれば、第3実施形態と同じく、パワーオンリード領域41中の2つのセルユニットCUに同一のデータが保持され、当該2つのセルユニットCUからデータがリードされる。このため、リード対象のセルトランジスタMTからデータが一層高い信頼性でリードされることができる。
(第5実施形態)
第5実施形態は、第1実施形態に基づき、第1実施形態に第3実施形態とは異なる形で多重選択が適用された形態である。
第5実施形態は、第1実施形態に基づき、第1実施形態に第3実施形態とは異なる形で多重選択が適用された形態である。
図25は、第5実施形態の半導体メモリ1のパワーオンリード領域41中の同じ層に位置するいくつかのセルトランジスタMTのデータの保持を示す。図25に示されるように、第3実施形態と同じく、パワーオンリード領域41の少なくとも2つのセルユニットCUは、同じデータを保持する。一方、第3実施形態と異なり、アドレスの隣り合う2つのストリングユニットSU、例えば、ストリングユニットSU3およびSU4が同じデータを保持し、すなわち、ストリングユニットSU3およびSU4において同じ導電体CBLに接続される2つのセルトランジスタMTは同じステートにある。
多重選択されるストリングユニットSU3およびSU4の同じ導電体CBL(4p+1)に接続される2つのセルトランジスタMTは、互いの背面に位置しない。このため、ストリングユニットSU3の導電体CBL(4p+1)に接続されるセルトランジスタMTの背面に位置する、ストリングユニットSU2の導電体CBL(4p+1)と接続されるセルトランジスタMTは、データを保持することに使用されない。代わりに、背面セルトランジスタMTは、そのワード線WLにおいてリード電圧VCGRを印加されてもオンしない閾値電圧を有する。例えば、背面セルトランジスタMTは、Prステートにある。
同様に、ストリングユニットSU4の導電体CBL(4p+1)に接続されるセルトランジスタMT41の背面に位置する、ストリングユニットSU5の導電体CBL(4p+1)と接続されるセルトランジスタMTは、データを保持することに使用されない。代わりに、背面セルトランジスタMTは、そのワード線WLにおいてリード電圧VCGRを印加されてもオンしない閾値電圧を有する。例えば、背面セルトランジスタMTは、Prステートにある。
ストリングユニットSU2およびSU5中のセルトランジスタMTのうちでストリングユニットSU3またはSU4のセルトランジスタMTの背面に位置しないセルトランジスタMTは、データを保持するために使用されることができる。具体的には、ストリングユニットSU2またはSU5のセルトランジスタMTのうち、導電体CBL(4p+2)、CBL(4p+3)、またはCBL(4p+4)に接続されるセルトランジスタMTは、データを保持するために使用されることができる。
図26は、第5実施形態の半導体メモリ1での動作の間のいくつかの要素に印加される電圧を時間に沿って示す。より具体的には、図26は、パワーオンリード領域41中の選択ブロックBLKでの動作を示し、例として、選択ブロックBLKのストリングユニットSU3およびSU4が多重選択されるとともにワード線WLo4と接続されたセルユニットCUからのリードの間のいくつかの要素に印加される電圧を時間に沿って示す。以下、第1実施形態(図13)と異なる点が主に記述される。
図26に示されるように、時刻t2から時刻t3の間、多重選択されるストリングユニットSU3およびSU4のそれぞれのセレクトゲート線SGDL3およびSGDL4に電圧VSGが印加される。また、時刻t2から時刻t3の間、セレクトゲート線SGSLoおよびSGSLeに電圧VSGが印加される。このような電圧の印加により、各ビット線BLとセルソース線CELSRCとの間に、ストリングユニットSU3のストリングSTRおよびストリングユニットSU4のストリングSTRが電気的に接続される。
また、時刻t2からt3の間、ワード線WLo4およびWLe4にリード電圧VCGRが印加される。この電圧の印加により、セルトランジスタMT31_4およびMT41_4のデータに基づいて、セルトランジスタMT31_4およびMT41_4をセル電流Icellが流れるか、流れず、セルトランジスタMT31_4およびMT41_4のステートが判断されることができる。
図27および図28は、第5実施形態の半導体メモリ1の一部の或る動作中の状態を示しており、図26の時刻t2から時刻t3の間のストリングユニットSU2およびSU3中の互いに背面に位置する2つのセルトランジスタMTを含むとともに導電体CBL(4p+1)と接続される2つのストリングSTRの状態を示す。
図27および図28に示されるように、ストリングユニットSU3のストリングSTRでは、セルトランジスタMT31_4の閾値電圧に基づいて、セル電流IcellがセルトランジスタMT31_4を介して流れるか(図27のケース)、流れない(図28のケース)。一方、ストリングユニットSU2のストリングSTRのセルトランジスタMT21_4は、Prステート等の高い閾値電圧を有する状態にあるため、リード電圧VCGRを受け取っても、オンしない。よって、電流Impは、セルトランジスタMT21_4を介して流れない。このため、電流ImpがセルトランジスタMT21_4を流れることによってセルトランジスタMT31_4のステートの判断に影響を与えることが抑制される。
選択されたストリングユニットSU4およびストリングユニットSU5のうちで導電体CBL(4p+1)に接続されたストリングSTRの状態については、図27および図28と同様である。具体的には、図中の符号「SU2」、「SU3」、「SGDL2」、および「SGDL3」が、それぞれ、「SU5」、「SU4」、「SGDL5」、および「SGDL4」に置き換えられた状態が生じる。
第5実施形態によれば、パワーオンリード領域41中のデータを保持するリード対象セルトランジスタMTの背面セルトランジスタMTは、データを保持することに使用されずに、例えば、Prステートにある。このため、第1実施形態と同じく、負電圧の生成のための回路が不要であり、また、リード対象セルトランジスタMTのデータ(ステート)の判断に、リード対象セルトランジスタMTの背面セルトランジスタMTが干渉することが抑制されることができる。
さらに、第5実施形態によれば、第3実施形態と同じく、パワーオンリード領域41中の2つのセルユニットCUに同一のデータが保持され、当該2つのセルユニットCUからデータがリードされる。このため、第3実施形態と同じ利点を得られる。
(第6実施形態)
第6実施形態は、第2実施形態に基づき、第2実施形態に第4実施形態とは異なる形で多重選択が適用された形態である。
第6実施形態は、第2実施形態に基づき、第2実施形態に第4実施形態とは異なる形で多重選択が適用された形態である。
図29は、第6実施形態の半導体メモリ1のパワーオンリード領域41中の同じ層に位置するいくつかのセルトランジスタMTのデータの保持を示す。図29に示されるように、第5実施形態と同じく、パワーオンリード領域41のアドレスの隣り合う2つのストリングユニットSU、例えばストリングユニットSU3およびSU4が多重選択され、よって、ストリングユニットSU3およびSU4は同じデータを保持する。
加えて、ストリングユニットSU3およびSU4のセルトランジスタMTの各リード対象セルトランジスタMTの背面セルトランジスタMTは、第2実施形態と同じく、当該リード対象セルトランジスタMTと同じステートにある。
ストリングユニットSU2およびSU5のセルトランジスタMTのうち、ストリングユニットSU3またはSU4のセルトランジスタMTの背面に位置しないセルトランジスタMTは、データを保持するために使用されることができ、すなわち、データに応じたステートにあることができる。具体的には、ストリングユニットSU2およびSU5のセルトランジスタMTのうちの導電体CBL(4p+2)、CBL(4p+3)、またはCBL(4p+4)と接続されるセルトランジスタMTは、データを保持するために使用されることができる。
図30は、第6実施形態の半導体メモリ1での動作の間のいくつかの要素に印加される電圧を時間に沿って示す。より具体的には、図30は、パワーオンリード領域41中の或る選択ブロックBLKでの動作を示し、例として、選択ブロックBLKのストリングユニットSU3およびSU4が多重選択されるとともにワード線WLo4と接続されたセルユニットCUからのリードの間のいくつかの要素に印加される電圧を時間に沿って示す。以下、第2実施形態(図17)と異なる点が主に記述される。
図30に示されるように、時刻t2から時刻t3の間、多重選択されるストリングユニットSU3およびSU4のそれぞれのセレクトゲート線SGDL3およびSGDL4に電圧VSGが印加される。また、時刻t2から時刻t3の間、セレクトゲート線SGSLoおよびSGSLeに電圧VSGが印加される。このような電圧の印加により、各ビット線BLとセルソース線CELSRCとの間に、ストリングユニットSU3およびSU4の各々のストリングSTRが電気的に接続される。
また、時刻t2からt3の間、ワード線WLo4およびWLe4にリード電圧VCGRが印加される。この電圧の印加により、セルトランジスタMT31_4およびMT41_4のデータに基づいて、セルトランジスタMT31_4およびMT41_4をセル電流Icellが流れるか、流れず、セルトランジスタMT31_4およびMT41_4のステートが判断されることができる。
選択されたストリングユニットSU3およびストリングユニットSU2のうちで導電体CBL(4p+1)に接続されたストリングSTRの状態については、第2実施形態(図18および図19)と同じである。
また、選択されたストリングユニットSU4およびストリングユニットSU5のうちで導電体CBL(4p+1)に接続されたストリングSTRの状態についても、第2実施形態(図18および図19)と同様である。具体的には、図18および図19ならびに関連する記述における符号「SU2」、「SU3」、「SGDL2」、および「SGDL3」が、それぞれ、「SU5」、「SU4」、「SGDL5」、および「SGDL4」に置き換えられた状態が生じる。
第6実施形態によれば、第2実施形態と同じく、パワーオンリード領域41中のデータを保持するリード対象セルトランジスタMTの背面セルトランジスタMTは、当該リード対象セルトランジスタMTと同じデータを保持し、リード対象セルトランジスタMTからのリードの間に選択された状態に置かれる。このため、第2実施形態と同じ利点を得られる。
さらに、第6実施形態によれば、第3実施形態と同じく、パワーオンリード領域41中の2つのセルユニットCUに同一のデータが保持され、当該2つのセルユニットCUからデータがリードされる。このため、第3実施形態と同じ利点を得られる。
(第7実施形態)
第7実施形態は、第2実施形態に基づき、第4および第6実施形態とは異なる形で多重選択が適用された形態である。
第7実施形態は、第2実施形態に基づき、第4および第6実施形態とは異なる形で多重選択が適用された形態である。
図31は、第7実施形態の半導体メモリ1のパワーオンリード領域41中の同じ層に位置するいくつかのセルトランジスタMTのデータの保持を示す。図31に示されるように、アドレスの連続する3つのストリングユニットSU、例えばSU2、SU3、およびSU4が多重選択され、よって、ストリングユニットSU2、SU3、およびSU4は同じデータを保持する。具体的には、ストリングユニットSU2、SU3、およびSU4において同じビット線BLに接続される3つのセルトランジスタMTは同じステートにある。
ストリングユニットSU3の全てのセルトランジスタMTは、ストリングユニットSU2またはSU4のいずれかのセルトランジスタMTの背面に位置する。一方、ストリングユニットSU2およびSU5のいくつかのセルトランジスタMTは、ストリングユニットSU4のセルトランジスタMTの背面に位置せず、ストリングユニットSU1またはSU5のセルトランジスタMTの背面に位置する。このため、第2実施形態と同様に、ストリングユニとSU1およびSU5のセルトランジスタMTのうち、ストリングユニットSU2またはSU4のリード対象セルトランジスタMTの背面セルトランジスタMTは、当該リードセルトランジスタMTと同じステートにある。具体的には、ストリングユニットSU1のセルトランジスタMTのうち、導電体CBL(4p+2)、CBL(4p+3)、またはCBL(4p+4)と接続されたセルトランジスタMTは、それぞれの背面セルトランジスタMTと同じステートにある。また、ストリングユニットSU5のセルトランジスタMTのうち、導電体CBL(4p+1)と接続されたセルトランジスタMTは、それぞれの背面セルトランジスタMTと同じステートにある。
ストリングユニットSU1およびSU5のセルトランジスタMTのうち、ストリングユニットSU2またはSU4のセルトランジスタMTの背面に位置しないセルトランジスタMTはデータを保持するために使用されることができ、すなわち、データに応じたステートにあることができる。具体的には、ストリングユニットSU1のセルトランジスタMTのうちの導電体CBL(4p+1)と接続されるセルトランジスタMT、およびストリングユニットSU5のセルトランジスタMTのうちの導電体CBL(4p+2)、(4p+3)、またはCBL(4p+4)と接続されるセルトランジスタMTは、データを保持するために使用されることができる。
図32は、第7実施形態の半導体メモリ1での動作の間のいくつかの要素に印加される電圧を時間に沿って示す。より具体的には、図32は、パワーオンリード領域41中の選択ブロックBLKでの動作を示し、例として、選択ブロックBLKのストリングユニットSU2、SU3、およびSU4が多重選択されるとともにワード線WLo4と接続されたセルユニットCUからのリードの間のいくつかの要素に印加される電圧を時間に沿って示す。以下、第2実施形態(図17)と異なる点が主に記述される。
図32に示されるように、時刻t2から時刻t3の間、多重選択されるストリングユニットSU2、SU3、およびSU4のそれぞれのセレクトゲート線SGDL2、SGDL3、およびSGDL4に電圧VSGが印加される。また、時刻t2から時刻t3の間、セレクトゲート線SGSLoおよびSGSLeに電圧VSGが印加される。このような電圧の印加により、各ビット線BLとセルソース線CELSRCとの間に、ストリングユニットSU2、SU3、およびSU4の各々のストリングSTRが電気的に接続される。
また、時刻t2から時刻t3の間、ワード線WLo4およびワード線WLe4にリード電圧VCGRが印加される。この電圧の印加により、セルトランジスタMT21_4、MT31_4、およびMT41_4のデータに基づいて、セルトランジスタMT21_4、MT31_4、およびMT41_4をセル電流Icellが流れるか、流れず、セルトランジスタMT21_4、MT31_4、およびMT41_4のステートが判断されることができる。
図33および図34は、第7実施形態の半導体メモリ1の一部の或る動作中の状態を示しており、図32の時刻t2から時刻t3の間のストリングユニットSU4およびSU5中の互いに背面に位置する2つのセルトランジスタMTを含むとともに導電体CBL1と接続される2つのストリングSTRの状態を示す。図33は、ストリングユニットSU4のセルトランジスタMT41_4がリード電圧VCGR以下の閾値電圧を有するケースを示す。図34は、セルトランジスタMT41_4がリード電圧VCGR超の閾値電圧を有するケースを示す。
図33および図34に示されるように、ストリングユニットSU4のストリングSTRでは、セルトランジスタMT41_4の閾値電圧に基づいて、セル電流Icellが流れるか(図33のケース)、セル電流Icellが流れない(図34のケース)。このとき、ストリングユニットSU5でも、セルトランジスタMT51_4は、セルトランジスタMT41_4と同じデータを保持し、ワード線WLo4において、ワード線WLe4とともにリード電圧VCGRを印加される。このため、図33に示されるように、リード電圧VCGRの印加によりセルトランジスタMT41_4がオンするのであれば、セルトランジスタMT51_4もオンして、セルトランジスタMT51_4を電流Impが流れる。一方、図34に示されるように、リード電圧VCGRの印加によってもセルトランジスタMT41_4がオフを維持するのであれば、セルトランジスタMT51_4もオフを維持する。よって、セルトランジスタMT51_4の状態がセル電流Icellに影響を与えることは回避され、むしろセルトランジスタMT51_4はセル電流Icellをアシストし、すなわちセル電流Icellが流れない(セル電流Icellの大きさがゼロ)の場合とセル電流Icellが流れる場合との間のセル電流Icellの値の差を増幅する。
図33および図34を参照して、リード対象セルトランジスタMT41_4と、セルトランジスタMT51_4の状態について記述された。このような状態は、ストリングユニットSU2のリード対象セルトランジスタMT22、MT23、およびMT24と、ストリングユニットSU1のセルトランジスタMT12、MT13、およびMT14の状態についても生じる。具体的には、図中の符号「SU4」、「SU5」、「SGDL4」、「SGDL5」、「MT41_4」、および「MT51_4」がそれぞれ「SU2」、「SU1」、「SGDL2」、「SGDL1」、「MT22_4」および「MT12_4」にそれぞれ置き換えられた状態が生じる。また、図中の符号「SU4」、「SU5」、「SGDL4」、「SGDL5」、「MT41_4」、および「MT51_4」がそれぞれ「SU2」、「SU1」、「SGDL2」、「SGDL1」、「MT23_4」、および「MT13_4」にそれぞれ置き換えられた状態が生じる。また、図中の符号「SU4」、「SU5」、「SGDL4」、「SGDL5」、「MT41_4」、および「MT51_4」がそれぞれ「SU2」、「SU1」、「SGDL2」、「SGDL1」、「MT24_4」、および「MT14_4」にそれぞれ置き換えられた状態が生じる。
第7実施形態の3つのストリングユニットSUの多重選択は、第5実施形態に適用されてもよい。この場合、ストリングユニットSU1およびSU5のセルトランジスタMTのうち、ストリングユニットSU2またはSU4のセルトランジスタMTの背面に位置するセルトランジスタMTは、Prステートにある。
また、第7実施形態の3つのストリングユニットSUの多重選択は、第3実施形態に適用されてもよい。すなわち、奇数のアドレスを有するストリングユニットSU、例えばストリングユニットSU1、SU3、およびSU5が多重選択される。この場合、ストリングユニットSU0およびSU6のセルトランジスタMTのうち、ストリングユニットSU1またはSU5のセルトランジスタMTの背面に位置するセルトランジスタMTは、Prステートにある。
さらに、第7実施形態の3つのストリングユニットSUの多重選択は、第4実施形態に適用されてもよい。すなわち、奇数のアドレスを有するストリングユニットSU、例えばストリングユニットSU1、SU3、およびSU5が多重選択される。この場合、ストリングユニットSU0およびSU6のセルトランジスタMTのうち、ストリングユニットSU1またはSU5のリード対象セルトランジスタMTの背面に位置するセルトランジスタMTは、当該リード対象セルトランジスタMTと同じステートにある。
(変形例)
ここまで、実施形態が図5〜図8の構造に基づく例が記述された。しかしながら、実施形態は、別の構造に適用されることも可能である。図35〜図38は、実施形態が適用されることができる構造の例を示す。
ここまで、実施形態が図5〜図8の構造に基づく例が記述された。しかしながら、実施形態は、別の構造に適用されることも可能である。図35〜図38は、実施形態が適用されることができる構造の例を示す。
図35は、図7に示される第1の構造と同様に、実施形態の半導体メモリ1の第2の構造の一部の平面構造を示し、或る導電体CWの層を示す。他の導電体CWの層も同じ構造を有する。
図35に示されるように、各メモリピラーMPは、2つのメモリピラーMP_1およびMP_2に分かれている。メモリピラーMP_1とMP_2の境界は、例えば、導電体CWoの一部と、当該導電体CWoの一部と並ぶ導電体CWeの一部、例えば部分CWo1と部分CWe2との境界に一致する。
図36は、実施形態の半導体メモリ1の第2の構造の一部を示し、各メモリピラーMPのxy面に沿った断面の構造を示す。図36に示されるとともに上記されるように、図9の第1の構造では1つであるメモリピラーMPは、2つのメモリピラーMP_1およびMP_2に分かれている。このことに基づいて、絶縁体30、半導体31、絶縁体32、絶縁体33、および絶縁体34の各々も、以下のように、2つに分かれている。
第1の構造での絶縁体30は、絶縁体30_1および30_2に分かれている。第1の構造での半導体31は、半導体31_1および半導体31_2に分かれている。第1の構造での絶縁体32は、絶縁体32_1および32_2に分かれている。第1の構造での絶縁体33は、絶縁体33_1および33_2に分かれている。第1の構造での絶縁体34は、絶縁体34_1および34_2に分かれている。
絶縁体30_1、半導体31_1、絶縁体32_1、絶縁体33_1、および絶縁体34_1は、メモリピラーMP_1に含まれる。絶縁体30_2、半導体31_2、絶縁体32_2、絶縁体33_2、および絶縁体34_2は、メモリピラーMP_2に含まれる。
図37は、図7に示される第1の構造と同様に、実施形態の半導体メモリ1の第3の構造の一部の平面構造を概略的に示し、或る導電体CWの層を示す。他の導電体CWの層も同じ構造を有する。
図37に示されるように、x軸に沿って導電体CWo(導電体CWoの一部)およびCWe(導電体CWeの一部)が延びている。導電体CWoおよびCWeは、y軸に沿って交互に並んでいる。1つの導電体CWeを挟む2つの導電体CWoは、図37に示されていない領域で、第1実施形態(図6)と同様に互いに接続されている。1つの導電体CWoを挟む2つの導電体CWeは、図33に示されていない領域で、第1実施形態と同様に互いに接続されている。導電体CWoおよびCWeの各々は、x軸に沿って延びる2つの側面の各々の上において積層体51を設けられている。積層体51は、y軸に沿って並んで設けられた導電体および絶縁体を含む。
y軸に沿って並ぶ各2つの積層体51の間には、複数の分離ピラーIPが設けられる。分離ピラーIPは、メモリピラーMPと同じく、z軸に沿って延び、一方でメモリピラーMPと異なり絶縁体からなる。各分離ピラーIPは、y軸に沿って並ぶ各2つの積層体51の各々に部分的に重なり、積層体51の一部を当該分離ピラーIPの左右で分離する。各積層体51のうちで、隣り合う2つの分離ピラーIPの間の部分から1つのセルトランジスタMTが構成される。
図38は、実施形態の半導体メモリ1の第3の構造の一部を示し、分離ピラーIPのxy面に沿った断面の構造を示す。図38に示されるように、各導電体CWのxz面上に導電体36が設けられている。導電体36のxz面上に絶縁体35が設けられている。絶縁体35のxz面上に絶縁体34が設けられている。絶縁体34のxz面上に絶縁体33が設けられている。絶縁体33のxz面上に絶縁体32が設けられている。絶縁体32のxz面上に半導体31が設けられている。半導体31のxz面上に絶縁体30が設けられている。y軸に沿って並ぶ2つの絶縁体30の間には、絶縁体37が設けられている。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
1…半導体メモリ、2…メモリコントローラ、3…ホスト装置、5…メモリシステム、21…ホストインターフェイス、22…CPU、23…RAM、24…ROM、25…メモリインターフェイス、26…ECC回路、11…メモリセルアレイ、12…入出力回路、13…シーケンサ、15…ドライバ、16…センスアンプ、19…ロウデコーダ、SU…ストリングユニット、STR…ストリング、CBL…導電体(ビット線)、CD…導電体(セレクトゲート線)、CW…導電体(ワード線)、CS…導電体(セレクトゲート線)、MT…セルトランジスタ、MP…メモリピラー、CU…セルユニット。
Claims (5)
- 第1部分および第2部分を含む第1半導体と、
前記第1半導体の前記第1部分と面する第1ワード線と、
前記第1ワード線の前記第2部分と面し、前記第1ワード線とともに前記第1半導体を挟み、前記第1ワード線とは別個の第2ワード線と、
前記第1半導体の前記第1部分を含む第1領域に形成され、前記第1ワード線と接続された第1セルトランジスタと、
前記第1半導体の前記第2部分を含む第2領域に形成され、前記第2ワード線と接続され、第1閾値電圧を有する第2セルトランジスタであって、前記第1閾値電圧は第1電圧より高く、前記第1電圧は前記第1セルトランジスタからのデータのリードの間に前記第2ワード線に印加され、前記第1電圧はゼロまたは正の大きさを有する、第2セルトランジスタと、
を備える半導体記憶装置。 - 前記第1半導体と接続された第1ビット線と、
前記第1半導体の前記第1セルトランジスタと前記第1ビット線との間に形成された第1トランジスタと、
前記第1ビット線と接続された第2半導体と、
前記第2半導体に形成され、前記第1ワード線または前記第2ワード線と接続され、前記第1セルトランジスタと同じデータを保持する第3セルトランジスタと、
前記第2半導体の前記第3セルトランジスタと前記第1ビット線との間に形成された第2トランジスタと、
をさらに備え、
前記第1セルトランジスタからのデータのリードの間、前記第1トランジスタおよび前記第2トランジスタはオンされる、
請求項1の半導体記憶装置。 - 第1部分および第2部分を含む第1半導体と、
前記第1半導体の前記第1部分と面する第1ワード線と、
前記第1ワード線の前記第2部分と面し、前記第1ワード線とともに前記第1半導体を挟み、前記第1ワード線とは別個の第2ワード線と、
前記第1半導体の前記第1部分を含む第1領域に形成され、前記第1ワード線と接続された第1セルトランジスタと、
前記第1半導体の前記第2部分を含む第2領域に形成され、前記第2ワード線と接続され、前記第1セルトランジスタと同じデータを保持する第2セルトランジスタと、
を備え、
前記第1セルトランジスタからのデータのリードの間、前記第1ワード線および前記第2ワード線に第1電圧が印加される、
半導体記憶装置。 - 前記第1半導体と接続された第1ビット線と、
前記第1半導体の前記第1セルトランジスタと前記第1ビット線との間に形成された第1トランジスタと、
前記第1ビット線と接続された第2半導体と、
前記第2半導体に形成され、前記第1ワード線または前記第2ワード線と接続され、前記第1セルトランジスタと同じデータを保持する第3セルトランジスタと、
前記第2半導体の前記第3セルトランジスタと前記第1ビット線との間に形成された第2トランジスタと、
をさらに備え、
前記第1セルトランジスタからのデータのリードの間、前記第1トランジスタおよび前記第2トランジスタはオンされる、
請求項3の半導体記憶装置。 - 前記第1セルトランジスタおよび前記第2セルトランジスタは、前記半導体記憶装置中のデータを記憶する領域のうちで、前記半導体記憶装置への電源供給の開始後に最初にリードされる領域に含まれる、
請求項1乃至4のいずれかの半導体記憶装置。
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