JP2019511464A - 有機光電子素子用化合物、有機光電子素子および表示装置 - Google Patents

有機光電子素子用化合物、有機光電子素子および表示装置 Download PDF

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Abstract

化学式１で表される有機光電子素子用化合物、これを適用した有機光電子素子および表示装置に関する。前記化学式１に関する詳細な内容は、明細書で定義した通りである。【選択図】図１

Description

有機光電子素子用化合物、有機光電子素子および表示装置に関する。
有機光電子素子（ｏｒｇａｎｉｃ ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ｄｉｏｄｅ）は、電気エネルギーと光エネルギーを相互変換できる素子である。
有機光電子素子は、動作原理により、大きく２つに分けられる。一つは、光エネルギーによって形成されたエキシトン（ｅｘｃｉｔｏｎ）が電子と正孔に分離され、前記電子と正孔がそれぞれ異なる電極に伝達されながら電気エネルギーを発生する光電素子であり、他の一つは、電極に電圧または電流を供給して電気エネルギーから光エネルギーを発生する発光素子である。
有機光電子素子の例としては、有機光電素子、有機発光素子、有機太陽電池、および有機感光体ドラム（ｏｒｇａｎｉｃ ｐｈｏｔｏ ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｄｒｕｍ）などが挙げられる。
このうち、有機発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）は、近年、平板表示装置（ｆｌａｔ ｐａｎｅｌ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ）の需要増加により大きく注目されている。前記有機発光素子は、有機発光材料に電流を加えて電気エネルギーを光に変換させる素子であって、通常、陽極（ａｎｏｄｅ）と陰極（ｃａｔｈｏｄｅ）との間に有機層が挿入された構造からなる。ここで、有機層は、発光層と、選択的に補助層とを含むことができ、前記補助層は、例えば、有機発光素子の効率と安定性を高めるための正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、電子輸送層、電子注入層、および正孔ブロック層から選択された少なくとも１層を含むことができる。
有機発光素子の性能は、前記有機層の特性により多く影響され、なかでも、前記有機層に含まれている有機材料による影響を多く受ける。
特に、前記有機発光素子が大型平板表示装置に適用されるためには、正孔および電子の移動性を高めると同時に、電気化学的安定性を高めることのできる有機材料の開発が必要である。
一実施形態は、高効率および長寿命の有機光電子素子を実現できる有機光電子素子用化合物を提供する。
他の実施形態は、前記有機光電子素子用化合物を含む有機光電子素子を提供する。
さらに他の実施形態は、前記有機光電子素子を含む表示装置を提供する。
一実施形態によれば、下記化学式１で表される有機光電子素子用化合物を提供する。
前記化学式１において、
Ｒ１〜Ｒ５は、それぞれ独立に、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ４アルキル基、またはフェニル基であり、
Ｚ１〜Ｚ３は、それぞれ独立に、ＣＲａまたはＮであり、
Ｚ１〜Ｚ３のうちの少なくとも２つは、Ｎであり、
ＲａおよびＲ６は、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、または置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ１２アリール基であり、
Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立に、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、または置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ１８アリール基であり、
ａ、ｂ、ｃ、ｄ、およびｅは、それぞれ独立に、０または１の整数でかつ、
４≦ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ≦５であり、
前記「置換」とは、少なくとも１つの水素が、重水素、Ｃ１〜Ｃ４アルキル基、またはＣ６〜Ｃ１２アリール基で置換されていることを意味する。
他の実施形態によれば、互いに対向する陽極および陰極と、前記陽極と前記陰極との間に位置する少なくとも１層の有機層とを含み、前記有機層は、前述した有機光電子素子用化合物を含む有機光電子素子を提供する。
さらに他の実施形態によれば、前記有機光電子素子を含む表示装置を提供する。
高効率長寿命の有機光電子素子を実現することができる。
一実施形態に係る有機発光素子を示す断面図である。 一実施形態に係る有機発光素子を示す断面図である。 一実施形態に係る有機発光素子を示す断面図である。 一実施形態に係る有機発光素子を示す断面図である。
以下、本発明の実施形態を詳細に説明する。ただし、これは例として提示されるものであり、これによって本発明が制限されず、本発明は後述する請求範囲の範疇によってのみ定義される。
本明細書において、「置換」とは、別途の定義がない限り、置換基または化合物中の少なくとも１つの水素が、重水素、ハロゲン基、ヒドロキシル基、アミノ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ３０アミン基、ニトロ基、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ４０シリル基、Ｃ１〜Ｃ３０アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１０アルキルシリル基、Ｃ６〜Ｃ３０アリールシリル基、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル基、Ｃ３〜Ｃ３０ヘテロシクロアルキル基、Ｃ６〜Ｃ３０アリール基、Ｃ６〜Ｃ３０ヘテロアリール基、Ｃ１〜Ｃ２０アルコキシ基、フルオロ基、トリフルオロメチル基などのＣ１〜Ｃ１０トリフルオロアルキル基、またはシアノ基で置換されていることを意味する。
本明細書において、「ヘテロ」とは、別途の定義がない限り、１つの官能基内にＮ、Ｏ、Ｓ、Ｐ、およびＳｉからなる群より選択されるヘテロ原子を１〜３個含有し、残りは炭素であるものを意味する。
本明細書において、「アルキル（ａｌｋｙｌ）基」とは、別途の定義がない限り、脂肪族炭化水素基を意味する。アルキル基は、いかなる二重結合や三重結合を含まない「飽和アルキル（ｓａｔｕｒａｔｅｄ ａｌｋｙｌ）基」であってもよい。
前記アルキル基は、Ｃ１〜Ｃ３０のアルキル基であってもよい。より具体的には、アルキル基は、Ｃ１〜Ｃ２０アルキル基、またはＣ１〜Ｃ１０アルキル基でもよい。例えば、Ｃ１〜Ｃ４アルキル基は、アルキル鎖に１〜４個の炭素原子が含まれるものを意味し、メチル、エチル、プロピル、イソ−プロピル、ｎ−ブチル、イソ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、およびｔ−ブチルからなる群より選択されるものを表す。
前記アルキル基は、具体例として、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などを意味する。
本明細書において、「アリール（ａｒｙｌ）基」は、炭化水素芳香族モイエティを１つ以上有するグループを総括する概念であって、
炭化水素芳香族モイエティのすべての元素がｐ−オービタルを有しかつ、これらのｐ−オービタルが共役（ｃｏｎｊｕｇａｔｉｏｎ）を形成している形態、例えば、フェニル基、ナフチル基などを含み、
２以上の炭化水素芳香族モイエティがシグマ結合により連結された形態、例えば、ビフェニル基、ターフェニル基、クォーターフェニル基などを含み、
２以上の炭化水素芳香族モイエティが直接または間接的に融合した非芳香族縮合環も含むことができる。例えば、フルオレニル基などが挙げられる。
アリール基は、モノサイクリック、ポリサイクリック、または縮合環ポリサイクリック（つまり、炭素原子の隣接する対を分け合う環）官能基を含む。
本明細書において、「ヘテロアリール（ｈｅｔｅｒｏａｒｙｌ）基」は、アリール基内にＮ、Ｏ、Ｓ、Ｐ、およびＳｉからなる群より選択されるヘテロ原子を１〜３個含有し、残りは炭素であるものを意味する。２以上のヘテロアリール基は、シグマ結合により直接連結されるか、前記ヘテロアリール基が２以上の環を含む場合、２以上の環は互いに縮合できる。前記ヘテロアリール基が縮合環の場合、それぞれの環ごとに前記ヘテロ原子を１〜３個含むことができる。
前記ヘテロアリール基は、具体例として、ピリジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基などを意味する。
より具体的には、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、および／または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基は、置換もしくは非置換のフェニル基、置換もしくは非置換のナフチル基、置換もしくは非置換のアントラセニル基、置換もしくは非置換のフェナントリル基、置換もしくは非置換のナフタセニル基、置換もしくは非置換のピレニル基、置換もしくは非置換のビフェニル基、置換もしくは非置換のｐ−ターフェニル基、置換もしくは非置換のｍ−ターフェニル基、置換もしくは非置換のクリセニル基、置換もしくは非置換のトリフェニレニル基、置換もしくは非置換のペリレニル基、置換もしくは非置換のフルオレニル基、置換もしくは非置換のインデニル基、置換もしくは非置換のフラニル基、置換もしくは非置換のチオフェニル基、置換もしくは非置換のピロリル基、置換もしくは非置換のピラゾリル基、置換もしくは非置換のイミダゾリル基、置換もしくは非置換のトリアゾリル基、置換もしくは非置換のオキサゾリル基、置換もしくは非置換のチアゾリル基、置換もしくは非置換のオキサジアゾリル基、置換もしくは非置換のチアジアゾリル基、置換もしくは非置換のピリジル基、置換もしくは非置換のピリミジニル基、置換もしくは非置換のピラジニル基、置換もしくは非置換のトリアジニル基、置換もしくは非置換のベンゾフラニル基、置換もしくは非置換のベンゾチオフェニル基、置換もしくは非置換のベンズイミダゾリル基、置換もしくは非置換のインドリル基、置換もしくは非置換のキノリニル基、置換もしくは非置換のイソキノリニル基、置換もしくは非置換のキナゾリニル基、置換もしくは非置換のキノキサリニル基、置換もしくは非置換のナフチリジニル基、置換もしくは非置換のベンズオキサジニル基、置換もしくは非置換のベンズチアジニル基、置換もしくは非置換のアクリジニル基、置換もしくは非置換のフェナジニル基、置換もしくは非置換のフェノチアジニル基、置換もしくは非置換のフェノキサジニル基、置換もしくは非置換のジベンゾフラニル基、または置換もしくは非置換のジベンゾチオフェニル基、またはこれらの組み合わせであってもよいが、これに制限されない。
本明細書において、正孔特性とは、電場（ｅｌｅｃｔｒｉｃ ｆｉｅｌｄ）を加えたとき、電子を供与して正孔を形成できる特性をいうもので、ＨＯＭＯ準位に応じて伝導特性を有し、陽極で形成された正孔の発光層への注入、発光層で形成された正孔の陽極への移動、および発光層での移動を容易にする特性を意味する。
また、電子特性とは、電場を加えたとき、電子を受けられる特性をいうもので、ＬＵＭＯ準位に応じて伝導特性を有し、陰極で形成された電子の発光層への注入、発光層で形成された電子の陰極への移動、および発光層での移動を容易にする特性を意味する。
以下、一実施形態に係る有機光電子素子用化合物を説明する。
一実施形態に係る有機光電子素子用化合物は、下記化学式１で表される。
前記化学式１において、
Ｒ１〜Ｒ５は、それぞれ独立に、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ４アルキル基、またはフェニル基であり、
Ｚ１〜Ｚ３は、それぞれ独立に、ＣＲａまたはＮであり、
Ｚ１〜Ｚ３のうちの少なくとも２つは、Ｎであり、
ＲａおよびＲ６は、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、または置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ１２アリール基であり、
Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立に、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、または置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ１８アリール基であり、
ａ、ｂ、ｃ、ｄ、およびｅは、それぞれ独立に、０または１の整数でかつ、
４≦ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ≦５であり、
前記「置換」とは、少なくとも１つの水素が、重水素、Ｃ１〜Ｃ４アルキル基、またはＣ６〜Ｃ１２アリール基で置換されていることを意味する。
前記化学式１で表される有機光電子素子用化合物は、４個以上のフェニル基で置換されたバルキーな芳香族基部分と窒素含有６員環がフェニルリンカーで連結された構造である。
前記窒素含有６員環は、素子内における電子の注入や移動を容易にする役割を果たし、前記バルキーな芳香族基部分は、正孔の注入および移動を助けたり、あるいは化合物のガラス転移温度を高くし、分子間相互作用の抑制によって発光効率が高まり、分子量対比低い蒸着温度を有するようにする。したがって、前記化学式１で表される有機光電素子用化合物は、素子内で膜を形成する時、バルキーな芳香族基部分より相対的に平らな構造からなる窒素含有６員環のパッキングに優れ、これは、素子内における電子の注入および移動を容易にするという利点がある。したがって、前記化学式１で表される有機光電子素子用化合物は、特に電子注入補助層としての使用時、優れた電子伝達特性によって素子の駆動電圧を減少させることができ、発光層への速やかな電子の注入によって発光効率を高めることができる。一方、正孔注入および移動に優れた材料との混合により、発光層への使用時にも、優れた電子伝達能力によって駆動電圧が減少し、バルキーな芳香族基部分による分子間相互作用の減少効果によって優れた発光効率を得ることができる。また、前記化学式１で表される有機光電子素子用化合物の場合、バルキーな芳香族基部分の球状構造によって蒸着温度を下げられるだけでなく、優れた溶解度を有するため、蒸着用および溶液工程用ともに有用に使用可能である。
特に、前記窒素含有６員環と前記バルキーな芳香族基がリンカーで連結されることによって、Ｂｏｎｄｉｎｇ間のｐｒｅｒｏｔａｔｉｏｎを増加させて結晶化度を低減する役割を果たし、バルキーな芳香族とリンカーによって分子の溶解度が増加して溶液工程が可能になるという利点がある。
それだけでなく、前記リンカーをフェニル基で固定することによって、６員環が含まれている窒素含有置換基とバルキーな芳香族基との間の距離を短くすることで分子の形状をより球状に近く実現することができ、これから蒸着温度を下げて優れた耐熱安定性を有することができる。
前記化学式１は、バルキーな芳香族基部分に含まれるフェニル基の個数に応じて、下記化学式１−Ｉ〜１−ＩＶのうちのいずれか１つで表される。
前記化学式１−Ｉ〜１−ＩＶにおいて、Ｒ１〜Ｒ６、Ｚ１〜Ｚ３、Ａｒ１およびＡｒ２は、前述した通りである。
前記化学式１−Ｉは、具体的には、リンカーがメタ、オルト、またはパラ位置に連結されることによって、それぞれ下記化学式１−Ｉａ、１−Ｉｂ、または１−Ｉｃで表される。
また、前記化学式１−ＩＩも、具体的には、リンカーがメタ、オルト、またはパラ位置に連結されることによって、それぞれ下記化学式１−ＩＩａ、１−ＩＩｂ、または１−ＩＩｃで表される。
本発明の一例によれば、有機光電子素子用化合物は、前記化学式１−Ｉａ、１−Ｉｂ、１−Ｉｃ、１−ＩＩａ、または１−ＩＩｃで表される。
前記化学式１−Ｉａ、１−Ｉｂ、１−Ｉｃ、１−ＩＩａ、１−ＩＩｂ、および１−ＩＩｃにおいて、Ｒ１〜Ｒ６、Ｚ１〜Ｚ３、Ａｒ１およびＡｒ２は、前述した通りである。
本発明の一実施形態において、前記Ｒ１〜Ｒ５は、それぞれ独立に、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ４アルキル基、またはフェニル基であってもよい。具体的には、水素、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、またはフェニル基であってもよいし、例えば、Ｒ１〜Ｒ５がすべて水素であってもよい。
また、Ｒ６は、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、または置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ１２アリール基であってもよい。具体的には、水素、または置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ１２アリール基であってもよく、より具体的には、水素、フェニル基、ビフェニル基であってもよいし、例えば、水素、またはフェニル基であってもよい。
さらなる具体例として、前記化学式１−Ｉは、下記化学式１−Ｉｄまたは１−Ｉｅで表され、
前記化学式１−ＩＩは、下記化学式１−ＩＩｄまたは１−ＩＩｅで表される。
本発明の一例によれば、有機光電子素子用化合物は、前記化学式１−Ｉｄ、１−Ｉｅ、または１−ＩＩｄで表される。
前記化学式１−Ｉｄ、１−Ｉｅ、１−ＩＩｄ、および１−ＩＩｅにおいて、Ｚ１〜Ｚ３、Ａｒ１およびＡｒ２は、前述した通りである。
本発明の一実施形態において、前記Ｚ１〜Ｚ３のうちの少なくとも２つは、Ｎであってもよい。例えば、Ｚ１およびＺ３がＮであるか、Ｚ１およびＺ２がＮであるピリミジニル基であってもよいし、Ｚ１〜Ｚ３がすべてＮであるトリアジニル基であってもよい。
本発明の一実施形態において、前記Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立に、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ１８アリール基であってもよい。具体的には、Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立に、置換もしくは非置換のフェニル基、置換もしくは非置換のビフェニル基、置換もしくは非置換のターフェニル基、または置換もしくは非置換のナフチル基であってもよいし、例えば、下記グループ１に挙げられた置換基のうちの１つであってもよい。
前記グループ１において、＊は、連結地点である。
前記化学式１において、
の最も具体的な例として、下記グループＡに挙げられた置換基から選択される。
前記グループＡにおいて、＊は、連結地点である。
前記有機光電子素子用化合物は、例えば、下記グループ２に挙げられた化合物から選択されるが、これに限定されるものではない。
以下、他の実施形態に係る有機光電子素子について説明する。
他の実施形態に係る有機光電子素子は、互いに対向する陽極および陰極と、前記陽極と前記陰極との間に位置する少なくとも１層の有機層とを含み、前記有機層は、前述した有機光電子素子用化合物を含むことができる。
より具体的には、前記有機層は、発光層、電子輸送層、および正孔輸送層を含むことができ、前記電子輸送層または前記発光層は、前記化学式１で表される有機光電子素子用化合物を含むことができる。
また、前記電子輸送層は、発光層に隣接する電子輸送補助層をさらに含んでもよく、前述した有機光電子素子用化合物は、前記電子輸送補助層に含まれる。
前記有機光電子素子は、前述のような化学式１で表される有機光電子素子用化合物を含む有機層を備えることによって、低駆動電圧、高効率、高輝度および長寿命を有することができる。
図１〜図４は、本発明の一実施形態に係る有機発光素子１００、２００、３００、４００の断面図を概略的に示すものである。以下、図１を参照して、本発明の一実施形態に係る有機発光素子の構造および製造方法を説明する。
有機発光素子１００は、陰極１１０、有機層１３０、および陽極１２０が順次に積層された構造を有する。
前記陰極１１０の下部または陽極１２０の上部には、基板が追加的に配置される。前記基板としては、通常の有機発光素子で使用される基板を用いることができるが、機械的強度、熱安定性、透明性、表面平滑性、取り扱い容易性および防水性に優れたガラス基板または透明プラスチック基板を用いることができる。
前記陽極１２０は、例えば、基板の上部に、陽極用物質を蒸着法またはスパッタリング法などを利用して提供することにより形成される。前記陽極用物質は、正孔注入が容易となるように高い仕事関数を有する物質の中から選択される。前記陽極１２０は、反射型電極、半透過型電極、または透過型電極であってもよい。陽極用物質としては、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などを用いることができる。あるいは、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム−リチウム（Ａｌ−Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム−インジウム（Ｍｇ−Ｉｎ）、マグネシウム−銀（Ｍｇ−Ａｇ）などのような金属を用いることができる。
前記陽極１２０は、単一層または２以上の層を含む多層構造を有することができる。
前記陰極１２０の上部には、有機層１０５が配置されている。
前記有機層１０５は、正孔輸送領域（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｒｅｇｉｏｎ）；発光層（ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｌａｙｅｒ）；および電子輸送領域（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｒｅｇｉｏｎ）；を含むことができる。例えば、図２を参照して、本発明の一実施形態に係る有機発光素子を説明すると、次の通りである。
有機層１０５は、陽極１２０と発光層１３０との間に位置する正孔補助層１４０をさらに含んでもよい。
図３を参照すれば、前記正孔輸送領域には、少なくとも２層の正孔補助層が含まれ、この場合、発光層に接して位置する正孔補助層を正孔輸送補助層３３、そして陽極に接して位置する正孔補助層を正孔輸送層３１と定義する。
前記正孔輸送領域は、正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、およびバッファー層のうちの少なくとも１つを含むことができる。
前記正孔輸送領域は、正孔注入層のみを含むか、正孔輸送層のみを含むことができる。あるいは、前記正孔輸送領域は、陽極１２０から順次に積層された、正孔注入層３７／正孔輸送層３１、または正孔注入層３７／正孔輸送層３１／電子阻止層の構造を有することができる。
例えば、正孔注入層３７および電子注入層３６を追加的に含むことで、図４に示すように、陽極１２０／正孔注入層３７／正孔輸送層３１／正孔輸送補助層３３／発光層１３０／電子輸送補助層３５／電子輸送層３４／電子注入層３７／陰極１１０が順次に積層された構造を有することができる。
正孔注入層３７は、陽極として使用されるＩＴＯと、正孔輸送層３１として使用される有機物質との間の界面特性を改善するだけでなく、その表面が平坦でないＩＴＯの上部に塗布され、ＩＴＯの表面を滑らかにする機能をする。例えば、正孔注入層３７は、アノードとして用いられるＩＴＯの仕事関数レベルと正孔輸送層３１のＨＯＭＯレベルとの差を調節するために、ＩＴＯの仕事関数レベルと正孔輸送層３１のＨＯＭＯレベルとの中間値を有する物質であって、特に適切な伝導性を有する物質を選択する。本発明に関連して正孔注入層３７を構成する物質として、Ｎ４，Ｎ４’−ジフェニル−Ｎ４，Ｎ４’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）ビフェニル−４，４’−ジアミン（Ｎ４，Ｎ４’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−Ｎ４，Ｎ４’−ｂｉｓ（９−ｐｈｅｎｙｌ−９Ｈ−ｃａｒｂａｚｏｌ−３−ｙｌ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ）が用いられるが、これに制限されるわけではない。その他にも、正孔注入層３７を構成する従来の物質と共に用いられるが、例えば、銅フタロシアニン（ｃｏｐｐｅｒ ｐｈｔｈｌａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）（ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−Ｎ，Ｎ’−フェニル−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（Ｎ，Ｎ’−ｄｉｎａｐｈｔｈｙｌ−Ｎ，Ｎ’−ｐｈｅｎｙｌ−（１，１’−ｂｉｐｈｅｎｙｌ）−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ）（ＮＰＤ）、４，４’，４”−トリス［メチルフェニル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（４，４’，４”−ｔｒｉｓ［ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ（ｐｈｅｎｙｌ）ａｍｉｎｏ］ｔｒｉｐｈｅｎｙｌ ａｍｉｎｅ）（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’，４”−トリス［１−ナフチル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（４，４’，４”−ｔｒｉｓ［１−ｎａｐｈｔｈｙｌ（ｐｈｅｎｙｌ）ａｍｉｎｏ］ｔｒｉｐｈｅｎｙｌ ａｍｉｎｅ）（１−ＴＮＡＴＡ）、４，４’，４”−トリス［２−ナフチル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（４，４’，４”−ｔｒｉｓ［２−ｎａｐｈｔｈｙｌ（ｐｈｅｎｙｌ）ａｍｉｎｏ］ｔｒｉｐｈｅｎｙｌ ａｍｉｎｅ）（２−ＴＮＡＴＡ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）フェニルアミノ］ベンゼン（１，３，５−ｔｒｉｓ［Ｎ−（４−ｄｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏｐｈｅｎｙｌ）ｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ］ｂｅｎｚｅｎｅ）（ｐ−ＤＰＡ−ＴＤＡＢ）などのような芳香族アミン類はもちろんのこと、４，４’−ビス［Ｎ−［４−｛Ｎ，Ｎ−ビス（３−メチルフェニル）アミノ｝フェニル］−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル）（４，４’−ｂｉｓ［Ｎ−［４−｛Ｎ，Ｎ−ｂｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）ａｍｉｎｏ｝ｐｈｅｎｙｌ］−Ｎ−ｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ］ｂｉｐｈｅｎｙｌ）（ＤＮＴＰＤ）、ヘキサアザトリフェニレン−ヘキサカルボニトリル（ｈｅｘａａｚａｔｒｉｐｈｅｎｙｌｅｎｅ−ｈｅｘａｃａｒｂｏｎｉｔｉｒｉｌｅ）（ＨＡＴ−ＣＮ）などの化合物、導電性高分子としてのポリチオフェン誘導体のポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリ（スチレンスルホネート）（ｐｏｌｙ（３，４−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）−ｐｏｌｙ（ｓｔｙｒｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ））（ＰＥＤＯＴ）を用いることができる。正孔注入層３７は、例えば、１０〜３００Åの厚さに、陽極として使用されるＩＴＯの上部にコーティングされる。
正孔輸送領域が正孔注入層３７を含む場合、正孔注入層（ＨＩＬ）は、前記陽極１２０の上部に、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法などのような多様な方法を利用して形成される。
真空蒸着法によって正孔注入層を形成する場合、その蒸着条件は、正孔注入層材料として使用する化合物、目的とする正孔注入層の構造および熱的特性などに応じて異なるが、例えば、蒸着温度約１００〜約５００℃、真空度約１０−８〜約１０−３ｔｏｒｒ、蒸着速度約０．０１〜約１００Å／ｓｅｃの範囲から選択され、これに限定されるものではない。
スピンコーティング法によって正孔注入層を形成する場合、コーティング条件は、正孔注入層材料として使用する化合物、目的とする正孔注入層の構造および熱的特性に応じて異なるが、約２０００ｒｐｍ〜約５０００ｒｐｍのコーティング速度、コーティング後の溶媒除去のための熱処理温度は、約８０℃〜２００℃の温度範囲から選択され、これに限定されるものではない。
前記正孔輸送層および電子阻止層の形成条件は、正孔注入層の形成条件を参照する。
前記正孔輸送領域の厚さは、約１００Å〜約１００００Å、例えば、約１００Å〜約１０００Åであってもよい。前記正孔輸送領域が正孔注入層および正孔輸送層をすべて含むならば、前記正孔注入層の厚さは、約１００Å〜約１００００Å、例えば、約１００Å〜約１０００Åであり、前記正孔輸送層の厚さは、約５０Å〜約２０００Å、例えば、約１００Å〜約１５００Åであってもよい。前記正孔輸送領域、正孔注入層および正孔輸送層の厚さが前述のような範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧の上昇なく満足できる程度の正孔輸送特性を得ることができる。
前記正孔輸送領域は、前述のような物質のほか、導電性向上のために、電荷−生成物質をさらに含んでもよい。前記電荷−生成物質は、前記正孔輸送領域内に均一にまたは不均一に分散していてよい。
前記電荷−生成物質は、例えば、ｐ−ドーパントであってもよい。前記ｐ−ドーパントは、キノン誘導体、金属酸化物、およびシアノ基−含有化合物のうちの１つであってもよいが、これに限定されるものではない。例えば、前記ｐ−ドーパントの非制限的な例としては、テトラシアノキノンジメタン（ＴＣＮＱ）および２，３，５，６−テトラフルオロ−テトラシアノ−１，４−ベンゾキノンジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ）などのようなキノン誘導体；タングステン酸化物およびモリブデン酸化物などのような金属酸化物；および下記化合物ＨＴ−Ｄ１などのようなシアノ基−含有化合物などが挙げられるが、これに限定されるものではない。
前記正孔輸送領域は、バッファー層をさらに含んでもよい。
前記バッファー層は、発光層から放出される光の波長に応じた光学的共振距離を補償して効率を増加させる役割を果たすことができる。
前記正孔輸送領域の上部に、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法などのような方法を利用して発光層（ＥＭＬ）を形成することができる。真空蒸着法およびスピンコーティング法によって発光層を形成する場合、その蒸着条件およびコーティング条件は、使用する化合物に応じて異なるが、一般に、正孔注入層の形成とほぼ同一の条件範囲の中から選択される。
前記発光層は、ホストおよびドーパントを含むことができる。
本発明の一実施形態に係る有機光電子素子は、前述した化学式１で表される有機光電子素子用化合物を単独で含むか、前記化学式１で表される有機光電子素子用化合物を第１ホストとして含み、カルバゾール系化合物を第２ホストとしてさらに含んでもよい。
前記カルバゾール系化合物は、具体的には、下記化学式２で表されるか、下記化学式３で表されるモイエティと下記化学式４で表されるモイエティとの組み合わせからなってもよい。
前記化学式２〜４において、
Ａｒ３〜Ａｒ６は、それぞれ独立に、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基であり、
ｍは、０または１の整数であり、
前記化学式３の隣接する２つの＊は、前記化学式４の２つの＊と結合して縮合環を形成し、この時、前記化学式３で縮合環を形成しない＊は、それぞれ独立に、ＣＲｂであり、
Ｒｂ、およびＲ７〜Ｒ１４は、それぞれ独立に、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、Ｃ６〜Ｃ３０アリール基、または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基である。
本発明の一例において、前記化学式２〜４において、
置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基は、置換もしくは非置換のフェニル基、置換もしくは非置換のビフェニル基、置換もしくは非置換のターフェニル基、置換もしくは非置換のクォーターフェニル基、置換もしくは非置換のナフチル基、置換もしくは非置換のトリフェニレン基、置換もしくは非置換のフルオレニル基、置換もしくは非置換のジベンゾフラニル基、置換もしくは非置換のジベンゾチオフェニル基、置換もしくは非置換のピリジニル基、置換もしくは非置換のピリミジニル基、置換もしくは非置換のトリアジニル基、置換もしくは非置換のキノリニル基、置換もしくは非置換のイソキノリニル基、または置換もしくは非置換のキナゾリル基の中から選択されたものであり、
ここで、置換または非置換における置換は、少なくとも１つの水素が、重水素、Ｃ１〜Ｃ１０アルキル基、Ｃ６〜Ｃ１８アリール基、Ｃ３〜Ｃ２０ヘテロアリール基で置換されていることを意味する。
本発明の一例において、前記化学式２〜４において、
置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基は、置換もしくは非置換のフェニル基、置換もしくは非置換のビフェニル基、置換もしくは非置換のターフェニル基、置換もしくは非置換のナフチル基、置換もしくは非置換のトリフェニレン基、置換もしくは非置換のフルオレニル基、置換もしくは非置換のジベンゾフラニル基、置換もしくは非置換のジベンゾチオフェニル基、置換もしくは非置換のピリジニル基、置換もしくは非置換のピリミジニル基、置換もしくは非置換のトリアジニル基、置換もしくは非置換のキノリニル基、置換もしくは非置換のイソキノリニル基、または置換もしくは非置換のキナゾリル基の中から選択されたものであり、
ここで、置換または非置換における置換は、少なくとも１つの水素が、重水素、Ｃ１〜Ｃ４アルキル基、Ｃ６〜Ｃ１２アリール基、Ｃ３〜Ｃ１５ヘテロアリール基で置換されていることを意味する。
前記化学式２で表されるジカルバゾールは、例えば、下記グループＢに挙げられた化合物から選択され、
前記化学式３で表されるモイエティと前記化学式４で表されるモイエティとの組み合わせからなるインドロカルバゾールは、例えば、下記グループＣに挙げられた化合物から選択される。
上述した第１ホストと第２ホストは、多様な組み合わせによって多様な組成物として準備される。例えば、前記第１ホストと前記第２ホストの重量比は、１：９９〜９９：１、例えば、１０：９０〜９０：１０の範囲内で選択される。例えば、２：８〜８：２、３：７〜７：３、４：６〜６：４、そして５：５の重量比で含まれる。前記重量比の範囲を満足する場合、前記第１ホストによる電子輸送特性および前記第２ホストによる正孔輸送特性のバランスが取れて、有機発光素子の発光効率および寿命が向上できる。
一例として、前記組成物は、有機光電子素子用発光材料として用いられる。この時、発光材料は、前記有機化合物をホスト（ｈｏｓｔ）として用いることができ、少なくとも１種のドーパント（ｄｏｐａｎｔ）をさらに含んでもよい。前記ドーパントは、赤色、緑色、または青色のドーパントであってもよい。
前記ドーパントは、微量混合されて発光を起こす物質で、一般に、三重項状態以上に励起させる多重項励起（ｍｕｌｔｉｐｌｅ ｅｘｃｉｔａｔｉｏｎ）によって発光する金属錯体（ｍｅｔａｌ ｃｏｍｐｌｅｘ）のような物質が用いられる。前記ドーパントは、例えば、無機、有機、有機−無機化合物であってもよいし、１種または２種以上含まれる。
前記ドーパントの一例として燐光ドーパントが挙げられ、燐光ドーパントの例としては、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｏｓ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｔｍ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、またはこれらの組み合わせを含む有機金属化合物が挙げられる。前記燐光ドーパントは、例えば、下記化学式Ｚで表される化合物を用いることができるが、これに限定されるものではない。
前記化学式Ｚにおいて、Ｍは、金属であり、ＬおよびＸは、互いに同一または異なり、Ｍと錯化合物を形成するリガンドである。
前記Ｍは、例えば、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｏｓ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｔｍ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、またはこれらの組み合わせであってもよく、前記ＬおよびＸは、例えば、バイデンテートリガンドであってもよい。
前記発光層の厚さは、約１００Å〜約１０００Å、例えば、約２００Å〜約６００Åであってもよい。前記発光層の厚さが前述のような範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧の上昇なく優れた発光特性を示すことができる。
次に、発光層の上部に電子輸送領域が配置される。
電子輸送領域は、正孔阻止層、電子輸送層、および電子注入層のうちの少なくとも１つを含むことができる。
例えば、電子輸送領域は、正孔阻止層／電子輸送層／電子注入層、または電子輸送層／電子注入層の構造を有することができるが、これに限定されるものではない。例えば、本発明の一実施形態に係る有機発光素子は、電子輸送領域に少なくとも２層の電子輸送層を含むことができ、この場合、発光層に接して位置する電子輸送層を、電子輸送補助層３５と定義する。
前記電子輸送層は、単一層または２以上の互いに異なる物質を含む多層構造を有することができる。
前記電子輸送領域は、前記化学式１で表される有機光電子素子用化合物を含むことができる。例えば、電子輸送領域は、電子輸送層を含み、前記電子輸送層に、前記化学式１で表される有機光電子素子用化合物が含まれる。より具体的には、電子輸送補助層に、前記化学式１で表される有機光電子素子用化合物が含まれる。
前記電子輸送領域の正孔阻止層、電子輸送層、および電子注入層の形成条件は、正孔注入層の形成条件を参照する。
前記電子輸送領域が正孔阻止層を含む場合、前記正孔阻止層は、例えば、下記ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ、およびＢＡｌｑのうちの少なくとも１つを含むことができるが、これに限定されるものではない。
前記正孔阻止層の厚さは、約２０Å〜約１０００Å、例えば、約３０Å〜約３００Åであってもよい。前記正孔阻止層の厚さが前述のような範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧の上昇なく優れた正孔阻止特性を得ることができる。
前記電子輸送層は、前記ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ、および下記Ａｌｑ３、Ｂａｌｑ、ＴＡＺ、およびＮＴＡＺのうちの少なくとも１つをさらに含んでもよい。
あるいは、前記電子輸送層は、下記化合物ＥＴ１およびＥＴ２のうちの少なくとも１つを含むことができるが、これに限定されるものではない。
前記電子輸送層の厚さは、約１００Å〜約１０００Å、例えば、約１５０Å〜約５００Åであってもよい。前記電子輸送層の厚さが前述のような範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧の上昇なく満足できる程度の電子輸送特性を得ることができる。
前記電子輸送層は、前述のような物質のほか、金属−含有物質をさらに含んでもよい。
前記金属−含有物質は、Ｌｉ錯体を含むことができる。前記Ｌｉ錯体は、例えば、下記化合物ＥＴ−Ｄ１（リチウムキノレート、ＬｉＱ）またはＥＴ−Ｄ２を含むことができる。
また、電子輸送領域は、陰極１１０から電子の注入を容易にする電子注入層（ＥＩＬ）を含むことができる。
電子注入層３６は、電子輸送層の上部に積層されて陰極からの電子注入を容易にし、窮極的に電力効率を改善させる機能を行う層で、当技術分野で通常使用されるものであれば特別な制限なく使用可能であり、例えば、ＬｉＦ、Ｌｉｑ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯなどの物質を用いることができる。
前記電子注入層は、ＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ２Ｏ、およびＢａＯの中から選択された少なくとも１つを含むことができる。
前記電子注入層の厚さは、約１Å〜約１００Å、約３Å〜約９０Åであってもよい。前記電子注入層の厚さが前述のような範囲を満足する場合、実質的な駆動電圧の上昇なく満足できる程度の電子注入特性を得ることができる。
前記有機層１０５の上部には、陰極１１０が備えられている。前記陰極１１０用の物質としては、相対的に低い仕事関数を有する金属、合金、電気導電性化合物、およびこれらの組み合わせを用いることができる。具体例としては、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム−リチウム（Ａｌ−Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム−インジウム（Ｍｇ−Ｉｎ）、マグネシウム−銀（Ｍｇ−Ａｇ）などを陰極１１０形成用物質として用いることができる。あるいは、前面発光素子を得るために、ＩＴＯ、ＩＺＯを用いて透過型陰極１１０を形成してもよいなど、多様な変形が可能である。
以下、本発明の具体的な実施例を提示する。ただし、下記記載の実施例は本発明を具体的に例示または説明するためのものに過ぎず、これによって本発明が制限されてはならない。
上述した有機発光素子は、有機発光表示装置に適用可能である。
以下、本発明の具体的な実施例を提示する。ただし、下記記載の実施例は本発明を具体的に例示または説明するためのものに過ぎず、これによって本発明が制限されてはならない。
（有機光電子素子用化合物の合成）
以下、実施例および合成例で使用された出発物質および反応物質は、特別な言及がない限り、Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社またはＴＣＩ社から購入し、すでに公知の物質で容易に合成可能なものである。
下記合成例の中、『「Ａ」の代わりに「Ｂ」を使用した』との表現において、「Ｂ」の使用量と「Ａ」の使用量は、モル当量基準で同一である。
本発明の有機光電子素子用化合物のより具体的な例として提示された前記化学式１の化合物を、下記反応式により合成した。
合成例１：化合物１の合成
第１段階：中間体Ｉ−１の合成
窒素環境の３Ｌ丸底フラスコに、１−ブロモ−３−ヨードベンゼン（２００．０ｇ、７０４．８ｍｍｏｌ）と（１，１’−ビス（ジフェニルホスフィン）フェロセン）ジクロロパラジウム（ＩＩ）（２５．８ｇ、３５．４ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（４．０４ｇ、２１．２ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン（２９５．６ｍｌ、２１２０ｍｍｏｌ）、およびテトラヒドロフラン１７００ｍＬを入れる。トリメチルシリルアセチレン（１０７．６ｍｌ、７７６．６ｍｍｏｌ）を滴加した後、常温で３時間撹拌する。反応物をろ過後、溶媒を除去する。カラムクロマトグラフィーにより化合物を精製して、中間体Ｉ−１ １６６．０ｇ（９３％）を得た。
第２段階：中間体Ｉ−２の合成
前記中間体Ｉ−１（１６６ｇ、６５５．６ｍｍｏｌ）をメタノール１０００ｍＬに入れて溶かした後、反応器にポタシウムカーボネート（９０．６ｇ、６５５．６ｍｍｏｌ）を徐々に滴加する。約３０分間撹拌後、溶液をろ過する。溶媒をすべて除去した後、反応物をエチルアセテートに溶かし、蒸留水で２回洗う。溶媒を除去して、中間体Ｉ−２ １１６ｇ（９８％）を得た。
第３段階：中間体Ｉ−３の合成
前記中間体Ｉ−２（１１３．０ｇ、６２４．２ｍｍｏｌ）とテトラフェニルシクロペンタジオン（１２０．０ｇ、３１２．１ｍｍｏｌ）をキシレン７００ｍＬに入れて溶かした後、３時間加熱還流する。反応物をメタノール２０００ｍＬに注いで反応を終結する。固形物をろ過して、中間体Ｉ−３ １２４．１ｇ（７４％）を得た。
第４段階：中間体Ｉ−４の合成
窒素環境下、前記中間体Ｉ−３（５２．０ｇ、９６．７５ｍｍｏｌ）をジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）３５０ｍｌに溶かした後、ビス（ピナコラト）ジボロン（２９．５ｇ、１１６．１ｍｍｏｌ）、（１，１’−ビス（ジフェニルホスフィン）フェロセン）ジクロロパラジウム（ＩＩ）（４．７４ｇ、５．８ｍｍｏｌ）、およびポタシウムアセテート（２８．５ｇ、２９０．２ｍｍｏｌ）を入れて、１５０℃で２４時間加熱して還流させた。反応完了後、反応液に水を入れて混合物をフィルタした後、真空オーブンで乾燥した。こうして得られた残渣をカラムクロマトグラフィーで分離精製して、中間体Ｉ−４ ３５ｇ（６２％）を得た。
第５段階：化合物１の合成
１００ｍＬフラスコに、中間体Ｉ−４ ５．０ｇ（８．６ｍｍｏｌ）、２−クロロ−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン２．８ｇ（１０．３ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム３．０ｇ（２１．４ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．３ｇ（０．３ｍｍｏｌ）を１，４−ジオキサン３０ｍＬ、水１５ｍＬに入れた後、窒素気流下、１２時間６０℃に加熱した。これから得た混合物をメタノール１５０ｍＬに加えて、結晶化された固形分をろ過した後、トルエンに溶かしてシリカゲル／セライトでろ過し、有機溶媒を適当量除去した後、メタノールで再結晶して、化合物１（３．７８ｇ、６４％の収率）を得た。
合成例２：化合物２の合成
第１段階：中間体Ｉ−６の合成
３Ｌフラスコに、塩化シアヌル（Ｃｙａｎｕｒｉｃ ｃｈｌｏｒｉｄｅ）（２００．０ｇ、１．０８５ｍｍｏｌ）と無水ＴＨＦ１．４Ｌを入れた後、フェニルマグネシウムブロミド（Ｐｈｅｎｙｌ ｍａｇｎｅｓｉｕｍ ｂｒｏｍｉｄｅ）（３Ｍ、３６１．４ｍＬ）を０℃で徐々に滴加した。反応完了後、反応溶液に水を注いで３０分間撹拌後、有機層を分離して、硫酸マグネシウムを用いて水分を除去し濃縮して、メタノール、ヘキサンで精製して、中間体Ｉ−６を白色の固体（１２７．４ｇ、収率＝５２％）として得た。
第２段階：中間体Ｉ−７の合成
２Ｌ丸フラスコに、中間体Ｉ−６ ６０．０ｇ（２６５．４ｍｍｏｌ）、３−ビフェニルボロン酸５０．０ｇ（２５２．０ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム９１．６ｇ（６６０．０ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）８．０ｇ（９．２ｍｍｏｌ）を１，４−ジオキサン８８０ｍＬ、水４４０ｍＬに入れた後、窒素気流下、１６時間加熱して還流した。これから得た混合物をメタノール３０００Ｌに加えて、結晶化された固形分をろ過した後、トルエンに溶かしてシリカゲル／セライトでろ過し、有機溶媒を適当量除去した後、メタノールで再結晶して、中間体Ｉ−７（６３．６ｇ、７０％の収率）を得た。
第３段階：化合物２の合成
１００ｍＬフラスコに、中間体Ｉ−７ ３．０ｇ（８．７ｍｍｏｌ）、中間体Ｉ−４ ６．１ｇ（１０．５ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム３．０ｇ（２１．８ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．３ｇ（０．３ｍｍｏｌ）を１，４−ジオキサン３０ｍＬ、水１５ｍＬに入れた後、窒素気流下、１２時間６０℃に加熱した。これから得た混合物をメタノール１５０ｍＬに加えて、結晶化された固形分をろ過した後、トルエンに溶かしてシリカゲル／セライトでろ過し、有機溶媒を適当量除去した後、メタノールで再結晶して、化合物２（４．１３ｇ、６２％の収率）を得た。
合成例３：化合物３の合成
第１段階：中間体Ｉ−８の合成
２Ｌ丸フラスコに、中間体Ｉ−６ ６０．０ｇ（２６５．４ｍｍｏｌ）、４−ビフェニルボロン酸５０．０ｇ（２５２．０ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム９１．６ｇ（６６０．０ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）８．０ｇ（９．２ｍｍｏｌ）を１，４−ジオキサン８８０ｍＬ、水４４０ｍＬに入れた後、窒素気流下、１６時間加熱して還流した。これから得た混合物をメタノール３０００Ｌに加えて、結晶化された固形分をろ過した後、モノクロロベンゼンに溶かしてシリカゲル／セライトでろ過し、有機溶媒を適当量除去した後、メタノールで再結晶して、中間体Ｉ−８（６０．２ｇ、６６％の収率）を得た。
第２段階：化合物３の合成
１００ｍＬフラスコに、中間体Ｉ−８ ３．０ｇ（８．７ｍｍｏｌ）、中間体Ｉ−４ ６．１ｇ（１０．５ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム３．０ｇ（２１．８ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．３ｇ（０．３ｍｍｏｌ）を１，４−ジオキサン３０ｍＬ、水１５ｍＬに入れた後、窒素気流下、１２時間６０℃に加熱した。これから得た混合物をメタノール１５０ｍＬに加えて、結晶化された固形分をろ過した後、モノクロロベンゼンに溶かしてシリカゲル／セライトでろ過し、有機溶媒を適当量除去した後、メタノールで再結晶して、化合物３（４．３９ｇ、６６％の収率）を得た。
合成例４：化合物６の合成
第１段階：中間体Ｉ−９の合成
２Ｌフラスコに、塩化シアヌル（Ｃｙａｎｕｒｉｃ ｃｈｌｏｒｉｄｅ）（１００．０ｇ、５４２．３ｍｍｏｌ）と無水ＴＨＦ７００ｍＬを入れた後、３−ビフェニルマグネシウムブロミド（３−Ｂｉｐｈｅｎｙｌｍａｇｎｅｓｉｕｍ ｂｒｏｍｉｄｅ）（３Ｍ、３６１．４ｍＬ）を０℃で徐々に滴加した。反応完了後、反応溶液に水を注いで３０分間撹拌後、有機層を分離して、硫酸マグネシウムを用いて水分を除去し濃縮して、メタノール、ヘキサンで精製して、中間体Ｉ−９を白色の固体（１２２．９ｇ、収率＝５５％）として得た。
第２段階：化合物６の合成
１００ｍＬフラスコに、中間体Ｉ−９ ３．０ｇ（７．１ｍｍｏｌ）、中間体Ｉ−４ ５．０ｇ（８．６ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム２．５ｇ（１７．９ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．３ｇ（０．２ｍｍｏｌ）を１，４−ジオキサン２０ｍＬ、水１０ｍＬに入れた後、窒素気流下、１２時間６０℃に加熱した。これから得た混合物をメタノール１００ｍＬに加えて、結晶化された固形分をろ過した後、トルエンに溶かしてシリカゲル／セライトでろ過し、有機溶媒を適当量除去した後、メタノールで再結晶して、化合物６（４．０７ｇ、６８％の収率）を得た。
合成例５：化合物７の合成
第１段階：中間体Ｉ−１０の合成
２Ｌフラスコに、塩化シアヌル（Ｃｙａｎｕｒｉｃ ｃｈｌｏｒｉｄｅ）（１００．０ｇ、５４２．３ｍｍｏｌ）と無水ＴＨＦ７００ｍＬを入れた後、４−ビフェニルマグネシウムブロミド（４−Ｂｉｐｈｅｎｙｌｍａｇｎｅｓｉｕｍ ｂｒｏｍｉｄｅ）（３Ｍ、３６１．４ｍＬ）を０℃で徐々に滴加した。反応完了後、反応溶液に水を注いで３０分間撹拌後、有機層を分離して、硫酸マグネシウムを用いて水分を除去し濃縮して、メタノール、ヘキサンで精製して、中間体Ｉ−１０を白色の固体（１２７．４ｇ、収率＝５７％）として得た。
第２段階：化合物７の合成
１００ｍＬフラスコに、中間体Ｉ−１０ ３．０ｇ（７．１ｍｍｏｌ）、中間体Ｉ−４ ５．０ｇ（８．６ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム２．５ｇ（１７．９ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．３ｇ（０．２ｍｍｏｌ）を１，４−ジオキサン２０ｍＬ、水１０ｍＬに入れた後、窒素気流下、１２時間６０℃に加熱した。これから得た混合物をメタノール１００ｍＬに加えて、結晶化された固形分をろ過した後、ジクロロベンゼンに溶かしてシリカゲル／セライトでろ過し、有機溶媒を適当量除去した後、メタノールで再結晶して、化合物７（４．１９ｇ、７０％の収率）を得た。
合成例６：化合物９の合成
第１段階：中間体Ｉ−１１の合成
窒素環境の３Ｌ丸底フラスコに、１−ブロモ−４−ヨードベンゼン（２００．０ｇ、７０４．８ｍｍｏｌ）と（１，１’−ビス（ジフェニルホスフィン）フェロセン）ジクロロパラジウム（ＩＩ）（２５．８ｇ、３５．４ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（４．０４ｇ、２１．２ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン（２９５．６ｍｌ、２１２０ｍｍｏｌ）、およびテトラヒドロフラン１７００ｍＬを入れる。トリメチルシリルアセチレン（１０７．６ｍｌ、７７６．６ｍｍｏｌ）を滴加した後、常温で３時間撹拌する。反応物をろ過後、溶媒を除去する。カラムクロマトグラフィーにより化合物を精製して、中間体Ｉ−１１ １５５．３ｇ（８７％）を得た。
第２段階：中間体Ｉ−１２の合成
前記中間体Ｉ−１１（１５０ｇ、５９２．４ｍｍｏｌ）をメタノール１０００ｍＬに入れて溶かした後、反応器にポタシウムカーボネート（８１．６ｇ、５９２．４ｍｍｏｌ）を徐々に滴加する。約３０分間撹拌後、溶液をろ過する。溶媒をすべて除去した後、反応物をエチルアセテートに溶かし、蒸留水で２回洗う。溶媒を除去して、中間体Ｉ−１２ １０３ｇ（９６％）を得た。
第３段階：中間体Ｉ−１３の合成
前記中間体Ｉ−１２（１００．０ｇ、５５２．５ｍｍｏｌ）とテトラフェニルシクロペンタジオン（１０６．２ｇ、１７６．２ｍｍｏｌ）をキシレン７００ｍＬに入れて溶かした後、３時間加熱還流する。反応物をメタノール２０００ｍＬに注いで反応を終結する。固形物をろ過して、中間体Ｉ−１３ １１６．０ｇ（７８％）を得た。
第４段階：中間体Ｉ−１４の合成
窒素環境下、前記中間体Ｉ−１３（５０．０ｇ、９３．０２ｍｍｏｌ）をジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）３５０ｍｌに溶かした後、ビス（ピナコラト）ジボロン（２８．４ｇ、１１１．６ｍｍｏｌ）、（１，１’−ビス（ジフェニルホスフィン）フェロセン）ジクロロパラジウム（ＩＩ）（４．６ｇ、５．６ｍｍｏｌ）、およびポタシウムアセテート（２７．４ｇ、２７９．１ｍｍｏｌ）を入れて、１５０℃で２４時間加熱して還流させた。反応完了後、反応液に水を入れて混合物をフィルタした後、真空オーブンで乾燥した。こうして得られた残渣をカラムクロマトグラフィーで分離精製して、中間体Ｉ−１４ ３７ｇ（６８％）を得た。
第５段階：化合物９の合成
１００ｍＬフラスコに、中間体Ｉ−１４ ５．０ｇ（８．６ｍｍｏｌ）、２−クロロ−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン２．８ｇ（１０．３ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム３．０ｇ（２１．４ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．３ｇ（０．３ｍｍｏｌ）を１，４−ジオキサン３０ｍＬ、水１５ｍＬに入れた後、窒素気流下、１２時間６０℃に加熱した。これから得た混合物をメタノール１５０ｍＬに加えて、結晶化された固形分をろ過した後、トルエンに溶かしてシリカゲル／セライトでろ過し、有機溶媒を適当量除去した後、メタノールで再結晶して、化合物９（３．８９ｇ、６６％の収率）を得た。
合成例７：化合物１０の合成
第１段階：化合物１０の合成
１００ｍＬフラスコに、２−クロロ−４−（ビフェニル−３−イル）−６−フェニル−１，３，５−トリアジン３．０ｇ（８．７ｍｍｏｌ）、中間体Ｉ−１４ ６．１ｇ（１０．５ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム３．０ｇ（２１．８ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．３ｇ（０．３ｍｍｏｌ）を１，４−ジオキサン３０ｍＬ、水１５ｍＬに入れた後、窒素気流下、１２時間６０℃に加熱した。これから得た混合物をメタノール１５０ｍＬに加えて、結晶化された固形分をろ過した後、トルエンに溶かしてシリカゲル／セライトでろ過し、有機溶媒を適当量除去した後、メタノールで再結晶して、化合物１０（４．５９ｇ、６９％の収率）を得た。
合成例８：化合物１１の合成
１００ｍＬフラスコに、２−クロロ−４−（ビフェニル−４−イル）−６−フェニル−１，３，５−トリアジン３．０ｇ（８．７ｍｍｏｌ）、中間体Ｉ−１４ ６．１ｇ（１０．５ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム３．０ｇ（２１．８ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．３ｇ（０．３ｍｍｏｌ）を１，４−ジオキサン３０ｍＬ、水１５ｍＬに入れた後、窒素気流下、１２時間６０℃に加熱した。これから得た混合物をメタノール１５０ｍＬに加えて、結晶化された固形分をろ過した後、モノクロロベンゼンに溶かしてシリカゲル／セライトでろ過し、有機溶媒を適当量除去した後、メタノールで再結晶して、化合物１１（４．０６ｇ、６１％の収率）を得た。
合成例９：化合物１４の合成
１００ｍＬフラスコに、中間体Ｉ−９ ３．０ｇ（７．１ｍｍｏｌ）、中間体Ｉ−１４ ５．０ｇ（８．６ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム２．５ｇ（１７．９ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．３ｇ（０．２ｍｍｏｌ）を１，４−ジオキサン２０ｍＬ、水１０ｍＬに入れた後、窒素気流下、１２時間６０℃に加熱した。これから得た混合物をメタノール１００ｍＬに加えて、結晶化された固形分をろ過した後、トルエンに溶かしてシリカゲル／セライトでろ過し、有機溶媒を適当量除去した後、メタノールで再結晶して、化合物１４（４．１９ｇ、７０％の収率）を得た。
合成例１０：化合物１５の合成
１００ｍＬフラスコに、中間体Ｉ−１０ ３．０ｇ（７．１ｍｍｏｌ）、中間体Ｉ−１４ ５．０ｇ（８．６ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム２．５ｇ（１７．９ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．３ｇ（０．２ｍｍｏｌ）を１，４−ジオキサン２０ｍＬ、水１０ｍＬに入れた後、窒素気流下、１２時間６０℃に加熱した。これから得た混合物をメタノール１００ｍＬに加えて、結晶化された固形分をろ過した後、ジクロロベンゼンに溶かしてシリカゲル／セライトでろ過し、有機溶媒を適当量除去した後、メタノールで再結晶して、化合物１５（４．１３ｇ、６９％の収率）を得た。
合成例１１：化合物１８の合成
１００ｍＬフラスコに、中間体Ｉ−４ ５．０ｇ（８．６ｍｍｏｌ）、中間体Ｉ−１５ ３．５ｇ（１０．３ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム３．０ｇ（２１．４ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．３ｇ（０．３ｍｍｏｌ）を１，４−ジオキサン３０ｍＬ、水１５ｍＬに入れた後、窒素気流下、１２時間６０℃に加熱した。これから得た混合物をメタノール１００ｍＬに加えて、結晶化された固形分をろ過した後、トルエンに溶かしてシリカゲル／セライトでろ過し、有機溶媒を適当量除去した後、メタノールで再結晶して、化合物１８（４．３９ｇ、６７％の収率）を得た。
合成例１２：化合物２６の合成
１００ｍＬフラスコに、中間体Ｉ−１４ ５．０ｇ（８．６ｍｍｏｌ）、中間体Ｉ−１５ ３．５ｇ（１０．３ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム３．０ｇ（２１．４ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．３ｇ（０．３ｍｍｏｌ）を１，４−ジオキサン３０ｍＬ、水１５ｍＬに入れた後、窒素気流下、１２時間６０℃に加熱した。これから得た混合物をメタノール１００ｍＬに加えて、結晶化された固形分をろ過した後、トルエンに溶かしてシリカゲル／セライトでろ過し、有機溶媒を適当量除去した後、メタノールで再結晶して、化合物２６（４．１９ｇ、６４％の収率）を得た。
合成例１３：化合物３３の合成
第１段階：中間体Ｉ−１６の合成
窒素環境下、前記中間体Ｉ−２（１００ｇ、５４９．０ｍｍｏｌ）とヨードベンゼン（１２０ｇ、４８８．１８ｍｍｏｌ）を用いて、前記中間体Ｉ−１の合成法と同様の合成法を用いて、中間体Ｉ−１６ １００ｇ（７９％）を得た。
第２段階：中間体Ｉ−１７の合成
窒素環境下、前記中間体Ｉ−１６（９３．０ｇ、５１４．９８ｍｍｏｌ）とテトラフェニルシクロペンタジオン（１８０ｇ、４６８．１８ｍｍｏｌ）を用いて、前記中間体Ｉ−３の合成法と同様の合成法を用いて、中間体Ｉ−１７ １８６ｇ（７４％）を得た。
第３段階：中間体Ｉ−１８の合成
窒素環境下、前記中間体Ｉ−１７（９０．０ｇ、１４６．７１ｍｍｏｌ）を用いて、前記中間体Ｉ−４の合成法と同様の合成法を用いて、中間体Ｉ−１８ ７２ｇ（７５％）を得た。
第４段階：化合物３３の合成
１００ｍＬフラスコに、中間体Ｉ−１８ ５．０ｇ（７．６ｍｍｏｌ）、２−クロロ−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン２．４ｇ（９．１ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム２．６ｇ（１８．９ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．２６ｇ（０．２３ｍｍｏｌ）を１，４−ジオキサン３０ｍＬ、水１５ｍＬに入れた後、窒素気流下、１２時間６０℃に加熱した。これから得た混合物をメタノール１００ｍＬに加えて、結晶化された固形分をろ過した後、トルエンに溶かしてシリカゲル／セライトでろ過し、有機溶媒を適当量除去した後、メタノールで再結晶して、化合物３３（４．１８ｇ、７２％の収率）を得た。
合成例１４：化合物３４の合成
１００ｍＬフラスコに、中間体Ｉ−１８ ５．０ｇ（７．６ｍｍｏｌ）、中間体Ｉ−７ ３．１ｇ（９．１ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム２．６ｇ（１８．９ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．２６ｇ（０．２３ｍｍｏｌ）を１，４−ジオキサン３０ｍＬ、水１５ｍＬに入れた後、窒素気流下、１２時間６０℃に加熱した。これから得た混合物をメタノール１００ｍＬに加えて、結晶化された固形分をろ過した後、トルエンに溶かしてシリカゲル／セライトでろ過し、有機溶媒を適当量除去した後、メタノールで再結晶して、化合物３４（３．８３ｇ、６０％の収率）を得た。
合成例１５：化合物３５の合成
１００ｍＬフラスコに、中間体Ｉ−１８ ５．０ｇ（７．６ｍｍｏｌ）、中間体Ｉ−８ ３．１ｇ（９．１ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム２．６ｇ（１８．９ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．２６ｇ（０．２３ｍｍｏｌ）を１，４−ジオキサン３０ｍＬ、水１５ｍＬに入れた後、窒素気流下、１２時間６０℃に加熱した。これから得た混合物をメタノール１００ｍＬに加えて、結晶化された固形分をろ過した後、モノクロロベンゼンに溶かしてシリカゲル／セライトでろ過し、有機溶媒を適当量除去した後、メタノールで再結晶して、化合物３５（４．０１ｇ、６３％の収率）を得た。
合成例１６：化合物４１の合成
第１段階：中間体Ｉ−１９の合成
窒素環境下、前記中間体Ｉ−１２（１００ｇ、５４９．０ｍｍｏｌ）とヨードベンゼン（１２０ｇ、４８８．１８ｍｍｏｌ）を用いて、前記中間体Ｉ−１の合成法と同様の合成法を用いて、中間体Ｉ−１９ １０２ｇ（８０％）を得た。
第２段階：中間体Ｉ−２０の合成
窒素環境下、前記中間体Ｉ−１９（９３．０ｇ、５１４．９８ｍｍｏｌ）とテトラフェニルシクロペンタジオン（１８０ｇ、４６８．１８ｍｍｏｌ）を用いて、前記中間体Ｉ−３の合成法と同様の合成法を用いて、中間体Ｉ−２０ １９６ｇ（７８％）を得た。
第３段階：中間体Ｉ−２１の合成
窒素環境下、前記中間体Ｉ−２０（９０．０ｇ、１４６．７１ｍｍｏｌ）を用いて、前記中間体Ｉ−４の合成法と同様の合成法を用いて、中間体Ｉ−２１ ７８ｇ（８１％）を得た。
第４段階：化合物４１の合成
１００ｍＬフラスコに、中間体Ｉ−２１ ５．０ｇ（７．６ｍｍｏｌ）、２−クロロ−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン２．４ｇ（９．１ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム２．６ｇ（１８．９ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．２６ｇ（０．２３ｍｍｏｌ）を１，４−ジオキサン３０ｍＬ、水１５ｍＬに入れた後、窒素気流下、１２時間６０℃に加熱した。これから得た混合物をメタノール１００ｍＬに加えて、結晶化された固形分をろ過した後、トルエンに溶かしてシリカゲル／セライトでろ過し、有機溶媒を適当量除去した後、メタノールで再結晶して、化合物４１（３．８８ｇ、６７％の収率）を得た。
合成例１７：化合物４２の合成
１００ｍＬフラスコに、中間体Ｉ−２１ ５．０ｇ（７．６ｍｍｏｌ）、中間体Ｉ−７ ３．１ｇ（９．１ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム２．６ｇ（１８．９ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．２６ｇ（０．２３ｍｍｏｌ）を１，４−ジオキサン３０ｍＬ、水１５ｍＬに入れた後、窒素気流下、１２時間６０℃に加熱した。これから得た混合物をメタノール１００ｍＬに加えて、結晶化された固形分をろ過した後、トルエンに溶かしてシリカゲル／セライトでろ過し、有機溶媒を適当量除去した後、メタノールで再結晶して、化合物４２（４．０８ｇ、６４％の収率）を得た。
合成例１８：化合物４３の合成
１００ｍＬフラスコに、中間体Ｉ−２１ ５．０ｇ（７．６ｍｍｏｌ）、中間体Ｉ−８ ３．１ｇ（９．１ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム２．６ｇ（１８．９ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．２６ｇ（０．２３ｍｍｏｌ）を１，４−ジオキサン３０ｍＬ、水１５ｍＬに入れた後、窒素気流下、１２時間６０℃に加熱した。これから得た混合物をメタノール１００ｍＬに加えて、結晶化された固形分をろ過した後、モノクロロベンゼンに溶かしてシリカゲル／セライトでろ過し、有機溶媒を適当量除去した後、メタノールで再結晶して、化合物４３（４．２６ｇ、６７％の収率）を得た。
合成例１９：化合物５０の合成
１００ｍＬフラスコに、中間体Ｉ−１８ ５．０ｇ（７．６ｍｍｏｌ）、中間体Ｉ−１５ ３．１ｇ（９．１ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム２．６ｇ（１８．９ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．２６ｇ（０．２３ｍｍｏｌ）を１，４−ジオキサン３０ｍＬ、水１５ｍＬに入れた後、窒素気流下、１２時間６０℃に加熱した。これから得た混合物をメタノール１００ｍＬに加えて、結晶化された固形分をろ過した後、トルエンに溶かしてシリカゲル／セライトでろ過し、有機溶媒を適当量除去した後、メタノールで再結晶して、化合物５０（４．３２ｇ、６８％の収率）を得た。
合成例２０：化合物５８の合成
１００ｍＬフラスコに、中間体Ｉ−２１ ５．０ｇ（７．６ｍｍｏｌ）、中間体Ｉ−１５ ３．１ｇ（９．１ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム２．６ｇ（１８．９ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．２６ｇ（０．２３ｍｍｏｌ）を１，４−ジオキサン３０ｍＬ、水１５ｍＬに入れた後、窒素気流下、１２時間６０℃に加熱した。これから得た混合物をメタノール１００ｍＬに加えて、結晶化された固形分をろ過した後、トルエンに溶かしてシリカゲル／セライトでろ過し、有機溶媒を適当量除去した後、メタノールで再結晶して、化合物５８（３．７８ｇ、６１％の収率）を得た。
合成例２１：化合物６５の合成
第１段階：中間体Ｉ−２５の合成
合成例１の［反応式１］において、出発物質を、１−ブロモ−３−ヨードベンゼンの代わりに１−ブロモ−２−ヨードベンゼンを用いたことを除けば、中間体Ｉ−４の合成方法と同様に中間体Ｉ−２５（３０．２ｇ、６５％の収率）を得た。
第２段階：化合物６５の合成
１００ｍＬフラスコに、中間体Ｉ−２５ ５．０ｇ（８．６ｍｍｏｌ）、２−クロロ−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン２．８ｇ（１０．３ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム３．０ｇ（２１．４ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．３ｇ（０．３ｍｍｏｌ）を１，４−ジオキサン３０ｍＬ、水１５ｍＬに入れた後、窒素気流下、１２時間６０℃に加熱した。これから得た混合物をメタノール１５０ｍＬに加えて、結晶化された固形分をろ過した後、トルエンに溶かしてシリカゲル／セライトでろ過し、有機溶媒を適当量除去した後、メタノールで再結晶して、化合物６５（４．０６ｇ、６８％の収率）を得た。
合成例２２：化合物１１３の合成
第１段階：中間体Ｉ−２６の合成
合成例２の中間体Ｉ−７の合成方法において、３−ビフェニルボロン酸の代わりにナフチルボロン酸を用いたことを除けば、同様の方法で反応させて、中間体Ｉ−２６（１５．２ｇ、４５％の収率）を得た。
第２段階：化合物１１３の合成
１００ｍＬフラスコに、中間体Ｉ−２６ ３．０ｇ（９．４ｍｍｏｌ）、中間体Ｉ−４ ６．６ｇ（１１．３ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム３．３ｇ（２３．６ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．３ｇ（０．３ｍｍｏｌ）を１，４−ジオキサン３０ｍＬ、水１５ｍＬに入れた後、窒素気流下、１２時間６０℃に加熱した。これから得た混合物をメタノール１５０ｍＬに加えて、結晶化された固形分をろ過した後、トルエンに溶かしてシリカゲル／セライトでろ過し、有機溶媒を適当量除去した後、メタノールで再結晶して、化合物１１３（４．５１ｇ、６５％の収率）を得た。
合成例２３：化合物１２５の合成
１００ｍＬフラスコに、中間体Ｉ−２６ ３．０ｇ（９．４ｍｍｏｌ）、中間体Ｉ−１４ ６．６ｇ（１１．３ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム３．３ｇ（２３．６ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．３ｇ（０．３ｍｍｏｌ）を１，４−ジオキサン３０ｍＬ、水１５ｍＬに入れた後、窒素気流下、１２時間６０℃に加熱した。これから得た混合物をメタノール１５０ｍＬに加えて、結晶化された固形分をろ過した後、トルエンに溶かしてシリカゲル／セライトでろ過し、有機溶媒を適当量除去した後、メタノールで再結晶して、化合物１２５（４．６７ｇ、６６％の収率）を得た。
合成例２４：化合物１４１の合成
第１段階：中間体Ｉ−３１の合成
合成例１の中間体Ｉ−４の合成方法において、出発物質として１−ブロモ−３−ヨードベンゼンの代わりに１，３−ジブロモ−５−ヨードベンゼンを用いたことを除けば、同様に反応させて、中間体Ｉ−３１（４８．４ｇ、６５％の収率）を得た。
第２段階：化合物１４１の合成
１００ｍＬフラスコに、中間体Ｉ−３１ ５．０ｇ（７．６ｍｍｏｌ）、中間体Ｉ−５ ２．４ｇ（９．１ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム２．６ｇ（１８．９ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．３ｇ（０．２ｍｍｏｌ）を１，４−ジオキサン３０ｍＬ、水１５ｍＬに入れた後、窒素気流下、１２時間６０℃に加熱した。これから得た混合物をメタノール１５０ｍＬに加えて、結晶化された固形分をろ過した後、トルエンに溶かしてシリカゲル／セライトでろ過し、有機溶媒を適当量除去した後、メタノールで再結晶して、化合物１４１（３．９９ｇ、６９％の収率）を得た。
合成例２５：化合物１４２の合成
１００ｍＬフラスコに、中間体Ｉ−３１ ５．０ｇ（７．６ｍｍｏｌ）、中間体Ｉ−７ ３．１ｇ（９．１ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム２．６ｇ（１８．９ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．３ｇ（０．２ｍｍｏｌ）を１，４−ジオキサン３０ｍＬ、水１５ｍＬに入れた後、窒素気流下、１２時間６０℃に加熱した。これから得た混合物をメタノール１５０ｍＬに加えて、結晶化された固形分をろ過した後、トルエンに溶かしてシリカゲル／セライトでろ過し、有機溶媒を適当量除去した後、メタノールで再結晶して、化合物１４２（４．２２ｇ、６６％の収率）を得た。
比較合成例１
化合物ａの合成
合成例１の化合物１の合成方法において、中間体１−２の代わりに中間体１−３４を用いたことを除けば、これと同様の方法で製造して、化合物ａ（６．３ｇ、５１％の収率）を得た。
比較合成例２
化合物ｂの合成
合成例１の化合物１の合成方法において、中間体１−２の代わりに（ブロモエチニル）トリメチルシラン（（ｂｒｏｍｏｅｔｈｙｎｙｌ）ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ）を用いたことを除き、これと同様に反応させて、化合物ｂ（３．４ｇ、４１％の収率）を得た。
（有機発光素子の作製：発光層素子１）
実施例１
合成例１で得た化合物１をホストとして用い、Ｉｒ（ＰＰｙ）３をドーパントとして用いて、有機発光素子を作製した。
陽極としては、ＩＴＯを１０００Åの厚さで用い、陰極としては、アルミニウム（Ａｌ）を１０００Åの厚さで用いた。具体的には、有機発光素子の製造方法を説明すれば、陽極は、１５Ω／ｃｍ２の面抵抗値を有するＩＴＯガラス基板を５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．７ｍｍの大きさに切断して、アセトンとイソプロピルアルコールと純水中で各１５分間超音波洗浄した後、３０分間ＵＶオゾン洗浄して用いた。
前記基板の上部に、真空度６５０×１０−７Ｐａ、蒸着速度０．１〜０．３ｎｍ／ｓの条件でＮ４，Ｎ４’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ４，Ｎ４’−ジフェニルビフェニル−４，４’−ジアミン（Ｎ４，Ｎ４’−ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ−１−ｙｌ）−Ｎ４，Ｎ４’−ｄｉｐｈｅｎｙｌｂｉｐｈｅｎｙｌ−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ）（ＮＰＢ）（８０ｎｍ）を蒸着して、８００Åの正孔輸送層を形成した。次に、同一の真空蒸着条件で、合成例１で得た化合物１を用いて膜厚さ３００Åの発光層を形成し、この時、燐光ドーパントのＩｒ（ＰＰｙ）３を同時に蒸着した。この時、燐光ドーパントの蒸着速度を調節して、発光層の全量を１００重量％とした時、燐光ドーパントの配合量が１０重量％となるように蒸着した。
前記発光層の上部に、同一の真空蒸着条件を利用して、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−４−（フェニルフェノラト）アルミニウム（Ｂｉｓ（２−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｅ）−４−（ｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ）（ＢＡｌｑ）を蒸着して、膜厚さ５０Åの正孔阻止層を形成した。次に、同一の真空蒸着条件でＡｌｑ３を蒸着して、膜厚さ２００Åの電子輸送層を形成した。前記電子輸送層の上部に、陰極としてＬｉＦとＡｌを順次に蒸着して、有機光電素子を作製した。
前記有機光電素子の構造は、ＩＴＯ／ＮＰＢ（８０ｎｍ）／ＥＭＬ（化合物１（９０重量％）＋Ｉｒ（ＰＰｙ）３（１０重量％）、３０ｎｍ）／Ｂａｌｑ（５ｎｍ）／Ａｌｑ３（２０ｎｍ）／ＬｉＦ（１ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）の構造で作製した。
実施例２〜実施例１５
合成例１の化合物１の代わりに、合成例２〜４、合成例６、合成例７、合成例１１〜合成例１４、合成例１６、合成例１７、合成例２１、合成例２２、合成例２５の化合物２、化合物３、化合物６、化合物９、化合物１０、化合物１８、化合物２６、化合物３３、化合物３４、化合物４１、化合物４２、化合物６５、化合物１１３、化合物１４２を用いたことを除けば、前記実施例１と同様の方法で実施例２〜１５の有機発光素子を製造した。
比較例１〜比較例３
合成例１の化合物１の代わりに下記構造のＣＢＰ、化合物ａ、化合物ｂを用いたことを除けば、前記実施例１と同様の方法で比較例１〜３の有機発光素子を製造した。
前記有機発光素子の作製に使用されたＮＰＢ、ＢＡｌｑ、ＣＢＰ、およびＩｒ（ＰＰｙ）３の構造は下記の通りである。
評価
実施例１〜１５と比較例１〜３による有機発光素子の電圧に応じた電流密度の変化、輝度変化、および発光効率を測定した。
具体的な測定方法は下記の通りであり、その結果は表１の通りである。
（１）電圧変化に応じた電流密度の変化の測定
製造された有機発光素子に対して、電圧を０Ｖから１０Ｖまで上昇させながら、電流−電圧計（Ｋｅｉｔｈｌｅｙ２４００）を用いて、単位素子に流れる電流値を測定し、測定された電流値を面積で割って結果を得た。
（２）電圧変化に応じた輝度変化の測定
製造された有機発光素子に対して、電圧を０Ｖから１０Ｖまで上昇させながら、輝度計（Ｍｉｎｏｌｔａ Ｃｓ−１０００Ａ）を用いて、その時の輝度を測定して結果を得た。
（３）発光効率の測定
前記（１）および（２）から測定された輝度と電流密度および電圧を用いて、同一の電流密度（１０ｍＡ／ｃｍ２）の電流効率（ｃｄ／Ａ）を計算した。
（４）寿命の測定
輝度（ｃｄ／ｍ２）を５０００ｃｄ／ｍ２に維持し、電流効率（ｃｄ／Ａ）が９０％に減少する時間を測定して結果を得た。
表１を参照すれば、実施例１〜１５による有機発光素子は、比較例１〜３による有機発光素子と比較して、優れたレベルの駆動電圧および効率を有しかつ、寿命特性が改善されたことを確認できる。前述のように、バルキー置換体によって相対的に平面のヘテロ環部分のスタッキングにより電子の注入および移動が容易になって駆動電圧が減少したと見られる。本発明の化合物と比較して、比較例はリンカーがないため、分子のパッキング（ｐａｃｋｉｎｇ）が相対的にうまく積まれず素子の結果が良くなかった。これとは異なり、本発明の中でもオルト（ｏｒｔｈｏ）結合を有する実施例１３の場合は、オルト結合によって分子構造が折れた形態となり、これは、ＥＴ特性置換体であるヘテロ環部分のスタッキングを有利にして駆動電圧が最も速かった。
（有機発光素子の作製：発光層素子２）
実施例１６
ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）が１５００Åの厚さに薄膜コーティングされたガラス基板を蒸留水超音波洗浄した。蒸留水洗浄が終わると、イソプロピルアルコール、アセトン、メタノールなどの溶剤で超音波洗浄をして乾燥させた後、プラズマ洗浄機に移送させた後、酸素プラズマを用いて前記基板を１０分間洗浄した後、真空蒸着機に基板を移送した。このように準備されたＩＴＯ透明電極を陽極として用いて、ＩＴＯ基板の上部に化合物Ａを真空蒸着して７００Åの厚さの正孔注入層を形成し、前記注入層の上部に化合物Ｂを５０Åの厚さに蒸着した後、化合物Ｃを１０２０Åの厚さに蒸着して正孔輸送層を形成した。正孔輸送層の上部に合成例２で得た化合物２と第２ホスト化合物として化合物Ｂ−１を同時にホストとして用い、ドーパントとしてトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）［Ｉｒ（ｐｐｙ）３］を１０ｗｔ％にドーピングして、真空蒸着で４００Åの厚さの発光層を形成した。ここで、化合物２と化合物Ｂ−１は１：１の比率で使用された。
次に、前記発光層の上部に化合物ＤとＬｉｑを同時に１：１の比率で真空蒸着して３００Åの厚さの電子輸送層を形成し、前記電子輸送層の上部にＬｉｑ１５ÅとＡｌ１２００Åを順次に真空蒸着して陰極を形成することによって、有機発光素子を作製した。
前記有機発光素子は、５層の有機薄膜層を有する構造となっており、具体的には次の通りである。
ＩＴＯ／化合物Ａ（７００Å）／化合物Ｂ（５０Å）／化合物Ｃ（１０２０Å）／ＥＭＬ［化合物１：Ｂ−１：Ｉｒ（ｐｐｙ）３＝４５ｗｔ％：４５ｗｔ％：１０ｗｔ％］（４００Å）／化合物Ｄ：Ｌｉｑ（３００Å）／Ｌｉｑ（１５Å）／Ａｌ（１２００Å）の構造で作製した。
化合物Ａ：Ｎ４，Ｎ４’−ジフェニル−Ｎ４，Ｎ４’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）ビフェニル−４，４’−ジアミン（Ｎ４，Ｎ４’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−Ｎ４，Ｎ４’−ｂｉｓ（９−ｐｈｅｎｙｌ−９Ｈ−ｃａｒｂａｚｏｌ−３−ｙｌ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ）
化合物Ｂ：１，４，５，８，９，１１−ヘキサアザトリフェニレン−ヘキサカルボニトリル（１，４，５，８，９，１１−ｈｅｘａａｚａｔｒｉｐｈｅｎｙｌｅｎｅ−ｈｅｘａｃａｒｂｏｎｉｔｒｉｌｅ）（ＨＡＴ−ＣＮ）、
化合物Ｃ：Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−９，９−ジメチル−Ｎ−（４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−ｙｌ）フェニル）−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（Ｎ−（ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４−ｙｌ）−９，９−ｄｉｍｅｔｈｙｌ−Ｎ−（４−（９−ｐｈｅｎｙｌ−９Ｈ−ｃａｒｂａｚｏｌ−３−ｙｌ）ｐｈｅｎｙｌ）−９Ｈ−ｆｌｕｏｒｅｎ−２−ａｍｉｎｅ）
化合物Ｄ：８−（４−（４，６−ジ（ナフタレン−２−イル）−１，３，５−トリアジン−２−イル）フェニル）キノリン（８−（４−（４，６−ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ−２−ｙｌ）−１，３，５−ｔｒｉａｚｉｎ−２−ｙｌ）ｐｈｅｎｙｌ）ｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）
実施例１７
化合物２と化合物Ｂ−３１を１：１の重量比で用いたことを除けば、実施例１６と同様の方法で有機発光素子を作製した。
実施例１８
化合物２と化合物Ｂ−１５４を１：１の重量比で用いたことを除けば、実施例１６と同様の方法で有機発光素子を作製した。
実施例１９
化合物２と化合物Ｂ−１５６を１：１の重量比で用いたことを除けば、実施例１６と同様の方法で有機発光素子を作製した。
実施例２０
化合物２と化合物Ｃ−１を１：１の重量比で用いたことを除けば、実施例１６と同様の方法で有機発光素子を作製した。
実施例２１
化合物１０と化合物Ｂ−３１を１：１の重量比で用いたことを除けば、実施例１６と同様の方法で有機発光素子を作製した。
実施例２２
化合物３４と化合物Ｂ−３１を１：１の重量比で用いたことを除けば、実施例１６と同様の方法で有機発光素子を作製した。
実施例２３
化合物４２と化合物Ｂ−３１を１：１の重量比で用いたことを除けば、実施例１６と同様の方法で有機発光素子を作製した。
実施例２４
化合物６５と化合物Ｂ−３１を１：１の重量比で用いたことを除けば、実施例１６と同様の方法で有機発光素子を作製した。
実施例２５
化合物１４２と化合物Ｂ−３１を１：１の重量比で用いたことを除けば、実施例１６と同様の方法で有機発光素子を作製した。
比較例４〜比較例６
ＣＢＰ、化合物ａ、または化合物ｂをそれぞれ単独ホストとして用いたことを除けば、実施例１６と同様の方法で比較例４〜６の有機発光素子を作製した。
評価
実施例１６〜２５、および比較例４〜６による有機発光素子の発光効率および寿命特性を評価した。
具体的な測定方法は下記の通りであり、その結果は表２の通りである。
（１）電圧変化に応じた電流密度の変化の測定
製造された有機発光素子に対して、電圧を０Ｖから１０Ｖまで上昇させながら、電流−電圧計（Ｋｅｉｔｈｌｅｙ２４００）を用いて、単位素子に流れる電流値を測定し、測定された電流値を面積で割って結果を得た。
（２）電圧変化に応じた輝度変化の測定
製造された有機発光素子に対して、電圧を０Ｖから１０Ｖまで上昇させながら、輝度計（Ｍｉｎｏｌｔａ Ｃｓ−１０００Ａ）を用いて、その時の輝度を測定して結果を得た。
（３）発光効率の測定
前記（１）および（２）から測定された輝度と電流密度および電圧を用いて、同一の電流密度（１０ｍＡ／ｃｍ２）の電流効率（ｃｄ／Ａ）を計算した。
（４）寿命の測定
輝度（ｃｄ／ｍ２）を６０００ｃｄ／ｍ２に維持し、電流効率（ｃｄ／Ａ）が９７％に減少する時間を測定して結果を得た。
表２を参照すれば、実施例１６〜２５による有機発光素子は、比較例３〜６による有機発光素子と比較して、発光効率および寿命特性が顕著に改善されたことを確認できる。
（有機発光素子の作製）
実施例２６
ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）が１５００Åの厚さに薄膜コーティングされたガラス基板を蒸留水超音波洗浄した。蒸留水洗浄が終わると、イソプロピルアルコール、アセトン、メタノールなどの溶剤で超音波洗浄をして乾燥させた後、プラズマ洗浄機に移送させた後、酸素プラズマを用いて前記基板を１０分間洗浄した後、真空蒸着機に基板を移送した。このように準備されたＩＴＯ透明電極を陽極として用いて、ＩＴＯ基板の上部に化合物Ａを真空蒸着して７００Åの厚さの正孔注入層を形成し、前記注入層の上部に化合物Ｂを５０Åの厚さに蒸着した後、化合物Ｃを１０２０Åの厚さに蒸着して正孔輸送層を形成した。その上に青色蛍光発光ホストおよびドーパントとしてＢＨ１１３およびＢＤ３７０（購入先：ＳＦＣ社）をドーパント濃度５ｗｔ％にドーピングして、真空蒸着で２００Åの厚さの発光層を形成した。この後、前記発光層の上部に化合物１を真空蒸着して５０Åの厚さの電子輸送補助層を形成した。電子輸送補助層は、化学式１で表される物質単独で使用してもよく、グループＢ、Ｃの化合物と混合して使用してもよい。前記電子輸送補助層の上部に化合物ＤとＬｉｑを同時に１：１の重量比率で真空蒸着して３００Åの厚さの電子輸送層を形成し、前記電子輸送層の上部にＬｉｑ １５ÅとＡｌ １２００Åを順次に真空蒸着して陰極を形成することによって、有機発光素子を作製した。前記有機発光素子は、５層の有機薄膜層を有する構造となっており、具体的には、ＩＴＯ／化合物Ａ（７００Å）／化合物Ｂ（５０Å）／化合物Ｃ（１０２０Å）／ＥＭＬ［ＢＨ１１３：ＢＤ３７０＝９５：５（ｗｔ：ｗｔ）］（２００Å）／化合物１（５０Å）／化合物Ｄ：Ｌｉｑ（３００Å）＝１：１／Ｌｉｑ（１５Å）／Ａｌ（１２００Å）の構造で作製した。
化合物Ａ：Ｎ４，Ｎ４’−ジフェニル−Ｎ４，Ｎ４’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）ビフェニル−４，４’−ジアミン（Ｎ４，Ｎ４’−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−Ｎ４，Ｎ４’−ｂｉｓ（９−ｐｈｅｎｙｌ−９Ｈ−ｃａｒｂａｚｏｌ−３−ｙｌ）ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４，４’−ｄｉａｍｉｎｅ）
化合物Ｂ：１，４，５，８，９，１１−ヘキサアザトリフェニレン−ヘキサカルボニトリル（１，４，５，８，９，１１−ｈｅｘａａｚａｔｒｉｐｈｅｎｙｌｅｎｅ−ｈｅｘａｃａｒｂｏｎｉｔｒｉｌｅ）（ＨＡＴ−ＣＮ）、
化合物Ｃ：Ｎ−（ビフェニル−４−イル）−９，９−ジメチル−Ｎ−（４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル）−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（Ｎ−（ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４−ｙｌ）−９，９−ｄｉｍｅｔｈｙｌ−Ｎ−（４−（９−ｐｈｅｎｙｌ−９Ｈ−ｃａｒｂａｚｏｌ−３−ｙｌ）ｐｈｅｎｙｌ）−９Ｈ−ｆｌｕｏｒｅｎ−２−ａｍｉｎｅ）
化合物Ｄ：８−（４−（４，６−ジ（ナフタレン−２−イル）−１，３，５−トリアジン−２−イル）フェニル）キノリン（８−（４−（４，６−ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ−２−ｙｌ）−１，３，５−ｔｒｉａｚｉｎ−２−ｙｌ）ｐｈｅｎｙｌ）ｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）
実施例２７〜実施例４０
化合物２、化合物３、化合物６、化合物９、化合物１０、化合物１８、化合物２６、化合物３３、化合物３４、化合物４１、化合物４２、化合物６５、化合物１１３、化合物１４２をそれぞれ用いたことを除けば、実施例２６と同様の方法で実施例２７〜実施例４０の有機発光素子を作製した。
比較例７
化合物ａを用いたことを除けば、実施例２６と同様の方法で有機発光素子を作製した。
比較例８
化合物ｂを用いたことを除けば、実施例２６と同様の方法で有機発光素子を作製した。
比較例９
電子輸送補助層を用いないことを除けば、実施例２６と同様の方法で有機発光素子を製造した。
評価
実施例２６〜４０および比較例７〜９で製造された有機発光素子について、電圧に応じた電流密度の変化、輝度変化および発光効率を測定した。
具体的な測定方法は下記の通りであり、その結果は表３の通りである。
（１）電圧変化に応じた電流密度の変化の測定
製造された有機発光素子について、電圧を０Ｖから１０Ｖまで上昇させながら、電流−電圧計（Ｋｅｉｔｈｌｅｙ２４００）を用いて、単位素子に流れる電流値を測定し、測定された電流値を面積で割って結果を得た。
（２）電圧変化に応じた輝度変化の測定
製造された有機発光素子について、電圧を０Ｖから１０Ｖまで上昇させながら、輝度計（Ｍｉｎｏｌｔａ Ｃｓ−１０００Ａ）を用いて、その時の輝度を測定して結果を得た。
（３）発光効率の測定
前記（１）および（２）から測定された輝度と電流密度および電圧を用いて、同一の電流密度（１０ｍＡ／ｃｍ２）の電流効率（ｃｄ／Ａ）を計算した。
（４）寿命の測定
製造された有機発光素子について、ポラロニクス寿命測定システムを用いて、実施例２６〜４０および比較例７〜９の素子を初期輝度（ｃｄ／ｍ２）を７５０ｃｄ／ｍ２で発光させ、時間の経過に伴う輝度の減少を測定して、初期輝度対比９７％に輝度が減少した時点をＴ９７寿命として測定した。
表３を参照すれば、実施例２６〜４０による有機発光素子は、比較例７〜９による有機発光素子とそれぞれ比較して、発光効率および寿命特性が同時に改善されたことを確認できる。
本発明は、上記の実施例に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で製造可能であり、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者は、本発明の技術的な思想や必須の特徴を変更することなく他の具体的な形態で実施可能であることを理解するであろう。そのため、以上に述べた実施例はあらゆる面で例示的なものであり、限定的ではないと理解しなければならない。
１００、２００、３００、４００：有機発光素子
１０５：有機層
１１０：陰極
１２０：陽極
１３０：発光層
１４０：正孔補助層
１０：有機発光素子
３１：正孔輸送層
３３：正孔輸送補助層
３４：電子輸送層
３５：電子輸送補助層
３６：電子注入層
３７：正孔注入層。

Claims (15)

  1. 下記化学式１で表される有機光電子素子用化合物：
    前記化学式１において、
    Ｒ１〜Ｒ５は、それぞれ独立に、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ４アルキル基、またはフェニル基であり、
    Ｚ１〜Ｚ３は、それぞれ独立に、ＣＲａまたはＮであり、
    Ｚ１〜Ｚ３のうちの少なくとも２つは、Ｎであり、
    ＲａおよびＲ６は、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、または置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ１２アリール基であり、
    Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立に、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、または置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ１８アリール基であり、
    ａ、ｂ、ｃ、ｄ、およびｅは、それぞれ独立に、０または１の整数でかつ、
    ４≦ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＋ｅ≦５であり、
    前記「置換」とは、少なくとも１つの水素が、重水素、Ｃ１〜Ｃ４アルキル基、またはＣ６〜Ｃ１２アリール基で置換されていることを意味する。
  2. 前記化学式１は、下記化学式１−Ｉまたは１−ＩＩで表される、請求項１に記載の有機光電子素子用化合物：
    前記化学式１−Ｉおよび１−ＩＩにおいて、
    Ｒ１〜Ｒ５は、それぞれ独立に、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ４アルキル基、またはフェニル基であり、
    Ｚ１〜Ｚ３は、それぞれ独立に、ＣＲａまたはＮであり、
    Ｚ１〜Ｚ３のうちの少なくとも２つは、Ｎであり、
    ＲａおよびＲ６は、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、または置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ１２アリール基であり、
    Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立に、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、または置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ１８アリール基である。
  3. 前記化学式１−Ｉは、下記化学式１−Ｉａ、１−Ｉｂ、または１−Ｉｃで表される、請求項２に記載の有機光電子素子用化合物：
    前記化学式１−Ｉａ〜１−Ｉｃにおいて、
    Ｒ２〜Ｒ５は、それぞれ独立に、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ４アルキル基、またはフェニル基であり、
    Ｚ１〜Ｚ３は、それぞれ独立に、ＣＲａまたはＮであり、
    Ｚ１〜Ｚ３のうちの少なくとも２つは、Ｎであり、
    ＲａおよびＲ６は、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、または置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ１２アリール基であり、
    Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立に、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、または置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ１８アリール基である。
  4. 前記化学式１−ＩＩは、下記化学式１−ＩＩａ、１−ＩＩｂ、または１−ＩＩｃで表される、請求項２に記載の有機光電子素子用化合物：
    前記化学式１−ＩＩａ〜１−ＩＩｃにおいて、
    Ｒ１〜Ｒ５は、それぞれ独立に、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ４アルキル基、またはフェニル基であり、
    Ｚ１〜Ｚ３は、それぞれ独立に、ＣＲａまたはＮであり、
    Ｚ１〜Ｚ３のうちの少なくとも２つは、Ｎであり、
    ＲａおよびＲ６は、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、または置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ１２アリール基であり、
    Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立に、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、または置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ１８アリール基である。
  5. 前記化学式１−Ｉは、下記化学式１−Ｉｄまたは１−Ｉｅで表される、請求項２に記載の有機光電子素子用化合物：
    前記化学式１−Ｉｄおよび１−Ｉｅにおいて、
    Ｚ１〜Ｚ３は、それぞれ独立に、ＣＲａまたはＮであり、
    Ｚ１〜Ｚ３のうちの少なくとも２つは、Ｎであり、
    Ｒａは、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、または置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ１２アリール基であり、
    Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立に、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、または置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ１８アリール基である。
  6. 前記化学式１−ＩＩは、下記化学式１−ＩＩｄまたは１−ＩＩｅで表される、請求項２に記載の有機光電子素子用化合物：
    前記化学式１−ＩＩｄおよび１−ＩＩｅにおいて、
    Ｚ１〜Ｚ３は、それぞれ独立に、ＣＲａまたはＮであり、
    Ｚ１〜Ｚ３のうちの少なくとも２つは、Ｎであり、
    Ｒａは、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、または置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ１２アリール基であり、
    Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立に、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、または置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ１８アリール基である。
  7. 前記Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立に、置換もしくは非置換のフェニル基、置換もしくは非置換のビフェニル基、置換もしくは非置換のターフェニル基、または置換もしくは非置換のナフチル基である、請求項１に記載の有機光電子素子用化合物。
  8. 前記Ａｒ１およびＡｒ２は、下記グループ１に挙げられた置換基のうちの１つである、請求項７に記載の有機光電子素子用化合物：
    前記グループ１において、＊は、連結地点である。
  9. 下記グループ２に挙げられた化合物のうちの１つである、請求項１に記載の有機光電子素子用化合物：
  10. 互いに対向する陽極および陰極と、
    前記陽極と前記陰極との間に位置する少なくとも１層の有機層とを含み、
    前記有機層は、請求項１〜９のいずれか１項に記載の有機光電子素子用化合物を含む有機光電子素子。
  11. 前記有機層は、発光層、電子輸送層、および正孔輸送層を含み、
    前記電子輸送層または前記発光層は、前記有機光電子素子用化合物を含む、請求項１０に記載の有機光電子素子。
  12. 前記電子輸送層は、発光層に隣接する電子輸送補助層をさらに含み、
    前記電子輸送補助層は、前記有機光電子素子用化合物を含む、請求項１１に記載の有機光電子素子。
  13. 前記発光層は、下記化学式２で表される化合物；および下記化学式３で表されるモイエティと下記化学式４で表されるモイエティとの組み合わせからなる化合物のうちの少なくとも１種の化合物をさらに含む、請求項１１に記載の有機光電子素子。
    前記化学式２〜４において、
    Ａｒ３〜Ａｒ６は、それぞれ独立に、置換もしくは非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基、または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基であり、
    ｍは、０または１の整数であり、
    前記化学式３の隣接する２つの＊は、前記化学式４の２つの＊と結合して縮合環を形成し、この時、前記化学式３で縮合環を形成しない＊は、それぞれ独立に、ＣＲｂであり、
    Ｒｂ、およびＲ７〜Ｒ１４は、それぞれ独立に、水素、重水素、置換もしくは非置換のＣ１〜Ｃ１０アルキル基、Ｃ６〜Ｃ３０アリール基、または置換もしくは非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基である。
  14. 前記置換または非置換のＣ６〜Ｃ３０アリール基は、置換もしくは非置換のフェニル基、置換もしくは非置換のビフェニル基、置換もしくは非置換のターフェニル基、置換もしくは非置換のクォーターフェニル基、置換もしくは非置換のナフチル基、置換もしくは非置換のトリフェニレン基、または置換もしくは非置換のフルオレニル基であり、
    前記置換または非置換のＣ２〜Ｃ３０ヘテロアリール基は、置換もしくは非置換のジベンゾフラニル基、置換もしくは非置換のジベンゾチオフェニル基、置換もしくは非置換のピリジニル基、置換もしくは非置換のピリミジニル基、置換もしくは非置換のトリアジニル基、置換もしくは非置換のキノリニル基、置換もしくは非置換のイソキノリニル基、または置換もしくは非置換のキナゾリル基であり、
    ここで、置換は、少なくとも１つの水素が、重水素、Ｃ１〜Ｃ１０アルキル基、Ｃ６〜Ｃ１８アリール基、Ｃ３〜Ｃ２０ヘテロアリール基で置換されていることを意味する、請求項１３に記載の有機光電子素子。
  15. 請求項１０に記載の有機光電子素子を含む表示装置。
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