JP2019500742A - 低周波ｅｍｉ遮蔽用伝導性組成物 - Google Patents

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Abstract

本発明は、低周波ＥＭＩ遮蔽のための伝導性組成物に関する。本発明のＥＭＩ遮蔽組成物は、熱可塑性樹脂及び／又は熱硬化性樹脂を含有する樹脂、溶媒及び／又は反応性希釈剤、並びに粒子を含み、該粒子は磁性粒子及び電気伝導性粒子の混合物、又は電気伝導性材料被覆磁性粒子、又は電気伝導性材料被覆磁性粒子及び電気伝導性粒子の混合物を含有し、該組成物は該組成物の総重量に対して≧１０重量％の磁性粒子を含む。本発明のＥＭＩ遮蔽組成物は、良好な電気及び磁気伝導性を有し、広い周波数域、特に低周波数域におけるＥＭＩ遮蔽のためのドロップ・イン・ソリューションとして適当である。

Description

本発明は、低周波ＥＭＩ遮蔽用伝導性組成物に関する。本発明の組成物は、良好な電気及び磁気の伝導性を有し、広い周波数域、特に低周波数域でのＥＭＩ遮蔽のドロップ・イン・ソリューションとして適している。
電磁干渉（ＥＭＩ）遮蔽は、主に無線通信で使用される様々なラジオ周波数（ＲＦ）電子部品に必要とされる。
最も一般的なＥＭＩ遮蔽解決策は、標的とする領域又は部品を覆うために、金属製のふた又は缶を使用する。しかしながら、この解決策は、電子部品の小型化（薄型化、実装の薄型化）、実装面積の小型化、高密度化の要求に対応できない。この解決策は、金属製のキャップ／ふたが非常に多くの空間を必要とするために、いくつかの小型装置では使用することができない。
産業界における一つの解決策は、上述の金属製の缶を模して、メッキ、スパッタリング、及び伝導性接着剤を含む共形の遮蔽技術を使用することである。
金属遮蔽の一つの方法は、メッキ又はスパッタリングによって、金属遮蔽を形成することである。実装上のスパッタリングは非常に低いＵＰＨ（時間当たり単位）プロセスを提供する。この理由は、上記プロセスはスパッタリングの前に真空を必要とし、金属が原子レベルで堆積され（数ミクロンの厚さの層をスパッタリングするのに数時間を要する）、スパッタリングされるデバイスは、側壁で良好なカバレッジを保証するために、互いに十分に離間されるべきである（スパッタリング当たりのデバイスの数はかなり限られている）。一方、メッキは、ストリップレベルでサイドカバレッジに問題があり、複雑なプロセスであるからである。プロセスは、表面前処理、マスキング（特に金属リードフレーム（Ｌ／Ｆ）にとって複雑なプロセス）の後続工程を必要とし、大きな作業空間を必要とし、重度の汚染を伴う湿式プロセスである。
加えて、産業界では、典型的には伝導性接着剤（インク、ペースト、又はフィルムの形態）において、銀、銀被覆銅、ニッケル、金などの電気伝導性の金属フィラーを使用する。これらのフィラーの使用は、１Ｅ−０５Ω・ｃｍに近く非常に低い体積抵抗率を有する接着剤を提供し、接着剤を＞１ＧＨｚの高周波でのＥＭＩ遮蔽で良好に機能させ、３０ｄＢ以上のＥＭＩ遮蔽効果を容易に得る。しかしながら、現在の接着剤アプローチの欠点は、比較的低い周波数域、特に５ＭＨｚ〜２００ＭＨｚの範囲でＥＭＩ遮蔽効果がないことである。
ＥＭＩ遮蔽において、高周波（ＧＨｚ以上）のＥＭＩ遮蔽の主なメカニズムは、主に遮蔽層の電気伝導率により決定される反射である。一方、低周波（ＭＨｚ以下）のＥＭＩ遮蔽の主なメカニズムは、主に遮蔽層の透磁率により決定される吸着である。したがって、高電気伝導性接着剤を感受性デバイス又は放射源の上に塗布して、電子デバイスへの又は電子デバイスからのＧＨｚ範囲内のＥＭＩを阻止することができる。これは、Ｗｉ−Ｆｉモジュール、２Ｇ／３Ｇ／４Ｇセルラーモジュール、ブルートゥース（登録商標）モジュールなどの無線通信パッケージ上の統合設計及び製造業者（ＩＤＭ）、設計住宅及び下請け業者によりますます採用されている。最近、産業界は、近距離通信（ＮＦＣ）及びラジオ周波数識別（ＲＦＩＤ）などの新しい無線通信技術を１３．５６ＭＨｚで実現するために、ＭＨｚの周波数帯域に向かって進んでいる。このＭＨｚ水準のＥＭＩ遮蔽では、高い電気伝導率だけでは十分な遮蔽効果が得られない。
従って、より高い周波数域で良好なＥＭＩ遮蔽を維持しながら、低周波数域でもＥＭＩ遮蔽を与え、同時に小型デバイスに適用することができる伝導性組成物が必要とされている。
本発明は、熱可塑性樹脂及び／又は熱硬化性樹脂を含有する樹脂、溶媒及び／又は反応性希釈剤、並びに磁性粒子及び電気伝導性粒子の混合物、又は電気伝導性材料被覆磁性粒子、又は電気伝導性粒子及び電気伝導性材料被覆磁性粒子の混合物を含有する粒子を含み、組成物の総重量に基づいて≧１０重量％の磁性粒子を含む、ＥＭＩ遮蔽組成物に関する。
加えて、本発明は、本発明の伝導性組成物のＥＭＩ遮蔽材料としての使用に関する。
更に、本発明はまた、本発明のＥＭＩ遮蔽組成物の硬化生成物を包含する。
図１は、用語「体積抵抗」を定義するための例示形状を示す。 図２は、本発明の実施例の磁場強度Ｈに対する応答磁気トルクＭのグラフを示す。 図３は、本発明の実施例の遮蔽材料の遮蔽効果を模式的に示す。
以下の文章において、本発明をより詳細に説明する。このように記載された各態様は、明確に反対の指示がない限り、任意に他の態様を組み合わせてもよい。特に、好ましい又は有利である任意の特徴は、好ましい又は有利であると示される任意の他の特徴又は複数の特徴と組み合わせられ得る。
本発明の文脈において、文脈上指示がない限り、使用される用語は、以下の定義により解釈されるものとする。
本明細書で使用されるように、単数形の「ａ」、「ａｎ」及び「ｔｈｅ」は、文脈上明確に指示がされない限り、単数及び複数の指示対象の両方を含む。
本明細書中で使用される場合、用語「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」、「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅｓ）」及び「からなる（ｃｏｍｐｒｉｓｅｄ ｏｆ）」は、「含む（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）」、「含む（ｉｎｃｌｕｄｅｓ）」又は「含む（ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ）」、「含む（ｃｏｎｔａｉｎｓ）」などと同義語であり、包括的又は制限がなく、追加的な被記載部材、要素、又は方法の工程を排除しない。
数値的終点の記載は、それぞれの範囲内に包含される全ての数及び分数並びに記載された終点を含む。
量、濃度、その他の値、又はパラメータを、範囲、好ましい範囲、又は好ましい上限値及び好ましい下限値で表現する場合、得られた範囲が文脈上明確に言及されているか否かを考慮することなく、任意の上限値又は好ましい値と、任意の下限値又は好ましい値とを組み合わせて得られた任意の範囲が具体的に開示されているとを理解されるべきである。
特記しない限り、技術的及び科学的用語を含む本発明の開示に使用される全ての用語は、本発明が属する分野の当業者によって一般的に理解される意味を有する。更なる指針を用いて、本発明の教示をよりよく理解するために用語定義が含まれる。
本発明は、熱可塑性樹脂及び／又は熱硬化性樹脂を含有する樹脂、溶媒及び／又は反応性希釈剤、並びに磁性粒子及び電気伝導性粒子の混合物、又は電気伝導性材料被覆磁性粒子、又は電気伝導性粒子及び電気伝導性材料被覆磁性粒子の混合物を含み、該組成物の総重量に基づいて≧１０重量％の磁性粒子を含む、ＥＭＩ遮蔽組成物を提供する。
本出願人は、磁性フィラー及び電気伝導性フィラーの両方を接着剤組成物に組み込むことにより、透磁率及び高い電気伝導性を付与することにより、高周波数域及び低周波数域の両方で所望のＥＭＩ遮蔽効果をもたらすことを見出した。
本発明のＥＭＩ遮蔽組成物の必須の各成分は以下に詳細に記載する。
本発明のＥＭＩ遮蔽組成物は、熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂との混合物を含有する樹脂を含む。
熱可塑性樹脂
本発明のＥＭＩ遮蔽組成物は、熱可塑性樹脂を含む。本発明では、広範囲の既知の熱可塑性樹脂を使用できる。熱可塑性樹脂は、任意の熱可塑性樹脂であってよい。
本発明において使用に適当な熱可塑性樹脂は、フェノキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリビニル樹脂、ポリビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリスチレンコポリマー樹脂、フッ素樹脂、ポリ（メタ）アクリレート樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、セルロース樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリカーボネート樹脂及びそれらの混合物からなる群から選択される。好ましくは熱可塑性樹脂は、フェノキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ（メタ）アクリレート樹脂及びそれらの混合物からなる群から選択される。
より好ましくは前記熱可塑性樹脂は、ポリメチルメタクリレート樹脂、ビスフェノールＡ及びエピクロロヒドリンのコポリマー、飽和ポリエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエーテル樹脂、不飽和ポリエーテル樹脂、芳香族ポリウレタン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、スチレン及びブタジエンのコポリマー、ポリフッ化ビニリデン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂並びにそれらの混合物からなる群から選択される。
本発明で使用される適当な熱可塑性樹脂は、１００００より大きい分子量Ｍｗを有し、好ましくはＭｗ（平均）３００００〜６００００、及びＭｎ（平均）１００００〜２００００を有する。分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）を使用して決定する。
本発明において使用に適当な市販の熱可塑性樹脂は、例えば、ＩｎＣｈｅｍＲｅｚ製のフェノキシ樹脂、Ｌｕｂｒｉｚｏｌ製のＥｓｔａｎｅ ＴＰＵ、ＤＩＣ製のＥｐｉｃｏｎ、Ｂｏｓｔｉｋ製の及びＶｉｔｅｌポリエステルである。
熱硬化性樹脂
本発明のＥＭＩ遮蔽組成物は、熱硬化性樹脂を含む。本発明では、広範囲の既知の熱硬化性樹脂を使用できる。
本発明で使用される例示的な適当な熱硬化性樹脂としては、アリル樹脂、ビニル樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、オキセタン樹脂、イソシアネート樹脂、マレイミド樹脂、ビスマレイミド樹脂、シアネートエステル樹脂、及びシリコン含有樹脂、シアノアクリレート樹脂、ビニルエステル樹脂並びにそれらの混合物が挙げられ、好ましくは熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコン含有樹脂及びにそれらの混合物から選択される。
好ましくは熱硬化性樹脂は、ポリウレタンアクリレート、ポリアクリレート、エピクロロヒドリン−フェノールホルムアルデヒド樹脂、液体ビスマレイミド樹脂、Ｎ−フェニルマレイミド樹脂、オルガノシリコーン樹脂、ポリメチルシリコーン樹脂、ポリエチルシリコーン樹脂、ポリアリールシリコーン樹脂、ポリアルキルアリールシリコーン樹脂、ビスフェノールエポキシ樹脂、ビフェニルエポキシ樹脂、シロキサンエポキシ樹脂、トルエンジイソシアネート樹脂、メチレンジフェニルジイソシアネート樹脂及びそれらの混合物からなる群から選択される。
適当な熱硬化性樹脂は、アリルグリシジルエーテル、グリシジルメタクリレート、グリシジルアクリレート及び１−ビニル−３，４−エポキシシクロヘキサンから選択される他の官能基を有するエポキシド樹脂のような官能基の混合物を有する多官能樹脂であってもよい。
本発明において使用に適当な市販の熱硬化性樹脂は、例えば、ＤＩＣ製のＥｐｉｃｌｏｎ Ｎ−７３０、Ｓａｒｔｏｍｅｒ製のＵＮ９２００Ａ、Ｈｅｎｋｅｌ製のＣＭ１００３、Ｅｖｏｎｉｋ製のＶＱＭ ８０３である。
本発明における使用に適当な熱硬化性樹脂は、１０００より大きい分子量を有する。分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）を使用して決定する。
本発明のＥＭＩ遮蔽組成物は、該組成物の総重量に基づいて２〜６０重量％、好ましくは４〜４５重量％、より好ましくは４〜３０重量％、最も好ましくは４〜２０重量％の樹脂を含む。
ＥＭＩ遮蔽組成物における熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂の総量は、該組成物の総重量の６０％を超えないことが好ましい。該組成物における樹脂量が多すぎると、電気伝導性及び透磁率が悪くなり、結果としてＥＭＩ遮蔽性が低下する。他方で、樹脂の総量が組成物の総重量の２重量％未満であると、接着性が悪影響を受ける可能性がある。
本発明のＥＭＩ遮蔽組成物は粒子を含む。一実施形態では、粒子は磁性粒子及び電気伝導性粒子の混合物を含む。他の実施形態では、粒子は、電気伝導性材料被覆磁性粒子を含む。更に別の実施形態では、粒子は、電気伝導性粒子及び電気伝導性材料被覆磁性粒子の混合物を含む。
磁性粒子
本発明のＥＭＩ遮蔽組成物は、磁性粒子を含む。適当な磁性粒子は、例えば、強磁性粒子及びナノ結晶強磁性粒子である。
より具体的には、本発明において使用に適当な磁性粒子は、ニッケル、鉄、コバルト、フェライト、鉄−ニッケル合金、パーマロイ、シリコン鉄（ＦｅＳｉ）、ＦｅＳｉＣｒ合金、ＦｅＳｉＡｌ合金、ＦｅＣｏ合金及びそれらの混合物からなる群から選択される。
本発明における使用に適当な電気伝導性材料被覆磁性粒子は、銀被覆ニッケル、銀被覆鉄、銀被覆コバルト、銀被覆鉄−ニッケル合金、銀被覆パーマロイ、銀被覆フェライト、銀被覆シリコン鉄、銀被覆ＦｅＳｉＣｒ合金、銀被覆ＦｅＳｉＡｌ合金、銀被覆ＦｅＣＯ合金及びそれらの混合物からなる群から選択される。
好ましくは磁性粒子は、フェライト、鉄−ニッケル合金、鉄、ニッケル、ＦｅＳｉＡｌ合金、ＦｅＳｉＣｒ合金、銀被覆ニッケル、銀被覆鉄、銀被覆鉄−ニッケル合金及びそれらの混合物からなる群から選択される。
本発明における使用に適当な市販の磁性粒子は、例えば、ＩＮＣＯ製のニッケル ｔｙｐｅ２５５、ＤＯＷＡ製の銀被覆ニッケル ＡＯ−ＱＣＳ−７８、及びＣａｒｐｅｎｔｅｒ Ｐｏｗｄｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ製のＦｅＮｉ合金 ＦｅＳｉＡｌ、及びＰＰＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ製のフェライトである。
磁性粒子は、粉体形態又はフレーク形態又はこれら２種の混合物であり得る。好ましくは、磁性粒子は、粉体形態及びフレーク形態の粒子の混合物である。
本発明で使用される適当な磁性粒子は、好ましくは１０ｎｍより大きい粒度を有し、７５μｍ未満、好ましくは５０μｍ未満の平均粒度を有する。
一般に、大きすぎる粒度はＥＭＩ遮蔽層の表面に不均一さをもたらし、ＥＭＩ遮蔽層内にいくつかの空隙又は孔をも生じさせる可能性があり、よって、ＥＭＩ遮蔽範囲は十分ではない。一方、小さすぎる粒度であると、伝導率が低く及び調製物のレオロジーが不十分であるとの潜在的なリスクが生じる。
本発明のＥＭＩ遮蔽組成物は、該組成物の総重量の≧１０重量％の磁性粒子を含む。低周波数域でのＥＭＩ遮蔽を付与するためには、適切な磁気特性を提供するために１０％以上の量を要する。
本発明のＥＭＩ遮蔽組成物は、該組成物の総重量の１０〜９５重量％、好ましくは２０〜９０重量％、より好ましくは３０〜８５重量％、より好ましくは４０〜８５重量％の磁性粒子を含む。
磁性粒子の量が９５％を超えると、組成物は十分な接着性を提供しない。他方、１０％未満の量は、低周波数域でのＥＭＩ遮蔽を付与するために十分な磁気特性を提供しない。
電気伝導性粒子
本発明のＥＭＩ遮蔽組成物は、電気伝導性粒子を含む。本発明における使用に適当な電気伝導性粒子は、銀粒子、銅粒子、亜鉛粒子、スズ粒子、ビスマス粒子、アンチモン粒子、インジウム粒子、アルミニウム粒子；金粒子、グラファイト粒子、炭素粒子、銀被覆銅粒子、銀被覆ガラス粒子、銀被覆アルミニウム粒子、銀被覆スズ粒子、銀被覆ビスマス粒子、銀被覆アンチモン粒子、銀被覆インジウム粒子、銀被覆亜鉛粒子、銀被覆グラファイト、スズ、銀、ビスマス、アンチモン、亜鉛、銅及びインジウムからの２種以上の混合物からなる合金粒子；スズ、銀、ビスマス、アンチモン、亜鉛、銅、及びインジウムから選択される２種以上の金属からなる合金の銀被覆粒子；並びにそれらの混合物からなる群から選択され、好ましくは該電気伝導性粒子は銀粒子である。
本発明における使用に適当な市販の電気伝導性粒子は、Ｍｅｔａｌｏｒ製又はＡｍｅｓ ｇｏｌｄｓｍｉｔｈのような他の銀粒子製造業者製の、低タップ密度（０．１〜３．５ｇ／ｃｍ３の範囲のタップ密度）の銀の粉末及びフレークである。
電気伝導性粒子は、粉末形態、フレーク形態、又はこれら２つの混合であってもよい。好ましくは電気伝導性粒子は、粉末形態及びフレーク形態の粒子の混合物である。
本発明における使用に適当な電気伝導性粒子は、好ましくは１０ｎｍより大きな粒度を有し、７５μｍ未満、好ましくは５０μｍ未満の平均粒度を有する。
一般に、大きすぎる粒度はＥＭＩ遮蔽層の表面に不均一さをもたらし、ＥＭＩ遮蔽層内にいくつかの空隙又は孔をも生じさせる可能性があり、よって、ＥＭＩ遮蔽範囲は十分ではない。一方、小さすぎる粒度は、伝導率が低く及び粘度が高いとの潜在的なリスクを生じさせる。
本発明のＥＭＩ遮蔽組成物は、該組成物の総重量の５〜８５重量％、好ましくは１０〜８０重量％、より好ましくは１０〜７３重量％の電気伝導性粒子を含む。
電気伝導性粒子の量が８５％を超えると、前記組成物は十分な接着性を提供できず、加えて、前記組成物からフィルムを作製することが困難となる。他方、電気伝導性粒子の量が５％未満であると、前記組成物は十分な伝導性を有しない。
本発明のＥＭＩ遮蔽組成物は、溶媒若しくは反応性希釈剤、又は溶媒及び反応性希釈剤の混合物を含む。
溶媒
本発明のＥＭＩ遮蔽組成物は溶媒を含む。熱可塑性樹脂が使用される場合に、溶媒は特に好ましい。
本発明における使用に適当な溶媒は、水、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコール、プロピルアセテート、ブチルアセテート、二塩基酸エステル、エチルプロキシトールエトキシプロパノール、カルビトールアセテート、２−メトキシ−１−メチルエチルアセテート、カルビトールアセテート、２−メトキシ−１−メチルエチルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、メチルイソブチルケトン、２−ブトキシエタノール、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、４−メチル−１，３−ジオキソラン−２−オン、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、フェノール、テルピネオール、γ−ブチロラクトン、メチルサクシネート及びグルタル酸メチル及びジメチルアジペートを含むエステル混合物、ブチルグリコールアセテート並びにそれらの混合物からなる群から選択される。好ましくは該溶媒は、２−メトキシ−１−メチルエチルアセテート、ブチルグリコールアセテート、カルビトールアセテート、二塩基酸エステル及びそれらの混合物からなる群から選択される。
本発明における使用に適当な市販の溶媒は、例えば、Ｓｉｇｍａ Ａｌｄｒｉｃｈ製の２−メトキシ−１−メチルエチルアセテート及び二塩基酸エステル；並びにＥＡＳＴＭＡＮ製のブチルグリコールアセテート及びカルビトールアセテートである。
本発明のＥＭＩ遮蔽組成物は、該組成物の総重量の５〜７０重量％、好ましくは１５〜５０重量％、より好ましくは１５〜４５重量％の溶媒を含む。
本発明のＥＭＩ遮蔽組成物における溶媒の総量は、該組成物の総重量の７０重量％を超えないことが好ましい。該組成物中の高い溶媒量は、不十分な電気伝導性及び不十分な磁気特性、及び不十分な接着性をもたらす。加えて、高すぎる溶媒量は、乾燥フィルムの不十分な膜厚及び不十分な遮蔽性能をもたらす。他方、低い溶媒量は、高い粘度及び不十分な電気伝導性及び不十分な磁気特性をもたらす。
反応性希釈剤
本発明のＥＭＩ遮蔽組成物は、反応性希釈剤を含む。反応性希釈剤は、熱硬化性樹脂が樹脂として使用される場合、特に好ましい。
本発明において使用に適当な反応性希釈剤は、３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、イソボルニルアクリレート、２−フェノキシエチルアクリレート；ネオデカン酸−２，３−エポキシプロピルエステル；１，４−ブタンジオールジグリシジルエーテル；ｎ−ブチルグリシジルエーテル及び２−エチルヘキシルグリシジルエーテルから選択されるＣ８−Ｃ１０アルキルグリシジルエーテル；フェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテル及びｐ−ｓ−ブチルフェニルグリシジルエーテルから選択される芳香族グリシジルエーテル、テトラグリシジルビス−（ｐ−アミノフェニル）−メタン；スチレンオキシド及びα−ピネンオキシド；アリルグリシジルエーテル、グリシジルメタクリレート、グリシジルアクリレート及び１−ビニル−３，４−エポキシシクロヘキサンから選択される他の官能基を有するモノエポキシド化合物；（ポリ）エチレングリコールジグリシジルエーテル、（ポリ）プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ブタンジオールジグリシジルエーテル及びネオペンチルグリコールジグリシジルエーテルから選択されるジエポキシド化合物；トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル及びグリセリントリグリシジルエーテルから選択されるトリエポキシド化合物；並びにそれらの混合物からなる群から選択され、好ましくは反応性希釈剤は、３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、イソボルニルアクリレート、２−フェノキシエチルアクリレート及びそれらの混合物からなる群から選択される。
本発明における使用に適当な市販の反応性希釈剤は、例えば、ＤＡＩＣＥＬ製のＲＥ１８２５、及びＳａｒｔｏｍｅｒ製のＳＲ５０６のようなイソボルニルアクリレートである。
本発明のＥＭＩ遮蔽組成物は、該組成物の総重量の３〜３０重量％、好ましくは５〜２０重量％、より好ましくは５〜１５重量％の反応性希釈剤を含む。
本発明のＥＭＩ遮蔽組成物における反応性希釈剤の総量は、該組成物の総重量の３０重量％を超えないことが好ましい。該組成物における高すぎる反応性希釈剤の量は、不十分な電気伝導性、不十分な磁気特性、及び不十分な接着性をもたらす。他方、低い反応性希釈剤の量は、高い粘度、不十分な電気伝導性、及び不十分な磁気特性をもたらす。
硬化剤
本発明のＥＭＩ遮蔽組成物は、硬化剤を更に含んでもよい。ＥＭＩ遮蔽組成物が熱硬化性樹脂を含む場合に、硬化剤は、特に好ましい。
本発明で使用される適当な硬化剤は、無水物含有化合物；アミン化合物、アミド化合物及びイミダゾール化合物のような窒素含有化合物；多官能フェノール；カルボン酸；チオール；ポリオール；ポリアミド；過酸化物；水素シリコーン；及び白金触媒並びにそれらの混合物を含む。
より具体的には、前記組成物は、無水物、第一級及び第二級アミン、多官能フェノール、カルボン酸、チオール及びポリオールのような硬化剤の化学量論量を使用して硬化されてもよく；前記組成物は、第三級アミン、イミダゾール及び過酸化物のような触媒の非化学量論量を使用して硬化されてもよく;又は前記組成物は、そのような硬化剤及び触媒の組み合わせを介して硬化されてもよい。
好ましくは前記硬化剤は、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、ブロックトアミン、変性イミダゾール、ドデセニルコハク酸無水物、過酸化物及びそれらの混合物からなる群から選択される。
本発明における使用に適当な市販の硬化剤は、例えば、Ａｉｒｐｒｏｄｕｃｔｓ製のＩｍｉｃｕｒｅ ＨＡＰＩ、ＰＣＩ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ製のＥＭＩ−２４−ＣＮ、Ａｄｅｋａ製のＥＨ ２０２１及びＡｋｚｏＮｏｂｅｌ製のＤｉＣｕｐである。
本発明のＥＭＩ遮蔽組成物は、該組成物の総重量の０．１〜２０重量％、好ましくは０．２〜１０重量％、より好ましくは０．５〜５重量％、及び更に好ましくは０．７５〜２．５重量％の硬化剤を含んでもよい。
架橋剤
本発明のＥＭＩ遮蔽組成物は、架橋剤を更に含んでもよい。該ＥＭＩ遮蔽組成物がシリコーン系樹脂を含む場合、架橋剤は特に好ましい。本発明における使用に適当な架橋剤は、シリコーン、水素含有シリコーン、生理食塩水カップリング剤、ケイ酸、白金触媒及びそれらの混合物を含む。
本発明における使用に適当な市販の架橋剤は、例えば、Ｍｏｍｅｎｔｉｖｅ製のＳｉｌｏｐｒｅｎ Ｕ架橋剤４３０である。
本発明のＥＭＩ遮蔽組成物は、該組成物の総重量の０．０１〜１０重量％、好ましくは０．５〜５重量％、より好ましくは１．５〜３重量％、最も好ましくは１．７５〜２．７５重量％の架橋剤を含んでもよい。
光開始剤
本発明のＥＭＩ遮蔽組成物は、更に光開始剤を含んでもよい。ＥＭＩ遮蔽組成物がシリコーン樹脂を含む場合に、光開始剤は特に好ましい。
本発明で使用される適当な光開始剤は、例えば、ヒドロキシケトン、アミノケトン、モノアクリホスフィンオキシド、ビスアクリホスフィンオキシド、アンチモン酸塩、有機過酸化物、アゾ開始剤及びそれらの混合物である。より具体的には、光開始剤は、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルホスフィンオキシドであってもよい。
本発明における使用に適当な市販の光開始剤は、例えば、ＢＡＳＦ製のＩｒｇａｃｕｒｅ８１９である。
本発明のＥＭＩ遮蔽組成物は、該組成物の総重量の０．０１〜２．５重量％、好ましくは０．１〜２重量％、より好ましくは０．２〜２重量％の光開始剤を含んでもよい。
接着促進剤
本発明のＥＭＩ遮蔽組成物は、更に接着促進剤を含んでもよい。本発明で使用される適当な接着促進剤はシランを含む。
好ましくは接着促進剤は、（３−グリシジルオキシプロピル）−トリメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、ビス［３−（トリエトキシシリル）−プロピル］−テトラスルフィド及びそれらの混合物からなる群から選択される。
本発明における使用に適当な市販の接着促進剤は、例えば、Ｄｏｗ Ｃｏｒｎｉｎｇ製のＺ６０４０及びＺ６０３０；並びにＵＣＴ Ｕｎｉｔｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ製のＴＳ４である。
本発明のＥＭＩ遮蔽組成物は、該組成物の総重量の０．０５〜２重量％、好ましくは０．１〜１重量％の接着促進剤を含んでもよい。
レオロジー調整剤
本発明のＥＭＩ遮蔽組成物は、レオロジー調整剤を更に含んでもよい。本発明で使用される適当なレオロジー調整剤は、シリカ及びヒュームドシリカを有するジメチルシリコーンポリマーのようなシリコーン及びシロキサンを含む。
本発明における使用に適当な市販のレオロジー調整剤は、例えば、Ｃａｂｏｔ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ製のＣａｂ−Ｏ−Ｓｉｌ ＴＳ−７２０である。
本発明のＥＭＩ遮蔽組成物は、該組成物の総重量の０．０１〜１０重量％、好ましくは０．５〜５重量％、より好ましくは１．５〜３重量％、最も好ましくは１．７５〜２．７５重量％のレオロジー調整剤を含んでもよい。
湿潤及び分散剤
本発明のＥＭＩ遮蔽組成物は、湿潤及び分散剤を更に含む。湿潤及び分散剤は、該組成物の粘度を低減し、フィラー分散を改善する。
本発明における使用に適当な湿潤及び分散剤は、例えば、酸性ポリエステル及び酸性コポリマーのヒドロキシ官能性アルキルアンモニウム塩である。
本発明における使用に適当な市販の湿潤及び分散剤は、例えば、Ａｌｔａｎａ製のＢＹＫ−Ｗ９８５及びＢＹＫ Ｗ−９６９である。
本発明のＥＭＩ遮蔽組成物は、該組成物の総重量の０．０１〜５重量％、好ましくは０．１〜３重量％、より好ましくは０．２〜２重量％の湿潤及び分散剤を含んでもよい。
加えて、本発明のＥＭＩ遮蔽組成物は、表面光沢促進剤、伝導性促進剤、耐ブリード剤、及び腐食防止剤のような任意の成分を更に含んでもよい。
本発明のＥＭＩ遮蔽組成物は、ペースト、液体、又はフィルムの形態であってもよい。
本発明のＥＭＩ遮蔽組成物は、１ＭＨｚ〜５ＧＨｚの広い周波数域におけるＥＭＩ遮蔽用のドロップ・イン・ソリューションとして適しており、５ＭＨｚ〜２００ＭＨｚの比較的低い周波数域で特に効果的なＥＭＩ遮蔽を提供する。
本発明のＥＭＩ遮蔽組成物は、電子デバイスにおけるＥＭＩ遮蔽材料として使用され得る。本発明のＥＭＩ遮蔽組成物は、例えば、ＳＩＰのような半導体パッケージ、ラジオ周波数デバイス、埋め込み型マルチメディアデバイス、又は現在の金属キャップ／リッドに置き換わることのできるボードレベルパッケージにおけるＥＭＩ遮蔽用に使用され得る。これらのパッケージは、例えば、モバイルデバイス、ウェアラブル、コンピューター、車、及び医療器具において使用され得る。
本発明は、パッケージの上部及び／又は内部にＥＭＩ遮蔽組成物を使用する。本発明のＥＭＩ遮蔽組成物は、例えば、スプレーコーティング、吐出、ジェット又は印刷で塗布され得る。スプレーコーティングは、エアースプレーコーティング及び静電スプレーコーティングを含む。本発明のＥＭＩ遮蔽組成物は、塗布方法によりわずかに異なる物理特性を有する。
本発明のスプレーコーティングタイプのＥＭＩ遮蔽組成物は、５ｒｐｍで１００〜３００００ｃｐｓ、好ましくは３００〜５０００ｃｐｓ、より好ましくは５００〜３２５０ｃｐｓの粘度を有し、粘度は下記の方法に従い測定される。
粘度は、Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｇａｐ Ｓｅｔｔｉｎｇ ＭｏｄｅｌでＣＰＥ−５１を備えるＢｒｏｏｋｆｉｅｌｄ ＨＢＤＶ−ＩＩＩ ＵＬＴＲＡの標準試験法を使用することで測定され、従って、粘度はＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｇａｐ Ｓｅｔｔｉｎｇ Ｍｏｄｅｌ でＣＰＥ−５１を備えるＢｒｏｏｋｆｉｅｌｄ ＨＢＤＶ−ＩＩＩ ＵＬＴＲＡを使用することで測定される。試験温度は２５°Ｃ±０．１°Ｃに設定され、一定に維持される。試験データは０．５ｒｐｍ及び５ｒｐｍで別々に測定する。
チクソトロピーインデックス（ＴＩ）値は、０．５ｒｐｍ及び５ｒｐｍでのデータの比から算出される（０．５ｒｐｍでの粘度／５ｒｐｍでの粘度）。
本発明のスプレーコーティングタイプのＥＭＩ遮蔽組成物は、１より大きく、好ましくは２〜８のチクソトロピーインデックスを有する。
本発明のスプレーコーティングタイプのＥＭＩ遮蔽組成物は、１より大きい、好ましくは２．５〜８の降伏応力を有し、降伏応力は下記の方法に従い測定される。
降伏応力は、標準試験法のＲｈｅｏｍｅｔｅｒ ＡＲ２０００を使用して測定され、従って、降伏応力は、ＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ製のＲｈｅｏｍｅｔｅｒ ＡＲ２０００を使用して測定される。Ｃａｓｓｏｎモードは、降伏応力の算出に使用される。
本発明の吐出／ジェットコーティングタイプのＥＭＩ遮蔽は、５ｒｐｍで１００〜３０００００ｃｐｓ、好ましくは１０００〜３００００ｃｐｓ、より好ましくは３０００〜１５０００ｃｐｓの粘度を有し、粘度は上記の試験方法に従って測定される。
本発明の吐出／ジェットコーティングタイプのＥＭＩ遮蔽組成物は、０より大きいが、５未満、好ましくは２．５未満のチクソトロピーインデックス（０．５ｒｐｍでの粘度／５ｒｐｍでの粘度）を有する。
本発明の吐出／ジェットコーティングタイプのＥＭＩ遮蔽組成物は、０より大きいが、３０未満の、好ましくは１０未満の降伏応力を有し、降伏応力は上記方法に従って測定される。
本発明はまた、本発明のＥＭＩ遮蔽組成物の硬化生成物も対象とする。
本発明のＥＭＩ遮蔽組成物は、完全硬化後のかなりの電気及び磁気伝導性を付与する。好ましくは硬化した本発明のＥＭＩ遮蔽組成物の体積抵抗率は、＜５Ｅ−０２Ω・ｃｍである。好ましくは硬化した本発明のＥＭＩ遮蔽組成物の比透磁率は１．１より大きい。体積抵抗率及び比透磁率の試験方法は、以下の実施例にて詳細に記載する。
本発明のＥＭＩ遮蔽組成物は、２０ｄＢ以上、好ましくは３０ｄＢ以上、より好ましくは４０ｄＢ以上の遮蔽有効度を提供し、該遮蔽有効度は以下の実験セクションに記載された試験方法に基づき測定される。
＜体積抵抗＞
図１は、用語「体積抵抗」を定義するための例示形状を示す。
Ｒ＝ρＬ／Ｓ［Ω，オーム］
ρ：２５°Ｃで長さ１ｍ及び断面積１ｍｍ２の導体の（体積）抵抗
体積抵抗：ρ＝ＲＳ／Ｌ［μΩ・ｍ，μオーム・ｍ，１０Ｅ−４オーム−ｃｍ］
Ａｇｉｌｅｎｔ ３４４０１Ａデジタルマルチメーター、Ｇｅｎ Ｒａｄ １６８９ Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ ＲＬＣ Ｄｉｇｉｂｒｉｄｇｅを測定に使用した。
特殊な４点プローブ試験治具は、４つのばね荷重接点を備えたアクリル材料から作製した。接点を、電流接点が２インチ（５．０８ｃｍ）離れているようにアクリルに設置し、電圧接点は２つの電流接点間にあり、電圧接点を０．５インチ（１．２７ｃｍ）だけ各電流接点から分離した。
＜試料調製＞
３Ｍマジックスコッチテープの２つのロールを０．１インチ（０．２５４ｃｍ）離れた治具に装填した。
０．１インチ（０．２５４ｃｍ）離れた２つの平行したスコッチテープを有する洗浄されたガラススライドを、治具の平らなバーに沿ってスライドさせた。テープにはしわ及び泡が閉じ込められていなかった。注：ガラス板をアルコール又はアセトンで洗浄し、使用前に風乾させた。
テープされたガラス板を実験紙タオルのシート上に置き（テープ側を上に向けて）、接着剤の塊を２枚のテープ片の間のガラス板上に滴下した。
ガラススライドの一端から他端まで２つのテープ片の間の接着剤を圧搾するために、別のガラス板の真っ直ぐな端（又は単一端のカミソリ刃）を使用した（ガラス板をガラス板の表面と真っ直ぐな端との間に約３０°の角度で維持した）。接着剤はしっかりと圧搾されたが、過度の力は使用されなかった。塗布された該片の長さは、少なくとも２．５インチ（６．３５ｃｍ）であった。
２つのテープ片をガラススライドから取り除き、予熱されたオーブン内で試料を所定の硬化スケジュールに従い硬化させた。
試験片をオーブン（又はホットプレート）から取り出し、室温まで冷却して測定した。
比透磁率
試料調製
加圧型（２ｍｍ×２ｍｍ×厚さ０．３ｍｍ）に若干の離型剤をスプレーした。金型に接着剤ペーストを圧入又は注入することにより、平らな円筒形試験片を調製した。所定の硬化スケジュールに従って、予熱されたオーブン内（圧力をかけて空隙をなくす）で試験片を硬化させた。注：試験片を１時間延長して硬化させる必要があるかもしれない。１時間追加すると、該型を所定の温度まで加熱するのに十分な時間が得られる。これにより該試験片が完全に硬化させるのが保証される。
試験装置：Ｑｕａｎｔｕｍ Ｄｅｓｉｇｎ製ＰＰＭＳ（物性測定システム）。試料寸法：２．５ｍｍ×２．５ｍｍ×０．３ｍｍ。インプット：磁場強度Ｈ。応答磁気トルクＭ。アウトプット：直線フィッティング後（飽和前）の勾配が透磁率である。
図２は、本発明の実施例の磁場強度Ｈに対する応答磁気トルクＭのグラフを示す。印加磁場Ｈは、１００ Ｏｅ／ｓの割合で０ Ｏｅから３００００ Ｏｅまで変化させたが、１００００ Ｏｅ後のほとんどの試料についてＭは飽和値に達した。これは直線部分が０Ｏｅ 〜１００００ Ｏｅであったことを意味する。
遮蔽有効度
本発明の組成物から厚さ３〜１５０μｍのフィルムを作製する。フィルムの厚さは用途に応じて異なるが、目的の用途における実際の厚さをシミュレートしている。
図３は、本発明の実施例の遮蔽材料の遮蔽効果を模式的に示す。遮蔽効果は、ＥＭＩ波源とＥＭＩ波検出器との間に遮蔽材料を配置することにより得られる。遮蔽有効度は、透過ＥＭ波及び入射ＥＭ波の比の対数として定義される。
遮蔽有効度は、次の式から計算される：SE (dB) = 10 x log(Ei/Et)、ここで、Ｅｉは入射エネルギーを表し、Ｅｔは透過エネルギーを表す。該式の係数は、ＥＭ波のエネルギーが測定され次いで係数２０が使用されると、比がエネルギー又は電圧であるかどうかに依存して１０又は２０であり、他方でＥＭ波を生成するために使用される電圧が測定され、係数は１０である。
以下の例は、以下の方法で調製される：
粒子以外の全ての材料を、容器に投入した。混合物を手で混合し、３本ロールミルを用いて樹脂系へ粒子をよく混合させた。磁気及び電気伝導性粒子を混合物に添加して、手で混合し、次いで、Ｔｈｉｎｋｙミキサー(回転及び回転混合物を用いて)１０００ｒｐｍで１分間、脱気しながら混合した。
Figure 2019500742
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本発明による実施例は、磁性粒子の種類及び充填が比透磁率に影響を及ぼすが、樹脂系は比透磁率にあまり影響を及ぼさないことを示している。Ｎｉ−Ｆｅ合金は、鉄及びニッケルが続く最も高い比透磁率を提供する。より高い銀粒子充填量は、電気伝導性を提供する。更に、磁気充填が高くなると、透磁率が高くなる。４以上の透磁率を達成するためには、６０〜７０％の磁性フィラーの充填量を有することが好ましい。
加えて、産業界では、典型的には伝導性接着剤（インク、ペースト、又はフィルムの形態）において、銀、銀被覆銅、ニッケル、金などの電気伝導性の金属フィラーを使用する。これらのフィラーの使用は、１Ｅ−０５Ω・ｃｍに近く非常に低い体積抵抗率を有する接着剤を提供し、接着剤を＞１ＧＨｚの高周波でのＥＭＩ遮蔽で良好に機能させ、３０ｄＢ以上のＥＭＩ遮蔽有効度を容易に得る。しかしながら、現在の接着剤アプローチの欠点は、比較的低い周波数域、特に５ＭＨｚ〜２００ＭＨｚの範囲でＥＭＩ遮蔽有効度がないことである。
以下の文章において、本発明をより詳細に説明する。このように記載された各態様は、明確に反対の指示がない限り、任意に他の態様又は複数の態様を組み合わせてもよい。特に、好ましい又は有利である任意の特徴は、好ましい又は有利であると示される任意の他の特徴又は複数の特徴と組み合わせられ得る。
０．１インチ（０．２５４ｃｍ）離れた２つの平行したスコッチテープ片を有する洗浄されたガラススライドを、治具の平らなバーに沿ってスライドさせた。テープにはしわ及び泡が閉じ込められていなかった。注：ガラス板をアルコール又はアセトンで洗浄し、使用前に風乾させた。

Claims (17)

  1. ａ）熱可塑性樹脂及び／又は熱硬化性樹脂を含有する樹脂、
    ｂ）溶媒及び／又は反応性希釈剤、並びに
    ｃ）磁性粒子と電気伝導性粒子との混合物、又は電気伝導性材料被覆磁性粒子、又は電気伝導性粒子と電気伝導性材料被覆磁性粒子との混合物を含有する粒子、
    を含み、
    組成物の総重量に基づいて≧１０重量％の磁性粒子を含む、ＥＭＩ遮蔽組成物。
  2. 前記磁性粒子は、ニッケル、鉄、コバルト、フェライト、パーマロイ、鉄−ニッケル合金、シリコン鉄（ＦｅＳｉ）、ＦｅＳｉＣｒ合金、ＦｅＳｉＡｌ合金、ＦｅＣＯ合金、銀被覆ニッケル、銀被覆鉄、銀被覆コバルト、銀被覆鉄−ニッケル合金、銀被覆パーマロイ、銀被覆フェライト、銀被覆シリコーン鉄、銀被覆ＦｅＳｉＣｒ合金、銀被覆ＦｅＳｉＡｌ合金、銀被覆ＦｅＣＯ合金、及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項１に記載のＥＭＩ遮蔽組成物。
  3. 前記電気伝導性粒子は、銀粒子、銅粒子、亜鉛粒子、スズ粒子、ビスマス粒子、アンチモン粒子、インジウム粒子、アルミニウム粒子、金粒子；グラファイト粒子、炭素粒子、銀被覆銅粒子、銀被覆ガラス粒子、銀被覆アルミニウム粒子、銀被覆スズ粒子、銀被覆ビスマス粒子、銀被覆アンチモン粒子、銀被覆インジウム粒子、銀被覆亜鉛粒子、銀被覆グラファイト、スズ、銀、ビスマス、アンチモン、亜鉛、銅及びインジウムからの２種以上の混合物からなる合金粒子；スズ、銀、ビスマス、アンチモン、亜鉛、銅及びインジウムから選択される２種以上の金属からなる合金の銀被覆粒子；並びにそれらの混合物からなる群から選択され、好ましくは該伝導性粒子は銀粒子である、請求項１又は２に記載のＥＭＩ遮蔽組成物。
  4. 前記組成物の総重量の１０〜９５重量％、好ましくは２０〜９０重量％、より好ましくは３０〜８５重量％、より好ましくは４０〜８５重量％の磁性粒子を含む、請求項１〜３のいずれかに記載のＥＭＩ遮蔽組成物。
  5. 前記組成物の総重量の５〜８５重量％、好ましくは１０〜８０重量％、より好ましくは１０〜７３重量％の電気導電性粒子を含む、請求項１〜４のいずれかに記載のＥＭＩ遮蔽組成物。
  6. 前記熱可塑性樹脂は、フェノキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリビニル樹脂、ポリビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリスチレンコポリマー樹脂、フッ素樹脂、ポリ（メタ）アクリレート樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、セルロース樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリカーボネート樹脂及びそれらの混合物からなる群から選択され、好ましくは熱可塑性樹脂は、フェノキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ（メタ）アクリレート樹脂及びそれらの混合物から選択される、請求項１〜５のいずれかに記載のＥＭＩ遮蔽組成物。
  7. 前記熱硬化性樹脂は、アリル樹脂、ビニル樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、オキセタン樹脂、イソシアネート樹脂、マレイミド樹脂、ビスマレイミド樹脂、シアネートエステル樹脂、及びシリコン含有樹脂、シアノアクリレート樹脂、ビニルエステル樹脂並びにそれらの混合物からなる群から選択され、好ましくは熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコン含有樹脂及びそれらの混合物から選択される、請求項１〜６のいずれかに記載のＥＭＩ遮蔽組成物。
  8. 前記組成物の総重量の２〜６０重量％、好ましくは４〜４５重量％、より好ましくは４〜３０重量％、最も好ましくは４〜２０重量％の樹脂を含む、請求項１〜７のいずれかに記載のＥＭＩ遮蔽組成物。
  9. 前記溶媒は、水、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコール、プロピルアセテート、ブチルアセテート、二塩基酸エステル、エチルプロキシトールエトキシプロパノール、カルビトールアセテート、２−メトキシ−１−メチルエチルアセテート、カルビトールアセテート、２−メトキシ−１−メチルエチルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、メチルイソブチルケトン、２−ブトキシエタノール、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、４−メチル−１，３−ジオキソラン−２−オン、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、フェノール、テルピネオール、γ-ブチロラクトン、メチルサクシネート及びグルタル酸メチル及びジメチルアジペートを含むエステル混合物、ブチルグリコールアセテート並びにそれらの混合物からなる群から選択される、請求項１〜８のいずれかに記載のＥＭＩ遮蔽組成物。
  10. 前記組成物の総重量の５〜７０重量％、好ましくは１５〜５０重量％、より好ましくは１５〜４５重量％の溶媒を含む、請求項１〜９のいずれかに記載のＥＭＩ遮蔽組成物。
  11. 前記反応性希釈剤は、３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、イソボルニルアクリレート、２−フェノキシエチルアクリレート；ネオデカン酸−２，３−エポキシプロピルエステル；１，４−ブタンジオールジグリシジルエーテル；ｎ−ブチルグリシジルエーテル及び２−エチルヘキシルグリシジルエーテルから選択されるＣ８−Ｃ１０アルキルグリシジルエーテル；フェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテル及びｐ−ｓ−ブチルフェニルグリシジルエーテルから選択される芳香族グリシジルエーテル、テトラグリシジルビス−（ｐ−アミノフェニル）−メタン；スチレンオキシド及びａ−ピネンオキシド；アリルグリシジルエーテル、グリシジルメタクリレート、グリシジルアクリレート及び１−ビニル−３，４−エポキシシクロヘキサンから選択される他の官能基を有するモノエポキシド化合物；（ポリ）エチレングリコールジグリシジルエーテル、（ポリ）プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ブタンジオールジグリシジルエーテル及びネオペンチルグリコールジグリシジルエーテルから選択されるジエポキシド化合物；トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル及びグリセリントリグリシジルエーテルから選択されるトリエポキシド化合物；並びにそれらの混合物からなる群から選択され、好ましくは反応性希釈剤は、３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、イソボルニルアクリレート、２−フェノキシエチルアクリレート及びそれらの混合物からなる群から選択される、請求項１〜１０のいずれかに記載のＥＭＩ遮蔽組成物。
  12. 前記組成物の総重量の３〜３０重量％、好ましくは５〜２０重量％、より好ましくは５〜１５重量％の反応性希釈剤を含む、請求項１〜１１のいずれかに記載のＥＭＩ遮蔽組成物。
  13. 無水物、アミン化合物、アミド化合物、イミダゾール化合物、多官能フェノール、カルボン酸、チオール、ポリオール、ポリアミド、過酸化物、水素シリコーン及び白金触媒並びにそれらの混合物からなる群から選択される硬化剤を含む、請求項１〜１２のいずれかに記載のＥＭＩ遮蔽組成物。
  14. 前記組成物の総重量の０．１〜１０重量％、好ましくは０．５〜５重量％、より好ましくは０．７５〜２．５重量％の硬化剤を含む、請求項１〜１３のいずれかに記載のＥＭＩ遮蔽組成物。
  15. 請求項１〜１４のいずれかに記載のＥＭＩ遮蔽組成物の硬化生成物。
  16. ５Ｅ−０２オーム・ｃｍ未満の体積抵抗を有し、１．１より大きい比透磁率を有する、請求項１５に記載の硬化生成物。
  17. 電子デバイスにおけるＥＭＩ遮蔽材料としての請求項１〜１４のいずれかに記載のＥＭＩ遮蔽組成物の使用。
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