JP2012227406A

JP2012227406A - ペースト組成物、磁性体組成物およびインダクタ

Info

Publication number: JP2012227406A
Application number: JP2011094708A
Authority: JP
Inventors: Shoichi Niizeki; 彰一新関; Satoshi Matsuba; 聡松葉; Toshinaka Nonaka; 敏央野中
Original assignee: Toray Industries Inc
Current assignee: Toray Industries Inc
Priority date: 2011-04-21
Filing date: 2011-04-21
Publication date: 2012-11-15

Abstract

【課題】高透磁率、低磁気損失の特性と、リフロー耐性を備えた磁性体組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）二次粒子の数平均粒径が３００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である磁性粒子、（Ｂ）重量平均分子量２０万以上の樹脂を含有することを特徴とするペースト組成物。
【選択図】なし

Description

本発明は、パソコン、自動車、携帯電話や携帯情報端末、フラットパネルディスプレイ、ゲーム機器、高度道路情報システム、無線ＬＡＮなどの高周波機器用の電子部品に備えることで、部品を小型化、低損失化することができる磁性材料に関する。

近年、高速インターネット利用を始めとして、パソコン、自動車、携帯電話や携帯情報端末、フラットパネルディスプレイ、高度道路情報システム、無線ＬＡＮなどのワイヤレス機器等、ＧＨｚ帯の高周波を利用した情報通信機器が普及してきている。これらの情報通信機器の高機能化、高速化に伴い、部品の小型化と信号の損失低減が強く求められるようになってきている。

部品の小型化と信号の損失低減を行うためには、高透磁率で低ｔａｎδの材料が必要になると考えられている。一般に、高透磁率を得るために金属磁性粒子を有機樹脂に分散させた磁性体組成物が用いられるが、高周波磁場中では塗膜の渦電流のために損失が生じ、ｔａｎδが高くなるという問題があった。

膜全体の電気抵抗を高めることで塗膜の渦電流を抑制することを目的として、粒子表面を有機樹脂や無機塩、無機酸化物等で被覆する技術が提案されている（例えば、特許文献１〜３参照）。また、ｔａｎδをさらに小さくするために、単一粒子内を流れる渦電流も抑制することを目的としてサブミクロンメートルからナノメートルオーダーの磁性粒子を用いた磁性体組成物の開発もなされており、１ＧＨｚでのｔａｎδが０．１を下回るような材料も得られるようになってきている（例えば、特許文献４参照）。

特開２０１０−８７３６６号公報特開平１１−２６０６１９号公報特開２００３−２９７６３４号公報特開２００８−１８１９０５号公報

しかし、従来の磁性体組成物の作製に用いられるマトリックス樹脂は、電子部品実装時のリフロー工程で軟化し、変形するなど耐熱性に問題があった。本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、低磁気損失の特性と、リフロー耐性を備えた磁性体組成物を提供することを目的とする。

本発明は、（Ａ）平均二次粒径が３００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である磁性粒子、（Ｂ）重量平均分子量２０万以上の樹脂を含有することを特徴とするペースト組成物である。

分散性の高いペースト組成物を得ることができ、粒子同士の電気的接触による渦電流を抑制してｔａｎδの小さい材料を得ることができる。また、電子部品実装時のリフロー工程にも耐えられる、耐熱性の高い硬化物を得ることができる。さらに、塗液の垂れ広がりがおきにくく厚膜作製に適した高粘度ペースト組成物を得ることができる。

本発明のペースト組成物について説明する。本発明のペースト組成物は、（Ａ）平均二次粒径が３００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である磁性粒子、および（Ｂ）重量平均分子量２０万以上の樹脂を含有する。

磁性粒子（Ａ）は、軟磁性金属やフェライトなどが挙げられる。軟磁性金属は電気抵抗が小さく、高周波帯域では渦電流の発生により急激に透磁率が低下するといった特徴がある。また、フェライトは軟磁性金属に比べ電気抵抗は高いものの、材料本来の透磁率が低いといった特徴がある。本発明においては、Ｆｅ（カルボニル鉄）、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｓｉ合金、Ｆｅ−Ａｌ合金、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ合金、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ合金、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金などのＦｅ合金類、Ｆｅ基アモルファス、Ｃｏ基アモルファスなどのアモルファス合金、Ｍｇ−Ｚｎフェライト、Ｍｎ−Ｚｎフェライト、Ｍｎ−Ｍｇフェライト、Ｃｕ−Ｚｎフェライト、Ｍｇ−Ｍｎ−Ｓｒフェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト、Ｂａフェライトなどのフェライトを用いることが好ましい。これらの粒子を単独で、または複数種を混合して用いることができる。

磁性粒子の作製方法としては、固相反応法、水熱合成法、超臨界水熱合成法、ゾルゲル法、しゅう酸塩法、乾式法、湿式法、共沈法および噴霧熱分解法など公知の方法が挙げられる。得られた磁性体無機粒子は、ハンマーミル、ロールミル、ボールミル、遊星式ボールミル等によって粉砕され、目的の粒径を有する磁性体無機粒子が得られる。これらの形状を単独で、または複数種を混合して用いることができる。

本発明に用いられる磁性粒子は、平均一次粒径が５００ｎｍ以下であることが好ましい。ここで、平均一次粒径とは一次粒子の平均粒径を指す。また、一次粒子とは凝集が完全にほぐれた状態にある粒子である。磁性粒子の平均一次粒径が５００ｎｍ以下であると、ペースト組成物および磁性体組成物の各形態においての膜の平坦性が良好となり、膜厚のばらつきを小さくすることができる。具体的には、平均一次粒径が２５０ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは１００ｎｍ以下である。一方、磁性粒子同士の凝集が抑制され、磁性体組成物とした時の膜のクラックを抑制できる点から、平均一次粒径は１０ｎｍ以上であることが好ましく、５０ｎｍ以上であることがより好ましい。

また、本発明に用いられる磁性粒子は、平均二次粒径が３００ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下である。ここで、平均二次粒径とは一次粒子および二次粒子を合わせたものの平均粒径を指す。また、二次粒子とは複数個の一次粒子が凝集した状態にある粒子である。平均二次粒径を３００ｎｍ以上とすることで二次粒子が安定に存在でき、再凝集が起こりにくくなる。より好ましくは４００ｎｍ以上、さらに好ましくは５００ｎｍ以上である。一方、１０００ｎｍ以下とすることで、得られる磁性体組成物のクラックが抑制され、基板への密着性が向上する。さらに、磁性体組成物の強度が向上することから、９００ｎｍ以下とすることが好ましく、８００ｎｍ以下とすることがより好ましい。

ここで、本発明における磁性粒子の平均粒径とは、平均一次粒径、平均二次粒径のいずれも数平均粒径である。ペースト組成物中の磁性粒子の平均粒径を測定する方法は以下の通りである。ペースト組成物を任意の基板上に塗布し、後述の方法で磁性体組成物としてから、これをＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）やＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）により少なくとも１００個の粒子が観測できる程度の倍率で観察したときの視野における粒子を観察し、無作為に選んだ１００個の粒子を球形近似し、その粒径の数平均を計算して求めることができる。なお、平均一次粒径を求める場合は１００個の一次粒子について数平均を計算する。平均二次粒径を求める場合は一次粒子と二次粒子を合わせて１００個無作為に選び、その数平均を計算する。

本発明のペースト組成物のうち、揮発成分を除く固形成分に対して磁性粒子（Ａ）が占める割合が５０重量％以上９５重量％以下であることが望ましい。固形成分に対する磁性粒子（Ａ）の含有量が５０重量％以上であると、得られる磁性体組成物の透磁率を大きくすることができる。また、低線膨張率や高弾性率を実現できる。固形成分に対する磁性粒子（Ａ）の含有量が９５重量％以下であると、絶縁性が高く、基板への密着性が十分に高い材料とすることができる。固形成分に対する磁性粒子の含有量は、より好ましくは８０重量％以上９３重量％以下である。

樹脂（Ｂ）の重量平均分子量は２０万以上である。重量平均分子量を２０万以上とすることで、耐熱性の高い磁性体組成物を作製することができる。さらに、ペースト組成物の粘度が上がり、磁性体組成物の厚膜化が可能となる。下限はより好ましくは３５万以上、さらに好ましくは５０万以上であり、上限は好ましくは２００万以下、より好ましくは１５０万以下、より好ましくは１２０万以下、さらに好ましくは８０万以下である。この範囲の樹脂を用いることで硬化物中における粒子の分散性が高くなり、膜厚ムラの小さい磁性体組成物を作製することができる。

なお、本発明における重量平均分子量とは、ＧＰＣ測定により求められるポリスチレン換算値である。例えば以下のように測定することができる。樹脂をＮＭＰに溶解させ固形分濃度を０．１重量％にした液をＧＰＣ装置Ｗａｔｅｒｓ２６９０（Ｗａｔｅｒｓ（株）製）で測定してポリスチレン換算で重量平均分子量を算出する。ＧＰＣ測定条件は、移動層をＬｉＣｌとリン酸をそれぞれ濃度０．０５ｍｏｌ／Ｌで溶解したＮＭＰとし、展開速度を０．４ｍｌ／分とする。

樹脂（Ｂ）としては、溶媒に可溶なものであれば特に限定されず、目的に応じて適宜選択することができる。例えばポリアクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド酸、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエーテル樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。樹脂（Ｂ）は重合性官能基を有することが好ましい。加熱により架橋することができるからである。重合性官能基としては付加重合性基、縮合重合性基のいずれでもよいが、付加重合性基であることが好ましい。付加重合性基の具体例は、アクリル基、メタクリル基、エポキシ基等が挙げられるがこれらに限られない。特に、エポキシ基を含有することで耐熱性を有する磁性体組成物を得ることができるので好ましい。エポキシ基含有樹脂として例えば、ＫＨ−ＬＴ（日立化成工業（株）製）、ＫＨ−８００４（日立化成工業（株）製）、Ｇ−２０５０Ｍ（日油（株）製）、ＳＧ−Ｐ３（ナガセケムテックス（株）製）等が挙げられる。

ペースト組成物中の樹脂（Ｂ）の含有量としては、１重量％以上２０重量％以下が好ましい。１重量％以上とすることで、ペースト組成物の厚膜化が可能となる。また、２０重量％以下とすることで、膜厚ムラをなくすことができる。

粒子のペースト組成物中における分散性を向上させるために、分散剤を適宜用いることができる。分散剤としては、ポリマー系分散剤、モノマー系分散剤が挙げられる。ポリマー系分散剤として、酸価を主に有するＢＹＫ−１０２、ＢＹＫ−１１０、ＢＹＫ−１１１、ＢＹＫ−Ｐ１０４、ＢＹＫ−Ｐ１０４Ｓ、ＢＹＫ−Ｐ１０５、ＢＹＫ−２２０Ｓ（ビックケミージャパン（株）製）、ＡＷＳ−０８５１（日油（株）製）や、アミン価と酸価を同等に有するＢＹＫ−１０６、ＢＹＫ−１４０、ＢＹＫ−１４２、ＢＹＫ−１４５、ＢＹＫ−１８０（ビックケミージャパン（株）製）、アミン価を主に有するＢＹＫ−１０８、ＢＹＫ−１０９、ＢＹＫ−１３０（ビックケミージャパン（株）製）等を好適に用いることができる。これら分散剤は単独で、または複数種で組み合わせて用いることができる。モノマー系分散剤として、ニッサンカチオン、ノニオン、ナイミーン、オレオイル（いずれも商品名、日油（株）製）等が挙げられる。これらの分散剤を用いることで、小さな粒径の粒子を分散安定化することができ、平均二次粒径が小さく膜の平滑性が高いペースト組成物を作製することができる。

磁性粒子（Ａ）１００重量部に対する分散剤の含有量は、０．１重量部以上２０重量部以下であることが好ましい。磁性粒子（Ａ）１００重量部に対して分散剤の量を０．１重量部以上とすることで良好な分散性を得ることができるので低ｔａｎδ材料とすることができ、２０重量部以下とすることで、磁性体組成物中の磁性粒子の充填率を向上させ、透磁率を高くすることができる。好ましくは３重量部以上、１５重量部以下である。

本発明のペースト組成物には、硬化物の強度、耐熱性などを高めるために反応性の物質を含有させることができる。例えば重量平均分子量２０万未満のエポキシ樹脂や、エポキシ樹脂の硬化剤として用いられるフェノール化合物、アミン化合物、各種イミダゾール、酸無水物等が挙げられる。

重量平均分子量２０万未満のエポキシ樹脂としては、例えばエピコート８２８、エピコート１００２、エピコート１７５０、エピコート１５２、エピコート６３０、エピコート６０４、エピコート１００２、エピコート１００１、ＹＸ４０００Ｈ、エピコート４００４Ｐ、エピコート５０５０、エピコート１５４、エピコート１５７Ｓ７０、エピコート１８０Ｓ７０（以上商品名、三菱化学（株）製）、エピクロンＨＰ−４０３２（以上商品名、大日本インキ化学工業（株）製）、テピックＳ、テピックＧ、テピックＰ（以上商品名、日産化学工業（株）製）、エポトートＹＨ−４３４Ｌ（商品名、東都化成（株）製）、ＥＰＰＮ５０２Ｈ、ＮＣ３０００（以上商品名、日本化薬（株）製）、エピクロンＮ９６５、エピクロンＨＰ−７２００（以上商品名、大日本インキ化学工業（株）製）などが挙げられる。これらのエポキシ樹脂を単独で、または複数種で組み合わせて用いることができる。

フェノール化合物としては、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルケトン、フェノールノボラック、ビスフェノールＡノボラック、ｏ‐クレゾールノボラック、１，２‐ジヒドロキシナフタレン、１，３‐ジヒドロキシナフタレン、１，４‐ジヒドロキシナフタレン、アリル化ビスフェノールＡ等が挙げられる。

アミン化合物としては例えば、１−アミノエタノール、３−モルホリノプロピルアミン、１，４−ジアミノベンゼン、１，３−ジアミノベンゼン、２，４−ジアミノトルエン、ビス（４−アミノフェニル）エ−テル、ビス（３−アミノフェニル）エ−テル、ビス（４−アミノフェニル）スルホン、ビス（３−アミノフェニル）スルホン、ビス（４−アミノフェニル）メタン、ビス（３−アミノフェニル）メタン、ビス（４−アミノフェニル）スルフィド、ビス（３−アミノフェニル）スルフィド、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）プロパン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェニル）ベンゼンなどが挙げられる。

各種イミダゾールとしては、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイトなどが挙げられる。

酸無水物としては、ヘキサハイドロフタル酸無水物、メチルテトラハイドロフタル酸無水物、アデカハードナーＥＨ−３３２６、アデカハードナーＥＨ−７０３、アデカハードナーＥＨ−７０５Ａ（以上商品名、旭電化工業（株）製）、エピクロンＢ−５７０、エピクロンＢ−６５０（以上商品名、大日本インキ化学（株）製）などが挙げられる。

粒子の樹脂に対する濡れ性を高めるために、カップリング剤、界面活性剤などによる表面処理を行っても良い。カップリング剤としては、例えばシランカップリング剤、チタネートカップリング剤、アルミネートカップリング剤等を用いることができる。界面活性剤としてはポリマー系、モノマー系のいずれでも用いることができ、アニオン系、カチオン系、ノニオン系等から粒子の表面状態に合わせて選択することができる。これらは単独で、または複数種を組み合わせて用いることができる。

表面処理は上記カップリング剤、界面活性剤を用いて予め磁性粒子に対して実施しておいてもよいし、ペースト作製時にカップリング剤、界面活性剤を添加することで実施してもよい。

本発明のペースト組成物は有機溶媒を含有する。有機溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、γ−ブチロラクトン（γ−ＢＬ）、ジメチルイミダゾリジノン、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、乳酸エチル（ＥＬ）、１−エトキシ−２−プロパノール、エチレングリコール−ｎ−プロピルエーテル、ジアセトンアルコール（ＤＡＡ）、テトラヒドロフルフリルアルコール（ＴＨＦＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、エチレングリコールモノメチルエーテル（ＥＧＭＥ）などが挙げられる。

次に、本発明のペースト組成物の作製方法について詳細に説明するが、ここで示す方法は一例であり、これに限定されない。このペースト組成物は、磁性粒子（Ａ）の分散液と、樹脂（Ｂ）を含有するワニスとを混合して作製することができる。

磁性粒子（Ａ）の分散液は、磁性粒子、溶媒および必要に応じ分散剤やカップリング剤の混合物を超音波にかけたり、分散メディアと共に攪拌したりする等の方法で得る。

分散メディアの素材として、ステンレス、鉄、銅、クロム、ニッケル、チタニア、窒化ケイ素、炭化ケイ素、アルミナ、ジルコニア、ケイ酸ジルコニウム、チタン酸バリウム、ケイ酸ガラス、石英等が挙げられる。ビーズの粒径は、磁性粒子の一次粒径の５００〜１００００倍が好ましい。ビーズの粒径を磁性粒子の一次粒径の５００倍以上とすることで、ビーズの運動量が十分大きく、高い分散力を得ることができ、１００００倍以下とすることで、粒子との衝突頻度を十分高くすることができる。

ビーズを用いた分散方法としては、ボールミル、ホモジナイザ、ビーズミルなどを用いる方法が挙げられる。分散は小さいビーズで一度の処理で実施してもよく、段階的にビーズの大きさを変えて実施しても良い。

ワニスは、容器の中に樹脂（Ｂ）、溶媒、および必要に応じてエポキシ樹脂、硬化剤、分散剤等の各種化合物を入れ、ボールミル、ハイブリッドミキサー、スターラー等を用いて撹拌することで作製できる。

磁性粒子分散液とワニスを混合する際は、ビーズが入ったまま分散液とワニスを混合し、その後ビーズを除去するようにしてもよいし、予め分散液のビーズを除去してからワニスと混合してもよい。混合にはボールミル、ビーズミル、ホモジナイザ、ハイブリッドミキサー等を用いることができる。分散液またはペーストからのビーズの除去は、メッシュフィルタ等を用いて濾過することで実施できる。濾過の時間を短縮するために加圧濾過、吸引濾過等を行ってもよい。

次に、得られたペースト組成物を用いて磁性体組成物を作製する方法を説明する。本発明の磁性体組成物の形態は特に限定はされず、膜状、球状、棒状など用途に合わせて選択することができるが、特に膜状であることが好ましい。ここでいう膜状とは、フィルム、シート、板、ペレットなども含まれる。

ペースト組成物を塗布する被着体は、例えば、シリコンウエハー、ガラス類、セラミックス類、ガリウムヒ素、有機系回路基板、無機系回路基板、フィルム、およびこれらの基板に回路の構成材料が配置されたものから選択できるが、これらに限定されない。有機系回路基板の例としては、ガラス布・エポキシ銅張積層板などのガラス基材銅張積層板、ガラス不織布・エポキシ銅張積層板などのコンポジット銅張積層板、ポリエーテルイミド樹脂基板、ポリエーテルケトン樹脂基板、ポリイミド樹脂基板、ポリサルフォン系樹脂基板などの耐熱・熱可塑性基板、ポリエステル銅張フィルム基板、ポリイミド銅張フィルム基板などのフレキシブル基板が挙げられる。

また、無機系回路基板の例は、アルミナ基板、窒化アルミニウム基板、炭化ケイ素基板などのセラミック基板、アルミニウムベース基板、鉄ベース基板などの金属系基板が挙げられる。回路の構成材料の例は、銀、金、銅などの金属を含有する導体、無機系酸化物などを含有する抵抗体、ガラス系材料および／または樹脂などを含有する低誘電体、樹脂や高誘電率無機粒子などを含有する高誘電体、ガラス系材料などを含有する絶縁体などが挙げられる。

ペースト組成物を被着体に塗布する方法としてはスピナーを用いた回転塗布、スプレー塗布、ロールコーティング、スクリーン印刷、ブレードコーター、ダイコーター、カレンダーコーター、メニスカスコーター、バーコーターなどの方法がある。また、塗布膜厚は、塗布手法、組成物の固形分濃度、粘度などによって異なるが、通常、乾燥後の膜厚が、０．１μｍから１５０μｍになるように塗布する。

次に基板上に塗布したペースト組成物膜から有機溶媒を除去する。有機溶媒を除去する方法としては、オーブン、ホットプレート、赤外線などによる加熱乾燥（プリベーク）や真空乾燥などが挙げられる。加熱乾燥は５０℃から１８０℃の範囲で１分から数時間行うのが好ましい。

次に、本発明のペースト組成物を用いてシートを作製する方法を説明する。ここでいうシートとはいわゆるＢステージシートのことである。フィルムにバーコーター等を用いてペースト組成物を塗布し、加熱・乾燥させることでシートを得ることができる。こうして得られたシートは熱をかけて軟化させることができ、回路基板、電子部品に転写して用いることができる。基材となるフィルムとしては例えば、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム等のフッ素樹脂フィルム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム等が挙げられるが、これらに限られない。また、剥離性基材はシリコーン系、長鎖アルキル系、フッ素系、脂肪族アミド系等の離型剤により離型処理が施されていてもよい。また、シートの別の面にカバーフィルムを付与することで、異物の付着を防ぐとともに作業時のべたつきを抑制することができる。
本発明のシートの使用方法を説明する。シートがカバーフィルムを有する場合にはこれを剥離し、シートと基板を対向させて熱圧着により貼り合わせる。熱圧着は、熱プレス処理、熱ラミネート処理、熱真空ラミネート処理等によって行うことができる。貼り付け温度は、基板への密着性、埋め込み性の点から４０℃以上が好ましい。また、貼り付け時に温度が高くなると接着剤シートが硬化する時間が早くなり、作業性が低下するため貼り付け温度は２５０℃以下が好ましい。シートが支持体を有する場合、支持体は貼り合わせ前に剥離してもよいし、熱圧着工程のいずれかの時点または熱圧着後に剥離してもよい。

用いたペースト組成物中またはシート中の樹脂の硬化機構に応じて、加熱処理や光照射などにより樹脂の硬化反応を進行させて磁性体組成物を得ることができる。この場合、光照射後に加熱処理をするなど硬化を完全に進めるために複数の処理を組み合わせてもよい。加熱処理温度は１２０℃から４００℃の範囲内で、一定温度あるいは段階的に昇温し、処理時間は５分から５時間の範囲で実施することができる。

次に、本発明のペースト組成物またはシートの用途として、磁性体組成物を有するインダクタについて説明する。なお近年は様々なインダクタが提案されており、本発明のペースト組成物またはシートの用途は以下に限定されるものではない。

本発明の磁性体組成物の用途は、例えば、高透磁率を有するインダクタ用コアへの適用が好ましい。また、本発明でいうインダクタは、半導体素子、ＩＣチップ、および回路基板に形成されたものであることが好ましい。

本発明の磁性体組成物を有するインダクタの製造方法の例は以下の通りである。ＩＣチップの電子回路が形成されていない面に渦巻き状の巻き線が平面内にスパイラルインダクタを形成する。スパイラルインダクタの製造方法は、公知の製造技術を用いて製造することができ、例えば電解メッキ法を用いて製造することができる。次に、そのスパイラルインダクタ上に本発明のペースト組成物を塗布し、乾燥する。あるいはスパイラルインダクタ上に本発明のシートを熱圧着する。その後、加熱処理することによって、本発明の磁性体組成物がコアとして用いられたインダクタが得られる。また、別の製造方法としては、例えば、フェライト粉末をポリイミド樹脂等でペースト状にして薄い中空を持つ膜を多数作り、それらの膜に導電パターンを印刷して、重ねて焼成してできたインダクタの中空部に、上記で作製したペースト組成物を塗布し、硬化させる。その結果、本発明の磁性体組成物がコアとして用いられたインダクタが得られる。

以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれらによって限定されるものではない。なお、実施例中のペースト組成物の厚膜成形性は、１回の塗布で５０μｍ以上の厚さを塗れたものを○と評価した。ヒビ割れの評価は、５ｃｍ四方のガラス基板に塗布した塗膜に、光が通過するヒビが目視で確認できなければ○とした。

（磁性体組成物の耐熱性評価方法）
各実施例および比較例で作製した磁性体組成物を２６０℃のリフロー炉中で３０秒間保持し、磁性体組成物のふくれや変形がなければ○とした。

（磁性体組成物の透磁率測定）
各実施例および比較例で作製した磁性体組成物の、透磁率測定サンプルとして切り出す部分の膜厚を段差計（Ａｍｂｉｏｓ社製、ＸＰ−１）で測定した。その磁性体組成物を４ｍｍ角に切り出した後、そのサンプルを高周波薄膜透磁率測定装置（（株）東栄科学産業製）に入れて、透磁率測定を行った。測定は、その薄膜試料をコイル中に配置し、コイル近傍のストリップ線路からコイルに磁束が鎖交するように１０Ｍ〜２ＧＨｚまでの交流磁界をかけ、ネットワークアナライザーでＳパラメータの伝達係数Ｓ２１を測定し、試料をコイル中に配置しない場合と比べてＳ２１がどの程度変化するかによって透磁率を求めた。なお、各実施例における透磁率は１ＧＨｚでの値を代表して示した。また、透磁率の補正には、測定で得られた伝達係数Ｓ１１、Ｓ２２等を用いた。透磁率は、μ＝μ’＋ｉμ”（μ’：実部、μ”：虚部）で表され、各実施例における透磁率はμ’の値を、また、ｔａｎδは、μ”／ μ’の値を記載した。

（ペースト組成物中の磁性粒子の数平均粒径の測定方法）
ペースト中の粒径測定は以下のように行った。カーボンを蒸着したコロジオン膜上に、ペースト組成物を滴下し、有機溶媒を乾燥除去後、透過型電子顕微鏡（日立製作所（株）製、Ｈ−１００ＦＡ）にて磁性粒子を観察した。観察倍率は、磁性粒子の粒径に応じて選択する。観察後はデジタル画像としてコンピュータに取り込み、画像処理ソフト（（株）フローベル製、ＦｌｖＦｓ）にて、観察された任意の１００個の粒子に対し球形近似したときの粒径を求め、数平均粒径を算出した。なお、一次粒子も一つの粒子とみなして粒径を測定した。

（磁性体組成物の膜厚の測定方法）
磁性体組成物の膜厚の測定は以下のように行った。接触式段差計（Ａｍｂｉｏｓ社製、ＸＰ−１）を用いて測定を行った。膜厚の測定は３箇所の位置にて、膜を金属片などで削って除去し、生じた段差の高さを測定し、その平均値を膜厚とした。

（磁性体組成物の膜厚ムラの測定方法）
磁性体組成物の膜厚ムラの測定は以下のように行った。接触式段差計（Ａｍｂｉｏｓ社製、ＸＰ−１）を用いて２ｍｍの距離を掃引し、測定点数を２０００点として各点での膜厚を測定した。この２０００点のデータの標準偏差σを膜厚の平均値ｄ（前記２０００点のデータによる平均値）で割った値（σ／ｄ）を膜厚ムラとした。この値が小さいほど膜厚ムラが小さい。
（磁性体組成物の密着性の測定方法）
磁性体組成物の密着性の測定は以下のように行った。磁性体組成物の膜を４ｍｍ四方の２５区画に区切った。ここにセロハンテープ（ニチバン（株）製、ＣＴ２４）を貼り付け、消しゴムで膜に密着させてから剥離した。各区画の顕微鏡写真を１０×１０マスに分割し、マスの辺に磁性体組成物が残っていない場所は剥離が起こったと判断して数を数えた。１００マスのうちの１／４以上が剥離した区画の数を数えて剥離数とした。この数値が小さいほど密着性が高い。

用いた樹脂（Ｂ）とワニスの作製法を以下に示す。

（樹脂１）
重量平均分子量１３６万のエポキシ基含有アクリル樹脂（日立化成工業（株）製、ＫＨ−ＬＣ）を樹脂１とした。

（ワニス１）
プラスチック容器に樹脂１を９重量部、エピコート６３０（三菱化学（株）製）を４重量部、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン（東京化成工業（株）製）を５重量部、溶媒としてＮＭＰを５１．２重量部入れ、ボールミルで７２時間撹拌し、ワニス１を作製した。

（樹脂２）
重量平均分子量７６万のエポキシ基含有アクリル樹脂（日立化成工業（株）製、ＫＨ−８００４）を樹脂２とした。

（ワニス２）
プラスチック容器に樹脂２を９重量部、エピコート６３０（三菱化学（株）製）を４重量部、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン（東京化成工業（株）製）を５重量部、溶媒としてＮＭＰを５１．２重量部入れ、ボールミルで７２時間撹拌し、ワニス２を作製した。

（樹脂３）
重量平均分子量２５万のエポキシ基含有アクリル樹脂（日油（株）製、マープルーフＧ−２０５０Ｍ）を樹脂３とした。

（ワニス３）
プラスチック容器に樹脂３を９重量部、エピコート６３０（三菱化学（株）製）を４重量部、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン（東京化成工業（株）製）を５重量部、溶媒としてＮＭＰを５１．２重量部入れ、ボールミルで７２時間撹拌し、ワニス３を作製した。

（樹脂４）
重量平均分子量１０万のエポキシ基含有アクリル樹脂（日油（株）製、マープルーフＧ−１０１０Ｓ）を樹脂４とした。

（ワニス４）
プラスチック容器に樹脂４を９重量部、エピコート６３０（三菱化学（株）製）を４重量部、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン（東京化成工業（株）製）を５重量部、溶媒としてＮＭＰを５１．２重量部入れ、ボールミルで７２時間撹拌し、ワニス４を作製した。

（樹脂５）
重量平均分子量５．９万のフェノキシ樹脂（三菱化学（株）製、ｊＥＲ４２５０）を樹脂５とした。

（ワニス５）
プラスチック容器に樹脂５を９重量部、エピコート６３０（三菱化学（株）製）を４重量部、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン（東京化成工業（株）製）を５重量部、溶媒としてＮＭＰを５１．２重量部入れ、ボールミルで７２時間撹拌し、ワニス５を作製した。

（磁性粒子１）
ＢＡＳＦジャパン（株）製の平均一次粒径１．２μｍの鉄粒子を磁性粒子１とした。

（磁性粒子２）
東邦チタニウム（株）製のニッケル粒子（平均一次粒径３００ｎｍ）を磁性粒子２とした。

（磁性粒子３）
戸田工業（株）製の平均一次粒径７０ｎｍの鉄粒子を磁性粒子３とした。

（磁性粒子４）
ＤＯＷＡエレクトロニクス（株）製の針状鉄粒子（長径４０ｎｍ、アスペクト比２．８。平均一次粒径は１４ｎｍ）を磁性粒子４とした。

実施例１
ステンレスカップに磁性粒子３を１５重量部、ＢＹＫ−１１１を１．７５重量部、溶媒としてＴＨＦＡを３３．２５重量部、０．０５φジルコニアビーズを３００重量部入れ、ホモジナイザを用いて６０００ｒｐｍの回転数で３時間撹拌し、磁性粒子を３０重量％含む分散液を作製した。

プラスチック容器に得られた分散液を５重量部、ワニス１を１重量部入れ、ハイブリッドミキサーで撹拌（撹拌は１８００ｒｐｍで３分間、脱泡は８００ｒｐｍで２分間）し、ペースト組成物を作製した。

作製したペースト組成物において磁性粒子の平均二次粒径は３５０ｎｍであった。作製したペースト組成物をガラス板に１ｍｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分間乾燥させ、１５０℃で１時間硬化させた。得られた磁性体組成物にひび割れは生じず、評価は○とした。膜厚は８１μｍであったので厚膜化の評価は○とした。透磁率を測定したところ、１ＧＨｚでμ’＝１．７５、ｔａｎδ＝０．０６２となった。耐熱性評価は○であった。膜厚ムラは０．０１０９であり、密着性試験での剥離数は０であった。

実施例２
ステンレスカップに磁性粒子３を１５重量部、ＢＹＫ−１１１を１．７５重量部、溶媒としてＴＨＦＡを３３．２５重量部、０．１φジルコニアビーズを２００重量部入れ、ホモジナイザを用いて６０００ｒｐｍの回転数で４時間撹拌し、磁性粒子を３０重量％含む分散液を作製した。

プラスチック容器に得られた分散液を５重量部、ワニス１を０．４５８重量部入れ、ハイブリッドミキサーで撹拌（撹拌は１８００ｒｐｍで３分間、脱泡は８００ｒｐｍで２分間）し、ペースト組成物を作製した。

作製したペースト組成物において磁性粒子の平均二次粒径は５３１ｎｍであった。作製したペースト組成物をガラス板に１ｍｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分間乾燥させ、１５０℃で１時間硬化させた。得られた磁性体組成物にひび割れは生じず、評価は○とした。膜厚は８５μｍであったので厚膜化の評価は○とした。透磁率を測定したところ、１ＧＨｚでμ’＝１．９２、ｔａｎδ＝０．０３８となった。耐熱性評価は○であった。膜厚ムラは０．０１８５であり、密着性試験での剥離数は０であった。

実施例３
プラスチックボトルに磁性粒子３を９重量部、ＢＹＫ−１１１を１．０５重量部、溶媒としてＴＨＦＡを１９．９５重量部入れ、超音波分散機を用いて９０分間分散し、磁性粒子を３０重量％含む分散液を作製した。

作製したペースト組成物において磁性粒子の平均二次粒径は６２０ｎｍであった。作製したペースト組成物をガラス板に１ｍｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分間乾燥させ、１５０℃で１時間硬化させた。得られた磁性体組成物にひび割れは生じず、評価は○とした。膜厚は６３μｍであったので厚膜化の評価は○とした。透磁率を測定したところ、１ＧＨｚでμ’＝１．８０、ｔａｎδ＝０．０４３となった。耐熱性評価は○であった。膜厚ムラは０．０２１９であり、密着性試験での剥離数は１であった。

実施例４
プラスチックボトルに磁性粒子３を９重量部、ＢＹＫ−１１１を１．０５重量部、溶媒としてＴＨＦＡを１９．９５重量部、５φジルコニアビーズを５０重量部入れてボールミルで１５時間撹拌した。その後ビーズを０．１φジルコニアビーズ５０重量部に交換してボールミルで５時間撹拌を行い、磁性粒子を３０重量％含む分散液を作製した。

作製したペースト組成物において磁性粒子の平均二次粒径は８０９ｎｍであった。作製したペースト組成物をガラス板に１ｍｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分間乾燥させ、１５０℃で１時間硬化させた。得られた磁性体組成物にひび割れは生じず、評価は○とした。膜厚は６５μｍであったので厚膜化の評価は○とした。透磁率を測定したところ、１ＧＨｚでμ’＝１．６５、ｔａｎδ＝０．０２８となった。耐熱性評価は○であった。膜厚ムラは０．０４３２であり、密着性試験での剥離数は３であった。

実施例５
プラスチックボトルに磁性粒子３を９重量部、ＢＹＫ−１１１を１．０５重量部、溶媒としてＴＨＦＡを１９．９５重量部、５φジルコニアビーズを５０重量部入れてボールミルで９０時間撹拌し、磁性粒子を３０重量％含む分散液を作製した。

作製したペースト組成物において磁性粒子の平均二次粒径は９５３ｎｍであった。作製したペースト組成物をガラス板に１ｍｍの厚さに塗布し、１００℃の熱風オーブン中で１０分間乾燥させ、１５０℃の熱風オーブン中で１時間硬化させた。得られた磁性体組成物にひび割れは生じず、評価は○とした。膜厚は６８μｍであったので厚膜成型性の評価は○とした。透磁率を測定したところ、１ＧＨｚでμ’＝１．７０、ｔａｎδ＝０．０２８となった。耐熱性評価は○であった。膜厚ムラは０．０５５４であり、密着性試験での剥離数は５であった。

実施例６
ワニス１の代わりにワニス２を用いたことを除けば、実施例１と同じ操作でペースト組成物を作製した。

作製したペースト組成物において磁性粒子の平均二次粒径は３１０ｎｍであった。作製したペースト組成物をガラス板に１ｍｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分間乾燥させ、１５０℃で１時間硬化させた。得られた磁性体組成物にひび割れは生じず、評価は○とした。膜厚は７５μｍであったので厚膜化の評価は○とした。透磁率を測定したところ、１ＧＨｚでμ’＝１．６４、ｔａｎδ＝０．０４２となった。耐熱性評価は○であった。膜厚ムラは０．００２９であり、密着性試験での剥離数は０であった。

実施例１、６の対比より、平均二次粒径が同程度の粒子を含んでいても、重量平均分子量７６万の樹脂を含むことで特に膜厚ムラが小さい磁性体組成物を形成可能であることが分かった。

実施例７
ステンレスカップに磁性粒子４を１５重量部、ＢＹＫ−１１１を１．７５重量部、溶媒としてＴＨＦＡを３３．２５重量部、０．０５φジルコニアビーズを３００重量部入れ、ホモジナイザを用いて６０００ｒｐｍの回転数で３時間撹拌し、磁性粒子を３０重量％含む分散液を作製した。

プラスチック容器に得られた分散液を５重量部、ワニス２を１重量部入れ、ハイブリッドミキサーで撹拌（撹拌は１８００ｒｐｍで３分間、脱泡は８００ｒｐｍで２分間）し、ペースト組成物を作製した。

作製したペースト組成物において磁性粒子の平均二次粒径は４２１ｎｍであった。作製したペースト組成物をガラス板に１ｍｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分間乾燥させ、１５０℃で１時間硬化させた。得られた磁性体組成物にひび割れは生じず、評価は○とした。膜厚は６５μｍであったので厚膜化の評価は○とした。透磁率を測定したところ、１ＧＨｚでμ’＝１．６２、ｔａｎδ＝０．０１８となった。耐熱性評価は○であった。膜厚ムラは０．００３２であり、密着性試験での剥離数は０であった。

実施例８
磁性粒子４の代わりに磁性粒子２を用いたことを除けば、実施例６と同じ操作でペースト組成物を作製した。

作製したペースト組成物において磁性粒子の平均二次粒径は４８５ｎｍであった。作製したペースト組成物をガラス板に１ｍｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分間乾燥させ、１５０℃で１時間硬化させた。得られた磁性体組成物にひび割れは生じず、評価は○とした。膜厚は７２μｍであったので厚膜化の評価は○とした。透磁率を測定したところ、１ＧＨｚでμ’＝１．６８、ｔａｎδ＝０．０９５となった。耐熱性評価は○であった。膜厚ムラは０．００８５であり、密着性試験での剥離数は０であった。

実施例９
ワニス１の代わりにワニス２を用いたことを除けば、実施例２と同じ操作でペースト組成物を作製した。

作製したペースト組成物において磁性粒子の平均二次粒径は５２４ｎｍであった。作製したペースト組成物をガラス板に１ｍｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分間乾燥させ、１５０℃で１時間硬化させた。得られた磁性体組成物にひび割れは生じず、評価は○とした。膜厚は７７μｍであったので厚膜化の評価は○とした。透磁率を測定したところ、１ＧＨｚでμ’＝１．９４、ｔａｎδ＝０．０３７となった。耐熱性評価は○であった。膜厚ムラは０．０１６６であり、密着性試験での剥離数は０であった。

実施例１０
プラスチックボトルに磁性粒子３を９重量部、ＢＹＫ−１１１を１．０５重量部、溶媒としてＴＨＦＡを１９．９５重量部、５φジルコニアビーズを５０重量部入れてボールミルで１５時間撹拌した。その後ビーズを０．４φジルコニアビーズ５０重量部に交換してボールミルで１０時間撹拌を行い、磁性粒子を３０重量％含む分散液を作製した。

作製したペースト組成物において磁性粒子の平均二次粒径は７５５ｎｍであった。作製したペースト組成物をガラス板に１ｍｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分間乾燥させ、１５０℃で１時間硬化させた。得られた磁性体組成物にひび割れは生じず、評価は○とした。膜厚は６２μｍであったので厚膜化の評価は○とした。透磁率を測定したところ、１ＧＨｚでμ’＝１．７７、ｔａｎδ＝０．０３０となった。耐熱性評価は○であった。膜厚ムラは０．０３４６であり、密着性試験での剥離数は１であった。

実施例１１
ワニス１の代わりにワニス２を用いたことを除けば実施例５と同じ方法でペーストを作製した。

作製したペースト組成物において磁性粒子の平均二次粒径は９３６ｎｍであった。作製したペースト組成物をガラス板に１ｍｍの厚さに塗布し、１００℃の熱風オーブン中で１０分間乾燥させ、１５０℃の熱風オーブン中で１時間硬化させた。得られた磁性体組成物にひび割れは生じず、評価は○とした。膜厚は７５μｍであったので厚膜成型性の評価は○とした。透磁率を測定したところ、１ＧＨｚでμ’＝１．７７、ｔａｎδ＝０．０３０となった。耐熱性評価は○であった。膜厚ムラは０．０４８５であり、密着性試験での剥離数は４であった。

実施例１〜５および６〜１１より、同じ分子量の樹脂を用いた場合であっても、平均二次粒径が小さいほど膜厚ムラが小さく、基板への密着性が高いことが分かった。

実施例１２
ワニス１の代わりにワニス３を用いたことを除けば、実施例２と同じ操作でペースト組成物を作製した。

作製したペースト組成物において磁性粒子の平均二次粒径は５１２ｎｍであった。作製したペースト組成物をガラス板に１ｍｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分間乾燥させ、１５０℃で１時間硬化させた。得られた磁性体組成物にひび割れは生じず、評価は○とした。膜厚は５６μｍであったので厚膜化の評価は○とした。透磁率を測定したところ、１ＧＨｚでμ’＝１．９３、ｔａｎδ＝０．０３４となった。耐熱性評価は○であった。膜厚ムラは０．０１９６であり、密着性試験での剥離数は０であった。

実施例２、９、１２の対比より、同程度の平均二次粒径の粒子を含んでいても、重量平均分子量７６万の樹脂を含むことで膜厚ムラの小さい磁性体組成物を形成可能であることが分かった。

実施例１３
ワニスとしてワニス３を用いたことを除けば実施例１１と同じ操作でペースト組成物を得た。

作製したペースト組成物において磁性粒子の平均二次粒径は６１０ｎｍであった。作製したペースト組成物をガラス板に１ｍｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分間乾燥させ、１５０℃で１時間硬化させた。得られた磁性体組成物にひび割れは生じず、評価は○とした。膜厚は６９μｍであったので厚膜化の評価は○とした。透磁率を測定したところ、１ＧＨｚでμ’＝１．７３、ｔａｎδ＝０．０５７となった。耐熱性評価は○であった。膜厚ムラは０．０２５６であり、密着性試験での剥離数は２であった。

実施例１４
プラスチックボトルに磁性粒子３を９重量部、ＢＹＫ−１０６を１．０５重量部、溶媒としてＴＨＦＡを１９．９５重量部、５φジルコニアビーズを５０重量部入れてボールミルで１５時間撹拌した。その後ビーズを０．１φジルコニアビーズ５０重量部に交換してボールミルで５時間撹拌を行い、磁性粒子を３０重量％含む分散液を作製した。

作製したペースト組成物において磁性粒子の平均二次粒径は６０１ｎｍであった。作製したペースト組成物をガラス板に１ｍｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分間乾燥させ、１５０℃で１時間硬化させた。得られた磁性体組成物にひび割れは生じず、評価は○とした。膜厚は７７μｍであったので厚膜化の評価は○とした。透磁率を測定したところ、１ＧＨｚでμ’＝１．８３、ｔａｎδ＝０．０３３となった。耐熱性評価は○であった。膜厚ムラは０．０２０４であり、密着性試験での剥離数は０であった。

実施例１５
ステンレスカップに磁性粒子３を１５重量部、ＢＹＫ−１０６を１．７５重量部、溶媒としてＮＭＰを３３．２５重量部、０．０５φジルコニアビーズを２００重量部入れ、ホモジナイザを用いて６０００ｒｐｍの回転数で４時間撹拌し、磁性粒子を３０重量％含む分散液を作製した。

プラスチック容器に得られた分散液を５重量部、ワニス２を０．４５８重量部入れ、ハイブリッドミキサーで撹拌（撹拌は１８００ｒｐｍで３分間、脱泡は８００ｒｐｍで２分間）し、ペースト組成物を作製した。

作製したペースト組成物において磁性粒子の平均二次粒径は４２３ｎｍであった。作製したペースト組成物をガラス板に１ｍｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分間乾燥させ、１５０℃で１時間硬化させた。得られた磁性体組成物にひび割れは生じず、評価は○とした。膜厚は７８μｍであったので厚膜化の評価は○とした。透磁率を測定したところ、１ＧＨｚでμ’＝１．８４、ｔａｎδ＝０．０３８となった。耐熱性評価は○であった。膜厚ムラは０．００５６であり、密着性試験での剥離数は０であった。

実施例１６
ワニス１の代わりにワニス２を用いたことを除けば実施例１４と同じ操作でペースト組成物を作製した。

作製したペースト組成物において磁性粒子の平均二次粒径は５９２ｎｍであった。作製したペースト組成物をガラス板に１ｍｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分間乾燥させ、１５０℃で１時間硬化させた。得られた磁性体組成物にひび割れは生じず、評価は○とした。膜厚は６１μｍであったので厚膜化の評価は○とした。透磁率を測定したところ、１ＧＨｚでμ’＝１．８５、ｔａｎδ＝０．０３３となった。耐熱性評価は○であった。膜厚ムラは０．０１９５であり、密着性試験での剥離数は０であった。

実施例１７
ステンレスカップに磁性粒子２を１５重量部、ＢＹＫ−１０６を１．７５重量部、溶媒としてＮＭＰを３３．２５重量部、０．０５φジルコニアビーズを３００重量部入れ、ホモジナイザを用いて６０００ｒｐｍの回転数で３時間撹拌し、磁性粒子を３０重量％含む分散液を作製した。

作製したペースト組成物において磁性粒子の平均二次粒径は６０５ｎｍであった。作製したペースト組成物をガラス板に１ｍｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分間乾燥させ、１５０℃で１時間硬化させた。得られた磁性体組成物にひび割れは生じず、評価は○とした。膜厚は７５μｍであったので厚膜化の評価は○とした。透磁率を測定したところ、１ＧＨｚでμ’＝１．６４、ｔａｎδ＝０．０９６となった。耐熱性評価は○であった。膜厚ムラは０．０１９８であり、密着性試験での剥離数は０であった。

実施例１８
プラスチックボトルに磁性粒子３を９重量部、ＢＹＫ−１０６を１．０５重量部、溶媒としてＮＭＰを１９．９５重量部、５φジルコニアビーズを５０重量部入れてボールミルで１５時間撹拌し、磁性粒子を３０重量％含む分散液を作製した。

作製したペースト組成物において磁性粒子の平均二次粒径は６５６ｎｍであった。作製したペースト組成物をガラス板に１ｍｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分間乾燥させ、１５０℃で１時間硬化させた。得られた磁性体組成物にひび割れは生じず、評価は○とした。膜厚は７４μｍであったので厚膜化の評価は○とした。透磁率を測定したところ、１ＧＨｚでμ’＝１．６８、ｔａｎδ＝０．０３４となった。耐熱性評価は○であった。膜厚ムラは０．０２３９であり、密着性試験での剥離数は１であった。

実施例１９
ワニス１の代わりにワニス３を用いたことを除けば実施例１４と同じ操作でペースト組成物を作製した。

作製したペースト組成物において磁性粒子の平均二次粒径は５９０ｎｍであった。作製したペースト組成物をガラス板に１ｍｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分間乾燥させ、１５０℃で１時間硬化させた。得られた磁性体組成物にひび割れは生じず、評価は○とした。膜厚は５３μｍであったので厚膜化の評価は○とした。透磁率を測定したところ、１ＧＨｚでμ’＝１．８８、ｔａｎδ＝０．０３２となった。耐熱性評価は○であった。膜厚ムラは０．０２２１であり、密着性試験での剥離数は０であった。

実施例２０
ステンレスカップに磁性粒子２を１５重量部、溶媒としてＴＨＦＡを３５重量部、０．０５φジルコニアビーズを３００重量部入れ、ホモジナイザを用いて６０００ｒｐｍの回転数で３時間撹拌し、磁性粒子を３０重量％含む分散液を作製した。

作製したペースト組成物において磁性粒子の平均二次粒径は６３２ｎｍであった。作製したペースト組成物をガラス板に１ｍｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分間乾燥させ、１５０℃で１時間硬化させた。得られた磁性体組成物にひび割れは生じず、評価は○とした。膜厚は６９μｍであったので厚膜化の評価は○とした。透磁率を測定したところ、１ＧＨｚでμ’＝１．６４、ｔａｎδ＝０．０９８となった。耐熱性評価は○であった。膜厚ムラは０．０２０５であり、密着性試験での剥離数は３であった。

実施例２１
ステンレスカップに磁性粒子４を１５重量部、溶媒としてＴＨＦＡを３５重量部、０．０５φジルコニアビーズを３００重量部入れ、ホモジナイザを用いて６０００ｒｐｍの回転数で３時間撹拌し、磁性粒子を３０重量％含む分散液を作製した。

作製したペースト組成物において磁性粒子の平均二次粒径は７２１ｎｍであった。作製したペースト組成物をガラス板に１ｍｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分間乾燥させ、１５０℃で１時間硬化させた。得られた磁性体組成物にひび割れは生じず、評価は○とした。膜厚は６８μｍであったので厚膜化の評価は○とした。透磁率を測定したところ、１ＧＨｚでμ’＝１．７２、ｔａｎδ＝０．０３２となった。耐熱性評価は○であった。膜厚ムラは０．０３１７であり、密着性試験での剥離数は３であった。

実施例２２
プラスチックボトルに磁性粒子３を９重量部、溶媒としてＮＭＰを２１重量部、５φジルコニアビーズを５０重量部入れてボールミルで１５時間撹拌し、磁性粒子を３０重量％含む分散液を作製した。

作製したペースト組成物において磁性粒子の平均二次粒径は８１３ｎｍであった。作製したペースト組成物をガラス板に１ｍｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分間乾燥させ、１５０℃で１時間硬化させた。得られた磁性体組成物にひび割れは生じず、評価は○とした。膜厚は７４μｍであったので厚膜化の評価は○とした。透磁率を測定したところ、１ＧＨｚでμ’＝１．６４、ｔａｎδ＝０．０３２となった。耐熱性評価は○であった。膜厚ムラは０．０４１８であり、密着性試験での剥離数は４であった。

比較例１
ステンレスカップに磁性粒子１を１５重量部、ＢＹＫ−１１１を１．７５重量部、溶媒としてＴＨＦＡを３３．２５重量部、５φジルコニアビーズを３００重量部入れて、ホモジナイザを用いて６０００ｒｐｍの回転数で３時間撹拌し、磁性粒子を３０重量％含む分散液を作製した。

作製したペースト組成物において磁性粒子の平均二次粒径は１２００ｎｍであった。作製したペースト組成物をガラス板に１ｍｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分間乾燥させ、１５０℃で１時間硬化させた。得られた磁性体組成物にひび割れは生じず、評価は○とした。膜厚は７０μｍであったので厚膜化の評価は○とした。透磁率を測定したところ、１ＧＨｚでμ’＝４．１８、ｔａｎδ＝０．１９６となった。耐熱性評価は○であった。膜厚ムラは０．０５８９であり、密着性試験での剥離数は２５であった。

比較例２
プラスチックボトルに磁性粒子３を９重量部、ＢＹＫ−１１１を１．０５重量部、溶媒としてＮＭＰを１９．９５重量部、５φジルコニアビーズを５０重量部入れてボールミルで１２時間撹拌し、磁性粒子を３０重量％含む分散液を作製した。

作製したペースト組成物の二次粒子の粒径は１２１５ｎｍであった。作製したペースト組成物をガラス板に１．６５ｍｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分間乾燥させ、１５０℃で１時間硬化させた。得られた磁性体組成物にはひび割れが生じており、評価は×とした。膜厚は６３μｍであったので厚膜化の評価は○とした。透磁率を測定したところ、１ＧＨｚでμ’＝１．７２、ｔａｎδ＝０．１４５となった。耐熱性評価は○であった。膜厚ムラは０．０６８９であり、密着性試験での剥離数は２０であった。

比較例３
プラスチックボトルに磁性粒子３を９重量部、ＢＹＫ−１４５を１．０５重量部、溶媒としてＴＨＦＡを１９．９５重量部、５φジルコニアビーズを５０重量部入れてボールミルで７２時間撹拌し、磁性粒子を３０重量％含む分散液を作製した。

作製したペースト組成物において磁性粒子の平均二次粒径は１２２３ｎｍであった。作製したペースト組成物をガラス板に１．６５ｍｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分間乾燥させ、１５０℃で１時間硬化させた。得られた磁性体組成物にはひび割れが生じており、評価は×とした。膜厚は６４μｍであったので厚膜化の評価は○とした。ノイズが多く、透磁率は測定できなかった。耐熱性評価は○であった。膜厚ムラは０．０８５１であり、密着性試験での剥離数は２５であった。

比較例４
ワニス２の代わりにワニス３を用いたことを除けば比較例２と同じ操作でペースト組成物を得た。

作製したペースト組成物において磁性粒子の平均二次粒径は１２０７ｎｍであった。作製したペースト組成物をガラス板に１．６５ｍｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分間乾燥させ、１５０℃で１時間硬化させた。得られた磁性体組成物にはひび割れが生じており、評価は×とした。膜厚は５１μｍであったので厚膜化の評価は○とした。透磁率を測定したところ、１ＧＨｚでμ’＝１．７１、ｔａｎδ＝０．１５３となった。耐熱性評価は○であった。膜厚ムラは０．０３６８であり、密着性試験での剥離数は２０であった。

比較例５
プラスチックボトルに磁性粒子２を９重量部、ＢＹＫ−１１１を１．０５重量部、溶媒としてＴＨＦＡを１９．９５重量部、５φジルコニアビーズを５０重量部入れてボールミルで１５時間撹拌し、磁性粒子を３０重量％含む分散液を作製した。

プラスチック容器に得られた分散液を１０．６重量部、ワニス３を１．４重量部入れ、ハイブリッドミキサーで撹拌（撹拌は１８００ｒｐｍで３分間、脱泡は８００ｒｐｍで２分間）し、ペースト組成物を作製した。

作製したペースト組成物において磁性粒子の平均二次粒径は２２００ｎｍであった。作製したペースト組成物をガラス板に１ｍｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分間乾燥させ、１５０℃で１時間硬化させた。得られた磁性体組成物にひび割れは生じず、評価は○とした。膜厚は６１μｍであったので厚膜化の評価は○とした。透磁率を測定したところ、１ＧＨｚでμ’＝２．０３、ｔａｎδ＝０．１７１となった。耐熱性評価は○であった。膜厚ムラは０．１３３２であり、密着性試験での剥離数は２０であった。

比較例１〜５より、平均二次粒径が１０００ｎｍ以上の粒子を含んだペーストは密着性が低く膜厚ムラが大きくなることが分かった。

比較例６
ワニス１の代わりにワニス４を用いたことを除けば、実施例１と同じ操作でペースト組成物を作製した。

作製したペースト組成物において磁性粒子の平均二次粒径は３９５ｎｍであった。作製したペースト組成物をガラス板に１ｍｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分間乾燥させ、１５０℃で１時間硬化させた。得られた磁性体組成物にはひび割れが生じており、評価は×とした。膜厚は２９μｍであったので厚膜化の評価は×とした。透磁率を測定したところ、１ＧＨｚでμ’＝１．７２、ｔａｎδ＝０．０５１となった。耐熱試験後に塗膜にふくれが生じており、耐熱性評価は×であった。膜厚ムラは０．０３１６であり、密着性試験での剥離数は１５であった。

比較例７
分散剤としてＢＹＫ−１１１の代わりにＢＹＫ−１０６を用いたことを除けば、比較例６と同じ操作でペースト組成物を作製した。

作製したペースト組成物において磁性粒子の平均二次粒径は６２０ｎｍであった。作製したペースト組成物をガラス板に１ｍｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分間乾燥させ、１５０℃で１時間硬化させた。得られた磁性体組成物にはひび割れが生じており、評価は×とした。膜厚は３１μｍであったので厚膜化の評価は×とした。透磁率を測定したところ、１ＧＨｚでμ’＝１．７７、ｔａｎδ＝０．０５７となった。耐熱試験後に塗膜にふくれが生じており、耐熱性評価は×であった。膜厚ムラは０．０４９７であり、密着性試験での剥離数は１５であった。

比較例８
プラスチック容器に磁性粒子３を５重量部、ワニス５を５．６重量部、溶媒としてＮＭＰを３．３重量部いれ、ハイブリッドミキサーで撹拌（撹拌は１８００ｒｐｍで３分間、脱泡は８００ｒｐｍで２分間）した。これを３本ロールミルにかけ、ロール間ギャップを５μｍとして４００ｒｐｍで４回混練し、ペースト組成物を得た。

作製したペースト組成物において磁性粒子の平均二次粒径は５７９ｎｍであった。作製したペースト組成物をガラス板に１ｍｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分間乾燥させ、１５０℃で１時間硬化させた。得られた磁性体組成物はヒビが入り、ガラス板から剥がれ落ちたため、ひび割れと厚膜化の評価は共に×とした。透磁率も測定に至らなかった。耐熱試験後に塗膜にふくれが生じており、耐熱性評価は×であった。厚さが測れないため膜厚ムラは測定不可であり、密着性試験での剥離数は２５であった。

比較例９
プラスチックボトルに磁性粒子３を９重量部、ＢＹＫ−１１１を１．０５重量部、溶媒としてＴＨＦＡを１９．９５重量部、５φジルコニアビーズを５０重量部入れてボールミルで７２時間撹拌を行い、磁性粒子を３０重量％含む分散液を作製した。

プラスチック容器に得られた分散液を５重量部、ワニス５を１重量部入れ、ハイブリッドミキサーで撹拌（撹拌は１８００ｒｐｍで３分間、脱泡は８００ｒｐｍで２分間）し、ペースト組成物を作製した。

作製したペースト組成物において磁性粒子の平均二次粒径は８９４ｎｍであった。作製したペースト組成物をガラス板に１ｍｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分間乾燥させ、１５０℃で１時間硬化させた。得られた磁性体組成物にはひび割れが生じており、評価は×とした。膜厚は３１μｍであったので厚膜化の評価は×とした。透磁率を測定したところ、１ＧＨｚでμ’＝１．７６、ｔａｎδ＝０．０３２となった。耐熱試験後に塗膜にふくれが生じており、耐熱性評価は×であった。膜厚ムラは０．０５２３であり、密着性試験での剥離数は６であった。

比較例１０
プラスチックボトルに磁性粒子３を９重量部、ＢＹＫ−１１１を１．０５重量部、溶媒としてＴＨＦＡを１９．９５重量部、５φジルコニアビーズを５０重量部入れてボールミルで８時間撹拌を行い、磁性粒子を３０重量％含む分散液を作製した。
プラスチック容器に得られた分散液を５重量部、ワニス５を１重量部入れ、ハイブリッドミキサーで撹拌（撹拌は１８００ｒｐｍで３分間、脱泡は８００ｒｐｍで２分間）し、ペースト組成物を作製した。

作製したペースト組成物の二次粒子の粒径は９２１ｎｍであった。作製したペースト組成物をガラス板に１ｍｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分間乾燥させ、１５０℃で１時間硬化させた。得られた磁性体組成物にはひび割れが生じており、評価は×とした。膜厚は３５μｍであったので厚膜化の評価は×とした。表面荒さのためにノイズが大きく、透磁率は測定できなかった。耐熱試験後に塗膜にふくれが生じており、耐熱性評価は×であった。膜厚ムラは０．１２８９であり、密着性試験での剥離数は１０であった。

比較例６〜１０より、平均二次粒径が３００ｎｍ〜１０００ｎｍの間の粒子であっても、分子量が２０万未満の樹脂を用いることで硬化時にひび割れを生じ、密着性が低くなることが分かった。

比較例１１
ワニス２の代わりにワニス５を用いたことを除けば比較例２と同じ操作でペースト組成物を得た。

作製したペースト組成物において磁性粒子の平均二次粒径は１２０１ｎｍであった。作製したペースト組成物をガラス板に１．６５ｍｍの厚さに塗布し、１００℃で１０分間乾燥させ、１５０℃で１時間硬化させた。得られた磁性体組成物にはひび割れが生じており、評価は×とした。膜厚は３１μｍであったので厚膜化の評価は×とした。透磁率を測定したところ、１ＧＨｚでμ’＝１．７０、ｔａｎδ＝０．１４０となった。耐熱試験後に塗膜にふくれが生じており、耐熱性評価は×であった。膜厚ムラは０．０５９８であり、密着性試験での剥離数は２０であった。

Claims

（Ａ）平均二次粒径が３００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である磁性粒子、および（Ｂ）重量平均分子量２０万以上の樹脂を含有することを特徴とするペースト組成物。
前記樹脂が、重量平均分子量２０万以上２００万以下である請求項１に記載のペースト組成物。
前記樹脂が、重量平均分子量２０万以上１５０万以下である請求項１に記載のペースト組成物。
前記磁性粒子が、Ｆｅ、ＣｏもしくはＮｉの単体金属、Ｆｅ、ＣｏもしくはＮｉを含む合金、またはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉのうち少なくとも１つを含む酸化物である請求項１〜３のいずれかに記載のペースト組成物。
前記樹脂がエポキシ基を含有する請求項１〜４のいずれかに記載のペースト組成物。
請求項１〜５のいずれかに記載のペースト組成物を基材に塗布・乾燥させて得られるシート組成物。
請求項１〜５のいずれかに記載のペースト組成物または請求項６に記載のシートを硬化させて得られる磁性体組成物。
請求項７に記載の磁性体組成物を備えるインダクタ。