KR20180075580A - 저주파수 emi 차폐를 위한 전도성 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 저주파수 EMI 차폐를 위한 전도성 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물은 열가소성 수지 및/또는 열경화성 수지를 포함하는 수지, 용매 및/또는 반응성 희석제 및 입자를 포함하며, 상기 입자는 자기 입자와 전기 전도성 입자의 혼합물 또는 전기 전도성 물질로 코팅된 자기 입자 또는 전기 전도성 물질로 코팅된 자기 입자와 전기 전도성 입자의 혼합물을 포함하고, 상기 조성물은 조성물의 총 중량에 의해 10 중량% 이상의 자기 입자를 포함한다. 본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물은 양호한 전기 및 자기 전도성을 갖고, 넓은 주파수 범위에서, 특히 저주파수 범위에서 EMI 차폐를 위한 드롭-인 솔루션으로서 적합하다.

Description

저주파수 EMI 차폐를 위한 전도성 조성물
본 발명은 저주파수 EMI 차폐를 위한 전도성 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 조성물은 양호한 전기 및 자기 전도성을 갖고, 넓은 주파수 범위에서, 특히 저주파수 범위에서 EMI 차폐를 위한 드롭-인 솔루션 (drop-in solution) 으로서 적합하다.
전자기 간섭 (Electromagnetic Interference) (EMI) 차폐는 주로 무선 통신에서 사용되는, 여러 가지 라디오 주파수 (RF) 전자장치 부품에 요구된다.
가장 흔한 EMI 차폐 솔루션은 금속 리드 또는 캔을 사용하여 목표 영역 또는 부품을 커버하는 것이다. 그러나, 이 솔루션은 전자 부품의 소형화 (점점 더 얇은 포장), 더 작은 밑넓이 (footprint) 및 더 높은 패킹 밀도에 대한 증가하는 필요를 만족시킬 수 없다. 그러므로, 이 솔루션은 너무 많은 공간을 요구하는 금속 캡/리드으로 인해 일부 소형 디바이스에서 사용될 수 없다.
산업에서의 하나의 솔루션은 위에서 언급된 금속 캔을 모방하기 위해서 도금 (plating), 스퍼터링 (sputtering) 및 전도성 접착제 (conductive adhesive) 를 포함하는 컨포멀 (conformal) 차폐 기술을 사용하는 것이었다.
금속 실드 (shield) 를 제공하는 하나의 방식은 그것을 도금 또는 스퍼터링에 의해 성형하는 것이다. 패키지 상의 스퍼터링은 매우 낮은 UPH (시간 당 유닛 (Unit per hour)) 프로세스를 제공한다. 이는 프로세스가 스퍼터링 전에 진공청소 (vacuuming) 를 요구하고, 금속이 원자 수준에서 침적되고 (수 마이크론 두께의 층을 스퍼터링하는데 몇 시간이 걸림), 스퍼터링될 디바이스가 서로에게서 간격을 두고 있어서 사이드 월 (side wall) 에서 양호한 커버리지 (coverage) 를 보장해야 한다 (스퍼터링 당 디바이스의 수는 아주 제한적임) 는 사실로 인한 것이다. 도금은 다른 한편으로는 스트립 수준 (strip level) 에서 사이드 커버리지에 대한 문제를 갖고, 복잡한 프로세스이다. 프로세스는 표면 전처리, 마스킹 (복합한 프로세스, 특히 금속 리드 프레임 (L/F) 에서) 단계를 수행할 것을 요구하고, 큰 작업 공간을 요구하고, 심한 오염이 있는 습식 프로세스이다.
또한, 산업은 전형적으로 전도성 접착제 (잉크, 페이스트 또는 필름 형태의) 에서 은, 은 코팅된 구리, 니켈, 금 등을 포함하는 전기 전도성 금속 충전제를 사용한다. 이들 충전제의 사용은 1E-05 ohm.cm 에 가까운, 매우 낮은 체적 저항률을 갖는 접착제를 제공하고, 접착제가 고주파수 >1GHz EMI 차폐를 잘 수행하게 만들고, 30dB 이상의 EMI 차폐 효율을 쉽게 얻는다. 그러나, 현재의 접착제 접근법의 결점은 상대적으로 저주파수인 범위에서, 특히 5MHz 내지 200MHz 범위에서 그것이 EMI 차폐 효율을 갖지 않는다는 점이다.
EMI 차폐에서, 고주파수 (GHz 이상) EMI 차폐를 위한 일차 메카니즘은 반사이며, 이는 주로 차폐 층의 전기 전도성에 의해 확인된다. 한편, 저주파수 (MHz 이하) EMI 차폐를 위한 일차 메카니즘은 흡착이며, 이는 결국 주로 차폐 층의 투자율에 의해 확인된다. 그러므로, 고도로 전기 전도성인 접착제는 민감한 디바이스의 상부 또는 방출 소스에 적용되어 전자장치 디바이스로의 또는 그로부터의 EMI 를 GHz 범위에서 블록할 수 있다. 이는 집적 디자인 및 제조 (IDMs), 디자인 하우스 및 하도급업자에 의해 무선 통신 패키지, 예컨대 Wi-Fi 모듈, 2G/3G/4G 휴대전화 모듈, 블루투스 모듈 등에서 점점 더 많이 이용되고 있다. 최근에, 산업은 13.56MHz 에서 근거리 통신 (NFC) 및 라디오 주파수 식별 (RFID) 과 같은 새로운 무선 통신 기술을 가능하게 하는 MHz 주파수 밴드를 향하여 진전하고 있다. 이 MHz 수준 EMI 차폐에서, 높은 전기 전도성 단독은 적절한 차폐 효율을 제공할 수 없다.
그러므로, 저주파수 범위에서도 EMI 차폐를 제공하고, 한편 더 높은 주파수 범위에서 양호한 EMI 차폐를 유지하고, 동시에 소형 디바이스에 적용될 수 있는 전도성 조성물에 대한 필요가 존재한다.
본 발명은 EMI 차폐 조성물에 관한 것이며, 상기 조성물은 열가소성 수지 및/또는 열경화성 수지를 포함하는 수지, 용매 및/또는 반응성 희석제 및 자기 입자와 전기 전도성 입자의 혼합물 또는 전기 전도성 물질로 코팅된 자기 입자 또는 전기 전도성 입자와 전기 전도성 물질로 코팅된 자기 입자의 혼합물을 포함하는 입자를 포함하며, 상기 조성물은 조성물의 총 중량에 의해 10 중량% 이상의 자기 입자를 포함한다.
또한, 본 발명은 EMI 차폐 물질로서의 본 발명에 따른 전도성 조성물의 용도에 관한 것이다.
게다가, 본 발명은 또한 본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물의 경화된 산물을 포함한다.
도 1 은 용어 "체적 저항" 을 정의하기 위한 예시되는 형상을 보여준다.
도 2 는 본 발명의 실시예의 응답 자기 토크 M vs. 자기장 강도 H 의 그래프를 보여준다.
도 3 은 본 발명의 실시예의 실드 물질의 차폐 효과를 보여준다.
발명의 상세한 설명
하기에서 본 발명은 더욱 상세히 기술된다. 기술되는 각각의 양상은 명백히 반대로 명시되지 않으면 임의의 기타 양상 또는 양상들과 조합될 수 있다. 특히, 바람직하다고 또는 유리하다고 명시된 임의의 특색은 바람직하다고 또는 유리하다고 명시된 임의의 기타 특색 또는 특색들과 조합될 수 있다.
본 발명의 문맥에서, 사용되는 용어는 문맥이 다르게 지시하지 않으면 하기 정의에 따라 해석될 것이다.
본원에서 사용되는, 단수형 "하나", "한" 및 "그" 는 문맥이 명백히 다르게 지시하지 않으면 단수 및 복수 지시대상 둘다를 포함한다.
본원에서 사용되는 용어 "포함하는", "포함한다" 및 "로 구성된다" 는 "포한되는", "포함된다" 또는 "함유하는", "함유한다" 와 동의어이고, 포괄적 또는 개방적이고, 부가적인, 언급되지 않은 일원, 요소 또는 방법 단계를 배제하지 않는다.
수치 종점의 언급은 당해 범위 내에 포괄되는 모든 수 및 분수, 뿐만 아니라 언급된 종점을 포함한다.
양, 농도 또는 기타 값 또는 파라미터가 범위, 바람직한 범위, 또는 바람직한 상한 값 및 바람직한 하한 값의 형태로 표현될 때, 얻어지는 범위가 문맥에서 명백히 언급되는지 여부를 고려하지 않고, 임의의 상한 또는 바람직한 값을 임의의 하한 또는 바람직한 값과 조합하여 얻어지는 임의의 범위가 구체적으로 개시되는 것으로 이해될 것이다.
다르게 정의되지 않으면, 기술 및 과학 용어를 포함하는, 본 발명을 개시하는데 사용되는 모든 용어는 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 기술자에 의해 통상적으로 이해되는 의미를 갖는다. 추가의 안내로써, 용어 정의는 본 발명의 교시를 더 잘 이해하기 위해 포함된다.
본 발명은 EMI 차폐 조성물로서, 상기 조성물은 열가소성 수지 및/또는 열경화성 수지를 포함하는 수지, 용매 및/또는 반응성 희석제 및 자기 입자와 전기 전도성 입자의 혼합물 또는 전기 전도성 물질로 코팅된 자기 입자 또는 전기 전도성 입자와 전기 전도성 물질로 코팅된 자기 입자의 혼합물을 포함하는 입자를 포함하며, 상기 조성물은 조성물의 총 중량에 의해 10 중량% 이상의 자기 입자를 포함하는, EMI 차폐 조성물을 제공한다.
출원인은 자기 충전제 및 전기 전도성 충전제 둘다를 접착제 조성물 내로 혼입함으로써, 투자율 및 높은 전기 전도성을 제공하는 것은 요망되는 EMI 차폐 효율을 고주파수 및 저주파수 범위 둘다에서 초래한다는 것을 발견했다.
본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물의 본질적 성분 각각이 아래에서 상세히 기술된다.
본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물은 열가소성 수지 또는 열경화성 수지 또는 열가소성 수지와 열경화성 수지의 혼합물을 포함하는 수지를 포함한다.
열가소성 수지
본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물은 열가소성 수지를 포함한다. 여러 가지 알려진 열가소성 수지가 본 발명에서 사용될 수 있다. 열가소성 수지는 임의의 열가소성 수지일 수 있다.
본 발명에서 사용하기에 적합한 열가소성 수지는 페녹시 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리에테르 수지, 폴리술폰 수지, 폴리비닐 수지, 폴리비닐리덴 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리스티렌 코폴리머 수지, 플루오로 수지, 폴리(메트)아크릴레이트 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 셀룰로스 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리카르보네이트 수지 및 그들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택된다. 바람직하게는, 열가소성 수지는 페녹시 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리(메트)아크릴레이트 수지 및 그들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
더욱 바람직하게는 상기 열가소성 수지는 폴리 메틸 메타크릴레이트 수지, 비스페놀 A 와 에피클로로히드린의 코-폴리머, 포화 폴리에스테르 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 포화 폴리에테르 수지, 불포화 폴리에테르 수지, 방향족 폴리우레탄 수지, 폴리테트라플루오로에틸렌 수지, 스티렌과 부타디엔의 코-폴리머, 폴리비닐리덴 플루오라이드 수지, 폴리비닐클로라이드 수지 및 그들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
본 발명에서 사용되는 적합한 열가소성 수지는 10000 초과의 분자량 Mw 을 갖고, 바람직하게는 30000 내지 60000 의 Mw (평균) 및 10000 내지 20000 의 Mn (평균) 을 갖는다. 분자량은 겔 투과 크로마토그래피 (GPC) 를 사용하여 확인된다.
본 발명에서 사용하기에 적합한 상업적으로 입수가능한 열가소성 수지는 예를 들어 페녹시 수지 (InChemRez 사제), Estane TPU (Lubrizol 사제), Epicon (DIC 사제) 및 Vitel 폴리에스테르 (Bostik 사제) 이다.
열경화성 수지
본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물은 열경화성 수지를 포함한다. 여러 가지 알려진 열경화성 수지가 본 발명에서 사용될 수 있다.
본 발명에서 사용되는 예시적 적합한 열경화성 수지는 알릴 수지, 비닐 수지, 아크릴 수지, 페놀 수지, 에폭시 수지, 옥세탄 수지, 이소시아네이트 수지, 말레이미드 수지, 비스말레이미드 수지, 시아네이트 에스테르 수지, 및 규소-함유 수지, 시아노아크릴레이트 수지, 비닐 에스테르 수지 및 그들의 혼합물을 포함하고, 바람직하게는, 열경화성 수지는 에폭시 수지, 아크릴 수지, 규소-함유 수지 및 그들의 혼합물로부터 선택된다.
바람직하게는, 열경화성 수지는 폴리우레탄 아크릴레이트, 폴리아크릴레이트, 에피클로로히드린-페놀 포름알데히드 수지, 액체 비스-말레이미드 수지, N-페닐 말레이미드 수지, 유기-실리콘 수지, 폴리메틸 실리콘 수지, 폴리에틸 실리콘 수지, 폴리아릴 실리콘 수지, 폴리알킬아릴 실리콘 수지, 비스페놀 에폭시 수지, 바이페닐 에폭시 수지, 실록산 에폭시 수지, 톨루엔 디이소시아네이트 수지, 메틸렌디페닐 디이소시아네이트 수지 및 그들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
적합한 열경화성 수지는 관능성 기의 혼합물을 갖는 다관능성 수지 예컨대 알릴 글리시딜 에테르, 글리시딜 메타크릴레이트, 글리시딜 아크릴레이트 및 1-비닐-3,4-에폭시시클로헥산으로부터 선택되는 기타 관능성 기(들)을 갖는 에폭시드 수지일 수 있다.
본 발명에서 사용하기에 적합한 상업적으로 입수가능한 열경화성 수지는 예를 들어 Epiclon N-730 (DIC 사제), UN9200A (Sartomer 사제), CM1003 (Henkel 사제), VQM 803 (Evonik 사제) 이다.
본 발명에서 사용하기에 적합한 열경화성 수지는 1000 초과의 분자량 Mw 을 갖는다. 분자량은 겔 투과 크로마토그래피 (GPC) 를 사용하여 확인된다.
본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물은 조성물의 총 중량의 2 내지 60 중량%, 바람직하게는 4 내지 45 중량%, 더욱 바람직하게는 4 내지 30 중량%, 가장 바람직하게는 4 내지 20 중량% 의 수지를 포함한다.
EMI 차폐 조성물 중의 열가소성 수지 및 열경화성 수지의 총량은 조성물의 총 중량의 60 중량% 를 초과하지 않는 것이 바람직하다. 조성물 중의 너무 많은 수지 양은 불량한 전기 전도성 및 투자율, 및 결과적으로, 불량한 EMI 차폐 특성을 초래한다. 다른 한편으로는, 수지의 총량이 조성물의 총 중량의 2 중량% 미만인 경우에, 부착 특성은 부정적으로 영향을 받을 수 있다.
본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물은 입자를 포함한다. 하나의 실시양태에서 입자는 자기 입자와 전기 전도성 입자의 혼합물을 포함한다. 또다른 실시양태에서 입자는 전기 전도성 물질로 코팅된 자기 입자를 포함한다. 또다른 실시양태에서, 입자는 전기 전도성 입자와 전기 전도성 물질로 코팅된 자기 입자의 혼합물을 포함한다.
자기 입자
본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물은 자기 입자를 포함한다. 적합한 자기 입자는 예를 들어 강자성 입자 및 나노결정질 강자성 입자이다.
더욱 구체적으로, 본 발명에서 사용하기에 적합한 자기 입자는 니켈, 철, 코발트, 페라이트, 철-니켈 합금, 퍼멀로이, 규소 철 (FeSi), FeSiCr 합금, FeSiAl 합금, FeCo 합금 및 그들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
본 발명에서 사용하기에 적합한 전기 전도성 물질로 코팅된 자기 입자는 은 코팅된 니켈, 은 코팅된 철, 은 코팅된 코발트, 은 코팅된 철-니켈 합금, 은 코팅된 퍼멀로이, 은 코팅된 페라이트, 은 코팅된 규소 철, 은 코팅된 FeSiCr 합금, 은 코팅된 FeSiAl 합금, 은 코팅된 FeCO 합금 및 그들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
바람직하게는 자기 입자는 페라이트, 철-니켈 합금, 철, 니켈, FeSiAl 합금, FeSiCr 합금, 은 코팅된 니켈, 은 코팅된 철, 은 코팅된 철-니켈 합금 및 그들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
본 발명에서 사용하기에 적합한 상업적으로 입수가능한 자기 입자는 예를 들어 니켈 타입 255 (INCO 사제), 은 코팅된 니켈 AO-QCS-78 (DOWA 사제) 및 FeNi 합금, FeSiAl (Carpenter Powder Products 사제) 및 페라이트 (PPTechnologies 사제) 이다.
자기 입자는 파우더 형태 또는 플레이크 형태 또는 이들 둘의 혼합물일 수 있다. 바람직하게는, 자기 입자는 파우더 형태의 입자와 플레이크 형태의 입자의 혼합물이다.
본 발명에서 사용되는 적합한 자기 입자는 바람직하게는 10nm 초과의 입자 크기를 갖고, 75 ㎛ 미만, 바람직하게는 50 ㎛ 미만의 평균 입자 크기를 갖는다.
일반적으로, 너무 큰 입자 크기는 EMI 차폐 층의 고르지 않은 표면을 초래하고, 또한 EMI 차폐 층에 약간의 작은 공동 또는 구멍이 존재할 수 있고, 그러므로, EMI 차폐 커버리지가 완전하지 않다. 반면에, 너무 작은 입자 크기는 낮은 전도성 및 불량한 제형 레올로지의 잠재적 위험을 초래한다.
본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물은 조성물의 총 중량에 의해 10 중량% 이상의 자기 입자를 포함한다. 저주파수 범위에서 EMI 차폐를 제공하기 위해서 적절한 자기 특성을 제공하는데 10% 이상의 양이 요구된다.
본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물은 조성물의 총 중량의 10 내지 95 중량%, 바람직하게는 20 내지 90 중량%, 더욱 바람직하게는 30 내지 85 중량%, 더욱 바람직하게는 40 내지 85 중량% 의 자기 입자를 포함한다.
자기 입자의 양이 95% 를 초과하는 경우에, 조성물은 적절한 부착을 제공하지 않는다. 다른 한편으로는, 10% 미만의 양은 저주파수 범위에서 EMI 차폐를 제공하기 위해서 적절한 자기 특성을 제공하지 않는다.
전기 전도성 입자
본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물은 전기 전도성 입자를 포함한다. 본 발명에서 사용하기에 적합한 전기 전도성 입자는 은 입자, 구리 입자, 아연 입자, 주석 입자, 비스무트 입자, 안티몬 입자, 인듐 입자, 알루미늄 입자; 금 입자, 흑연 입자, 탄소 입자, 은 코팅된 구리 입자, 은 코팅된 유리 입자, 은 코팅된 알루미늄 입자, 은 코팅된 주석 입자, 은 코팅된 비스무트 입자, 은 코팅된 안티몬 입자, 은 코팅된 인듐 입자, 은 코팅된 아연 입자, 은 코팅된 흑연, 주석, 은, 비스무트, 안티몬, 아연, 구리 및 인듐으로부터의 둘 이상의 혼합물로 만들어진 합금 입자; 주석, 은, 비스무트, 안티몬, 아연, 구리 및 인듐으로부터 선택되는 둘 이상의 금속으로 만들어진 은 코팅된 합금 입자; 및 그들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되고, 바람직하게는, 전기 전도성 입자는 은 입자이다.
본 발명에서 사용하기에 적합한 상업적으로 입수가능한 전기 전도성 입자는 낮은 탭 밀도 (0.1 내지 3.5 g/cm3 범위의 탭 밀도) 은 파우더 및 플레이크 (Metalor 또는 기타 은 입자 제조사 예컨대 Ames Goldsmith 사제) 이다.
전기 전도성 입자는 파우더 형태 또는 플레이크 형태 또는 이들 둘의 혼합물일 수 있다. 바람직하게는, 전기 전도성 입자는 파우더 형태의 입자와 플레이크 형태의 입자의 혼합물이다.
본 발명에서 사용되는 적합한 전기 전도성 입자는 바람직하게는 10nm 초과의 입자 크기를 갖고, 75 ㎛ 미만, 바람직하게는 50 ㎛ 미만의 평균 입자 크기를 갖는다.
일반적으로, 너무 큰 입자 크기는 EMI 차폐 층의 고르지 않은 표면을 초래하고, 또한 EMI 차폐 층에 약간의 작은 공동 또는 구멍이 존재할 수 있고, 그러므로, EMI 차폐 커버리지가 완전하지 않다. 반면에, 너무 작은 입자 크기는 낮은 전도성 및 높은 점도의 잠재적 위험을 초래한다.
본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물은 조성물의 총 중량의 5 내지 85 중량%, 바람직하게는 10 내지 80 중량%, 더욱 바람직하게는 10 내지 73 중량% 의 전기 전도성 입자를 포함한다.
전기 전도성 입자의 양이 85% 를 초과하는 경우에, 조성물은 적절한 부착을 제공하지 않고, 또한 조성물로부터 필름을 형성하는 것이 어렵다. 다른 한편으로는 그 양이 5% 미만인 경우에, 조성물은 적절한 전도성을 갖지 않는다.
본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물은 용매 또는 반응성 희석제 또는 용매와 반응성 희석제의 혼합물을 포함한다.
용매
본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물은 용매를 포함한다. 용매는 열가소성 수지가 사용될 때 특히 바람직하다.
본 발명에서 사용하기에 적합한 용매는 물, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 에틸렌 글리콜, 프로필 아세테이트, 부틸 아세테이트, 2염기성 에스테르, 에틸 프록시톨 에톡시프로판올, 카르비톨 아세테이트, 2-메톡시-1-메틸에틸 아세테이트, 카르비톨 아세테이트, 2-메톡시-1-메틸에틸 아세테이트, 디프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 아세테이트, 메틸 이소부틸 케톤, 2-부톡시 에탄올, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 아세테이트, 4-메틸-1,3-디옥솔란-2-온, 디메틸 술폭시드, N-메틸-2-피롤리돈, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 에틸 에테르 아세테이트, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 페놀, 테르피네올, γ-부티로 락톤, 메틸 숙시네이트 및 글루타르산 메틸 및 디메틸 아디페이트를 함유하는 에스테르 혼합물, 부틸 글리콜 아세테이트 및 그들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택된다. 바람직하게는 상기 용매는 2-메톡시-1-메틸에틸 아세테이트, 부틸 글리콜 아세테이트, 카르비톨 아세테이트, 2염기성 에스테르 및 그들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
본 발명에서 사용하기에 적합한 상업적으로 입수가능한 용매는 예를 들어 2-메톡시-1-메틸에틸 아세테이트 및 2염기성 에스테르 (Sigma Aldrich 사제); 및 부틸 글리콜 아세테이트 및 카르비톨 아세테이트 (EASTMAN 사제) 이다.
본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물은 조성물의 총 중량의 5 내지 70 중량%, 바람직하게는 15 내지 50 중량%, 더욱 바람직하게는 15 내지 45 중량% 의 용매를 포함한다.
본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물 중의 용매의 총량은 조성물의 총 중량의 70 중량% 를 초과하지 않는 것이 바람직하다. 조성물 중의 많은 용매 양은 불량한 전기 전도성, 불량한 자기 특성 및 불량한 부착을 초래한다. 또한, 너무 많은 용매 양은 얇은 건조 필름 두께를 초래하고, 이는 불량한 차폐 성능을 야기할 것이다. 다른 한편으로는, 적은 용매 양은 높은 점도 및 불량한 전기 전도성 및 불량한 자기 특성을 초래한다.
반응성 희석제
본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물은 반응성 희석제를 포함한다. 반응성 희석제는 열경화성 수지가 수지로서 사용될 때 특히 바람직하다.
본 발명에서 사용하기에 적합한 반응성 희석제는 3,4-에폭시시클로헥산카르복실레이트, 이소보르닐 아크릴레이트, 2-페녹시에틸 아크릴레이트; 네오데칸산-2,3-에폭시프로필 에스테르; 1,4-부탄디올디글리시딜 에테르; n-부틸글리시딜 에테르 및 2-에틸헥실 글리시딜 에테르로부터 선택되는 C8-C10 알킬 글리시딜 에테르; 페닐 글리시딜 에테르, 크레실 글리시딜 에테르 및 p-s-부틸페닐 글리시딜 에테르로부터 선택되는 방향족 글리시딜 에테르, 테트라글리시딜비스-(p-아미노페닐)-메탄; 스티렌 옥시드 및 α-피넨 옥시드; 알릴 글리시딜 에테르, 글리시딜 메타크릴레이트, 글리시딜 아크릴레이트 및 1-비닐-3,4-에폭시시클로헥산으로부터 선택되는 기타 관능성 기(들)을 갖는 모노에폭시드 화합물; (폴리)에틸렌 글리콜 디글리시딜 에테르, (폴리)프로필렌 글리콜 디글리시딜 에테르, 부탄디올 디글리시딜 에테르 및 네오펜틸 글리콜 디글리시딜 에테르로부터 선택되는 디에폭시드 화합물; 및 트리메틸올프로판 트리글리시딜 에테르 및 글리세린 트리글리시딜 에테르로부터 선택되는 트리에폭시드 화합물; 및 그들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되고, 바람직하게는 반응성 희석제는 3,4-에폭시시클로헥산카르복실레이트, 이소보르닐 아크릴레이트, 2-페녹시에틸 아크릴레이트 및 그들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
본 발명에서 사용하기에 적합한 상업적으로 입수가능한 반응성 희석제는 예를 들어 RE1825 (DAICEL 사제) 및 이소보르닐 아크릴레이트 예컨대 SR506 (Sartomer 사제) 이다.
본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물은 조성물의 총 중량의 3 내지 30 중량%, 바람직하게는 5 내지 20 중량%, 더욱 바람직하게는 5 내지 15 중량% 의 반응성 희석제를 포함한다.
본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물 중의 반응성 희석제의 총량은 조성물의 총 중량의 30 중량% 를 초과하지 않는 것이 바람직하다. 조성물 중의 너무 많은 반응성 희석제 양은 불량한 전기 전도성, 불량한 자기 특성 및 불량한 부착을 초래한다. 다른 한편으로는 적은 반응성 희석제 양은 높은 점도 및 불량한 전기 전도성 및 불량한 자기 특성을 초래한다.
경화제
본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물은 경화제를 추가로 포함할 수 있다. 경화제는 EMI 차폐 조성물이 열경화성 수지를 포함할 때 특히 바람직하다.
본 발명에서 사용되는 적합한 경화제는 무수물-함유 화합물; 질소-함유 화합물 예컨대 아민 화합물, 아미드 화합물 및 이미다졸 화합물; 다관능성 페놀; 카르복시산; 티올; 폴리올; 폴리아미드; 퍼옥시드; 수소 실리콘; 및 백금 촉매 및 그들의 혼합물을 포함한다.
더욱 특히, 조성물은 화학량론적 양의 경화제, 예컨대 무수물, 일차 및 이차 아민, 다관능성 페놀, 카르복시산, 티올 및 폴리올을 사용하여 경화될 수 있거나; 조성물은 비-화학량론적 양의 촉매, 예컨대 삼차 아민, 이미다졸 및 퍼옥시드를 사용하여 경화될 수 있거나; 또는 조성물은 그러한 경화제 및 촉매의 조합을 통해 경화될 수 있다.
바람직하게는 상기 경화제는 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 블록된 (blocked) 아민, 개질된 (modified) 이미다졸, 도데세닐 숙신산 무수물, 퍼옥시드 및 그들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
본 발명에서 사용하기에 적합한 상업적으로 입수가능한 경화제는 예를 들어 Imicure HAPI (Airproduct 사제), EMI-24-CN (PCI Synthesis 사제), EH 2021 (Adeka 사제) 및 DiCup (AkzoNobel 사제) 이다.
본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물은 조성물의 총 중량의 0.1 내지 20 중량%, 바람직하게는 0.2 내지 10 중량%, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 5 중량%, 더더욱 바람직하게는 0.75 내지 2.5 중량% 의 경화제를 포함할 수 있다.
가교제
본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물은 가교제를 추가로 포함할 수 있다. 가교제는 상기 EMI 차폐 조성물이 실리콘계 수지를 포함할 때 특히 바람직하다. 본 발명에서 사용하기에 적합한 가교제는 실리콘 수소-함유 실리콘, 실란 커플링제, 규산, 백금 촉매 및 그들의 혼합물을 포함한다.
본 발명에서 사용하기에 적합한 상업적으로 입수가능한 가교제는 예를 들어 Silopren U 가교제 430 (Momentive 사제) 이다.
본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물은 조성물의 총 중량의 0.01 내지 10 중량%, 바람직하게는 0.5 내지 5 중량%, 더욱 바람직하게는 1.5 내지 3 중량%, 가장 바람직하게는 1.75 내지 2.75 중량% 의 가교제를 포함할 수 있다.
광개시제
본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물은 광개시제를 추가로 포함할 수 있다. 광개시제는 EMI 차폐 조성물이 실리콘 수지를 포함할 때 특히 바람직하다.
본 발명에서 사용되는 적합한 광개시제는 예를 들어 히드록시케톤, 아미노케톤, 모노아실포스핀옥시드, 비스아실포스핀옥시드, 안티모니에이트, 유기 퍼옥시드, 아조-개시제 및 그들의 혼합물이다. 더욱 특히 광개시제는 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥시드일 수 있다.
본 발명에서 사용하기에 적합한 상업적으로 입수가능한 광개시제는 예를 들어 Irgacure 819 (BASF 사제) 이다.
본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물은 조성물의 총 중량의 0.01 내지 2.5 중량%, 바람직하게는 0.1 내지 2 중량%, 더욱 바람직하게는 0.2 내지 2 중량% 의 광개시제를 포함할 수 있다.
부착 촉진제
본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물은 부착 촉진제를 추가로 포함할 수 있다. 본 발명에서 사용되는 적합한 부착 촉진제는 실란을 포함한다.
바람직하게는 부착 촉진제는 (3-글리시딜옥시프로필)-트리메톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 비스[3-(트리에톡시실릴)-프로필]-테트라술피드 및 그들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
본 발명에서 사용하기에 적합한 상업적으로 입수가능한 부착 촉진제는 예를 들어 Z6040 및 Z6030 (Dow Corning 사제); 및 TS4 (UCT United chemical Technologies 사제) 이다.
본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물은 조성물의 총 중량의 0.05 내지 2 중량%, 바람직하게는 0.1 내지 1 중량% 의 부착 촉진제를 포함할 수 있다.
레올로지 조절제
본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물은 레올로지 조절제를 추가로 포함할 수 있다. 본 발명에서 사용되는 적합한 레올로지 조절제는 실리콘 및 실록산 예컨대 실리카 및 흄드 실리카와의 디메틸 실리콘 폴리머를 포함한다.
본 발명에서 사용하기에 적합한 상업적으로 입수가능한 레올로지 조절제는 예를 들어 Cab-O-Sil TS-720 (Cabot Corporation 사제) 이다.
본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물은 조성물의 총 중량의 0.01 내지 10 중량%, 바람직하게는 0.5 내지 5 중량%, 더욱 바람직하게는 1.5 내지 3 중량%, 가장 바람직하게는 1.75 내지 2.75 중량% 의 레올로지 조절제를 포함할 수 있다.
습윤 및 분산제
본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물은 습윤 및 분산제를 추가로 포함할 수 있다. 습윤 및 분산제는 조성물의 점도를 감소시키고 충전제 분산성을 개선하는데 사용된다.
본 발명에서 사용하기에 적합한 습윤 및 분산제는 예를 들어 산성 폴리에스테르 및 산성 코폴리머의 히드록시-관능성 알킬암모늄 염이다.
본 발명에서 사용하기에 적합한 상업적으로 입수가능한 습윤 및 분산제는 예를 들어 BYK-W985 및 BYK W-969 (Altana 사제) 이다.
본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물은 조성물의 총 중량의 0.01 내지 5 중량%, 바람직하게는 0.1 내지 3 중량%, 더욱 바람직하게는 0.2 내지 2 중량% 의 습윤 및 분산제를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물은 임의적 성분 예컨대 표면 광택 촉진제, 전도성 촉진제, 블리딩 방지제 (anti-bleeding agent) 및 부식 저해제를 추가로 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물은 페이스트, 액체 또는 필름의 형태일 수 있다.
본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물은 1MHz 내지 5GHz 의 넓은 주파수 범위에서 EMI 차폐를 위한 드롭-인 솔루션으로서 적합하며, 5MHz 내지 200MHz 의 상대적으로 저주파수인 범위에서 특히 효과적인 EMI 차폐를 제공한다.
본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물은 전기 디바이스에서 EMI 차폐 물질로서 사용될 수 있다. 본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물은 EMI 차폐를 위해 예를 들어 반도체 패키지 예컨대 SIP, 라디오 주파수 디바이스, 임베디드 멀티미디어 디바이스 또는 현재의 금속 캡 / 리드를 대체할 수 있는 보드 레벨 패키지에서 사용될 수 있다. 이들 패키지는 예를 들어 모바일 디바이스, 웨어러블, 컴퓨터, 차 및 의료 장비에서 사용될 수 있다.
본 발명은 EMI 차폐 조성물을 패키지의 상부에 및/또는 내부에 사용한다. 본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물은 예를 들어 스프레이 코팅에 의해, 디스펜싱 또는 젯팅 또는 프린팅에 의해 적용될 수 있다. 스프레이 코팅은 에어 스프레이 코팅 및 정전기 스프레이 코팅일 수 있다. 본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물은 적용 방법에 따라 약간 상이한 물리적 특성을 갖는다.
본 발명에 따른 스프레이 코팅 타입 EMI 차폐 조성물은 5 rpm 에서 100 내지 30000 cps, 바람직하게는 300 내지 5000 cps, 더욱 바람직하게는 500 내지 3250 cps 의 점도를 가지며, 점도는 아래 기재된 방법에 따라 측정된다.
점도는 Electronic Gap Setting Model 에 관한 CPE-51 을 갖는 Brookfield HBDV-III ULTRA 에 관한 표준 시험 방법을 사용하여 측정되며, 그러므로, 점도는 Electronic Gap Setting Model 에 관한 CPE-51 을 갖는 Brookfield HBDV-III ULTRA 을 사용하여 측정된다. 시험 온도는 25 ℃ ± 0.1 ℃ 로 설정되고 일정하게 유지된다. 시험 데이타는 0.5rpm 및 5rpm 에서 별개로 측정된다.
요변성 지수 (TI) 값은 0.5rpm 에서의 데이타의 5rpm 에서의 데이타에 대한 비율 (0.5rpm 에서의 점도/ 5rpm 에서의 점도) 로부터 계산된다.
본 발명에 따른 스프레이 코팅 타입 EMI 차폐 조성물은 1 초과, 바람직하게는 2 내지 8 의 요변성 지수를 갖는다.
본 발명에 따른 스프레이 코팅 타입 EMI 차폐 조성물은 1 초과, 바람직하게는 2.5 내지 8 의 항복 응력을 가지며, 항복 응력은 아래 기재된 시험 방법에 따라 측정된다.
항복 응력은 Rheometer AR2000 에 관한 표준 시험 방법을 사용하여 측정되고, 그러므로, 항복 응력은 Rheometer AR 2000 (TA Instruments 사제) 을 사용하여 측정된다. Casson 모드가 항복 응력을 계산하는데 사용된다.
본 발명에 따른 디스펜싱 / 젯팅 코팅 타입 EMI 차폐는 5 rpm 에서 100 내지 300000 cps, 바람직하게는 1000 내지 30000 cps, 더욱 바람직하게는 3000 내지 15000 cps 의 점도를 가지며, 점도는 위에 기재된 시험 방법에 따라 측정된다.
본 발명에 따른 디스펜싱 / 젯팅 코팅 타입 EMI 차폐 조성물은 0 초과, 그러나 5 미만, 바람직하게는 2.5 미만의 요변성 지수 (0.5 rpm 에서의 점도 / 5 rpm 에서의 점도) 를 갖는다.
본 발명에 따른 디스펜싱 / 젯팅 코팅 타입 EMI 차폐 조성물은 0 초과, 그러나 30 미만, 바람직하게는 10 미만의 항복 응력을 가지며, 항복 응력은 위에 기재된 방법에 따라 측정된다.
본 발명은 또한 본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물의 경화된 산물에 관한 것이다.
본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물은 완전 경화 후에 상당한 전기 및 자기 전도성을 제공한다. 바람직하게는 본 발명에 따른 경화된 EMI 차폐 조성물의 체적 저항률은 <5E-02 ohm.cm 이다. 바람직하게는 본 발명에 따른 경화된 EMI 차폐 조성물의 상대 투자율은 1.1 초과이다. 체적 저항률 및 상대 투자율에 관한 시험 방법은 아래 실시예 부분에 상세히 기재되어 있다.
본 발명에 따른 EMI 차폐 조성물은 20 dB 이상, 바람직하게는 30 이상, 더욱 바람직하게는 40 dB 이상의 차폐 효율을 제공하며, 차폐 효율은 아래 실시예 부분에 기재된 시험 방법에 따라 측정된다.
실시예
체적 저항
도 1 은 용어 "체적 저항" 을 정의하기 위한 예시되는 형상을 보여준다.
도면에서: R = ρL/S [Ω, ohm]
ρ: 25 ℃ 에서 1 m 길이 및 1 mm2 단면적을 갖는 전도체의 (체적) 저항률
체적 저항: ρ = RS/L [μΩ·m, μohm·m, 10E-4 ohm-cm]
Agilent 34401A 디지털 멀티미터, Gen Rad 1689 Precision RLC Digibridge 를 측정에서 사용했다.
특수한 4-점 프로브 시험 고정부를 4 개의 스프링-로드된 접촉자를 갖는 아크릴 물질로부터 만들었다. 전류 접촉자가 2 인치 (5.08 cm) 떨어져 있고, 전압 접촉자가 2 개의 전류 접촉자 사이에 있고, 전압 접촉자가 각각의 전류 접촉자로부터 0.5 인치 (1.27 cm) 만큼 분리되어 있도록, 접촉자를 아크릴 물질 내에 박았다.
샘플 제조:
3M Magic Scotch Tape 의 2 개의 롤을 지그 내에, 0.1" (0.254 cm) 떨어져 있도록 로딩했다.
0.1" (0.254 cm) 떨어져 있는 Scotch 테이프의 2 개의 평행 스트립을 갖는 세척된 유리 슬라이드를 지그의 평평한 바 (flat bar) 를 따라 미끄러뜨렸다. 주름 또는 버블이 테이프에 갇혀 있지 않았다. 주의: 유리 플레이트를 알코올 또는 아세톤으로 세척하고 사용 전에 공기 건조시켰다.
테이프 붙인 유리 플레이트를 실험실 종이 타월의 시트 위에 놓고 (테이프 붙인 면을 위로 함), 약간의 접착제를 유리 플레이트 위에 2 개의 테이프 스트립 사이에 떨어뜨렸다.
또다른 유리 플레이트의 직선 테두리 (또는 단일 테두리 레이저 블레이드) 를 사용하여 테이프의 2 개의 스트립 사이에 유리 슬라이드의 하나의 말단으로부터 다른 말단까지 접착제를 짜냈다 (유리 플레이트를 유리 플레이트의 표면과 직선 테두리 사이에서 약 30°각도로 유지했다). 접착제를 꽉 짜냈지만, 과도한 힘을 사용하지는 않았다. 적용된 스트립의 길이는 적어도 2.5 in (6.35 cm) 였다.
테이프의 2 개의 스트립을 유리 슬라이드로부터 제거하고, 샘플을 예열된 오븐에서 명시된 경화 스케줄에 따라 경화시켰다.
시편을 오븐 (또는 핫 플레이트) 로부터 제거하고, 실온으로 냉각시키고, 측정했다.
상대 투자율
샘플 제조:
가압 몰드 (2mm*2mm*0.3mm 두께) 에 약간의 이형제를 분무했다. 접착제 페이스트를 몰드 내로 짜내거나 부어서 평평한, 원통형 시편을 제조했다. 시편을 예열된 오븐에서 (공동을 제거하는 압력 하에) 제공된 명시된 경화 스케줄에 따라 경화시켰다. 주의: 시편을 연장된 1 시간 동안 경화시키는 것이 필수적일 수 있다. 부가적 1 시간은 몰드가 명시된 온도로 가열되기에 충분한 시간을 허용할 것이다. 이는 시편이 완전히 경화되는 것을 보장할 것이다.
시험 장비: PPMS (물리적 특성 측정 시스템) (Quantum Design 사제). 샘플 크기: 2.5mm*2.5mm*0.3mm. 입력: 자기장 강도 H. 응답 자기 토크 M. 출력: 선형 핏팅 (linear fitting) 후에 (포화 전에) 기울기는 투자율이었다.
도 2 는 본 발명의 실시예의 응답 자기 토크 M vs. 자기장 강도 H 의 그래프를 보여준다. 적용된 자기장 H 은 0 Oe 내지 30000 Oe 에서 100 Oe/s 의 비율로 달라지지만, M 은 대부분의 샘플에서 10000 Oe 후에 포화 값에 도달했으며, 이는 선형 부분이 0 Oe 내지 10000 Oe 였음을 의미한다.
차폐 효율
3 내지 150 ㎛ 의 두께를 갖는 필름을 본 발명에 따른 조성물로부터 제조한다. 필름의 두께는 적용물에 따라 다르지만, 목표 적용물에서의 실제 두께를 모방한다.
도 3 은 본 발명의 실시예의 실드 물질의 차폐 효과를 보여준다. 차폐 효과는 실드 물질을 EMI 파원과 EMI 파 검출기 사이에 놓아서 발생시킨다. 차폐 효율은 투과 EM 파와 입사 EM 파의 비의 로그로서 정의된다.
차폐 효율은 하기 등식으로부터 계산된다:
SE (dB) = 10 x log(Ei/Et),
식에서 Ei 는 입사 에너지를 나타내고, Et 는 투과 에너지를 나타낸다. 등식에서의 인수 (factor) 는 비율이 에너지 또는 전압인지 여부에 따라 10 또는 20 일 수 있으며, EM 파의 에너지가 측정되는 경우에, 그 때 인수 20 이 사용되고 다른 한편으로는, EM 파를 생성하는데 사용되는 전압이 측정되는 경우에, 그 때 인수는 10 이다.
하기 실시예를 하기 방법에 의해 제조했다:
입자를 제외한 모든 물질을 용기 내에 첨가했다. 입자를 수지 시스템 내에 잘 혼합하기 위해서 혼합물을 손으로, 그에 뒤이어 3 롤 밀로 혼합했다. 자기 및 전기 전도성 입자를 혼합물 내에 첨가하고, 손으로 혼합하고, 그에 뒤이어 Thinky 믹서로 (레볼루션 (revolution) 및 회전 혼합으로) 1000rpm 에 의해 1 min 동안 탈기하면서 혼합했다.
표 1 비교예
Figure pct00001
표 2
Figure pct00002
표 2
Figure pct00003
표 3
Figure pct00004
표 4
Figure pct00005
본 발명에 따른 실시예는 자기 입자 타입을 예시하고, 로딩 (loading) 은 상대 투자율에 대해 효과를 가지며, 반면에 수지 시스템은 상대 투자율에 대해 영향을 많이 미치지는 않는다. Ni-Fe 합금은 최고 상대 투자율을 제공하며, 그에 뒤잇는 것은 철 및 니켈이다. 더 높은 은 입자 로딩은 전기 전도성을 제공한다. 게다가, 자기 로딩이 더 높을수록, 투자율이 더 높아진다. 4 이상의 투자율을 달성하기 위해서 60-70% 의 자기 충전제 로딩을 갖는 것이 바람직하다.

Claims (17)

  1. EMI 차폐 조성물로서, 상기 조성물은
    a) 열가소성 수지 및/또는 열경화성 수지를 포함하는 수지;
    b) 용매 및/또는 반응성 희석제; 및
    c) 자기 입자와 전기 전도성 입자의 혼합물 또는
    전기 전도성 물질로 코팅된 자기 입자 또는
    전기 전도성 입자와 전기 전도성 물질로 코팅된 자기 입자의 혼합물
    을 포함하는 입자
    를 포함하며,
    상기 조성물은 조성물의 총 중량에 의해 10 중량% 이상의 자기 입자를 포함하는,
    EMI 차폐 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 자기 입자는 니켈, 철, 코발트, 페라이트, 퍼멀로이, 철-니켈 합금, 규소 철 (FeSi), FeSiCr 합금, FeSiAl 합금, FeCO 합금, 은 코팅된 니켈, 은 코팅된 철, 은 코팅된 코발트, 은 코팅된 철-니켈 합금, 은 코팅된 퍼멀로이, 은 코팅된 페라이트, 은 코팅된 실리콘 철, 은 코팅된 FeSiCr 합금, 은 코팅된 FeSiAl 합금, 은 코팅된 FeCO 합금 및 그들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는, EMI 차폐 조성물.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 전기 전도성 입자는 은 입자, 구리 입자, 아연 입자, 주석 입자, 비스무트 입자, 안티몬 입자, 인듐 입자, 알루미늄 입자, 금 입자; 흑연 입자, 탄소 입자, 은 코팅된 구리 입자, 은 코팅된 유리 입자, 은 코팅된 알루미늄 입자, 은 코팅된 주석 입자, 은 코팅된 비스무트 입자, 은 코팅된 안티몬 입자, 은 코팅된 인듐 입자, 은 코팅된 아연 입자, 은 코팅된 흑연, 주석, 은, 비스무트, 안티몬, 아연, 구리 및 인듐으로부터의 둘 이상의 혼합물로 만들어진 합금 입자; 주석, 은, 비스무트, 안티몬, 아연, 구리 및 인듐으로부터 선택되는 둘 이상의 금속으로 만들어진 은 코팅된 합금 입자; 및 그들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되고, 바람직하게는, 전도성 입자는 은 입자인, EMI 차폐 조성물.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 조성물은 조성물의 총 중량의 10 내지 95 중량%, 바람직하게는 20 내지 90 중량%, 더욱 바람직하게는 30 내지 85 중량%, 더욱 바람직하게는 40 내지 85 중량% 의 자기 입자를 포함하는, EMI 차폐 조성물.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 조성물은 조성물의 총 중량의 5 내지 85 중량%, 바람직하게는 10 내지 80 중량%, 더욱 바람직하게는 10 내지 73 중량% 의 전기 전도성 입자를 포함하는, EMI 차폐 조성물.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열가소성 수지는 페녹시 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리에테르 수지, 폴리술폰 수지, 폴리비닐 수지, 폴리비닐리덴 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리스티렌 코폴리머 수지, 플루오로 수지, 폴리(메트)아크릴레이트 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 셀룰로스 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리카르보네이트 수지 및 그들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되고, 바람직하게는, 열가소성 수지는 페녹시 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리(메트)아크릴레이트 수지 및 그들의 혼합물로부터 선택되는, EMI 차폐 조성물.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열경화성 수지는 알릴 수지, 비닐 수지, 아크릴 수지, 페놀 수지, 에폭시 수지, 옥세탄 수지, 이소시아네이트 수지, 말레이미드 수지, 비스말레이미드 수지, 시아네이트 에스테르 수지, 및 규소-함유 수지, 시아노아크릴레이트 수지, 비닐 에스테르 수지 및 그들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되고, 바람직하게는, 열경화성 수지는 에폭시 수지, 아크릴 수지, 규소-함유 수지 및 그들의 혼합물로부터 선택되는, EMI 차폐 조성물.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 조성물은 조성물의 총 중량의 2 내지 60 중량%, 바람직하게는 4 내지 45 중량%, 더욱 바람직하게는 4 내지 30 중량%, 가장 바람직하게는 4 내지 20 중량% 의 수지를 포함하는, EMI 차폐 조성물.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 용매는 물, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 에틸렌 글리콜, 프로필 아세테이트, 부틸 아세테이트, 2염기성 에스테르, 에틸 프록시톨 에톡시프로판올, 카르비톨 아세테이트, 2-메톡시-1-메틸에틸 아세테이트, 카르비톨 아세테이트, 2-메톡시-1-메틸에틸 아세테이트, 디프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 아세테이트, 메틸 이소부틸 케톤, 2-부톡시 에탄올, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르 아세테이트, 4-메틸-1,3-디옥솔란-2-온, 디메틸 술폭시드, N-메틸-2-피롤리돈, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 에틸 에테르 아세테이트, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 페놀, 테르피네올, γ-부티로 락톤, 메틸 숙시네이트 및 글루타르산 메틸 및 디메틸 아디페이트를 함유하는 에스테르 혼합물, 부틸 글리콜 아세테이트 및 그들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는, EMI 차폐 조성물.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 조성물은 조성물의 총 중량의 5 내지 70 중량%, 바람직하게는 15 내지 50 중량%, 더욱 바람직하게는 15 내지 45 중량% 의 용매를 포함하는, EMI 차폐 조성물.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 반응성 희석제는 3,4-에폭시시클로헥산카르복실레이트, 이소보르닐 아크릴레이트, 2-페녹시에틸 아크릴레이트; 네오데칸산-2,3-에폭시프로필 에스테르; 1,4-부탄디올디글리시딜 에테르; n-부틸글리시딜 에테르 및 2-에틸헥실 글리시딜 에테르로부터 선택되는 C8-C10 알킬 글리시딜 에테르; 페닐 글리시딜 에테르, 크레실 글리시딜 에테르 및 p-s-부틸페닐 글리시딜 에테르로부터 선택되는 방향족 글리시딜 에테르, 테트라글리시딜비스-(p-아미노페닐)-메탄; 스티렌 옥시드 및 a-피넨 옥시드; 알릴 글리시딜 에테르, 글리시딜 메타크릴레이트, 글리시딜 아크릴레이트 및 1-비닐-3,4-에폭시시클로헥산으로부터 선택되는 기타 관능성 기(들)을 갖는 모노에폭시드 화합물; (폴리)에틸렌 글리콜 디글리시딜 에테르, (폴리)프로필렌 글리콜 디글리시딜 에테르, 부탄디올 디글리시딜 에테르 및 네오펜틸 글리콜 디글리시딜 에테르로부터 선택되는 디에폭시드 화합물; 및 트리메틸올프로판 트리글리시딜 에테르 및 글리세린 트리글리시딜 에테르로부터 선택되는 트리에폭시드 화합물; 및 그들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되고, 바람직하게는 반응성 희석제는 3,4-에폭시시클로헥산카르복실레이트, 이소보르닐 아크릴레이트, 2-페녹시에틸 아크릴레이트 및 그들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는, EMI 차폐 조성물.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 조성물은 조성물의 총 중량의 3 내지 30 중량%, 바람직하게는 5 내지 20 중량%, 더욱 바람직하게는 5 내지 15 중량% 의 반응성 희석제를 포함하는, EMI 차폐 조성물.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 조성물은 무수물, 아민 화합물, 아미드 화합물, 이미다졸 화합물, 다관능성 페놀, 카르복시산, 티올, 폴리올, 폴리아미드, 퍼옥시드, 수소 실리콘 및 백금 촉매 및 그들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 경화제를 포함하는, EMI 차폐 조성물.
  14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 조성물은 조성물의 총 중량의 0.1 내지 10 중량%, 바람직하게는 0.5 내지 5 중량%, 더욱 바람직하게는 0.75 내지 2.5 중량% 의 경화제를 포함하는, EMI 차폐 조성물.
  15. 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 따른 EMI 차폐 조성물의 경화된 산물.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 경화된 산물은 5E-02 ohm.cm 미만의 체적 저항 및 1.1 초과의 상대 투자율을 갖는, 경화된 산물.
  17. 전기 디바이스에서의 EMI 차폐 물질로서의, 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 따른 EMI 차폐 조성물의 용도.
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