JP2019193140A - アナログマルチプレクサ付き増幅回路 - Google Patents
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Abstract
Description
他方、特許文献2記載のように、ゲイン切り替え用スイッチS11〜S14,S21〜S24を入力端子と出力端子との間のフィードバック電流経路に配置しないようにし、スイッチのオン抵抗の影響を無くす構成が提案されているが、入力にマルチプレクサを設けていないため、複数入力を増幅することができない。また、入力にマルチプレクサを単純に設けたとしても、このマルチプレクサのスイッチのオン抵抗の影響により特許文献1と同様の誤差が生じてしまう。
本開示の目的は、スイッチのオン抵抗による精度の悪化を無くすことができるようにしたアナログマルチプレクサ付き増幅回路を提供することにある。
以下、本発明の第1実施形態について図1及び図2を参照して説明する。図1は、アナログマルチプレクサ付き増幅回路(以下、増幅回路と略す)1の電気的構成図を示している。増幅回路1は、オペアンプOP1と、第1スイッチ群S1〜S4と、第2スイッチ群S5〜S8と、フィードバック抵抗群Rf1〜Rf4と、第3スイッチ群S9〜S12と、を備えた電流電圧変換回路である。第1〜第3スイッチ群を構成する各スイッチS1〜S12は、例えばMOSトランジスタにより構成されており、制御部としての制御回路2からそれぞれ独立にオン・オフ制御可能に構成される。第1〜第3スイッチ群S1〜S4,S5〜S8,S9〜S12は、一つのマルチプレクサを用いて構成されている。これらの第1〜第3スイッチ群S1〜S4,S5〜S8,S9〜S12は、それぞれ複数入力端子IN1〜IN4の入力端子数(例えば、4個)だけ、それぞれスイッチS1〜S4,S5〜S8,S9〜S12を備える。
フィードバック抵抗群Rf1〜Rf4は、その抵抗値が互いに異なる値に設定されていても同一値に設定されていても良い。フィードバック抵抗群Rf1〜Rf4は、例えばポリシリコン(p−Si)、タンタルナイトライド(TaN)、又はクロムシリコン(SiCr)を用いて構成される。例えばフィードバック抵抗群Rf1〜Rf4が、抵抗値の許容差を比較的容易に小さくできるタンタルナイトライド、クロムシリコンを用いて構成されていれば、精度の悪化を低減できる。
制御回路2は、各入力端子IN1〜IN4のうち何れかの入力端子(例えばIN1)に入力される入力電流(例えばIIN1)の通電経路に対応したスイッチ(例えばS1,S5,S9)を選択的にオン制御し、その他のスイッチ(例えばS2〜S4,S6〜S8,S10〜S12)をオフ制御する。
図2は、各スイッチのオン・オフのスイッチングに係るタイミングチャートを示している。図2の期間T1に示すように、制御回路2が、第1入力端子IN1の入力電流IIN1の通電経路に対応した第1、第2、第3スイッチS1,S5,S9をそれぞれ同期してオン制御したときには、その他の第1、第2、第3スイッチS2〜S4,S6〜S8,S10〜S12を全てオフ制御する。この後、図2の期間T2に示すように、制御回路2は、第1、第2、第3スイッチS1,S5,S9をオン状態からオフに制御した後に、第2入力端子IN2の入力電流IIN2の通電経路に対応した第1、第2、第3スイッチS2,S6,S10をそれぞれ同期してオフからオンに制御する。
仮に例えば、図1に示すフィードバック抵抗群Rf1〜Rf4と第2スイッチS5〜S8とをノードN5〜N8を挟んで入れ替えて配置すると、第2スイッチS5〜S8が、電流電圧変換ゲインのフィードバック経路に介在することになるため、当該第2スイッチS5〜S8のオン抵抗Ronの抵抗値に比例する電圧が出力電圧VOUTに重畳されることで誤差になってしまい、出力電圧VOUTの精度が悪化してしまう。
また仮に、図1に示す第1スイッチS1〜S4を複数入力端子IN1〜IN4とノードN1〜N4との間に配置した場合、第1スイッチS1〜S4のオン抵抗Ronが、電流電圧変換ゲインに直接影響することになってしまい、電流電圧変換出力電圧VOUTの精度が悪化してしまう。
本実施形態においては、第2スイッチS5〜S8及びフィードバック抵抗Rf1〜Rf4が、それぞれ、オペアンプOP1の出力端子から、複数入力端子IN1〜IN4と第1スイッチS1〜S4との間のノードN1〜N4に至るまでの間に順に直列接続されている。このため、第2スイッチS5〜S8とフィードバック抵抗Rf1〜Rf4とのそれぞれの間のノードN5〜N8から第3スイッチ群S9〜S12から出力端子OUTを通じて直接電圧を出力できるようになり、オペアンプOP1の出力端子から反転入力端子に至るフィードバック経路に配置された第2スイッチS5〜S8のオン抵抗Ronに係る誤差の影響を排除できるようになる。この結果、電流電圧変換出力電圧VOUTの精度悪化を防止でき、増幅精度の悪化を低減できる。
さらに、複数入力端子IN1〜IN4とノードN1〜N4との間にスイッチ(特に第1スイッチS1〜S4)を配置しないように構成したため、前述同様にスイッチのオン抵抗Ronに係る誤差の影響を排除することができ、これらの複数入力端子IN1〜IN4に入力される入力電流IIN1〜IIN4を精度良く電流電圧変換できる。
図3は、第2実施形態に係るアナログマルチプレクサ付き増幅回路201の電気的構成図を示している。図3に示すように、入力抵抗群Rin1〜Rin4は、複数入力端子IN1〜IN4と第1スイッチ群S1〜S4との間にそれぞれ直列接続されている。ここで入力抵抗群Rin1〜Rin4と第1スイッチ群S1〜S4との間のノードをそれぞれノードN1A〜N4Aとする。複数入力端子IN1〜IN4には、電圧VIN1〜VIN4がそれぞれ入力可能になっている。この電圧VIN1〜VIN4が「複数入力」に相当する。その他の構成は、第1実施形態と同様の構成であるため説明を省略する。この場合、下記の(2)式の関係が成立する。
図4は、第3実施形態に係るアナログマルチプレクサ付き増幅回路301の電気的構成図を示している。本実施形態が、第2実施形態と異なるところは、図4に示すように、オフセット抵抗群Rdof1〜Rdof4が、入力抵抗群Rin1〜Rin4と第1スイッチ群S1〜S4との間のノードN1A〜N4Aとグランドノードとの間に接続されているところである。
図5は、第4実施形態に係るアナログマルチプレクサ付き増幅回路401の電気的構成図を示している。本実施形態が、第2実施形態と異なるところは、図5に示すように、オフセット抵抗群Ruof1〜Ruof4が、入力抵抗群Rin1〜Rin4及び第1スイッチ群S1〜S4の間のノードN1A〜N4Aと直流電源電圧Vccの出力ノード(直流電源電圧出力ノード相当)Ncとの間に接続されているところにある。
図6は、第5実施形態のアナログマルチプレクサ付き増幅回路(以下、増幅回路と略す)501の電気的構成図を示している。本実施形態が、第2実施形態と異なるところは、図6に示すように、フィードバック抵抗群Rf1A〜Rf4A,Rf1B〜Rf4B,Rf1C〜Rf4Cが、複数の抵抗素子Rf1A〜Rf4A,Rf1B〜Rf4B,Rf1C〜Rf4Cをそれぞれ直列接続して構成されているところにある。また、第3スイッチ群S9A〜S12A,S9B〜S12B,S9C〜S12Cが、複数の抵抗素子Rf1A〜Rf4A,Rf1B〜Rf4B,Rf1C〜Rf4C及び第2スイッチ群S5〜S8の間のノードN5A〜N8A,N5B〜N8B,N5C〜N8Cと出力端子OUTとの間に接続されているところも異なる。
すると、増幅回路501は、オペアンプOP1の出力端子から入力抵抗Rin1の側にフィードバックする経路途中のノード(例えば、図6でN5C)から一つの第3スイッチ(例えば、図6ではS9C)を通じて電圧VOUTを出力できる。
ここで、制御回路2がスイッチS9Aをオン制御したときには、下記の(5−1)式の関係が成立し、制御回路2がスイッチS9Bをオン制御したときには、下記の(5−2)式の関係が成立し、制御回路2がスイッチS9Cをオン制御したときには、下記の(5−3)式の関係が成立する。
本発明は、前述実施形態に限定されるものではなく、例えば以下に示す変形または拡張が可能である。前述した実施形態を組み合わせて構成することもできる。
第1から第3スイッチ群S1〜S4,S5〜S8,S9〜S12,S9A〜S12A,S9B〜S12B,S9C〜S12Cの各スイッチのうち何れか又はその2つ以上のスイッチ群を一つのマルチプレクサに一体に設けた構成に適用できる。例えば第2及び第3スイッチ群S5〜S8,S9〜S12を一体のマルチプレクサにより構成しても良い。また、第2スイッチ群S5〜S8が一つのマルチプレクサ、第3スイッチ群S9〜S12が一つのマルチプレクサによりそれぞれ構成されていても良い。
Claims (7)
- 複数入力端子と一つの出力端子を備えるアナログマルチプレクサ付き増幅回路であって、
オペアンプ(OP1)と、
前記複数入力端子(IN1〜IN4)と前記オペアンプの反転入力端子との間にそれぞれ接続された第1スイッチ群(S1〜S4)と、
前記オペアンプの出力から、前記複数入力端子と前記第1スイッチ群との間のノード(N1〜N4;N1A〜N4A)に至るまでの間に、それぞれ第2スイッチ、フィードバック抵抗が順に直列接続された第2スイッチ群(S5〜S8)及びフィードバック抵抗群(Rf1〜Rf4;Rf1A〜Rf4A,Rf1B〜Rf4B,Rf1C〜Rf4C)と、
前記第2スイッチ群及び前記フィードバック抵抗群のそれぞれの間のノード(N5〜N8)と前記出力端子との間にそれぞれ接続された第3スイッチ群(S9〜S12;S9A〜S12A,S9B〜S12B,S9C〜S12C)と、
を備えるアナログマルチプレクサ付き増幅回路。 - 前記複数入力端子と前記第1スイッチ群との間にそれぞれ直列接続された入力抵抗群(Rin1〜Rin4)をさらに備える請求項1記載のアナログマルチプレクサ付き増幅回路。
- 前記入力抵抗群及び前記第1スイッチ群の間のノード(N1A〜N4A)とグランドとの間に接続されたオフセット抵抗群(Rdof1〜Rdof4)をさらに備える請求項2記載のアナログマルチプレクサ付き増幅回路。
- 前記入力抵抗群及び前記第1スイッチ群の間のノード(N1A〜N4A)と直流電源電圧出力ノードとの間に接続されたオフセット抵抗群(Ruof1〜Ruof4)をさらに備える請求項2記載のアナログマルチプレクサ付き増幅回路。
- 前記フィードバック抵抗群(Rf1A〜Rf4A,Rf1B〜Rf4B,Rf1C〜Rf4C)は、複数の抵抗素子(Rf1A〜Rf4A,Rf1B〜Rf4B,Rf1C〜Rf4C)をそれぞれ直列接続して構成され、
前記第3スイッチ群(S9A〜S12A,S9B〜S12B,S9C〜S12C)は、前記複数の抵抗素子及び前記第2スイッチ群のそれぞれの間のノード(N5A〜N8A,N5B〜N8B,N5C〜N8C)と前記出力端子との間に接続されている請求項2記載のアナログマルチプレクサ付き増幅回路。 - 前記フィードバック抵抗は、タンタルナイトライド(TaN)又はクロムシリコン(SiCr)を用いて構成される請求項1から5の何れか一項に記載のアナログマルチプレクサ付き増幅回路。
- 前記第1から第3スイッチ群は、前記複数入力端子に対応した数だけそれぞれスイッチを備えて構成され、
前記複数入力端子に対応した前記第1から第3スイッチ群のスイッチを互いに同期してオン・オフする制御部(2)を備え、
前記制御部は、前記複数入力端子のうちの第1入力に対応した前記第1から第3スイッチ群のスイッチをオンからオフした後に、前記第1入力とは異なる第2入力に対応した前記第1から第3スイッチ群のスイッチをオフからオンする請求項1から6の何れか一項に記載のアナログマルチプレクサ付き増幅回路。
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Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5248692Y2 (ja) * | 1971-08-25 | 1977-11-05 | ||
JPS62173809A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-07-30 | Fujitsu Ltd | 増幅装置 |
JPH0379120A (ja) * | 1989-08-22 | 1991-04-04 | Fujitsu Ltd | 入力保護回路 |
JP2008079100A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Nec Electronics Corp | 選択回路 |
JP2010171886A (ja) * | 2009-01-26 | 2010-08-05 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 電子ボリューム回路 |
JP2014023149A (ja) * | 2012-07-19 | 2014-02-03 | Honeywell Internatl Inc | 多出力相互コンダクタンス増幅器に基づく計装用増幅器 |
US20160099694A1 (en) * | 2014-10-07 | 2016-04-07 | Analog Devices, Inc. | Wide range transimpedance amplifier |
JP2016072923A (ja) * | 2014-10-01 | 2016-05-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路、可変利得増幅器、及び、センサシステム |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2801938B2 (ja) | 1989-12-01 | 1998-09-21 | 大日本インキ化学工業株式会社 | 農園芸用殺菌組成物 |
JPH09170467A (ja) | 1995-12-20 | 1997-06-30 | Denso Corp | 内燃機関の燃料供給装置 |
JP3262066B2 (ja) | 1998-04-15 | 2002-03-04 | 日本電気株式会社 | Pga(プログラマブル・ゲインアンプ)回路 |
DE10152888A1 (de) | 2001-10-26 | 2003-05-15 | Infineon Technologies Ag | Integrierter Analogmultiplexer |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5248692Y2 (ja) * | 1971-08-25 | 1977-11-05 | ||
JPS62173809A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-07-30 | Fujitsu Ltd | 増幅装置 |
JPH0379120A (ja) * | 1989-08-22 | 1991-04-04 | Fujitsu Ltd | 入力保護回路 |
JP2008079100A (ja) * | 2006-09-22 | 2008-04-03 | Nec Electronics Corp | 選択回路 |
JP2010171886A (ja) * | 2009-01-26 | 2010-08-05 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 電子ボリューム回路 |
JP2014023149A (ja) * | 2012-07-19 | 2014-02-03 | Honeywell Internatl Inc | 多出力相互コンダクタンス増幅器に基づく計装用増幅器 |
JP2016072923A (ja) * | 2014-10-01 | 2016-05-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路、可変利得増幅器、及び、センサシステム |
US20160099694A1 (en) * | 2014-10-07 | 2016-04-07 | Analog Devices, Inc. | Wide range transimpedance amplifier |
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