JP2019189494A - 断熱性遮蔽部材及びそれを備えた単結晶製造装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図5に断面模式図を示した単結晶製造装置100を用いて、昇華法による炭化珪素単結晶の成長について説明する。
昇華法は、通常黒鉛製の結晶成長用容器(るつぼ)101内で、その下部に収容された原料部(原料粉末)102と、蓋部103の下面に取り付けた単結晶成長用基板(種結晶)104とを対向して配置し、原料部102を加熱、昇華させて、原料ガスを種結晶104上に導入し、種結晶104上に再結晶させて単結晶105を成長させるものである。
高温側の原料部102からの輻射は、種結晶104の温度分布を形成し、結果として成長面形状を決める要素となる。成長面形状を制御する方法として、円形状の平板からなる遮蔽板106を設ける方法が知られている(例えば、特許文献1〜3)。この方法は、原料部102から種結晶への輻射を遮蔽板106を介して照射する形とし、遮蔽板106上面の温度分布を制御することによって、種結晶の等温面形状を平坦や凸面に制御できる。すなわち、成長面形状を平坦や凸面に制御できる。
特許文献1においては、遮蔽板106自体の温度が上昇して、この遮蔽板106からの熱輻射によって単結晶105の中心部の温度が上昇し、図5に示したように、単結晶105の中央部が熱エッチングされ、窪みが生じるという問題が指摘され、その問題を解決するために、中央部が凹陥する形状とされた構造の遮蔽板(以下、「中央部凹陥遮蔽板」ということがある。)や、熱伝導率の異なる2種類の材料で構成され、中央部を構成する第1の材料を、周辺部を構成する第2の材料より熱伝導率の小さい材料で構成した遮蔽板(以下、「中央部低熱伝導率遮蔽板」ということがある。)が提案された。
すなわち、さらなる大口径化、長尺化には成長速度の向上が必須であるが、原料部からの原料の蒸発速度を向上させるために原料部(特に原料面(図5の符号102a))の温度を上昇すると、種結晶あるいは成長結晶の表面温度も上昇して6H−SiCが混入しやすくなるという問題がある。一方、6H−SiCの成長を抑制するために原料部の温度を低下させると、さらなる大口径化、長尺化に際して成長時間の長時間化を伴い、原料面で析出が起こることが問題になってくる。大口径化、長尺化のためには、多量の原料をルツボに充填する必要があるが、多量の原料を充填したルツボの原料下部を加熱すると、ルツボにつけた温度差のうち大部分が原料内についてしまい、原料下部と原料表面の温度差が大きくなる。結果として、下部で昇華した原料ガスが原料表面で飽和してしまい、種結晶に到達することなく原料面で析出してしまう。この原料面の析出は、原料ガスを単結晶の成長に有効利用できないほか、成長安定性低下および品質劣化につながる。この原料面の析出を抑制するために、加熱中心を原料表面に近づけるなどして、原料表面を高温にすると、種結晶の高温化により、6H−SiCが混入してしまう。
以上の通り、さらなる大口径化、長尺化に際して、原料部の温度を上げるのにも下げるのにも問題を抱えるというジレンマに陥っている。
本発明は、原料部(特に原料面)の温度を上昇させつつ、種結晶あるいは成長結晶の表面温度を上昇させない(できるだけ低温にする)ことは、原料面温度と種結晶あるいは成長結晶の表面温度との温度差(以下、「縦方向温度差」ということがある)を大きくする技術によって実現するものである。
以下では、炭化珪素単結晶の成長を例に挙げて説明する。
図1に、本発明の断熱性遮蔽部材、及び、それを備えた本発明の単結晶製造装置の一例の縦断面模式図を示す。
図1に示す本発明の断熱性遮蔽部材1は、結晶成長用容器(坩堝)2(坩堝本体2Aと坩堝蓋部2Bとから構成)と、この結晶成長用容器2の外周に配置する加熱手段5とを具備し、結晶成長用容器2は、その下部に位置する原料収容部3と、原料収容部3の上方に配置して、原料収容部3に対向するように結晶成長用基板(種結晶)Sを支持する基板支持部(台座)4とを備え、原料収容部3から原料(原料部)Mを昇華させて基板S上に原料Mの単結晶Wを成長させる単結晶製造装置10において、原料収容部3と基板支持部4との間に配置して用いられるものである。
また、坩堝本体2Aの外周には、坩堝2を保温する断熱材(不図示)を有している。種結晶Sは、坩堝蓋部2Bに設けられた台座4に取り付けられる。
以下図示において、台座4と炭化珪素単結晶成長用原料Mが対向する方向を上下方向(縦方向)とし、上下方向に対して直交する方向を左右方向(横方向)とする。
なお、断熱材料は結晶内に不純物が入らないよう、高純度化処理したものが好ましい。
断熱性遮蔽部材の熱伝導性としては、20W/m・K以下であることが好ましく、10W/m・K以下であることがより好ましく、5W/m・K以下であることがさらに好ましい。
断熱性遮蔽部材の熱伝導性の下限としての目安を挙げると、1W/m・K程度である。
「少なくとも厚み方向の熱伝導性が40W/m・K以下の断熱材料」は、カーボン材料(炭素材料)に限らず、高耐熱性を有する金属炭化物や、金属炭化物を多孔性にしたようなもの(多孔性金属炭化物)や、金属炭化物粉末を黒鉛容器に充填したような構造体でもよい。
断熱性遮蔽部材の材料としては、従来の黒鉛製遮蔽板に対して実質的な断熱効果(縦方向温度差及び/又は原料内温度差)を得るためには、従来の黒鉛製遮蔽板の熱伝導率に対して40%以下であることが好ましく、20%以下であることがより好ましく、5%以下であることがさらに好ましい。かかる材料としては、炭素繊維材、膨張黒鉛を例示できる。後述するシミュレーションにおいては、断熱性遮蔽部材のモデルとして、熱伝導率が従来の黒鉛遮蔽板の熱伝導率の2.5%である場合を採用した。
なお、「少なくとも」なので、厚み方向以外の方向の熱伝導性も40W/m・K以下であってもよい。
すなわち、従来の遮蔽板は黒鉛をベースにした材料からなるものであり、その表面のコーティングの有無、黒鉛の種類によって多少大小するが、80〜130W/m・K程度の熱伝導率を有するものである。この遮蔽板の熱伝導率のために、従来の遮蔽板を用いて炭化珪素単結晶を成長させた場合、遮蔽板を介して種結晶Sあるいは成長結晶Wと原料面Msとが熱的に強い相関を有する関係になっている。
かかる熱異方性遮蔽部材の材料としては、グラフォイル(登録商標)などの黒鉛シートを例示できる。
シミュレーションは、STR-Group Ltd社製の気相結晶成長解析ソフト「Virtual Reactor」を用いて行った。シミュレーションに用いた単結晶製造装置の構造モデルとしては、従来の遮蔽板に対する本発明の断熱性遮蔽部材の断熱効果を確認するために、円柱状のるつぼと、上蓋の裏側に台座と、遮蔽部材(遮蔽板)と、るつぼ下部に原料とを有し、台座に種結晶を配置したシンプルな構造を採用した。
シミュレーションに用いた単結晶製造装置の構造モデルでは、るつぼは黒鉛製であり、内径230mm、種結晶はSiC製であり、直径150mmとした。
SiC単結晶を成長させるような高温での熱伝導率の正確な値を知ることは困難であるため、シミュレーションに用いた単結晶製造装置の構造モデルにおいては、本発明の断熱性遮蔽部材の熱伝導率としては、従来の黒鉛製遮蔽板の熱伝導率に対する大きさの割合によって規定した。
遮蔽板は直径170mm、厚み5mmであって、従来の遮蔽板は黒鉛製のもの(表1の(b)に対応)と、本発明の断熱性遮蔽部材の熱伝導率としては従来の遮蔽板の熱伝導率の2.5%の値を採用したもの(フェルトからなる断熱性遮蔽部材に相当)(表1の(c)に対応)と、本発明の熱異方性遮蔽部材としては、厚み方向の熱伝導率に対する面方向の熱伝導率が1/6であって、厚み方向の熱伝導率が従来の遮蔽板の熱伝導率の6.9%の値を採用したもの(黒鉛シートからなる断熱性遮蔽部材に相当)(表1の(d)に対応)とを用いた。種結晶と遮蔽板又は断熱性遮蔽部材との距離は70mmとした。ルツボ下部の最高温度点の温度は2300℃として固定した。
また、表1に、シミュレーションによる温度分布に基づく各部位の温度を示す。
図3及び表1中の(a)~(e)について、(a)は、遮蔽板を用いなかった場合、(b)は、従来の黒鉛製遮蔽板を用いた場合(種結晶と遮蔽板との距離は70mm)、(c)は、従来の遮蔽板の熱伝導率の2.5%の値を採用した断熱性遮蔽部材(本発明の断熱性遮蔽部材)、(d)は、厚み方向の熱伝導率に対する面方向の熱伝導率が1/6であって、厚み方向の熱伝導率が従来の遮蔽板の熱伝導率の6.9%の値を採用した断熱性遮蔽部材としての熱異方性遮蔽部材(本発明の断熱性遮蔽部材)、(e)は、従来の黒鉛製遮蔽板を用い、(b)の場合よりも遮蔽板を距離1/4までに近づけた場合(すなわち、種結晶と遮蔽板との距離は17.5mm)、である。
また、表1中で、種結晶温度とは、種結晶の原料収容部側の表面の温度であり、また、原料面温度とは、原料収容部内に収容された原料の種結晶側の表面の温度であり、また、原料下部温度とは、原料収容部内に収容された原料のるつぼの底に接触する面の温度であり、また、縦方向温度差とは、種結晶温度と原料面温度との温度差であり、また、原料内温度差とは、原料面温度と原料下部温度との温度差である。
また、原料内の温度差についても、従来の遮蔽板の場合は66.4℃であったのに対して、本発明の断熱性遮蔽部材である(c)を用いた場合には62.4℃、また、本発明の断熱性遮蔽部材である(d)を用いた場合には縦方向温度差は63.0℃といずれも、大きく改善されていることがわかる。
この構成によれば、仮に断熱材料1Aが原料ガスと反応しやすい材料の場合であっても、黒鉛材料1Bによってその反応を回避又は抑制することができる。原料昇華ガスは主にSi、Si2C、SiC2であるため、黒鉛材のCと反応が起こる。特に、炭素繊維材のような多孔性黒鉛材料は比表面積が大きく、通常の黒鉛よりも反応が起こりやすい。反応が起こることで、黒鉛材料はさらに疎な状態に変化し、黒鉛粉がルツボ内に舞いやすくなる。この黒鉛粉がカーボンインクルージョンとしてSiC単結晶中に取り込まれ、マイクロパイプ等の結晶欠陥を誘発させる。そのため、多孔性黒鉛材料はむき出しの状態よりも、別の反応しにくい黒鉛材料で包み込むことが望ましい。
なお、図4では、断熱材料1Aと黒鉛材料1Bとを隙間なく描いているが、それらの間に空間を有してもよい。
金属炭化物としては例えば、TaC、WC、NbC、MoCなどを挙げることができる。
この構成によれば、仮に内部が原料ガスと反応しやすい材料の場合でも、金属炭化物層によってその反応を回避又は抑制することができる。るつぼ内の黒鉛材料は少なからず原料ガスと反応するため、長時間の成長においては、反応しにくい黒鉛材を用いたとしても、黒鉛粉が舞う可能性がある。そのため、結晶長尺化のためには、金属炭化物被覆が望ましい。
2 結晶成長用容器
3 原料収容部
4 基板支持部
5 加熱手段
Claims (7)
- 結晶成長用容器と該結晶成長用容器の外周に配置する加熱手段とを具備し、前記結晶成長用容器は、下部に位置する原料収容部と、該原料収容部の上方に配置して、該原料収容部に対向するように基板を支持する基板支持部とを備え、前記原料収容部から原料を昇華させて前記基板上に前記原料の単結晶を成長させる単結晶製造装置において、
前記原料収容部と前記基板支持部との間に配置して用いられる断熱性遮蔽部材。 - 前記断熱性遮蔽部材は、黒鉛より熱伝導率が低い低熱伝導率カーボン材を含んでいる請求項1に記載の断熱性遮蔽部材。
- 前記低熱伝導率カーボン材は、炭素繊維材、または膨張黒鉛のいずれかである請求項2に記載の断熱性遮蔽部材。
- 前記低熱伝導率カーボン材は、熱異方性を有する黒鉛材である請求項2に記載の断熱性遮蔽部材。
- 黒鉛材料によって断熱材料が包まれた構造を有する、請求項1〜4のいずれか一項に記載の断熱性遮蔽部材。
- 金属炭化物層によって表面が被覆されている、請求項1〜5のいずれか一項に記載の断熱性遮蔽部材。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載の断熱性遮蔽部材を備えた単結晶製造装置。
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