JP2019145655A - 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム - Google Patents
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Abstract
Description
(基板処理装置の構成)
(装置全体)
図1は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の構成例を示す斜透視図である。
基板処理装置10は、内部に処理炉400等の主要部が配置される筐体12を備えている。筐体12の正面側には、OHT(Overhead Hoist Transport)ステージと呼ばれるポッドステージ18が配置されている。ポッドステージ18上には、ウエハ14を収納する搬送容器としてのポッド16が搬送されて載置される。ポッド16は、その内部に例えば25枚のウエハ14が収納され、図示しない蓋が閉じられた状態でポッドステージ18上に載置されるように構成されている。つまり、基板処理装置10では、ポッド16がウエハキャリアとして使用され、そのポッド16が載置されるステージ部としてのポッドステージ18を利用しつつ外部装置(例えばポッド搬送システム)とポッド16の授受を行うようになっている。
続いて、上述した処理炉400について、図2、図3を用いて説明する。
図2は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置に用いられる処理炉の構成例を示す縦断面図である。図3は本発明の一実施形態にかかるガス導入管、処理ガス搬送管、それらの周辺の部分拡大図である。
ガス導入管408はマニホールド405のOリング416を介してフランジ405aに固定される。ガス導入管408の上流端には処理ガス搬送管409の下流端が隣接される。処理ガス搬送管409は、搬送するガスに対する耐腐食性等を考慮して材質が選択される。例えば金属等で構成される。
次に、上述した各部の動作を制御するコントローラ260について、図5を用いて説明する。コントローラ260は、基板処理装置10の全体の動作を制御するためのものである。例えばガス供給制御部や排気部がコントローラ260によって制御される。
コントローラ260は、CPU(Central Processing Unit)260a、RAM(Random Access Memory)260b、記憶装置260c、I/Oポート260dを備えたコンピュータとして構成されている。RAM260b、記憶装置260c、I/Oポート260dは、内部バス260eを介して、CPU260aとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ260には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置261や、外部記憶装置262が接続可能に構成されている。入出力装置261からは、コントローラ260に対して情報入力を行い得る。また、入出力装置261は、コントローラ260の制御に従って情報の表示出力を行うようになっている。さらに、コントローラ260には、受信部285を通じてネットワーク263が接続可能に構成されている。このことは、コントローラ260がネットワーク263上に存在するホストコンピュータ等の上位装置290とも接続可能であることを意味する。
続いて、本発明の一実施形態に係る基板処理工程について説明する。なお、本実施形態に係る基板処理工程は、例えばCVD(Chemical Vapor Deposition)法を用いてウエハ14の表面に膜を形成する方法であり、半導体装置の製造工程の一工程として実施される。なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ260により制御される。
基板搬入工程S10を説明する。まず、複数枚のウエハ14を基板支持部30に装填(ウエハチャージ)する。そして、複数枚のウエハ14を支持した基板支持部30を、図示せぬボートエレベータによって持ち上げて処理空間402内に搬入(ボートローディング)する。この状態で、シールキャップ406はOリング407を介してマニホールド405の下端をシールした状態となる。
続いて、減圧及び昇圧工程S20を説明する。処理空間402内が所望の圧力(真空度)となるように、処理空間402内の雰囲気を排気部410から排気する。この際、処理空間402内の圧力を測定して、この測定された圧力に基づき、排気部410に設けられたAPCバルブ410bの開度をフィードバック制御する。また、処理空間402内が所望の温度となるように、ヒータ411によって加熱する。この際、処理空間402内が所望の温度分布となるように、温度センサが検出した温度情報に基づきヒータ411への通電具合をフィードバック制御する。そして、回転機構403により基板支持部30を回転させ、ウエハ14を回転させる。
続いて、成膜工程S30を説明する。成膜工程では、ウエハ14上にガスを供給して、所望の膜を形成する。
続いて、昇圧工程S40を説明する。成膜工程S30が終了したら、APCバルブ410bの開度を小さくし、処理空間402内の圧力が大気圧になるまで処理空間402内にパージガスを供給する。パージガスは、例えばN2ガスであり、不活性ガス搬送管413a、413を介して処理空間に供給される。
続いて基板搬出工程S50を説明する。ここでは、基板搬入工程S10と逆の手順により、成膜済のウエハ14を処理空間402内から搬出する。
続いて第二の実施形態を、図6を用いて説明する。第二の実施形態は、第一の実施形態と比べてOリングの配置場所、圧力調整空間を構成する周辺構造が異なる。他の構成は同様であるため説明を省略する。
続いて、図7を用いて第三の実施形態を説明する。図7は一枚ずつウエハを処理する枚葉装置型の基板処理装置500である。図7において、第一の実施形態と同番号は同様の構成であるため説明を省略する。図7(a)は枚葉装置500の説明図であり、図7(b)は図7(a)の点線部分を拡大した説明図である。なお、本装置においてもコントローラを有するが、第一の実施形態のコントローラ260と同様の構成であるため、説明を省略する。
401 処理室
408 ガス導入管
409 処理ガス搬送管
412 炉口ボックス
415 継手部
417 Oリング
418 Oリング
419 隣接部
420 圧力調整空間
Claims (9)
- 基板を支持する基板支持部と、
前記基板が処理される第一空間を有する処理室と、
前記第一空間の雰囲気を排気する排気部と、
前記第一空間にガスを供給するガス導入管と、前記ガス導入管に連通される処理ガス搬送管と、前記第一空間の外側の第二空間において、前記ガス導入管と前記処理ガス搬送管とが隣接する隣接部を覆うように構成すると共に、前記ガス導入管と前記処理ガス搬送管とを固定する継手部と、前記隣接部と前記第二空間との間に設けられた圧力調整部とを有するガス供給系と
を備えた基板処理装置。 - 前記継手部が配される空間は第二空間であって、前記基板を処理する際の圧力は、前記第二空間と前記圧力調整部とは同圧となるよう構成される請求項1に記載の基板処理装置。
- 前記ガス供給系は大気成分と反応するガスを搬送する第一ガス供給系を有し、前記圧力調整部は、少なくとも第一ガス供給系に設けられる請求項1または請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記圧力調整部は、第一のシール部材と、第二のシール部材と、前記第一のシール部材と前記第二のシール部材との間に構成された圧力調整空間とを有すると共に、前記ガス導入管または前記ガス搬送管のいずれかと、前記継手との間に設けられるよう構成される請求項1から請求項3のうち、いずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記ガス導入管は石英で構成され、前記第一のシール部材は弾性体で構成され、前記ガス導入管は前記第一のシール部材で支持されるよう構成される請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記第一のシール部材は、前記第一空間と前記圧力調整部との間に設けられるよう構成される請求項4または請求項5に記載の基板処理装置。
- 基板を支持する基板支持部と、
前記基板支持部が内包された状態で基板を処理する反応管と、
前記反応管を支持するマニホールドと、
前記基板支持部が通過する炉口を有する炉口部と、
前記処理室にて基板を処理する際、シール部材を介して前記炉口を塞ぐシールキャップと、
前記反応管と前記マニホールドで構成される第一空間の雰囲気を排気可能な排気部と、
前記炉口部の外側に設けられ、前記処理空間と隔離された第二空間を構成する炉口ボックス部と、前記処理空間にガスを供給するガス導入管と、前記第一空間の外側で、前記ガス導入管と前記処理ガス搬送管とが隣接する隣接部を覆うように構成すると共に、前記ガス導入管と前記処理ガス搬送管とを固定する継手部と、前記隣接部と前記第二空間との間に設けられた圧力調整部とを有するガス供給系と
を備えた基板処理装置。 - 基板を支持する基板支持部を、第一空間を有する処理室に搬入する工程と、
処理ガス搬送管と、前記第一空間にガスを供給するガス導入管と、前記第一空間の外側の第二空間において、前記ガス導入管と前記処理ガス搬送管とが隣接する隣接部を覆うように構成すると共に、前記ガス導入管と前記処理ガス搬送管とを固定する継手部と、前記隣接部と前記第二空間との間に設けられた圧力調整部とを有するガス供給系から前記第一空間にガスを供給する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 - 基板を支持する基板支持部を、第一空間を有する処理室に搬入する手順と、
処理ガス搬送管と、前記第一空間にガスを供給するガス導入管と、前記第一空間の外側の第二空間において、前記ガス導入管と前記処理ガス搬送管とが隣接する隣接部を覆うように構成すると共に、前記ガス導入管と前記処理ガス搬送管とを固定する継手部と、前記隣接部と前記第二空間との間に設けられた圧力調整部とを有するガス供給系から前記第一空間にガスを供給する手順と、
をコンピュータによって基板処理装置に実行させるプログラム。
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