KR20210027339A - 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 - Google Patents

기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 Download PDF

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Abstract

처리실에서 대기 분위기의 침입을 억제 가능한 기술을 제공한다.
기판을 지지하는 기판 지지부; 상기 기판이 처리되는 제1 공간을 포함하는 처리실; 상기 제1 공간의 분위기를 배기하는 배기부; 상기 제1 공간에 가스를 공급하는 가스 도입관과, 상기 가스 도입관에 연통되는 처리 가스 반송관; 상기 제1 공간의 외측의 제2 공간에서 상기 가스 도입관과 상기 처리 가스 반송관이 인접되는 인접부를 피복하도록 구성하는 것과 함께, 상기 가스 도입관과 상기 처리 가스 반송관을 고정하는 이음새부; 및 상기 인접부와 상기 제2 공간 사이에 설치된 압력 조정부를 포함하는 기술이 제공된다.

Description

기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND NON-TRANSITORY COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM}
본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체에 관한 것이다.
기판을 처리하는 기판 처리 장치는 처리실에서 기판 상에 다양한 막을 형성하는 것이 가능하다. 일부의 막은 산소 등의 대기(大氣) 성분의 영향을 적게 할 필요가 있다. 그렇기 때문에 기판 처리 장치에서는 대기 성분의 영향을 저감하도록 노력할 필요가 있다. 기판을 처리하는 장치로서는 예컨대 특허문헌 1에 개시된 장치가 존재한다.
1. 일본 특개 2010-199160호 공보
처리실에서 대기 분위기의 침입을 억제 가능한 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
기판을 지지하는 기판 지지부; 상기 기판이 처리되는 제1 공간을 포함하는 처리실; 상기 제1 공간의 분위기를 배기하는 배기부; 상기 제1 공간에 가스를 공급하는 가스 도입관; 상기 가스 도입관에 연통되는 처리 가스 반송관; 상기 제1 공간의 외측에서 상기 가스 도입관과 상기 처리 가스 반송관이 인접되는 인접부를 피복하도록 구성하는 것과 함께, 상기 가스 도입관과 상기 처리 가스 반송관을 고정하는 이음새부; 및 상기 인접부와 상기 제2 공간 사이에 설치된 압력 조정부를 포함하는 기술이 제공된다.
본원에서 개시된 기술에 따르면, 처리실에서 대기 분위기의 침입을 억제 가능해진다.
도 1은 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치를 설명하는 설명도.
도 2는 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치가 구비하는 처리로의 설명도.
도 3은 제1 실시 형태에 따른 이음새부와 그 주변을 설명하는 설명도.
도 4는 비교예에 따른 기판 처리 장치를 설명하는 설명도.
도 5는 제1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 컨트롤러를 설명하는 설명도.
도 6은 제2 실시 형태에 따른 이음새부와 그 주변을 설명하는 설명도.
도 7a 및 도 7b는 제3 실시 형태에 따른 기판 처리 장치를 설명하는 설명도.
(제1 실시 형태)
(기판 처리 장치의 구성)
(장치 전체)
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치의 구성예를 도시하는 사투시도(斜透視圖)다. 기판 처리 장치(10)는 내부에 처리로(400) 등의 주요부가 배치되는 광체(12)(筐體)를 구비한다. 광체(12)의 정면측에는 OHT(Overhead Hoist Transport) 스테이지라고 불리는 포드 스테이지(18)가 배치된다. 포드 스테이지(18) 상에는 웨이퍼(14)를 수납하는 반송 용기로서의 포드(16)가 반송되어 재치된다. 포드(16)는 그 내부에 예컨대 25매의 웨이퍼(14)가 수납되고, 미도시의 덮개가 닫힌 상태에서 포드 스테이지(18) 상에 재치되도록 구성된다. 즉 기판 처리 장치(10)에서는 포드(16)가 웨이퍼 캐리어로서 사용되고, 그 포드(16)가 재치되는 스테이지부로서의 포드 스테이지(18)를 이용하면서 외부 장치(예컨대 포드 반송 시스템)와 포드(16)의 수수(授受)를 수행하도록 이루어진다.
광체(12) 내의 정면측이자 포드 스테이지(18)에 대향하는 위치에는 포드(16)를 반송하는 반송 용기 이재 로봇으로서의 포드 반송 장치(20)가 배치된다. 포드 반송 장치(20)의 근방에는 포드(16)를 격납 가능한 제1 선반으로서의 회전 포드 선반(22a), 포드(16)를 격납 가능한 제2 선반으로서의 적층 포드 선반(22b) 및 포드 오프너(24)가 각각 배치된다.
포드 반송 장치(20)는 포드 스테이지(18)와 회전 포드 선반(22a)과 적층 포드 선반(22b)과 포드 오프너(24) 사이에 포드(16)를 반송하도록 구성된다.
회전 포드 선반(22a)은 포드 오프너(24)의 상방(上方)의 영역인 제1 선반영역에 배치되고, 포드(16)를 복수 개 재치한 상태에서 보지(保持)하도록 구성된다. 회전 포드 선반(22a)은 복수 단(예컨대 5단)의 선반판을 포함하고, 모터 등의 미도시의 간헐 회전 구동(驅動) 장치에 의해 일 방향으로 피치 단위로 회전되는 이른바 회전 선반에 의해 구성하는 것을 생각해볼 수 있다. 단, 회전 기능은 필수가 아니다.
적층 포드 선반(22b)은 포드 스테이지(18) 하방(下方)의 영역인 제2 선반영역에 배치되고, 포드(16)를 복수 개 재치한 상태에서 보지하도록 구성된다. 적층 포드 선반(22b)은 복수 단(예컨대 3단)의 선반판을 포함하고, 각각의 선반판 상에 포드(16)가 재치되는 이른바 적층 선반에 의해 구성하는 것을 생각해볼 수 있다. 또한 적층 포드 선반(22b)에서의 복수 단의 선반판 중 적어도 하나(예컨대 최하단)의 선반판은 광체(12)의 정면측으로부터 수작업으로 포드(16)를 재치할 수 있도록 구성되어도 좋다.
포드 오프너(24)는 포드(16)의 덮개를 열도록 구성된다. 또한 포드 오프너(24)에 대해서는 덮개가 열린 포드(16) 내의 웨이퍼(14)의 매수를 검지하는 기판 매수 검지기가 인접하게 배치되어도 좋다.
포드 오프너(24)보다 광체(12) 내의 배면측에는 상기 광체(12) 내에서 하나의 방으로서 구획되는 반송 영역으로서의 이재실(50)이 형성된다.
이재실(50) 내에는 기판 이재기(28)와, 기판 지지체로서의 기판 지지부(30)가 배치된다. 기판 지지부(30)는 보트라고도 부른다. 기판 이재기(28)는 예컨대 5매의 웨이퍼(14)를 취출(取出)할 수 있는 암(트위저)(32)을 포함한다. 미도시의 구동 수단에 의해 암(32)을 상하 회전 동작시키는 것에 의해 포드 오프너(24)의 위치에 재치된 포드(16)와 기판 지지부(30) 사이에서 웨이퍼(14)를 반송시키는 것이 가능하도록 구성된다.
기판 지지부(30)는 복수 매(예컨대 50매 내지 175매 정도)의 웨이퍼(14)를 수평 자세로 또한 그 중심을 맞춘 상태에서 연직 방향으로 소정 간격을 두고 정렬하여 적층시켜서 세로 방향으로 다단으로 지지하도록 구성된다. 웨이퍼(14)를 지지한 기판 지지부(30)는 미도시의 승강 기구로서의 보트 엘리베이터에 의해 승강시키는 것이 가능하도록 구성된다.
광체(12) 내의 배면측 상부, 즉 이재실(50)의 상방측에는 처리로(400)가 배치된다. 처리로(400) 내에는 복수 매의 웨이퍼(14)를 장전(裝塡)한 전술한 기판 지지부(30)가 하방으로부터 반입되도록 구성된다.
(처리로)
계속해서 전술한 처리로(400)에 대해서 도 2, 도 3을 이용하여 설명한다. 도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치에 이용되는 처리로의 구성예를 도시하는 종단면도다. 도 3은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 가스 도입관, 처리 가스 반송관, 그것들 주변의 부분 확대도다.
처리로(400)는 반응관으로 구성되는 반응관(401)을 구비한다. 반응관(401)은 예컨대 석영(SiO2)이나 탄화규소(SiC) 등의 내열성을 가지는 비금속 재료로 구성되고, 상단부가 폐색(閉塞)되고 하단부가 개방된 원통 형상으로 이루어진다. 도 3에 도시하는 바와 같이 하단부는 후술하는 O링(414)을 개재하여 매니폴드(405)에 의해 지지된다. 반응관(401)과 매니폴드(405)의 내측에 구성되는 공간을 처리 공간(402)이라고 부른다. 또한 반응관(401)과 매니폴드(405)를 총칭하여 처리실이라고 부른다. 처리 공간(402)은 제1 공간이라고도 부른다.
매니폴드(405)에는 노구(爐口)가 형성된다. 노구는 기판 지지부(30)가 처리 공간(402)에 삽입될 때 통과하는 출입구다. 매니폴드, 노구 등을 총칭하여 노구부라고도 부른다.
처리 공간(402)에는 기판 지지부(30)에 의해 수평 자세로 지지된 웨이퍼(14)가 연직 방향으로 다단으로 정렬된 상태에서 수용되도록 구성된다. 처리 공간(402)에 수용되는 기판 지지부(30)는 회전 기구(403)에 의해 회전축(404)을 회전시키는 것에 의해 처리 공간(402) 내의 기밀을 보지한 채로 복수의 웨이퍼(14)를 탑재한 상태에서 회전 가능하도록 구성된다.
반응관(401) 하방에는 이 반응관(401)과 동심원 형상으로 매니폴드(405)가 배설(配設)된다. 매니폴드(405)는 예컨대 스텐레스 강철 등의 금속 재료로 구성되고, 상단부 및 하단부가 개방된 원통 형상으로 이루어진다. 이 매니폴드(405)에 의해 반응관(401)은 하단부측으로부터 세로 방향으로 지지된다. 즉 처리 공간(402)을 형성하는 반응관(401)이 매니폴드(405)를 개재하여 연직 방향으로 입각되어 처리로(400)가 구성된다.
노구는 미도시의 보트 엘리베이터가 상승했을 때 씰 캡(406)에 의해 기밀하게 봉지되도록 구성된다. 매니폴드(405)의 하단부와 씰 캡(406) 사이에는 처리 공간(402) 내를 기밀하게 봉지하는 O링 등의 봉지 부재(407)가 설치된다.
또한 매니폴드(405)에는 처리 공간(402) 내에 처리 가스나 퍼지 가스 등을 도입하기 위한 가스 도입관(408)과, 처리 공간(402) 내의 가스를 배기하기 위한 배기부(410)가 각각 접속된다. 배기부(410)는 배기관(410a)과 APC(Automatic Pressure Controller)(410b)를 포함한다.
가스 도입관(408)은 노즐이다. 가스 도입관(408)의 하류측에는 복수의 가스 공급공이 설치되고, 가스 도입관(408)의 관내는 반응관(401)에 연통되도록 구성된다. 처리 가스 등은 가스 공급공으로부터 처리 공간(402)에 공급된다.
가스 도입관(408)은 예컨대 2개 설치된다. 이 경우 1개는 원료 가스를 공급하는 제1 가스 도입관(408a)이며, 타방(他方)의 관은 원료 가스와 반응하는 반응 가스를 공급하는 제2 공급관(408b)이다. 또한 여기서는 2개의 공급관에 대해서 설명했지만 이에 한정되지 않고, 프로세스의 종류에 따라서는 3개 이상이어도 좋다.
가스 도입관(408)은 상류측에서 처리 가스 반송관(409)에 접속된다. 처리 가스 반송관(409)은 가스원 등으로부터 가스 도입관(408)까지 가스를 반송한다. 제1 가스 도입관(408a)에는 제1 처리 가스 반송관(409a)이 접속되고, 제2 가스 도입관(408b)에는 제2 처리 가스 반송관(409b)이 접속된다. 가스 도입관(408)과 처리 가스 반송관(409)의 접속에 대해서는 후술한다.
처리 가스 반송관(409)에는 불활성 가스 반송관(413)이 접속된다. 불활성 가스 반송관(413)은 처리 가스 반송관(409)에 불활성 가스를 공급한다. 불활성 가스는 예컨대 질소(N2) 가스이며 처리 가스의 캐리어 가스로서, 또는 반응관(401), 가스 도입관(408), 처리 가스 반송관(409)의 퍼지 가스로서 작용한다.
제1 처리 가스 반송관(409a)에는 제1 불활성 가스 반송관(413a)이 접속되고, 제2 처리 가스 반송관(409b)에는 제2 불활성 가스 반송관(413b)이 접속된다.
처리 가스 반송관(409)에는 처리 가스의 공급량을 제어하는 매스 플로우 컨트롤러(431), 밸브(432)가 설치된다. 제1 처리 가스 반송관(409a)에는 매스 플로우 컨트롤러(431a), 밸브(432a)가 설치된다. 제2 처리 가스 반송관(409b)에는 매스 플로우 컨트롤러(431b), 밸브(432b)가 설치된다. 매스 플로우 컨트롤러(431), 밸브(432)를 총칭하여 처리 가스 공급 제어부라고 부른다.
불활성 가스 반송관(413)에는 불활성 가스의 공급량을 제어하는 매스 플로우 컨트롤러(433), 밸브(434)가 설치된다. 제1 불활성 가스 도입관(413a)에는 매스 플로우 컨트롤러(433a), 밸브(434a)가 설치된다. 제2 불활성 가스 도입관(413b)에는 매스 플로우 컨트롤러(433b), 밸브(434b)가 설치된다. 매스 플로우 컨트롤러(433), 밸브(434)를 총칭하여 불활성 가스 공급 제어부라고 부른다.
처리 가스 공급 제어부와 불활성 가스 공급부를 총칭하여 가스 공급 제어부라고 부른다.
반응관(401)의 외주에는 반응관(401)과 동심원 형상으로 가열 수단(가열 기구)으로서의 히터(411)가 배치된다. 히터(411)는 처리 공간(402) 내가 전체에 걸쳐서 균일하게 또는 소정의 온도 분포가 되도록 처리 공간(402) 내의 분위기를 가열하도록 구성된다.
매니폴드(405)의 외주에는 노구 박스(412)가 설치된다.
계속해서 도 3을 이용하여 노구 박스(412), 가스 도입관(408), 처리 가스 반송관(409)과의 관계성에 대해서 설명한다. 도 3은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 가스 도입관(408), 처리 가스 반송관(409), 그것들 주변의 부분 확대도다.
가스 도입관(408)은 매니폴드(405)의 측벽을 수평 자세로 관통하여 가스 도입관의 수평부를 구성한다. 가스 도입관(408)과 매니폴드(405) 측벽 사이에는 O링(416)이 설치되고, 처리 공간(402) 내의 기밀이 확보되도록 구성된다. 여기서는 매니폴드(405)의 플랜지(405a)와 가스 도입관(408) 사이에 O링(416)이 설치된다.
가스 도입관(408)의 상류측은 매니폴드(405)의 측벽 외측에 돌출하고, 처리 가스 반송관(409)의 하류단에 설치된 이음새부(415)와 기밀하게 감합(勘合)된다. 가스 도입관(408)의 하류단은 반응관(401) 내에서 수직상방을 향하여 굴곡된다.
반응관(401), 가스 도입관(408)의 외주에는 히터(411)가 설치된다. 히터(411)는 히터 베이스(443)에 의해 지지된다. 가스 도입관(408)은 히터(411)에 의해 가열되므로, 예컨대 석영(SiO2)이나 탄화규소(SiC) 등의 내열성을 가지는 비금속 재료로 구성된다.
또한 가스 도입관(408)의 굴곡부의 하방에는 매니폴드(405) 내벽에 설치된 대좌(421)(臺座)와, 대좌(421)에 설치된 나사 공(孔)을 연직 방향으로 관통하는 경사 조정 나사(422)를 구비한 노즐 경사 조정 기구가 설치된다. 경사 조정 나사(422)의 높이를 조정하여 그 상단을 가스 도입관(408)의 굴곡부에 하방으로부터 당접(當接)시키는 것에 의해 가스 도입관(408)의 경사[가스 도입관(408)의 가스 공급공과 웨이퍼(14)의 거리]를 조정 가능하도록 구성된다.
매니폴드(405) 측벽의 외주이자 히터(411) 하방에는 노구 박스(412)가 설치된다. 노구 박스(412)는 주로 히터 베이스(443), 매니폴드(405)를 둘러싸는 벽인 노구 박스 벽(423), 매니폴드(405)로 구성된다. 노구 박스(412)에는 배기구(424)가 설치된다. 노구 박스(412) 내에 구성되는 공간(412a)은 제2 공간이라고도 부른다.
노구 박스(412)는 노구부에서 발생하는 가스 누설을 국소적으로 포획하여 배기구(424)를 개재하여 장치 외로 배출한다. 또한 노구 박스(412)는 분위기를 배기할 수 있으면 좋고, 반응관(401)과 같이 진공 레벨로 하거나 분위기를 퍼지하지도 않는다. 따라서 노구 박스는 대기 분위기다.
노구 박스(412) 내에는 이음새부(415)가 내포된다. 이음새부(415)는 도시와 같이 가스 도입관(408)의 상류단과 처리 가스 반송관(409)의 하류단을 피복하도록 설치된다. 이음새부(415)는 금속으로 구성되고, 각 관이 연통되도록 고정된다. 이음새부(415)는 주로 상방부와 하방부의 2개의 부품으로 구성된다. 고정할 때는 상방부와 하방부에서 각 관을 개재하는 것과 함께 나사 등을 이용하여 상방부와 하방부를 고정한다.
또한 도 3에서는 설명의 편의상 1쌍의 가스 도입관(408)과 처리 가스 반송관(409)을 도시하지만, 가스 도입관(408a)과 처리 가스 반송관(409a), 가스 도입관(408b)과 처리 가스 반송관(409b)의 조합 각각도 도 3에 도시된 구성으로 한다. 이에 한정되지 않고, 어느 일방(一方)의 조합만 도 3에 도시된 구성으로 해도 좋다.
계속해서 이음새부(415)와 그 주변의 구조에 대해서 설명한다. 가스 도입관(408)은 매니폴드(405)의 O링(416)을 개재하여 플랜지(405a)에 고정된다. 가스 도입관(408)의 상류단에는 처리 가스 반송관(409)의 하류단이 인접된다. 처리 가스 반송관(409)은 반송하는 가스에 대한 내(耐)부식성 등을 고려하여 재질이 선택된다. 예컨대 금속 등으로 구성된다.
가스 도입관(408)과 처리 가스 반송관(409)은 극간을 개재하여 인접된다. 여기서는 그 극간을 포함하는 공간을 인접부(419)라고 부른다. 가스 도입관(408)은 전술한 바와 같이 석영이나 탄화 규소 등으로 구성되지만, 고온으로 노출되기 때문 부재가 팽창된다. 그래서 여유 부분이 되는 인접부(419)를 설치하여 열에 의한 팽창을 흡수하도록 구성한다. 또한 인접부(419)는 제1 처리 가스 반송관(409a)과 제1 가스 도입관(408a) 사이에서는 인접부(419a)라고 부르고, 제2 처리 가스 반송관(409b)과 제2 가스 도입관(408b) 사이에서는 인접부(419b)라고 부른다.
처리 가스 반송관(409)은 금속으로 구성되므로 마찬가지로 금속제의 이음새부(415)를 접촉시킨 상태에서 고정 가능하다. 한편, 가스 도입관(408)은 석영 등의 비금속 부재이므로 이음새부(415)는 O링(417)을 개재하여 고정한다. O링(417)은 비금속부재인 가스 도입관(408)을 손상시키기 어렵고 또한 고정이 용이한 고무 등의 탄성체로 구성된다.
이음새부(415)는 플랜지(415a)를 포함한다. 플랜지(415a) 내에 가스 도입관(408)을 삽입하는 것에 의해 가스 도입관(408), 처리 가스 반송관(409)의 중심축이 어긋나지 않도록 위치 맞춤을 한다.
여기서 도 4를 이용하여 비교예에 대해서 설명한다. 도 4의 구성은 후술하는 도 3에 기재된 O링(418), 압력 조정 공간(420)이 존재하지 않는다.
전술한 바와 같이 이음새부(415)는 대기 분위기의 노구 박스(412) 중의 공간(412a)에 존재하기 때문에 대기 성분에 노출된다. 예컨대 산소 성분에 노출된다. 한편, 처리 공간(402)은 후술하는 기판 처리 공정에서 진공 레벨까지 감압된다. 즉 공간(412a)과 처리 공간(402)의 압력 차이가 커진다. 이러한 상황 속에서 본 발명자들은 기판을 처리할 때 대기 성분이 O링을 투과하여 인접부(419)에 침입된다는 사실을 발견했다.
예의 연구한 결과, 발명자들은 대기 성분의 투과성은 압력 차이와 비례하는 것을 발견했다. 여기서는 기판 처리 중에는 처리 공간의 압력을 진공 레벨까지 저하시킬 필요가 있고, 그렇게 하면 처리 공간(402)과 연통하는 인접부(419)도 저절로 압력이 저하된다. 그렇기 때문에 공간(412a)과 인접부(419) 사이의 압력 차이가 커지고, 공간(412a)의 대기 성분이 O링(417)을 투과하여 처리 공간(402)에 침입된다. 구체적으로는 대기 성분 중의 산소 성분이 O링(417)을 투과하여 인접부(419)에 침입된다. 침입된 대기 성분은 처리 가스에 혼입될 우려가 있다.
처리 가스에 산소 성분이 혼입되면 이음새부(415)의 주변이나 가스 도입관(409)의 내부에서 가스가 반응한다는 문제가 있다. 예컨대 가스 도입관(409)이나 인접부(419)에 산소 성분과 반응하는 처리 가스가 존재하는 경우 그것들이 반응해서 반응물이 생성된다. 또한 이음새부(415)에서는 생성된 반응물이 인접부(419) 등에서 확산되어 파티클의 원인이 된다. 또한 가스 도입관(409)이나 인접부(419)에서 반응물이 생성되어 퇴적되기 때문에 고빈도로 클리닝할 필요가 있다.
또한 제2 비교예로서 O링(417)을 대기 성분이 투과하기 어려운 재질, 예컨대 금속으로 하는 것을 생각해볼 수 있다. 금속제의 경우 석영 등의 비금속성 재질인 가스 도입관(408)을 지지하기 어렵거나, 또는 가스 도입관(408)이 팽창한 경우에 그 팽창을 흡수하지 못한다. 또한 금속제 O링을 설치하는 경우 특별한 공구를 사용할 필요가 있으며, 또한 작업 스페이스를 확보할 필요가 있다. 이러한 설치 관점에서 생각해봐도 금속제 O링의 사용은 바람직하지 않다.
그래서 이들 문제 중 적어도 하나, 또는 그것들의 조합에 대응하기 위해서 도 3과 같이 O링(418), 압력 조정 공간(420)을 설치한다. 이하, O링(418), 압력 조정 공간(420)의 상세에 대해서 설명한다.
O링(418)은 O링(417)을 개재하여 공간(412a)과 인접부(419) 사이에 설치된다. 본 실시 형태에서는 O링(418)은 플랜지(415a)와 가스 도입관(408) 사이에 설치된다. 이러한 위치에 배치하는 것에 의해 압력 조정 공간(420)을 구성하는 것과 함께 압력 조정 공간(420)과 공간(412a)을 격리한다.
압력 조정 공간(420)은 주로 가스 도입관(408)의 외벽, 플랜지(415a), O링(417), O링(418)으로 둘러싸이는 공간이다.
여기서는 압력 조정 공간(420), 제1 씰 부재인 O링(417), 제2 씰 부재인 O링(418)을 총칭하여 압력 조정부라고 부른다.
압력 조정 공간(420)은 인접부(419)나 처리 공간(402)과 격리되기 때문에 후술하는 기판 처리 공정에서의 처리 공간(402)에서의 압력 조정의 영향이 적다. 따라서 압력 조정 공간(420)은 노구 박스(412)의 공간(412a)과 같은 정도의 압력을 유지할 수 있다.
압력 조정 공간(420)과 공간(412a)이 같은 정도의 압력이므로, 공간(412a)으로부터 압력 조정 공간(420)을 향하는 대기 성분의 흐름이 억제된다. 압력 조정 공간(420)의 공간에 산소 성분이 흐르지 않으므로 인접부(419)로의 대기 성분의 침입이 억제된다.
또한 처리 가스 반송관(409), 가스 도입관(408), 이음새부(415), 압력 조정부를 총칭하여 가스 공급계라고 부른다. 처리 가스 반송관(409a), 가스 도입관(408a), 이음새부(415a), 이와 관련된 압력 조정부를 포함하는 가스 공급계를 제1 가스 공급계라고 부른다. 처리 가스 반송관(409b), 가스 도입관(408b), 이음새부(415b), 이와 관련된 압력 조정부를 포함하는 가스 공급계를 제2 가스 공급계라고 부른다.
또한 압력 조정부는 적어도 대기 성분과 반응하는 가스가 반송되는 가스 공급계에 설치되면 좋다. 예컨대 제1 가스 공급계로 대기 성분과 반응하는 가스가 반송되고, 제2 가스 공급계로 대기 성분과 반응하지 않는 가스가 반송되는 경우 적어도 제1 가스 공급계에 압력 조정부를 설치한다.
(컨트롤러)
다음으로 전술한 각(各) 부(部)의 동작을 제어하는 컨트롤러(260)에 대해서 도 5를 이용하여 설명한다. 컨트롤러(260)는 기판 처리 장치(10)의 전체 동작을 제어하기 위한 것이다. 예컨대 가스 공급 제어부나 배기부(410)가 컨트롤러(260)에 의해 제어된다.
도 5는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 장치가 포함하는 컨트롤러의 구성예를 모식적으로 도시하는 블록도다. 컨트롤러(260)는 CPU(Central Processing Unit)(260a), RAM(Random Access Memory)(260b), 기억 장치(260c), I/O 포트(260d)를 구비한 컴퓨터로서 구성된다. RAM(260b), 기억 장치(260c), I/O 포트(260d)는 내부 버스(260e)를 개재하여 CPU(260a)과 데이터 교환 가능하도록 구성된다. 컨트롤러(260)에는 예컨대 터치패널 등으로서 구성된 입출력 장치(261)나, 외부 기억 장치(262)가 접속 가능하도록 구성된다. 입출력 장치(261)로부터는 컨트롤러(260)에 대하여 정보 입력을 수행할 수 있다. 또한 입출력 장치(261)는 컨트롤러(260)의 제어에 따라 정보의 표시 출력을 수행하도록 이루어진다. 또한 컨트롤러(260)에는 수신부(285)를 통해서 네트워크(263)가 접속 가능하도록 구성된다. 이는 컨트롤러(260)가 네트워크(263) 상에 존재하는 호스트 컴퓨터 등의 상위 장치(290)와도 접속 가능하다는 것을 의미한다.
기억 장치(260c)는 예컨대 플래시 메모리, HDD(Hard Disk Drive) 등으로 구성된다. 기억 장치(260c) 내에는 기판 처리 장치(10)의 동작을 제어하는 제어 프로그램이나, 기판 처리의 순서나 조건 등이 기재된 프로세스 레시피, 웨이퍼(14)로의 처리에 이용하는 프로세스 레시피를 설정할 때까지의 과정에서 발생하는 연산 데이터나 처리 데이터 등이 판독 가능하도록 격납된다. 또한 프로세스 레시피는 기판 처리 공정에서의 각 순서를 컨트롤러(260)에 실행시켜 소정의 결과를 얻을 수 있도록 조합된 것이며, 프로그램으로서 기능한다. 이하, 이 프로세스 레시피나 제어 프로그램 등을 총칭하여 단순히 프로그램이라고도 부른다. 또한 본 명세서에서 프로그램이라는 단어를 사용한 경우는 프로세스 레시피 단체(單體)만을 포함하는 경우, 제어 프로그램 단체만을 포함하는 경우, 또는 그 양방(兩方)을 포함하는 경우가 있다. 또한 RAM(260b)은 CPU(260a)에 의해 판독된 프로그램, 연산 데이터, 처리 데이터 등이 일시적으로 보지되는 메모리 영역(work area)으로서 구성된다.
연산부로서의 CPU(260a)은 기억 장치(260c)로부터의 제어 프로그램을 판독하여 실행하는 것과 함께, 입출력 장치(261)로부터의 조작 커맨드의 입력 등에 따라 기억 장치(260c)로부터 프로세스 레시피를 판독하도록 구성된다. 또한 수신부(285)로부터 입력된 설정값과, 기억 장치(260c)에 기억된 프로세스 레시피나 제어 데이터를 비교 및 연산하여 연산 데이터를 산출 가능하도록 구성된다. 또한 연산 데이터로부터 대응하는 처리 데이터(프로세스 레시피)의 결정 처리 등을 실행 가능하도록 구성된다. 그리고 CPU(260a)은 판독된 프로세스 레시피의 내용을 따르도록 기판 처리 장치(10)에서의 각 부에 대한 동작 제어를 수행하도록 구성된다.
또한 컨트롤러(260)는 전용의 컴퓨터로서 구성되는 경우에 한정되지 않고, 범용의 컴퓨터로서 구성되어도 좋다. 예컨대 전술한 프로그램을 격납한 외부 기억 장치(262)[예컨대 자기(磁氣) 테이프, 플렉시블 디스크나 하드 디스크 등의 자기 디스크, CD나 DVD 등의 광(光) 디스크, MO 등의 광자기 디스크, USB 메모리나 메모리 카드 등의 반도체 메모리]를 준비하고, 이러한 외부 기억 장치(262)를 이용하여 범용의 컴퓨터에 프로그램을 인스톨하는 것 등에 의해 본 실시 형태에 따른 컨트롤러(260)를 구성할 수 있다. 단, 컴퓨터에 프로그램을 공급하기 위한 수단은 외부 기억 장치(262)를 개재하여 공급하는 경우에 한정되지 않는다. 예컨대 네트워크(263)(인터넷이나 전용 회선) 등의 통신 수단을 이용하여 외부 기억 장치(262)를 개재하지 않고 프로그램을 공급해도 좋다. 또한 기억 장치(260c)나 외부 기억 장치(262)는 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체로서 구성된다. 이하, 이들을 총칭하여 단순히 기록 매체라고도 부른다. 또한 본 명세서에서 기록 매체라는 단어를 사용한 경우는 기억 장치(260c) 단체만을 포함하는 경우, 외부 기억 장치(262) 단체만을 포함하는 경우, 또는 그것들의 양방을 포함하는 경우가 있다.
(기판 처리 공정)
계속해서 본 발명의 일 실시 형태에 따른 기판 처리 공정에 대해서 설명한다. 또한 본 실시 형태에 따른 기판 처리 공정은 예컨대 CVD(Chemical Vapor Deposition)법을 이용하여 웨이퍼(14)의 표면에 막을 형성하는 방법이며, 반도체 장치의 제조 공정의 일 공정으로서 실시된다. 또한 이하의 설명에서 기판 처리 장치를 구성하는 각 부의 동작은 컨트롤러(260)에 의해 제어된다.
[기판 반입 공정(S10)]
기판 반입 공정(S10)을 설명한다. 우선 복수 매의 웨이퍼(14)를 기판 지지부(30)에 장전(웨이퍼 차지)한다. 그리고 복수 매의 웨이퍼(14)를 지지한 기판 지지부(30)를 미도시의 보트 엘리베이터에 의해 들어 올려서 처리 공간(402) 내에 반입(보트 로딩)한다. 이 상태에서 씰 캡(406)은 O링(407)을 개재하여 매니폴드(405)의 하단을 밀봉한 상태가 된다.
[감압 및 승온 공정(S20)]
계속해서 감압 및 승온 공정(S20)을 설명한다. 처리 공간(402) 내가 원하는 압력(진공도)이 되도록 처리 공간(402) 내의 분위기를 배기부(410)로부터 배기한다. 이때 처리 공간(402) 내의 압력을 측정하고, 이 측정된 압력에 기초하여 배기부(410)에 설치된 APC 밸브(410b)의 개도를 피드백 제어한다. 또한 처리 공간(402) 내가 원하는 온도가 되도록 히터(411)에 의해 가열한다. 이때 처리 공간(402) 내가 원하는 온도 분포가 되도록 온도 센서가 검출한 온도 정보에 기초하여 히터(411)로의 통전 상태를 피드백 제어한다. 그리고 회전 기구(403)에 의해 기판 지지부(30)를 회전시켜 웨이퍼(14)를 회전시킨다.
[성막 공정(S30)]
계속해서 성막 공정(S30)을 설명한다. 성막 공정에서는 웨이퍼(14) 상에 가스를 공급하여 원하는 막을 형성한다.
본 실시 형태에서는 제1 가스 도입관(408a)으로부터 공급되는 제1 처리 가스(원료 가스)로서 헥사클로로디실란(Si2Cl6. HCDS라고도 부른다.)을 이용하고, 제2 가스 도입관(408b)으로부터 공급되는 제2 처리 가스(반응 가스)로서 암모니아(NH3) 가스를 이용한 예를 설명한다.
제1 처리 가스 반송관(409a), 인접부(419a), 제1 가스 도입관(408a)을 개재하여 처리 공간(402)에 HCDS 가스를 공급한다. 또한 제2 처리 가스 반송관(409b), 인접부(419b), 제2 가스 도입관(408b)을 개재하여 처리 공간(402)에 NH3 가스를 공급한다.
처리 공간(402)에 공급된 HCDS 가스와 NH3 가스는 서로 반응하여 웨이퍼(14) 상에 실리콘질화막을 형성한다.
제1 처리 가스로서 산소와 반응하는 가스를 이용해도, 산소 성분이 공간(412a)으로부터 인접부(419a)에 침입하지 않으므로 제1 처리 가스 반송관(409a), 인접부(419a), 제1 가스 도입관(408a)에서 실리콘산화막이 생성되지 않는다.
또한 산소 성분이 인접부(419b)에 침입하지 않으므로, 제2 가스 도입관(408b)으로부터 처리 공간(402)에 산소 성분이 침입되지 않는다.
[승압 공정(S40)]
계속해서 승압 공정(S40)을 설명한다. 성막 공정(S30)이 종료되면 APC 밸브(410b)의 개도를 작게 하고 처리 공간(402) 내의 압력이 대기압이 될 때까지 처리 공간(402) 내에 퍼지 가스를 공급한다. 퍼지 가스는 예컨대 N2 가스이며, 불활성 가스 반송관(413a, 413b)을 개재하여 처리 공간에 공급된다.
[기판 반출 공정(S50)]
계속해서 기판 반출 공정(S50)을 설명한다. 여기서는 기판 반입 공정(S10)과 반대의 순서에 의해 성막 완료된 웨이퍼(14)를 처리 공간(402) 내로부터 반출한다.
(제2 실시 형태)
계속해서 제2 실시 형태를 도 6을 이용하여 설명한다. 제2 실시 형태는 제1 실시 형태와 비교해서 O링의 배치 장소, 압력 조정 공간을 구성하는 주변 구조가 다르다. 다른 구성은 마찬가지이므로 설명을 생략한다.
여기서는 도 3의 플랜지(415a)에 상당하는 구조가 플랜지(415b)다. 가스 도입관(408)은 O링(425)으로 지지된다. O링(425)은 플랜지(405a), 이음새부(415)의 본체부분인 본체부(415c) 사이에서 개재되어 고정된다. 또한 O링(425)의 일부가 가스 도입관(408)의 외벽과 접촉하도록 구성된다. O링(425)과 가스 도입관(408)이 접촉되는 것에 의해 가스 도입관(408)이 고정된다.
플랜지(415b)는 플랜지(405a)를 피복하도록 배치된다. 플랜지(415b)와 플랜지(405a) 사이에는 압력 조정 공간(426)을 구성하는 O링(427)이 설치된다.
압력 조정 공간(426)은 주로 이음새부(415), 플랜지(405a), O링(425), O링(427)에 의해 구성된다. 압력 조정 공간(426)의 압력은 제1 실시 형태와 마찬가지로 노구 박스(412)의 공간(412a)과 같은 정도가 된다. 따라서 공간(412a) 중에 존재하는 대기 성분이 인접부(419)에 침입되지 않고, 또한 O링(425)을 경유하여 처리 공간(402)에 침입되지도 않는다. 이와 같이 하여 인접부(419)에 더해 보다 확실하게 처리 공간(402)으로의 산소의 침입을 막을 수 있다.
또한 본 실시 형태에서는 압력 조정 공간(426), 제1 씰 부재인 O링(425), 제2 씰 부재인 O링(427)을 총칭하여 압력 조정부라고 부른다.
(제3 실시 형태)
계속해서 도 7a 및 도 7b를 이용하여 제3 실시 형태를 설명한다. 도 7a 및 도 7b는 1매씩 웨이퍼를 처리하는 매엽(枚葉) 장치형의 기판 처리 장치(500)다. 도 7a 및 도 7b에서 제1 실시 형태와 같은 부호는 마찬가지의 구성이므로 설명을 생략한다. 도 7a는 매엽 장치(500)의 설명도이며, 도 7b는 도 7a의 점선 부분을 확대한 설명도다. 또한 본 장치에서도 컨트롤러를 포함하지만 제1 실시 형태의 컨트롤러(260)와 마찬가지의 구성이므로 설명을 생략한다.
기판 처리 장치(500)는 웨이퍼(14)를 처리하는 처리실(501)을 포함한다. 웨이퍼(14)는 처리실(501) 내에 구성되는 처리 공간(502)에서 처리된다. 처리실(501) 내에는 웨이퍼(14)를 지지하는 기판 지지부(503)가 배치된다. 기판 지지부(503)는 히터(504)를 포함하고, 웨이퍼(14)는 히터(504)에 의해 가열된다. 여기서는 처리 공간(502)을 제1 공간이라고 부른다.
처리실(501)의 하방에는 배기부(410)가 접속된다. 배기부(410)는 처리 공간(502)을 소정의 압력으로 유지하기 위한 APC(410b)를 포함한다. APC(410b)는 기판 처리 공정에서 진공 레벨까지 감압한다.
처리실(501)의 측면에는 기판 반입출구(505)가 설치된다. 기판 반입출구(505)는 게이트 밸브(506)와 인접된다. 기판 반입 공정, 기판 반출 공정에서 게이트 밸브(506)가 해방되어 웨이퍼(14)는 기판 반입출구(505)를 개재하여 반입 및 반출된다.
처리실(501)의 천장인 천장(507)에는 가스 도입관(408)이 접속된다. 도 7b에 도시하는 바와 같이 천장(507)에는 관통공(507a)이 설치되고, 그 주위에는 플랜지(507b)가 설치된다. 가스 도입관(408)은 관통공(507a)에 삽입된다. 가스 도입관(408)은 O링(416)을 개재하여 플랜지(507b)로 지지되고, 처리실(501)이 기밀해지도록 구성된다.
가스 도입관(408)은 인접부(419)를 개재하여 처리 가스 반송관(409)에 인접된다. 처리 가스 반송관(409)은 제1 실시예와 마찬가지로 불활성 가스 도입관(413), 매스 플로우 컨트롤러(431), 밸브(432) 등 프로세스의 종류에 따라 다양한 구성이 접속된다.
인접부(419), 처리 가스 반송관(409), 가스 도입관(408)을 피복하도록 이음새부(415)가 설치된다. 가스 도입관(408)은 O링(417), O링(418)을 개재하여 이음새부(415)에 지지된다. 또한 압력 조정 공간(420)은 주로 가스 도입관(408)의 외벽, 플랜지(415a), O링(417), O링(418)으로 구성된다.
이음새부(415)는 가스 공급계 박스(508) 내에 배치된다. 가스 공급계 박스(508)는 처리실(501)의 상방에 설치된다. 가스 공급계 박스(508)는 가스를 공급하는 공급계의 구성을 정리하여 수납하는 것이며, 가스 공급계 박스(508)의 공간(508a)은 대기 분위기와 연통된다. 가스 공급계 박스(508)는 가스 공급계의 각 구성을 수납할 수 있으면 좋고, 처리실(501)과 같이 진공 레벨로 하거나 분위기를 퍼지하지도 않는다. 따라서 공간(508a)은 대기 분위기다. 또한 공간(508a)은 본 실시 형태에서의 제2 공간이다.
여기서는 압력 조정 공간(420), 제1 씰 부재인 O링(417), 제2 씰 부재인 O링(418)을 총칭하여 압력 조정부라고 부른다.
압력 조정 공간(420)과 공간(508a)을 같은 정도의 압력으로 하는 것에 의해 가스 공급계 박스(508)의 분위기가 압력 조정 공간(420)에 침입하는 것을 억제한다. 압력 조정 공간(420)의 공간에 산소 성분 등의 대기 분위기가 침입되지 않으므로 대기 성분이 인접부(419)에 침입되는 것을 억제한다.
또한 이상의 설명에서는 제2 공간[예컨대 노구 박스(412)의 공간(412a)이나 가스 공급계 박스(508)의 공간(508a)]과 압력 조정 공간(420)[또는 압력 조정 공간(426)]을 같은 압력으로 한다고 설명했지만, 제2 공간의 분위기가 압력 조정 공간으로 이동하지 않는 정도의 압력이라면 좋고, 반드시 같은 압력일 필요는 없다.
또한 이상의 설명에서는 제2 공간을 예컨대 노구 박스(412)나 가스 공급계 박스(508)로 구성하는 예를 제시했지만, 이음새부가 격납된 대기 분위기를 구성하는 용기라면 좋고, 예컨대 광체(12)의 공간이어도 좋다. 압력 조정 공간(420)을 설치하는 것에 의해 압력 조정 공간(420)의 외부의 제2 공간으로부터 인접부(419) 내로의 가스의 침입을 억제할 수 있다.
14: 웨이퍼 401: 처리실
408: 가스 도입관 409: 처리 가스 반송관
412: 노구 박스 415: 이음새부
417: O링 418: O링
419: 인접부 420: 압력 조정 공간

Claims (21)

  1. 기판을 지지하는 기판 지지부;
    상기 기판이 처리되는 제1 공간을 포함하는 처리실;
    상기 제1 공간의 분위기를 진공 레벨까지 배기하는 배기부;
    상기 제1 공간에 제1 가스를 공급하는 제1 가스 도입관과, 상기 가스 도입관에 연통되는 제1 처리 가스 반송관과, 상기 제1 공간의 외측이며 대기압 레벨의 제2 공간에서 상기 제1 가스 도입관과 상기 제1 처리 가스 반송관이 인접하고 공간을 포함하는 인접부를 피복하도록 구성하는 것과 함께 상기 제1 가스 도입관과 상기 제2 처리 가스 반송관을 고정하는 이음새부와, 상기 인접부와 상기 제2 공간 사이에 설치된 압력 조정부를 포함하는 제1 가스 공급계; 및
    상기 제1 공간에 상기 제1 가스와 다른 제2 가스를 공급하는 제2 가스 도입관과, 상기 가스 도입관에 연통되는 제2 처리 가스 반송관을 포함하는 제2 가스 공급계
    를 구비하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 이음새부가 배치되는 공간은 상기 제2 공간이며, 상기 기판을 처리할 때의 압력은 상기 제2 공간과 상기 압력 조정부는 같은 압력이 되도록 구성되는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 이음새부는 상기 제1 공간의 외측의 제2 공간에서 상기 인접부를 피복하도록 구성하는 것과 함께 상기 제1 가스 도입관과 상기 제1 처리 가스 반송관을 상하로부터 개재하도록 고정하고 상기 제1 가스 도입관의 선단이 삽입되는 제1 플랜지 및 본체부를 구비하고,
    상기 처리로를 지지하는 것과 함께 상기 제1 가스 도입관이 관통되는 매니폴드의 본체에 설치되고 상기 제1 플랜지에 의해 피복되고 상기 제1 가스 도입관이 관통되는 제2 플랜지;
    상기 인접부와 상기 제2 공간 사이에 설치되고 상기 제1 가스 도입관과 상기 제2 플랜지에 접촉하도록 구성되는 제1 O링; 및
    가스 흐름 방향에 대하여 상기 제1 O링과 중첩되지 않는 위치에 배치된 제2 O링으로서 상기 제1 플랜지와 상기 제2 플랜지에 접촉하도록 구성되는 제2 O링
    을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1 가스 도입관은 석영으로 구성되고, 상기 제1 O링 및 상기 제2 O링은 탄성체로 구성되고, 상기 가스 도입관은 상기 제1 O링으로 지지되도록 구성되는 기판 처리 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제1 O링은 상기 제1 공간과 상기 압력 조정부 사이에 설치되도록 구성되는 기판 처리 장치.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 제2 가스는 대기 성분과 반응하지 않는 가스인 기판 처리 장치.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 이음새부는 상기 제1 공간의 외측의 제2 공간에서 상기 인접부를 피복하도록 구성하는 것과 함께 상기 제1 가스 도입관과 상기 제1 처리 가스 반송관을 상하로부터 개재하도록 고정하고 상기 제1 가스 도입관의 선단이 삽입되는 제1 플랜지 및 본체부를 구비하고,
    상기 처리로를 지지하는 것과 함께 상기 제1 가스 도입관이 관통되는 매니폴드 본체에 설치되고 상기 제1 플랜지에 의해 피복되고 상기 가스 도입관이 관통되는 제2 플랜지;
    상기 인접부와 상기 제2 공간 사이에 설치되고 상기 가스 도입관과 상기 제2 플랜지에 접촉하도록 구성되는 제1 O링; 및
    상기 제1 O링보다 큰 지름으로 구성되는 제2 O링으로서 상기 제1 플랜지와 상기 제2 플랜지에 접촉하도록 구성되는 제2 O링
    을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 가스 도입관은 석영으로 구성되고, 상기 제1 O링 및 상기 제2 O링은 탄성체로 구성되고, 상기 가스 도입관은 상기 제1 O링으로 지지되도록 구성되는 기판 처리 장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 제1 O링은 상기 제1 공간과 상기 압력 조정부 사이에 설치되도록 구성되는 기판 처리 장치.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 제2 가스는 대기 성분과 반응하지 않는 가스인 기판 처리 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 이음새부는 상기 제1 공간의 외측의 제2 공간에서 상기 인접부를 피복하도록 구성하는 것과 함께 상기 제1 가스 도입관과 상기 제1 처리 가스 반송관을 상하로부터 개재하도록 고정하고 상기 제1 가스 도입관의 선단이 삽입되는 제1 플랜지 및 본체부를 구비하고,
    상기 처리로를 지지하는 것과 함께 상기 제1 가스 도입관이 관통되는 매니폴드의 본체에 설치되고 상기 제1 플랜지에 의해 피복되고 상기 제1 가스 도입관이 관통되는 제2 플랜지;
    상기 인접부와 상기 제2 공간 사이에 설치되고 상기 제1 가스 도입관과 상기 제2 플랜지에 접촉하도록 구성되는 제1 O링; 및
    가스 흐름 방향에 대하여 상기 제1 O링과 중첩되지 않는 위치에 배치된 제2 O링으로서 상기 제1 플랜지와 상기 제2 플랜지에 접촉하도록 구성되는 제2 O링
    을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 가스 도입관은 석영으로 구성되고, 상기 제1 O링 및 상기 제2 O링은 탄성체로 구성되고, 상기 가스 도입관은 상기 제1 O링으로 지지되도록 구성되는 기판 처리 장치.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 제1 O링은 상기 제1 공간과 상기 압력 조정부 사이에 설치되도록 구성되는 기판 처리 장치.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 제2 가스는 대기 성분과 반응하지 않는 가스인 기판 처리 장치.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 이음새부는 상기 제1 공간의 외측의 제2 공간에서 상기 인접부를 피복하도록 구성하는 것과 함께 상기 제1 가스 도입관과 상기 제1 처리 가스 반송관을 상하로부터 개재하도록 고정하고 상기 제1 가스 도입관의 선단이 삽입되는 제1 플랜지 및 본체부를 구비하고,
    상기 처리로를 지지하는 것과 함께 상기 제1 가스 도입관이 관통되는 매니폴드 본체에 설치되고 상기 제1 플랜지에 의해 피복되고 상기 가스 도입관이 관통되는 제2 플랜지;
    상기 인접부와 상기 제2 공간 사이에 설치되고 상기 가스 도입관과 상기 제2 플랜지에 접촉하도록 구성되는 제1 O링; 및
    상기 제1 O링보다 큰 지름으로 구성되는 제2 O링으로서 상기 제1 플랜지와 상기 제2 플랜지에 접촉하도록 구성되는 제2 O링
    을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1 가스 도입관은 석영으로 구성되고, 상기 제1 O링 및 상기 제2 O링은 탄성체로 구성되고, 상기 가스 도입관은 상기 제1 O링으로 지지되도록 구성되는 기판 처리 장치.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 제1 O링은 상기 제1 공간과 상기 압력 조정부 사이에 설치되도록 구성되는 기판 처리 장치.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 제2 가스는 대기 성분과 반응하지 않는 가스인 기판 처리 장치.
  19. 제1항에 있어서,
    상기 제2 가스는 대기 성분과 반응하지 않는 가스인 기판 처리 장치.
  20. 기판을 지지하는 기판 지지부를 제1 공간을 포함하는 처리로에 반입하는 공정;
    상기 제1 공간의 분위기를 진공 레벨까지 배기하는 공정;
    상기 제1 공간에 제1 가스를 공급하는 제1 가스 도입관과, 상기 제1 가스 도입관에 연통되는 제1 처리 가스 반송관과, 상기 제1 공간의 외측이며, 대기압 레벨의 제2 공간에서 상기 제1 가스 도입관과 상기 제1 처리 가스 반송관이 인접하고 공간을 포함하는 인접부를 피복하도록 구성하는 것과 함께, 상기 제1 가스 도입관과 상기 제1 처리 가스 반송관을 고정하는 이음새부와, 상기 인접부와 상기 제2 공간 사이에 설치된 압력 조정부를 포함하는 제1 가스 공급계로부터 대기 성분과 반응하여 반응물을 생성하는 상기 제1 가스를 공급하는 공정; 및
    상기 제1 공간에 상기 제1 가스와 다른 제2 가스를 공급하는 제2 가스 도입관과, 상기 가스 도입관에 연통되는 제2 처리 가스 반송관을 포함하는 제2 가스 공급계로부터 상기 제2 가스를 공급하는 공정
    을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  21. 기판을 지지하는 기판 지지부를 제1 공간을 포함하는 처리로에 반입하는 단계;
    상기 제1 공간의 분위기를 진공 레벨까지 배기하는 단계;
    상기 제1 공간에 제1 가스를 공급하는 제1 가스 도입관과, 상기 제1 가스 도입관에 연통되는 제1 처리 가스 반송관과, 상기 제1 공간의 외측이며, 대기압 레벨의 제2 공간에서 상기 제1 가스 도입관과 상기 제1 처리 가스 반송관이 인접하고 공간을 포함하는 인접부를 피복하도록 구성하는 것과 함께, 상기 제1 가스 도입관과 상기 제1 처리 가스 반송관을 고정하는 이음새부와, 상기 인접부와 상기 제2 공간 사이에 설치된 압력 조정부를 포함하는 제1 가스 공급계로부터 대기 성분과 반응하여 반응물을 생성하는 상기 제1 가스를 공급하는 단계; 및
    상기 제1 공간에 상기 제1 가스와 다른 제2 가스를 공급하는 제2 가스 도입관과, 상기 가스 도입관에 연통되는 제2 처리 가스 반송관을 포함하는 제2 가스 공급계로부터 상기 제2 가스를 공급하는 단계
    를 포함하는 컴퓨터에 의해 기판 처리 장치에 실행시키는 프로그램을 기록한 기록 매체.
KR1020210028196A 2018-02-20 2021-03-03 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체 KR102292430B1 (ko)

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