JP2019117892A - アレイ基板、アレイ基板の製造方法、表示装置及びスイッチング素子 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、第1実施形態に係る表示装置の概略断面構造を示す断面図である。図2は、本実施形態の表示装置に設けられている画素配列の一例を表す回路図である。本実施形態の表示装置1は、透過型の液晶表示装置である。表示装置1が搭載される電子機器として、例えば、スマートフォン等の情報端末機器が挙げられる。或いは、表示装置1は、ヘッドアップディスプレイ(HUD:Head-Up Display)等の車載用表示機器に適用することができる。
図7は、第2実施形態に係る表示装置に適用されるスイッチング素子の構成を模式的に示す平面図である。図8は、図7のVIII−VIII’線に沿う断面図である。なお、上述した第1実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
図9は、第3実施形態に係る表示装置に適用されるスイッチング素子の構成を模式的に示す平面図である。図10は、図9のX−X’線に沿う断面図である。図9に示すように、本実施形態の表示装置1Bにおいて、遮光層81BのX方向の幅は、第1実施形態及び第2実施形態の遮光層81、81Aの幅よりも大きい。
図11は、第4実施形態に係る表示装置に適用されるスイッチング素子の構成を模式的に示す平面図である。図11では、X方向に配列された複数の副画素SPixについて示している。なお、図11では2つの副画素SPixを示しているが、多数の副画素SPixが、X方向及びY方向にマトリクス状に配列されている。
図12は、第5実施形態に係る表示装置に適用されるスイッチング素子の構成を模式的に示す平面図である。図12に示すように、表示装置1Dにおいて、遮光層81Dは、複数の画素電極22(副画素SPix)に亘ってX方向に沿って設けられている。言い換えると、遮光層81Dは、ゲート線GCLに沿って設けられ、複数の信号線SGLと交差する。遮光層81Dの第1端81Daは、複数の第1チャネル領域CN1及び複数の第2チャネル領域CN2と重なる位置に配置される。第2端81Dbは、Y方向において、複数の半導体層71の画素電極側の端部と重ならない位置に設けられる。遮光層81Dは、複数のスイッチング素子Trの第1チャネル領域CN1と第1低濃度不純物領域LDD1との境界と重なって設けられる。さらに、遮光層81Dは、第2チャネル領域CN2と第4低濃度不純物領域LDD4との境界と重なって設けられる。
図13は、表示装置の製造方法に係るチャネルストッパ層の形成工程を説明するための説明図である。図14は、表示装置の製造方法に係るチャネル領域、LDD領域及び不純物領域の形成工程を説明するための説明図である。図15は、本実施形態の表示装置の製造方法に係るスイッチング素子と、第1マスク及び第2マスクとの関係を模式的に示す平面図である。なお、図13及び図14では、説明を分かりやすくするために、第1ゲート電極74Aの近傍での断面図を模式的に示す。
2 アレイ基板
3 対向基板
6 液晶層
21 第1基板
22 画素電極
23 共通電極
31 第2基板
71 半導体層
72 ソース電極
73 ドレイン電極
74A 第1ゲート電極
74B 第2ゲート電極
81、81A、81B、81C、81D 遮光層
81a、81Aa、81Ba、81Ca、81Da 第1端
81b、81Ab、81Bb、81Cb、81Db 第2端
81S、81Sa、81AS、81BS 遮光層段差部
100 照明装置
120、130 レジスト層
121 チャネルストッパ層
131 LDDストッパ層
171 アモルファスシリコン層
200 第1マスク
201 第2マスク
CN1 第1チャネル領域
CN2 第2チャネル領域
GCL ゲート線
SGL 信号線
RH1 第1不純物領域
RH2 第2不純物領域
RH3 第3不純物領域
LDD1 第1低濃度不純物領域
LDD2 第2低濃度不純物領域
LDD3 第3低濃度不純物領域
LDD4 第4低濃度不純物領域
Tr スイッチング素子
Claims (14)
- 基板と、遮光層と、第1ゲート電極と、半導体層と、信号線と、電極とを有し、
前記基板の一方の面に前記遮光層、前記第1ゲート電極、前記半導体層、前記信号線、前記電極の順に設けられており、
前記半導体層は、
前記電極に電気的に接続される第1不純物領域と、
平面視で前記第1ゲート電極と重なる部分に設けられた第1チャネル領域と、
前記第1チャネル領域に対して前記第1不純物領域の反対側に設けられる第2不純物領域と、
前記第1不純物領域と前記第1チャネル領域の間に設けられた第1LDD領域と、を有し、
前記遮光層は、第1端と、前記第1端と反対側の第2端とを有し、
前記第1端は前記第1チャネル領域と重なる位置に配置されて、前記遮光層は、前記第1チャネル領域と前記第1LDD領域との境界に重なって設けられる、
アレイ基板。 - 前記第1不純物領域は、絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して前記電極と接続され、
前記遮光層の前記第2端は、平面視で、前記第1不純物領域の前記電極側の端部よりも前記第1チャネル領域から離れた位置に設けられる、
請求項1に記載のアレイ基板。 - 前記第1不純物領域は、絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して前記電極と接続され、
前記遮光層の前記第2端は、平面視で、前記コンタクトホールと前記第1LDD領域との間に設けられる、
請求項1に記載のアレイ基板。 - 前記第1端で、前記遮光層の上面と前記基板とで遮光層段差部が形成され、
前記遮光層段差部と重なって前記第1ゲート電極及び前記第1チャネル領域が設けられる、
請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のアレイ基板。 - さらに、第2ゲート電極を有し、
前記半導体層は、
平面視で前記第2ゲート電極と重なる領域に設けられた第2チャネル領域と、
前記信号線に電気的に接続される第3不純物領域と、
前記第2不純物領域と前記第1チャネル領域の間に設けられた第2LDD領域と、
前記第2不純物領域と前記第2チャネル領域の間に設けられた第3LDD領域と、
前記第3不純物領域と前記第2チャネル領域の間に設けられた第4LDD領域と、を有する、
請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のアレイ基板。 - 前記基板の前記一方の面に平行な第1方向に沿うゲート線を有し、
前記第1ゲート電極及び前記第2ゲート電極は、前記ゲート線のうち、前記半導体層と平面視で重なる部分である、
請求項5に記載のアレイ基板。 - 前記第2ゲート電極が設けられた部分の前記ゲート線の幅は、前記第1ゲート電極が設けられた部分の前記ゲート線の幅よりも小さい、
請求項6に記載のアレイ基板。 - 前記遮光層の前記第1端は、前記第1チャネル領域及び前記第2チャネル領域と重なる位置に配置されて、前記遮光層は、前記第1チャネル領域と前記第1LDD領域との境界及び前記第2チャネル領域と前記第4LDD領域との境界に重なって設けられる、
請求項5又は請求項6に記載のアレイ基板。 - 前記基板の一方の面に平行な第1方向に配列された複数の前記電極を有し、
複数の前記電極のそれぞれに対応して、前記遮光層、前記第1ゲート電極、前記半導体層及び前記信号線が設けられており、
複数の前記遮光層は、前記電極ごとに離隔して配列されている、
請求項1から請求項8のいずれか1項に記載のアレイ基板。 - 前記基板の一方の面に平行な第1方向に配列された複数の前記電極を有し、
複数の前記電極のそれぞれに対応して、前記第1ゲート電極、前記半導体層及び前記信号線が設けられており、
前記遮光層は、複数の前記電極に亘って前記第1方向に沿って設けられる、
請求項1から請求項8のいずれか1項に記載のアレイ基板。 - 前記半導体層は、低温ポリシリコンである、
請求項1から請求項10のいずれか1項に記載のアレイ基板。 - 基板と、遮光層と、第1ゲート電極と、半導体層と、信号線と、電極とを有し、
前記基板の一方の面に前記遮光層、前記第1ゲート電極、前記半導体層、前記信号線、前記電極の順に設けられたアレイ基板の製造方法であって、
前記遮光層の第1端が、前記第1ゲート電極と平面視で重なり、前記第1端と反対側の第2端が前記第1ゲート電極と平面視で重ならないように、前記遮光層、前記第1ゲート電極及び前記半導体層が形成された前記基板を用意し、
前記半導体層の上にレジスト層を形成し、前記遮光層、前記第1ゲート電極をマスクとして、前記基板の一方の面の反対側の他方の面側から前記レジスト層に露光する裏面露光ステップと、
前記レジスト層に対向してマスクを設け、前記基板の一方の面側から前記レジスト層に露光するフロント露光ステップと、を含む、
アレイ基板の製造方法。 - 基板と、遮光層と、第1ゲート電極と、半導体層と、信号線と、画素電極と、共通電極と、表示機能層と、を有し、
前記基板の一方の面に前記遮光層、前記第1ゲート電極、前記半導体層、前記信号線、前記画素電極、前記表示機能層の順に設けられており、
前記半導体層は、
前記画素電極に電気的に接続される第1不純物領域と、
平面視で前記第1ゲート電極と重なる部分に設けられた第1チャネル領域と、
前記第1チャネル領域に対して前記第1不純物領域の反対側に設けられる第2不純物領域と、
前記第1不純物領域と前記第1チャネル領域の間に設けられた第1LDD領域と、を有し、
前記遮光層は、第1端と、前記第1端と反対側の第2端とを有し、
前記第1端は前記第1チャネル領域と重なる位置に配置されて、前記遮光層は、前記第1チャネル領域と前記第1LDD領域との境界に重なって設けられる、
表示装置。 - 基板と、遮光層と、第1ゲート電極と、半導体層と、信号線と、電極とを有し、
前記基板の一方の面に前記遮光層、前記第1ゲート電極、前記半導体層、前記信号線、前記電極の順に設けられており、
前記半導体層は、
前記電極に電気的に接続される第1不純物領域と、
平面視で前記第1ゲート電極と重なる領域に設けられた第1チャネル領域と、
前記第1チャネル領域に対して前記第1不純物領域の反対側に設けられる第2不純物領域と、
前記第1不純物領域と前記第1チャネル領域の間に設けられた第1LDD領域と、を有し、
前記遮光層は、第1端と、前記第1端と反対側の第2端とを有し、
前記第1端が前記第1チャネル領域と重なる位置に配置されて、前記遮光層は、前記第1チャネル領域と前記第1LDD領域との境界に重なって設けられる、
スイッチング素子。
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