JP2013222178A

JP2013222178A - 表示装置

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Publication number: JP2013222178A
Application number: JP2012095586A
Authority: JP
Inventors: Masashi Jinno; 優志神野
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2012-04-19
Filing date: 2012-04-19
Publication date: 2013-10-28

Abstract

【課題】ゲート配線などの導体からの電界による低不純物濃度領域への影響を抑制しつつ、光源装置からの出射光が低不純物濃度領域へ入射することを低減できる表示装置を提供することである。
【解決手段】表示装置１では、半導体層SCは、第１導電型不純物を含有するチャネル領域CHと、第２導電型不純物を含有するソース領域SAと、第２導電型不純物を含有するドレイン領域DAと、チャネル領域CHとソース領域SAおよびドレイン領域DAとの間にそれぞれ位置する、ソース領域SAおよびドレイン領域DAに比べて第２導電型不純物の濃度が低い低不純物濃度領域LDDとを有し、第２基板22とゲート配線221との間には、ゲート配線221に接
触した非導体の遮光膜LSが設けられており、低不純物濃度領域LDDは遮光膜LSの形成領域
内に位置している。
【選択図】図６

Description

本発明は、携帯電話、デジタルカメラ、携帯ゲーム機または携帯型情報端末などの様々な用途に用いられる表示装置に関する。

表示装置は、互いに対向する一対の基板と、一対の基板間に介在する液晶層と、一対の基板に対して光を出射する光源装置とを備え、一対の基板のうち一方基板側にゲート配線、ソース配線、薄膜トランジスタ、信号電極などが形成されている。

薄膜トランジスタは、ゲート絶縁膜を介してゲート配線上に設けられたポリシリコンなどの半導体層と、この半導体層上に設けられるソース電極およびドレイン電極とを有している（例えば特許文献１）。この薄膜トランジスタでは、ゲート配線を介して半導体層に印加される電圧に応じてソース電極およびドレイン電極間の半導体層の抵抗が変化することで、信号電極への画像信号の書き込みもしくは非書き込みが制御される。

近年、表示装置には高い表示品位が求められており、表示品位を向上させるために光源装置からの出射光の光量を増加させ、表示装置の高輝度化が図られている。

特開平８−９７４３２号公報

しかしながら、光源装置からの出射光の光量を増加させると、一方基板に設けられた薄膜トランジスタにおける半導体層の低不純物濃度領域への入射光の光量も増加し、低不純物濃度領域での光導電効果によってソース領域とドレイン領域との間でリーク電流が発生しやすくなる。このリーク電流によって、薄膜トランジスタを介して信号電極に印加される画像信号の電圧が変動してしまい、各画素ごとに輝度が異なってしまうことで、コントラストが低下し、表示品位が低下してしまう場合があった。

従来、この問題に対して、ゲート配線の幅を低不純物濃度領域の外側まで広げることで、またはゲート配線の直下にゲート配線に接触させて導体膜を形成しこの導体膜を低不純物濃度領域の外側まで延ばすことで、光源装置からの出射光が低不純物濃度領域へ入射することを低減していた。ところが、この手段では、低不純物濃度領域の下方にゲート配線または導体膜が位置することになるので、ゲート配線自体または導体膜から生じる電界が低不純物濃度領域に影響を与えてしまうという問題があった。

一方、導体膜とゲート配線との間に絶縁膜を介在させてしまうと、半導体層と導体膜との距離が離れてしまい、斜め方向からの光が導体膜に入射せずに低不純物濃度領域に入射してしまう可能性が高くなり、低不純物濃度領域へ入射する光を十分に低減できないという問題があった。

本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、ゲート配線などの導体からの電界による低不純物濃度領域への影響を抑制しつつ、光源装置からの出射光が低不純物濃度領域へ入射することを低減できる表示装置を提供することである。

本発明の表示装置は、内側主面を対向させて配置された第１基板および第２基板と、前記第１基板および前記第２基板の間に配置された液晶層と、前記第２基板の外側主面側に配置された光源装置と、前記第２基板の前記内側主面上に設けられた複数のゲート配線と、複数の前記ゲート配線を覆うように設けられた第１絶縁膜と、複数の前記ゲート配線に交差して前記第１絶縁膜上に設けられた複数のソース配線と、前記ゲート配線と前記ソース配線とによって囲まれた画素ごとに設けられた、半導体層、ソース電極およびドレイン電極を有する複数の薄膜トランジスタと、複数の前記ゲート配線、複数の前記ソース配線および複数の前記薄膜トランジスタを覆うように設けられた第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜上に設けられた、前記薄膜トランジスタに電気的に接続され、前記画素内に位置する第１信号電極と、前記第１信号電極との間で電界を発生させるための第２信号電極と、を備え、前記半導体層は、第１導電型不純物を含有するチャネル領域と、前記ソース電極が位置するとともに第２導電型不純物を含有するソース領域と、前記ドレイン電極が位置するとともに第２導電型不純物を含有するドレイン領域と、前記チャネル領域と前記ソース領域および前記ドレイン領域との間にそれぞれ位置する、前記ソース領域および前記ドレイン領域に比べて第２導電型不純物の濃度が低い低不純物濃度領域とを有し、前記第２基板の前記内側主面と前記ゲート配線との間には、前記ゲート配線に接触した非導体の遮光膜が設けられており、前記半導体層の前記低不純物濃度領域は、前記遮光膜の形成領域内に位置していることを特徴とする。

本発明の表示装置によれば、遮光膜の電界による低不純物濃度領域への影響を抑制しつつ、光源装置からの出射光が低不純物濃度領域へ入射することを低減できる。

本発明の実施形態における表示装置を示す平面図である。図１のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。画素における第２基板の電極、配線、薄膜トランジスタを示す平面図である。図３のII−IIに沿った表示装置の断面図である。図３のＲ部分の拡大図である。図５のIII−IIIに沿った断面図である。図１の表示装置に用いられる薄膜トランジスタの製造方法の一例を示す断面図である。図１の表示装置に用いられる薄膜トランジスタの製造方法の一例を示す断面図である。図１の表示装置に用いられる薄膜トランジスタの製造方法の一例を示す断面図である。図１の表示装置に用いられる薄膜トランジスタの製造方法の一例を示す断面図である。図１の表示装置に用いられる薄膜トランジスタの製造方法の一例を示す断面図である。図１の表示装置に用いられる薄膜トランジスタの製造方法の一例を示す断面図である。図１の表示装置に用いられる薄膜トランジスタの製造方法の一例を示す断面図である。図１の表示装置に用いられる薄膜トランジスタの製造方法の一例を示す断面図である。図１の表示装置に用いられる薄膜トランジスタの製造方法の一例を示す断面図である。

本発明の実施形態における表示装置１について、図１〜図６を参照しながら説明する。

表示装置１は、複数の画素Ｐからなる表示領域Ｅ_Ｄを有する液晶パネル２と、液晶パネル２の表示領域Ｅ_Ｄに向けて光を出射する光源装置３と、液晶パネル２上に配置される第１偏光板４と、液晶パネル２と光源装置３との間に配置される第２偏光板５とを備えている。

本実施形態における液晶パネル２は、一対の基板のうち一方基板（第２基板22）に設けられた第１信号電極と、第２信号電極との間で電界を発生させて液晶層中の液晶分子の方向を制御する、いわゆる横電界方式を採用している。なお、本実施形態における液晶パネル２は横電界方式を採用しているが、これに限定されるものではなく、いかなる方式であってもよい。例えば縦電界方式を採用してもよい。

液晶パネル２では、第１基板21と第２基板22とが対向配置され、第１基板21と第２基板22との間に液晶層23が設けられているとともに、この液晶層23を取り囲むように第１基板21と第２基板22とを接合するシール材24が設けられている。

第１基板21は、画像表示の際に表示面として用いられる第１主面21ａと、第１主面21ａとは反対側に位置する第２主面21ｂとを有している。第１基板21は、例えばガラス、プラスチックなどの透光性を有する材料によって形成される。

第１基板21の第２主面21ｂ上には、ブラックマトリクス211およびカラーフィルタ212が設けられている。

ブラックマトリクス211は、第１基板21の第２主面21ｂ上に各画素Ｐの外周に沿って格
子状に設けられている。ブラックマトリクス211の材料は、例えば、遮光性の高い色（例
えば黒色）の染料あるいは顔料が添加された樹脂またはクロムなどの金属が挙げられる。なお、本実施形態におけるブラックマトリクス211は第２主面21ｂ上に格子状に形成され
ているが、これには限られない。

カラーフィルタ212は、可視光のうち特定の波長のみを透過させる機能を有する。複数
のカラーフィルタ212は、第１基板21の第２主面21ｂ上に位置しており、各画素Ｐごとに
設けられている。各カラーフィルタ212は、赤、緑および青のいずれかの色を有している
。また、カラーフィルタ212は上記の色に限られず、例えば、黄色、白色などのカラーフ
ィルタ212を配置してもよい。カラーフィルタ212の材料としては、例えば染料あるいは顔料を添加した樹脂が挙げられる。

第２基板22は、第１基板21の第２主面21ｂに対向する第１主面22ａと、第１主面22ａの反対側に位置する第２主面22ｂとを有している。第２基板22は第１基板21と同様の材料で形成できる。

第２基板22の第１主面22ａ上には、遮光膜LS、ゲート配線221、ゲート絶縁膜222、第１層間絶縁膜223、ソース配線224、薄膜トランジスタTFT、平坦化膜225、第２信号電極226
、第２層間絶縁膜227、第１信号電極228が設けられている。

ゲート配線221は、駆動ＩＣ（不図示）から供給される電圧を薄膜トランジスタTFTに印加する機能を有する。図３に示すように、ゲート配線221は、第２基板22の第１主面22ａ
上にＸ方向に延在している。また、複数のゲート配線221はＹ方向に沿って配列されてい
る。ゲート配線221は、導電性を有する材料によって形成され、例えば、アルミニウム、
モリブデン、チタン、ネオジム、クロム、銅またはこれらを含む合金によって形成される。

ゲート配線221の形成方法としては以下の方法が挙げられる。

まず、スパッタリング法、蒸着法または化学気相成長法によって、金属材料を第２基板22の第１主面22ａ上に金属膜として形成する。この金属膜の表面に対して感光性樹脂を塗布し、塗布した感光性樹脂に対して露光および現像を行なうことで、感光性樹脂に所望の形状のパターンを形成する。次いで、金属膜を薬液または反応性の気体やイオン、ラジカルでエッチングして、金属膜を所望の形状にし、その後、塗布した感光性樹脂を剥離する。このように、金属材料を成膜およびパターニングすることでゲート配線221を形成でき
る。

ゲート絶縁膜222は、ゲート配線221を覆うように第１主面22ａ上に設けられている。ゲート絶縁膜222は、窒化珪素、酸化珪素などの絶縁性を有する材料によって形成される。
なお、ゲート絶縁膜222は、上記のスパッタリング法、蒸着法、または化学気相成長法に
よって第２基板22の第１主面22ａ上に形成できる。

第１層間絶縁膜223は、絶縁性を有する材料によって形成され、例えば、窒化珪素、酸
化珪素などの無機材料が挙げられる。なお、表示装置１では、第１層間絶縁膜223は、窒
化珪素によって形成されている。また、第１層間絶縁膜223はゲート絶縁膜222と同様の形成方法で形成できる。

ソース配線224は、駆動ＩＣから供給される信号電圧を薄膜トランジスタTFTを介して第１信号電極228に印加する機能を有する。図３に示すように、複数のソース配線224はＹ方向に延在している。また、複数のソース線224は、第１層間絶縁膜223上にＸ方向に沿って配列されている。ソース配線224はゲート配線221と同様の材料で形成してもよい。ソース配線224はゲート配線221と同様の形成方法によって形成できる。なお、この実施形態では、ソース配線224を直線状に形成しているが、屈曲させてもよい。

薄膜トランジスタTFTは、半導体層SCと、ソース電極SEと、ドレイン電極DEとを有して
いる。半導体層SCは、チャネル領域CHと、ソース領域SAと、ドレイン領域DAと、低不純物濃度領域LDDとを有している。

チャネル領域CH、ソース領域SA、ドレイン領域DAおよび低不純物濃度領域LDDは、ポリ
シリコンまたはゲルマニウムなどに不純物が注入されて形成される領域である。

チャネル領域CHに注入される第１導電型不純物は例えばＰ型不純物であり、Ｐ型不純物としてはＢ、Ａｌが挙げられる。また、ソース領域SAおよびドレイン領域DAに注入される第２導電型不純物は例えばＮ型不純物であり、Ｎ型不純物としてはＰ、Ａｓが挙げられる。また、低不純物濃度領域LDDに注入される第２導電型不純物は例えばＮ型不純物である
。

低不純物濃度領域LDDは、ソース領域SAおよびドレイン領域DAの不純物濃度に比べて低
い不純物濃度の領域であり、具体的には、ソース領域SAおよびドレイン領域DAに比べてＮ型不純物の濃度が低い領域である。この低不純物濃度領域LDDは、いわゆるLightly Doped
Drain領域である。低不純物濃度領域LDDは、チャネル領域CHとソース領域SAおよびドレ
イン領域DAとの間にそれぞれ位置している。チャネル領域CHとソース領域SAおよびドレイン領域DAとの間に、低不純物濃度領域LDDを形成することで、半導体層SCでの電界集中に
よる電界集中を低減し、半導体層SCの劣化を抑制できる。低不純物濃度領域LDDのシート
抵抗値は例えば３０ｋΩ／□〜８００ｋΩ／□の範囲に設定される。

ソース電極SEは半導体層SCのソース領域SAに位置している。また、ソース電極SEはソース領域SAと接続されており、具体的には、第１層間絶縁膜223に形成されたコンタクトホ
ールＣを介してソース領域SAと接続されている。また、ソース電極SEはソース配線224に
接続されている。

ドレイン電極DEは半導体層SCのドレイン領域DAに位置している。また、ドレイン電極DEはドレイン領域DAと接続されており、具体的には、第１層間絶縁膜223に形成されたコン
タクトホールＣを介してドレイン領域DAと接続されている。また、ドレイン電極DEはコンタクトホールＣを介して第１信号電極228に接続されている。

薄膜トランジスタTFTでは、ゲート配線221を介して半導体層SCのチャネル領域CHに印加される電圧に応じて、チャネル領域CHの抵抗が変化し、これによって第１信号電極228へ
の画像信号の書き込みもしくは非書き込みが制御される。

遮光膜LSは光源装置３からの出射光の一部を吸収するもしくは反射する機能を有する。遮光膜LSは第２基板22の第２主面22ｂとゲート配線221との間に設けられており、ゲート
配線221に接触して設けられている。また、遮光膜LSは半導体層SCに重なるように位置し
ており、半導体層SCのチャネル領域CHおよび低不純物濃度領域LDDは遮光膜LSの形成領域
内に位置している。

遮光膜LSの厚みは、厚くすれば光を遮光しやすくなるが、厚くし過ぎると遮光膜LS上に形成されるゲート配線221が断線しやすくなるため、例えば30ｎｍ〜100nｍの範囲に設定
するのが好ましい。

遮光膜LSの材料は、非導体材料、すなわち、半導体材料および絶縁性材料によって形成されている。非導体材料としては、例えばａ-Ｓｉ、ＳiＣまたはＳｉＧｅなど化合物半導体薄膜が挙げられる。また、絶縁性材料としては、例えば、光吸収性の高い色（例えば黒色）の染料あるいは顔料が添加された樹脂などが挙げられる。

表示装置１では、半導体層SCの低不純物濃度領域LDDが遮光膜LSの形成領域内に位置し
ているので、光源装置３からの出射光が半導体層SCの低不純物濃度領域LDDに入射するこ
とを低減できる。これによって、不純物濃度領域LDDでの光導電効果によってソース領域SAとドレイン領域DAとの間でリーク電流が発生することを低減し、薄膜トランジスタTFTを介して第１信号電極229に印加される画像信号の電圧の変動を抑制でき、コントラストの
低下による表示品位の低下を抑制できる。

加えて、表示装置１では、非導体の遮光膜LSがゲート配線221と接触して形成されてい
るので、遮光膜LSから生じる電界による半導体層SCへの影響を抑制しつつ、半導体層SCと遮光膜LSとが近接していることで第２基板22側の斜めから低不純物濃度領域LDDへ入射す
る光を吸収でき、リーク電流の発生を抑制し、薄膜トランジスタTFTを介して第１信号電
極229に印加される画像信号の電圧の変動を抑制し、コントラストの低下による表示品位
の低下を抑制できる。また、表示装置１では、ゲート配線221に接触した遮光膜LSがア
モルファスシリコンなどの半導体材料で形成されているので、ゲート配線221の低抵抗化
が図れ、印加される電圧が降下することを低減できる。

平坦化膜225は、ソース配線224および第１層間絶縁膜223上を平坦化させる機能を有す
る。平坦化膜225は、有機材料によって形成され、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系
樹脂もしくはポリイミド系樹脂などの樹脂で形成される。なお、平坦化膜225の膜厚は例
えば１μｍ〜５μｍの範囲で設定されている。

第２信号電極226は、駆動ＩＣから印加された電圧によって第１信号電極228との間で電界を発生させる機能を有する。第２信号電極226は、平坦化膜225上に設けられており、画素Ｐに位置している。

第２信号電極226は、透光性および導電性を有する材料によって形成され、例えばＩＴ
Ｏ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＡＴＯ（Antimony Tin Oxide
）、ＡＺＯ（Al-Doped Zinc Oxide）、酸化錫、酸化亜鉛、または導電性高分子によって
形成される。

第２層間絶縁膜227は、第１信号電極228と第２信号電極226とを電気的に絶縁する機能
を有する。第２層間絶縁膜227は第１層間絶縁膜223と同様の材料で形成してもよい。なお、表示装置１では、第２層間絶縁膜227は酸化珪素によって形成されている。

第１信号電極228は、駆動ＩＣから印加された電圧によって第２信号電極226との間で電界を発生させる機能を有する。複数の第１信号電極228は第２層間絶縁膜227上に設けられており、画素Ｐごとに位置している。図３に示すように、第１信号電極228には、複数の
スリットが設けられている。第１信号電極228は第２信号電極226と同様の材料で形成してもよい。

なお、本実施形態では、第２基板22の第２主面22ｂ上に、第２信号電極226、第２層間
絶縁膜227、第１信号電極228の順に設けているが、これに限られない。すなわち、第１信号電極228上に第２層間絶縁膜227を介在させて第２信号電極226を形成させて、第１信号
電極228、第２層間絶縁膜227、第２信号電極226の順に設けてもよい。

液晶層23は、第１基板21と第２基板22との間に設けられている。液晶層23は、ネマティック液晶、コレステリック液晶、またはスメクティック液晶などの液晶分子を含んでいる。

シール材24は、第１基板21と第２基板22とを貼り合わせる機能を有する。シール材24は、平面視して表示領域Ｅ_Ｄを取り囲むようにして第１基板21と第２基板22との間に設けられている。このシール材24は、エポキシ樹脂などの有機材料によって形成される。

光源装置３は、液晶パネル２の表示領域Ｅ_Ｄに向けて光を出射する機能を有する。光源装置３は、光源31と、導光板32とを有している。なお、本実施形態における光源装置３では、光源31にＬＥＤなどの点光源を採用しているが、冷陰極管などの線光源を採用してもよい。

第１偏光板４は、所定の振動方向の光を選択的に透過させる機能を有する。この第１偏光板４は、液晶パネル２の第１基板21の第１主面21ａに対向するように配置されている。

第２偏光板５は、所定の振動方向の光を選択的に透過させる機能を有する。この第２偏光板５は、第２基板22の第２主面22ｂに対向するように配置されている。

ここで、図７〜図１５に基づいて、表示装置１に用いられる薄膜トランジスタTFTの製
造方法について説明する。なお、図７Ａ〜図15は図５のIII−III線に対応した断面図であり、下記では当該断面の状態について説明する。

まず、図７に示すように、上述した成膜工程、パターニング工程などによって、第２基板22の第１主面22ａ上に遮光膜LSを形成する。

次いで、図８に示すように、遮光膜LS上にゲート配線221を形成するとともに、ゲート
配線221、遮光膜LSおよび第２基板22の第１主面22ｂにゲート絶縁膜222を形成する。

次いで、図９に示すように、シリコンなどの半導体材料をゲート絶縁膜222上にアモル
ファス状態の半導体層として成膜する。その後、５００℃程度の高温でアニールすることにより半導体層SCに含まれる水素を低減させ、レーザーによる結晶化工程におけるアブレーションを抑制する。

次いで、アニール工程でアモルファス状態の半導体層SCを結晶状態にさせる。具体的には、図１０に示すように、半導体層SCに対してレーザーを照射することで半導体層SCを結晶化させる。

アニール工程において、導体であるゲート配線221は放熱性が高いので、ゲート配線221上に位置する半導体層SC（チャネル領域CHとなる部分）の冷却速度が大きくなる。そのため、この部分は半導体層SCの他の部分に比べると結晶粒径は小さくなりやすく、半導体層SCにおける結晶粒径の大きさにばらつきが生じやすくなる。

これに対して、本製造方法では、半導体層SCの低不純物濃度領域LDDとなる領域が遮光
膜LSの領域内に位置しているので、遮光膜LSの放熱性によって、チャネル領域CHとなる領域での冷却速度と低不純物濃度領域LDDとなる領域での冷却速度との差を低減することが
できる。これによって、チャネル領域CHの結晶粒径と低不純物濃度領域LDDの結晶粒径と
の大きさをより均一化でき、電気的特性のばらつきを抑制できる。

次いで、図11に示すように、半導体層SC全体に対して、Ｂ、ＡｌなどのＰ型不純物を注入する。なお、不純物は、例えばイオンインプラテーション装置などによって半導体層SCに注入される。

次いで、図12に示すように、半導体層SC上に感光性樹脂からなるレジストREを塗布する。そして、第２基板22の第２主面22ｂ側からレジストREに対して露光光を照射する。すなわち、裏面からレジストREを露光する。このとき、ゲート配線221は遮光性の高い導体で
形成されているので、露光光はゲート配線221によって遮られる。つまり、ゲート配線221はマスクパターンとして機能するので、上記の裏面露光ではゲート配線221上に位置する
レジストREは感光されない。

そして、図13に示すように、この状態で、半導体層SCに対してＰ、ＡｓなどのＮ型不純物を注入して低不純物濃度領域を形成する。

次いで、図14に示すように、半導体層SC上に感光性樹脂からなるレジストREを塗布、露光して、レジストREにおける半導体層SCのソース領域SAおよびドレイン領域DAとなる部分を露出させる。この状態で、半導体層SCに対して、Ｎ型不純物を注入する。

次いで、残存したレジストREを剥離し、半導体層SCをパターニングして、半導体層SCにチャネル領域CH、ソース領域SA、ドレイン領域DAおよび低不純物濃度領域LDDを形成する
。そして、図15に示すように、第１層間絶縁膜223を形成し、半導体層SCのソース領域SA
およびドレイン領域DAに対応する領域にコンタクトホールＣを形成する。そして、ソース領域SA上にコンタクトホールＣを介してソース領域SAに接続するようにソース電極SEを形成するとともに、コンタクトホールＣを介してドレイン領域DAに接続するようにドレイン
電極DEを形成することで、薄膜トランジスタTFTを製造することができる。

本発明は上記の実施の形態に特に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変更および改良が可能である。

なお、上記の実施形態では、チャネル領域CHがＰ型の薄膜トランジスタTFTについて説
明したが、チャネル領域CHがＮ型の薄膜トランジスタTFTであっても構わない。

１表示装置
２液晶パネル
Ｅ_Ｄ表示領域
21 第１基板
21ａ第１主面（内側主面）
21ｂ第２主面
211 カラーフィルタ
212 ブラックマトリクス
22 第２基板
22ａ第１主面（内側主面）
22ｂ第２主面（外側主面）
221 ゲート配線
222 ゲート絶縁膜（第１絶縁膜）
223 第１層間絶縁膜
224 ソース配線
225 平坦化膜（第２絶縁膜）
226 第２信号電極
227 第２層間絶縁膜
228 第１信号電極
TFT 薄膜トランジスタ
SC 半導体層
CH チャネル領域
SA ソース領域
DA ドレイン領域
LDD 低不純物濃度領域
SE ソース電極
DE ドレイン電極
LS 遮光膜
Ｃコンタクトホール
23 液晶層
24 シール材
４第１偏光板
５第２偏光板
３光源装置
31 光源
32 導光板
RE レジスト

Claims

内側主面を対向させて配置された第１基板および第２基板と、前記第１基板および前記第２基板の間に配置された液晶層と、前記第２基板の外側主面側に配置された光源装置と、前記第２基板の前記内側主面上に設けられた複数のゲート配線と、複数の前記ゲート配線を覆うように設けられた第１絶縁膜と、複数の前記ゲート配線に交差して前記第１絶縁膜上に設けられた複数のソース配線と、前記ゲート配線と前記ソース配線とによって囲まれた画素ごとに設けられた、半導体層、ソース電極およびドレイン電極を有する複数の薄膜トランジスタと、複数の前記ゲート配線、複数の前記ソース配線および複数の前記薄膜トランジスタを覆うように設けられた第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜上に設けられた、前記薄膜トランジスタに電気的に接続され、前記画素内に位置する第１信号電極と、前記第１信号電極との間で電界を発生させるための第２信号電極と、を備え、
前記半導体層は、第１導電型不純物を含有するチャネル領域と、前記ソース電極が位置するとともに第２導電型不純物を含有するソース領域と、前記ドレイン電極が位置するとともに第２導電型不純物を含有するドレイン領域と、前記チャネル領域と前記ソース領域および前記ドレイン領域との間にそれぞれ位置する、前記ソース領域および前記ドレイン領域に比べて第２導電型不純物の濃度が低い低不純物濃度領域とを有し、
前記第２基板の前記内側主面と前記ゲート配線との間には、前記ゲート配線に接触した非導体の遮光膜が設けられており、
前記半導体層の前記低不純物濃度領域は、前記遮光膜の形成領域内に位置していることを特徴とする表示装置。
前記遮光膜はアモルファスシリコンからなる請求項１に記載の表示装置。