CN109300944B - 显示面板及其制造方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示面板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。所述显示面板包括：对盒成形的显示背板和显示盖板；所述显示背板包括：层叠设置在第一衬底基板上的像素电路层、第一电极层、发光层和第二透明电极层；所述显示盖板包括：设置在第二衬底基板上的多个光学传感组件，所述多个光学传感组件一一对应设置在所述多个第二像素区域中，所述光学传感组件用于接收所述光学传感组件所在的第二像素区域所对应的第一像素区域中发光层发出的光信号，将所述光信号转化为电信号，所述电信号用于供对应的第一像素区域中的像素电路调整输入至对应第一像素区域中第一电极的信号。本发明有效的保证了像素电路的电学性能。本发明用于显示图像。

Description

显示面板及其制造方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及其制造方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(英文：Organic Light-emitting Diode；缩写：OLED)显示面板可以包括：设置在衬底基板上的阳极层、发光层、阴极层和像素电路。该阳极层包括设置在每个像素区域中的阳极，且每个像素区域中均设置有像素电路。每个像素区域中的像素电路用于向该像素区域中的阳极提供阳极信号，使得发光层在该阳极上加载的阳极信号和阴极层上加载的阴极信号的控制下发光。
随着显示面板的使用，显示面板上的阳极层、发光层、阴极层和像素电路等的性能可能会发生退化，导致显示面板的显示效果受到影响。
为此，在相关技术中，设置有像素电路的衬底基板上还设置有光学传感器。每个像素区域中的光学传感器可将该像素区域中发光层发出的光信号转换为电信号，并将该电信号发送至控制电路，使该控制电路根据该电信号调整输入至该像素区域中的像素电路的驱动电压，对对应像素区域中发光层的发光效果进行补偿，以减小性能退化对显示面板的显示效果的影响。
但是，由于光学传感器的制造工艺会对像素电路的制造工艺产生较严重的影响，导致形成的像素电路的电学性能较差。
发明内容
本发明实施例提供了一种显示面板及其制造方法、显示装置，可以解决相关技术中光学传感器的制造工艺会对像素电路的制造工艺产生较严重的影响，导致形成的像素电路的电学性能较差的问题。所述技术方案如下：
第一方面，提供了一种显示面板，包括：对盒成形的显示背板和显示盖板，所述显示背板具有阵列排布的多个第一像素区域，所述显示盖板具有阵列排布的多个第二像素区域，所述多个第一像素区域的位置与所述多个第二像素区域的位置一一对应；
所述显示背板包括：层叠设置在第一衬底基板上的像素电路层、第一电极层、发光层和第二透明电极层，所述像素电路层包括：多个像素电路，所述第一电极层包括：多个第一电极，所述多个第一电极和所述多个像素电路均一一对应的分别设置在所述多个第一像素区域中，每个所述第一像素区域中的像素电路用于向所述第一像素区域中的第一电极提供信号；
所述显示盖板包括：设置在第二衬底基板上的多个光学传感组件，所述多个光学传感组件一一对应设置在所述多个第二像素区域中，所述光学传感组件用于接收所述光学传感组件所在的第二像素区域所对应的第一像素区域中发光层发出的光信号，将所述光信号转化为电信号，所述电信号用于供对应的第一像素区域中的像素电路调整输入至对应第一像素区域中第一电极的信号。
可选地，所述第一像素区域具有显示区域和非显示区域，所述显示区域在所述第二衬底基板上的正投影覆盖所述光学传感组件在所述第二衬底基板上的正投影。
可选地，所述显示盖板还包括：位于每个所述第二像素区域中的开关电路，所述显示面板中还包括：控制电路；
对于每个所述第二像素区域，所述第二像素区域中的开关电路用于控制是否向所述控制电路输入来自所述第二像素区域中光学传感组件的电信号，所述控制电路用于基于所述电信号调整输入至所述第一像素区域中像素电路的驱动信号，所述驱动信号用于供所述第一像素区域中像素电路调整输入至所述第一像素区域中第一电极的信号。
可选地，所述显示盖板还包括：设置在所述光学传感组件远离所述第二衬底基板一侧的第一平坦层，所述第一平坦层在所述第二衬底基板上的正投影覆盖所述开关电路在所述第二衬底基板上的正投影，且所述第一平坦层在所述第二衬底基板上的正投影覆盖所述光学传感组件在所述第二衬底基板上的正投影。
可选地，所述显示盖板还包括：黑矩阵，所述黑矩阵用于阻挡发光层发出的光从所述显示盖板射出，所述第一电极层为透明电极层。
可选地，所述黑矩阵设置在所述光学传感组件靠近所述第二衬底基板的一侧；
或者，所述黑矩阵设置在所述光学传感组件远离所述第二衬底基板的一侧，且所述黑矩阵在所述第二衬底基板上的正投影与所述光学传感组件在所述第二衬底基板上的正投影不重叠。
第二方面，提供了一种显示面板的制造方法，所述方法包括：
在第一衬底基板上确定用于形成阵列排布的多个第一像素区域的位置；
在所述第一衬底基板上形成像素电路层，所述像素电路层包括多个像素电路，所述多个像素电路一一对应设置在所述多个第一像素区域中；
依次在形成有所述像素电路层的第一衬底基板上形成第一电极层、发光层和第二透明电极层，所述第一电极层包括：位于每个所述第一像素区域中的第一电极，且所述第一像素区域中的像素电路用于向所述第一像素区域中的第一电极提供信号；
在第二衬底基板上确定用于形成阵列排布的多个第二像素区域的位置；
在所述第二衬底基板上形成多个光学传感组件，所述多个光学传感组件一一对应设置在所述多个第二像素区域中；
将形成有所述光学传感组件的第二衬底基板与形成有所述第二透明电极层的第一衬底基板对盒，使得所述第一衬底基板上的多个第一像素区域与所述第二衬底基板上的多个第二像素区域一一对应；
其中，所述光学传感组件用于接收所述光学传感组件所在的第二像素区域所对应的第一像素区域中发光层发出的光信号，将所述光信号转化为电信号，所述电信号用于供对应的第一像素区域中的像素电路调整输入至对应第一像素区域中第一电极的信号。
可选地，在所述第二衬底基板上形成多个光学传感组件之前，所述方法还包括：
在所述第二衬底基板上形成开关电路层，所述开关电路层包括多个开关电路，所述多个开关电路一一对应设置在所述多个第二像素区域中，对于每个所述第二像素区域，所述第二像素区域中的开关电路用于控制是否向控制电路输入来自所述第二像素区域中光学传感组件的电信号，所述控制电路用于基于所述电信号调整输入至所述第一像素区域中像素电路的驱动信号，所述驱动信号用于供所述第一像素区域中像素电路调整输入至所述第一像素区域中第一电极的信号；
所述在所述第二衬底基板上形成多个光学传感组件，包括：
在形成有所述开关电路层的第二衬底基板上形成所述光学传感组件。
可选地，在所述第二衬底基板上形成多个光学传感组件之前，所述方法还包括：
在所述第二衬底基板上形成黑矩阵；
所述在所述第二衬底基板上形成多个光学传感组件，包括：
在形成有所述黑矩阵的第二衬底基板上形成所述光学传感组件；
或者，在所述第二衬底基板上形成多个光学传感组件之后，所述方法还包括：
在形成有所述光学传感组件的第二衬底基板上形成黑矩阵，所述黑矩阵在所述第二衬底基板上的正投影与所述光学传感组件在所述第二衬底基板上的正投影不重叠。
第三方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述第一方面任一所述的显示面板。
本发明实施例提供的显示面板及其制造方法、显示装置，该显示面板包括：对盒成形的显示背板和显示盖板，该显示背板包括像素电路层，该显示盖板包括光学传感组件，相较于相关技术，由于光学传感组件和像素电路设置在不同的衬底基板上，使得无需在形成有像素电路的衬底基板上形成光学传感组件，能够避免光学传感组件的制造工艺对像素电路的制造工艺所产生的影响，保证了像素电路的电学性能，进而保证了显示面板的显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的再一种显示面板的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的还一种显示面板的结构示意图；
图6是本发明实施例提供的一种显示面板的制造方法的流程图；
图7是本发明实施例提供的另一种显示面板的制造方法的流程图；
图8是本发明实施例提供的一种在在第一衬底基板上形成有源层、第一栅绝缘层、栅极、第二栅绝缘层和源漏极图形后的结构示意图；
图9是本发明实施例提供的一种在形成有发光层的第一衬底基板上形成第二透明电极层后的结构示意图；
图10是本发明实施例提供的另一种在形成有发光层的第一衬底基板上形成第二透明电极层后的结构示意图；
图11是本发明实施例提供的一种在形成有光学传感组件的第二衬底基板上形成黑矩阵后的结构示意图；
图12是本发明实施例提供的一种将显示背板与显示盖板对盒后的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
随着显示面板的使用，显示面板上的阳极层、发光层、阴极层和像素电路等的性能可能会发生退化，导致显示面板的显示效果受到影响。例如，该性能退化可能会导致显示面板的显示亮度较低，且显示面板中多个像素区域的显示亮度的均匀性较差。
相关技术中，可以在显示面板中设置光学传感器。该光学传感器可将其所在像素区域中发光层发出的光信号转换为电信号，以供控制电路根据该电信号调整输入至该像素区域中的像素电路的驱动电压，对对应像素区域中发光层的发光效果进行补偿。
但是，由于光学传感器的制造工艺会对像素电路的制造工艺产生较严重的影响，导致形成的像素电路的电学性能较差。示例的，当使用非晶硅(英文：Amorphous silicone；缩写：a-Si)工艺制作光学传感器时，在制作光学传感器的过程中，会产生较多的氢，该较多的氢会对像素电路的制造工艺产生较严重的影响。例如，会导致像素电路的阈值电压偏负或导致显示面板中多个像素区域的显示亮度的均匀性较差等。并且，显示面板中还可以设置有开关电路，且该开关电路与像素电路均设置在非显示区域，导致显示区域的面积较小，影响像素单元显示区域的开口率。同时，该显示面板上电路结构较复杂，导致电路之间的信号干扰较为严重，影响显示面板的显示效果。
本发明实施例提供了一种显示面板，该显示面板可以包括：对盒成形的显示背板和显示盖板。该显示背板具有阵列排布的多个第一像素区域，该显示盖板具有阵列排布的多个第二像素区域，多个第一像素区域的位置与多个第二像素区域的位置一一对应。
如图1所示，该显示背板可以包括：层叠设置在第一衬底基板101上的像素电路层102、第一电极层103、发光层104和第二透明电极层105。该像素电路层102可以包括：多个像素电路1021。该第一电极层103可以包括：多个第一电极1031，该多个第一电极1031和该多个像素电路1021均一一对应的分别设置在多个第一像素区域中。每个第一像素区域中的像素电路1021用于向第一像素区域中的第一电极1031提供信号。需要说明的是，该第一像素区域具有显示区域和非显示区域，该像素电路1021可以设置在非显示区域中，该发光层104可以设置在显示区域中。
请继续参考图1，该显示盖板可以包括：设置在第二衬底基板106上的多个光学传感组件107。该多个光学传感组件107一一对应设置在多个第二像素区域中。该光学传感组件107用于接收该光学传感组件107所在的第二像素区域所对应的第一像素区域中发光层104发出的光信号，将光信号转化为电信号，该电信号用于供对应的第一像素区域中的像素电路1021调整输入至对应第一像素区域中第一电极1031的信号。
可选地，该光学传感组件107可以包括光电二极管(Photo-Diode)。该光电二极管可以包括：p型半导体、p-n结和n型半导体。该光电二极管可以检测光信号，并将该光信号转换为电信号。例如，该光学传感组件107可以包括PIN型光电二极管。
综上所述，本发明实施例提供的显示面板，该显示面板包括：对盒成形的显示背板和显示盖板，该显示背板包括像素电路层，该显示盖板包括光学传感组件，相较于相关技术，由于光学传感组件和像素电路设置在不同的衬底基板上，使得无需在形成有像素电路的衬底基板上形成光学传感组件，能够避免光学传感组件的制造工艺对像素电路的制造工艺所产生的影响，保证了像素电路的电学性能，进而保证了显示面板的显示效果。
其中，像素电路1021可以包括，按照预设方式连接的多个薄膜晶体管(英文：ThinFilm Transistor；缩写：TFT)。每个薄膜晶体管可以为顶栅型薄膜晶体管，也可以为底栅型薄膜晶体管。当该薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管时，该薄膜晶体管可以包括：设置在第一衬底基板101上的有源层、第一绝缘层、栅极、第二栅绝缘层和源漏极图形等。当该薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管时，该薄膜晶体管可以包括：设置在第一衬底基板101上的栅极、栅绝缘层、有源层和源漏极图形等。
可选地，为了防止由显示面板外部射入的光对像素电路1021中薄膜晶体管的电学特性产生影响，该显示背板还可以包含：第一遮光层(英文：Shield Layer)，以遮挡由显示面板外部射入的光。该第一遮光层可以设置在像素电路层102靠近第二衬底基板106的一侧。
该第一像素区域具有显示区域和非显示区域，该显示区域在第二衬底基板106上的正投影可以覆盖光学传感组件107在第二衬底基板106上的正投影。此时，可以通过光学传感组件107有效地检测到发光层104发出的光信号，以保证光学传感组件107所检测到的光信号的准确性。示例的，如图2所示，该显示区域在第二衬底基板106上的正投影M可以与光学传感组件107在第二衬底基板106上的正投影N重合。
可选地，在设置光学传感组件107时，可以根据显示背板与显示盖板的对盒精度适当调整光学传感组件107的受光面的大小，以保证该受光面能够有效地接收发光层104发出的光信号。例如，当对显示背板与显示盖板进行对位所使用的对位仪器的精度较低时，使用该对位仪器进行对位后得到的对盒成形的显示背板与显示盖板的对盒精度会较低，因此，在设置该光学传感组件107时，可以适当减小该光学传感组件107的大小，以减小该光学传感组件107的受光面的大小，使得在对盒精度较低时，该光学传感组件107的受光面仍能够有效地接收发光层104发出的光信号。如图3所示，该图3所示的光学传感组件107的受光面的宽度小于图2所示的光学传感组件107的受光面的宽度(该宽度所在方向平行于X方向)，以保证该受光面能够有效接收发光层104发出的光信号。
进一步的，该显示盖板还可以包括：控制电路。该控制电路用于基于来自光学传感组件107的电信号调整输入至第一像素区域中像素电路1021的驱动信号，该驱动信号用于供第一像素区域中像素电路1021调整输入至第一像素区域中第一电极1031的信号。且通过调整输入至该第一电极1031的信号，可以控制对应第一像素区域中发光层104所发出的光的强弱，达到光学补偿的效果，以保证显示面板的显示效果。可选地，该控制电路可以为集成电路(英文：Integrated Circuit；缩写：IC)或中央处理器(英文：Central ProcessingUnit；缩写：CPU)等。
其中，如图2所示，该显示盖板还可以包括：位于每个第二像素区域中的开关电路108。该第二像素区域具有显示区域和非显示区域，此时，为保证显示面板的开口率，该开关电路108可以设置在第二像素区域的非显示区域中。
对于每个第二像素区域，该开关电路108可以用于控制是否向控制电路输入来自第二像素区域中光学传感组件107的电信号。其中，该开关电路108的输入端可以与光学传感组件107的输出端连接，以及该开关电路108的输出端可以与控制电路的输入端连接。
在一种可实现方式中，通过对显示面板中的开关电路108进行控制，可以使显示面板所包括的多行第二像素区域中的光学传感组件以像素行为单位，逐行地向控制电路输入来自对应光学传感组件107的电信号；或者，可以使显示面板所包括的多列第二像素区域中的光学传感组件以像素列为单位，逐列地向控制电路输入来自对应光学传感组件107的电信号，以避免控制电路因接收到的电信号过多而超负荷运行，保证控制电路输出的驱动信号的准确性。
其中，为了防止由显示面板外部射入的光对开关电路108中薄膜晶体管的电学特性产生影响，该显示背板还可以包含：第二遮光层，以遮挡由显示面板外部射入的光。该第二遮光层可以设置在开关电路108靠近第二衬底基板106的一侧。
可选地，如图2所示，该显示盖板还可以包括：黑矩阵109，该黑矩阵109用于阻挡发光层104发出的光从显示盖板射出。此时，该第一电极层103为透明电极层，且该显示面板为底发射型显示面板。通过设置黑矩阵109，可以保证该底发射型显示面板的显示效果。
其中，该黑矩阵的设置方式可以有多种，本发明实施例以以下几种可实现方式为例对其进行说明：
在一种可实现方式中，该黑矩阵109可以设置在该光学传感组件107靠近第二衬底基板106的一侧。此时，该黑矩阵的设置方式可以包括以下两种情况：
在第一种情况中，如图4所示，该黑矩阵109可以设置在该光学传感组件107靠近第二衬底基板106的一侧，且该黑矩阵109设置在该开关电路108靠近第二衬底基板106的一侧。相应的，在制造显示盖板时，可以先形成黑矩阵109，然后在形成有黑矩阵109的第二衬底基板106上依次形成开关电路108和光学传感组件107。
在第二种情况中，该黑矩阵109可以设置在该光学传感组件107靠近第二衬底基板106的一侧，且该黑矩阵109设置在该开关电路108远离第二衬底基板106的一侧。相应的，在制造显示盖板时，可以先形成开关电路108，然后依次在形成有开关电路108的第二衬底基板106上形成黑矩阵109和光学传感组件107。此时，黑矩阵109在第二衬底基板106上的正投影可以覆盖开关电路108在第二衬底基板106上的正投影，以避免开关电路108中的金属器件对照射至该金属器件上的光进行反射，可以减少相邻像素单元之间光的干涉，进而保证显示面板的显示效果。
在另一种可实现方式中，该黑矩阵109可以设置在该光学传感组件107远离第二衬底基板106的一侧，且该黑矩阵109在第二衬底基板106上的正投影与该光学传感组件107在第二衬底基板106上的正投影不重叠。
此时，该黑矩阵109在第二衬底基板106上的正投影与开关电路108在第二衬底基板106上的正投影可以不重合。或者，如图2所示，该黑矩阵109在第二衬底基板106上的正投影可以覆盖开关电路108在第二衬底基板106上的正投影。且当该黑矩阵109在第二衬底基板106上的正投影覆盖开关电路108在第二衬底基板106上的正投影时，可以避免开关电路108中的金属器件对照射至该金属器件上的光进行反射，可以减少相邻像素单元之间光的干涉，进而保证显示面板的显示效果。
显示盖板还可以包括：第一钝化层(英文：Passivation；缩写：PVX)。该第一钝化层可以设置在光学传感组件107远离第二衬底基板106的一侧。例如，该第一钝化层可以设置在光学传感组件107与黑矩阵109之间。
可选地，光学传感组件107还可以包括：第三电极和第四电极。该第三电极可以设置在光电二极管靠近第二衬底基板106的一侧，该第四电极可以设置在光电二极管远离第二衬底基板106的一侧。通过向该第三电极和第四电极加载信号，可为该光电二极管提供工作所需的条件。其中，该第三电极可以由不透光材料制成，以避免发光层104发出的光从该光学传感组件107所在位置射出显示背板。并且，该不透光材料可以具有反光特性。例如，该第三电极的制造材料可以为金属，由于金属具有较强的反光特性，该第三电极可将照射至其表面的光进行反射，以增加显示面板的光利用率，提高显示面板的显示效果。该第四电极可以由透光材料(如氧化铟锡)制成，以保证光电二极管能够有效接收发光层104发出的光。
进一步的，如图2所示，该显示盖板还可以包括：设置在该光学传感组件107远离第二衬底基板106一侧的第一平坦层110。其中，该第一平坦层110可以由可透光的封装材料或可透光的有机材料制成，以保证光电二极管能够有效接收发光层104发出的光。例如，该第一平坦层110的制造材料可以为二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)或者SiO2和SiNx的混合物等材料。其中，该第一平坦层110在第二衬底基板106上的正投影可以覆盖光学传感组件107在第二衬底基板106的正投影，此时，该第一平坦层110可以在光学传感组件107与像素电路1021之间形成间隔，能够减小光学传感组件107与像素电路1021之间的信号干扰，使得光学传感组件107与像素电路1021之间的电容耦合效应较小，进而保证显示电路的显示效果。和/或，该第一平坦层110在第二衬底基板106上的正投影还可以覆盖开关电路108在第二衬底基板106上的正投影，此时，该第一平坦层110可以在开关电路108与像素电路1021之间形成间隔，能够减小开关电路108与像素电路1021之间的信号干扰，使得开关电路108与像素电路1021之间的电容耦合效应较小，进而保证显示电路的显示效果。
并且，如图2所示，该第一平坦层110可以为整层结构。当该第一平坦层110为整层结构时，可以通过该第一平坦层110减小开关电路108与光学传感组件107之间的断差，实现显示盖板的平坦化。
进一步的，如图2所示，该显示背板还可以包括：设置在该第二透明电极层105远离第一衬底基板101一侧的第二平坦层111。该第二平坦层111可以对第二透明电极层105远离第一衬底基板101的表面进行平坦化，以实现显示背板的平坦化。当显示背板与显示盖板对盒后，该第一平坦层110可以与该第二平坦层111接触。该第二平坦层111的制造材料可以为可透光的封装材料或可透光的有机材料。且该第二平坦层111的制造材料可以与第一平坦层110的制造材料相同。例如，该第二平坦层111和第一平坦层110的制造材料可以均为二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)或者SiO2和SiNx的混合物等材料。并且，可以根据实际需要设置该第一平坦层与该第二平坦层的厚度，以便于减小显示背板与显示盖板之间的信号干扰。
并且，如图5所示，该显示背板还可以包括：第二钝化层112、第三钝化层(图5中未示出)、彩色滤光(英文：Color Filter；缩写：CF)层113和第三平坦层114等膜层。该第二钝化层112可以设置在像素电路层靠近第一衬底基板的一侧，该第三钝化层、彩色滤光层113和第三平坦层114可以层叠设置在像素电路层远离第一衬底基板101的一侧，且第一电极层103、发光层104和第二透明电极层105可以设置在该第三平坦层114远离第一衬底基板101的一侧。其中，该第三平坦层114可以采用树脂(Resin)制成。
在一种可实现方式中，发光层可以采用溶液制程形成，此时，该显示背板还可以包括像素定义层(英文：Pixel Definition Layer；缩写：PDL)。在溶液制程中，该像素定义层用于限定溶解有发光材料的溶液精确地流入指定的像素区域中。该像素定义层可以设置在第一电极层103远离第一衬底基板101的一侧，且发光层104设置在像素定义层所限定的像素区域中。
可选地，可以根据第二透明电极层105的制造材料，确定是否在显示面板中设置辅助阴极层，以及待设置的第二透明电极105的厚度。例如，当第二透明电极层105由透明导电材料(如氧化铟锡)制成时，该第二透明电极层105的电阻可能会较大，导致显示面板的显示效果受到影响。为此，可以在显示面板中设置辅助阴极层，该辅助阴极层可以由具有较小电阻的材料制成，且该辅助阴极层与该第二透明电极层105并联，以达到减小第二透明电极层105与辅助阴极层组成的整体结构的电阻，此时，原有第二透明电极层105的作用可以通过该整体结构实现。由于该辅助阴极层具有较小的电阻，当该辅助阴极层与该第二透明电极层105并联时，其并联电阻会小于该辅助阴极层的电阻，使得该整体结构的电阻较小，以保证显示面板的显示效果。
在一种可实现方式中，该辅助阴极层可以设置在第一电极层103远离第一衬底基板101的一侧，且发光层104和第二透明电极层105可以设置在该辅助阴极远离第一衬底基板101的一侧。此时，该第一电极层103与辅助阴极层绝缘，且辅助阴极层与该第二透明电极层105并联。并且，该辅助阴极层可以包括多个辅助阴极结构，每个辅助阴极结构可以设置在第一像素区域的非显示区域中，以保证显示面板的开口率。
进一步地，还可以根据显示面板的尺寸和功耗，确定需要设置的第二透明电极层105的厚度以及是否在显示面板中设置辅助阴极层。例如，当显示面板的尺寸较大时，该第二透明电极层105的尺寸较大，使得该第二透明电极层105的电阻会偏大，此时，可以通过设置该辅助阴极层，以保证显示面板的显示效果。或者，当显示面板的功耗较大时，可以在显示面板中设置辅助阴极层，以减小第二透明电极层105与辅助阴极层组成的整体结构的电阻，以减小该显示面板的整体功耗。
综上所述，本发明实施例提供的显示面板，该显示面板包括：对盒成形的显示背板和显示盖板，该显示背板包括像素电路层，该显示盖板包括光学传感组件，相较于相关技术，由于光学传感组件和像素电路设置在不同的衬底基板上，使得无需在形成有像素电路的衬底基板上形成光学传感器，能够避免光学传感组件的制造工艺对像素电路的制造工艺所产生的影响，保证了像素电路的电学性能，进而保证了显示面板的显示效果。并且，当该显示面板为底发射型显示面板时，由于该光学传感组件和开关电路均设置在显示盖板上，使得该光学传感组件和开关电路的设置不会影响显示背板上显示区域的面积，保证了显示面板的开口率。
本发明实施例提供了一种显示面板的制造方法，该显示面板的制造方法可用于制造本发明实施例所提供的显示面板。请参考图6，该方法可以包括：
步骤201、在第一衬底基板上确定用于形成阵列排布的多个第一像素区域的位置。
步骤202、在该第一衬底基板上形成像素电路层，该像素电路层包括多个像素电路，该多个像素电路一一对应设置在多个第一像素区域中。
步骤203、依次在形成有像素电路层的第一衬底基板上形成第一电极层、发光层和第二透明电极层，该第一电极层可以包括：位于每个第一像素区域中的第一电极，且该第一像素区域中的像素电路用于向第一像素区域中的第一电极提供信号。
步骤204、在第二衬底基板上确定用于形成阵列排布的多个第二像素区域的位置。
步骤205、在第二衬底基板上形成多个光学传感组件，该多个光学传感组件一一对应设置在多个第二像素区域中。
步骤206、将形成有光学传感组件的第二衬底基板与形成有第二透明电极层的第一衬底基板对盒，使得第一衬底基板上的多个第一像素区域与第二衬底基板上的多个第二像素区域一一对应。
其中，该光学传感组件用于接收该光学传感组件所在的第二像素区域所对应的第一像素区域中发光层发出的光信号，将该光信号转化为电信号，该电信号用于供对应的第一像素区域中的像素电路调整输入至对应第一像素区域中第一电极的信号。
综上所述，本发明实施例提供的显示面板的制造方法，通过该方法制造的显示面板包括：对盒成形的显示背板和显示盖板，该显示背板包括在第一衬底基板上形成像素电路层，该显示盖板包括在第二衬底基板上形成光学传感组件，相较于相关技术，由于光学传感组件和像素电路设置在不同的衬底基板上，使得无需在形成有像素电路像素电路层的衬底基板上形成光学传感组件，能够避免光学传感组件的制造工艺对像素电路的制造工艺所产生的影响，保证了像素电路的电学性能，进而保证了显示面板的显示效果。
本发明实施例提供了另一种显示面板的制造方法，该显示面板的制造方法可用于制造本发明实施例所提供的显示面板。请参考图7，该方法可以包括：
步骤301、在第一衬底基板上确定用于形成阵列排布的多个第一像素区域的位置。
其中，该多个第一像素区域的位置可以根据实际需要确定。
步骤302、在该第一衬底基板上形成像素电路层，该像素电路层包括多个像素电路，该多个像素电路一一对应设置在多个第一像素区域中。
可选地，每个像素电路可以包括按照预设方式连接的多个薄膜晶体管，该薄膜晶体管之间的连接方式可以根据实际需要确定。相应的，该形成像素电路层的实现过程可以视为在第一衬底基板上形成薄膜晶体管的过程。且每个薄膜晶体管可以为顶栅型薄膜晶体管，也可以为底栅型薄膜晶体管。当该薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管时，该形成薄膜晶体管的过程可以包括：依次在第一衬底基板上形成有源层、第一绝缘层、栅极、第二栅绝缘层和源漏极图形。当该薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管时，该形成薄膜晶体管的过程可以包括：依次在第一衬底基板上形成栅极、栅绝缘层、有源层和源漏极图形。并且，该薄膜晶体管也可以采用非晶硅工艺、低温多晶硅(英文：Low temperature polycrystalline silicon；缩写：LTPS)技术或氧化物(oxide)工艺制作，本发明实施例对其不做具体限定。
可选地，可以采用磁控溅射、热蒸发或者等离子体增强化学气相沉积法(英文：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition；缩写：PECVD)等方法在第一衬底基板上沉积一层具有一定厚度的半导体材料，得到半导体材质层，然后通过一次构图工艺对半导体材质层进行处理得到有源层。其中，一次构图工艺可以包括：光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。半导体材料可以为非晶硅或多晶硅(英文：polycrystalline silicon；缩写：P-Si)等材料。且该有源层的厚度可以根据实际需要确定。其中，形成薄膜晶体管中其他膜层的实现过程可以相应参考该形成有源层的实现过程。
示例的，图8示出了本发明实施例提供的一种在第一衬底基板101上形成有源层a、第一栅绝缘层b、栅极c、第二栅绝缘层d和源漏极图形e后的结构示意图。
可选地，为了防止由显示面板外部射入的光对像素电路中薄膜晶体管的电学特性产生影响，该显示背板还可以包含：第一遮光层，以遮挡由显示面板外部射入的光。此时，可以在形成该像素电路层之前，在第一衬底基板上形成该第一遮光层。
步骤303、依次在形成有像素电路层的第一衬底基板上形成第一电极层、发光层和第二透明电极层，得到显示背板。
其中，该第一电极层可以包括：位于每个第一像素区域中的第一电极，且该第一像素区域中的像素电路用于向第一像素区域中的第一电极提供信号。
可以采用磁控溅射、热蒸发或者PECVD等方法在形成有像素电路层的第一衬底基板上，沉积一层具有一定厚度的第一导电材料，得到第一导电材质层，然后通过一次构图工艺对第一导电材质层进行处理得到第一电极层。示例的，该第一导电材料可以为金属钼(Mo)、金属铜(Cu)、金属铝(Al)或其合金材料。
可以采用蒸镀制程或溶液制程在形成有第一电极层的第一衬底基板上，沉积一层具有一定厚度的发光材料，得到发光材质层，然后通过一次构图工艺对发光材质层进行处理得到发光层。其中，该发光材料和该发光层的厚度可以根据实际需要确定。
需要说明的是，当采用溶液制程形成发光层时，在形成该发光层之前，还要在形成有第一电极层的第一衬底基板上形成像素定义层(英文：Pixel Definition Layer；缩写：PDL)。在溶液制程中，该像素定义层用于限定溶解发光材料的溶液精确地流入指定的像素区域中。
可以采用磁控溅射、热蒸发或者PECVD等方法在形成有发光层的第一衬底基板上，沉积一层具有一定厚度的透明导电材料，得到透明导电材质层，然后通过一次构图工艺对透明导电材质层进行处理得到第二透明电极层。其中，透明导电材料可以为氧化铟锡或氧化铟锌等。且该第二透明电极层的厚度可以根据实际需要确定。示例的，在形成有发光层104的第一衬底基板101上形成第二透明电极层105后的结构示意图请参考图9。
可选地，该显示背板还可以包括辅助阴极层。该辅助阴极层可以设置在第一电极层远离第一衬底基板的一侧，且发光层和第二透明电极层可以设置在该辅助阴极层远离第一衬底基板的一侧。此时，可以在形成有第一电极层的第一衬底基板上形成辅助阴极层，然后在形成有该辅助阴极层的第一衬底基板上形成发光层和第二透明电极层。
并且，在形成该第二透明电极层后，还可以在形成有该第二透明电极层的第一衬底基板上形成第二平坦层，该第二平坦层可以对第二透明电极层远离第一衬底基板的表面进行平坦化，以实现显示背板的平坦化。
需要说明的是，该显示背板还可以包括：第二钝化层、第三钝化层、彩色滤光层和第三平坦层。例如，可以在第一衬底基板上形成该第二钝化层，然后在形成有该第二钝化层的第一衬底基板上形成像素电路层。以及，可以在形成有像素电路层的衬底基板上形成第三钝化层、彩色滤光层和第三平坦层，然后在形成有该第三平坦层的第一衬底基板上依次形成第一电极层、发光层和第二透明电极层，其结构示意图请参考图10。
步骤304、在第二衬底基板上确定用于形成阵列排布的多个第二像素区域的位置。
其中，该多个第二像素区域的位置可以根据实际需要确定。
步骤305、在第二衬底基板上形成黑矩阵。
可以采用磁控溅射、热蒸发或者PECVD等方法在第二衬底基板上，沉积一层具有一定厚度的遮光材料，得到黑矩阵。其中，该黑矩阵用于阻挡发光层发出的光从显示盖板射出。
步骤306、在形成有该黑矩阵的第二衬底基板上形成开关电路层，该开关电路层包括多个开关电路，该多个开关电路一一对应设置在多个第二像素区域中。
可选地，每个开关电路可以包括按照预设方式连接的多个薄膜晶体管，该薄膜晶体管之间的连接方式可以根据实际需要确定。相应的，该形成开关电路层的实现过程可以视为形成薄膜晶体管的过程。且该形成薄膜晶体管的实现过程可以相应参考步骤302中形成像素电路中的薄膜晶体管的实现过程。
显示面板还可以包括控制电路，该控制电路用于基于该电信号调整输入至第一像素区域中像素电路的驱动信号。该驱动信号用于供第一像素区域中像素电路调整输入至第一像素区域中第一电极的信号。进而通过调整该输入至第一电极的信号，可以控制显示背板的发光层所发出的光的强弱，进而达到光学补偿的效果，以保证显示面板的显示效果。对于每个第二像素区域，该第二像素区域中的开关电路用于控制是否向控制电路输入来自第二像素区域中光学传感组件的电信号，以避免控制电路因接受到的电信号过多而超负荷运行，保证控制电路输出的驱动信号的准确性。
可选地，为了防止由显示面板外部射入的光对开关电路中薄膜晶体管的电学特性产生影响，该显示背板还可以包含：第二遮光层，以遮挡由显示面板外部射入的光。此时，可以在形成该开关电路层之前，在第二衬底基板上形成该第二遮光层。
步骤307、在形成有开关电路层的第二衬底基板上形成光学传感组件，得到显示盖板。
其中，该多个光学传感组件一一对应设置在多个第二像素区域中。
可选地，该光学传感组件可以包括光电二极管，可以采用非晶硅工艺等方法在形成有开关电路层的第二衬底基板上形成光电二极管。其中，该光电二极管可以包括：p型半导体、p-n结和n型半导体。
该光学传感组件还可以包括：设置在光电二极管靠近第二衬底基板一侧的第三电极层，及设置在光电二极管远离第二衬底基板一侧的第四电极层。此时，可以在形成有开关电路层的第二衬底基板上形成第三电极层，然后在形成有第三电极层的第二衬底基板上形成光电二极管，再在形成光电二极管的第二衬底基板上形成第四电极层。其中，通过向该第三电极和第四电极加载信号，可为该光电二极管提供工作所需的条件。
可选地，该第三电极可以由不透光材料制成，以避免发光层104发出的光从该光学传感组件107所在位置射出。并且，该不透光材料可以具有反光特性。例如，该第三电极的制造材料可以为金属，由于金属具有较强的反光特性，当该第三电极由金属制成时，该第三电极可将照射至其表面的光进行反射，以增加显示面板的光利用率，提高显示面板的显示效果。该第四电极可以由透光材料(如氧化铟锡)制成，以保证光电二极管能够有效接收发光层104发出的光。
需要说明的是，步骤305可以为可选步骤。例如，在制造显示面板的过程中，可以选择不执行步骤305，并在形成有开关电路层的第二衬底基板上形成黑矩阵，然后在形成有该黑矩阵的第二衬底基板上形成光学传感组件，以阻挡发光层发出的光从显示盖板射出。或者，也可以在形成有光学传感组件的第二衬底基板上形成黑矩阵。并且，该黑矩阵在第二衬底基板上的正投影可以覆盖开关电路在第二衬底基板上的正投影，以避免开关电路中的金属器件对照射至该金属器件上的光进行反射，可以减少相邻像素单元之间光的干涉，进而保证显示面板的显示效果。
示例的，图11示出了本发明实施例提供的一种在形成有光学传感组件107的第二衬底基板106上形成黑矩阵109后的结构示意图。
需要说明的是，在第二衬底基板上形成光学传感组件之后，还可以在形成有光学传感组件的第二衬底基板上形成第一钝化层。示例的，可以在形成有光学传感组件的第二衬底基板上形成第一钝化层，然后在形成有该第一钝化层的第二衬底基板上形成黑矩阵。
并且，该显示盖板还可以包括：设置在该光学传感组件远离第二衬底基板一侧的第一平坦层。例如，当光学传感组件远离衬底基板的表面上形成有黑矩阵时，该第一平坦层可以设置在该黑矩阵远离衬底基板的一侧。
步骤308、将显示盖板与显示背板对盒，使得第一衬底基板上的多个第一像素区域与第二衬底基板上的多个第二像素区域一一对应。
在对显示盖板和显示背板进行对盒前，还可以对显示盖板和显示背板进行封装。例如，可以采用框胶封装或面胶封装对该显示盖板和显示背板进行封装，以保证对合成形后的显示面板的密封性。
示例的，图12示出了本发明实施例提供的一种将显示背板与显示盖板对盒后的结构示意图。
需要说明的是，在设置光学传感组件时，可以根据显示背板与显示盖板的对盒精度适当调整光学传感组件的受光面的大小，以保证该受光面能够有效地接收发光层发出的光信号。例如，当对显示背板与显示盖板进行对位所使用的对位仪器的精度较低时，使用该对位仪器进行对位后得到的对盒成形的显示背板与显示盖板的对盒精度会较低，因此，在设置该光学传感组件时，可以适当减小该光学传感组件的大小，使得在对盒精度较低时，该光学传感组件107的受光面仍能够有效地接收发光层104发出的光信号，以减小该光学传感组件的受光面的大小。
例如，在具有较高分辨率的显示面板中，由于显示面板中像素区域的大小较小，对对盒精度提出了较高要求，此时，通过适当减小光学传感组件的大小，可以保证该光学传感组件的受光面能够有效地接收发光层发出的光信号。
可选地，当光学传感组件包括设置在光电二极管靠近第二衬底基板的一侧的第三电极，且该第三电极由具有反光特性的材料制成时，由于该第三电极的截面面积越大，由该第三电极反射的光的量越大，此时，可以通过适当增大第三电极的面积以增加显示面板的显示亮度。
综上所述，本发明实施例提供的显示面板的制造方法，通过该方法制造的显示面板包括：对盒成形的显示背板和显示盖板，该显示背板包括在第一衬底基板上形成像素电路层，该显示盖板包括在第二衬底基板上形成光学传感组件，相较于相关技术，由于光学传感组件和像素电路设置在不同的衬底基板上，使得无需在形成有像素电路的衬底基板上形成光学传感组件，能够避免光学传感组件的制造工艺对像素电路的制造工艺所产生的影响，保证了像素电路的电学性能，进而保证了显示面板的显示效果。并且，当该显示面板为底发射型显示面板时，由于该光学传感组件和开关电路均设置在显示盖板上，使得该光学传感组件和开关电路的设置不会影响显示背板上显示区域的面积，保证了显示面板的开口率。
需要说明的是，本发明实施例提供的显示面板的制造方法步骤的先后顺序可以进行适当调整，步骤也可以根据情况进行相应增减，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本发明的保护范围之内，因此不再赘述。
本发明实施例提供一种显示装置，该显示装置可以包括：本发明实施例所提供的显示面板。
可选地，该显示装置可以为：液晶面板、电子纸、有机发光二极管面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等装置的部件。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：对盒成形的显示背板和显示盖板，所述显示背板具有阵列排布的多个第一像素区域，所述显示盖板具有阵列排布的多个第二像素区域，所述多个第一像素区域的位置与所述多个第二像素区域的位置一一对应；
所述显示背板包括：层叠设置在第一衬底基板上的像素电路层、第一电极层、发光层和第二透明电极层，所述像素电路层包括：多个像素电路，所述第一电极层包括：多个第一电极，所述多个第一电极和所述多个像素电路均一一对应的分别设置在所述多个第一像素区域中，每个所述第一像素区域中的像素电路用于向所述第一像素区域中的第一电极提供信号；
所述显示盖板包括：设置在第二衬底基板上的多个光学传感组件，所述多个光学传感组件一一对应设置在所述多个第二像素区域中，所述光学传感组件用于接收所述光学传感组件所在的第二像素区域所对应的第一像素区域中发光层发出的光信号，将所述光信号转化为电信号，所述显示盖板还包括：位于每个所述第二像素区域中的开关电路，所述显示面板中还包括：控制电路，对于每个所述第二像素区域，所述第二像素区域中的开关电路用于控制是否向所述控制电路输入来自所述第二像素区域中光学传感组件的电信号，所述控制电路用于基于所述电信号调整输入至所述第一像素区域中像素电路的驱动信号，所述驱动信号用于供所述第一像素区域中像素电路调整输入至所述第一像素区域中第一电极的信号。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一像素区域具有显示区域和非显示区域，所述显示区域在所述第二衬底基板上的正投影覆盖所述光学传感组件在所述第二衬底基板上的正投影。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示盖板还包括：设置在所述光学传感组件远离所述第二衬底基板一侧的第一平坦层，所述第一平坦层在所述第二衬底基板上的正投影覆盖所述开关电路在所述第二衬底基板上的正投影，且所述第一平坦层在所述第二衬底基板上的正投影覆盖所述光学传感组件在所述第二衬底基板上的正投影。
4.根据权利要求1至3任一所述的显示面板，其特征在于，所述显示盖板还包括：黑矩阵，所述黑矩阵用于阻挡发光层发出的光从所述显示盖板射出，所述第一电极层为透明电极层。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，
所述黑矩阵设置在所述光学传感组件靠近所述第二衬底基板的一侧；
或者，所述黑矩阵设置在所述光学传感组件远离所述第二衬底基板的一侧，且所述黑矩阵在所述第二衬底基板上的正投影与所述光学传感组件在所述第二衬底基板上的正投影不重叠。
6.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：
在第一衬底基板上确定用于形成阵列排布的多个第一像素区域的位置；
在所述第一衬底基板上形成像素电路层，所述像素电路层包括多个像素电路，所述多个像素电路一一对应设置在所述多个第一像素区域中；
依次在形成有所述像素电路层的第一衬底基板上形成第一电极层、发光层和第二透明电极层，所述第一电极层包括：位于每个所述第一像素区域中的第一电极，且所述第一像素区域中的像素电路用于向所述第一像素区域中的第一电极提供信号；
在第二衬底基板上确定用于形成阵列排布的多个第二像素区域的位置；
在所述第二衬底基板上形成开关电路层，所述开关电路层包括多个开关电路，所述多个开关电路一一对应设置在所述多个第二像素区域中，对于每个所述第二像素区域，所述第二像素区域中的开关电路用于控制是否向控制电路输入来自所述第二像素区域中光学传感组件的电信号，所述控制电路用于基于所述电信号调整输入至所述第一像素区域中像素电路的驱动信号，所述驱动信号用于供所述第一像素区域中像素电路调整输入至所述第一像素区域中第一电极的信号；
在形成有所述开关电路层的所述第二衬底基板上形成多个所述光学传感组件，多个所述光学传感组件一一对应设置在所述多个第二像素区域中；
将形成有所述光学传感组件的所述第二衬底基板与形成有所述第二透明电极层的所述第一衬底基板对盒，使得所述第一衬底基板上的所述多个第一像素区域与所述第二衬底基板上的所述多个第二像素区域一一对应；
其中，所述光学传感组件用于接收所述光学传感组件所在的所述第二像素区域所对应的所述第一像素区域中发光层发出的光信号，将所述光信号转化为电信号。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述第二衬底基板上形成多个光学传感组件之前，所述方法还包括：
在所述第二衬底基板上形成黑矩阵；
所述在所述第二衬底基板上形成多个光学传感组件，包括：
在形成有所述黑矩阵的第二衬底基板上形成所述光学传感组件；
或者，在所述第二衬底基板上形成多个光学传感组件之后，所述方法还包括：
在形成有所述光学传感组件的第二衬底基板上形成黑矩阵，所述黑矩阵在所述第二衬底基板上的正投影与所述光学传感组件在所述第二衬底基板上的正投影不重叠。
8.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：权利要求1至5任一所述的显示面板。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109545835B (zh) * 2018-12-13 2021-02-09 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN110767728B (zh) * 2019-10-31 2022-07-15 Oppo广东移动通信有限公司 显示装置及电子设备
CN110993667B (zh) * 2019-12-09 2022-09-30 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其亮度调节方法、显示装置
WO2022099587A1 (zh) 2020-11-13 2022-05-19 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光显示基板及制作方法、显示面板、显示装置
GB2613522A (en) * 2021-05-31 2023-06-07 Boe Technology Group Co Ltd Light-emitting substrate and display apparatus
CN114141835B (zh) * 2021-11-25 2023-06-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101847343A (zh) * 2009-03-27 2010-09-29 索尼公司 显示面板及显示装置
CN101859714A (zh) * 2009-04-10 2010-10-13 索尼公司 显示器制造方法和显示器
CN104916658A (zh) * 2014-03-13 2015-09-16 联想(北京)有限公司 显示装置、电子设备和显示方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070222370A1 (en) * 2003-12-30 2007-09-27 Agency For Science, Technology And Research Flexible Electroluminescent Devices
JP6199667B2 (ja) * 2013-09-11 2017-09-20 株式会社ジャパンディスプレイ 入力機能付き有機エレクトロルミネセンス装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101847343A (zh) * 2009-03-27 2010-09-29 索尼公司 显示面板及显示装置
CN101859714A (zh) * 2009-04-10 2010-10-13 索尼公司 显示器制造方法和显示器
CN104916658A (zh) * 2014-03-13 2015-09-16 联想(北京)有限公司 显示装置、电子设备和显示方法

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