CN110993667B - 一种显示面板及其亮度调节方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种显示面板及其亮度调节方法、显示装置。所述显示面板包括背板以及覆盖在所述背板上的彩膜盖板，所述背板上设置有像素单元，所述彩膜盖板设置有与所述像素单元对应的彩膜，所述彩膜盖板还设置有：光电感应单元，用于将作用于所述像素单元的环境光转化为电信号，且所述光电感应单元与所述像素单元在所述背板上的正投影不重合；信号转换单元，用于将所述电信号转化为感测信号以调整所述像素单元的显示亮度。本发明用以解决显示装置的亮度自动调节问题。

Description

一种显示面板及其亮度调节方法、显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其亮度调节方法、制作方法、显示装置。

背景技术

当前，显示装置正以日益多样化和新颖的形式出现在显示市场和大众的日常生活中，这些显示装置包括如技术已经相当成熟。其中，有机发光二极管(Organic LightEmitting Diode，OLED)显示器，由于具有更高的开口率等优点而越来越多地被应用于高性能显示领域当中。

对于显示装置来说，显示亮度对显示效果有着重要的影响，不合适的显示亮度不仅会伤害用户的眼睛，也会为用户带来不好的用户体验。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提出一种显示面板及其亮度调节方法、显示装置，以解决显示装置的亮度自动调节问题。

基于上述目的，本发明提供了一种显示面板，包括背板以及覆盖在所述背板上的彩膜盖板，所述背板上设置有像素单元，所述彩膜盖板设置有与所述像素单元对应的彩膜，所述彩膜盖板还设置有：

光电感应单元，用于将作用于所述像素单元的环境光转化为电信号，且所述光电感应单元与所述彩膜在所述背板上的正投影不重合；

信号转换单元，用于将所述电信号转化为感测信号以调整所述像素单元的显示亮度。

可选的，所述信号转换单元包括感测信号线层、薄膜晶体管、第一导电层以及第二导电层，所述感测信号线层、所述第一导电层以及所述第二导电层沿远离所述彩膜盖板的方向依次层叠设置；所述薄膜晶体管的第一电极与所述感测信号线层连接，所述薄膜晶体管的第二电极与所述第二导电层连接。

可选的，所述光电感应单元包括PIN电极层以及PIN光电半导体层，所述第二导电层、所述PIN光电半导体层以及所述PIN电极层沿远离所述彩膜盖板的方向依次层叠设置且所述第二导电层复用为所述PIN光电半导体层的电极层，所述PIN电极层与所述第一导电层连接。

可选的，所述彩膜盖板还包括透明区以及第一黑矩阵，所述薄膜晶体管设置于所述彩膜上，所述PIN电极层、所述PIN光电半导体层、所述感测信号线层、所述第一导电层以及所述第二导电层设置于所述第一黑矩阵上。

可选的，所述PIN光电半导体层设置于相邻的两个所述透明区之间。

可选的，所述薄膜晶体管的第一电极与所述感测信号线层在所述彩膜盖板上的正投影至少部分重合；所述PIN电极层与所述第二导电层在所述彩膜盖板上的正投影至少部分重合。

可选的，所述PIN光电半导体层在所述彩膜盖板上的正投影位于所述第二导电层在所述彩膜盖板上的正投影的内部。

可选的，所述感测信号线层与所述第一导电层之间沿远离所述彩膜盖板的方向依次层叠设置缓冲层以及绝缘层；

所述缓冲层与所述薄膜晶体管的栅极之间沿远离所述彩膜盖板的方向依次层叠设置有源层以及栅绝缘层，且所述有源层分别与所述薄膜晶体管的第一电极、所述薄膜晶体管的第二电极连接；

所述薄膜晶体管的栅极与所述薄膜晶体管的第一电极之间设置第一层间介质层；

所述第一导电层以及所述第二导电层之间设置第二层间介质层；

所述第二导电层与所述PIN电极层之间设置钝化层。

可选的，所述PIN电极层上远离所述彩膜盖板的方向依次层叠设置第二黑矩阵层、平坦化层以及辅助电极层，所述第二黑矩阵层与所述PIN光电半导体层在所述彩膜盖板上的正投影不重合。

本发明还提供一种显示装置，包括如上述任一项所述的显示面板。

本发明还提供一种上述任一项所述的显示面板的亮度调节方法，包括：

通过光电感应单元将作用于所述像素单元的环境光强转化为电信号；

通过信号转换单元将所述电信号转化为感测信号以调整所述像素单元的显示亮度。

从上面所述可以看出，本发明提供的显示面板及其亮度调节方法、显示装置，通过设置在彩膜盖板上的光电感应单元将作用于对应像素单元上的环境光强转化为电信号，并基于电信号生成感测信号，将该感测信号输出给对应的像素单元以调整像素单元的显示亮度后，即能够使得像素单元的显示亮度能够与其所处的光环境相匹配，可实现在不同环境光下均能显示出适合观看的显示画面，提升了显示装置的亮度均一性，进而达到较佳的显示效果。同时，通过将光电感应单元设置在彩膜盖板上而非背板上，可以尽量降低光电感应单元对背板上的薄膜晶体管的特性的影响。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1a为本发明实施例背板结构示意图；

图1b为本发明实施例彩膜盖板结构示意图

图2为本发明实施例所述光电感应单元以及信号转换单元的叠层结构示意图；

图3为本发明实施例所述光电感应单元以及信号转换单元工作的等效电路图；

图4为像素单元电路示意图；

图5为本发明实施例所述光电感应单元以及信号转换单元的叠层关系示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。

需要说明的是，除非另外定义，本发明实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

本发明实施例的第一个方面提出一种显示面板，所述显示面板包括背板100以及覆盖在所述背板100上的彩膜盖板200。如图1a所示，所述背板100上设置有像素单元101，其中像素单元101有多个且在背板100上呈阵列分布，像素单元101由R、G、B子像素组成。如图1b所示，所述彩膜盖板200设置有与所述像素单元101对应颜色的彩膜201。如图2所示，本实施例所述彩膜盖板200上还设置有光电感应单元202以及信号转换单元203。

对于每一个所述光电感应单元202，其与至少一个所述的像素单元101对应设置。光电感应单元202具有光电转化的功能，能够将作用于所述像素单元101的环境光转化为电信号并传输给信号转换单元203。基于光电感应单元202与像素单元101的对应关系，光电感应单元202获得的电信号的大小即对应为与该光电感应单元202对应的至少一个像素单元101所处光环境下的环境光的大小。

可选的，每个像素单元101可以对应设置一个光电感应单元202。也可以将阵列排布的多个像素单元101划分为多个不同的组，每组中包括若干数量的像素单元101，每个组所处的位置中，对应设置一个光电感应单元202，则该光电感应单元202生成的电信号即为由该组像素单元101所处光环境下的环境光强转化而来。其中，多个像素单元101划分为多个不同的组时，每组像素单元101包括的像素单元101的数量，以及每组对应的光电感应单元202的设置位置可以根据具体的应用环境和需要而灵活设置。具体的，光电感应单元202可以选用光电二极管、光敏电阻等常见的光电传感器件，如PIN光敏器件等。

信号转换单元203与光电感应单元202配合工作，用于将光电感应单元202产生的所述电信号转化为感测信号，该感测信号用以调整所述像素单元101的显示亮度。具体的，信号转换单元203先接收光电感应单元202生成的电信号，然后根据该电信号生成感测信号，进一步将该感测信号输出给像素单元101以调整像素单元101的显示亮度。其中，将该感测信号作用于像素单元101以调整像素单元101的显示亮度的具体实施方式可通过现有技术实现，本实施例中不作具体限定。

可见，在本实施例中，通过设置在彩膜盖板200上的光电感应单元202将作用于对应像素单元101上的环境光强转化为电信号，并基于电信号生成感测信号，将该感测信号输出给对应的像素单元101以调整像素单元101的显示亮度后，即能够使得像素单元101的显示亮度能够与其所处的光环境相匹配，可实现在不同环境光下均能显示出适合观看的显示画面，提升了显示装置的亮度均一性，进而达到较佳的显示效果。

同时，光电感应单元202是由硅(Si)材料构成，通过化学气相沉积(CVD)方法沉积非晶硅时会用到前驱气体甲硅烷(SiH₄)和一氧化二氮(N2O)，由于SiH₄中含有氢(H)，进行CVD时电离的H离子可以穿过绝缘介质层进入有源层，从而导致薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)出现大电流等特性异常。而本实施例通过将光电感应单元202设置在彩膜盖板200上而非背板100上，可以尽量降低光电感应单元202对背板100上的薄膜晶体管的特性的影响。

图2为本发明实施例所述光电感应单元以及信号转换单元的叠层结构示意图。在一些可选的实施例中，如图2所示，所述信号转换单元203包括感测信号线层2、薄膜晶体管、第一导电层62以及第二导电层83，所述感测信号线层2、所述第一导电层62以及所述第二导电层83沿远离所述彩膜盖板200的方向依次层叠设置。所述薄膜晶体管的第一电极81与所述感测信号线层2连接。可选的，薄膜晶体管的第一电极81与感测信号线层2之间还设置有第二层间介质层72以及缓冲层3，在第二层间介质层72以及缓冲层3上开孔从而实现薄膜晶体管的第一电极81与感测信号线层2的连接。所述薄膜晶体管的第二电极82与所述第二导电层83连接。可选的，所述薄膜晶体管的第二电极82与所述第二导电层83在同一层，在制作时可以在一个工艺步骤中同时形成。其中感测信号线层2由屏蔽层(shield)金属形成，薄膜晶体管的第一电极81、薄膜晶体管的第二电极82、薄膜晶体管的栅极61、第一导电层62以及第二导电层83可以选择但不限于铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)等材料。薄膜晶体管的第一电极81可以为源极或者漏极，薄膜晶体管的第二电极82相应的可以为漏极或者源极。

可选的，所述光电感应单元202包括PIN电极层11以及PIN光电半导体层9，所述第二导电层83、所述PIN光电半导体层9以及所述PIN电极层11沿远离所述彩膜盖板200的方向依次层叠设置，且第二导电层83复用为PIN光电半导体层9的电极层。所述PIN电极层11与所述第一导电层62连接。可选的，PIN电极层11与第一导电层62之间还设置有钝化层10和第二层间介质层72，在钝化层10和第二层间介质层72上开孔从而实现PIN电极层11与第一导电层62的连接。

图3为本发明实施例所述光电感应单元以及信号转换单元工作的等效电路图。其中第一导电层62用于输入数据信号V0，第一导电层62与等效电路图中电容Cs的c端等效；PIN光电半导体层9远离彩膜盖板200的一侧与PIN电极层11接触连接，PIN电极层11与第一导电层62连接，相当于等效电路图中PIN光敏器件的a端与电容Cs的c端连接，即PIN光敏器件的a端也能够输入数据信号V0；PIN光电半导体层9靠近彩膜盖板200的一侧与第二导电层83接触连接，相当于等效电路图中PIN光敏器件的b端与电容Cs的d端连接；第二导电层83与薄膜晶体管的第二电极82连接，相当于等效电路图中电容Cs的d端与薄膜晶体管的e电极连接；薄膜晶体管的栅极61等效于等效电路图中薄膜晶体管的g电极，用于输入栅极驱动信号G2；薄膜晶体管的第一电极81与感测信号线层2连接，相当于等效电路图中薄膜晶体管的f电极与感测信号线sense连接，用于输出生成的感测信号。在一个可选的实施例中，生成感测信号作用于与如图4所示的与该感测信号对应的像素单元的电路上，以调整像素单元的显示亮度。

在一个可选的实施例中，PIN光电半导体层9包括沿远离所述第二导电层83的方向依次层叠设置的N型半导体层、I型半导体层以及P型半导体层。光电感应单元202以及信号转换单元工作的等效电路的工作原理包括：显示面板工作时，输入数据信号V0，输入G2信号使得薄膜晶体管的第一电极81以及第二电极82导通。没有光照时，电容Cs基于输入的数据信号V0在电容Cs两端产生电场，PIN光电半导体层9不会产生电信号。当入射光照射到PIN光电半导体层9时，在PIN光电半导体层9内产生光电子和空穴，在强电场作用下，电子向N型层漂移，空穴向P型层漂移，从而形成光电流，光功率变化时电流也随之线性变化，从而将光信号转变为电信号，信号转换单元将该电信号转化为随光照强度变化的感测信号并通过感测信号线层2输出给对应的像素单元101，以实现对画面亮度进行调节。

可选的，如图1b所示，本实施例所述显示面板可以为透明显示面板。所述透明显示面板的彩膜盖板200还包括透明区205以及第一黑矩阵204，彩膜盖板200除了彩膜201以及透明区205以外，其他区域均被黑矩阵(Black Matrix，BM)材料覆盖。所述薄膜晶体管可以设置在第一黑矩阵204上，也可以设置于所述彩膜201上。可选的，薄膜晶体管设置于蓝色彩膜2013上，并由蓝色子像素的黑矩阵遮挡。在有需要的情况下，薄膜晶体管也可设置于红色彩膜2011或者绿色彩膜2012上。光电感应单元202以及信号转换单元的其他结构设置于第一黑矩阵204上，即PIN电极层11、PIN光电半导体层9、感测信号线层2、第一导电层62以及第二导电层83设置于所述第一黑矩阵204上。通过将光电感应单元202以及信号转换单元的其他结构设置在彩膜盖板的第一黑矩阵204，利用了透明显示面板中的非发光区实现环境光强的感测，不牺牲开口和透明区面积，可以最小程度的降低对面板透明度的影响。同时，将PIN光电半导体层9以及薄膜晶体管等结构设置在彩膜盖板200上，避免形成PIN光电半导体层9过程中产生的H元素对背板器件特性造成影响。

可选的，由于PIN光电半导体层9的设置需要达到一定的面积以减小噪声，因此将PIN光电半导体层9设置于相邻的两个所述透明区205之间的第一黑矩阵204上。在有需要的情况下，PIN光电半导体层9也可以设置于第一黑矩阵204上的其他位置。

如图5所示，为本发明实施例所述光电感应单元以及信号转换单元的叠层关系示意图。在本实施例中，所述薄膜晶体管的第一电极81与所述感测信号线层2在所述彩膜盖板200上的正投影至少部分重合，在第二层间介质层72、缓冲层3上可以更加方便的开孔以实现薄膜晶体管的第一电极81与感测信号线层2的连接。所述PIN电极层11与所述第二导电层83在所述彩膜盖板200上的正投影至少部分重合，在钝化层10和第二层间介质层72上可以更加方便的开孔以实现PIN电极层11与第一导电层62的连接。所述PIN光电半导体层9在所述彩膜盖板200上的正投影位于所述第二导电层83在所述彩膜盖板200上的正投影的内部，使得第二导电层83可以将PIN光电半导体层9完全遮挡住，避免像素单元101的发光对PIN光电半导体层9的影响。所述PIN光电半导体层在所述彩膜盖板上的正投影位于所述PIN电极层在所述彩膜盖板上的正投影的内部。其中，上述各层之间的叠层关系也可以根据不同显示面板的需要而灵活设置。

可选的，如图5所示，所述薄膜晶体管的第一电极81、所述薄膜晶体管的栅极61、所述第一导电层62、所述第二导电层83、所述PIN电极层11以及所述PIN光电半导体层9分别与所述感测信号线层2在所述彩膜盖板200上的正投影至少部分重合。所述PIN光电半导体层9在所述彩膜盖板200上的正投影位于所述第一导电层62在所述彩膜盖板200上的正投影的内部。其中，上述各层之间的叠层关系也可以根据不同显示面板的需要而灵活设置。

在一些可选的实施例中，如图2所示，所述感测信号线层2与所述第一导电层62之间沿远离所述彩膜盖板200的方向依次层叠设置缓冲层(Buffer)3以及绝缘层52，其中缓冲层3用于隔离感测信号线层2与有源层4，缓冲层3采用氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)等绝缘介质材料制成。所述缓冲层3与所述薄膜晶体管的栅极61之间沿远离所述彩膜盖板200的方向依次层叠设置有源层4以及栅绝缘层51，且所述有源层4分别与所述薄膜晶体管的第一电极81、所述薄膜晶体管的第二电极82连接，所述薄膜晶体管的第一电极81、所述薄膜晶体管的第二电极82与所述有源层4在所述彩膜盖板200上的正投影至少部分重合以便于实现所述薄膜晶体管的第一电极81、所述薄膜晶体管的第二电极82分别与所述有源层4的连接。有源层4包含但不限于Oxide，a-Si，p-Si等材料。所述薄膜晶体管的栅极61与所述薄膜晶体管的第一电极81、第二电极82之间设置第一层间介质层(Inter-Layer Dielectric，ILD)71；所述第一导电层62以及所述第二导电层83之间设置第二层间介质层(ILD)72；所述第二导电层83与所述PIN电极层11之间设置钝化层(passivation，PVX)10，其中钝化层10与所述PIN光电半导体层9在所述彩膜盖板200上的正投影至少部分重合。其中，第二层间介质层72与钝化层10上设置有开孔，用于实现所述PIN电极层11与所述第一导电层62的连接。

可选的，所述PIN电极层11上远离所述彩膜盖板200的方向依次层叠设置第二黑矩阵层12、平坦化层13以及辅助电极层14。其中，第二黑矩阵层12与所述PIN光电半导体层9在所述彩膜盖板200上的正投影不重合，使得第二黑矩阵层12只遮挡除PIN光电半导体层9以外的结构，而不遮挡PIN光电半导体层9，避免影响PIN光电半导体层9的感光效果。同时，由于薄膜晶体管所占用的面积相比于彩膜201的面积很小，因此即使薄膜晶体管上覆盖黑矩阵材料也不会影响彩膜发光。平坦化层13采用树脂(resin)材料制成，用于降低显示面板内部因为各个位置图形不一样造成的段差。辅助电极层14采用铟锡金属氧化物(Indium TinOxides，ITO)材料制成，作为辅助电极用于在对盒时搭接到背板100的透明阴极上，降低阴极电阻。

本发明实施例适用于以不同结构薄膜晶体管(TFT)为基础的有源矩阵有机发光二极体(Active-matrix organic light-emitting diode，AMOLED)显示面板，如顶发射结构(Top Gate)、背沟道刻蚀结构(BCE)、刻蚀阻挡层(ESL)等膜晶体管结构的AMOLED显示面板。

本发明实施例适用于基于氧化物半导体、硅半导体以及有机半导体技术制造的OLED(Organic Light Emitting Diode)显示背板有源矩阵，其中，氧化物半导体包括但不限于：a-IGZO(即a-Indium Gallium Zinc Oxide，非晶铟镓锌氧化物)，ZnON(氮氧化锌)以及IZTO(即Indium Zinc Tin Oxide，铟锌锡氧化物)；硅半导体包括但不限于：非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)；有机半导体包括但不限于：六噻吩、聚噻吩。

本发明实施例中感测信号线层、薄膜晶体管的三个电极、第一导电层、第二导电层的材料包括但不限于：金属材料如银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)等，多层金属如钼铌合金/铜单质/钼铌合金(MoNb/Cu/MoNb)等，金属的合金材料如铝钕合金(AlNd)、钼铌合金(MoNb)等，也可以是金属和透明导电氧化物(如ITO、AZO等)形成的堆栈结构如Mo/AlNd/ITO、ITO/Ag/ITO等。

本发明实施例中缓冲层、绝缘层、栅绝缘层、第一层间介质层、第二层间介质层以及钝化层的材料包括但不限于：介质材料如硅的氧化物(SiOx)、硅的氮化物(SiNx)、硅的氮氧化物(SiON)等，各种新型的有机绝缘材料，高介电常数(High k)材料如铝的氧化物(AlOx)、铪的氧化物(HfOx)、钽的氧化物(TaOx)等。并且，上述各层还可以采用有机绝缘材料，例如聚硅氧烷系材料、亚克力系材料、或聚酰亚胺系材料等具有平坦化(即Over Coat，简称为OC)效果的材料。

基于同一发明构思，本发明实施例的第二个方面提出一种显示装置，包括如上述任一项实施例所述的显示面板。由于应用了上述实施例所述的显示面板，则本实施例的显示装置具有与显示面板实施例相同的有益效果，在此不再赘述。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板的亮度调节方法，该亮度调节方法应用于上述任意一实施例所述的显示面板，其包括以下步骤：

通过光电感应单元将作用于所述像素单元的环境光转化为电信号；

通过信号转换单元将所述电信号转化为感测信号以调整所述像素单元的显示亮度。

基于上述实施例的显示面板，并通过本实施例的亮度调节方法对所述显示面板的显示亮度进行调节后，能够针对像素单元进行基于环境光的亮度调节的效果，能够解决显示装置亮度不均的问题，提升显示效果。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板的制作方法，该方法用于制作如上述任一项实施例所述的显示面板，包括：

步骤101，制作背板100以及彩膜盖板200。依据目前常规显示面板制造工艺，制作顶发射透明显示的有源矩阵背板100以及彩膜盖板200。

步骤102，在所述彩膜盖板200上形成信号转换单元以及光电感应单元。

步骤103，将所述背板100与所述彩膜盖板200压合。

其中，步骤102在所述彩膜盖板200上形成信号转换单元进一步包括：

步骤201，在所述彩膜盖板200形成感测信号线层2。

在本步骤中，首先在彩膜盖板200上沉积屏蔽层(shield)金属并图形化，形成感测信号线层2。

步骤202，在所述感测信号线层2上形成薄膜晶体管的栅极61以及第一导电层62。

在本步骤中，在彩膜201的对应位置沉积金属材料，形成薄膜晶体管的栅极61以及第一导电层62。金属材料包括但不限于铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)等材料。在一些可选的实施例中，薄膜晶体管的栅极61以及第一导电层62可以在一次构图工艺中一次性形成。

步骤203，在与所述薄膜晶体管的栅极61的对应位置形成所述薄膜晶体管的第一电极81、所述薄膜晶体管的第二电极82，在所述感测信号线层2上形成第二导电层83。其中，所述薄膜晶体管的第一电极81与所述感测信号线层2连接，所述薄膜晶体管的第二电极82与所述第二导电层83连接。

在本步骤中，在薄膜晶体管的栅极61的对应位置沉积金属材料形成薄膜晶体管的第一电极81以及薄膜晶体管的第二电极82，在所述感测信号线层2上沉积金属材料形成第二导电层83。金属材料包括但不限于铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)等材料。可选的，如图2、图4所示，薄膜晶体管的第二电极82与第二导电层83位于同一层。

其中，步骤102所述在所述彩膜盖板上形成光电感应单元包括：

步骤204，在所述第二导电层83上形成PIN光电半导体层9。

在本步骤中，在第二导电层83上通过化学气相沉积(CVD)方法依次沉积N型、I型和P型非晶硅(a-Si)材料并图形化，形成PIN光电半导体层9。

步骤205，在所述PIN光电半导体层9上形成PIN电极层11，且所述PIN电极层11与所述第一导电层62连接。

在本步骤中，在PIN光电半导体层9上沉积铟锡金属氧化物(Indium Tin Oxides，ITO)材料并图形化，形成PIN电极层11。

可选的，步骤202进一步包括：

步骤301，在感测信号线层2上形成缓冲层3。

步骤302，在缓冲层3上形成有源层4，其中有源层4包含但不限于Oxide，a-Si，p-Si等材料。

步骤303，在有源层4以及缓冲层3上沉积绝缘材料并图形化，形成栅绝缘层51以及绝缘层52。

步骤304，在栅绝缘层51上形成薄膜晶体管的栅极61，在绝缘层52形成第一导电层62。

可选的，步骤202与步骤203之间还包括：在薄膜晶体管的栅极61以及第一导电层62上沉积层间电介质材料并图形化，分别形成第一层间介质层(ILD)71以及第二层间介质层(ILD)72。

可选的，步骤204与步骤205之间还包括：在第二导电层83上形成钝化层(passivation，PVX)10。

可选的，步骤205之后还包括：

步骤206，在PIN电极层11上沉积黑矩阵材料，形成第二黑矩阵层12。其中，二黑矩阵层12与所述PIN光电半导体层9在所述彩膜盖板200上的正投影不重合，使得第二黑矩阵层12只遮挡PIN光电半导体层9以外的结构，而不遮挡PIN光电半导体层9，避免影响PIN光电半导体层9的感光效果。

步骤207，在第二黑矩阵层12上沉积树脂(resin)材料，形成平坦化层13，用于降低显示面板内部因为各个位置图形不一样造成的段差。

步骤208，在平坦化层13上沉积铟锡金属氧化物(Indium Tin Oxides，ITO)材料，形成辅助电极层14。辅助电极层14用于在对盒时搭接到背板的透明阴极上，降低阴极电阻。

所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本公开的范围(包括权利要求)被限于这些例子；在本发明的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本发明的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。

另外，为简化说明和讨论，并且为了不会使本发明难以理解，在所提供的附图中可以示出或可以不示出与集成电路(IC)芯片和其它部件的公知的电源/接地连接。此外，可以以框图的形式示出装置，以便避免使本发明难以理解，并且这也考虑了以下事实，即关于这些框图装置的实施方式的细节是高度取决于将要实施本发明的平台的(即，这些细节应当完全处于本领域技术人员的理解范围内)。在阐述了具体细节(例如，电路)以描述本发明的示例性实施例的情况下，对本领域技术人员来说显而易见的是，可以在没有这些具体细节的情况下或者这些具体细节有变化的情况下实施本发明。因此，这些描述应被认为是说明性的而不是限制性的。

尽管已经结合了本发明的具体实施例对本发明进行了描述，但是根据前面的描述，这些实施例的很多替换、修改和变型对本领域普通技术人员来说将是显而易见的。例如，其它存储器架构(例如，动态RAM(DRAM))可以使用所讨论的实施例。

本发明的实施例旨在涵盖落入所附权利要求的宽泛范围之内的所有这样的替换、修改和变型。因此，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括背板以及覆盖在所述背板上的彩膜盖板，所述背板上设置有像素单元，所述彩膜盖板设置有与所述像素单元对应的彩膜，所述彩膜盖板还设置有：

光电感应单元，用于将作用于所述像素单元的环境光转化为电信号，且所述光电感应单元与所述像素单元在所述背板上的正投影不重合；

信号转换单元，用于将所述电信号转化为感测信号以调整所述像素单元的显示亮度；

所述信号转换单元包括感测信号线层、薄膜晶体管、第一导电层以及第二导电层，所述感测信号线层、所述第一导电层以及所述第二导电层沿远离所述彩膜盖板的方向依次层叠设置；所述薄膜晶体管的第一电极与所述感测信号线层连接，所述薄膜晶体管的第二电极与所述第二导电层连接。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述光电感应单元包括PIN电极层以及PIN光电半导体层，所述第二导电层、所述PIN光电半导体层以及所述PIN电极层沿远离所述彩膜盖板的方向依次层叠设置且所述第二导电层复用为所述PIN光电半导体层的电极层，所述PIN电极层与所述第一导电层连接。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述彩膜盖板还包括透明区以及第一黑矩阵，所述薄膜晶体管设置于所述彩膜上，所述PIN电极层、所述PIN光电半导体层、所述感测信号线层、所述第一导电层以及所述第二导电层设置于所述第一黑矩阵上。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述PIN光电半导体层设置于相邻的两个所述透明区之间。

5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管的第一电极与所述感测信号线层在所述彩膜盖板上的正投影至少部分重合；所述PIN电极层与所述第二导电层在所述彩膜盖板上的正投影至少部分重合。

6.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述PIN光电半导体层在所述彩膜盖板上的正投影位于所述第二导电层在所述彩膜盖板上的正投影的内部。

7.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，

所述感测信号线层与所述第一导电层之间沿远离所述彩膜盖板的方向依次层叠设置缓冲层以及绝缘层；

所述缓冲层与所述薄膜晶体管的栅极之间沿远离所述彩膜盖板的方向依次层叠设置有源层以及栅绝缘层，且所述有源层分别与所述薄膜晶体管的第一电极、所述薄膜晶体管的第二电极连接；

所述薄膜晶体管的栅极与所述薄膜晶体管的第一电极之间设置第一层间介质层；

所述第一导电层以及所述第二导电层之间设置第二层间介质层；

所述第二导电层与所述PIN电极层之间设置钝化层。

8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述PIN电极层上远离所述彩膜盖板的方向依次层叠设置第二黑矩阵层、平坦化层以及辅助电极层，所述第二黑矩阵层与所述PIN光电半导体层在所述彩膜盖板上的正投影不重合。

9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的显示面板。

10.一种如权利要求1-8任意一项所述的显示面板的亮度调节方法，其特征在于，包括：

通过光电感应单元将作用于所述像素单元的环境光转化为电信号；

通过信号转换单元将所述电信号转化为感测信号以调整所述像素单元的显示亮度。

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