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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6981890B2 (ja) * 2018-01-29 2021-12-17 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
CN112993007B (zh) * 2019-12-13 2025-01-14 南通尚阳通集成电路有限公司 超结结构及超结器件
CN115566038B (zh) * 2021-07-01 2025-09-26 深圳尚阳通科技股份有限公司 超结器件及其制造方法
JPWO2024052952A1 (enExample) * 2022-09-05 2024-03-14

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3940518B2 (ja) * 1999-03-10 2007-07-04 株式会社東芝 高耐圧半導体素子
JP3731520B2 (ja) * 2001-10-03 2006-01-05 富士電機デバイステクノロジー株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP3973395B2 (ja) * 2001-10-16 2007-09-12 株式会社豊田中央研究所 半導体装置とその製造方法
JP4194890B2 (ja) * 2003-06-24 2008-12-10 株式会社豊田中央研究所 半導体装置とその製造方法
JP4967236B2 (ja) * 2004-08-04 2012-07-04 富士電機株式会社 半導体素子
JP4768259B2 (ja) * 2004-12-21 2011-09-07 株式会社東芝 電力用半導体装置
JP2007300034A (ja) * 2006-05-02 2007-11-15 Toshiba Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP4696986B2 (ja) * 2006-03-17 2011-06-08 トヨタ自動車株式会社 スーパージャンクション構造を有する半導体装置の製造方法
JP4564509B2 (ja) * 2007-04-05 2010-10-20 株式会社東芝 電力用半導体素子
JP2009272397A (ja) * 2008-05-02 2009-11-19 Toshiba Corp 半導体装置
JP5484741B2 (ja) * 2009-01-23 2014-05-07 株式会社東芝 半導体装置
CN102804386B (zh) * 2010-01-29 2016-07-06 富士电机株式会社 半导体器件
JP6369173B2 (ja) * 2014-04-17 2018-08-08 富士電機株式会社 縦型半導体装置およびその製造方法
CN104241376B (zh) * 2014-09-01 2017-12-05 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 超结结构及其制备方法和半导体器件
DE102016113129B3 (de) * 2016-07-15 2017-11-09 Infineon Technologies Ag Halbleitervorrichtung, die eine Superjunction-Struktur in einem SiC-Halbleiterkörper enthält

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