JP2019046924A - 光電変換装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
10 半導体基板
11 画素回路部
12 周辺回路部
101 光電変換領域
102 電荷検出領域
103 不純物領域
104 ソース/ドレイン領域
111 ゲート絶縁膜
122 ゲート絶縁膜
113 ゲート電極
124 ゲート電極
30 絶縁体膜
50 誘電体膜
53 サイドウォール
106 高濃度不純物部(ソース/ドレイン領域)
108 低濃度不純物部(ソース/ドレイン領域)
128 シリサイド部
Claims (20)
- 光電変換装置の製造方法であって、
画素回路部および周辺回路部を有する半導体基板を用意する工程と、
前記画素回路部の上に第1トランジスタのゲート電極を形成した後に、前記画素回路部および前記周辺回路部を覆う絶縁体膜を形成する工程と、
前記画素回路部が前記絶縁体膜で覆われた状態で前記半導体基板を加熱する工程と、
前記絶縁体膜を透過して前記画素回路部へイオン注入を行う工程と、
前記周辺回路部の上に第2トランジスタのゲート電極を形成した後であって、前記加熱する工程の後に、前記周辺回路部へイオン注入を行う工程と、
前記周辺回路部へイオン注入を行う工程の後に、前記第2トランジスタのゲート電極の側面にサイドウォールを形成する工程と、を有し、
前記周辺回路部へイオン注入を行う工程では、前記第2トランジスタのソース/ドレイン領域の少なくとも一部を形成することを特徴とする製造方法。 - 前記画素回路部へイオン注入を行う工程は、前記第1トランジスタのドレイン領域を形成する工程を含む、請求項1に記載の製造方法。
- 前記画素回路部へイオン注入を行う工程は、前記画素回路部へホウ素をイオン注入する工程を含む、請求項1に記載の製造方法。
- 前記絶縁体膜を形成する工程の前に、前記画素回路部に光電変換領域を形成する工程を有する、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記光電変換領域を形成する工程は、前記第1トランジスタのゲート電極を形成する工程の前に行われる、請求項4に記載の製造方法。
- 前記画素回路部へイオン注入を行う工程は、前記光電変換領域と前記絶縁体膜との間に、前記光電変換領域の導電型とは反対の導電型の不純物領域を形成する工程を含む、請求項4または5のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記画素回路部へイオン注入を行う工程の前に、前記加熱する工程を行う、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記画素回路部へイオン注入を行う工程の後に、前記半導体基板が前記絶縁体膜で覆われた状態で前記半導体基板を加熱する工程を更に有する、請求項7に記載の製造方法。
- 前記画素回路部へイオン注入を行う工程の後に行われる前記加熱する工程では、前記画素回路部へイオン注入を行う工程の前に行われる前記加熱する工程における前記半導体基板の温度を超えないように行われる、請求項8に記載の製造方法。
- 前記画素回路部へイオン注入を行う工程の後に、前記加熱する工程を行う、請求項1乃至6のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記加熱する工程では、前記半導体基板の温度を前記絶縁体膜の成膜温度よりも高くする、請求項1乃至10のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記加熱する工程では、前記半導体基板の温度を850℃以上にする、請求項1乃至11のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記周辺回路部へイオン注入する工程の前に、少なくとも前記周辺回路部の上から前記絶縁体膜を除去する工程を有する、請求項1乃至12のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記絶縁体膜を除去する工程では、前記画素回路部へイオン注入する工程で形成された不純物領域の上からも前記絶縁体膜を除去する、請求項13に記載の製造方法。
- 前記絶縁体膜を除去する工程において、前記絶縁体膜をウェットエッチングにより除去する、請求項13または14に記載の製造方法。
- 前記画素回路部へイオン注入を行う工程の後に、前記第2トランジスタのゲート電極の側面を覆う誘電体膜を形成する工程を更に備え、
前記サイドウォールを形成する工程では、前記誘電体膜から前記サイドウォールを形成する、請求項15に記載の製造方法。 - 前記サイドウォールを形成する工程では、前記画素回路部へイオン注入を行う工程で形成された不純物領域の上に、前記誘電体膜を残留させる、請求項16に記載の製造方法。
- 前記サイドウォールを形成する工程の後に、前記誘電体膜に接して設けられた金属膜を前記半導体基板と反応させることにより、前記ソース/ドレイン領域の上にシリサイド部を形成する工程を更に備える、請求項16または17に記載の製造方法。
- 前記周辺回路部へのイオン注入の注入エネルギーは、前記画素回路部へのイオン注入の注入エネルギーよりも低い、請求項1乃至18のいずれか1項に記載の製造方法。
- 前記第1トランジスタのゲート絶縁膜は、前記第2トランジスタのゲート絶縁膜よりも厚い、請求項1乃至19のいずれか1項に記載の製造方法。
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