JP2019035950A - 表示パネル及びこれを含む電子装置 - Google Patents

Abstract

【課題】外部汚染の流入を防止する表示パネル及びこれを含む電子装置を提供する。【解決手段】本発明の表示パネルは、前面及び背面を含み、平面上で表示領域及び表示領域に隣接する周辺領域に区分されるベース基板と、表示領域に配置された複数の画素を含む画素層と、ベース基板上に配置されて無機物を含むカバー層と、を備え、ベース基板は、表示領域に定義され、ベース基板の前面及び背面を貫通するモジュールホールと、表示領域に定義され、モジュールホールに隣接してベース基板の前面から陥没した遮断溝と、を含み、カバー層は、ベース基板の前面をカバーして遮断溝に重畳する貫通部を含む。【選択図】図２

Description

本発明は、表示パネル及びこれを含む電子装置に係り、より詳細には、信頼性を向上させた表示パネル及びこれを含む電子装置に関する。

電子装置は電気的信号に応じて活性化される。電子装置は映像を表示する表示装置や外部入力を感知するタッチ感知装置を含む。表示装置において、有機発光表示装置は、低い消費電力、高い輝度、及び高い反応速度を有する。

有機発光表示装置は有機発光素子を含む。有機発光素子は水分や酸素に脆弱で容易に損傷される。従って、有機発光表示装置において、外部から流入する水分や酸素を安定的に遮断するほど、有機発光表示装置の信頼性が向上し、寿命が向上する結果をもたらす。

米国特許第８，９１３，２２０号明細書 米国特許第９，６３２，４８７号明細書 米国特許出願公開第２０１６／０３６３９０９号明細書 米国特許出願公開第２０１６／０３５１６４５号明細書 米国特許出願公開第２０１７／０１５０６１８号明細書 米国特許出願公開第２０１７／０１４８８５６号明細書

本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、外部汚染の流入を防止する表示パネル及びこれを含む電子装置を提供することにある。

上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による表示パネルは、前面及び背面を含み、平面上で表示領域及び該表示領域に隣接する周辺領域に区分されるベース基板と、前記表示領域に配置された複数の画素を含む画素層と、前記ベース基板上に配置されて無機物を含むカバー層と、を備え、前記ベース基板は、前記表示領域に定義され、前記ベース基板の前面及び背面を貫通するモジュールホールと、前記表示領域に定義され、前記モジュールホールに隣接して前記ベース基板の前面から陥没した遮断溝と、を含み、前記カバー層は、前記ベース基板の前面をカバーして前記遮断溝に重畳する貫通部を含む。

前記ベース基板は、有機物を含み、前記ベース基板の背面を定義する第１ベース層と、無機物を含み、前記第１ベース層上に配置されて前記ベース基板の前面を定義する第１バリアー層と、を含み、前記遮断溝は、前記第１バリアー層を貫通する貫通部及び前記第１バリアー層の貫通部に重畳して前記第１ベース層に定義された陥没部を含み、前記カバー層の貫通部の幅は、前記第１バリアー層の貫通部の幅以下であり得る。
前記陥没部の幅は、前記第１バリアー層の貫通部の幅よりも大きくあり得る。
前記ベース基板は、有機物を含み、前記第１ベース層と前記第１バリアー層との間に配置された第２ベース層と、無機物を含み、前記第１ベース層と前記第１バリアー層との間に配置された第２バリアー層と、を更に含み、前記第１バリアー層及び前記第２バリアー層は、それぞれ前記第１ベース層及び前記第２ベース層と交互に配置され得る。
前記遮断溝は、前記第２バリアー層を貫通する貫通部及び前記第２ベース層を貫通する貫通部を更に含み、前記第２バリアー層の貫通部の幅は、前記第２ベース層の貫通部の幅未満であり得る。
前記画素層は、前記ベース基板上に配置されて薄膜トランジスタを含む薄膜素子層と、前記ベース基板上に配置されて前記薄膜トランジスタに連結された有機発光素子を含む表示素子層と、を含み、前記カバー層は、前記表示素子層及び前記薄膜素子層の中の一部を含み得る。
前記カバー層は、無機膜又は金属膜であり得る。
前記有機発光素子は、第１電極、該第１電極上に配置されて有機発光層を含む有機層、及び該有機層上に配置された第２電極を含み、前記薄膜素子層は、複数の導電層及び複数の絶縁層を含み、前記カバー層は、前記導電層、前記絶縁層、及び前記第１電極の中の少なくともいずれか１つから延長され得る。
前記表示素子層は、前記有機発光層上に配置された封止部材を更に含み、前記封止部材は、前記遮断溝及び前記カバー層の貫通部をカバーし得る。
前記封止部材は、第１無機膜、該第１無機膜上に配置された第２無機膜、及び前記第１無機膜と前記第２無機膜との間に配置された有機膜を含み、前記第１無機膜及び前記第２無機膜は、前記有機発光素子上で前記有機膜を介して互いに離隔され、前記遮断溝内で互いに接触し得る。

上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による電子装置は、複数の画素と該複数の画素が配置された表示領域及び該表示領域に隣接する周辺領域に区分される前面及び該前面に対向する背面を含むベース基板とを含む表示パネルと、前記表示パネルに電気的に連結された電子モジュールと、を備え、前記ベース基板は、前記表示領域に定義され、前記ベース基板の前面及び背面を貫通するモジュールホールと、前記表示領域に定義され、前記モジュールホールに隣接して前記ベース基板の前面から陥没した遮断溝と、を含み、前記電子モジュールは、前記モジュールホールに収容される。

前記電子モジュールは、音響出力モジュール、カメラモジュール、及び受光モジュールの中の少なくともいずれか１つを含み得る。
前記遮断溝は、平面上で前記モジュールホールを囲む閉曲線形状を有し得る。
前記ベース基板は、有機物を含み、前記ベース基板の背面を定義する第１ベース層と、無機物を含み、前記第１ベース層上に配置されて前記ベース基板の前面を定義する第１バリアー層と、有機物を含み、前記第１ベース層と前記第１バリアー層との間に配置された第２ベース層と、無機物を含み、前記第１ベース層と前記第２ベース層との間に配置された第２バリアー層と、を含み、前記遮断溝は、前記第１バリアー層、前記第２バリアー層、及び前記第２ベース層を貫通し、前記第１ベース層の一部が陥没されて定義され得る。
前記遮断溝内で、前記第１バリアー層は、前記第２ベース層から突出し、前記第２バリアー層は、前記第１バリアー層から突出し得る。

前記複数の画素の各々は、制御電極、入力電極、出力電極、及び半導体パターンを含む薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに連結された第１電極、該第１電極上に配置された第２電極、前記第１電極と前記第２電極との間に配置されて有機発光層を含む有機層を含む有機発光素子と、を含み、前記有機層は、前記モジュールホールに沿って断絶された第１終端を含む部分と、前記薄膜トランジスタに重畳して遮断溝に沿って断絶された第２終端を含む部分と、を含み、前記第１終端を含む部分と前記第２終端を含む部分とは平面上で遮断溝を介して互いに離隔され得る。

一実施形態による電子装置は、有機発光素子上に配置された封止部材を更に含み、前記封止部材は、前記第１終端を露出させて前記第２終端をカバーし得る。

前記封止部材は、前記遮断溝の内面をカバーし得る。
前記有機層は、前記遮断溝内に配置されて前記第１終端を含む部分及び前記第２終端を含む部分の各々から分離された有機部分を更に含み、前記有機部分の各々は、封止部材によってカバーされ得る。
前記表示パネルは、前記有機層と前記ベース基板との間に配置された層から延長されて無機物を含み、前記遮断溝に重畳する貫通部を含むカバー層を更に含み得る。
前記カバー層の貫通部の幅は、前記遮断溝の幅以下であり得る。
前記有機層の第２終端は、前記カバー層の貫通部と整列され得る。

一実施形態による表示パネルは、前面及び背面を含み、平面上で表示領域及び該表示領域に隣接する周辺領域に区分され、前面を定義する第１バリアー層及び背面を定義する第１ベース層を含むフレキシブル基板と、前記表示領域に配置されて有機発光層を含む有機層と、を備え、前記フレキシブル基板は、表示領域に定義され、前記第１バリアー層及び前記第１ベース層を貫通するモジュールホールと、前記表示領域に定義され、前記モジュールホールに隣接して前記第１バリアー層を貫通し、前記第１ベース層の前面から陥没した遮断溝と、を含む。

前記有機層は、前記モジュールホールに沿って断絶された第１終端を含む第１部分と、前記遮断溝に沿って断絶された第２終端を含む第２部分と、を含み、前記第１部分と前記第２部分とは、前記遮断溝を介して互いに離隔され得る。
前記表示パネルは、前記有機層上に配置されて無機膜を含む封止部材を更に含み、前記第１終端は、前記封止部材から露出され、前記第２終端は、前記封止部材によってカバーされ得る。
前記第１バリアー層のＵＶ光吸収率は、前記第１ベース層のＵＶ光吸収率よりも低くあり得る。
前記遮断溝内で、前記第１バリアー層は、前記第１ベース層から突出し得る。

本発明によれば、外部から流入する水分や酸素による素子等の損傷を容易に防止することができる。従って、工程及び使用上の信頼性を向上させた電子装置を提供することができる。また、別の工程を追加しなくても不良を減少させた遮断溝を容易に設計することができる。従って、工程が単純化され、工程費用を節減することができる。

本発明の一実施形態による電子装置を示した斜視図である。 図１に示した電子装置の分解斜視図である。 図１に示した電子装置のブロック図である。 図２のＩ−Ｉ’に沿って切断した断面図である。 図４の一部を拡大して示した断面図である。 図５の一部を拡大して示した断面図である。 本発明の一実施形態による電子装置の一部を拡大して示した断面図である。 本発明の一実施形態による電子装置の一部を拡大して示した第２例の断面図である。 本発明の一実施形態による電子装置の一部を拡大して示した第３例の断面図である。 本発明の一実施形態による電子装置の一部を拡大して示した第４例の断面図である。 本発明の一実施形態による表示パネルの一部を示した断面図である。 本発明の一実施形態による表示パネルの一部構成を簡略に示した第２例の平面図である。 本発明の一実施形態による表示パネルの一部構成を簡略に示した第３例の平面図である。 本発明の一実施形態による表示パネルの一部構成を簡略に示した第４例の平面図である。 本発明の一実施形態による表示パネルの製造方法を示した断面図である。 本発明の一実施形態による表示パネルの製造方法を示した断面図である。 本発明の一実施形態による表示パネルの製造方法を示した断面図である。 本発明の一実施形態による表示パネルの製造方法を示した断面図である。 本発明の一実施形態による表示パネルの製造方法を示した断面図である。 本発明の一実施形態による表示パネルの製造方法を示した断面図である。 本発明の一実施形態による表示パネルの製造方法を示した断面図である。 本発明の一実施形態による表示パネルの製造方法を示した断面図である。 本発明の一実施形態による表示パネルの製造方法を示した断面図である。 本発明の一実施形態による表示パネルの製造方法を示した断面図である。 本発明の一実施形態による表示パネルの製造方法を示した断面図である。 本発明の一実施形態による表示パネルの製造方法を示した断面図である。 本発明の一実施形態による表示パネルの製造方法を示した断面図である。 本発明の一実施形態による表示パネルの製造方法を示した断面図である。 本発明の一実施形態による表示パネルの製造方法を示した断面図である。

以下、本発明を実施するための形態の具体例を、図面を参照しながら詳細に説明する。

図１は、本発明の一実施形態による電子装置を示した斜視図であり、図２は、図１に示した電子装置の分解斜視図であり、図３は、図１に示した電子装置のブロック図である。以下、図１〜図３を参照して本発明の一実施形態による電子装置について説明する。

電子装置ＥＡは電気的信号に応じて活性化される装置である。電子装置ＥＡは多様な実施形態を含む。例えば、電子装置ＥＡは，タブレット、ノートブック型コンピュータ、その他のコンピュータ、スマートテレビ等を含む。本実施形態で、電子装置ＥＡをスマートフォンとして例示的に図示した。

図１に示すように、電子装置ＥＡは前面にイメージＩＭを表示する表示面を提供する。表示面は第１方向ＤＲ１及び第２方向ＤＲ２で定義する面に並行に定義される。表示面は表示領域ＤＡ及び表示領域ＤＡに隣接するベゼル領域ＢＺＡを含む。

電子装置ＥＡは表示領域ＤＡにイメージＩＭを表示する。図１でイメージＩＭの一例としてインターネット検索窓を図示した。表示領域ＤＡは第１方向ＤＲ１及び第２方向ＤＲ２の各々に平行な方形状を有する。但し、これは例示的に示したものであり、表示領域ＤＡは多様な形状を有し、いずれか１つの実施形態に限定されない。

ベゼル領域ＢＺＡは表示領域ＤＡに隣接する。ベゼル領域ＢＺＡは表示領域ＤＡを囲む。但し、これは例示的に示したものであり、ベゼル領域ＢＺＡは、表示領域ＤＡの一側のみに隣接して配置されてもよく、省略されてもよい。本発明の実施形態による電子装置は、多様な実施形態を含み、いずれか１つの実施形態に限定されない。

表示面の法線方向は電子装置ＥＡの厚さ方向（ＤＲ３、以下第３方向）に対応する。本実施形態ではイメージＩＭが表示される方向を基準に各部材の前面（又は上面）と背面（又は下面）が定義される。前面と背面とは第３方向ＤＲ３で互いに対向する。

しかし、第１〜第３方向（ＤＲ１、ＤＲ２、ＤＲ３）が指示する方向は相対的な概念として異なる方向に変換される。以下、第１〜第３方向は第１〜第３方向（ＤＲ１、ＤＲ２、ＤＲ３）が指示する方向に同じ図面符号を参照する。

図１〜図３に示すように、電子装置ＥＡは、表示パネル１００、ウインドー部材２００、電子モジュール３００、及びハウジング部材４００を含む。図３に示すように、電子装置ＥＡは、表示モジュールＤＤ、第１電子モジュールＥＭ１、第２電子モジュールＥＭ２、及び電源供給モジュールＰＭを更に含む。図２で、図３に示す構成の中の一部の構成は省略して示した。

表示モジュールＤＤは表示パネル１００及びタッチ感知ユニット１０１を含む。表示パネル１００はイメージＩＭを生成する。また、表示パネル１００は外部から印加される使用者の入力を感知する。この場合、表示パネル１００はタッチセンサーを更に含み、後述するタッチ感知ユニット１０１は省略してもよい。

タッチ感知ユニット１０１は外部から印加される使用者の入力を感知する。使用者の入力は、使用者の身体の一部、光、熱、又は圧力等の多様な形態の外部入力を含む。図２で、タッチ感知ユニット１０１は省略して示した。

一方、本実施形態で、表示パネル１００は表示領域ＤＡ及び周辺領域ＮＤＡに区分される。表示領域ＤＡは、上述したように、イメージＩＭが生成される領域である。表示領域ＤＡにはイメージＩＭを生成する複数の画素ＰＸが配置される。これに対する詳細な説明は後述する。

周辺領域ＮＤＡは表示領域ＤＡに隣接する。周辺領域ＮＤＡは表示領域ＤＡを囲む。周辺領域ＮＤＡには表示領域ＤＡを駆動するための駆動回路や駆動配線等が配置される。

一方、図示していないが、表示パネル１００の中の周辺領域ＮＤＡの一部は曲げられる。従って、周辺領域ＮＤＡの中の一部は電子装置ＥＡの前面に向かい、周辺領域ＮＤＡの他の一部は電子装置ＥＡの背面に向かう。或いは、一実施形態による表示パネル１００において、周辺領域ＮＤＡは省略される。

本実施形態による表示パネル１００は表示領域ＤＡに提供されるモジュール部ＰＡを含む。モジュール部ＰＡは電子モジュール３００が配置される空間を定義する。モジュール部ＰＡはモジュールホールＭＨ及び遮断溝ＢＲを含む。

モジュールホールＭＨは表示パネル１００を貫通する。モジュールホールＭＨは第３方向ＤＲ３の高さを有する円筒形状を有する。モジュールホールＭＨは電子モジュール３００を収容する。本発明の実施形態において、表示パネル１００はモジュールホールＭＨを含むことによって薄形の表示装置を具現することができる。

遮断溝ＢＲはモジュールホールＭＨに隣接して配置される。遮断溝ＢＲは表示パネル１００の前面から陥没して形成される。遮断溝ＢＲは平面上でモジュールホールＭＨを囲む閉曲線形状を有する。本実施形態で、遮断溝ＢＲはモジュールホールＭＨを囲む環（ｒｉｎｇ）形状を有する。モジュールホールＭＨ及び遮断溝ＢＲに対する詳細な説明は後述する。

ウインドー部材２００は電子装置ＥＡの前面を提供する。ウインドー部材２００は表示パネル１００の前面に配置されて表示パネル１００を保護する。例えば、ウインドー部材２００は、ガラス基板、サファイア基板、又はプラスチックフィルムを含む。ウインドー部材２００は多層又は単層構造を有する。例えば、ウインドー部材２００は、接着剤で結合された複数のプラスチックフィルムの積層構造を有するか、或いは接着剤で結合されたガラス基板とプラスチックフィルムとの積層構造を有する。

ウインドー部材２００は透過領域ＴＡ及びベゼル領域ＢＺＡに区分される。透過領域ＴＡは表示領域ＤＡに対応する領域である。例えば、透過領域ＴＡは表示領域ＤＡの前面又は少なくとも一部に重畳する。表示パネル１００の表示領域ＤＡに表示されるイメージＩＭは透過領域ＴＡを通じて外部から視認される。

ベゼル領域ＢＺＡは透過領域ＴＡの形状を定義する。ベゼル領域ＢＺＡは透過領域ＴＡに隣接して透過領域ＴＡを囲む。ベゼル領域ＢＺＡは所定のカラーを有する。ベゼル領域ＢＺＡは表示パネル１００の周辺領域ＮＤＡをカバーして周辺領域ＮＤＡが外部から視認されることを遮断する。一方、これは例示的に示したものであり、一実施形態によるウインドー部材２００において、ベゼル領域ＢＺＡは省略される。

電源供給モジュールＰＭは電子装置ＥＡの全般的な動作に必要な電源を供給する。電源供給モジュールＰＭは通常的なバッテリーモジュールを含む。

ハウジング部材４００はウインドー部材２００に結合される。ハウジング部材４００は電子装置ＥＡの背面を提供する。ハウジング部材４００はウインドー部材２００に結合されて内部空間を定義し、表示パネル１００、電子モジュール３００、及び図３に示す各種構成は内部空間に収容される。ハウジング部材４００は相対的に高い強度を有する物質を含む。例えば、ハウジング部材４００は、ガラス、プラスチック、メタルで構成された複数のフレーム及び／又はプレートを含む。ハウジング部材４００は内部空間に収容された電子装置ＥＡの構成を外部衝撃から安定的に保護する。

電子モジュール３００は電子装置ＥＡを動作させるための多様な機能性モジュールを含む。電子モジュール３００は第１電子モジュールＥＭ１及び第２電子モジュールＥＭ２を含む。

第１電子モジュールＥＭ１は、表示モジュールＤＤに電気的に連結されたマザーボードに直接実装されるか、或いは別の基板に実装されてコネクター（図示せず）等を通じてマザーボードに電気的に連結される。

第１電子モジュールＥＭ１は、制御モジュールＣＭ、無線通信モジュール１０２、映像入力モジュール１０３、音響入力モジュール１０４、メモリ１０５、及び外部インターフェイス１０６を含む。モジュールの中の一部は、マザーボードに実装されずに、フレキシブル回路基板を通じてマザーボードに電気的に連結される。

制御モジュールＣＭは電子装置ＥＡの全般的な動作を制御する。制御モジュールＣＭはマイクロプロセッサである。例えば、制御モジュールＣＭは表示モジュールＤＤを活性化させるか又は非活性化させる。制御モジュールＣＭは表示モジュールＤＤから受信されたタッチ信号に基づいて映像入力モジュール１０３や音響入力モジュール１０４等の他のモジュールを制御する。

無線通信モジュール１０２はブルートゥース（登録商標）又はＷｉＦｉ回線を利用して他の端末機と無線信号を送／受信する。無線通信モジュール１０２は一般通信回線を利用して音声信号を送／受信する。無線通信モジュール１０２は、送信信号を変調して送信する送信部１０２２と、受信信号を復調する受信部１０２１とを含む。

映像入力モジュール１０３は映像信号を処理して表示モジュールＤＤで表示可能な映像データに変換する。音響入力モジュール１０４は、録音モード、音声認識モード等でマイクロフォン（Ｍｉｃｒｏｐｈｏｎｅ）によって外部の音響信号を受信して音響信号を電気的な音響データに変換する。

外部インターフェイス１０６は、外部充電器、有線／無線データポート、カードソケット（例えば、メモリカード（Ｍｅｍｏｒｙ ｃａｒｄ）、ＳＩＭ／ＵＩＭ ｃａｒｄ）等に連結されるインターフェイスの役割をする。

第２電子モジュールＥＭ２は、音響出力モジュール１０７、発光モジュール１０８、受光モジュール１０９、及びカメラモジュール１１０等を含む。その構成要素は、マザーボードに直接実装されるか又は別の基板に実装されてコネクター（図示せず）等を通じて、表示モジュールＤＤに電気的に連結されるか、或いは第１電子モジュールＥＭ１に電気的に連結される。

音響出力モジュール１０７は無線通信モジュール１０２から受信された音響データ又はメモリ１０５に格納された音響データを変換して外部に出力する。

発光モジュール１０８は光を生成して出力する。発光モジュール１０８は赤外線を出力する。発光モジュール１０８はＬＥＤ素子を含む。受光モジュール１０９は赤外線を感知する。受光モジュール１０９は所定レベル以上の赤外線が感知された時に活性化される。受光モジュール１０９はＣＭＯＳセンサーを含む。発光モジュール１０８で生成された赤外光が出力された後、外部物体（例えば、使用者手指又は顔）によって反射され、反射された赤外光が受光モジュール１０９に入射する。カメラモジュール１１０は外部のイメージを撮影する。

図２に示した電子モジュール３００は特に第２電子モジュールＥＭ２の構成の中のいずれか１つである。この場合、第１電子モジュールＥＭ１及び第２電子モジュールＥＭ２の中の残りの構成は他の位置に配置されて図示されないものもある。但し、これは例示的に示したものであり、電子モジュール３００は、第１電子モジュールＥＭ１及び第２電子モジュールＥＭ２を構成するモジュールの中のいずれか１つ以上であり、いずれか１つの実施形態に限定されない。

図４は、図２のＩ−Ｉ’に沿って切断した断面図であり、図５は、図４の一部を拡大して示した断面図であり、図６は、図５の一部を拡大して示した断面図である。以下、図４〜図６を参照して、本発明の一実施形態による表示パネル１００について説明する。

図４に示すように、表示パネル１００は、ベース基板１０、薄膜素子層２０、及び表示素子層３０を含む。ベース基板１０、薄膜素子層２０、及び表示素子層３０は、第３方向ＤＲ３に沿って積層される。

ベース基板１０は、第１ベース層１１、第１バリアー層１２、第２ベース層１３、及び第２バリアー層１４を含む。

第１ベース層１１はベース基板１０の下部層を構成する。第１ベース層１１の背面はベース基板１０の背面を定義する。

第１ベース層１１は有機物を含む絶縁層である。第１ベース層１１は軟性プラスチックを含む。例えば、第１ベース層１１は、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ：ＰＩ）、ポリエチレンナフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ：ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ：ＰＥＴ）、ポリアリレート（ｐｏｌｙａｒｙｌａｔｅ）、ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ：ＰＣ）、ポリエーテルイミド（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｉｍｉｄｅ：ＰＥＩ）、又はポリエーテルスルホン（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｆｏｎｅ：ＰＥＳ）を含む。

第１バリアー層１２は無機物を含む。第１バリアー層１２はベース基板１０の上部層を構成する。第１バリアー層１２の前面はベース基板１０の前面を定義する。

第１バリアー層１２は無機物を含む絶縁層である。例えば、第１バリアー層１２は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、又は非晶質シリコン等を含む。

第２ベース層１３及び第２バリアー層１４は第１ベース層１１と第１バリアー層１２との間に配置される。第２ベース層１３は第１ベース層１１と同じ物質を含む。第２バリアー層１４は第１バリアー層１２と同じ物質を含む。

第１ベース層１１、第２ベース層１３、第１バリアー層１２、及び第２バリアー層１４は交互に配置される。第１バリアー層１２及び第２バリアー層１４はそれぞれ第２ベース層１３及び第１ベース層１１の上に配置される。第１バリアー層１２及び第２バリアー層１４の各々は第１ベース層１１及び第２ベース層１３を通じて透過する外部水分や酸素を遮断する。

薄膜素子層２０はベース基板１０の上に配置される。薄膜素子層２０は複数の絶縁層及び薄膜トランジスタＴＲを含む。絶縁層の各々は無機物及び／又は有機物を含む。絶縁層は第１〜第３絶縁層（２１、２２、２３）を含む。

薄膜トランジスタＴＲは、半導体パターンＳＬ、制御電極ＣＥ、入力電極ＩＥ、及び出力電極ＯＥを含む。薄膜トランジスタＴＲは、制御電極ＣＥを通じて半導体パターンＳＬにおける電荷移動を制御して、入力電極ＩＥから入力される電気的信号を、出力電極ＯＥを通じて出力する。

第１絶縁層２１は半導体パターンＳＬと制御電極ＣＥとの間に配置される。本実施形態で、制御電極ＣＥは半導体パターンＳＬ上に配置されるものとして図示した。但し、これは例示的に示したものであり、一実施形態による薄膜トランジスタＴＲは、制御電極ＣＥ上に配置された半導体パターンＳＬを含む可能性もあり、いずれか１つの実施形態に限定されない。

第２絶縁層２２は制御電極ＣＥと入力電極ＩＥ及び出力電極ＯＥとの間に配置される。入力電極ＩＥ及び出力電極ＯＥは第２絶縁層２２上に配置される。入力電極ＩＥ及び出力電極ＯＥは第１絶縁層２１及び第２絶縁層２２を貫通して半導体パターンＳＬにそれぞれ接続される。但し、これは例示的に示したものであり、入力電極ＩＥ及び出力電極ＯＥは半導体パターンＳＬに直接接続されてもよい。

第３絶縁層２３は第２絶縁層２２上に配置される。第３絶縁層２３は薄膜トランジスタＴＲをカバーする。第３絶縁層２３は薄膜トランジスタＴＲと表示素子層３０とを電気的に絶縁させる。

表示素子層３０は有機発光素子ＥＤ及び複数の絶縁層を含む。絶縁層は第４絶縁層３１及び封止部材ＴＥを含む。

第４絶縁層３１は第３絶縁層２３上に配置される。第４絶縁層３１には複数の開口部が定義される。開口部の各々には有機発光素子ＥＤが提供される。

有機発光素子ＥＤは、第１電極Ｅ１、第２電極Ｅ２、発光層ＥＬ、及び電荷制御層ＯＬを含む。第１電極Ｅ１は薄膜素子層２０上に配置される。第１電極Ｅ１は第３絶縁層２３を貫通して薄膜トランジスタＴＲに電気的に接続される。第１電極Ｅ１は複数に提供される。複数の第１電極の各々の少なくとも一部は開口部の各々によって露出される。

第２電極Ｅ２は第１電極Ｅ１上に配置される。第２電極Ｅ２は複数の第１電極及び第４絶縁層３１に重畳する一体の形状を有する。有機発光素子ＥＤが複数に提供される際、第２電極Ｅ２は有機発光素子毎に同じ電圧を有する。従って、第２電極Ｅ２を形成するために別のパターニング工程が省略される。一方、これは例示的に示したものであり、第２電極Ｅ２は開口部の各々に対応するように複数に提供されてもよい。

発光層ＥＬは第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との間に配置される。発光層ＥＬは複数に提供されて開口部の各々に配置される。有機発光素子ＥＤは第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との間の電位差によって発光層ＥＬを活性化させて光を生成する。

電荷制御層ＯＬは第１電極Ｅ１と第２電極Ｅ２との間に配置される。電荷制御層ＯＬは発光層ＥＬに隣接して配置される。本実施形態で、電荷制御層ＯＬは発光層ＥＬと第２電極Ｅ２との間に配置されるものとして図示した。但し、これは例示的に示したものであり、電荷制御層ＯＬは発光層ＥＬと第１電極Ｅ１との間に配置されてもよく、発光層ＥＬを介して第３方向ＤＲ３に沿って積層される複数の層に提供されてもよい。

電荷制御層ＯＬは別のパターニング工程無しでベース基板１０の前面に重畳する一体の形状を有する。電荷制御層ＯＬは第４絶縁層３１に形成された開口部以外の領域にも配置される。

封止部材ＴＥは有機発光素子ＥＤ上に配置される。封止部材ＴＥは無機膜及び／又は有機膜を含む。本実施形態で、封止部材ＴＥは、第１無機膜３２、有機膜３３、及び第２無機膜３４を含む。

第１無機膜３２及び第２無機膜３４の各々は無機物を含む。例えば、第１無機膜３２及び第２無機膜３４の各々は、アルミニウム酸化物、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物、シリコン炭化物、チタニウム酸化物、ジルコニウム酸化物、及び亜鉛酸化物の中の少なくともいずれか１つを含む。第１無機膜３２と第２無機膜３４とは互いに同一であるか又は異なる物質を含む。

有機膜３３は第１無機膜３２と第２無機膜３４との間に配置される。有機膜３３は有機物を含む。例えば、有機膜３３は、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレン（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ：ＰＥ）、及びポリアクリレート（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅ）の中の少なくともいずれか１つを含む。

第１無機膜３２及び第２無機膜３４は表示パネル１００の前面に配置される一体の形状を有する。第１無機膜３２及び第２無機膜３４の各々は有機膜３３と部分的に重畳する。従って、第１無機膜３２及び第２無機膜３４は、一部領域で有機膜３３を介して第３方向ＤＲ３に互いに離隔され、他の一部領域で第３方向ＤＲ３に直接接触する。

一方、表示パネル１００はダム部ＤＭＰを更に含む。ダム部ＤＭＰは表示領域ＤＡ（図２参照）の縁に沿って延長される。ダム部ＤＭＰは表示領域ＤＡを囲む。

ダム部ＤＭＰは第１ダムＤＭ１及び第２ダムＤＭ２を含む。第１ダムＤＭ１は第３絶縁層２３と同じ物質を含む。第１ダムＤＭ１は、第３絶縁層２３と同時に形成され、第３絶縁層２３と同一層上に配置される。

第２ダムＤＭ２は第１ダムＤＭ１上に積層される。第２ダムＤＭ２は第４絶縁層３１と同じ物質を含む。第２ダムＤＭ２は、第４絶縁層３１と同時に形成され、第４絶縁層３１と同一層上に配置される。一方、これは例示的に示したものであり、ダム部ＤＭＰは、単一層構造を有してもよく、いずれか１つの実施形態に限定されない。

ダム部ＤＭＰは有機膜３３を形成する過程で液相の有機物質が広がる領域を定義する。有機膜３３は液相の有機物質をインクジェット方式で第１無機膜３２上に塗布して形成する。この時、ダム部ＤＭＰは液相の有機物質が配置される領域の境界を設定し、液相の有機物質がダム部ＤＭＰの外側に溢れることを防止する。

以下、図５及び図６を参照してモジュールホールＭＨ及び遮断溝ＢＲが定義された領域を詳細に説明する。図６では、説明を容易にするために第１無機膜３２及び第２無機膜３４を省略して図示した。モジュールホールＭＨは第３方向ＤＲ３に沿って表示パネル１００を貫通する。モジュールホールＭＨが表示領域ＤＡ内に定義されることによって、モジュールホールＭＨは、ベース基板１０は勿論表示領域ＤＡを構成する層の一部を貫通する。

具体的に、モジュールホールＭＨはベース基板１０を貫通する。モジュールホールＭＨの内面１０−ＥＧ＿Ｈは複数の層の終端によって定義される。第１ベース層１１、第１バリアー層１２、第２ベース層１３、及び第２バリアー層１４には、第１ベース層の終端１１−Ｅ、第１バリアー層の終端１２−Ｅ、第２ベース層の終端１３−Ｅ、及び第２バリアー層の終端１４−Ｅがそれぞれ定義される。

また、モジュールホールＭＨは表示領域ＤＡを構成する層の少なくとも一部を貫通する。例えば、モジュールホールＭＨは、第１絶縁膜２１、電荷制御層ＯＬ、第１無機膜３２、及び第２無機膜３４を貫通する。従って、第１絶縁膜２１、電荷制御層ＯＬ、第１無機膜３２、及び第２無機膜３４には、第１絶縁膜の終端１２−Ｅ、電荷制御層の終端ＯＬ−Ｅ、第１無機膜の終端３２−Ｅ、及び第２無機膜の終端３４−Ｅがそれぞれ定義される。

本実施形態で、第１ベース層の終端１１−Ｅ、第１バリアー層の終端１２−Ｅ、第２ベース層の終端１３−Ｅ、第２バリアー層の終端１４−Ｅ、第１絶縁膜の終端２１−Ｅ、電荷制御層の終端ＯＬ−Ｅ、第１無機膜の終端３２−Ｅ、及び第２無機膜の終端３４−Ｅは第３方向ＤＲ３に沿って整列される。従って、モジュールホールＭＨは第３方向ＤＲ３に沿う高さを有する円筒形状を有する。一方、これは例示的に示したものであり、モジュールホールＭＨを定義する各層の終端の中の少なくとも一部は、整列されなくてもよく、いずれか１つの実施形態に限定されない。

遮断溝ＢＲはモジュールホールＭＨに隣接して定義される。遮断溝ＢＲはモジュールホールＭＨから第１方向ＤＲ１に離隔される。遮断溝ＢＲはベース基板１０の前面から第３方向ＤＲ３に陥没する。従って、遮断溝ＢＲは、ベース基板１０の前面を貫通するが、背面を貫通しない。

遮断溝ＢＲはベース基板１０の少なくとも一部が除去されて形成される。例えば、遮断溝ＢＲは、第１ベース層１１、第１バリアー層１２、第２ベース層１３、及び第２バリアー層１４の少なくとも一部を除去して形成される。

本実施形態による遮断溝ＢＲはベース基板１０に定義されてアンダーカットされた形状を有する内面を含む。遮断溝ＢＲは陥没部１１−ＲＣ及び少なくとも１つの貫通部を含む。陥没部１１−ＲＣ及び少なくとも１つの貫通部は遮断溝ＢＲの内面にアンダーカット形状を形成する。本実施形態で、遮断溝ＢＲは、第１バリアー層の貫通部１２−ＯＰ、第２ベース層の貫通部１３−ＯＰ、及び第２バリアー層の貫通部１４−ＯＰを含む。

陥没部１１−ＲＣは第１ベース層１１に定義される。陥没部１１−ＲＣは第１ベース層１１の前面から陥没する。陥没部１１−ＲＣは、平面ＰＰ、第１側面Ｗ１、及び第２側面Ｗ２を含む。一方、説明を容易にするために第１側面Ｗ１と第２側面Ｗ２とを区分して図示したが、第１側面Ｗ１と第２側面Ｗ２とは連結された一体の面である。

平面ＰＰはベース層１１の前面から背面側に陥没した面である。平面ＰＰは第１ベース層１１の背面から第３方向ＤＲ３に離隔される。第１側面Ｗ１及び第２側面Ｗ２は平面ＰＰに連結される。第１側面Ｗ１及び第２側面Ｗ２は平面ＰＰから傾いている。陥没部１１−ＲＣ内で第１側面Ｗ１及び第２側面Ｗ２が平面ＰＰとなす角度は９０°以上である。

第２バリアー層の貫通部１４−ＯＰ、第２ベース層の貫通部１３−ＯＰ、及び第１バリアー層の貫通部１２−ＯＰは、ベース基板１０の背面から前面に向かう方向に積層されて配置される。この場合、第２バリアー層の貫通部１４−ＯＰと陥没部１１−ＲＣとはアンダーカット形状を形成し、第１バリアー層の貫通部１２−ＯＰと第２ベース層の貫通部１３−ＯＰとはアンダーカット形状を形成する。

具体的に、第２バリアー層１４は陥没部１１−ＲＣの内側に突出して陥没部１１−ＲＣの少なくとも一部をカバーする。第２バリアー層の貫通部１４−ＯＰの第１方向ＤＲ１における幅は陥没部１１−ＲＣの第１方向ＤＲ１における幅よりも小さい。陥没部１１−ＲＣの第１方向ＤＲ１における幅は、陥没部１１−ＲＣの中の第２バリアー層１４に最も隣接して測定された長さである。

第１バリアー層１２は第２ベース層の貫通部１３−ＯＰの内側に突出して第２ベース層の貫通部１３−ＯＰの少なくとも一部をカバーする。第１バリアー層の貫通部１２−ＯＰの第１方向ＤＲ１における幅Ｒ１は、第２ベース層の貫通部１３−ＯＰの第１方向ＤＲ１における幅Ｒ２よりも小さい。

第２ベース層の貫通部１３−ＯＰは第３方向ＤＲ３に沿って異なる平面積を有する。第２ベース層の貫通部１３−ＯＰの第１方向ＤＲ１における幅は、前面よりも背面でより小さい。第２ベース層の貫通部１３−ＯＰは円錐台形状を有する。但し、これは例示的に示したものであり、第２ベース層の貫通部１３−ＯＰは、遮断溝ＢＲの平面上における形状に対応してピラミッド形状又は楕円円錐形状を有してもよく、いずれか１つの実施形態に限定されない。

薄膜素子層２０及び表示素子層３０は部分的に遮断溝ＢＲに重畳する。例えば、第１絶縁層２１は遮断溝ＢＲに隣接するように延長されて遮断溝ＢＲに部分的に重畳する。第１絶縁層２１は遮断溝ＢＲの少なくとも一部をカバーする。第１絶縁層２１は遮断溝ＢＲに対応する領域に定義された貫通部２１−ＯＰを含む。第１絶縁層の貫通部２１−ＯＰは遮断溝ＢＲに重畳する。

本実施形態で、第１絶縁層の貫通部２１−ＯＰの第１方向ＤＲ１における幅Ｒ３は、第１バリアー層の貫通部１２−ＯＰの第１方向ＤＲ１における幅Ｒ１以下である。第１絶縁層の貫通部２１−ＯＰは、第１バリアー層の貫通部１２−ＯＰと整列されるか、或いは第１バリアー層の貫通部１２−ＯＰの内側に突出する。従って、第１絶縁層の貫通部２１−ＯＰと第１バリアー層の貫通部１２−ＯＰとの間にはアンダーカット形状が形成される。

電荷制御層ＯＬはモジュールホールＭＨに隣接する領域及び遮断溝ＢＲに隣接する領域まで延長されて配置される。電荷制御層ＯＬは遮断溝ＢＲに重畳しない。従って、電荷制御層ＯＬは遮断溝ＢＲに隣接して断絶された終端を有する。

第１無機膜３２及び第２無機膜３４の各々は遮断溝ＢＲが配置された領域まで延長される。第１無機膜３２及び第２無機膜３４は遮断溝ＢＲに隣接する領域及び遮断溝ＢＲの内面に沿って配置される。従って、遮断溝ＢＲの内部は第１無機膜３２及び第２無機膜３４によってカバーされる。

本実施形態によると、電荷制御層ＯＬは、遮断溝ＢＲに隣接する領域で断絶された終端を有し、遮断溝ＢＲに重畳しない。電荷制御層ＯＬの中の遮断溝ＢＲに隣接して断絶された終端は第１無機膜３２及び第２無機膜３４によってカバーされる。

図４及び図５に示したように、モジュールホールＭＨに隣接する領域で、ベース基板１０、薄膜素子層２０、及び表示素子層３０は、それぞれ断絶された終端を有する。断絶された終端はモジュールホールＭＨを通じて露出される。外部の水分や酸素は表示パネル１００の露出された終端を通じてベース基板１０、薄膜素子層２０、及び表示素子層３０に流入する。

本実施形態によれば、モジュールホールＭＨに隣接して遮断溝ＢＲを定義することによって、モジュールホールＭＨから流入する酸素や水分の浸透経路を遮断することができる。具体的に、図５に示したように、モジュールホールＭＨによって終端が露出された電荷制御層ＯＬは遮断溝ＢＲまで延長されずに断絶される。遮断溝ＢＲは電荷制御層ＯＬの中のモジュールホールＭＨと遮断溝ＢＲとの間に配置された部分と遮断溝ＢＲの外側に配置された部分とを分離させる。従って、モジュールホールＭＨを通じて外部から酸素や水分が流入しても、遮断溝ＢＲの外側に伝達されず、遮断溝ＢＲの外側に存在する薄膜素子層２０や表示素子層３０の損傷を安定的に防止することができる。

また、本実施形態によると、第１無機膜３２及び第２無機膜３４は、モジュールホールＭＨと遮断溝ＢＲとの間、遮断溝ＢＲの内部、及び遮断溝ＢＲの外側までカバーする。遮断溝ＢＲに隣接して断絶された電荷制御層ＯＬや第１絶縁層２１は第１無機膜３２と第２無機膜３４によってカバーされる。従って、水分や酸素の流入の遮断程度を向上させることができる。

図７は、本発明の一実施形態による電子装置の一部を拡大して示した断面図である。図７では、説明を容易にするために一部構成を省略して図示した。以下、図７を参照して本発明の一実施形態による電子装置について説明する。一方、図１〜図６で説明した構成と同じ構成に対しては同じ参照符号を付し、重複する説明は省略する。

図７に示すように、電荷制御層ＯＬの少なくとも一部は遮断溝ＢＲ−１に配置される。電荷制御層ＯＬは遮断溝ＢＲ−１に配置された第１部分ＯＬ−Ｐ１及び第２部分ＯＬ−Ｐ２を更に含む。

第１部分ＯＬ−Ｐ１は第１ベース層１１に定義された陥没部１１−ＲＣに配置される。第１部分ＯＬ−Ｐ１は第１ベース層１１の中の第２バリアー層１４から露出する部分に配置される。第１部分ＯＬ−Ｐ１の第１方向ＤＲ１における幅は第２バリアー層の貫通部１４−ＯＰの第１方向ＤＲ１における幅以下である。

第２部分ＯＰ−Ｐ２は第２バリアー層１４に配置される。第２部分ＯＰ−Ｐ２は第２バリアー層１４の中の第２ベース層１３から露出する部分に配置される。第２部分ＯＰ−Ｐ２は第２バリアー層１４の中の第２ベース層１３よりも遮断溝ＢＲ−１の内側に突出する部分に配置される。

第１部分ＯＬ−Ｐ１と第２部分ＯＬ−Ｐ２とは断絶される。また、第１部分ＯＬ−Ｐ１及び第２部分ＯＬ−Ｐ２は第１絶縁層２１上に配置された電荷制御層ＯＬから断絶される。

第１無機膜３２は遮断溝ＢＲ−１の内面をカバーする。この時、第１部分ＯＬ−Ｐ１及び第２部分ＯＬ−Ｐ２のそれぞれは第１無機膜３２によってカバーされる。従って、第１部分ＯＬ−Ｐ１及び第２部分ＯＬ−Ｐ２が第１ベース層１１又は第２バリアー層１４から分離されることを阻止する。

本発明によれば、ベース基板１０に遮断溝ＢＲ−１を具備することによって、外部汚染の流入経路を安定的に遮断することができる。また、第１無機膜３２を通じて遮断溝ＢＲ−１内に層の一部分が残存しても安定的に固定させることによって、一部分の浮遊による素子損傷等を防止することができる。従って、電子装置の信頼性を向上させることができる。

図８Ａ及び図８Ｂは、本発明の一実施形態による電子装置の一部を拡大して示した第２及び第３例の断面図である。図９は、本発明の一実施形態による電子装置の一部を拡大して示した第４例の断面図である。図８Ａ〜図９には、多様な形状の遮断溝（ＢＲ−２、ＢＲ−３）を中心に図示した。以下、図８Ａ〜図９を参照して、本発明の一実施形態について説明する。一方、図１〜図７で説明した構成と同じ構成に対しては同じ参照符号を付し、重複する説明は省略する。

図８Ａ及び図８Ｂに示すように、ベース基板１０−１は第１ベース層１１及び第１バリアー層１２を含む。第１ベース層１１には陥没部１１−ＲＣが定義される。

第１バリアー層１２は第１ベース層１１の前面に直接配置される。第１バリアー層１２は第１ベース層１１に接触する。

第１バリアー層１２には貫通部１２−ＯＰが定義される。本実施形態で、遮断溝ＢＲ−２は陥没部１１−ＲＣ及び第１バリアー層の貫通部１２−ＯＰを含む。第１バリアー層の貫通部１２−ＯＰは陥没部１１−ＲＣと所定のアンダーカット形状を形成する。この場合、遮断溝ＢＲ−２の内面にはバリアー層の貫通部１２−ＯＰ及び陥没部１１−ＲＣが定義する１つのアンダーカット形状が定義される。

図８Ｂに示すように、第１電極Ｅ１が遮断溝ＢＲ−２をカバーする層である。この場合、第１電極Ｅ１は、上述した複数の開口部以外にも遮断溝ＢＲ−２に隣接する領域のみに部分的に更に配置される。この場合、第１電極Ｅ１には遮断溝ＢＲ−２に重畳する貫通部Ｅ１−ＯＰが定義される。第１電極Ｅ１の貫通部Ｅ１−ＯＰの第１方向ＤＲ１における幅は第１バリアー層の貫通部１２−ＯＰの第１方向における幅以下である。

一方、図示していないが、第１バリアー層１２上に配置されて遮断溝ＢＲ−２に重畳する貫通部が定義された層は、薄膜素子層２０及び表示素子層３０を構成する多様な層を含む。また、図示していないが、遮断溝ＢＲ−２に重畳する貫通部が定義された層は複数に提供される。

図９に示すように、ベース基板１０−２は第１ベース層１１−１及び第１バリアー層１２を含む。第１ベース層１１−１には陥没部１１−ＲＣ＿１が定義される。陥没部１１−ＲＣ＿１は所定の曲面を有する。従って、遮断溝ＢＲ−３は内面に曲面を含む。

本発明の実施形態による電子装置は多様な形状の遮断溝を含むことができる。また、電子装置は多様な層を通じて遮断溝をカバーする層を形成することができる。従って、別の工程を追加しなくても既存の表示パネル構成の中の一部を活用することによって、工程が単純化され、工程費用を節減させることができる。これに対する詳細な説明は後述する。

図１０は、本発明の一実施形態による表示パネルの一部を示した断面図である。図１０では、説明を容易にするために図４に示した領域に対応する領域を図示した。図１０に示す表示パネル１００−１は、上部フィルムＵＰ及び下部フィルムＬＰを更に含むことを除外すれは、実質的に図４に示した表示パネル１００に対応する。

以下、図１０を参照して本発明の一実施形態による表示パネル１００−１について説明する。一方、図１〜図９で説明した構成と同じ構成に対しては同じ参照符号を付し、重複する説明は省略する．

図１０に示すように、表示パネル１００−１は上部フィルムＵＰ及び下部フィルムＬＰを更に含む。下部フィルムＬＰはベース基板１０の背面に配置される。図示していないが、下部フィルムＬＰとベース基板１０との間には所定の粘着層が更に配置される。下部フィルムＬＰはベース基板１０の下側に配置されてベース基板１０を保護する。

上部フィルムＵＰはベース基板１０の前面に配置される。上部フィルムＵＰは封止部材ＴＥ上に配置される。本実施形態で、上部フィルムＵＰは封止部材ＴＥに接触するものとして図示したが、封止部材ＴＥと上部フィルムＵＰとの間には別の機能層が更に追加されてもよい。上部フィルムＵＰは薄膜素子層２０及び表示素子層３０を保護する。

一方、本実施形態で、モジュールホールＭＨは上部フィルムＵＰ及び下部フィルムＬＰを貫通する。上部フィルムＵＰ及び下部フィルムＬＰの各々にはモジュールホールＭＨに対応する貫通部が定義される。従って、モジュールホールＭＨを形成する表示パネルの終端１０−ＥＧ＿Ｈは、下部フィルムＬＰ、ベース基板１０、薄膜素子層２０、表示素子層３０、及び上部フィルムＵＰによって定義される。

本実施形態による表示パネル１００−１は、上部フィルムＵＰ及び下部フィルムＬＰを更に含むことによって、ベース基板１０、薄膜素子層２０、及び表示素子層３０が安定的に保護される。従って、本実施形態による表示パネル１００−１は外部衝撃に対して向上した耐久性を有する。

図１１Ａ〜図１１Ｃは、本発明の一実施形態による表示パネルの一部構成を簡略に示した第２〜第４例の平面図である。図１１Ａ〜図１１Ｃには、モジュール部（ＰＡ１、ＰＡ２、ＰＡ３）の平面形状を図示した。図１１Ａ〜図１１Ｃを参照して、モジュール部（ＰＡ１、ＰＡ２、ＰＡ３）について説明する。

図１１Ａに示すように、モジュール部ＰＡ１はモジュールホールＭＨ＿Ｓ１及び遮断溝ＢＲ＿Ｓ１を含む。モジュールホールＭＨ＿Ｓ１は、平面上から見る時、多角形状を有する。本実施形態で、モジュールホールＭＨ＿Ｓ１は四角形状に図示した。この場合、モジュールホールＭＨ＿Ｓ１は多角柱形状に具現される。

遮断溝ＢＲ＿Ｓ１はモジュールホールＭＨ＿Ｓ１の縁に沿って形成される。遮断溝ＢＲ＿Ｓ１はモジュールホールＭＨ＿Ｓ１に対応する形状を有する。従って、遮断溝ＢＲ＿Ｓ１はモジュールホールＭＨ＿Ｓ１を囲む方形リングの平面形状を有する。

図１１Ｂに示すように、モジュール部ＰＡ２は互いに異なる形状を有するモジュールホールＭＨ＿Ｓ２及び遮断溝ＢＲ＿Ｓ２を含む。モジュールホールＭＨ＿Ｓ２は平面上で円形状を有するものとして図示した。モジュールホールＭＨ＿Ｓ２は図４に示したモジュールホールＭＨと実質的に同じ形状である。

遮断溝ＢＲ＿Ｓ２はモジュールホールＭＨ＿Ｓ２と異なる平面上の形状を有する。本実施形態で、遮断溝ＢＲ＿Ｓ２は方形状を有するものとして図示した。本発明によると、遮断溝ＢＲ＿Ｓ２がモジュールホールＭＨ＿Ｓ２に隣接して配置されるならば、多様な形状を有することができ、モジュールホールＭＨ＿Ｓ２の形状に対応する形状に限定されない。

図１１Ｃに示すように、モジュール部ＰＡ３は互いに異なる形状を有するモジュールホールＭＨ＿Ｓ３及び遮断溝ＢＲ＿Ｓ３を含む。この場合、遮断溝ＢＲ＿Ｓ３は、平面から見る時、八角形状を有するものとして図示した。遮断溝ＢＲ＿Ｓ３がモジュールホールＭＨ＿Ｓ３の形状と類似な形状を有するほど、遮断溝ＢＲ＿Ｓ３とモジュールホールＭＨ＿Ｓ３との間の空間の面積は減少する。従って、表示領域ＤＡ（図２参照）内に具備されるモジュール部ＰＡ３が占める面積が減少するため、表示領域ＤＡに及ぼす影響を低下させる。

図１２Ａ〜図１２Ｊは、本発明の一実施形態による表示パネルの製造方法を示した断面図である。図１３Ａ〜図１３Ｅは本発明の一実施形態による表示パネルの製造方法を示した断面図である。以下、図１２Ａ〜図１３Ｅを参照して表示パネルの製造方法について説明する。

図１２Ａに示すように、未処理のベース基板１０＿Ｉ１を提供する。未処理のベース基板１０＿Ｉ１は未処理の第１ベース層１１＿Ｉ、未処理の第１バリアー層１２＿Ｉ、未処理の第２ベース層１３＿Ｉ、及び未処理の第２バリアー層１４＿Ｉを含む。未処理の第１ベース層１１＿Ｉ及び未処理の第２ベース層１３＿Ｉはそれぞれ未処理の第１バリアー層１２＿Ｉ及び未処理の第２バリアー層１４＿Ｉと交互に配置される。

未処理の第１ベース層１１＿Ｉ、未処理の第２バリアー層１４＿Ｉ、未処理の第２ベース層１３＿Ｉ、及び未処理の第１バリアー層１２＿Ｉは、上側方向に向かって順次的に積層される。未処理の第１ベース層１１＿Ｉは最下層を定義し、未処理の第１バリアー層１２＿Ｉは最上層を定義する。

その後、図１２Ｂに示すように、未処理の第１バリアー層１２＿Ｉ上にカバー層ＭＳＬを配置する。カバー層ＭＳＬは未処理の第１バリアー層１２＿Ｉをカバーする。

カバー層ＭＳＬは上述した薄膜素子層２０（図４参照）及び表示素子層３０（図４参照）の中の少なくともいずれか１つを利用して形成される。例えば、カバー層ＭＳＬは第１〜第４絶縁層（２１、２２、２３、３１）（図４参照）、電極（ＣＥ、ＩＥ、ＯＥ、Ｅ１）の中の少なくともいずれか１つで形成される。

一方、カバー層ＭＳＬには未処理の第１バリアー層１２＿Ｉの少なくとも一部を露出させる貫通部ＭＳＬ−ＯＰが形成される。カバー層の貫通部ＭＳＬ−ＯＰは第１〜第４絶縁層（２１、２２、２３、３１）（図４参照）、電極（ＣＥ、ＩＥ、ＯＥ、Ｅ１）の形成工程で同時に形成される。従って、本実施形態のカバー層ＭＳＬは、別の工程を追加せずに既存の工程ラインをそのまま利用できるため、工程時間が短縮され、工程費用を節減することができる。

その後、図１２Ｃに示すように、カバー層ＭＳＬ上に光ＬＳを提供する。光ＬＳはエッチング工程で提供される光である。図１２Ｃに示すように、光ＬＳは放射状ＷＶに提供される。従って、各層は、上側に行くほど広くなる幅を有する形状にエッチングされる。

図１２Ｂに示した未処理の第１ベース層１１＿Ｉ、未処理の第２バリアー層１４＿Ｉ、未処理の第２ベース層１３＿Ｉ、及び未処理の第１バリアー層１２＿Ｉは、光ＬＳによってそれぞれ熱処理された第１ベース層１１＿Ｔ、熱処理された第２バリアー層１４＿Ｔ、熱処理された第２ベース層１３＿Ｔ、及び熱処理された第１バリアー層１２＿Ｔに変化する。熱処理される層に対する詳細な説明は図１３Ａ〜図１３Ｅを参照して説明する。

図１３Ａを参照すると、光ＬＳは、第１バリアー層１２に対する吸収率が低く、第２ベース層１３に対する吸収率が高い波長の光として選択される。本実施形態で、光ＬＳはＵＶレーザーである。光ＬＳの大部分は第１バリアー層１２を透過し、第１バリアー層１２は光ＬＳによって大きい影響を受けない。光ＬＳはレーザー形態で提供される。

第１バリアー層１２を透過した光は第１バリアー層１２の背面に配置された第２ベース層１３に到達する。第２ベース層１３は相対的に第１バリアー層１２よりも光ＬＳに対する吸収率が高く設計される。本実施形態で、光ＬＳはＵＶレーザーである。従って、光ＬＳは第２ベース層１３に到達して第２ベース層１３に吸収される。一方、この時、第１バリアー層１２に照射された領域でプラズマＰＬが生成される。

光ＬＳを吸収した第２ベース層１３は光反応する。第２ベース層１３は反応程度に応じて３つの部分に区分される。第１部分Ｓ１は同一時間の間に最も多い光が吸収された部分である。第１部分Ｓ１は光反応によって微細粒子に蒸発可能な状態である。

第２部分Ｓ２は第１部分Ｓ１よりも少ない光が吸収された部分である。第２部分Ｓ２は光反応によって溶融された状態である。第３部分Ｓ３は第２部分Ｓ２よりも少ない光が吸収された部分である。第３部分Ｓ３は光反応によって加熱された状態である。

即ち、第２ベース層１３は、実質的に光ＬＳが吸収されることによって、加熱された後、溶融状態を経て蒸発可能な状態に変化する。第２ベース層１３は、光ＬＳが照射される領域毎に第３部分Ｓ３、第２部分Ｓ２、及び第１部分Ｓ１の順に光変形される。

その後、図１３Ｂに示すように、第１部分Ｓ１の蒸発状態が持続されるか、或いは第１部分Ｓ１の面積が増加することによって、第１部分Ｓ１は第１バリアー層１２を突き破って外部に放出される。蒸発状態である第２ベース層の粒子ＰＴは、蒸発圧によって第１バリアー層１２を破壊しながら外部に放出される。従って、第１バリアー層１２から破断した破片ＢＫＳが生成される。

その後、図１３Ｃに示すように、光ＬＳが持続的に照射されて第２ベース層１３が貫通されると、第２バリアー層１４が露出する。第２バリアー層１４は光ＬＳに対して低い吸収率を有するように設計され、第１ベース層１１は光ＬＳに対して高い吸収率を有するように設計される。光ＬＳの大部分は第２バリアー層１４を透過して第１ベース層１１に到達する。上述したように、光ＬＳが照射された第１ベース層１１は、光ＬＳを吸収して第１部分Ｓ１、第２部分Ｓ２、及び第３部分Ｓ３に変形され、蒸発圧によって第２バリアー層１４が破壊されながら第１ベース層１１の一部が除去される。

従って、図１３Ｄ及び図１３Ｅに示すように、第１ベース層１１には陥没部１１−ＲＣが形成され、第１バリアー層の貫通部１２−ＯＰ、第２ベース層の貫通部１３−ＯＰ、及び第２バリアー層の貫通部１４−ＯＰが形成される。

再び図１２Ｄを参照すると、遮断溝ＢＲ＿Ａは、陥没部１１−ＲＣ、第１バリアー層の貫通部１２−ＯＰ、第２バリアー層の貫通部１４−ＯＰ、及び第２ベース層の貫通部１３−ＯＰを含む。

光ＬＳに対する層間吸収率の差によって、遮断溝ＢＲ＿Ａの内面は断面上でアンダーカット形状を有する。ＡＡ’領域のように、第２ベース層１３は第１バリアー層１２に対してアンダーカットされる。従って、第１バリアー層１２は第２ベース層の貫通部１３−ＯＰの内側に突出する。また、ＢＢ’領域のように、第１ベース層１１は第２バリアー層１４に対してアンダーカットされる。従って、第２バリアー層１４は第１ベース層の陥没部１１−ＲＣの内側に突出する。

一方、カバー層ＭＳＬは、第１バリアー層１２上に配置され、エッチング工程で第１バリアー層１２が破壊されてＡＡ’領域のアンダーカット形状が不均一に形成される問題を防止する。上述したように、本発明の実施形態による遮断溝ＢＲ＿Ａは、光ＬＳ吸収に応じた蒸発及びバリアー層の破壊によって形成される。この場合、最上層に配置された第１バリアー層１２が破壊されて第１バリアー層の貫通部１２−ＯＰが形成されるため、第１バリアー層の貫通部１２−ＯＰの形状を安定的に制御することは容易でない可能性がある。従って、第１バリアー層の貫通部１２−ＯＰが第２ベース層の貫通部１３−ＯＰ以上の幅を有するように形成されると、ＡＡ’領域にアンダーカット形状が形成されない問題が発生する。

本実施形態による表示パネルの製造方法は、カバー層ＭＳＬを更に含むことによって、第１バリアー層１２の前面をカバーする。従って、第１バリアー層１２の亀裂（ｃｒａｃｋ）が広がったり、伝播したりする問題を防止することができる。

一方、カバー層ＭＳＬの中の遮断溝ＢＲ＿Ａが形成される空間に貫通部ＭＳＬ−ＯＰを形成することによって、遮断溝ＢＲ＿Ａのサイズを安定的に設計することができ、アンダーカット形状を安定的に形成することができる。

その後、図１２Ｅに示すように、有機層ＯＬを形成する。有機層ＯＬは蒸発工程（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）によって形成される。従って、有機層ＯＬは第１バリアー層１２の前面及び遮断溝ＢＲ内に形成される。例えば、第１部分ＯＬ−Ｐ１は遮断溝ＢＲ内の第１ベース層１１に形成され、第２部分ＯＬ−Ｐ２は遮断溝ＢＲ内の第２バリアー層１４に形成される。

本実施形態で、有機層ＯＬは厚さ方向に形成されるため、有機層ＯＬをアンダーカット形状の空間に形成することが難しい。従って、有機層ＯＬは遮断溝ＢＲによって断絶される。

その後、図１２Ｆに示すように、第１無機膜３２が形成される。第１無機膜３２はベース基板の前面に形成される。第１無機膜３２は蒸着（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）工程を通じて形成される。従って、第１無機膜３２はアンダーカット形状を有する領域にも安定的に形成される。第１無機膜３２は遮断溝ＢＲ及び遮断溝ＢＲの周辺領域を含む領域をカバーする。

この際、遮断溝ＢＲ内に形成された有機層の部分（ＯＬ−Ｐ１、ＯＬ−Ｐ２）は第１無機膜３２によってカバーされる。有機層の部分（ＯＬ−Ｐ１、ＯＬ−Ｐ２）は第１無機膜３２によって遮断溝ＢＲ内に捕獲される。従って、有機層の部分（ＯＬ−Ｐ１、ＯＬ−Ｐ２）がその後の工程段階で遮断溝ＢＲから移動するか又は浮遊することによって他の素子に損傷を与える問題を防止することができる。

その後、図１２Ｇに示すように、有機膜３３及び第２無機膜３４を形成する。有機膜３３はインクジェット工程を通じて形成される。液相の有機物質は、表示領域ＤＡ（図４参照）の中の遮断溝ＢＲから離隔された領域に提供され、有機物質の粘度等に基づいて第１無機膜３２の少なくとも一部にコーティングされる。図１２Ｇに示すように、有機膜３３は遮断溝ＢＲに重畳しないように形成される。

その後、第２無機膜３４が形成される。第２無機膜３４は蒸着工程を通じて形成される。従って、第２無機膜３４は有機膜３３及び第１無機膜３２の全面上に形成される。

その後、図１２Ｈに示すように、上部フィルムＵＰ及び下部フィルムＬＰを付着する。下部フィルムＬＰは第１ベース層１１の背面に付着される。この場合、図示していない粘着部材が下部フィルムＬＰと第１ベース層１１との間に提供される。上部フィルムＵＰは第２無機膜３４上に配置される。この場合、図示していない粘着部材が上部フィルムＵＰと第２無機膜３４との間に提供される。

その後、図１２Ｉ及び図１２Ｊに示すように、表示パネルの一部を除去してモジュールホールＭＨを形成する。モジュールホールＭＨは遮断溝ＢＲによって囲まれた領域に形成される。図１２Ｉに示すように、１点鎖線で区画された領域に光ＬＳを照射する。光ＬＳは短波長のレーザーを含む。従って、モジュールホールＭＨは下部フィルムＬＰを貫通する貫通部ＬＰ−ＯＰ及び上部フィルムＵＰを貫通する貫通部ＵＰ−ＯＰを含む。

モジュールホールＭＨは光ＬＳを利用したカッティング工程を通じて形成される。従って、遮断溝ＢＲを形成する時の光ＬＳとは異なる波長帯域を有する。また、モジュールホールＭＨは、ナイフ、ドリル等を利用して形成されてもよく、いずれか１つの実施形態に限定されない。

モジュールホールＭＨが形成されることによって、第１ベース層１１、第１バリアー層１２、第２ベース層１３、第２バリアー層１４、カバー層ＭＳＬ、有機層ＯＬ、第１無機膜３２、及び第２無機膜３４の断面が外部に露出する。この場合、外部に露出した断面は外部から水分や酸素が層を通じて流入する経路になる。特に、有機物を含む有機層ＯＬは水分／酸素の浸透が相対的に容易である。

本発明の実施形態による表示パネルはモジュールホールＭＨに隣接して形成された遮断溝ＢＲを含む。遮断溝ＢＲは、モジュールホールＭＨによって露出された断面を有する有機層ＯＬ、第１バリアー層１２、第２バリアー層１４、及び第２ベース層１３のような層の連続性を断絶させる。特に有機層ＯＬの場合、モジュールホールＭＨによって露出した部分は薄膜封止層の下部に配置された部分と断絶される。従って、モジュールホールＭＨを通じて流入する外部からの水分や酸素によって表示領域の素子が損傷される問題を防止することができ、本発明による表示パネルの信頼性を向上させることができる。

以上、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。

１０、１０＿Ｉ１、１０−１、１０−２ ベース基板
１０−ＥＧ＿Ｈ モジュールホールの内面（モジュールホールを形成する表示パネルの終端）
１１、１１−１、１１＿Ｉ、１１＿Ｔ 第１ベース層
１１−Ｅ、１３−Ｅ 第１、第２ベース層の終端
１１−ＲＣ、１１−ＲＣ＿１ 陥没部
１２、１２＿Ｉ、１２＿Ｔ 第１バリアー層
１２−Ｅ、１４−Ｅ 第１、第２バリアー層の終端
１２−ＯＰ、１４−ＯＰ 第１、第２バリアー層の貫通部
１３、１３＿Ｉ、１３＿Ｔ 第２ベース層
１３−ＯＰ 第２ベース層の貫通部
１４、１４＿Ｉ、１４＿Ｔ 第２バリアー層
２０ 薄膜素子層
２１、２２、２３、３１ 第１、第２、第３、第４絶縁層
２１−Ｅ 第１絶縁膜の終端
２１−ＯＰ 第１絶縁層の貫通部
３０ 表示素子層
３２、３４ 第１、第２無機膜
３２−Ｅ、３４−Ｅ 第１、第２無機膜の終端
３３ 有機膜
１００、１００−１ 表示パネル
１０１ タッチ感知ユニット
１０２ 無線通信モジュール
１０３ 映像入力モジュール
１０４ 音響入力モジュール
１０５ メモリ
１０６ 外部インターフェイス
１０７ 音響出力モジュール
１０８ 発光モジュール
１０９ 受光モジュール
１１０ カメラモジュール
２００ ウインドー部材
３００ 電子モジュール
４００ ハウジング部材
１０２１ 受信部
１０２２ 送信部
ＢＫＳ 第１バリアー層から破断した破片
ＢＲ、ＢＲ＿Ａ、ＢＲ−１、ＢＲ−２、ＢＲ−３、ＢＲ＿Ｓ１、ＢＲ＿Ｓ２、ＢＲ＿Ｓ３ 遮断溝
ＢＺＡ ベゼル領域
ＣＥ 制御電極
ＣＭ 制御モジュール
ＤＡ 表示領域
ＤＤ 表示モジュール
ＤＭ１、ＤＭ２ 第１、第２ダム
ＤＭＰ ダム部
Ｅ１、Ｅ２ 第１、第２電極
Ｅ１−ＯＰ 第１電極の貫通部
ＥＡ 電子装置
ＥＬ 有機発光層
ＥＭ１、ＥＭ２ 第１、第２電子モジュール
ＩＥ 入力電極
ＩＭ イメージ
ＬＰ 下部フィルム
ＬＰ−ＯＰ 下部フィルムを貫通する貫通部
ＬＳ 光
ＭＨ、ＭＨ＿Ｓ１、ＭＨ＿Ｓ２、ＭＨ＿Ｓ３ モジュールホール
ＭＳＬ カバー層
ＭＳＬ−ＯＰ カバー層の貫通部
ＮＤＡ 周辺領域
ＯＥ 出力電極
ＯＬ 電荷制御層（有機層）
ＯＬ−Ｅ 電荷制御層の終端
ＯＬ−Ｐ１、ＯＬ−Ｐ２ 電荷制御層（有機層）の第１、第２部分
ＥＤ 有機発光素子
ＰＡ、ＰＡ１、ＰＡ２、ＰＡ３ モジュール部
ＰＬ プラズマ
ＰＭ 電源供給モジュール
ＰＰ 平面
ＰＴ 粒子
ＰＸ 画素
Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３ 第２ベース層の第１、第２、第３部分
ＳＬ 半導体パターン
ＴＡ 透過領域
ＴＥ 封止部材
ＴＲ 薄膜トランジスタ
ＵＰ 上部フィルム
ＵＰ−ＯＰ 上部フィルムを貫通する貫通部
Ｗ１、Ｗ２ 第１、第２側面
ＷＶ 放射状

Claims (15)

1. 前面及び背面を含み、平面上で表示領域及び該表示領域に隣接する周辺領域に区分されるベース基板と、
   前記表示領域に配置された複数の画素を含む画素層と、
   前記ベース基板上に配置されて無機物を含むカバー層と、を備え、
   前記ベース基板は、
   前記表示領域に定義され、前記ベース基板の前面及び背面を貫通するモジュールホールと、
   前記表示領域に定義され、前記モジュールホールに隣接して前記ベース基板の前面から陥没した遮断溝と、を含み、
   前記カバー層は、前記ベース基板の前面をカバーして前記遮断溝に重畳する貫通部を含むことを特徴とする表示パネル。
2. 前記ベース基板は、
   有機物を含み、前記ベース基板の背面を定義する第１ベース層と、
   無機物を含み、前記第１ベース層上に配置されて前記ベース基板の前面を定義する第１バリアー層と、を含み、
   前記遮断溝は、前記第１バリアー層を貫通する貫通部及び前記第１バリアー層の貫通部に重畳して前記第１ベース層に定義された陥没部を含み、
   前記カバー層の貫通部の幅は、前記第１バリアー層の貫通部の幅以下であることを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
3. 前記陥没部の幅は、前記第１バリアー層の貫通部の幅よりも大きいことを特徴とする請求項２に記載の表示パネル。
4. 前記ベース基板は、
   有機物を含み、前記第１ベース層と前記第１バリアー層との間に配置された第２ベース層と、
   無機物を含み、前記第１ベース層と前記第１バリアー層との間に配置された第２バリアー層と、を更に含み、
   前記第１バリアー層及び前記第２バリアー層は、それぞれ前記第１ベース層及び前記第２ベース層と交互に配置されることを特徴とする請求項２に記載の表示パネル。
5. 前記遮断溝は、前記第２バリアー層を貫通する貫通部及び前記第２ベース層を貫通する貫通部を更に含み、
   前記第２バリアー層の貫通部の幅は、前記第２ベース層の貫通部の幅未満であることを特徴とする請求項４に記載の表示パネル。
6. 前記画素層は、
   前記ベース基板上に配置されて薄膜トランジスタを含む薄膜素子層と、
   前記ベース基板上に配置されて前記薄膜トランジスタに連結された有機発光素子を含む表示素子層と、を含み、
   前記カバー層は、前記表示素子層及び前記薄膜素子層の中の一部を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
7. 前記カバー層は、無機膜又は金属膜であることを特徴とする請求項６に記載の表示パネル。
8. 前記有機発光素子は、第１電極、該第１電極上に配置されて有機発光層を含む有機層、及び該有機層上に配置された第２電極を含み、
   前記薄膜素子層は、複数の導電層及び複数の絶縁層を含み、
   前記カバー層は、前記導電層、前記絶縁層、及び前記第１電極の中の少なくともいずれか１つから延長されることを特徴とする請求項６に記載の表示パネル。
9. 前記表示素子層は、前記有機発光層上に配置された封止部材を更に含み、
   前記封止部材は、前記遮断溝及び前記カバー層の貫通部をカバーすることを特徴とする請求項８に記載の表示パネル。
10. 前記封止部材は、第１無機膜、該第１無機膜上に配置された第２無機膜、及び前記第１無機膜と前記第２無機膜との間に配置された有機膜を含み、
    前記第１無機膜及び前記第２無機膜は、前記有機発光素子上で前記有機膜を介して互いに離隔され、前記遮断溝内で互いに接触することを特徴とする請求項９に記載の表示パネル。
11. 複数の画素と該複数の画素が配置された表示領域及び該表示領域に隣接する周辺領域に区分される前面及び該前面に対向する背面を含むベース基板とを含む表示パネルと、
    前記表示パネルに電気的に連結された電子モジュールと、を備え、
    前記ベース基板は、
    前記表示領域に定義され、前記ベース基板の前面及び背面を貫通するモジュールホールと、
    前記表示領域に定義され、前記モジュールホールに隣接して前記ベース基板の前面から陥没した遮断溝と、を含み、
    前記電子モジュールは、前記モジュールホールに収容されることを特徴とする電子装置。
12. 前記電子モジュールは、音響出力モジュール、カメラモジュール、及び受光モジュールの中の少なくともいずれか１つを含むことを特徴とする請求項１１に記載の電子装置。
13. 前記遮断溝は、平面上で前記モジュールホールを囲む閉曲線形状を有することを特徴とする請求項１１に記載の電子装置。
14. 前記ベース基板は、
    有機物を含み、前記ベース基板の背面を定義する第１ベース層と、
    無機物を含み、前記第１ベース層上に配置されて前記ベース基板の前面を定義する第１バリアー層と、
    有機物を含み、前記第１ベース層と前記第１バリアー層との間に配置された第２ベース層と、
    無機物を含み、前記第１ベース層と前記第２ベース層との間に配置された第２バリアー層と、を含み、
    前記遮断溝は、前記第１バリアー層、前記第２バリアー層、及び前記第２ベース層を貫通し、前記第１ベース層の一部が陥没されて定義されることを特徴とする請求項１１に記載の電子装置。
15. 前記遮断溝内で、
    前記第１バリアー層は、前記第２ベース層から突出し、
    前記第２バリアー層は、前記第１バリアー層から突出することを特徴とする請求項１４に記載の電子装置。
    
    

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