JP2018525821A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、及び前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層の間に配置される活性層を含み、前記第２導電型半導体層と前記活性層を貫通して前記第１導電型半導体層の一部領域まで配置される複数の第１リセスを含む発光構造物；
   前記複数の第１リセスの内部で前記第１導電型半導体層と電気的に連結される第１電極；
   前記第１電極と電気的に連結される導電性支持基板；
   前記第２導電型半導体層と電気的に連結される第２電極；及び
   前記導電性支持基板と前記第２導電型半導体層の間に配置される絶縁層を含み、
   前記第１導電型半導体層、前記第２導電型半導体層及び前記活性層を貫通して前記絶縁層の一部領域まで第２リセスが配置され、
   前記第２リセスは、
   前記第２リセスの下面を形成する光抽出部下面；
   前記第２リセスの一側面を形成する第１光抽出部側面部；及び
   前記第２リセスの他側面を形成する第２光抽出部側面部；を含み、
   前記第１光抽出部側面部は、前記絶縁層と前記活性層から発生する光が前記第２光抽出部側面部に再吸収されないようにするための第１角度を有するように配置され、
   前記絶縁層が前記第２リセスの光抽出部下面をなす、発光素子。
2. 前記第２リセスの光抽出部下面をなす前記絶縁層が前記第１リセスの周囲に延びて前記第１リセスの側壁をなす、請求項１に記載の発光素子。
3. 前記光抽出部下面の幅は前記活性層から発生する光を抽出するための第１幅を有するように配置される、請求項２に記載の発光素子。
4. 前記第１幅は３μｍ以上である、請求項３に記載の発光素子。
5. 前記第１角度は８０度以下である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光素子。
6. 前記第１リセスの表面の第３幅は、前記第１リセスが前記第１電極と接触する領域の第２幅より小さい、請求項１〜５のいずれか一項に記載の発光素子。
7. 前記発光構造物はＵＶ−Ｂ又はＵＶ−Ｃ波長領域の光を放出する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の発光素子。
8. 前記第１導電型半導体層又は第２導電型半導体層内でアルミニウム（Ａｌ）の組成比は４０％以上である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の発光素子。
9. 前記第２導電型半導体層の上面、前記第１光抽出部側面部及び前記第２光抽出部側面部の少なくとも一つに粗さを有する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の発光素子。
10. キャビティが形成されたパッケージ本体；及び
    前記キャビティに少なくとも一部が挿入されて配置される請求項１〜９のいずれか一項に記載の発光素子を含む、発光素子パッケージ。