JP2018504784A - 半導体処理設備 - Google Patents

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Abstract

第１平面モータと、基板キャリアと、第１処理チャンバと、第１リフトとを含む、基板を処理するためのシステムが提供される。第１平面モータは、第１水平方向に沿って配置されたコイルの第１配列と、第１水平方向に平行な上面と、第１側面と、第２側面とを含む。基板キャリアは、第１水平方向に平行な基板支持面を有する。第１処理チャンバは、基板キャリア上に配置された基板を受容するための開口を有する。第１リフトは、第１水平方向に沿って配置されたコイルの第２配列を有する、第２平面モータを含む。第２平面モータの上面は、第１水平方向に平行である。第１リフトは、第１垂直位置と第２垂直位置との間で第２平面モータの上面を移動させるよう構成される。【選択図】図３Ｃ

Description

本書で開示されている実施形態は概して、半導体基板を移送するために使用される半導体処理設備に関する。
関連技術の説明
半導体デバイスは、典型的には、多数の処理チャンバを使用して半導体基板上に形成され、各処理チャンバは、様々なステップ（例えば堆積）のうちの一又は複数を完遂して、メモリチップなどの半導体デバイスを形成するために使用される。基板移送システムは、典型的には、処理チャンバの各々の間で基板を移動させるために使用される。処理チャンバ並びに基板移送システムは各々、真空に保たれうる。基板移送システムに使用される２つの一般的な配列は、クラスタ配列と線形配列とを含む。
クラスタ配列を使用する基板移送システムは、種々の処理チャンバによって囲まれた中央領域を含む。この中央領域は、基板が供給される時、及び基板移送システムから取り除かれる時に、基板移送システム内の真空環境を維持するために、ロードロックチャンバに接続されうる。中央領域又は移送チャンバは、典型的には、ロードロックチャンバに出し入れするように、並びに処理チャンバ間で、基板を移動させるために、中心軸の周囲で回転する、固定型ロボットも含む。このような従来型ロボットは、多くの場合、一度に１つ又は２つの基板を移送することしかできず、かつ、中央領域の設置面積の大型化を引き起こしうる。ロボットのアームがロボットを擁する中央領域チャンバの壁と干渉することなく、ロボットが回転し、処理チャンバ内へと伸長することが必要だからである。このような種類の従来型ロボットは粒子源にもなりうるが、それは望ましくない。
線形配列を使用する基板移送システムは、典型的には、長方形の上面を有するコンベヤを含み、このコンベヤの一方の側部又は対向する両側部に、処理チャンバを有している。コンベヤは、基板が供給される時、及び基板移送システムから取り除かれる時に基板移送システム内の真空環境を維持するために、ロードロックチャンバに接続されうる。一又は複数のロボットは、処理チャンバの各々の付近に位置付けられて、コンベヤと処理チャンバとの間で基板を移送しうる。このような線形基板移送システムにおいて使用されるコンベヤは、粒子の発生源になることあり、コンベヤが正しく機能することを確実にするために、定期的で複雑な保守作業を必要としうる。更に、コンベヤは一度に１つの方向にしか動かせず、このことが、コンベヤ上の基板の移動を限定し、スループットを減少させうる。
したがって、粒子の発生及び設置面積を低減すると共に、スループットを増大させる、改良型の基板移送システムが必要とされている。
本開示の実施形態は概して、基板を処理するためのシステムを提供する。一実施形態では、システムは、第１平面モータと、基板キャリアと、第１処理チャンバと、第１リフトとを含む。第１平面モータは、第１水平方向に沿って配置されたコイルの第１配列と、第１水平方向に平行な上面と、第１側面と、第２側面と、第１端部と、第２端部とを含む。基板キャリアは、第１水平方向に平行な基板支持面を有し、かつ、上面の上方に配置される。第１処理チャンバは、第１平面モータの第１側面に配置された開口を有し、この開口は、基板キャリアの基板支持面上に配置されている基板を受容するよう構成される。第１リフトは、第１水平方向に沿って配置されたコイルの第２配列を有する、第２平面モータを含む。第２平面モータの上面は、第１水平方向に平行である。第１リフトは、第１端部と第２端部とを更に含む。第１リフトは、第１垂直位置と第２垂直位置との間で第２平面モータの上面を移動させるよう構成される。第１平面モータの上面と第２平面モータの上面とは、第１リフトが第１垂直位置にある時に実質的に共平面になる。
別の実施形態では、第１平面モータと、複数の基板キャリアと、複数の処理ステーションとを含む、基板を処理するためのシステムが提供される。第１平面モータは、第１水平方向に沿って配置されたコイルの第１配列と、第１水平方向に平行な上面とを含む。複数の基板キャリアは各々、第１水平方向に平行な基板支持面を有する。各基板キャリアは、基板を支持するよう構成され、かつ、上面の上方に配置される。複数の処理ステーションは第１平面モータの周囲に配置され、各処理ステーションは、処理チャンバ及び移送支持体を含む。移送支持体は、処理チャンバの外部の第１移送位置と処理チャンバの内部の第２移送位置との間で基板を移動させるよう構成された部分を含む。
別の実施形態では、第１平面モータと、第２平面モータと、基板キャリアと、複数の処理チャンバとを含む、基板を処理するためのシステムが提供される。第１平面モータは、第１平面全体に配置されたコイルの第１配列を含む。第１平面モータは、第１表面と、第１端部と、第２端部とを含む。第２平面モータは、第２平面全体に配置されたコイルの第２配列を含む。第２平面モータは、第２表面と、第１端部と、第２端部とを含む。第１平面は、第２平面に実質的に直角である。基板キャリアは、ベースと支持面とを含む。基板キャリアは、ベース内に、第１磁石配列で配置された第１の複数の磁石を更に含む。第１磁石配列は、基板キャリアの支持面に実質的に平行に整列している。基板キャリアは、ベース内に、第２磁石配列で配置された第２の複数の磁石を更に含む。第２磁石配列は、第１磁石配列に実質的に直角に整列している。複数の処理チャンバは第３平面全体に配置されており、第３平面は、第１平面に実質的に直角である。
別の実施形態では、基板移送システム内で基板を移動させるための方法が提供される。方法は、基板キャリアの基板支持面上に基板を置くことと、第１平面モータ内のコイルが発生させる磁界を調整することによって、第１平面モータの上面の上で、基板キャリアを浮上させ、移動させることと、第１平面モータ内のコイルが発生させる磁界を調整することによって、基板が置かれる第１処理チャンバ内へと、基板キャリアの基板支持面を浮上させ、移動させることとを、含む。
別の実施形態では、基板移送システム内で基板を移動させるための方法が提供される。方法は、（ａ）一又は複数の平面モータ内のコイルが発生させる磁界を調整することによって、一又は複数の平面モータの上面上のループにおいて、複数の基板キャリアを浮上させ、移動させることであって、基板が第１基板キャリアの基板支持面上に配置されている、浮上させ、移動させることと、（ｂ）一又は複数の平面モータ内のコイルの各々が発生させる磁界を実質的に一定に保つことによって、遅延時間の間、ループ上の複数の移送地点であって、各移送地点が基板キャリアからチャンバに基板を移送するように設定された複数の移送地点において、複数の基板キャリアを停止させることであって、各基板キャリアは異なる移送地点で停止し、移送地点のうちの少なくとも２つは処理ステーションに位置付けられており、各処理ステーションが処理チャンバ及び移送支持体を含む、停止させることと、（ｃ）第１基板キャリアが第１基板キャリアの目的の処理ステーションにおいて停止すると、この目的の処理ステーションの移送支持体を使用して、第１基板キャリアから目的の処理ステーションの処理チャンバに基板を移送することと、（ｄ）（ａ）〜（ｃ）を繰り返すこととを、含む。
別の実施形態では、基板移送システム内で基板を移動させるための方法が提供される。方法は、基板キャリアの基板支持面上に基板を置くことと、第１平面モータ内のコイルが発生させる磁界を調整することによって、水平面全体に配置されたコイルの第１配列を有する第１平面モータの第１表面の上で、基板キャリアを浮上させ、移動させることと、基板キャリアに面している第２表面を有する第２平面モータの中のコイルが発生させる磁界を調整することによって、第１垂直位置から第２垂直位置に、基板キャリアの基板支持面上の基板を移動させることとを含み、第２平面モータは、垂直平面全体に配置されたコイルの第２配列を有し、かつ、基板キャリアは、第２表面から位置ずれした（ｄｉｓｐｌａｃｅｄ）経路に沿って第１垂直位置から第２垂直位置に移動する。
本開示の上述の特徴を詳細に理解しうるように、上記で簡単に要約されている本開示の、より具体的な説明が、実施形態を参照することによって得られる。一部の実施形態は付随する図面に示されている。しかし、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容しうることから、付随する図面はこの開示の典型的な実施形態のみを例示しており、したがって、本開示の範囲を限定すると見なすべきではないことに、留意されたい。
一実施形態による、磁気浮上している基板キャリアの部分側方断面図である。 一実施形態による、処理チャンバのクラスタ配列を使用している基板移送システムの上面図である。 一実施形態による、処理チャンバの線形配列を使用している基板移送システムの等角図である。 図３Ａの実施形態による、基板移送システムの上方断面図である。 図３Ａ及び図３Ｂに示す実施形態による、基板移送システムの側方断面図である。 図３Ａから図３Ｃに示す実施形態で使用される第１平面モータ及び第２平面モータの部分側方断面図である。 図３Ａから図３Ｃに示す基板移送システムを通して基板を移動させることに関するプロセスフロー図である。 一実施形態による、基板移送システムの上面図である。 図５Ａの実施形態による、基板移送システムの部分側方断面図である。 図５Ａから図５Ｂに示す基板移送システムを通して基板を移動させることに関するプロセスフロー図である。 図５Ａから図５Ｂに示す基板移送システム内の処理チャンバに基板を供給することに関するプロセスフロー図である。 図５Ａから図５Ｂに示す基板移送システム内の処理チャンバから基板を取り出すことに関するプロセスフロー図である。 一実施形態による、基板移送システムの側面図である。 図７Ａの実施形態による、基板移送システムの側面図である。 図７Ａ及び図７Ｂの基板移送システムと共に使用されることになる、基板キャリアの側方断面図である。 図７Ａから図７Ｃに示す基板移送システム内の処理チャンバの中に基板を移送することに関するプロセスフロー図である。
理解を容易にするために、可能な場合には、複数の図に共通する同一の要素を指し示すために共通の語句を使用した。一実施形態で開示されている要素は、具体的な記述がなくとも、他の実施形態で有益に利用されうると想定される。
本開示は概して、処理チャンバ間で半導体基板を移送するために使用される半導体処理設備に関する。より具体的には、本書で開示されている実施形態は、一又は複数の磁気浮上要素を用いる搬送デバイスを使用して処理チャンバ間で半導体基板を移送するために使用される、システムに関する。
処理チャンバ間で基板を搬送するために磁気浮上を使用することで、いくつかの利点がもたらされる。第１に、磁気浮上は、設置面積の低減を伴う設計を可能にする。一部の実施形態では、ロボット（典型的には、処理チャンバに出し入れするように基板を移送するために使用される）をなくすことができるからである。基板移送システムの設置面積の低減により、基板移送システムの資本コストだけでなく、このシステムの作動コスト及び保守コストが減少し、かつ、半導体製造においてツールが占めることになる設置面積に関連するコストも減少しうる。
第２に、基板を搬送するために磁気浮上デバイスを使用すると、真空環境において粒子及びガス放出を発生させうる可動部分及び真空適合のグリースを有する機械的システムと比較して、粒子及び汚染の発生が低減することになる。例えば、処理チャンバ間で基板を搬送するための中央コンベヤの動きは、コンベヤのその支持構成要素に対する動きから、及び、基板とコンベヤとの接触から、粒子を発生させうる。発生した粒子及び汚染は、製品の品質に悪影響を与えることがあり、場合によっては、製造歩留りを低減させうる。
その一方、磁気浮上デバイスを使用することで、基板キャリアと基板移送システムのそれ以外の部分との接触量が最小化される。図１を参照するに、磁気浮上を使用する基板移送システム１００の部分側方断面図が示されている。基板移送システム１００は、ベース１１１と基板支持面１１２とを有する基板キャリア１１０を含む。ベース１１１は、複数の磁石１１４を含む。一部の構成では、複数の磁石１１４は、それらがハルバッハ配列（Ｈａｌｂａｃｈ ａｒｒａｙ）又は他の類似の構成を形成するように配置されうる。基板５０は、基板キャリア１１０の基板支持面１１２上に置かれうる。基板キャリア１１０は、基板移送システム１００の中で、並びに、基板を基板移送システム１００に供給しそれから取り除くために使用されるロードロックチャンバ（図示せず）に出し入れするように、種々の処理チャンバ（図示せず）の間で、基板５０を搬送しうる。基板キャリア１１０は、アルミニウムなどの非磁性材料から形成されうる。基板移送システム１００の一部の構成では、高温の処理温度にも耐えうる材料を含むよう、基板キャリアを作製する材料を選択することが有利である。一例では、基板キャリア１１０は、セラミック材料（例えばアルミナ、石英、ジルコニアなど）から作製される。場合によっては、基板移送システム１００の中で処理中の基板キャリア１１０におけるいかなる電荷蓄積問題も解消するために、基板キャリア１１０は導電性コーティングでコーティングされうるが、これについては後述する。
基板移送システム１００は、非磁性材料含有プレート（例えばアルミニウムプレート）などのプレート１２５の下に配置されたコイルの配列１２０を有する、平面モータ１１５を更に含む。プレート１２５は、コイルの配列１２０を基板移送システム１００の内部から分離すると共に、コイルの配列１２０によって生成された磁界が、複数の磁石１１４と相互作用し、かつ複数の磁石１１４を使用して基板キャリア１１０の位置を制御することを、可能にする。コントローラ７５、及び、コイルの配列１２０内の各コイルとの電力接続（図示せず）は、各コイルによって発生する磁界を調整するために使用されうる。一部の実施形態では、各コイルは、平面モータ１１５に対する浮上した基板キャリア１１０の移動及び配向への一定した制御を提供するために、第１距離１２１だけ、コイルの配列１２０内の他のコイルから分離されうる。基板キャリア１１０のベース１１１内の複数の磁石１１４は、コイルの配列１２０に補完的な配列で位置付けられた、永久磁石のアレイ又はマトリクスでありうる。永久磁石のアレイ又はマトリクスと、コイルの配列１２０とは、Ｘ−Ｙ平面における補完的な配向に配列されうる。一例では、コイルの配列１２０の中の個々のコイル１２０Ａは、電力がそれらに供給されると発生する磁界（複数可）が、磁石１１４の各々に含まれる１つの永久磁石によって生成された磁界と相互作用するように、巻かれている。固定されたコイルの配列１２０に対する基板キャリア１１０の移動及び配向を制御するための、基板キャリア１１０内の磁石１１４の特定のパターンが使用されうる。個々のコイル１２０Ａは、図１のＺ方向の断面が円形、正方形、長方形、楕円形、又は他の形状になるよう、設計されうる。
更に、一部の実施形態では、基板移送システム１１０内の基板キャリア１１０の位置を検出するために、平面モータ１１５内又は他の好適な場所に、複数のセンサが配置されうる。例えば、一実施形態では、基板キャリア１１０の三次元位置を検出するために、複数のホール効果（Ｈａｌｌ Ｅｆｆｅｃｔ）センサ又は磁気エンコーダが、平面モータ１１５内の様々な場所に位置付けられうる。センサは、コントローラ７５に基板キャリア１１０の位置についてのフィードバックを提供するために、コントローラ７５に接続されうる。コントローラ７５は、基板キャリア１１０の位置が変更されうるか、又は維持されうるように、異なる個々のコイル１２０Ａに提供される電力レベルに必要に応じて調整を行うために、フィードバック制御ループにおいてセンサからの信号を使用しうる。
この開示に記載されている下記の実施形態の多くは、基板キャリア１１０を位置付けるために、コイルの配列１２０などの、図１に示す実施形態と類似の又は同じ特徴を使用する。これらの特徴は、基板キャリアが、基板移送システムの他の部品に接触せずに、又はほとんど接触せずに、基板移送システム全体を通って移動することを可能にし、これにより、粒子の発生が最少化される。
処理チャンバのクラスタ配列向けの例示的な基板移送システム
図２は、本開示の一実施形態による、処理チャンバ２０１〜２０５のクラスタ配列向けの基板移送システム２００の上面図である。基板移送システム２００は、処理チャンバ２０１〜２０５に囲まれている中央平面モータ２１５を含む。基板移送システム２００は、動作中に基板移送システム２００の内部に真空を内包するためのハウジング２１１を更に含みうる。基板移送システム２００は、上述のコントローラ７５も含む。
平面モータ２１５は、基板移送システム１００内で使用されるコイルの配列１２０に類似したコイルの配列を含みうる。更に、複数の、基板移送システム１００内で使用される基板キャリア１１０が、基板５０を種々の処理チャンバ２０１〜２０５に搬送するために、基板移送システム２００内で使用されうる。ゆえに、Ｘ−Ｙ平面に配列されている平面モータ２１５内のコイル（図示せず）によって発生する磁界が、基板移送システム２００において基板キャリア１１０の位置及び配向を動かし、制御するために使用されうる。
平面モータ２１５内のコイルは、Ｘ−Ｙ平面の中で基板キャリア１１０の各々を同時に移動させるために使用されうる。例えば、一方法では、基板キャリア１１０の各々が平面モータ２１５の外側エッジ２１６に沿って移動し、次いで、処理チャンバ２０１〜２０５のうちの１つにおいて停止して、処理チャンバに出し入れするように基板を移送しうるように、平面モータ２１５内のコイルによって発生する磁界を調整するために、コントローラ７５が使用されうる。
別の方法では、基板キャリア１１０の各々は、ランダム運動の様態で個別に制御されうる。例えば、１つの基板キャリア１１０は、平面モータ２１５の中心を横切る経路をとって、処理チャンバ２０２から処理チャンバ２０５へと基板５０を移送しうる。それと同時に、別の基板キャリア１１０が、平面モータ２１５の外側エッジ２１６に沿った経路をとって、処理チャンバ２０４から処理チャンバ２０３へと別の基板５０を移送しうる間に、別の基板キャリア１１０は、処理チャンバ２０１の正面の定まった位置に浮上したままでありうる。種々の基板キャリア１１０のランダム運動制御を達成するために、１つの基板キャリア１１０の位置を制御しているコイルが、別の基板キャリア１１０の制御に干渉しないように、種々の基板キャリア１１０の間には最低限の距離が維持されうる。例えば、コントローラ７５は、基板キャリア１１０の各々の、基板キャリア１１０どうしが最も近接している点の間において、少なくとも１つ又は２つのコイル、或いは、少なくとも３つ、４つ、又は５つのコイルといった、基板キャリア１１０の各々の間の最低限の数のコイルを維持しうる。
垂直リフトを使用する例示的な基板移送システム
図３Ａは、一実施形態による、基板移送システム３００の等角図である。図３Ｂは、図３Ａの線３Ｂに沿った、基板移送システム３００の上方断面図である。図３Ｃは、図３Ａの線３Ｃに沿った、基板移送システム３００の側方断面図である。基板移送システム３００は、第１平面モータ３１０と、第２平面モータ３２１を有する第１リフト３２０と、第３平面モータ３３０と、第４平面モータ３４１を有する第２リフト３４０と、複数の処理チャンバ３０３と、上述のコントローラ７５とを含む。図３Ｂは、第１リフト３２０及び第２リフト３４０が下方位置（すなわち、Ｚ方向で最下方位置）にある時の、第３平面モータ３３０よりも下の、上面図である。更に、図３Ｃは、図が過度にややこしくならないように、処理チャンバ３０３がない状態で示されている。処理チャンバ３０３のいくつかの側面図を、図３Ｄに示している。
図３Ａから図３Ｃを参照するに、基板移送システム３００は、基板移送システム３００の内部３９１に真空を内包するためのハウジング３０４を含む。基板移送システム３００は、第１側面３１５と、第２側面３１６と、第１端部３１７と、第２端部３１８とを有する、第１平面モータ３１０を更に含む。第１平面モータ３１０は、Ｘ−Ｙ平面におけるアレイで配置された第１コイル構成３１２を含む。第１平面モータ３１０の上面３１４は、Ｘ−Ｙ平面に平行である。
基板移送システム３００は、上述の基板キャリア１１０を更に含む。図３Ａ及び図３Ｂには１つの基板キャリア１１０だけが示されているが、基板移送システム３００内では多数の基板キャリア１１０が同時に使用されうる。各基板キャリア１１０は、基板５０を支持するよう構成される。基板キャリア１１０の基板支持面１１２は、Ｘ−Ｙ平面に平行である。コイルの第１配列３１２内の個々のコイル（図示せず）は、基板キャリア１１０を上面３１４の上で移動させ、浮上させるために、コントローラ７５及び電力接続（図示せず）によって励起されて、磁界を発生させうる。基板キャリア１１０は、基板キャリア１１０が磁気浮上している時には上面３１４の上方に配置される。複数の磁石１１４が、コイルの第１配列３１２に補完的な配列で位置付けられる。本書では、補完的な配列とは、平面モータ内のコイルの配列におけるコイルが、電力レベルの変動で選択的に励起され、遷移（ｄｅ−ｅｎｅｒｇｉｚｅｄ）されて、平面モータの上面の上で基板キャリアを浮上させ、搬送しうることを意味する。
一部の実施形態では、基板移送システム３００は、第１平面モータ３１０の第１側面に配置された、処理チャンバの第１配列３０１を更に含む。処理チャンバの第２配列の３０２は、第１平面モータ３１０の第２側面３１６に配置されうる。処理チャンバの第１配列と第２配列３０１、３０２は各々、複数の処理チャンバ３０３を含む。各処理チャンバ３０３は、基板キャリア１１０の基板支持面１１２上に配置された基板５０を受容するよう構成されている、開口３０９（図３Ｄ参照）を含みうる。開口３０９は、処理中にはドア３０８に覆われる。図３Ｂでは処理チャンバ３０３は同じように示されているが、各処理チャンバはそれ以外の処理チャンバとは異なるものでありうる。一部の実施形態では、基板移送システム３００は、処理チャンバの複数の対３０３Ａであって、各々が２つの処理チャンバ３０３を含む、処理チャンバの複数の対３０３Ａを内包しうる。一例では、処理チャンバの対３０３Ａは各々、カリフォルニア州Ｓａｎｔａ ＣｌａｒａのＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｉｎｃ．から入手可能なＰｒｏｄｕｃｅｒ(R)チャンバである。一又は複数のロードロックチャンバ３０７も、基板移送システム３００に含まれてよく、基板移送システム３００の内部３９１に出し入れする基板５０の移送を可能にする。加えて、ロードロックチャンバ３０７は、ファクトリインターフェース３９０に接続されうる。
一部の処理シーケンスでは、処理チャンバの対３０３Ａの中の隣接する処理チャンバ３０３にも、別の基板キャリア１１０を使用して基板５０が入れられ、それにより、両方の基板５０が同時に処理されうる。一例では、処理チャンバの対３０３Ａ内で実施されるプロセスは、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）プロセス（例えばＰＥＣＶＤ誘電体堆積プロセス）、エッチングプロセス、又は他の有用な半導体デバイス形成プロセスを含みうる。処理中に、プラズマを発生させ、静電チャックを使用し、かつ／又は、基板を付勢するプロセスは、基板５０内に一定量の電荷を発生させ、トラップしうることに、留意されたい。この電荷は次いで、プロセスシーケンス４００の基板移送ステップにおいて、基板キャリア１１０に移転されうる。更に、コイル１２０によって基板キャリア１１０の中に生成される誘導場が、誘電体材料から形成されている基板キャリア１１０の両面に固定電荷を発生させることもある（すなわち、基板キャリアの一方の面に正電荷、反対側の面に負電荷）と、考えられている。基板キャリア１１０は、概括的に、磁気浮上要素を使用することにより、いかなる表面又は構成要素も基板移送システム１００に接触せず、ゆえに、トラップされた電荷は接地経路を有しないことから、基板キャリア１１０内にトラップされた電荷は、いつまでも、或いは、発生した電荷が接地へのアークを生成するのに十分なほど大きくなるか、又は、例えば基板キャリア１１０が不本意ながら壁にぶつかることによってトラップされた電荷が偶然放電されるまで、留まることになる。基板キャリア１１０内にトラップされた電荷は、不本意ながら、基板移送システム１００の中にある帯電粒子を基板キャリア１１０に引き付けることがあり、この帯電粒子は次いで、基板５０に移転されうることから、プロセスシーケンス４００において実施される基板移送ステップの前、又はかかる基板移送ステップ中に、このトラップされた電荷を放電することが有利である。一部の実施形態では、接地ストリップ、可撓性導電ワイヤ要素、又は他の導電性接地要素が、システム内の接地面に、又は、基板キャリア１１０の一部分に、電気的に連結されてよく、それにより、接地ストリップ、可撓性導電ワイヤ要素、又は他の導電性接地要素の反対側の端部が、基板移送システム１００の中の様々な地点又は場所に接地経路を形成しうる。一例では、接地撓体３２６（図３Ｄ参照）を有する接地領域３２５が、リフト３２０の表面上に含まれてよく、基板キャリアがリフト３２０に出入りする際に基板キャリア１１０の表面に接触するよう位置付けられうる。接地撓体３２６は、第２リフト３４０の表面上、又は第１平面モータ３１０の表面上などの、基板移送システム３００内の別の場所にも含まれうる。更に、基板移送システム３００は、基板キャリア１１０から電荷を除去するために、複数の接地撓体３２６又は他の接地デバイスを含みうる。加えて、この開示に記載の他の基板移送システムも、そのような基板移送システム内で使用される基板キャリアの電荷を除去するために、接地撓体３２６などの接地デバイスを含みうる。
基板移送システム３００は、第２平面モータ３２１が第１リフト３２０の上に位置付けられている、第１リフト３２０を更に含む。第２平面モータ３２１は、第１端部３２７と第２端部３２８とを有する。第２平面モータ３２１は、Ｘ−Ｙ平面に沿って配置されたコイルの第２配列３２２を含む。第２平面モータ３２１の上面３２４は、Ｘ−Ｙ平面に平行である。第１リフト３２０は、第１垂直位置３５１（図３Ｃ）と第２垂直位置３５２（図３Ｃ）との間で、第２平面モータ３２１の上面３２４を移動させるよう構成される。第１平面モータ３１０の上面３１４と第２平面モータ３２１の上面３２４とは、第１リフト３２０が第１垂直位置３５１にある時に実質的に共平面になる。
基板移送システム３００は、第１端部３３７と第２端部３３８とを有する、第３平面モータ３３０を更に含む。第３平面モータ３３０は、Ｘ−Ｙ平面に沿って配置されたコイルの第３配列３３２を含む。第３平面モータ３３０の上面３３４は、Ｘ−Ｙ平面に平行である。第１平面モータ３１０の上面３１４は第１垂直位置３５１に配置され、第３平面モータ３３０の上面３３４は第２垂直位置３５２に配置される。ここで、第１平面モータ３１０は第３平面モータ３３０の下に図示されているが、一部の実施形態では、第３平面モータ３３０は、第１平面モータ３１０の下に配置されてよく、基板キャリア１１０が、第１平面モータ３１０の下を、ロードロックチャンバ３０７に向かって（＋Ｘ方向）戻ることを可能にする。第３平面モータ３３０の上面３３４と第２平面モータ３２１の上面３２４とは、第２平面モータ３２１の上面３２４が第２垂直位置３５２にある時に実質的に共平面になる。
基板移送システム３００は、第４平面モータ３４１を有する第２リフト３４０を更に含む。第４平面モータ３４１は、第１端部３４７と反対側の第２端部３４８とを有する。第４平面モータ３４１は、Ｘ−Ｙ平面に沿って配置されたコイルの第４配列３４２を含む。第４平面モータ３４１の上面３４４は、Ｘ−Ｙ平面に平行である。第２リフト３４０は、第１垂直位置３５１と第２垂直位置３５２との間で、第２リフト３４０の上面３４４を移動させるよう構成される。第１平面モータ３１０の上面３１４と第４平面モータ３４１の上面３４４とは、第４平面モータ３４１の上面３４４が第１垂直位置３５１にある時に実質的に共平面になる。第３平面モータ３３０の上面３３４と第４平面モータ３４１の上面３４４とは、第４平面モータ３４１の上面３４４が第２垂直位置３５２にある時に実質的に共平面になる。
基板キャリア１１０内の複数の磁石１１４（図１）は、コイルの第２、第３、及び第４の配列３２２、３３２、及び３４２にも補完的な配列で位置付けられる。コイルの配列３２２、３３２、及び３４２の中の個々のコイルは、上述したのと同様に、電力がそれらに供給されると発生する磁界が、磁石１１４によって発生する磁界と相互作用するように巻かれている。
図３Ｄは、図３Ａ及び図３Ｂに示す構成で使用される第１平面モータ３１０及び第２平面モータ３２１の部分側方断面図である。コイルの第１配列３１２は第１コイル３１２１及び第２コイル３１２２を含み、コイルの第２配列３２２は第３コイル３２２３を含み、第１リフト３２０が第１垂直位置３５１にある時に、第２コイル３１２２と第３コイル３２２３とは各々、第１コイル３１２１から第１距離３０６のところにある。第１距離３０６は、約０．１インチから約１．２インチまで、例えば、約０．２５インチから約０．６インチまででありうる。第２コイル３１２２と第３コイル３２２３を各々、第１コイル３１２１から同じ距離にすることで、基板キャリア１１０が、第１平面モータ３１０の上から第２平面モータ３２１の上へと、スムーズに移行することが可能になる。第４コイル３２２４も、第３コイル３２２３から第１距離のところにある。図示していないが、他の平面モータ３３０、３４１内のコイルも、基板キャリア１１０が、第２平面モータ３２１から第３平面モータ３３０へと、第３平面モータ３３０から第４平面モータ３４１へと、及び、第４平面モータ３４１から第１平面モータ３１０へと移動する時の滑らかな移行を確保するために、同様に配置されうる。
図３Ａから図３Ｃ、及び図４を参照するに、基板移送システム３００を通して基板５０を移動させるためのプロセスシーケンス４００が説明されている。この方法について、図３Ａから図３Ｃのシステムを参照しつつ説明しているが、当業者は、これらの方法ステップを任意の順序で実施するよう構成されたいかなる基板移送システムも、本書で開示されている実施形態の範囲に含まれることを理解しよう。プロセスシーケンス４００はコントローラ７５によって実行されてよく、コントローラ７５は、平面モータ３１０、３２１、３３０、３４１の中のコイル、リフト３２０、３４０、処理チャンバ３０３のドア３０８などに供給される電力といった装備（ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ）を制御しうる。一部の実施形態では、内部３９１の中で実施されるプロセスシーケンス４００において実施される移送プロセスは、大気圧未満（例えば真空）の環境で、又は、不活性ガスを含有する大気圧環境で、実施される。
ブロック４０２において、基板５０が基板キャリア１１０の基板支持面１１２上に置かれる。基板５０は、基板キャリア１１０が第２リフト３４０の第４平面モータ３４１の上方に位置付けられている時であって、例えば第２リフトが第２垂直位置３５２に位置付けられている時に、基板キャリア１１０上に置かれうる。一実施形態では、ロードロックチャンバ３０７のうちの１つの中のロボット（図示せず）が、ロードロックチャンバ３０７のうちの１つから基板キャリア１１０の基板支持面１１２へと、基板５０を移送する。基板キャリア１１０が第４平面モータ３４１の上にある場合、次いで基板キャリア１１０は、第４平面モータ３４１及び第１平面モータ３１０の中のコイルが発生させる磁界を調整することによって、第１平面モータ３１０の上面３１４の上に来るように浮上して移動する。本書では、浮上して（させ、）移動する（させる）とは、基板キャリアを浮上状態にすること又は維持すること、及び、次いで基板キャリアを浮上状態で移動させることを、表している。
ブロック４０４において、基板キャリア１１０は、第１平面モータ３１０内のコイルが発生させる磁界を調整することによって、第１平面モータ３１０の上面３１４の上に位置付けられるように浮上して移動する。
ブロック４０６において、基板キャリア１１０及び基板キャリア１１０上の基板５０は、目的の処理チャンバ（第１処理チャンバ）へと浮上して移動し、この目的の処理チャンバ内に基板５０を置く。目的の処理チャンバのドア３０８は、基板が目的の処理チャンバに入る前に開く。処理チャンバのドア３０８は、開いている時に基板５０の移送を可能にするよう構成される。第１平面モータ３１０内のコイルが発生させる磁界を調整することによって、基板キャリア１１０の基板支持面１１２が、目的の処理チャンバ内へと移動する。一実施形態では、目的の処理チャンバの中で可動なリフトピン（図示せず）を使用することによって、基板５０が基板キャリア１１０から取り外される。
ブロック４０８において、基板キャリア１１０が目的の処理チャンバから取り出され、目的の処理チャンバに至るドア３０８が閉じる。
ブロック４１０において、目的の処理チャンバ３０３の中で基板５０に対して堆積プロセスなどのプロセスが実施される。
ブロック４１２において、基板キャリア１１０が目的の処理チャンバに入り、基板５０が、例えば上述のリフトピンを使用することによって、基板キャリア１１０の基板支持面１１２上に置かれる。同じ基板キャリア１１０又は異なる基板キャリア１１０が使用されうる。例えば、一実施形態では、第１平面モータ３１０の上方に位置付けられている、最も近くにある空の基板キャリア１１０が使用されうる。基板キャリア１１０を浮上させ、移動させるために第１平面モータ３１０内のコイルが発生させる磁界を調整することによって、基板キャリア１１０及び基板キャリア１１０上の基板５０が、目的の処理チャンバから取り出される。
決定工程４１４において、コントローラ７５は、処理チャンバ３０３のうちの１つにおいて基板５０の追加処理を行うか否かを決定する。処理チャンバ３０３のうちの１つにおいて基板５０に追加処理が行われるのであれば、次いで、上述のブロックがブロック４０４から繰り返されて、次なる目的の処理チャンバ内で基板５０を処理することが可能になる。ブロック４０４〜４１４は、必要に応じた回数繰り返されうる。処理チャンバ３０３のうちの１つにおいて追加処理が行われないのであれば、次いで、プロセスシーケンス５００はブロック４１６に進む。
ブロック４１６において、第１平面モータ３１０及び第２平面モータ３２１の中のコイルが発生させる磁界を調整することによって、基板キャリア１１０及び基板キャリア１１０の基板支持面１１２上の基板５０が、第１平面モータ３１０の上面３１４の上のある位置から第２平面モータ３２１の上面３２４の上のある位置へと、浮上して移動する。第２平面モータ３２１は第１リフト３２０に連結されており、ブロック４１６の間、第２平面モータ３２１の上面３２４は第１垂直位置３５１にある。
ブロック４１８において、第１リフト３２０を使用することによって、第２平面モータ３２１の上面３２４が、第１垂直位置３５１から第２垂直位置３５２に移動する。
ブロック４２０において、第２平面モータ３２１及び第３平面モータ３３０の中のコイルが発生させる磁界を調整することによって、基板キャリア１１０及び基板キャリア１１０の基板支持面１１２上の基板５０が、第２平面モータ３２１の上面３２４の上のある位置から第３平面モータ３３０の上面３３４の上のある位置へと、浮上して移動する。第３平面モータ３３０の上面３３４は、ブロック４２０の間、第２垂直位置３５２に配置されている。
ブロック４２２において、第３平面モータ３３０及び第４平面モータ３４１の中のコイルが発生させる磁界を調整することによって、基板キャリア１１０及び基板キャリア１１０の基板支持面１１２上の基板５０が、第３平面モータ３３０の上面３３４の上のある位置から第４平面モータ３４１の上面３４４の上のある位置へと、浮上して移動する。第４平面モータ３４１は第２リフト３４０に連結されており、ブロック４２２の間、第４平面モータ３４１の上面３４４は第２垂直位置３５２にある。
ブロック４２４において、オプションで、第２リフト３４０を使用することによって、第４平面モータ３４１の上面３４４が、第２垂直位置３５２から第１垂直位置３５１に移動する。
ブロック４２６において、基板５０が、基板キャリア１１０の基板支持面１１２からロードロックチャンバ３０７のうちの１つに移送される。一実施形態では、ロードロックチャンバ３０７のうちの１つの中のロボット（図示せず）が、基板キャリア１１０の基板支持面１１２からロードロックチャンバ３０７のうちの１つへと、基板５０を移送する。
基板移送システム３００及びプロセスシーケンス４００は、基板５０を効率的に処理することを可能にしつつ、粒子の発生を最小化する。２つの平面モータ３１０及び３３０を、２つの垂直リフト３２０及び３４０と共に別々の垂直位置において使用することで、基板キャリア１１０を１つの方向に進めることが可能になる。このことは、複数の基板キャリア１１０間の（これらの基板キャリアが対向する２方向に移動していたら発生したかもしれない）干渉を最少化し、スループット及び移送効率を向上させる。更に、基板移送システム３００内の基板キャリア１１０は、基板５０を、基板移送システム３００の中のいかなる表面とも接触させることなく、ロードロックチャンバ３０７のうちの１つから、処理チャンバ３０３のうちの１つの中へと、直接移動させうる。このことは、粒子の発生を最小化し、かつ、製品品質及びデバイスの歩留りを改善する。基板５０を処理チャンバ３０３のうちの１つの中に移動させるための、第１平面モータ３１０及び基板キャリア１１０以外の追加設備がないことで、基板移送システムの設置面積の低減も可能になる。このことは、所与の面積内でより多くの基板を処理することを可能にし、効率を増大させる。
基板移送システム３００及びプロセスシーケンス４００は、複数の平面モータ及びリフトを使用して、基板移送システムを通して基板５０を移動させると説明しているが、他の実施形態は、より少ない数の平面モータ（例えば１つだけの平面モータ）、及び、より少ない数のリフト（例えばリフトがない）を含みうる。かかる実施形態では、基板キャリア１１０は、基板５０を、処理前にロードロックチャンバから処理チャンバのうちの１つへと第１方向に搬送し、次いで処理後に、ロードロックチャンバに向けて戻すように、反対方向に搬送しうる。平面モータを１つだけ含む一実施形態は、上述の基板移送システム３００と比較して、基板移送システムの設置面積の更なる低減を可能にする。
更に、基板移送システム３００、及び、本書で開示されている他の基板移送システムは、第１平面モータ３１０などの平面モータを使用し、磁界を生成して対応する基板移送システムを通して基板キャリア１１０を移動させるために、複数のコイルを使用すると説明しているが、それ以外の設計も可能である。例えば、一部の実施形態では、基板キャリア１１０に類似した基板キャリアが、基板移送システムのプロセス環境（例えば、基板キャリアが配置される真空環境）の外部の環境に配置された可動物体に、磁気結合されうる。移送システムと外部環境とは、これら２つの領域を物理的に分離させるために使用される非磁性材料を含有する壁によって、互いから分離されうる。一実施形態では、磁気カート（ｍａｇｎｅｔｉｃ ｃａｒｔ）が外部環境における軌道に置かれてよく、この磁気カートを移動させるためにコンベヤが使用されうる。磁気カート内のコイル（例えばコイル１２０）によって発生する磁界が、基板キャリア内に配置された磁石の補完的な配列と相互作用して、基板移送システムの中の基板キャリアの位置を制御しうる。一実施形態では、基板キャリアは対応する軌道上に置かれうる。これにより、基板キャリアの移動が、例えば２つの次元で、この軌道よって位置合わせされてよく、かつ、磁気カートの運動が、第３の次元における（例えばロードロックチャンバから処理チャンバへの）基板キャリアの移動を引き起こしうる。基板キャリアと基板キャリア用の軌道との接触は、平面モータを使用する基板移送システムと比較して、粒子の発生を増大させる結果をもたらしうるが、かかる基板移送システムの資本コストは、平面モータを使用する基板移送システムよりも著しく低く抑えられやすい。更に、上述の磁気カートなどの外部の可動物体と磁気結合された基板キャリアを使用する基板移送システムは、粒子の発生を、基板キャリアの環境内に配置された従来型の移送設備（例えばコンベヤ）を使用する基板移送システムよりも著しく低減させることになる。
処理ステーションを使用する例示的な基板移送システム
図５Ａは、一実施形態による、基板移送システム５００の上面図である。図５Ｂは、図５Ａの実施形態による、基板移送システム５００の部分側方断面図である。図５Ａ及び図５Ｂを参照するに、基板移送システム５００は、基板移送システム５００の内部に真空を内包するためのハウジング５０４を含む。基板移送システム５００は、第１水平方向５０５に沿って配置されたコイルの第１配列５１２を有する、第１平面モータ５１０を更に含む。第１平面モータ５１０の上面５１４は、第１水平方向５０５に平行である。システム５００は第１平面モータ５１０のみを使用すると説明しているが、一部の実施形態では、２つ以上の平面モータが使用されうる。基板移送システム５００は、上述のコントローラ７５を更に含む。
基板移送システム５００は、複数の基板キャリアを更に含み、これらの基板キャリアは全て上述の基板キャリア１１０でありうる。各基板キャリア１１０は、基板５０を支持するよう構成される。基板キャリア１１０の基板支持面１１２は、Ｘ−Ｙ平面に平行である。コイルの第１配列５１２内の個々のコイルは、基板キャリア１１０を上面５１４の上に浮上させるために、コントローラ７５によって励起されて、磁界を発生させうる。基板キャリア１１０は、基板キャリア１１０が磁気浮上している時には上面５１４の上方に配置される。基板キャリア１１０の各々の中に配置された複数の磁石１１４が、コイルの第１配列５１２に補完的な配列で位置付けられる。
基板移送システム５００は、第１平面モータ５１０の周囲に配置された、複数の処理ステーション５２０を更に含む。図５Ａの二点鎖線は、基板移送システム５００の中の１つの処理ステーションの場所を示している。各処理ステーション５２０は、処理チャンバ５３０と移送支持体５４０とを含む。各処理チャンバ５３０は、移送支持体５４０上に配置された基板５０を受容するよう構成されている、開口５０９（図５Ｂ参照）を含みうる。開口５０９は、処理中にはドア５０８に覆われる。移送支持体５４０は、処理チャンバ５３０の外部の第１移送位置５５１と処理チャンバ５３０の内部の第２移送位置５５２との間で基板５０を移動させるよう構成された部分５４１を含む。第１移送位置５５１は、概括的に、移送支持体５４０が、処理ステーション５２０の外部に位置付けられている基板キャリア１１０から基板５０を引き取りうるか、若しくは、かかる基板キャリア１１０に基板を降ろしうるように、位置付けられる。第２移送位置５５２は、概括的に、移送支持体５４０が、処理チャンバ５３０の中の基板支持要素から基板５０を引き取りうるか、若しくは、かかる基板支持要素に基板を降ろしうるように、位置付けられる。移送支持体５４０は、基板５０を移送していない時には、非動作位置５５３にも移動しうる。一実施形態では、各移送支持体５４０は、第１移送位置５５１と第２移送位置５５２との間で回転可能なアームである。基板支持体５４０は、回転運動に加えて、垂直方向（ｚ方向）にも動いて、基板キャリア１１０への、及び基板キャリア１１０からの、並びに、処理チャンバ５３０への、及び処理チャンバ５３０からの、基板５０の移送を支援しうる。一実施形態では、部分５４１は、基板５０を基板キャリア１１０から離すように持ち上げるためのエンドエフェクタ（図示せず）を含む。例えば、エンドエフェクタ含む部分５４１は、基板キャリア１１０の基板支持面１１２に向かって回転してよく、次いで、エンドエフェクタを含む部分５４１の垂直位置が上昇して、基板５０のエッジを囲んで基板５０を持ち上げ、基板５０を基板キャリア１１０から取り外しうる。次いで、移送支持体５４０は、基板５０をその処理ステーション５２０の処理チャンバ５３０内に置くよう、回転しうる。処理チャンバ５３０内のリフトピン（図示せず）が、上昇して、基板５０を移送支持体５４０から取り外しうる。あるいは、移送支持体５４０は、基板５０を処理チャンバ５３０の中の支持体上に置くよう、下降しうる。
コントローラ７５は、第１配列５１２内のコイルが発生させる磁界を調整することによって複数の基板キャリア１１０を第１平面モータ５１０の上面５１４の上で移動させるよう、構成されうる。コントローラ７５は、第１配列５１２内のコイルの各々が発生させる磁界を実質的に一定に保つことによって複数の基板キャリア１１０を複数の処理ステーション５２０で停止させるよう、更に構成されてよく、各基板キャリア１１０は、異なる処理ステーション５２０で停止しうる。コントローラ７５は、各基板キャリア１１０を、第１平面モータ５１０の上面５１４上のループ５６０において移動させるよう、更に構成されてよく、ループ５６０は、各処理ステーション５２０の第１移送位置５５１を通過する。ループ５６０は、ロードロックチャンバ５０７などの他のチャンバの移送地点も通過しうる。本書では、ループとは、中央エリアを囲い込む経路を表しており、この経路は湾曲部分及び／又は直線部分を含むことも、含まないこともある。例えば、ループは、楕円形又は長方形などの一般的な形状をとりうるか、又は、不規則形状をとりうる。
図５Ａ、図５Ｂ、及び、図６Ａ〜６Ｃを参照するに、基板移送システム５００を通して基板５０を移動させるためのプロセスシーケンス６００、６２０、及び６４０が説明されている。プロセスシーケンス６００は、例えば上述のループ５６０を巡って、第１平面モータ５１０の上で基板キャリア１１０を移動させるための詳細事項を記載している。プロセスシーケンス６２０は、基板キャリア１１０から処理チャンバ５３０へと基板５０を移送するための詳細事項を記載している。プロセスシーケンス６４０は、処理チャンバ５３０から基板キャリア１１０へと基板５０を移送するための詳細事項を記載している。プロセスシーケンス６００、６２０、６４０について、図５Ａ及び図５Ｂのシステムを参照しつつ説明しているが、当業者は、これらの方法ステップを任意の順序で実施するよう構成されたいかなる基板移送システムも、本書で開示されている実施形態の範囲に含まれることを理解しよう。プロセスシーケンス６００、６２０、６４０の各々はコントローラ７５によって実行されてよく、コントローラ７５は、第１平面モータ５１０内のコイル、移送支持体５４０、処理チャンバ５３０のドア５０８などに供給される電力といった装備を制御しうる。
ブロック６０２において、コントローラ７５が、問題なし条件（ａｌｌ ｃｌｅａｒ ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ）について確認する。問題なし条件とは、不具合がない、処理チャンバ５３０に至る全てのドア５０８（図５Ｂ）が閉じている、又は、基板移送システム５００内の様々な構成要素のその他の有益な状態などの、状態を含みうる。コントローラ７５は、基板キャリア１１０を移動させる理由があるか否かも、確かめうる。例えば、基板キャリア１１０の全てが空であり（すなわち、基板５０を運んでおらず）、かつ、各処理ステーション５２０に基板キャリア１１０がある場合には、基板キャリア１１０を移動させることは不必要になる。
ブロック６０４において、複数の基板キャリア１１０は、第１平面モータ５１０内のコイルが発生させる磁界を調整することによって、第１平面モータ５１０の上面５１４の上で、ループ５６０に沿って浮上して移動する。各基板キャリア１１０は、基板５０を運んでいることも、運んでいないこともある。例えば、基板５０のうちの１つは、第１基板キャリア１１０の基板支持面１１２上に配置されうる。一部の実施形態では、複数の基板キャリア１１０が協調的な様態で同時に移動してよく、全ての基板キャリア１１０が、一斉に移動を開始し、次の移送地点（例えば処理ステーション５２０）に一斉に到着しうる。かかる協調は、処理チャンバ５３０のドア５０８の開閉、及び、基板５０を処理チャンバ５３０に出し入れする移送にも及びうる。複数の基板キャリア１１０どうしの協調移動という選択肢があっても、基板キャリア１１０の個別移動も使用されうる。例えば、特定の基板キャリア１１０に不具合が検出された場合、ループ５６０からロードロックチャンバ５０８のうちの１つへと、不具合を有する基板キャリア１１０を浮上させ、移動させること、及び、ループ５６０上の空の移送地点に充当するために別の基板キャリア１１０を個別に供給することが、有利でありうる。別の例としては、基板キャリア１１０の移動を行うための種々のコイルの同時励起により発生しうる電流のサージを減少させるために、種々の基板キャリア１１０の移動を若干ずらす（ｓｔａｇｇｅｒ）ことが、有利でありうる。
ブロック６０６において、第１平面モータ５１０内のコイルの各々が発生させる磁界を実質的に一定に保つことによって、複数の基板キャリア１１０は各々、遅延時間の間、ループ５６０上の、処理ステーション５２０の外部の移送地点５５１において、浮上位置で停止する。各移送地点は、基板キャリア１１０からチャンバ（例えば処理チャンバ５３０又はロードロックチャンバ５０７）に、基板５０を移送するように設定される。各基板キャリア１１０は、異なる移送地点５５１で停止する。移送地点のうちの少なくとも２つは、処理ステーション５２０に位置付けられる。例えば、第１基板キャリア１１０は、第１処理ステーション５２０で停止しうる。一部の実施形態では、ループ５６０上の全ての移送地点が、処理ステーション５２０に位置付けられる。他の実施形態では、ループ５６０上の少なくともいくつかの移送地点は、ロードロックチャンバ５０７に出し入れするように基板５０を移送するための地点などの、他の地点を含む。一部の実施形態では、全部の移送地点で停止する基板キャリア１１０が存在しうる。例えば一実施形態では、１２の移送地点があるとすれば、各移送地点に１つの基板キャリアが停止するように、１２の基板キャリアが存在しうる。他の実施形態では、もっと多い又は少ない数の移送地点、並びに、もっと多い又は少ない数の基板キャリア１１０が、存在しうる。
ブロック６０８において、コントローラは、ブロック６０６で開始した遅延時間が終了するのを待機する。遅延時間は、処理ステーション５２０の各々においてプロセスシーケンス６２０及び６４０が実行される時間を許容し、基板キャリア１１０と種々の処理ステーションの処理チャンバ５３０との間で基板５０が移送されることを可能にする。遅延時間が終了すると、コントローラが上述の問題なし条件を待つブロック６０２から、プロセスシーケンス６００が繰り返される。問題なし条件は、直近で開始した処理シーケンス６２０及び６４０が終了したことを保証するために、使用されうる。
図６Ｂを参照するに、基板キャリア１１０から処理チャンバ５３０へと基板５０を移送するためのプロセスシーケンス６２０が、説明されている。プロセスシーケンス６００がシステムレベルで実行される（すなわち、基板移送システム５００向けの一方法）一方、プロセスシーケンス６２０は、処理ステーションレベルで実行される（すなわち、各処理ステーション５２０向けの別個の方法）。
ブロック６２２において、所与の処理ステーション５２０の処理チャンバ５３０内に基板５０を移送するか否かを決定するために、コントローラ７５が条件を確認する。第１に、コントローラ７５は、処理ステーション５２０の基板キャリア１１０が確実に停止位置にあることを確認する。コントローラ７５は、基板移送システム５００の中のセンサからデータを受信することによって、又は、プロセスシーケンス６００の、基板キャリアを処理ステーション５２０で停止させるブロック６０６を始動させる状態から、基板キャリア１１０の停止位置を確認しうる。第２に、コントローラ７５は、処理ステーション５２０の基板キャリア１１０が空ではない（すなわち基板を運んでいる）かどうかも確認する。第３に、コントローラ７５は、基板キャリア１１０の行き先が、その時点で基板キャリア１１０が配置されている処理ステーション５２０の処理チャンバ５３０であるか否かも、確認する。第４に、コントローラは、処理ステーション５２０の処理チャンバ５３０が基板５０を受容する準備が確実にできていることを確認する。上記の４つの条件の全てが確認されれば、プロセスシーケンス６２０はブロック６２４に進む。上記の４つの条件のうちのいずれかが確認されないか、又は、関連不具合が発生していれば、プロセスシーケンス６２０はブロック６２２に留まる。コントローラ７５が上記の４つの条件を確認する順序は、重要ではない。
ブロック６２４において、処理チャンバ５３０のドア５０８が開く。処理チャンバ５３０のドア５０８は、開いている時に基板５０の移送を可能にするよう構成される。
ブロック６２６において、処理ステーション５２０の移送支持体５４０を使用して、基板キャリア１１０から処理ステーション５２０の処理チャンバ５３０に、基板５０が移送される。上述のように、移送支持体５４０は、基板キャリア１１０から基板５０を取り外し、かつ、処理チャンバ５３０内に基板５０を置きうる、回転可能なアームでありうる。
ブロック６２８において、移送支持体５４０が処理チャンバ５３０から取り除かれると、処理チャンバ５３０のドア５０８が閉まる。ブロック６２８の後に、プロセスシーケンス６２０は、処理チャンバ５３０内への基板５０の別の移送をいつ実施するかを決定する、ブロック６２２に戻る。
図６Ｃを参照するに、処理チャンバ５３０から基板キャリア１１０へと基板５０を移送するためのプロセスシーケンス６４０が、説明されている。プロセスシーケンス６００がシステムレベルで実行される（すなわち、基板移送システム５００向けの一方法）一方、プロセスシーケンス６４０は、処理ステーションレベルで実行される（すなわち、各処理ステーション５２０向けの別個の方法）。
ブロック６４２において、所与の処理ステーション５２０の処理チャンバ５３０から、処理ステーション５２０に配置された基板キャリア１１０に、基板５０を移送するか否かを決定するために、コントローラ７５が条件を確認する。第１に、コントローラ７５は、処理ステーション５２０の基板キャリア１１０が確実に停止位置にあることを確認する。コントローラ７５は、基板移送システム５００の中のセンサからデータを受信することによって、又は、プロセスシーケンス６００の、基板キャリア１１０を処理ステーション５２０で停止させるブロック６０６を始動させる状態から、基板キャリア１１０の停止位置を確認しうる。第２に、コントローラ７５は、処理ステーション５２０の基板キャリア１１０が空である（すなわち基板を運んでいない）か否かも確認する。第３に、コントローラは、処理ステーション５２０の処理チャンバ５３０が、基板５０を取り出す準備が確実にできている（例えば、処理チャンバ５３０内で基板５０に実施される処理が完了している）ことを、確認する。上記の３つの条件の全てが確認されれば、プロセスシーケンス６４０はブロック６４４に進む。上記の３つの条件のうちのいずれかが確認されないか、又は、関連不具合が発生していれば、プロセスシーケンス６４０はブロック６４２に留まる。コントローラ７５が上記の４つの条件を確認する順序は、重要ではない。
ブロック６４４において、処理チャンバ５３０のドア５０８が開く。処理チャンバ５３０のドアは、開いている時に基板５０の移送を可能にするよう構成される。
ブロック６４６において、処理ステーション５２０の移送支持体５４０を使用して、処理ステーション５２０の処理チャンバ５３０から基板キャリア１１０に、基板５０が移送される。上述のように、移送支持体５４０は、処理チャンバ５３０から基板５０を取り出し、基板キャリア１１０上に基板５０を置きうる、回転可能なアームでありうる。
ブロック６４８において、移送支持体５４０が処理チャンバ５３０から取り除かれると、処理チャンバ５３０のドア５０８が閉まる。ブロック６４８の後に、プロセスシーケンス６４０は、処理チャンバ５３０から基板キャリア１１０への基板５０の別の移送をいつ実施するかを決定する、ブロック６４２に戻る。
基板移送システム５００並びにプロセスシーケンス６００、６２０、及び６４０は、基板５０を効率的に処理することを可能にする。基板キャリアを、ループ５６０における多くの又は全ての移送地点に置くことによって、基板５０は、基板移送システム５００を通って効率的に移動しうる。各基板キャリアが、上述の遅延時間の後に次の移送地点に移動するからである。更に、基板の処理が終わると、多くの場合、特定の基板キャリア１１０を、処理済み基板５０が待機している処理ステーション５２０に送ることが不必要になる。空の基板キャリア１１０が、ループ５６０内の途中に既にあることが多いからである。多くの場合、基板５０の処理が終わるのを処理ステーション５２０で待機している、空の基板キャリア１１０が既にある。例えば、様々な時点において、処理チャンバ５３０に付与されるのを待機している基板５０が、ないことがある。このような時点において、各基板キャリア１１０は空であり、空の基板キャリアが各移送地点に配置されうる。１つの基板キャリア１１０上に少なくとも１つの基板５０がある場合には、基板キャリア１１０は、上述の遅延時間（プロセスシーケンス６００のブロック６０６〜６０８参照）の後に次の移送地点に移動しうる。この遅延時間は、基板５０のいずれもが、処理チャンバ５３０内での処理が終了した後にそのチャンバ内に留まる時間量を、低減するよう調整されうる。
移送支持体５４０を使用することで、基板移送システム５００の設置面積の低減も可能になる。基板キャリア１１０を回転させて処理チャンバ５３０に入れることが不必要になるからである。また、コンベヤシステムの代わりに第１平面モータ５１０を使用することで、粒子の発生を減少させることが可能になる。
垂直に配置された処理チャンバ向けの例示的な基板移送システム
図７Ａは、一実施形態による、基板移送システム７００の側面図である。図７Ｂは、基板移送システム７００で使用される、処理ラック７６０の側面図である。図７Ａ及び図７Ｂを参照するに、基板移送システム７００は、第１平面全体に配置されたコイルの第１配列７１２を有する、第１平面モータ７１０を含む。第１平面は、実質的に水平であってよく、図７ＡのＸ−Ｙ平面として示されている。第１平面モータ７１０は、第１表面７１４と、第１端部７１５と、反対側の第２端部７１６とを含む。第１表面７１４は、Ｘ−Ｙ平面に平行である。基板移送システム７００は、上述のコントローラ７５も含む。
基板移送システム７００は、第２平面全体に配置されたコイルの第２配列７２２を有する、第２平面モータ７２０を更に含む。第２平面は、図７Ａに示すＹ−Ｚ平面でありうる。第２平面モータ７２０は、第２表面７２４と、第１端部７２５と、反対側の第２端部７２６とを含む。第１平面は、第２平面に実質的に直角でありうる。第２平面モータ７２０の第２端部７２６は、第１平面モータ７１０の第１表面７１４に面している。第２平面モータ７２０の第２端部７２６と、第１平面モータ７１０の第１表面７１４との間の間隙は、０．２ｍｍから２ｍｍである。
基板移送システム７００は、第１平面に実質的に直角な第３平面全体に配置された複数の処理チャンバ７７０を含む、処理ラック７６０を更に含む。第３平面は、実質的に垂直でありうる。処理ラック７６０は、概括的に、基板５０に処理（例えば堆積、エッチング、及び熱処理）を実施するよう適合している、垂直に積み重ねられた処理チャンバ７７０の一又は複数の群を内包する。処理チャンバ７７０の各々は、処理チャンバ７７０のドア７７８が開いている時に、処理チャンバ７７０に出し入れするように基板５０が移送されることを可能にする、開口７７９を含む。処理ラック７６０だけが図示されているが、一部の実施形態では、基板移送システム７００に２つ以上の処理ラックが含まれうる。上記の実施形態では、追加の処理ラックのうちの一又は複数は、追加の処理ラックにおける開口７７９が処理ラック７６０の第３平面（例えばＸ−Ｚ平面）に平行になるように、配置されうる。
基板移送システム７００は、第２平面モータ７２０に連結されたアクチュエータ７３０を更に含む。アクチュエータ７３０は、第２平面モータ７２０の第２表面７２４と複数の処理チャンバ７７０との間の距離を変更するよう、動作可能である。基板移送システム７００は、基板移送システム２００の内部に真空を内包するためのハウジング（図示せず）を更に含む。
図７Ｃは、基板キャリア７５０の側方断面図である。基板移送システム７００は、ベース７５１と基板５０を運ぶための基板支持面７５２とを含む、基板キャリア７５０を含む。ベース７５１は、第１磁石配列７５６で配置された第１の複数の磁石７５５を含む。第１磁石配列７５６は、基板支持面７５２に実質的に平行に整列している。ベース７５１は、第２磁石配列７５８で配置された第２の複数の磁石７５７を更に含む。第２磁石配列７５８は、第１磁石配列７５６に実質的に直角に整列している。第２磁石配列７５８は、Ｘ−Ｚ平面及びＹ−Ｚ平面に対して非平面配列にも配置されうる。一例では、第２磁石配列７５８は、実質的にＵ字型に形成されてよく、このことが、基板キャリア７５０がＺ軸の周囲で、ひいてはＸ−Ｙ平面内で、回転することを可能にする。一部の構成では、複数の磁石７５５及び７５７は、それらがハルバッハ配列、又は他の類似の構成を形成するように配置されうる。
図７Ａから図７Ｃ、及び図８を参照するに、基板キャリア７５０から処理チャンバ７７０へと基板５０を移送するための方法８００が、説明されている。方法８００について、図７Ａから図７Ｃのシステムを参照しつつ説明しているが、当業者は、これらの方法ステップを任意の順序で実施するよう構成されたいかなる基板移送システムも、開示されている実施形態の範囲に含まれることを理解しよう。方法８００はコントローラ７５によって実行されてよく、コントローラ７５は、平面モータ７１０、７２０の中のコイル、アクチュエータ７３０、処理チャンバ７７０のドア７７８、又は、基板移送システム７００内の他のデバイスに供給される電力といった装備を、制御しうる。
ブロック８０２において、基板５０が基板キャリア７５０の基板支持面７５２上に置かれる。基板キャリア７５０は、基板５０が基板キャリア７５０上に置かれる時に浮上位置にありうる。一例では、ロードロックチャンバ（図示せず）内のロボットが、基板５０を基板キャリア７５０上に置くために使用されうる。場合によっては、基板キャリア７５０は、ロードロックなどの別のサポートチャンバ（図示せず）から基板を引き取る。
ブロック８０４において、基板キャリア７５０は、第１平面モータ７１０の第１表面７１４の上で、浮上して移動する。第１平面モータ７１０は、上述のＸ−Ｙ平面全体に配置されたコイルの第１配列７１２を含む。第１平面モータ７１０内のコイルが発生させる磁界を調整することによって、基板キャリア７５０が浮上して移動する。ブロック８０４の間に、基板キャリア７５０は、第２平面モータ７２０からの動作可能距離の範囲内へと移動する。つまり、第２平面モータ７２０は、基板キャリア７５０が動作可能距離の範囲内にある時に、制御された様態で基板キャリア７５０を移動させうる。
ブロック８０６において、第２平面モータ７２０内のコイルが発生させる磁界を調整することによって、基板キャリア７５０の基板支持面７５２上の基板５０が、第１垂直位置から第２垂直位置に移動する。第２平面モータは、基板キャリア７５０に面している第２表面７２４を含む。第２平面モータ７２０は、上述の垂直平面全体に配置されたコイルの第２配列７２２を有する。基板キャリア７５０は、第２表面から位置ずれした経路に沿って第１垂直位置から第２垂直位置に移動する。
ブロック８０８において、オプションで、基板キャリア７５０の基板支持面７５２上の基板５０が、第２表面７２４から離れるように回転する。基板５０を支持している基板キャリア７０の端部が処理チャンバ７７０に面していない場合に、この回転が使用される。第２平面モータ７２０の第２表面７２４と処理チャンバ７７０との間に他の基板キャリア７５０が存在している場合にこの回転は有用であり、それにより、第２平面モータ７２０が移動している、後述するブロック８１２の間に、基板５０を移送していない基板キャリア７５０が処理チャンバ７７０に衝突することがなくなる。別様には、例えば、第２平面モータ７２０の第２表面７２４と処理チャンバ７７０との間に１つの基板キャリア７５０だけが存在する時には、回転は省略されうる。
ブロック８１０において、処理チャンバ７７０のドア７７８が開く。処理チャンバ７７０のドア７７８は、開いている時に基板５０の移送を可能にするよう構成される。
ブロック８１２において、アクチュエータ７３０を使用して第２平面モータ７２０の第２表面７２４を第１処理チャンバ７７０の近くに移動させることによって、基板キャリア７５０の基板支持面７５２上の基板５０が、指定された処理チャンバ７７０内へと移動する。第２平面モータ７２０内のコイルからの磁界が、基板キャリア７５０を保持し、処理チャンバ７７０に向けて押す。例えばチャンバの中のリフトピンを使用することによって、基板５０が基板キャリア７５０から取り外されうる。
ブロック８１４において、第２平面モータ７２０の第２表面７２４を第１処理チャンバ７７０から離すように移動させるためのアクチュエータ７３０を使用して、基板キャリア７５０が、処理チャンバ７７０から離れるように移動する。第２平面モータ７２０内のコイルからの磁界が、処理チャンバ７７０から離すように基板キャリア７５０を引っ張る。
ブロック８１６において、処理チャンバ７７０のドア７７８が閉まり、処理チャンバ７７０内での基板５０の処理が可能になりうる。
垂直に配置された処理チャンバ７７０の一又は複数の群を有する処理ラック７６０を使用することで、狭い面積に多くの数の処理チャンバ７７０を置くことが可能になる。基板キャリア７５０を浮上させるために第１及び／又は第２の平面モータ７１０、７２０を使用して、処理チャンバ７７０に基板５０を移送することによって、基板キャリア７５０と基板移送システム７００内の他の構成要素との接触が最小化され、粒子の発生が減少する。全体として、基板移送システム７００は、設置面積が小さく、かつ、粒子の発生を減少させる、効率的なシステムを提供する。
以上の説明は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲を逸脱することなく本開示の他の実施形態及び更なる実施形態が考案されてよく、本開示の範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。

Claims (15)

  1. 基板を処理するためのシステムであって、
    第１水平方向に沿って配置されたコイルの第１配列、前記第１水平方向に平行な上面、第１側面、第２側面、第１端部、及び第２端部を備える、第１平面モータと、
    前記第１水平方向に平行な基板支持面を有する基板キャリアであって、前記第１平面モータの前記上面の上方に配置されている、基板キャリアと、
    前記第１平面モータの前記第１側面に配置された開口を有する第１処理チャンバであって、前記開口が、前記基板キャリアの前記基板支持面上に配置されている基板を受容するよう構成される、第１処理チャンバと、
    前記第１水平方向に沿って配置されたコイルの第２配列、前記第１水平方向に平行な上面、第１端部、及び第２端部を備える第２平面モータを含む、第１リフトであって、第１垂直位置と第２垂直位置との間で前記第２平面モータの前記上面を移動させるよう構成されており、前記第１平面モータの前記上面と前記第２平面モータの前記上面とは、前記第２平面モータの前記上面が前記第１垂直位置にある時に実質的に共平面になる、第１リフトとを備える、システム。
  2. 前記第１平面モータの前記第２側面に配置された開口を有する第２処理チャンバであって、前記開口が、前記基板キャリアの前記基板支持面上に配置されている基板を受容するよう構成される、第２処理チャンバを更に備える、請求項１に記載のシステム。
  3. 前記コイルの第１配列は第１コイル及び第２コイルを含み、前記コイルの第２配列は第３コイルを含み、前記第１リフトが前記第１垂直位置にある時に、前記第２コイルと前記第３コイルは各々、前記第１コイルから第１距離のところにある、請求項１に記載のシステム。
  4. 前記基板キャリアは、前記コイルの第１配列に補完的な配列で位置付けられている複数の磁石を含むベースを更に備える、請求項１に記載のシステム。
  5. 前記第１水平方向に沿って配置されたコイルの第３配列、前記第１水平方向に平行な上面、第１端部、及び第２端部を備える、第３平面モータを更に備え、前記第１平面モータの前記上面は前記第１垂直位置に配置され、第３平面モータの前記上面は前記第２垂直位置に配置される、請求項４に記載のシステム。
  6. 基板を処理するためのシステムであって、
    第１水平方向に沿って配置されたコイルの第１配列、及び前記第１水平方向に平行な上面を備える、第１平面モータと、
    複数の基板キャリアであって、各々が前記第１水平方向に平行な基板支持面を有し、各基板キャリアが、基板を支持するよう構成され、かつ、前記上面の上方に配置され、前記コイルの第１配列に補完的な配列で位置付けられている複数の磁石を含むベースを備える、複数の基板キャリアと、
    前記第１平面モータの周囲に配置された複数の処理ステーションであって、各処理ステーションが、
    処理チャンバ、及び、
    前記処理チャンバの外部の第１移送位置と前記処理チャンバの内部の第２移送位置との間で基板を移動させるよう構成された部分を含む移送支持体を備える、複数の処理ステーションとを備える、システム。
  7. 各移送支持体は、前記第１移送位置と前記第２移送位置との間で回転可能なアームである、請求項６に記載のシステム。
  8. コントローラであって、
    前記第１配列内の前記コイルが発生させる磁界を調整することによって、前記第１平面モータの前記上面の上で前記複数の基板キャリアを移動させ、かつ、
    前記第１配列内の前記コイルの各々が発生させる前記磁界を実質的に一定に保つことによって、前記複数の基板キャリアを前記複数の処理ステーションで停止させるよう構成された、コントローラを更に備え、各基板キャリアが異なる処理ステーションで停止する、請求項６に記載のシステム。
  9. 前記コントローラは、各基板キャリアを、前記第１平面モータの前記上面上のループにおいて移動させるよう構成され、前記ループは、各処理ステーションの前記第１移送位置を通過する、請求項８に記載のシステム。
  10. 基板移送システム内で基板を移動させるための方法であって、
    基板キャリアの基板支持面上に前記基板を置くことと、
    第１平面モータ内のコイルが発生させる磁界を調整することによって、前記第１平面モータの上面の上で、前記基板キャリアを浮上させ、移動させることと、
    前記第１平面モータ内のコイルが発生させる磁界を調整することによって、前記基板が置かれる第１処理チャンバ内へと、前記基板キャリアの前記基板支持面を浮上させ、移動させることと、
    前記第１平面モータ及び第２平面モータの中のコイルが発生させる磁界を調整することによって、前記第１平面モータの前記上面の上のある位置から前記第２平面モータの上面の上のある位置へと、前記基板キャリアの前記基板支持面上の前記基板を浮上させ、移動させることであって、前記第２平面モータが第１リフトに連結されており、かつ、前記第２平面モータの前記上面が第１垂直位置にある、浮上させ、移動させることと、
    前記第１リフトを使用することによって、前記第２平面モータの前記上面を、前記第１垂直位置から第２垂直位置に移動させることとを含む、方法。
  11. 前記第１平面モータ内のコイルが発生させる磁界を調整することによって、前記第１処理チャンバから、前記基板キャリア及び前記基板キャリア上の前記基板を取り出すことを更に含む、請求項１０に記載の方法。
  12. 前記第２平面モータ及び第３平面モータの中のコイルが発生させる磁界を調整することによって、前記第２平面モータの前記上面の上のある位置から前記第３平面モータの上面の上のある位置へと、前記基板キャリアの前記基板支持面上の前記基板を浮上させ、移動させることであって、前記第３平面モータの前記上面が前記第２垂直位置に配置されている、浮上させ、移動させることを更に含む、請求項１０に記載の方法。
  13. 基板移送システム内で基板を移動させるための方法であって、
    （ａ）一又は複数の平面モータ内のコイルが発生させる磁界を調整することによって、前記一又は複数の平面モータの上面上のループにおいて、複数の基板キャリアを浮上させ、移動させることであって、前記基板が第１基板キャリアの基板支持面上に配置されている、浮上させ、移動させることと、
    （ｂ）前記一又は複数の平面モータ内の前記コイルの各々が発生させる前記磁界を実質的に一定に保つことによって、遅延時間の間、前記ループ上の複数の移送地点であって、各移送地点が基板キャリアからチャンバに基板を移送するように設定された複数の移送地点において、前記複数の基板キャリアを停止させることであって、各基板キャリアは異なる移送地点で停止し、前記移送地点のうちの少なくとも２つは処理ステーションに位置付けられており、各処理ステーションが処理チャンバ及び移送支持体を含む、停止させることと、
    （ｃ）前記第１基板キャリアが前記第１基板キャリアの目的の処理ステーションにおいて停止すると、前記目的の処理ステーションの前記移送支持体を使用して、前記第１基板キャリアから前記目的の処理ステーションの前記処理チャンバに前記基板を移送することと、
    （ｄ）（ａ）〜（ｃ）を繰り返すこととを含む、方法。
  14. 処理済みの基板を有する処理ステーションであって、前記処理済みの基板はこの処理ステーションの前記処理チャンバから取り出される準備ができている処理ステーションに、空の基板キャリアが停止している時に、前記移送支持体を使用して、前記処理チャンバから前記空の基板キャリアへと前記処理済みの基板を移送することを更に含む、請求項１３に記載の方法。
  15. 各移送支持体は回転可能なアームである、請求項１４に記載の方法。
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021086987A (ja) * 2019-11-29 2021-06-03 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及び基板処理システム
JP2021086986A (ja) * 2019-11-29 2021-06-03 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及び基板処理システム
JP2022508019A (ja) * 2018-09-19 2022-01-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 磁気浮上システム、磁気浮上システムのベース、真空システム、及び真空チャンバにおいてキャリアを非接触で保持及び移動させる方法
KR20220015324A (ko) 2020-07-30 2022-02-08 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 진공 반송 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
WO2022130878A1 (ja) * 2020-12-14 2022-06-23 株式会社安川電機 基板搬送システム及び基板搬送装置
KR20220102109A (ko) 2021-01-12 2022-07-19 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 반송 장치, 기판 반송 방법, 및 기판 처리 시스템
WO2022158351A1 (ja) * 2021-01-25 2022-07-28 東京エレクトロン株式会社 基板の搬送を行う装置、基板を処理するシステム及び基板を処理する方法
KR20220130014A (ko) 2021-03-17 2022-09-26 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 개폐 장치 및 반송실
KR20220136167A (ko) 2021-03-30 2022-10-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판을 반송하는 장치, 기판을 처리하는 시스템 및 기판의 반송을 행하는 방법
KR20220144320A (ko) 2021-04-19 2022-10-26 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판을 반송하는 장치 및 기판을 반송하는 방법
KR20230080313A (ko) 2021-11-29 2023-06-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판의 반송을 행하는 장치, 및 기판의 반송을 행하는 방법
KR20230137827A (ko) 2022-03-22 2023-10-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 시스템
US11798650B2 (en) 2017-10-16 2023-10-24 Illumina, Inc. Semi-supervised learning for training an ensemble of deep convolutional neural networks
US11861491B2 (en) 2017-10-16 2024-01-02 Illumina, Inc. Deep learning-based pathogenicity classifier for promoter single nucleotide variants (pSNVs)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109496348B (zh) * 2016-09-12 2022-01-18 应用材料公司 半导体工艺设备
JP2018123003A (ja) * 2017-01-27 2018-08-09 村田機械株式会社 物品搬送装置
CN109699190B (zh) * 2017-08-24 2023-04-28 应用材料公司 在真空处理系统中非接触地传输装置及方法
KR102253018B1 (ko) * 2017-10-25 2021-05-17 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 진공 챔버 내에서 사용하기 위한 캐리어, 진공 챔버 내의 이송 어레인지먼트를 테스트하기 위한 시스템, 진공 프로세싱 시스템, 및 진공 챔버 내의 이송 어레인지먼트를 테스트하기 위한 방법
CN112840447A (zh) 2018-10-04 2021-05-25 应用材料公司 运输系统
KR20220010710A (ko) 2019-02-14 2022-01-26 퍼시몬 테크놀로지스 코포레이션 기계적으로 안내되는 자재 취급 로봇
US11962214B2 (en) 2019-05-28 2024-04-16 B&R Industrial Automation GmbH Transport device
US20220239212A1 (en) * 2019-05-28 2022-07-28 B&R Industrial Automation GmbH Transport device
EP4102550A4 (en) * 2020-02-05 2023-02-01 Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki TRANSPORT SYSTEM, TRANSPORT METHOD AND TRANSPORT DEVICE
US11565402B2 (en) 2020-03-09 2023-01-31 Applied Materials, Inc. Substrate transfer devices, systems and methods of use thereof
US11527424B2 (en) 2020-03-20 2022-12-13 Applied Materials, Inc. Substrate transfer systems and methods of use thereof
DE102020205002A1 (de) 2020-04-21 2021-10-21 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Transportsystem
AT523640B1 (de) * 2020-04-27 2021-10-15 B & R Ind Automation Gmbh Stützstruktur für einen Planarmotor
US11521870B2 (en) 2020-07-08 2022-12-06 Applied Materials, Inc. Annealing chamber
DE102020212223A1 (de) * 2020-09-29 2022-03-31 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Berührungslose Beförderungsvorrichtung
JP2022107898A (ja) * 2021-01-12 2022-07-25 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置、基板搬送方法、および基板処理システム
CN112631087B (zh) * 2021-01-25 2022-04-22 苏州源卓光电科技有限公司 一种双面加工系统及加工方法
JP2022133867A (ja) 2021-03-02 2022-09-14 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及び基板処理システム
JP2022142568A (ja) * 2021-03-16 2022-09-30 東京エレクトロン株式会社 基板を処理する装置及び基板を搬送する方法
CN113707585A (zh) * 2021-08-23 2021-11-26 上海引万光电科技有限公司 一种磁悬浮式衬底传送腔及传送方法
DE102022123236A1 (de) * 2022-09-12 2024-03-14 Mafu Robotics GmbH Behandlung von Werkstücken insbesondere von Wafern

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62121134A (ja) * 1985-11-19 1987-06-02 Toshiba Corp 磁気浮上式搬送装置
US5180048A (en) * 1990-10-12 1993-01-19 Mitsubishi Jukogyo Kabushiki Kaisha Magnetic levitating transportation system
US5641054A (en) * 1992-07-07 1997-06-24 Ebara Corporation Magnetic levitation conveyor apparatus
US6206176B1 (en) 1998-05-20 2001-03-27 Applied Komatsu Technology, Inc. Substrate transfer shuttle having a magnetic drive
US7125477B2 (en) * 2000-02-17 2006-10-24 Applied Materials, Inc. Contacts for electrochemical processing
CN1996552B (zh) 2001-08-31 2012-09-05 克罗辛自动化公司 晶片机
US20070269297A1 (en) * 2003-11-10 2007-11-22 Meulen Peter V D Semiconductor wafer handling and transport
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
WO2006075291A2 (en) 2005-01-17 2006-07-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Displacement device
US7438175B2 (en) 2005-06-10 2008-10-21 Applied Materials, Inc. Linear vacuum deposition system
JP2008004898A (ja) * 2006-06-26 2008-01-10 Future Vision:Kk 基板搬送装置、基板搬送方法および基板処理システム
JP5213322B2 (ja) * 2006-10-05 2013-06-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置並びにプログラムを記憶する記憶媒体
US20080175694A1 (en) * 2007-01-19 2008-07-24 Dong-Seok Park Unit and method for transferring substrates and apparatus and method for treating substrates with the unit
JP5336885B2 (ja) * 2009-03-03 2013-11-06 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及び基板搬送方法
IT1399285B1 (it) 2009-07-03 2013-04-11 Applied Materials Inc Sistema di lavorazione substrato
TWI451521B (zh) * 2010-06-21 2014-09-01 Semes Co Ltd 基板處理設備及基板處理方法
EP2489759B1 (en) * 2011-02-21 2014-12-10 Applied Materials, Inc. System for utilization improvement of process chambers and method of operating thereof
KR102098741B1 (ko) * 2013-05-27 2020-04-09 삼성디스플레이 주식회사 증착용 기판 이동부, 이를 포함하는 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
DE102018006259A1 (de) * 2018-06-14 2019-12-19 Robert Bosch Gmbh Beförderungsvorrichtung zum Befördern mindestens eines Wafers

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11861491B2 (en) 2017-10-16 2024-01-02 Illumina, Inc. Deep learning-based pathogenicity classifier for promoter single nucleotide variants (pSNVs)
US11798650B2 (en) 2017-10-16 2023-10-24 Illumina, Inc. Semi-supervised learning for training an ensemble of deep convolutional neural networks
JP2022508019A (ja) * 2018-09-19 2022-01-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 磁気浮上システム、磁気浮上システムのベース、真空システム、及び真空チャンバにおいてキャリアを非接触で保持及び移動させる方法
JP7296862B2 (ja) 2019-11-29 2023-06-23 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及び基板処理システム
JP2021086986A (ja) * 2019-11-29 2021-06-03 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及び基板処理システム
WO2021106796A1 (ja) * 2019-11-29 2021-06-03 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及び基板処理システム
WO2021106799A1 (ja) * 2019-11-29 2021-06-03 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及び基板処理システム
JP2021086987A (ja) * 2019-11-29 2021-06-03 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及び基板処理システム
KR20220100957A (ko) 2019-11-29 2022-07-18 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 반송 장치 및 기판 처리 시스템
JP7370233B2 (ja) 2019-11-29 2023-10-27 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及び基板処理システム
KR20220103151A (ko) 2019-11-29 2022-07-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 반송 장치 및 기판 처리 시스템
US11764092B2 (en) 2019-11-29 2023-09-19 Tokyo Electron Limited Substrate transfer apparatus and substrate processing system
KR20220015324A (ko) 2020-07-30 2022-02-08 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 진공 반송 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
WO2022130878A1 (ja) * 2020-12-14 2022-06-23 株式会社安川電機 基板搬送システム及び基板搬送装置
KR20220102109A (ko) 2021-01-12 2022-07-19 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 반송 장치, 기판 반송 방법, 및 기판 처리 시스템
KR20230129535A (ko) 2021-01-25 2023-09-08 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판의 반송을 행하는 장치, 기판을 처리하는 시스템및 기판을 처리하는 방법
WO2022158351A1 (ja) * 2021-01-25 2022-07-28 東京エレクトロン株式会社 基板の搬送を行う装置、基板を処理するシステム及び基板を処理する方法
KR20220130014A (ko) 2021-03-17 2022-09-26 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 개폐 장치 및 반송실
KR20220136167A (ko) 2021-03-30 2022-10-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판을 반송하는 장치, 기판을 처리하는 시스템 및 기판의 반송을 행하는 방법
KR20220144320A (ko) 2021-04-19 2022-10-26 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판을 반송하는 장치 및 기판을 반송하는 방법
KR20230080313A (ko) 2021-11-29 2023-06-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판의 반송을 행하는 장치, 및 기판의 반송을 행하는 방법
KR20230137827A (ko) 2022-03-22 2023-10-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 시스템

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